JPH10232399A - Liquid crystal display device and manufacture thereof - Google Patents

Liquid crystal display device and manufacture thereof

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JPH10232399A
JPH10232399A JP3681297A JP3681297A JPH10232399A JP H10232399 A JPH10232399 A JP H10232399A JP 3681297 A JP3681297 A JP 3681297A JP 3681297 A JP3681297 A JP 3681297A JP H10232399 A JPH10232399 A JP H10232399A
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JP
Japan
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liquid crystal
display device
crystal display
substrate
pixel electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP3681297A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuaki Koyama
徹朗 小山
Tadanori Hishida
忠則 菱田
Makoto Miyanochi
誠 宮後
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPH10232399A publication Critical patent/JPH10232399A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate defective display caused by alignment defect occurring on liquid crystal molecules between pixels electrodes. SOLUTION: When this device is configured so that pixel electrodes 6 formed on a thin film transistor(TFT) substrate 12 have a structure formed further on a planarization layer 9 formed on the TFT and the signal wiring, separation recessed groove 11 is formed on the flattened layer 9 between the pixel electrodes 6. Further, defective display is eliminated by aligning the molecules of the liquid crystal 3 in the area always orthogonal to the substrates 1, 2 by means of forming a vertical film 7 in the bottom of the separation recessed groove 11 and a substrate area opposed to the area.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
(以下TFTという)等のスイッチング素子を備えた液
晶表示装置及びその製造方法に関するものであり、詳し
くは表示品位、製造歩留を向上させる構造を有する液晶
表示装置及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device having a switching element such as a thin film transistor (hereinafter referred to as a TFT) and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a structure having a structure for improving display quality and manufacturing yield. The present invention relates to a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置の構造は、信号線、TF
T、画素電極等が形成されたTFT基板と、カラーフィ
ルタ、対向電極等が形成された対向基板とを、所定の間
隙を保って貼り合わせ、該間隙に液晶を封入した構造を
有している。
2. Description of the Related Art The structure of a liquid crystal display device includes signal lines, TFs, and the like.
T, a TFT substrate on which a pixel electrode and the like are formed, and a counter substrate on which a color filter, a counter electrode, and the like are formed are attached with a predetermined gap therebetween, and a liquid crystal is sealed in the gap. .

【0003】従来の一般的な液晶表示装置の断面構造
は、図7に示されるように、基板101上に信号線10
2や図示しないTFT等を形成し、この上に凹凸を平坦
化させる平坦化層103を形成し、更にこの上に画素電
極104を形成することにより構成されるTFT基板1
10と、基板105上に対向電極106を形成すること
により構成される対向基板111とを、電極どうしが対
向するように所定の間隙をもって対向配置させ、該間隙
に液晶107を封入した構造となっている。なお、前記
画素電極104とTFTとの接続は、平坦化層103に
設けられた図示しないコンタクトホールを介して行われ
ている。また、前記TFT基板110、対向基板111
の最上層には図示しない配向膜が形成されており、ラビ
ング処理等によって配向特性が付与されている。
The cross-sectional structure of a conventional general liquid crystal display device is shown in FIG.
2 and a TFT (not shown), a flattening layer 103 for flattening irregularities is formed thereon, and a pixel electrode 104 is further formed thereon to form a TFT substrate 1.
10 and a counter substrate 111 formed by forming a counter electrode 106 on a substrate 105 are arranged facing each other with a predetermined gap so that the electrodes face each other, and a liquid crystal 107 is sealed in the gap. ing. The connection between the pixel electrode 104 and the TFT is made via a contact hole (not shown) provided in the planarization layer 103. Further, the TFT substrate 110 and the counter substrate 111
An alignment film (not shown) is formed on the uppermost layer, and is provided with alignment characteristics by a rubbing process or the like.

【0004】ところで、上記の構成においては、平坦化
層103が信号線102の上部で盛り上がってしまうた
め、画素電極104は周囲を囲まれた凹部に形成される
こととなる。このため、最上層に配向膜が形成された基
板101をラビング処理する際、画素電極104上に限
ると所望のラビングが行われて、該領域の液晶分子10
7aは正しく配向する(以下、順チルト状態という)
が、ラビング方向に対して影となる斜面の領域近傍にお
いては所望のラビングが行われず、該領域の液晶分子1
07bは斜面に沿って順チルト状態とは逆向きに配向し
てしまう(以下、逆チルト状態という)。このため、両
状態の境界でディスクリネーション(配向不良)が発生
し、表示品位が低下してしまうという問題点があった。
In the above configuration, the planarizing layer 103 rises above the signal line 102, so that the pixel electrode 104 is formed in a recess surrounded by the periphery. Therefore, when the rubbing process is performed on the substrate 101 on which the alignment film is formed on the uppermost layer, desired rubbing is performed only on the pixel electrode 104, and the liquid crystal molecules 10 in the region are not rubbed.
7a is oriented correctly (hereinafter referred to as forward tilt state)
However, the desired rubbing is not performed in the vicinity of the region of the slope which becomes a shadow with respect to the rubbing direction.
07b is oriented along the slope in a direction opposite to the forward tilt state (hereinafter referred to as a reverse tilt state). For this reason, there has been a problem that disclination (poor alignment) occurs at the boundary between the two states, and the display quality deteriorates.

【0005】このような配向不良を無くすために、図8
に示すように、平坦化層103を信号線102の厚みよ
りも十分大きくすることによって、平坦化層103の表
面を完全に平坦化することによって、液晶107が逆チ
ルト状態となる領域を無くすことが考えられる。
In order to eliminate such an alignment defect, FIG.
As shown in (2), the thickness of the flattening layer 103 is made sufficiently larger than the thickness of the signal line 102 to completely flatten the surface of the flattening layer 103, thereby eliminating a region where the liquid crystal 107 is in a reverse tilt state. Can be considered.

【0006】また、特開平7−20497号公報では、
図9に示すように、個々の画素電極104の周囲に沿っ
て分離凹溝108を形成し、互いに隣り合う画素電極1
04を機能的に分離することによって、該分離凹溝10
8部の液晶分子の配向状態を強制的に制御した液晶表示
装置が開示されている。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-20497,
As shown in FIG. 9, separation grooves 108 are formed along the periphery of each pixel electrode 104, and the pixel electrodes 1 adjacent to each other are formed.
04 by functional separation, the separation groove 10
A liquid crystal display device in which the alignment state of eight parts of liquid crystal molecules is forcibly controlled is disclosed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表
示装置の高精細化に伴って画素電極104間のピッチが
小さくなると、液晶層の厚みよりも画素電極104間の
ピッチの方が小さくなる場合が生じてくる。このような
場合には、図8に示した液晶表示装置においては、画素
電極104と図示しない対向電極との間に作用する正規
の縦方向電界に比べ、隣り合う画素電極104間に発生
する副次的な横方向電界の方が大きくなり、正常な画像
表示が損なわれるという問題点があった。
However, if the pitch between the pixel electrodes 104 is reduced in accordance with the high definition of the liquid crystal display device, the pitch between the pixel electrodes 104 may be smaller than the thickness of the liquid crystal layer. Come up. In such a case, in the liquid crystal display device shown in FIG. 8, compared to the normal vertical electric field acting between the pixel electrode 104 and a counter electrode (not shown), There is a problem that the next horizontal electric field becomes larger and normal image display is impaired.

【0008】また、特開平7−20497号公報に開示
された液晶表示装置の場合、分離凹溝108の斜面に沿
って液晶分子を配向させるため、前記分離凹溝108は
テーパをもった構造となっているが、このテーパをもつ
分離凹溝108の上部に画素電極106をパターニング
する際、前記透明導電膜は基板全面でほぼ同一の厚みに
形成されているため、露光工程でのダストが該分離凹溝
108部に取り込まれた場合、感光不良によるレジスト
膜残りが生じやすくなるため、画素電極104間でのリ
ークを多発させ、製造歩留が低下してしまうという問題
点があった。
In the case of the liquid crystal display device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-20497, since the liquid crystal molecules are aligned along the slope of the separation groove 108, the separation groove 108 has a tapered structure. However, when the pixel electrode 106 is patterned on the separation groove 108 having the taper, the transparent conductive film is formed to have substantially the same thickness over the entire surface of the substrate. When taken into the separation groove 108, the resist film remains easily due to poor photosensitivity, so that there is a problem that leakage between the pixel electrodes 104 frequently occurs and the manufacturing yield is reduced.

【0009】本発明は、上述した問題点に鑑みてなされ
たものであり、液晶分子の配向不良による表示品位の低
下を防ぐとともに、製造歩留の低下を防ぐことが可能と
なる液晶表示装置及びその製造方法を提供するものであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of preventing a decrease in display quality due to poor alignment of liquid crystal molecules and a decrease in manufacturing yield. An object of the present invention is to provide a manufacturing method thereof.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
液晶表示装置は、所定の間隙を介して互いに対向配置さ
れた一対の基板と、該間隙内に保持された液晶層とから
なるセル構造を有し、一方の基板は薄膜トランジスタ及
び信号線が形成された領域と、その上に形成された絶縁
膜と、更にその上に形成された画素電極とを備えてお
り、他方の基板は対向電極を備えており、前記画素電極
の周囲に沿って前記絶縁膜に分離凹溝が形成された液晶
表示装置において、前記分離凹溝の底部及びこれに対面
する対向電極領域上に垂直配向膜を形成したことを特徴
とするものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a pair of substrates arranged to face each other with a predetermined gap therebetween; and a liquid crystal layer held in the gap. Has a cell structure, one substrate includes a region where a thin film transistor and a signal line are formed, an insulating film formed thereover, and a pixel electrode formed thereover, and the other substrate has a In a liquid crystal display device having a counter electrode, wherein a separation groove is formed in the insulating film along the periphery of the pixel electrode, a vertical alignment film is formed on a bottom portion of the separation groove and a counter electrode region facing the bottom. Is formed.

【0011】本発明の請求項2記載の液晶表示装置は、
請求項1記載の液晶表示装置において、前記分離凹溝
が、端部が基板面に対してほぼ垂直となるように形成さ
れていることを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising:
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the separation groove is formed such that an end thereof is substantially perpendicular to a substrate surface.

【0012】本発明の請求項3記載の液晶表示装置は、
請求項1、2記載の液晶表示装置において、前記画素電
極のコーナー部に面取り部が形成されていることを特徴
とするものである。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising:
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a chamfer is formed at a corner of the pixel electrode.

【0013】本発明の請求項4記載の液晶表示装置の製
造方法は、基板上に薄膜トランジスタ、信号線を形成す
る工程と、前記薄膜トランジスタ、信号線を覆うように
基板全面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の所定
領域に非等方性エッチングを行うことによって分離凹溝
を形成する工程と、前記絶縁膜及び分離凹溝を覆って透
明導電膜を形成する工程と、前記透明導電膜の所定領域
に等方性エッチングを行うことによって画素電極をパタ
ーニングする工程と、を有していることを特徴とするも
のである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: forming a thin film transistor and a signal line on a substrate; and forming an insulating film on the entire surface of the substrate so as to cover the thin film transistor and the signal line. Forming an isolation groove by performing anisotropic etching on a predetermined region of the insulating film; forming a transparent conductive film covering the insulating film and the isolation groove; and forming the transparent conductive film. Patterning the pixel electrode by performing isotropic etching on a predetermined area of the pixel electrode.

【0014】本発明の請求項5記載の液晶表示装置の製
造方法は、請求項4記載の液晶表示装置の製造方法にお
いて、一方の基板に形成された前記画素電極及び分離凹
溝を覆って垂直配向膜を形成する工程と、前記分離凹溝
以外の領域に水平配向膜を形成し、該水平配向膜をラビ
ング処理する工程と、対向電極が形成された他方の基板
全面に垂直配向膜を形成する工程と、画素電極に対応す
る領域に水平配向膜を形成し、該水平配向膜をラビング
処理する工程と、を有していることを特徴とするもので
ある。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the fourth aspect of the present invention, the method comprising vertically covering the pixel electrode and the isolation groove formed on one substrate. Forming an alignment film, forming a horizontal alignment film in a region other than the separation groove, rubbing the horizontal alignment film, and forming a vertical alignment film on the entire surface of the other substrate on which the counter electrode is formed. And forming a horizontal alignment film in a region corresponding to the pixel electrode, and rubbing the horizontal alignment film.

【0015】以下、上記構成による作用について説明す
る。
The operation of the above configuration will be described below.

【0016】本発明の液晶表示装置においては、前記分
離凹溝の底部及びこれに対面する対向電極領域上に垂直
配向膜を形成したことによって、画素電極の周囲の液晶
分子を、垂直配向膜による配向規制力によって常に基板
に対して垂直に配向させることができるので、該領域に
おけるディスクリネーションの発生を抑えることが可能
となる。
In the liquid crystal display device according to the present invention, the vertical alignment film is formed on the bottom of the separation groove and on the opposing electrode region facing the separation groove, so that the liquid crystal molecules around the pixel electrode are formed by the vertical alignment film. Since alignment can be always performed perpendicular to the substrate by the alignment control force, it is possible to suppress the occurrence of disclination in the region.

【0017】また、前記分離凹溝を、端部が基板面に対
してほぼ垂直となるように形成することによって、この
上に形成される透明導電膜がこの端部において局所的に
薄く形成さることとなり、後にパターニングを行う際に
膜残りが発生することを抑えることが可能となる。
Further, by forming the separation groove so that its end is substantially perpendicular to the substrate surface, the transparent conductive film formed thereon is locally thinned at this end. As a result, it is possible to suppress the occurrence of a film residue when performing patterning later.

【0018】また、前記画素電極のコーナー部に面取り
部を形成することによって、ラビング布の毛先が画素電
極のコーナー部を通過する時に、該コーナー部で局所的
な圧力がかかってしまうことを防ぐことが可能となる。
Further, by forming a chamfer at the corner of the pixel electrode, it is possible to prevent a local pressure from being applied to the corner of the rubbing cloth when the tip of the rubbing cloth passes through the corner of the pixel electrode. Can be prevented.

【0019】本発明の液晶表示装置の製造方法において
は、薄膜トランジスタ及び信号線を覆うように形成した
絶縁膜に形成される分離凹溝を非等方性エッチングによ
って形成することによって、該分離凹溝の端部を基板面
に対してほぼ垂直となるように形成することができ、該
端部において後に形成される透明導電膜を薄く形成する
ことが可能となる。
In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the separation groove formed in the insulating film formed so as to cover the thin film transistor and the signal line is formed by anisotropic etching. Can be formed so as to be substantially perpendicular to the substrate surface, and a thin transparent conductive film to be formed later at the end can be formed.

【0020】また、前記絶縁膜及び分離凹溝を覆うよう
に形成された透明導電膜を等方性エッチングによって形
成することによって、前記分離凹溝に異物が混入したり
レジスト残りが存在した場合であっても、前記透明導電
膜が薄く形成された分離凹溝の端部においてはエッチャ
ントが前記異物またはレジスト残りを回り込んでいくた
め、画素電極間のリークを防ぐことが可能となる。
Further, by forming a transparent conductive film formed so as to cover the insulating film and the isolation groove by isotropic etching, it is possible to prevent foreign matter from being mixed into the isolation groove and resist remaining. Even so, at the end of the separation groove in which the transparent conductive film is thinly formed, the etchant goes around the foreign matter or the remaining resist, so that it is possible to prevent leakage between pixel electrodes.

【0021】更に、前記垂直配向膜を基板全面に形成し
た後に前記水平配向膜を所定の領域に形成し、前記水平
配向膜が形成された領域にのみラビング処理を施すこと
によって、垂直配向膜が形成された領域に不要なラビン
グ処理を施してしまうことを防ぐことができる。
Further, after the vertical alignment film is formed on the entire surface of the substrate, the horizontal alignment film is formed in a predetermined region, and a rubbing process is performed only on the region where the horizontal alignment film is formed. Unnecessary rubbing can be prevented from being performed on the formed region.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

(実施の形態1)本発明の実施の形態について、図1乃
至図9を用いて説明する。図1は本実施形態の液晶表示
装置の構造を示す断面図である。図1に示されるよう
に、本実施形態の液晶表示装置は、所定の間隙を保って
互いに対向配置された一対の基板1、2と、該一対の基
板1、2間に封入された液晶3とからなるセル構造を有
している。
(Embodiment 1) An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a sectional view showing the structure of the liquid crystal display device of the present embodiment. As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device according to the present embodiment includes a pair of substrates 1 and 2 that are arranged to face each other with a predetermined gap, and a liquid crystal 3 sealed between the pair of substrates 1 and 2. And a cell structure consisting of

【0023】前記一方の基板1には、図示しないTFT
や信号線8が形成されており、その上には平坦化層9が
形成されている。この平坦化層9はTFTや信号線8等
による基板1の表面の凹凸を完全に平坦化しており、こ
の上部に形成される画素電極6の周辺端部には分離凹溝
11が設けられている。また、前記分離凹溝11、前記
画素電極6の更に上部には垂直配向膜7が形成されてい
る。更に、前記垂直配向膜7を介して前記画素電極6の
上部には水平配向膜5が形成され、TFT基板12が構
成される。
A TFT (not shown) is provided on the one substrate 1.
And a signal line 8, on which a planarization layer 9 is formed. The flattening layer 9 completely flattens the unevenness of the surface of the substrate 1 due to the TFTs, the signal lines 8 and the like, and a separation groove 11 is provided at a peripheral edge of the pixel electrode 6 formed on the flattening layer 9. I have. Further, a vertical alignment film 7 is formed further above the separation groove 11 and the pixel electrode 6. Further, a horizontal alignment film 5 is formed on the pixel electrode 6 via the vertical alignment film 7 to form a TFT substrate 12.

【0024】また、他方の基板2には、全面に対向電極
10が形成されており、該対向電極10の上部には垂直
配向膜7が形成されており、更に前記TFT基板12と
貼り合わせた際に画素電極6と対向する領域には水平配
向膜5が形成され、対向基板13が構成される。
On the other substrate 2, a counter electrode 10 is formed on the entire surface, and a vertical alignment film 7 is formed on the counter electrode 10. In this case, the horizontal alignment film 5 is formed in a region facing the pixel electrode 6, and the counter substrate 13 is configured.

【0025】前記平坦化層9は、アクリル系樹脂、イミ
ド化樹脂、フッ素系樹脂等の有機樹脂材料を用いること
ができる。
The flattening layer 9 can be made of an organic resin material such as an acrylic resin, an imidized resin, and a fluorine resin.

【0026】前記平坦化層9に形成された分離凹溝11
は、該分離凹溝の下部に存在する信号線の幅よりも細く
なるように形成されている。これは、この上部に形成さ
れる画素電極6の端部と信号線8とを僅かに重ね合わせ
ることを可能とするためである。また、前記分離凹溝1
1の深さは、前記平坦化層9の厚みよりも小さくなるよ
うに形成されている。これは、この上部に形成される画
素電極6の端部が隣接する画素電極とリークしない程度
に前記分離凹溝11にかかった場合、この画素電極6と
前記分離凹溝11の下部に形成された信号線8とのリー
クを防ぐためである。
The separation groove 11 formed in the flattening layer 9
Are formed so as to be narrower than the width of the signal line existing under the separation groove. This is to make it possible to slightly overlap the signal line 8 with the end of the pixel electrode 6 formed thereon. In addition, the separation groove 1
The depth 1 is formed so as to be smaller than the thickness of the flattening layer 9. This is because, when the edge of the pixel electrode 6 formed on the upper portion is in the separation groove 11 to such an extent that it does not leak with the adjacent pixel electrode, it is formed below the pixel electrode 6 and the separation groove 11. This is to prevent a leak with the signal line 8 that has occurred.

【0027】前記垂直配向膜7は、非極性高分子である
テトラフルオロエチレン、長鎖アルキル基含有シランカ
プラ、長鎖アルキル基含有ポリイミド、フッ素含有ポリ
イミド等を用いることができる。
The vertical alignment film 7 can be made of a nonpolar polymer such as tetrafluoroethylene, a long-chain alkyl group-containing silane coupler, a long-chain alkyl group-containing polyimide, or a fluorine-containing polyimide.

【0028】また、前記水平配向膜5は、極性高分子で
あるポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール等
を用いることができる。
The horizontal alignment film 5 may be made of a polar polymer such as polyimide, polyamide, polyvinyl alcohol or the like.

【0029】以下に、本実施形態における液晶表示装置
の製造方法について説明する。
Hereinafter, a method for manufacturing the liquid crystal display device according to the present embodiment will be described.

【0030】まず、TFT基板12の製造方法につい
て、図2、図3を用いて説明する。図2の(a)に示す
ように、一方の基板1上にゲート配線やソース配線等の
信号線8及び図示しないTFTを順次形成する。
First, a method of manufacturing the TFT substrate 12 will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 2A, a signal line 8 such as a gate wiring and a source wiring and a TFT (not shown) are sequentially formed on one substrate 1.

【0031】次に、図2の(b)に示すように、前記信
号線8やTFT等によって形成されたTFT基板1表面
の凹凸を平坦化すべく、前記平坦化層9をスピン塗布法
により3〜4μm程度の厚みに形成する。
Next, as shown in FIG. 2B, the flattening layer 9 is applied by spin coating to flatten the irregularities on the surface of the TFT substrate 1 formed by the signal lines 8 and the TFTs. It is formed to a thickness of about 4 μm.

【0032】続いて、図2の(c)に示すように、前記
平坦化層9の分離凹溝11となる領域を、ドライエッチ
ング等の非等方性エッチングによって所定の深さだけエ
ッチングする。このように、前記分離凹溝11を非等方
性エッチングによって形成することによって、平坦化層
9のエッジ部分を鋭利に形成することができる。また、
この工程に前後して、前記平坦化層9の所定位置に、後
に形成する画素電極6とTFTとの導通を得るためのコ
ンタクトホールを形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 2C, a region of the flattening layer 9 which is to be the separation groove 11 is etched to a predetermined depth by anisotropic etching such as dry etching. As described above, by forming the separation grooves 11 by anisotropic etching, the edge portions of the planarization layer 9 can be formed sharply. Also,
Before or after this step, a contact hole for obtaining conduction between the pixel electrode 6 to be formed later and the TFT is formed at a predetermined position of the flattening layer 9.

【0033】次に、前記平坦化膜9の上部にITO等の
透明導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法によってパ
ターニングすることによって、図2の(d)に示すよう
に、画素電極6を形成する。前記透明導電膜のパターニ
ングはウェットエッチング等の等方性エッチングを用い
る。このとき、前記分離凹溝11を非等方性エッチング
によって形成し、前記分離凹溝11の端部を基板1に対
してほぼ垂直となるように形成したので、図3に示され
るように、前記分離凹溝11の端部に形成される透明導
電膜を、他の部分に形成される透明導電膜よりも薄く、
かつ異なる膜質となるように形成することができる。し
たがって、前記分離凹溝11にレジストの膜残り等が生
じても、前記透明導電膜をウェットエッチング等の等方
性エッチングによってパターニングすることによって、
透明導電膜の薄く形成された部分のエッチングレートが
局所的に大きくなり、透明導電膜の膜残りによる隣接画
素電極間のリークを防ぐことができ、製造歩留を向上さ
せることができる。
Next, a pixel electrode 6 is formed as shown in FIG. 2D by forming a transparent conductive film such as ITO on the flattening film 9 and patterning it by photolithography. . The transparent conductive film is patterned using isotropic etching such as wet etching. At this time, since the separation groove 11 was formed by anisotropic etching and the end of the separation groove 11 was formed so as to be substantially perpendicular to the substrate 1, as shown in FIG. The transparent conductive film formed at the end of the separation groove 11 is thinner than the transparent conductive film formed at other portions,
In addition, they can be formed to have different film qualities. Therefore, even if a residual film of the resist or the like occurs in the separation groove 11, the transparent conductive film is patterned by isotropic etching such as wet etching.
The etching rate of the thinly formed portion of the transparent conductive film is locally increased, so that leakage between adjacent pixel electrodes due to the remaining film of the transparent conductive film can be prevented, and the manufacturing yield can be improved.

【0034】続いて、図2の(e)に示すように、前記
分離凹溝11を含む前記平坦化層9及び画素電極6の全
面に垂直配向膜7を形成する。これは、垂直配向膜7の
膜液が供給された容器の中にTFT基板1を浸すことに
よって塗布し、加熱硬化することによって形成すること
ができる。
Subsequently, as shown in FIG. 2E, a vertical alignment film 7 is formed on the entire surface of the planarization layer 9 including the separation groove 11 and the pixel electrode 6. This can be formed by immersing the TFT substrate 1 in a container to which the film liquid for the vertical alignment film 7 has been supplied, and then applying heat and curing.

【0035】続いて、図2の(f)に示すように、前記
垂直配向膜7を介して画素電極6の上部に、水平配向膜
5を印刷法によって塗布し、加熱硬化することによって
形成し、ラビングによる配向処理を行う。このとき、前
記垂直配向膜7は前記分離凹溝11の基底部のみに形成
されているため、不要なラビング処理が施されることは
ない。このようにして、TFT基板12が形成される。
Subsequently, as shown in FIG. 2F, a horizontal alignment film 5 is formed on the pixel electrode 6 via the vertical alignment film 7 by a printing method, and is formed by heat curing. Rubbing is performed. At this time, since the vertical alignment film 7 is formed only on the base of the separation groove 11, unnecessary rubbing is not performed. Thus, the TFT substrate 12 is formed.

【0036】一方の対向基板13の製造方法について、
図4を用いて説明する。まず、図4の(a)に示すよう
に、基板2の全面に対向電極10を形成する。このと
き、必要に応じてカラーフィルタを形成してもよい。
A method for manufacturing one counter substrate 13 will be described.
This will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 4A, the counter electrode 10 is formed on the entire surface of the substrate 2. At this time, a color filter may be formed as needed.

【0037】次に、図4の(b)に示すように、前記対
向電極10の表面に垂直配向膜7を前述と同様の方法で
形成し、更に図4の(c)に示すように、水平配向膜5
を印刷法によって所定の領域に塗布し、加熱硬化するこ
とによって形成する。
Next, as shown in FIG. 4B, a vertical alignment film 7 is formed on the surface of the counter electrode 10 in the same manner as described above, and further, as shown in FIG. Horizontal alignment film 5
Is applied to a predetermined area by a printing method, and is cured by heating.

【0038】続いて、前記水平配向膜5の形成領域に、
前記TFT基板1に行った配向方向と直行する方向にラ
ビングによる配向処理を行う。前記垂直配向膜7に不要
なラビング処理が施されることを防ぐためには、例えば
前記垂直配向膜7の形成領域を覆うような格子状マスク
を用いてラビング処理すればよい。このようにして、対
向基板13が形成される。
Subsequently, in the region where the horizontal alignment film 5 is formed,
An alignment process by rubbing is performed in a direction perpendicular to the alignment direction performed on the TFT substrate 1. In order to prevent unnecessary rubbing from being performed on the vertical alignment film 7, rubbing may be performed using, for example, a lattice-like mask that covers a region where the vertical alignment film 7 is formed. Thus, the opposing substrate 13 is formed.

【0039】更に、このように形成された前記TFT基
板12と対向基板13とを、図示しないシール剤及びス
ペーサを介して所定の間隙を保って貼り合わせ、該間隙
にカイラル剤が添加された液晶3を注入し、図示しない
駆動回路や照明装置を組み合わせることによって液晶表
示装置が完成する。
Further, the TFT substrate 12 and the opposing substrate 13 thus formed are bonded together with a predetermined gap therebetween through a sealing agent and a spacer (not shown), and a liquid crystal having a chiral agent added to the gap is provided. 3, and a liquid crystal display device is completed by combining a drive circuit and a lighting device (not shown).

【0040】このようにして作製された液晶表示装置に
おける液晶分子3は、電圧の印加・無印加に応じて次の
ように振る舞う。
The liquid crystal molecules 3 in the liquid crystal display device thus manufactured behave as follows depending on whether or not a voltage is applied.

【0041】まず、水平配向膜5に挟まれた領域では、
電圧無印加時においてはプレチルト角を持って配向膜面
にほぼ水平に配向し、電圧印加時においては電界のベク
トル方向に並ぶように、つまり配向膜面にほぼ垂直に配
向する。一方、垂直配向膜7に挟まれた領域では、電圧
の印加・無印加に関わらず、液晶分子3は配向膜面に対
してほぼ垂直に配向する。
First, in the region sandwiched between the horizontal alignment films 5,
When no voltage is applied, the liquid crystal molecules are oriented almost horizontally with a pretilt angle on the alignment film surface, and when a voltage is applied, they are aligned in the vector direction of the electric field, that is, aligned substantially perpendicular to the alignment film surface. On the other hand, in the region sandwiched between the vertical alignment films 7, the liquid crystal molecules 3 are aligned almost perpendicular to the alignment film surface regardless of whether or not a voltage is applied.

【0042】したがって、前記垂直配向膜7に挟まれた
領域においては、他の領域とは異なる配向規制力によっ
て常に液晶分子が配向膜面に対してほぼ垂直に配向する
ため、液晶分子の分子間力によって該領域の配向が乱れ
ることがなく、ディスクリネーションの発生を抑えるこ
とができ、表示品位を向上させることができる。
Therefore, in the region sandwiched between the vertical alignment films 7, the liquid crystal molecules are always oriented almost perpendicularly to the alignment film surface by the alignment control force different from the other regions. The orientation of the region is not disturbed by the force, the occurrence of disclination can be suppressed, and the display quality can be improved.

【0043】(実施の形態2)本発明の第2の実施形態
について、図5を用いて説明する。図5は本実施形態に
おける液晶表示装置の断面構造を示す図であり、図1に
示した第1の実施形態とは分離凹溝11が平坦化層9を
貫いて形成されており、前記信号線8の上部には絶縁膜
15が形成されている点が異なっている。このため、画
素電極3と図示しないTFTとの接続を行うための図示
しないコンタクトホールを形成する際に同時に前記分離
凹溝11を形成することができる。
(Embodiment 2) A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a view showing a cross-sectional structure of the liquid crystal display device according to the present embodiment. In the liquid crystal display device according to the first embodiment, a separation groove 11 is formed so as to penetrate the flattening layer 9 in the first embodiment shown in FIG. The difference is that an insulating film 15 is formed above the line 8. For this reason, the separation groove 11 can be formed simultaneously with the formation of a contact hole (not shown) for connecting the pixel electrode 3 to a TFT (not shown).

【0044】以下に、本実施形態における液晶表示装置
の製造方法について説明する。まず、基板1上にゲート
配線やソース配線等の信号線8と絶縁膜15及び図示し
ないTFTを順次形成する。通常、ゲート配線の上部に
は、この後にこれに直交するように形成されるソース配
線とのリークを防ぐために、陽極酸化による金属酸化膜
やSiNx 、SiO2 等からなるゲート絶縁膜が形成さ
れるので、該ゲート絶縁膜によって前記絶縁膜15を兼
ねることができる。また、ソース配線の上部にも陽極酸
化による金属酸化膜やSiNx 、SiO2 等からなる絶
縁膜を形成しておく。
Hereinafter, a method for manufacturing the liquid crystal display device according to the present embodiment will be described. First, a signal line 8 such as a gate wiring and a source wiring, an insulating film 15, and a TFT (not shown) are sequentially formed on the substrate 1. Usually, a metal oxide film formed by anodic oxidation or a gate insulating film made of SiN x , SiO 2, etc. is formed on the upper part of the gate wiring in order to prevent a leak with a source wiring formed to be perpendicular to the gate wiring. Therefore, the insulating film 15 can also serve as the gate insulating film. Also, a metal oxide film by anodic oxidation and an insulating film made of SiN x , SiO 2, etc. are formed on the source wiring.

【0045】次に、前記信号線8やTFT等によって形
成されたTFT基板1表面の凹凸を平坦化すべく、前記
平坦化層9をスピン塗布法により3〜4μm程度の厚み
に形成する。
Next, the flattening layer 9 is formed to a thickness of about 3 to 4 μm by spin coating in order to flatten the irregularities on the surface of the TFT substrate 1 formed by the signal lines 8 and the TFTs.

【0046】続いて、前記平坦化層9の分離凹溝11と
なる領域及び図示しないコンタクトホールとなる領域
を、ドライエッチング等の非等方性エッチングによって
エッチングする。このように、本実施の形態において
は、前記分離凹溝11とコンタクトホールとを同一工程
で形成することができる。このとき、前記平坦化層9の
上に形成れるレジストのうち、コントクトホールとなる
領域の近傍に形成されるレジストは、他の領域に形成さ
れるレジストより薄く形成しておくことによって、コン
タクトホールの端部にはなだらかなテーパを設けること
ができ、分離凹溝11の端部は基板面に対してほぼ垂直
となるように形成することができる。
Subsequently, a region of the planarizing layer 9 to be the separation groove 11 and a region to be a contact hole (not shown) are etched by anisotropic etching such as dry etching. As described above, in the present embodiment, the separation groove 11 and the contact hole can be formed in the same step. At this time, of the resist formed on the flattening layer 9, the resist formed in the vicinity of the region serving as the contact hole is formed thinner than the resist formed in the other region, so that the contact is formed. A gentle taper can be provided at the end of the hole, and the end of the separation groove 11 can be formed so as to be substantially perpendicular to the substrate surface.

【0047】この後の工程は、実施の形態1と同一なの
で説明を省略する。
The subsequent steps are the same as in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0048】このようにして製造された液晶表示装置
は、実施の形態1と同様に、垂直配向膜7が形成された
領域において液晶分子3が配向乱れを起こすことが無い
ので、ディスクリネーションの発生を抑えることができ
る。
In the liquid crystal display device manufactured in this manner, as in the first embodiment, since the liquid crystal molecules 3 do not disturb the alignment in the region where the vertical alignment film 7 is formed, disclination is prevented. Occurrence can be suppressed.

【0049】さらに、前記分離凹溝11とコンタクトホ
ールとを同一工程で形成することができるので、生産性
を向上させてコストを低減させることができる。
Further, since the separation groove 11 and the contact hole can be formed in the same step, the productivity can be improved and the cost can be reduced.

【0050】(実施の形態3)本発明の第3の実施の形
態について、図6を用いて説明する。図6は本実施形態
における液晶表示装置のTFT基板を上から見た平面図
である。同図から分かるように、本実施の形態において
は、分離凹溝11を形成する際、画素電極6のコーナー
に面取り部を形成している点が上述した実施の形態1、
2と異なっている。
(Embodiment 3) A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a plan view of the TFT substrate of the liquid crystal display device according to the present embodiment as viewed from above. As can be seen from this figure, in the present embodiment, when forming the separation groove 11, the chamfered portion is formed at the corner of the pixel electrode 6 according to the first embodiment.
Different from 2.

【0051】前記面取り部は、TFT基板をラビング処
理する際、ラビング布の毛先が画素電極6のコーナー部
を通過する時に該コーナー部で局所的な圧力がかかって
しまうことを防ぐために設けたものである。本発明の液
晶表示装置を形成する際、画素電極6の周囲が分離凹溝
11で囲まれているため、画素電極6の端部の凹凸が大
きくなってしまい、特にコーナー部においてラビングむ
らが発生してしまう恐れがあるが、本実施形態のように
画素電極6のコーナー部に面取り部を形成することによ
ってこれを防ぐことが可能となる。従って、前記面取り
部は、画素電極6の4つのコーナーのうち、少なくとも
ラビングローラーが侵入してくるコーナーに形成してお
けば良い。
The chamfered portion is provided to prevent a local pressure from being applied to the corner of the pixel electrode 6 when the tip of the rubbing cloth passes through the corner when the rubbing process is performed on the TFT substrate. Things. When the liquid crystal display device of the present invention is formed, since the periphery of the pixel electrode 6 is surrounded by the separation groove 11, unevenness at the end of the pixel electrode 6 becomes large, and rubbing unevenness particularly occurs at a corner portion. However, by forming a chamfer at the corner of the pixel electrode 6 as in the present embodiment, this can be prevented. Therefore, the chamfered portion may be formed at least at the corner where the rubbing roller enters, among the four corners of the pixel electrode 6.

【0052】本実施の形態における液晶表示装置は、上
述した実施の形態1または2に記載した製造方法におい
て、分離凹溝11部を形成するときに用いるマスクパタ
ーンを変更するだけで製造することができる。また、こ
の液晶表示装置は、ディスクリネーションの発生を抑え
ると共に、画素電極6の面内においてより均一な配向処
理を行うことができる。
The liquid crystal display device according to the present embodiment can be manufactured by simply changing the mask pattern used when forming the separation groove 11 in the manufacturing method described in the first or second embodiment. it can. In addition, the liquid crystal display device can suppress the occurrence of disclination and can perform more uniform alignment processing in the plane of the pixel electrode 6.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置においては、前記分離凹溝の底部及びこれに対面す
る対向電極領域上に垂直配向膜を形成したことによっ
て、画素電極の周囲の液晶分子を、垂直配向膜による配
向規制力によって常に基板に対して垂直に配向させるこ
とができるので、該領域におけるディスクリネーション
の発生を抑えることができ、表示品位を向上させること
ができるという効果を奏する。
As described above, in the liquid crystal display device of the present invention, the vertical alignment film is formed on the bottom of the separation groove and on the opposing electrode region facing the bottom, so that the periphery of the pixel electrode can be reduced. Since the liquid crystal molecules can always be vertically aligned with respect to the substrate by the alignment regulating force of the vertical alignment film, the occurrence of disclination in the region can be suppressed, and the display quality can be improved. To play.

【0054】また、前記分離凹溝を、端部が基板面に対
してほぼ垂直となるように形成することによって、この
上に形成される透明導電膜がこの端部において局所的に
薄く形成さることとなり、後にパターニングを行う際に
膜残りが発生することを抑えることができ、製造歩留を
向上させることができるという効果を奏する。
Further, by forming the separation groove so that the end is substantially perpendicular to the substrate surface, the transparent conductive film formed thereon is locally thinned at this end. As a result, it is possible to suppress the occurrence of a film residue when patterning is performed later, and it is possible to improve the manufacturing yield.

【0055】また、前記画素電極のコーナー部に面取り
部を形成することによって、ラビング布の毛先が画素電
極のコーナー部を通過する時に、該コーナー部で局所的
な圧力がかかってしまうことを防ぐことができるという
効果を奏する。
Further, by forming a chamfered portion at a corner of the pixel electrode, a local pressure is applied to the corner of the rubbing cloth when the tip of the rubbing cloth passes through the corner of the pixel electrode. This has the effect that it can be prevented.

【0056】本発明の液晶表示装置の製造方法において
は、薄膜トランジスタ及び信号線を覆うように形成した
絶縁膜に形成される分離凹溝を非等方性エッチングによ
って形成することによって、該分離凹溝の端部を基板面
に対してほぼ垂直となるように形成することができ、該
端部において後に形成される透明導電膜を薄く形成する
ことができるという効果を奏する。
In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the separation groove formed in the insulating film formed so as to cover the thin film transistor and the signal line is formed by anisotropic etching. Can be formed so as to be substantially perpendicular to the surface of the substrate, and the transparent conductive film formed later at the end can be formed to be thin.

【0057】また、前記絶縁膜及び分離凹溝を覆うよう
に形成された透明導電膜を等方性エッチングによって形
成することによって、前記分離凹溝に異物が混入したり
レジスト残りが存在した場合であっても、前記透明導電
膜が薄く形成された分離凹溝の端部においてはエッチャ
ントが前記異物またはレジスト残りを回り込んでいくた
め、画素電極間のリークを防ぐことができるという効果
を奏する。
Further, by forming a transparent conductive film formed so as to cover the insulating film and the isolation groove by isotropic etching, foreign matter may be mixed into the isolation groove and a resist residue may be present. Even so, at the end of the separation groove in which the transparent conductive film is formed thin, the etchant goes around the foreign matter or the remaining resist, so that the effect of preventing leakage between pixel electrodes can be obtained.

【0058】更に、前記垂直配向膜を基板全面に形成し
た後に前記水平配向膜を所定の領域に形成し、前記水平
配向膜が形成された領域にのみラビング処理を施すこと
によって、垂直配向膜が形成された領域に不要なラビン
グ処理を施してしまうことを防ぐことができるという効
果を奏する。
Further, after the vertical alignment film is formed on the entire surface of the substrate, the horizontal alignment film is formed in a predetermined region, and rubbing is performed only on the region where the horizontal alignment film is formed, whereby the vertical alignment film is formed. There is an effect that unnecessary rubbing processing can be prevented from being performed on the formed region.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態1における液晶表示装置の断面構造
を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a cross-sectional structure of a liquid crystal display device in Embodiment 1.

【図2】図1に示す液晶表示装置のTFT基板の製造工
程を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing process of the TFT substrate of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図3】画素電極のパターニング時における分離凹溝の
端部の様子を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a state of an end of a separation groove when patterning a pixel electrode.

【図4】図1に示す液晶表示装置の対向基板の製造工程
を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a manufacturing process of the counter substrate of the liquid crystal display device shown in FIG.

【図5】実施の形態2における液晶表示装置の断面構造
を示す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a cross-sectional structure of a liquid crystal display device in Embodiment 2.

【図6】実施の形態3における液晶表示装置の断面構造
を示す図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a cross-sectional structure of a liquid crystal display device in Embodiment 3.

【図7】従来の液晶表示装置の断面構造を示す図であ
る。
FIG. 7 is a diagram showing a cross-sectional structure of a conventional liquid crystal display device.

【図8】従来の液晶表示装置の断面構造を示す図であ
る。
FIG. 8 is a diagram showing a cross-sectional structure of a conventional liquid crystal display device.

【図9】従来の液晶表示装置の断面構造を示す図であ
る。
FIG. 9 is a diagram showing a cross-sectional structure of a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 基板 3 液晶 5 水平配向膜 6 画素電極 7 垂直配向膜 8 信号線 9 平坦化層 10 対向電極 11 分離凹溝 12 TFT基板 13 対向基板 15 絶縁膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Substrate 3 Liquid crystal 5 Horizontal alignment film 6 Pixel electrode 7 Vertical alignment film 8 Signal line 9 Flattening layer 10 Counter electrode 11 Separation groove 12 TFT substrate 13 Counter substrate 15 Insulating film

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の間隙を介して互いに対向配置され
た一対の基板と、該間隙内に保持された液晶層とからな
るセル構造を有し、一方の基板は薄膜トランジスタ及び
信号線が形成された領域と、その上に形成された絶縁膜
と、更にその上に形成された画素電極とを備えており、
他方の基板は対向電極を備えており、前記画素電極の周
囲に沿って前記絶縁膜に分離凹溝が形成された液晶表示
装置において、 前記分離凹溝の底部及びこれに対面する対向電極領域上
に垂直配向膜を形成したことを特徴とする液晶表示装
置。
1. A cell structure comprising a pair of substrates disposed opposite to each other with a predetermined gap therebetween and a liquid crystal layer held in the gap, and one of the substrates has a thin film transistor and a signal line formed thereon. Region, an insulating film formed thereon, and a pixel electrode further formed thereon,
The other substrate is provided with a counter electrode, and in a liquid crystal display device in which a separation groove is formed in the insulating film along the periphery of the pixel electrode, on a bottom of the separation groove and a counter electrode region facing the bottom. A liquid crystal display device comprising a vertical alignment film formed thereon.
【請求項2】 前記分離凹溝は、端部が基板面に対して
ほぼ垂直となるように形成されていることを特徴とする
請求項1記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the separation groove is formed so that an end thereof is substantially perpendicular to a substrate surface.
【請求項3】 前記画素電極のコーナー部に面取り部が
形成されていることを特徴とする請求項1、2記載の液
晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a chamfered portion is formed at a corner of the pixel electrode.
【請求項4】 基板上に薄膜トランジスタ、信号線を形
成する工程と、 前記薄膜トランジスタ、信号線を覆うように基板全面に
絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜の所定領域に非等方性エッチングを行うこと
によって分離凹溝を形成する工程と、 前記絶縁膜及び分離凹溝を覆って透明導電膜を形成する
工程と、 前記透明導電膜の所定領域に等方性エッチングを行うこ
とによって画素電極をパターニングする工程と、を有し
ていることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
4. A step of forming a thin film transistor and a signal line on a substrate; a step of forming an insulating film over the entire surface so as to cover the thin film transistor and the signal line; and an anisotropic etching on a predetermined region of the insulating film. Forming a transparent conductive film covering the insulating film and the separating groove; and performing a isotropic etching on a predetermined region of the transparent conductive film to form a pixel electrode. And a step of patterning the liquid crystal display device.
【請求項5】 一方の基板に形成された前記画素電極及
び分離凹溝を覆って垂直配向膜を形成する工程と、 前記分離凹溝以外の領域に水平配向膜を形成し、該水平
配向膜をラビング処理する工程と、 対向電極が形成された他方の基板全面に垂直配向膜を形
成する工程と、 画素電極に対応する領域に水平配向膜を形成し、該水平
配向膜をラビング処理する工程と、を有していることを
特徴とする請求項4記載の液晶表示装置の製造方法。
5. A step of forming a vertical alignment film covering the pixel electrode and the separation groove formed on one substrate, and forming a horizontal alignment film in a region other than the separation groove, Rubbing; forming a vertical alignment film on the entire surface of the other substrate on which the counter electrode is formed; forming a horizontal alignment film in a region corresponding to the pixel electrode; and rubbing the horizontal alignment film. 5. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 4, comprising:
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