JPH10233355A - Pattern exposure device and its destaticizing method - Google Patents
Pattern exposure device and its destaticizing methodInfo
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- JPH10233355A JPH10233355A JP4853097A JP4853097A JPH10233355A JP H10233355 A JPH10233355 A JP H10233355A JP 4853097 A JP4853097 A JP 4853097A JP 4853097 A JP4853097 A JP 4853097A JP H10233355 A JPH10233355 A JP H10233355A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、図形データを用い
基板上のレジスト部を電離放射線にて選択的に露光描画
する方式の露光描画装置に関し、特に、基板の除電を行
うための除電手段を備えた露光描画装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure / drawing apparatus which selectively exposes and draws a resist portion on a substrate with ionizing radiation using graphic data. The present invention relates to an exposure / drawing apparatus provided.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩ、超ＬＳＩ、ＡＳＩＣ等の高密度
半導体集積回路の製造は、従来、シリコンウエハ等の被
加工基板上に電離放射線に感度を有するレジストを塗布
し、そのレジストをステッパーないしアライナー等でマ
スクパターン原版の像を露光した後、現像して所望のレ
ジストパターンを得て、このレジストパターンをマスク
として、基板のエッチング、ドーピング処理、薄膜の成
膜、リフトオフ等のリソグラフィー工程を行っていた。
上記のような、レジストパターンの作成に用いられるマ
スクパターン原版は、一般にはフオトマスクと呼ばれ、
露光光に透明な基板上に露光光に遮光性をもつ遮光膜パ
ターンを設けたものてある。そして、遮光膜パターンの
像をレジストに露光転写するのである。シリコンウエハ
上のレジストへは、通常、ステッパーの場合は、マスク
パターン原版の像を１／５ないし１／１０に縮小して、
アライナーの場合は、マスクパターン原版の像を１：１
で露光転写している。近年、半導体集積回路の集積度が
上がり、特にメモリーの一つであるＤＲＡＭは６４Ｍビ
ットが実用レベルになってきているが、この６４ＭＤＲ
ＡＭの最小寸法は０．３０μｍ程度で、従来のｉ線ステ
ッパー露光方法ではレジストパターンの解像限界を超え
る領域にまできている。このため、解像を上げるため
に、露光光源の短波長化、転写レンズの高ＮＡ化、輪帯
照明法を代表とする超解像法やフオトマスクを使用しな
い電子線直接描画法、位相シフトマスクを用いる露光方
法等が実施されるようになってきた。2. Description of the Related Art In the manufacture of high-density semiconductor integrated circuits such as LSI, VLSI, ASIC, etc., conventionally, a resist sensitive to ionizing radiation is applied on a substrate to be processed, such as a silicon wafer, and the resist is stepped or aligned. After exposing the image of the mask pattern master to develop a desired resist pattern, a lithography process such as substrate etching, doping, thin film formation, and lift-off is performed using the resist pattern as a mask. Was.
The mask pattern original used for creating the resist pattern as described above is generally called a photomask,
In some cases, a light-shielding film pattern having a light-shielding property for exposure light is provided on a substrate transparent to exposure light. Then, the image of the light-shielding film pattern is exposed and transferred to the resist. For a resist on a silicon wafer, usually, in the case of a stepper, the image of the mask pattern master is reduced to 1/5 to 1/10,
In the case of the aligner, the image of the mask pattern master is 1: 1.
Exposure transfer. In recent years, the degree of integration of semiconductor integrated circuits has increased, and in particular, DRAM, which is one of the memories, has reached a practical level of 64 Mbits.
The minimum dimension of the AM is about 0.30 μm, and the conventional i-line stepper exposure method can reach an area exceeding the resolution limit of the resist pattern. Therefore, in order to increase the resolution, the wavelength of the exposure light source is shortened, the NA of the transfer lens is increased, the super-resolution method typified by the annular illumination method, the electron beam direct writing method without using a photomask, the phase shift mask Exposure methods and the like using a method have been implemented.
【０００３】上記フオトマスクの作製は、通常、露光光
に透明な基板上に設けられた露光光に遮光性のあるクロ
ム等の単層ないし多層の金属薄膜からなる遮光膜を設け
た基板を用い、該基板上のレジスト部を、図形データを
用い電子線、イオンビーム、紫外線等の電離放射線にて
選択的に露光描画する方式の露光描画装置を用いて露光
描画し、現像処理等を経て、所定の形状にレジストパタ
ーンを形成した後に、遮光膜をエッチングして遮光膜パ
ターンを形成することにより行われる。しかし、フオト
マスクに対してますます微細化加工が求められる中、こ
のような露光描画装置においては、基板の帯電により、
描画不良、異物付着、パターン破壊が発生することがあ
り、問題となっている。[0003] The photomask is usually produced by using a substrate provided with a light-shielding film made of a single-layer or multi-layer metal thin film of chromium or the like having a light-shielding property provided on a substrate transparent to the exposure light. The resist portion on the substrate is exposed and drawn using an exposure / drawing apparatus of a type that selectively exposes and draws with ionizing radiation such as an electron beam, an ion beam, and an ultraviolet ray using graphic data, and is subjected to a predetermined process through a developing process and the like. After the formation of the resist pattern in the shape described above, the light shielding film is etched to form a light shielding film pattern. However, as photomasks are increasingly required to be miniaturized, in such an exposure and drawing apparatus, the charging of the substrate causes
Poor drawing, foreign matter adhesion, and pattern destruction may occur, which is a problem.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、フオト
マスク作製における露光描画装置においては、基板の帯
電により、描画不良、異物付着、パターン破壊が発生す
るため、その対応が求められていた。本発明は、このよ
うな状況のもと、図形データを用い基板上のレジスト部
を電離放射線にて選択的に露光描画する方式の露光描画
装置であって、基板の除電を行うための除電手段を備え
た露光描画装置を提供しようとするものである。As described above, in an exposure / drawing apparatus for producing a photomask, drawing failure, adhesion of foreign matter, and pattern destruction occur due to charging of the substrate, and therefore, measures have been required. The present invention is directed to an exposure / drawing apparatus that selectively exposes and draws a resist portion on a substrate with ionizing radiation using graphic data in such a situation. It is an object of the present invention to provide an exposure / drawing apparatus provided with the above.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の露光描画装置
は、図形データを用い基板上のレジスト部を電離放射線
にて選択的に露光描画する方式の露光描画装置であっ
て、基板の除電を行うための除電手段を備えていること
を特徴とするものであるそして、上記の除電手段はＵＶ
照射部で、ＵＶ照射により気体の分子をイオン化させて
その雰囲気内の基板の除電を行うものであることを特徴
とするものである。そしてまた、上記において、露光用
チャンバーから基板を出し入れできる除電用チャンバー
を露光用チャンバーに隣接して設けており、該除電用チ
ャンバー内にＵＶ照射を行うものであることを特徴とす
るものである。また、ＵＶ照射部の光源部は、露光用チ
ャンバーないし除電用のチャンバーの外に、且つ不活性
ガスで満たされた容器内部に設けられており、透過窓を
介してチャンバー内へＵＶ照射が行われるものであるこ
とを特徴とするものである。また、上記除電手段は軟Ｘ
線照射部で、軟Ｘ線照射により大気中の分子をイオン化
させて、その雰囲気内の基板の除電を行うものであるこ
とを特徴とするものである。そして、上記電離放射線
が、電子線、イオンビームであることを特徴とするもの
である。SUMMARY OF THE INVENTION An exposure / drawing apparatus according to the present invention is an exposure / drawing apparatus which selectively exposes and draws a resist portion on a substrate with ionizing radiation using graphic data. Characterized in that it comprises a static elimination means for performing
In the irradiating section, gas molecules are ionized by UV irradiation to remove charges from the substrate in the atmosphere. Further, in the above, a charge removal chamber capable of taking the substrate in and out of the exposure chamber is provided adjacent to the exposure chamber, and UV irradiation is performed in the charge removal chamber. . The light source section of the UV irradiation section is provided outside the exposure chamber or the charge removal chamber and inside the container filled with an inert gas, and UV irradiation is performed through the transmission window into the chamber. It is characterized in that The static elimination means is soft X
In the X-ray irradiation unit, molecules in the atmosphere are ionized by soft X-ray irradiation, and the substrate in the atmosphere is neutralized. Further, the ionizing radiation is an electron beam or an ion beam.
【０００６】本発明の露光描画装置における除電方法
は、図形データを用い基板上のレジスト部を電子線、イ
オンビーム等の電離放射線にて選択的に露光描画する方
式の露光装置における基板の除電方法であって、露光装
置内の前記基板を取り巻く雰囲気を、ＵＶ照射ないし軟
Ｘ線照射によりイオン化させることにより、基板の除電
を行うものであることを特徴とするものである。A charge elimination method for an exposure / drawing apparatus according to the present invention is directed to a method for selectively removing and writing a resist portion on a substrate by exposure to ionizing radiation such as an electron beam or an ion beam using graphic data. Wherein an atmosphere surrounding the substrate in the exposure apparatus is ionized by UV irradiation or soft X-ray irradiation, thereby performing charge removal of the substrate.
【０００７】[0007]
【作用】本発明の露光描画装置は、このような構成にす
ることにより、フオトマスク作製において用いる、図形
データを用い基板上のレジスト部を電離放射線にて選択
的に露光描画する方式の露光描画装置において、帯電に
よる描画不良、異物付着、パターンの破壊を防止できる
ものとしている。具体的には、除電手段はＵＶ照射部
で、ＵＶ照射により気体の分子をイオン化させて、その
雰囲気内の基板の除電を行うものであることによりこれ
を達成している。更に具体的には、露光用チャンバーか
ら基板を出し入れできる除電用チャンバーを露光用チャ
ンバーに隣接して設けており、該除電用チャンバー内に
ＵＶ照射を行うものであることによりこれを達成してい
る。特に、ＵＶ照射部の光源部は、露光用チャンバーな
いし除電用のチャンバーの外に、且つ不活性ガスで満た
された容器内部に設けられており、透過窓を介してチャ
ンバー内へＵＶ照射が行われるものであることにより、
現状の装置構成を大きく変えることなく、除電手段を設
けることを可能としている。また、除電手段は軟Ｘ線照
射部で、軟Ｘ線により大気中の分子をイオン化させて、
基板の除電を行うものであることによりこれを達成して
いる。尚、電離放射線としては、電子線、イオンビーム
が一般的であるが、これに限定はされない。The exposure / drawing apparatus of the present invention having such a structure, which is used in the production of a photomask, selectively exposes and draws a resist portion on a substrate with ionizing radiation using graphic data. In this case, it is possible to prevent drawing failure, foreign matter adhesion, and pattern destruction due to charging. Specifically, the charge elimination means is a UV irradiating unit, which ionizes gas molecules by UV irradiation, and thereby performs charge elimination of the substrate in the atmosphere. More specifically, a static elimination chamber capable of taking a substrate in and out of the exposure chamber is provided adjacent to the exposure chamber, and this is achieved by performing UV irradiation in the static elimination chamber. . In particular, the light source section of the UV irradiation section is provided outside the exposure chamber or the charge removal chamber and inside the container filled with the inert gas, and the UV irradiation is performed through the transmission window into the chamber. By being
It is possible to provide static elimination means without greatly changing the current device configuration. The static elimination means is a soft X-ray irradiator, which ionizes molecules in the atmosphere by soft X-rays,
This is achieved by eliminating the charge on the substrate. The ionizing radiation is generally an electron beam or an ion beam, but is not limited thereto.
【０００８】本発明の露光描画装置における除電方法
は、このような構成にすることにより、図形データを用
い基板上のレジスト部を電子線、イオンビーム等の電離
放射線にて選択的に露光描画する方式の露光装置におけ
る基板の除電を確実に行い、基板の帯電による描画不
良、異物付着、パターン破壊の無いものとしている。With the above configuration, the charge removing method in the exposure / drawing apparatus of the present invention selectively exposes and draws a resist portion on a substrate with ionizing radiation such as an electron beam or an ion beam using graphic data. In the exposure apparatus of the system, the charge of the substrate is reliably removed, and there is no drawing failure, foreign matter adhesion, and pattern destruction due to the charge of the substrate.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明の露光描画装置および露光
描画装置における除電方法を図に基づいて説明する。図
１は、露光描画装置の概略断面図で、基板上のレジスト
部の露光の前、後ないし前後に基板を出し入れするプリ
チャンバー１２０内基板を取り巻く雰囲気を除電手段１
３０によりイオン化して基板の除電を行うものである。
図１中、１００は露光描画装置、１１０はワークチャン
バー（露光描画室）、１１１はステージ、１１３は電離
放射線、１２０はプリチャンバー（ロードチャンバ
ー）、１２１は真空排気ポート、１２２は真空ポンプ、
１２５はベントポート、１２７は搬送アーム、１３０は
除電手段、１４０は基板、１４１は基板ホルダー、１５
０は基板搭載部（マガジン）、１６０は開閉弁、１７０
は真空ポンプである。本発明の露光描画装置は、図形デ
ータを用い基板上のレジスト部を電離放射線にて選択的
に露光描画する方式の露光描画装置であって、基板の除
電を行うための除電手段を備えているもので、具体的に
は、電子線露光描画装置、集束イオンビーム露光描画装
置が挙げられる。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view of an exposure / drawing apparatus according to the present invention; FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an exposure / drawing apparatus.
The substrate 30 is ionized to neutralize the substrate.
In FIG. 1, 100 is an exposure / drawing apparatus, 110 is a work chamber (exposure / drawing chamber), 111 is a stage, 113 is ionizing radiation, 120 is a pre-chamber (load chamber), 121 is a vacuum exhaust port, 122 is a vacuum pump,
125 is a vent port, 127 is a transfer arm, 130 is a charge removing means, 140 is a substrate, 141 is a substrate holder, 15
0 is a substrate mounting part (magazine), 160 is an on-off valve, 170
Is a vacuum pump. The exposure / drawing apparatus of the present invention is an exposure / drawing apparatus of a system for selectively exposing and drawing a resist portion on a substrate using ionizing radiation using graphic data, and is provided with a discharging means for discharging the substrate. Specifically, there are an electron beam exposure / drawing apparatus and a focused ion beam exposure / drawing apparatus.
【００１０】除電手段１３０としては、ＵＶ照射部で、
ＵＶ照射により気体の分子をイオン化させて、その雰囲
気内の基板の除電を行うものや、軟Ｘ線照射部で、軟Ｘ
線照射により大気中の分子をイオン化させて、その雰囲
気内の基板の除電を行うものが挙げられる。ＵＶ照射な
いし軟Ｘ線照射による除電は、コロナ放電によりイオン
を発生させる従来の除電手段（イオナイザ）を用いた除
電と異なり、直接ガス分子をイオン化するもので、短時
間での除電が可能で、残留電位が常に０Ｖであり、非空
気雰囲気中での除電が可能で、Ｎ2 ガス、Ａｒガスなど
の不活性ガス内や減圧真空下において有効に適用でき
る。この為、基板の出し入れを行うプリチャンバーにお
いてＮ2 ガスを用いるのが普通である露光描画装置にお
いては、特に、プリチャンバーにおいて有効に適用でき
る。尚、ＵＶ照射による除電は１０-1〜１０ -2 Ｔｏｒ
ｒにおいて最も効果を発揮し、軟Ｘ線照射による除電は
大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）で効果を発揮する。As the static elimination means 130, a UV irradiator is used.
A method in which gas molecules are ionized by UV irradiation to remove charges from a substrate in the atmosphere, or a soft X-ray
There is a method in which molecules in the atmosphere are ionized by irradiation with radiation, and the substrate in the atmosphere is neutralized. Unlike static elimination using conventional static elimination means (ionizers) that generate ions by corona discharge, static elimination by UV irradiation or soft X-ray irradiation directly ionizes gas molecules and enables static elimination in a short time. Since the residual potential is always 0 V, static elimination in a non-air atmosphere is possible, and it can be effectively applied in an inert gas such as N 2 gas or Ar gas or under reduced pressure vacuum. For this reason, in an exposure / drawing apparatus in which it is common to use N 2 gas in a pre-chamber for loading and unloading a substrate, the present invention can be effectively applied particularly to a pre-chamber. The charge removal by UV irradiation is 10 -1 to 10 -2 Torr.
r is most effective, and the static elimination by soft X-ray irradiation is effective at atmospheric pressure (760 Torr).
【００１１】図１に示す装置の場合は、除電手段１３０
であるＵＶ照射部、軟Ｘ線照射部等をプリチャンバー１
２０内に設けているが、現状の装置構成を大きく変えな
いために、プリチャンバー１２０外に設けても良い。場
合によっては、ワークチャンバー（露光描画室）１１０
の外に設けても良い。ＵＶ照射部はＵＶ光源から放出さ
れたＵＶ光をＵＶ透過窓を通しプリチャンバー１２０内
に照射するものである。ＵＶ光源としては、重水素ラン
プを用いたもので、その周辺部を窒素あるいはアルゴン
といった不活性ガスからなる置換ガスで置換されている
構造のものが知られている。尚、重水素ランプとＵＶ透
過窓とが一体化した構造が望ましい。また、ＵＶ透過窓
は１００〜４００ｎｍの波長の光を透過するＭｇＦ2 、
ＣａＦ2 、Ｑｕａｒｔｚ、サファイアセラミックスとい
った材料が望ましい。軟Ｘ線照射部は軟Ｘ線管からの光
をＢｅ（ベリリウム）窓を通して照射するものである。In the case of the apparatus shown in FIG.
UV irradiation unit, soft X-ray irradiation unit, etc.
Although it is provided inside the pre-chamber 120, it may be provided outside the pre-chamber 120 in order not to largely change the current device configuration. In some cases, a work chamber (exposure drawing chamber) 110
It may be provided outside. The UV irradiation unit irradiates the UV light emitted from the UV light source into the pre-chamber 120 through the UV transmission window. As a UV light source, one using a deuterium lamp and having a structure in which the periphery is replaced with a replacement gas made of an inert gas such as nitrogen or argon is known. Note that a structure in which the deuterium lamp and the UV transmission window are integrated is desirable. Further, the UV transmission window is made of MgF 2 that transmits light having a wavelength of 100 to 400 nm,
Materials such as CaF 2 , Quartz, and sapphire ceramics are desirable. The soft X-ray irradiator irradiates light from a soft X-ray tube through a Be (beryllium) window.
【００１２】本発明の露光描画装置における除電方法
を、図１、図２に基づいて説明する。図１は前述の通り
本発明の露光描画装置の概略図で、図２は除電のフロー
を示したものであり、符号Ｓ１〜Ｓ１８は動作のステッ
プを示したものである。はじめに、ＵＶ照射により除電
を行う場合について説明する。先ず、図１において、ワ
ークチャンバー（露光描画室）１１０とプリチャンバー
（ロードチャンバー）１２０とは開閉弁１６０により仕
切られ、プリチャンバー（ロードチャンバー）１２０の
みを密閉した状態にし、ベントポート１２５から窒素ガ
ス等を入れ大気に落とした状態で、プリチャンバー１２
０のドア（図示していない）を開き、基板１４０を基板
ホルダー１４１に固定した状態でプリチャンバー（ロー
ドチャンバー）１２０に置かれた基板搭載部（マガジ
ン）１５０にセットする。（Ｓ１）次いで、プリチャン
バー１２０のドアを閉め、且つベントポート１２５から
窒素ガス等を遮断し、密閉した状態でプリチャンバー
（ロードチャンバー）１２０を真空排気ポート１２１よ
り排気を開始する。（Ｓ２）次いで、１〜１０００ｍｍ
Ｔｏｒｒの減圧状態において、ＵＶ照射部（除電手段１
３０）により、直接基板１４０を取り巻く雰囲気をイオ
ン化して、基板１４０の帯電されている箇所の除電を行
う。（Ｓ３）次いで、プリチャンバー１２０の圧を所定
以下まで減圧した状態で、開閉弁１６０を開き、搬送ア
ーム１２７にて、基板１４０をワークチャンバー（露光
描画室）１１０のステージ１１１上の所定位置にセット
する。（Ｓ４）そして、搬送アーム１２７を元の位置に
戻し、開閉弁１６０を閉じた後、所定の図形データを用
い基板１４０上のレジスト部を電離放射線にて選択的に
露光描画する。（Ｓ５）描画後、開閉弁１６０を開き、
搬送アーム１２７を動作させ描画済の基板１４０をプリ
チャンバー１２０の基板搭載部（マガジン）１５０へ引
き出す。（Ｓ６）尚、搬送アーム１２７は、基板１４０
を固定する基板ホルダー１４１ごと、引っ掛けるように
してワークチャンバー（露光描画室）１１０へ押出して
から離し、引っ掛けるようにしてワークチャンバー（露
光描画室）１１０側からプリチャンバー１２０の基板搭
載部（マガジン）１５０へ基板ホルダー１４１ごと引き
出すものである。A method of removing electricity in the exposure / drawing apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic view of the exposure / drawing apparatus of the present invention as described above, and FIG. 2 shows a flow of static elimination, and reference numerals S1 to S18 show operation steps. First, a case in which static elimination is performed by UV irradiation will be described. First, in FIG. 1, a work chamber (exposure / drawing chamber) 110 and a pre-chamber (load chamber) 120 are separated by an opening / closing valve 160. With the gas and the like dropped into the atmosphere, the pre-chamber 12
The door 140 (not shown) is opened, and the substrate 140 is set in the substrate mounting portion (magazine) 150 placed in the pre-chamber (load chamber) 120 with the substrate 140 fixed to the substrate holder 141. (S1) Next, the door of the pre-chamber 120 is closed, nitrogen gas and the like are shut off from the vent port 125, and the evacuation of the pre-chamber (load chamber) 120 is started from the evacuation port 121 in a sealed state. (S2) Then, 1 to 1000 mm
In the depressurized state of Torr, the UV irradiator (static elimination means 1)
According to 30), the atmosphere surrounding the substrate 140 is directly ionized, and the charged portion of the substrate 140 is neutralized. (S3) Next, with the pressure of the pre-chamber 120 reduced to a predetermined level or less, the on-off valve 160 is opened, and the substrate 140 is moved to a predetermined position on the stage 111 of the work chamber (exposure / drawing chamber) 110 by the transfer arm 127. set. (S4) Then, after returning the transfer arm 127 to the original position and closing the on-off valve 160, the resist portion on the substrate 140 is selectively exposed and drawn by ionizing radiation using predetermined graphic data. (S5) After drawing, open the on-off valve 160,
By operating the transfer arm 127, the drawn substrate 140 is drawn out to the substrate mounting portion (magazine) 150 of the pre-chamber 120. (S6) The transfer arm 127 is mounted on the substrate 140
The substrate holder 141 for fixing the substrate is pushed out of the work chamber (exposure / drawing room) 110 so as to be hooked, and then separated, and the substrate mounting portion (magazine) of the pre-chamber 120 is hooked from the work chamber (exposure / drawing room) 110 side. The substrate holder 141 is pulled out to 150.
【００１３】基板１４０を引き出した後、開閉弁１６０
を閉め、この状態で、ベントポート１２５からガスを導
入し（Ｓ７）、１〜１０００ｍｍＴｏｒｒの減圧状態の
もとＵＶ照射部（除電手段１３０）により、直接基板１
４０を取り巻く雰囲気をイオン化して、基板１４０の帯
電されている箇所の除電を行っても良い。（Ｓ８）尚、
基板１４０の露光前ないし露光後のＵＶ照射による除電
に際しては、圧を１〜１０００ｍｍｔｏｒｒ程度で行う
が、特に１０-1〜１０ -2 ｔｏｒｒの範囲で行う方がそ
の除電効率は良い。圧力を１〜１０００ｍＴｏｒｒと設
定するためのガスとしては、窒素、アルゴン、クリプト
ン、キセノンといった不活性ガス、酸素、大気の単体あ
るいは混合ガスでもかまわない。照射するＵＶ光の、量
や照射時間には特に制限はない。またＵＶ照射部の数、
位置、基板との距離に制限はなく必要に応じて決める。After the substrate 140 is pulled out, the open / close valve 160
Is closed, and in this state, gas is introduced from the vent port 125 (S7), and the substrate 1 is directly irradiated by the UV irradiating unit (static elimination means 130) under a reduced pressure of 1 to 1000 mmTorr.
The atmosphere surrounding the substrate 40 may be ionized to remove electricity from a charged portion of the substrate 140. (S8) Incidentally,
When the substrate 140 is to be neutralized by UV irradiation before or after exposure, the pressure is set at about 1 to 1000 mmtorr. In particular, it is better to set the pressure within the range of 10 -1 to 10 -2 torr to improve the neutralization efficiency. The gas for setting the pressure to 1 to 1000 mTorr may be an inert gas such as nitrogen, argon, krypton, or xenon, oxygen, or a simple or mixed gas of the atmosphere. There is no particular limitation on the amount or irradiation time of the UV light to be irradiated. The number of UV irradiation parts,
The position and the distance from the substrate are not limited and are determined as needed.
【００１４】次いで、軟Ｘ線照射により除電を行う場合
について説明する。軟Ｘ線照射により大気中の分子をイ
オン化させて、その雰囲気内の基板の除電を行う場合に
は、減圧下では大気圧下に比べイオン生成が極端に減少
してしまうため、除電効率より大気圧（７６０Ｔｏｒ
ｒ）下で行う。即ち、図２に示すステップＳ１の後、ま
たはステップＳ７の後に、プリチャンバーが大気圧の状
態で軟Ｘ線の照射を行う。尚、図２における太線矢印が
軟Ｘ線の照射場合のフローを示している。ステップＳ１
８は場合によっては省略する。Next, a case where static elimination is performed by soft X-ray irradiation will be described. When molecules in the atmosphere are ionized by irradiation with soft X-rays and static electricity is removed from the substrate in the atmosphere, ion generation is significantly reduced under reduced pressure as compared with atmospheric pressure, so that the efficiency is higher than the static electricity removal efficiency. Atmospheric pressure (760 Torr)
r) under. That is, after step S1 or step S7 shown in FIG. 2, soft X-ray irradiation is performed with the pre-chamber at atmospheric pressure. It should be noted that the thick arrow in FIG. 2 shows the flow in the case of soft X-ray irradiation. Step S1
8 is omitted in some cases.
【００１５】[0015]
【発明の効果】本発明は、上記の通り、図形データを用
い基板上のレジスト部を電離放射線にて選択的に露光描
画する方式の露光描画装置において、基板の帯電による
描画不良、異物付着、パターン破壊を防止できる、基板
の除電を行うための除電手段を備えた露光描画装置の提
供を可能としている。詳しくは、ＵＶ照射または軟Ｘ線
照射により、基板を取り巻く雰囲気をイオン化する除電
手段を備え、基板の帯電を除電することにより、基板の
帯電に起因する描画不良、異物付着、パターン破壊を防
止できるものとしている。この結果、フオトマスクの微
細化に対応できる露光描画を可能としている。As described above, the present invention relates to an exposure / drawing apparatus which selectively exposes and draws a resist portion on a substrate with ionizing radiation using graphic data. It is possible to provide an exposure / drawing apparatus provided with a static elimination means for static elimination of a substrate, which can prevent pattern destruction. In detail, a charge eliminator for ionizing the atmosphere surrounding the substrate by UV irradiation or soft X-ray irradiation is provided, and by eliminating charge of the substrate, it is possible to prevent drawing failure, foreign matter adhesion, and pattern destruction due to the charge of the substrate. It is assumed. As a result, it is possible to perform exposure and drawing that can cope with miniaturization of the photomask.
【図１】本発明の露光描画装置の概略断面図FIG. 1 is a schematic sectional view of an exposure / drawing apparatus according to the present invention.
【図２】除電のフロー図FIG. 2 is a flow chart of static elimination
１００ 露光描画装置 １１０ ワークチャンバー（露光描画室） １１１ ステージ １１３ 電離放射線 １２０ プリチャンバー（ロードチャンバ
ー） １２１ 真空排気ポート １２２、１２２Ａ 真空ポンプ １２５ ベントポート １２７ 搬送アーム １３０ 除電手段 １４０ 基板 １４１ 基板ホルダー １５０ 基板搭載部（マガジン） １６０ 開閉弁 １７０ （ワークチャンバー用の）真空ポン
プREFERENCE SIGNS LIST 100 Exposure / drawing apparatus 110 Work chamber (exposure / drawing chamber) 111 Stage 113 Ionizing radiation 120 Prechamber (load chamber) 121 Vacuum exhaust port 122, 122A Vacuum pump 125 Vent port 127 Transfer arm 130 Static elimination means 140 Substrate 141 Substrate holder 150 Substrate mounting Section (magazine) 160 Open / close valve 170 Vacuum pump (for work chamber)
Claims (7)
電離放射線にて選択的に露光描画する方式の露光描画装
置であって、基板の除電を行うための除電手段を備えて
いることを特徴とする露光描画装置。An exposure / drawing apparatus for selectively exposing and drawing a resist portion on a substrate with ionizing radiation using graphic data, wherein the exposure / drawing apparatus is provided with a charge removing means for removing charge from the substrate. Exposure drawing apparatus.
で、ＵＶ照射により気体の分子をイオン化させてその雰
囲気内の基板の除電を行うものであることを特徴とする
露光描画装置。2. An exposure / drawing apparatus according to claim 1, wherein said charge removing means is a UV irradiator, and ionizes gas molecules by UV irradiation to remove charges in a substrate in the atmosphere.
ら基板を出し入れできる除電用チャンバーを露光用チャ
ンバーに隣接して設けており、該除電用チャンバー内に
ＵＶ照射を行うものであることを特徴とする露光描画装
置。3. The charge removing chamber according to claim 2, wherein a charge removing chamber capable of taking the substrate in and out of the exposure chamber is provided adjacent to the exposure chamber, and UV irradiation is performed in the charge removing chamber. Exposure drawing equipment.
光源部は、露光用チャンバーないし除電用のチャンバー
の外に、且つ不活性ガスで満たされた容器内部に設けら
れており、透過窓を介してチャンバー内へＵＶ照射が行
われるものであることを特徴とする露光描画装置。4. The light source section of the UV irradiation section according to claim 2 is provided outside the chamber for exposure or the chamber for static elimination and inside a container filled with an inert gas, and has a transmission window. An exposure / drawing apparatus characterized in that UV irradiation is performed into a chamber through the apparatus.
で、軟Ｘ線照射により大気中の分子をイオン化させて、
その雰囲気内の基板の除電を行うものであることを特徴
とする露光描画装置。5. The static eliminator according to claim 1, wherein the soft X-ray irradiator ionizes molecules in the atmosphere by soft X-ray irradiation.
An exposure and drawing apparatus for removing charges from a substrate in the atmosphere.
が、電子線、イオンビームであることを特徴とする露光
描画装置。6. An exposure / drawing apparatus according to claim 1, wherein the ionizing radiation is an electron beam or an ion beam.
電子線、イオンビーム等の電離放射線にて選択的に露光
描画する方式の露光装置における基板の除電方法であっ
て、露光装置内の前記基板を取り巻く雰囲気を、ＵＶ照
射ないし軟Ｘ線照射によりイオン化させることにより、
基板の除電を行うものであることを特徴とする露光描画
装置における除電方法。7. A charge removing method for a substrate in an exposure apparatus of a type in which a resist portion on a substrate is selectively exposed and drawn with ionizing radiation such as an electron beam or an ion beam using graphic data, wherein By ionizing the atmosphere surrounding the substrate by UV irradiation or soft X-ray irradiation,
A static elimination method in an exposure / drawing apparatus, wherein static elimination of a substrate is performed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4853097A JPH10233355A (en) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | Pattern exposure device and its destaticizing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4853097A JPH10233355A (en) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | Pattern exposure device and its destaticizing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233355A true JPH10233355A (en) | 1998-09-02 |
Family
ID=12805926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4853097A Pending JPH10233355A (en) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | Pattern exposure device and its destaticizing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10233355A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353097A (en) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Nikon Corp | Destaticizing apparatus and exposure apparatus |
| JP2005010700A (en) * | 2003-06-23 | 2005-01-13 | Toppan Printing Co Ltd | Inspection apparatus and method for original plate for exposure |
| JP2012234642A (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Mitsubishi Heavy Industries Food & Packaging Machinery Co Ltd | Static charge elimination device |
-
1997
- 1997-02-18 JP JP4853097A patent/JPH10233355A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353097A (en) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Nikon Corp | Destaticizing apparatus and exposure apparatus |
| JP2005010700A (en) * | 2003-06-23 | 2005-01-13 | Toppan Printing Co Ltd | Inspection apparatus and method for original plate for exposure |
| JP2012234642A (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Mitsubishi Heavy Industries Food & Packaging Machinery Co Ltd | Static charge elimination device |
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