KR100656901B1 - a liquid crystal display - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는 기판 위에 가로 방향의 게이트선 및 게이트선에서 이어진 게이트 전극이 형성되어 있다. 게이트선 및 게이트 전극은 게이트 절연막으로 덮여 있고, 그 위에는 반도체층과 저항성 접촉층이 형성되어 있다. 세로 방향의 데이터선, 데이터선에서 이어진 소스 전극 및 소스 전극 맞은 편의 드레인 전극, 그리고 드레인 전극과 연결되어 있는 전장 향상 전극이 형성되어 있으며 그 상부에는 보호 절연막이 형성되어 있다. 보호 절연막은 드레인 전극을 드러내는 접촉구 및 골이 형성되어 있는데, 골은 전장 향상 전극의 상부에 위치한다. 보호 절연막 위에는 개구부를 가지는 화소 전극이 형성되어 있다. 개구부는 골의 상부에 위치하며 골 및 전장 향상 전극과 같은 모양으로 이루어져 있다. 이러한 액정 표시 장치에서는 화소 전극에 개구부를 형성하고 그 하부에 골 또는 전장 향상 전극을 형성하여 액정 분자가 안정적으로 배열되도록 한다.In the present invention, a horizontal gate line and a gate electrode connected to the gate line are formed on the substrate. The gate line and the gate electrode are covered with a gate insulating film, on which a semiconductor layer and an ohmic contact layer are formed. A data line in the vertical direction, a source electrode connected to the data line and a drain electrode opposite the source electrode, and an electric field enhancement electrode connected to the drain electrode are formed, and a protective insulating layer is formed thereon. The protective insulating film is formed with a contact hole and a valley exposing the drain electrode, which is located above the field enhancement electrode. A pixel electrode having an opening is formed on the protective insulating film. The opening is located at the top of the bone and has the same shape as the bone and the full length enhancement electrode. In such a liquid crystal display, an opening is formed in the pixel electrode and a valley or a field enhancement electrode is formed below the pixel electrode to stably arrange the liquid crystal molecules.

골, 전장 향상 전극, PVA, 프린지 필드Bone, full-length enhancement electrode, PVA, fringe field

Description

액정 표시 장치{a liquid crystal display}Liquid crystal display {a liquid crystal display}

도 1은 액정 표시 장치의 상부 및 하부 기판을 배치한 상태를 나타내는 도면이고,1 is a view illustrating a state where upper and lower substrates of a liquid crystal display are arranged;

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 하부 기판 배치도이며, 2 is a layout view of a lower substrate of a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도로서 도 2에서 각각 Ⅲa-Ⅲa´선 및 Ⅲb-Ⅲb´선을 따라 자른 면에 해당하는 것으로, 액정 분자의 배열 및 박막 트랜지스터의 단면을 도시한 것이고,3A and 3B are cross-sectional views of a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention and correspond to planes cut along lines IIIa-IIIa ′ and IIIb-IIIb ′ in FIG. 2, respectively. Shows a cross section of a thin film transistor,

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 하부 기판 배치도이며, 4 is a layout view of a lower substrate of a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 5a 및 도 5b는 도 4에서 각각 Ⅴa-Ⅴa´선 및 Ⅴb-Ⅴb´선을 따라 자른 면에 해당하는 것으로, 액정 분자의 배열 및 박막 트랜지스터의 단면을 도시한 것이고,5A and 5B correspond to planes cut along lines Va-Va ′ and Vb-Vb ′ in FIG. 4, respectively, illustrating an arrangement of liquid crystal molecules and a cross section of a thin film transistor,

도 6 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따라 생성되는 등전위선 및 액정 분자의 배열 상태를 도시한 것이고,6 to 9 illustrate an arrangement state of equipotential lines and liquid crystal molecules generated according to an embodiment of the present invention.

도 10 내지 도 14는 본 발명의 실시예에서 인가 전압을 다르게 하였을 때 생성되는 등전위선 및 액정 분자의 배열 상태를 도시한 것이다.다.10 to 14 illustrate an arrangement state of equipotential lines and liquid crystal molecules generated when the applied voltage is changed in the embodiment of the present invention.

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 특히 시야각이 넓은 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device having a wide viewing angle.

액정 표시 장치는 일반적으로 공통 전극과 색 필터(color filter) 등이 형성되어 있는 상부 기판과 박막 트랜지스터와 화소 전극 등이 형성되어 있는 하부 기판 사이에 액정 물질을 주입해 놓고 화소 전극과 공통 전극에 서로 다른 전위를 인가함으로써 전계를 형성하여 액정 분자들의 배열을 변경시키고, 이를 통해 빛의 투과율을 조절함으로써 화상을 표현하는 장치이다.In general, a liquid crystal display device injects a liquid crystal material between an upper substrate on which a common electrode, a color filter, and the like are formed, and a lower substrate on which a thin film transistor and a pixel electrode are formed. By applying a different potential to form an electric field to change the arrangement of the liquid crystal molecules, and through this to control the light transmittance is a device that represents the image.

액정 표시 장치는 시야각이 좁은 단점이 있다. 이러한 단점을 극복하고자 시야각을 넓히기 위한 다양한 방법이 제시되었는데, 액정 분자를 상하 기판에 대하여 수직으로 배향하고 화소 전극과 공통 전극에 개구 패턴을 형성하는 PVA(patterned vertical alignment) 방식이 그 한 예이다.The liquid crystal display device has a disadvantage of having a narrow viewing angle. In order to overcome this disadvantage, various methods for widening the viewing angle have been proposed. For example, a patterned vertical alignment (PVA) method in which the liquid crystal molecules are vertically aligned with respect to the upper and lower substrates and an opening pattern is formed in the pixel electrode and the common electrode is one example.

그러나, PVA 방식의 경우 화소 전극과 공통 전극에 전압을 인가하였을때 개구 패턴에서 나타나는 휘어진 전기장인 프린지 필드(fringe field)에 의해 액정 분자를 분할 배향하는데, 분할되는 영역의 경계가 화소 전극 내에 생겨 전경이 발생할 수 있다.However, in the case of the PVA method, the liquid crystal molecules are divided and aligned by a fringe field, which is a curved electric field that appears in an opening pattern when voltage is applied to the pixel electrode and the common electrode. This can happen.

본 발명의 과제는 전경의 발생 없이 안정적으로 화소 분할을 하여 시야각을 넓히는 액정 표시 장치를 제조하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to manufacture a liquid crystal display device that widens a viewing angle by stably dividing pixels without generating a foreground.

이러한 과제를 해결하기 위해 본 발명에서는 화소 전극의 개구부 하부에 골을 형성하여 안정하게 화소 분할이 이루어지도록 한다.In order to solve this problem, in the present invention, a valley is formed under the opening of the pixel electrode to stably divide the pixel.

본 발명에 따른 액정 표시 장치에는 기판 위에 제1 절연막이 형성되어 있으며, 그 위에 개구부를 가지는 전계 생성 전극이 형성되어 있고 개구부 하부의 제1 절연막에 골이 형성되어 있다.In the liquid crystal display according to the present invention, a first insulating film is formed on a substrate, and a field generating electrode having an opening is formed thereon, and a valley is formed in the first insulating film under the opening.

여기서, 골 하부에 형성되어 있으며 전계 생성 전극과 전기적으로 연결되어 있는 전장 향상 전극을 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a field enhancement electrode formed under the valley and electrically connected to the field generating electrode.

또한, 본 발명에 따른 액정 표시 장치에는 기판과 제1 절연막 사이에 다수의 게이트선이 형성되어 있고, 그 위에 제2 절연막이 형성되어 있다. 제2 절연막 상부에는 다수의 데이터선, 게이트선과 이어진 게이트 전극, 데이터선과 이어진 소스 전극 및 소스 전극과 분리되어 있는 드레인 전극이 형성되어 있는데 이들은 제1 절연막으로 덮여 있으며, 게이트선의 일부와 소스 전극 및 드레인 전극은 게이트선으로부터 주사 신호를 받아 데이터선으로부터의 화상 신호를 스위칭하는 박막 트랜지스터를 이룬다. In the liquid crystal display according to the present invention, a plurality of gate lines are formed between the substrate and the first insulating film, and a second insulating film is formed thereon. A plurality of data lines, a gate electrode connected to the gate line, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode separated from the source electrode are formed on the second insulating layer, and are covered with the first insulating film, and a portion of the gate line and the source electrode and the drain are formed. An electrode forms a thin film transistor which receives a scanning signal from a gate line and switches an image signal from a data line.

골 하부에는 드레인 전극과 같은 물질로 전장 향상 전극을 형성할 수 있으며, 전장 향상 전극은 드레인 전극과 연결되어 있다.The lower portion of the valley may form a field enhancement electrode made of the same material as the drain electrode, and the field enhancement electrode is connected to the drain electrode.

본 발명에 따른 액정 표시 장치에서 골은 제1 절연막 하부의 제2 절연막에까지 이어져 있을 수 있으며, 이때 게이트선과 같은 물질로 골 하부에 드레인 전극과 연결되어 있는 전장 향상 전극을 더 형성할 수도 있다.In the liquid crystal display according to the present invention, the valley may be extended to the second insulating layer under the first insulating layer, and in this case, the electric field enhancement electrode connected to the drain electrode may be further formed under the valley with the same material as the gate line.

전장 향상 전극의 폭은 골의 폭 이상인 것이 좋다.It is preferable that the width of the full length enhancement electrode is equal to or greater than the width of the bone.

기판에 수직인 면과 골이 이루는 각도는 0도 보다 크고 80도 이하인 것이 바람직하며, 골의 폭은 10μm 이하인 것이 좋다.The angle formed by the surface perpendicular to the substrate and the valley is preferably greater than 0 degrees and 80 degrees or less, and the width of the valley is preferably 10 μm or less.

본 발명에 따른 액정 표시 장치에서 기판 위의 절연막에 형성되어 있는 골과 절연막 상부의 전계 생성 전극에 형성되어 있는 개구부는 한 쌍을 이루는 것이 바람직하다.In the liquid crystal display according to the present invention, it is preferable to form a pair of the valley formed in the insulating film on the substrate and the opening formed in the field generating electrode on the insulating film.

여기서, 골 하부에 전계 생성 전극과 전기적으로 연결되어 있는 전장 향상 전극이 더 형성되어 있을 수 있다.Here, the electric field improving electrode that is electrically connected to the field generating electrode may be further formed under the bone.

이와 같은 액정 표시 장치에서는 화소 전극의 개구부 하부의 절연막에 골을 형성하여 액정 분자를 안정적으로 분할 배열할 수 있다. 또한, 골 하부에 전장 향상 전극을 형성하여 프린지 필드의 효과를 감소시켜 분할되는 영역의 경계에서 액정 분자의 배열을 쉽게 할 수 있으므로 전경의 발생없이 액정 표시 장치의 시야각을 넓게 할 수 있다.In such a liquid crystal display, valleys may be formed in the insulating layer under the opening of the pixel electrode to stably arrange the liquid crystal molecules. In addition, since the effect of the fringe field may be reduced by forming the electric field enhancement electrode under the valley, the arrangement of the liquid crystal molecules may be easily performed at the boundary of the divided region, thereby widening the viewing angle of the liquid crystal display without generating the foreground.

그러면, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다.Next, a liquid crystal display according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 상부 및 하부 기판을 배치한 상태를 나타내는 도면으로서, 두 기판(1, 5)이 일정한 거리를 두고 마주 보고 있으며, 두 기판(1, 5)의 안쪽면에는 각각 전계 생성 전극인 화소 전극(2) 및 공통 전극(6)이 형성되어 있는데, 하부 기판(1)의 화소 전극(2)에는 개구부가 형성되어 있다. 전극(2, 6) 위에는 각각 수직 배향막(3, 7)이 형성되어 있고, 두 배향막(3, 7) 사이에는 음의 유전율 이방성을 가지는 액정층(9)이 위치하고 있다. 각각의 기판(1, 5) 바깥면에는 액정층(9)으로 들어가는 빛 및 액정층(9)을 통과해 나오는 빛을 편광시키는 편광판(4, 8)이 부착되어 있는데, 하부 기판(1)에 부착된 편광판(4)의 편광축은 상부 기판(5)에 부착된 편광판(8)의 편광축에 대하여 90˚의 각을 이루고 있다. FIG. 1 is a view illustrating a state where upper and lower substrates are disposed in a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. The two substrates 1 and 5 face each other at a predetermined distance, and the two substrates 1 and 5 are disposed on the substrate. The pixel electrode 2 and the common electrode 6 which are electric field generating electrodes are formed in the inner surface of the inside, but the opening part is formed in the pixel electrode 2 of the lower board | substrate 1, respectively. Vertical alignment films 3 and 7 are formed on the electrodes 2 and 6, respectively, and a liquid crystal layer 9 having negative dielectric anisotropy is positioned between the two alignment films 3 and 7. On the outer surface of each of the substrates 1 and 5, polarizers 4 and 8 are attached to the lower substrate 1 to polarize the light entering the liquid crystal layer 9 and the light passing through the liquid crystal layer 9. The polarization axis of the attached polarizing plate 4 forms an angle of 90 degrees with respect to the polarization axis of the polarizing plate 8 attached to the upper substrate 5.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 하부 기판 배치도이고, 도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도로서 도 2에서 각각 Ⅲa-Ⅲa´선 및 Ⅲb-Ⅲb´선을 따라 자른 면에 해당하는 것으로, 액정 분자의 배열 및 박막 트랜지스터의 단면을 도시한 것이다.FIG. 2 is a layout view of a lower substrate of the liquid crystal display according to the first exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views of the liquid crystal display according to the first exemplary embodiment of the present invention, respectively. Corresponding to the plane cut along the line and IIIb-IIIb 'line, the arrangement of the liquid crystal molecules and the cross section of the thin film transistor are shown.

먼저, 도 2 내지 도 3b에 도시한 바와 같이 기판(10) 위에 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(21) 및 게이트선(21)에서 이어진 게이트 전극(22)이 형성되어 있다.First, as shown in FIGS. 2 to 3B, a gate line 21 extending in the horizontal direction and a gate electrode 22 extending from the gate line 21 are formed on the substrate 10.

게이트 절연막(30)이 게이트선(21)과 게이트 전극(22)을 덮고 있으며, 그 위에는 비정질 규소 따위의 물질로 이루어진 반도체층(31)이 형성되어 게이트 전극(22) 위에 위치하고 있다.The gate insulating layer 30 covers the gate line 21 and the gate electrode 22, and a semiconductor layer 31 made of a material such as amorphous silicon is formed thereon and positioned on the gate electrode 22.

반도체층(31) 위에는 인(P) 따위의 n형 불순물로 고농도로 도핑되어 있는 비정질 규소 따위로 이루어진 저항성 접촉층(32, 33)이 형성되어 있다.On the semiconductor layer 31, ohmic contacts 32 and 33 made of amorphous silicon doped at high concentration with n-type impurities such as phosphorus (P) are formed.

게이트 절연막(30) 위에는 또한 데이터선(41), 소스 및 드레인 전극(42, 43), 그리고 드레인 전극(43)과 이어진 전장 향상(field enhancement) 전극(401, 402, 403)이 형성되어 있다. 데이터선(41)은 세로 방향으로 뻗어 있고, 데이터선(41)에서 이어진 소스 전극(42)과 이와 분리되어 있는 드레인 전극(43)은 게이트 전극(22)을 중심으로 서로 마주 보고 있다. 전장 향상 전극(401, 402, 403)은 생략할 수도 있다.On the gate insulating film 30, data line 41, source and drain electrodes 42 and 43, and field enhancement electrodes 401, 402 and 403 connected to the drain electrode 43 are formed. The data line 41 extends in the vertical direction, and the source electrode 42 and the drain electrode 43 separated from the data line 41 face each other with respect to the gate electrode 22. The electric field enhancement electrodes 401, 402, and 403 may be omitted.

데이터선(41)과 소스 및 드레인 전극(42, 43), 그리고 전장 향상 전극(401, 402, 403) 상부에는 보호 절연막(50)이 형성되어 있으며, 보호 절연막(50)에는 드레인 전극(43)을 드러내는 접촉구(501) 및 전장 향상 전극(401, 402, 403) 위에 위치하는 골(501, 502, 503)이 형성되어 있다.A protective insulating film 50 is formed on the data line 41, the source and drain electrodes 42 and 43, and the field enhancement electrodes 401, 402, and 403, and the drain electrode 43 is formed on the protective insulating film 50. Troughs 501, 502, and 503 are formed on the contact holes 501 exposing the electrodes and the field enhancement electrodes 401, 402, and 403.

게이트선(21)과 데이터선(41)이 교차하여 정의하는 영역인 화소 영역에는 화소 전극(60)이 형성되어 있다. 직사각형 모양의 화소 전극(60)에는 중간부에 우변으로부터 좌측으로 가늘게 패인 제1 개구부(601)가 형성되어 있고, 제1 개구부(601)의 입구 양쪽은 모서리가 잘려 나가 완만한 각도로 구부러져 있다. 제1 개구부(601)를 중심으로 하여 화소 전극(60)을 상부와 하부로 구분할 때 상부와 하부에는 각각 제2 및 제3 개구부(602, 603)가 형성되어 있다. 제2 및 제3 개구부(602, 603)는 각각 화소 전극(60)의 중심 부근 왼쪽에서 우상부와 우하부쪽으로 대각선 방향으로 파고 들어가 있다. 제1 내지 제3 개구부(601, 602, 603)는 그 하부의 골(501, 502, 503) 및 전장 향상 전극(401, 402, 403)과 중첩되어 있다.The pixel electrode 60 is formed in the pixel region, which is a region defined by the gate line 21 and the data line 41 crossing each other. The rectangular pixel electrode 60 is formed with a first opening portion 601 slanted from the right side to the left side in the middle portion thereof, and both entrance portions of the first opening portion 601 are bent at a gentle angle with their corners cut off. When the pixel electrode 60 is divided into an upper part and a lower part with the first opening part 601 as the center, second and third opening parts 602 and 603 are formed in the upper part and the lower part, respectively. The second and third openings 602 and 603 are dug in the diagonal direction toward the upper right and the lower right from the left near the center of the pixel electrode 60, respectively. The first to third openings 601, 602, and 603 overlap the valleys 501, 502, and 503 and the field enhancement electrodes 401, 402, and 403 thereunder.

화소 전극(60)은 이와 같은 모양 이외에도 사각형이나 톱니 또는 십자 모양의 다양한 형태의 개구부를 가지도록 형성할 수 있다.In addition to such a shape, the pixel electrode 60 may be formed to have various types of openings having a rectangular, sawtooth, or cross shape.

골(401, 402, 403)은 개구부(601, 602, 603)의 모양과 동일하게 형성하는 것 이 좋으며 그 폭은 10μm 이내로 개구부(601,602, 603)보다 작게 형성할 수도 있다.The valleys 401, 402, and 403 may be formed to have the same shape as the openings 601, 602, and 603. The widths may be smaller than the openings 601, 602, and 603 within 10 μm.

전장 향상 전극(401, 402, 403)은 골(501, 502, 503) 및 개구부(601, 602, 603)와 동일한 모양으로 형성하며 그 폭은 개구부(601, 602, 603)와 같거나 크게 형성할 수도 있다. The electric field enhancement electrodes 401, 402, and 403 are formed in the same shape as the valleys 501, 502, and 503 and the openings 601, 602, and 603, and the width thereof is the same as or larger than the openings 601, 602, and 603. You may.

도 3a에서 화소 전극(60) 및 보호 절연막(50) 상부에는 수직 배향막이 형성되어 있으나 여기에서는 도시하지 않는다. In FIG. 3A, a vertical alignment layer is formed on the pixel electrode 60 and the protective insulating layer 50, but is not shown here.

화소 전극(60)과 일정한 거리를 두고 그 상부에 배치되어 있는 상부 기판(70)의 안쪽면에는 공통 전극(80)이 형성되어 있으며, 공통 전극(80)의 상부에도 수직 배향막이 형성되어 있으나 여기에서는 도시하지 않는다.The common electrode 80 is formed on the inner surface of the upper substrate 70 disposed above the pixel electrode 60 at a predetermined distance, and a vertical alignment layer is formed on the common electrode 80. Not shown.

이와 같은 액정 표시 장치에서 전압이 인가되지 않았을 때 두 전극(60, 80) 사이에 있는 액정 분자(90)는 두 전극(60, 80) 및 골(501, 502, 503)에 대해 수직으로 배열되어 있다.In the liquid crystal display, when no voltage is applied, the liquid crystal molecules 90 between the two electrodes 60 and 80 are arranged perpendicular to the two electrodes 60 and 80 and the valleys 501, 502, and 503. have.

그런데, 도 3a에 도시한 바와 같이 두 전극(60, 80) 사이에 문턱 전압(threshold voltage) 이상의 전압이 인가되면 액정 분자(90)는 두 전극(60, 80) 사이에 생성되는 전기장에 의해 기울어지게 된다. 이때, 도 3a의 골(503)을 중심으로 왼쪽 부분과 오른쪽 부분에서 액정 분자(90)들은 서로 대칭인 배열을 가진다.However, as shown in FIG. 3A, when a voltage equal to or greater than a threshold voltage is applied between the two electrodes 60 and 80, the liquid crystal molecules 90 are inclined by an electric field generated between the two electrodes 60 and 80. You lose. At this time, the liquid crystal molecules 90 have a symmetrical arrangement in the left part and the right part of the valley 503 of FIG. 3A.

먼저, 화소 전극(60)의 왼쪽 가장자리에서는 수직으로 서 있던 액정 분자(90)가 프린지 필드(fringe field)에 의해 시계 방향으로 회전하여 두 기판(10, 70)에 수직인 방향에 대하여 오른쪽으로 기울어진 상태가 된다.First, at the left edge of the pixel electrode 60, the liquid crystal molecules 90 standing vertically are rotated clockwise by a fringe field and tilted to the right with respect to the directions perpendicular to the two substrates 10 and 70. You are in a lost state.

한편, 골(503)의 왼쪽 부분 위의 액정 분자(90)도 시계 방향으로 회전하여 두 기판(10, 70)에 수직인 방향에 대하여 오른쪽으로 기울어진 상태가 되는데, 이는 액정 분자(90)의 초기 장축 방향이 프린지 필드의 방향에 대해 오른쪽에 위치하기 때문이다.On the other hand, the liquid crystal molecules 90 on the left side of the valleys 503 are also rotated in a clockwise direction so that the liquid crystal molecules 90 are inclined to the right with respect to the direction perpendicular to the two substrates 10 and 70. This is because the initial major axis direction is located to the right with respect to the direction of the fringe field.

이와 반대로 골(503)의 오른쪽 부분 위에 위치하는 액정 분자(90)들과 화소 전극(60)의 오른쪽 가장자리 위의 액정 분자(90)들은 반시계 방향으로 회전하여 두 기판(10, 70)의 수직 방향의 왼쪽으로 기울어진 상태가 된다.In contrast, the liquid crystal molecules 90 positioned on the right side of the valley 503 and the liquid crystal molecules 90 on the right edge of the pixel electrode 60 rotate in a counterclockwise direction so that the two substrates 10 and 70 are perpendicular to each other. It is inclined to the left of the direction.

따라서, 액정 분자(90)들이 기울어진 방향이 다른 두 영역의 경계는 개구부(603) 또는 골(503)의 중심에 나타난다. 골(503)이 형성되어 있지 않다면 골(503)의 왼쪽 부분 위의 액정 분자(90)는 반시계 방향으로 회전하고 골의 오른쪽 부분 위의 액정 분자(90)는 시계 방향으로 회전하기 때문에 액정 분자(90)의 탄성력으로 인해 두 영역의 경계가 일정하지 않고 개구부(603) 전체, 나아가 화소 전극(60) 위에까지 나타날 수 있다.Thus, the boundary between two regions in which the liquid crystal molecules 90 are inclined is different from the opening 603 or the valley 503. If no valley 503 is formed, the liquid crystal molecules 90 on the left side of the valley 503 rotate counterclockwise and the liquid crystal molecules 90 on the right side of the valley rotate clockwise. Due to the elastic force of 90, the boundary between the two regions may not be constant and may appear up to the entire opening 603 and even the pixel electrode 60.

또한, 골(503) 하부에 형성되어 있는 전장 향상 전극(403)에 화소 전극(60)과 동일한 전위를 인가하면 골(503)이 형성된 부분에는 화소 전극(60)의 개구부(603)에 의한 프린지 필드와 전장 향상 전극(403)에 의한 수직 방향의 전기장 두 가지가 존재한다. 따라서 이 부분에 작용하는 전기장(Et)은 두 전기장의 벡터(vector) 합으로 도 3a에 도시한 바와 같이 프린지 필드보다 기판(10, 70)의 수직 방향에 가까운 방향을 갖는다. 따라서, 전장 향상 전극(403)이 없는 경우보다 액정 분자(90)가 쉽게 시계 방향으로 회전한다.In addition, when the same potential as that of the pixel electrode 60 is applied to the electric field enhancement electrode 403 formed under the valley 503, the fringe formed by the opening 603 of the pixel electrode 60 is formed in the portion where the valley 503 is formed. There are two electric fields in the vertical direction by the field and the field enhancement electrode 403. Therefore, the electric field Et acting on this portion is a vector sum of the two electric fields and has a direction closer to the vertical direction of the substrates 10 and 70 than the fringe field as shown in FIG. 3A. Therefore, the liquid crystal molecules 90 rotate in the clockwise direction more easily than in the absence of the electric field enhancement electrode 403.

이때, 화소 전극(60) 및 공통 전극(80) 근처의 액정 분자(90)들은 배향막의 힘이 전기장의 힘보다 크므로 수직 배향된 상태를 유지한다. In this case, the liquid crystal molecules 90 near the pixel electrode 60 and the common electrode 80 maintain the vertical alignment state because the force of the alignment layer is greater than that of the electric field.

여기서, 전장 향상 전극(403)은 두 가지 방법으로 형성할 수 있다. 먼저, 앞서의 실시예에서와 같이 드레인 전극(43)을 형성할 때 드레인 전극(43)과 연결되도록 형성할 수 있고, 다른 하나는 게이트선(21) 및 게이트 전극(22)을 형성할 때 형성할 수도 있다. 그러나 이때에는 드레인 전극(43)과 연결되는 부분(301)을 형성해야 한다. 이에 대한 도면을 도 4 및 도 5b에 도시하였다. 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 하부 기판 배치도이며, 도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도로서 도 4에서 각각 Ⅴa-Ⅴa´선 및 Ⅴb-Ⅴb´선을 따라 자른 면에 해당하는 것으로, 액정 분자의 배열 및 박막 트랜지스터의 단면을 도시한 것이다.Here, the electric field enhancement electrode 403 may be formed in two ways. First, when forming the drain electrode 43 as in the previous embodiment can be formed so as to be connected to the drain electrode 43, the other is formed when forming the gate line 21 and the gate electrode 22 You may. However, at this time, the portion 301 connected to the drain electrode 43 should be formed. Figures for this are shown in Figures 4 and 5b. FIG. 4 is a layout view of a lower substrate of a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 5A and 5B are cross-sectional views of a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention, respectively. Corresponding to the plane cut along the line and Vb-Vb 'line, the arrangement of the liquid crystal molecules and the cross section of the thin film transistor are shown.

이와 같이 개구부(601, 602, 603) 하부에 골(501, 502, 503)을 형성하여 액정 분자(90)를 용이하게 분할 배열하는 방법은 STN(super twisted nematic) 방식과 같은 다른 종류의 LCD(liquid crystal display)에도 적용이 가능하다.As such, the method of easily dividing and arranging the liquid crystal molecules 90 by forming the valleys 501, 502, and 503 under the openings 601, 602, and 603 may be performed by other types of LCDs such as a super twisted nematic (STN) method. It can also be applied to liquid crystal displays.

도 6 내지 도 9는 골의 기울기 즉, 도 3a에서 기판(10, 70)에 수직인 부분과 골(503)이 이루는 각도(α)에 따라 전압이 인가되었을 때 생성되는 등전위선 및 액정 분자의 배열 상태를 도시한 그래프이다. 여기서 가로축의 하부는 도 3a의 왼쪽 부분에 해당하는 화소 전극(60) 및 골(503)을 도시한 것으로 A는 화소 전극, B는 골, C는 전장 향상 전극, 그리고 D는 액정 분자의 배열 상태를 나타내며, 세로축은 두 전극 사이의 거리를 도시한 것이다.6 to 9 illustrate equipotential lines and liquid crystal molecules generated when a voltage is applied according to a slope of a valley, that is, an angle α between the portion perpendicular to the substrates 10 and 70 in FIG. 3A and the valley 503. A graph showing the state of an array. Here, the lower part of the horizontal axis shows the pixel electrode 60 and the valley 503 corresponding to the left part of FIG. The vertical axis shows the distance between the two electrodes.

도 6 및 도 7은 골의 기울기(α)가 45도일 때를 나타낸 것으로서 도 6은 인가 전압이 1 V인 경우이고, 도 7은 인가 전압이 4 V인 경우이다.6 and 7 illustrate a case in which the slope α of the valley is 45 degrees, and FIG. 6 illustrates a case where an applied voltage is 1 V and FIG. 7 illustrates a case where an applied voltage is 4 V. FIG.

도 6에 도시한 바와 같이 화소 전극(A) 위의 액정 분자들은 모두 수직으로 배열된 상태를 유지하고, 골(B)에 해당하는 부분의 액정 분자들은 하부 기판 근처에서는 45도 각도로 기울어져 있으며 상부로 갈수록 기판에 대해 수직에 가까워져 상부 기판 근처에서는 수직인 배열을 한다. 화소 전극(A)과 골(B)이 만나는 부분의 등전위선은 볼록하게 형성되어 있는 것을 볼 수 있는데 이는 골(B)에 의해 기울어진 액정 분자의 배열(D)이 화소 전극(A) 위에 있는 액정 분자에까지 연속적으로 연결되어 나타나는 것으로 액정 분자가 시계 방향으로 회전하는 것을 돕게 된다. As shown in FIG. 6, the liquid crystal molecules on the pixel electrode A remain vertically aligned, and the liquid crystal molecules in the portion corresponding to the valley B are inclined at a 45 degree angle near the lower substrate. As it goes to the top, it gets closer to the substrate, making a vertical arrangement near the upper substrate. It can be seen that the equipotential lines of the portions where the pixel electrode A and the valley B meet are convex, which is an arrangement D of liquid crystal molecules inclined by the valley B above the pixel electrode A. It appears to be continuously connected to the liquid crystal molecules to help the liquid crystal molecules rotate in the clockwise direction.

이어, 도 7에 도시한 바와 같이 인가 전압이 4 V가 되면 앞서 도 3a에서 설명한 것처럼 액정 분자들은 모두 시계 방향으로 회전하여 기판의 수직 방향의 오른쪽으로 기울어진 상태가 된다.Subsequently, as shown in FIG. 7, when the applied voltage reaches 4 V, the liquid crystal molecules are all rotated clockwise to be inclined to the right of the vertical direction of the substrate as described above with reference to FIG. 3A.

도 8 및 도 9는 골의 기울기(α)가 80도를 이루는 경우를 도시한 것으로서 도 8은 인가 전압이 1 V인 경우를 도 9는 인가 전압이 4 V인 경우를 도시한 것이다.8 and 9 illustrate a case in which the inclination α of the valley is 80 degrees, and FIG. 8 illustrates a case where an applied voltage is 1 V and FIG. 9 illustrates a case where an applied voltage is 4 V. FIG.

도 8에 도시한 바와 같이 액정 분자는 화소 전극(A) 위에서 기판에 대해 수직으로 서 있으며 골(B)의 내부에서도 약간만 오른쪽으로 기울어져 있다. 그런데, 도 9에 도시한 바와 같이 인가 전압이 4V가 되면 앞서의 경우보다는 약하지만 액정 분자들이 모두 시계 방향으로 회전하여 기판의 수직 방향의 오른쪽으로 기울어지는 것을 알 수 있다.As shown in FIG. 8, the liquid crystal molecules stand vertically with respect to the substrate on the pixel electrode A and are inclined slightly to the right even inside the valley B. FIG. However, as shown in FIG. 9, when the applied voltage becomes 4V, the liquid crystal molecules are all rotated in the clockwise direction but inclined to the right side of the vertical direction of the substrate.

도 8 및 도 9의 실험 결과에 나타난 바와 같이 골(B)이 형성되어 있어 액정 분자가 기판의 수직 방향에 대해 10도 이상만 기울어져 있으면 프린지 필드가 생성되더라도 액정 분자는 기판의 수직 방향의 오른쪽으로 기울어진다. 그러므로 골의 기울기(α)는 80도 이하로 형성할 수 있다.As shown in the experimental results of FIGS. 8 and 9, when the valley B is formed and the liquid crystal molecules are inclined more than 10 degrees with respect to the vertical direction of the substrate, even if a fringe field is generated, the liquid crystal molecules are formed on the right side of the vertical direction of the substrate. Inclined to Therefore, the inclination α of the bone can be formed at 80 degrees or less.

이와 같이, 골의 기울기(α)가 작을수록 액정 분자가 회전하는 힘이 커지며, 골의 기울기(α)는 0도 이상 80도 이하의 범위 내에서 형성할 수 있다.As described above, the smaller the inclination α of the valley is, the greater the force of rotation of the liquid crystal molecules increases, and the inclination α of the valley can be formed within a range of 0 degrees to 80 degrees.

한편, 도 10 내지 도 14는 도 3a에서 골의 기울기(α)를 45도로 형성하고 인가 전압을 다르게 하였을 때 생성되는 등전위선 및 액정 분자의 배열 상태를 도시한 것이다. 여기서 가로축의 하부는 도 3a의 화소 전극(60) 및 골(5030), 전장 향상 전극(403) 등을 도시한 것으로 골(5030)은 도 3a의 V자형과 달리 가운데 부분이 평탄하게 되어 있으며, 도면 부호 61은 배향막을 나타낸다. 세로축은 두 전극 사이의 거리를 도시한 것이다.Meanwhile, FIGS. 10 to 14 illustrate arrangement states of equipotential lines and liquid crystal molecules generated when the inclination α of the bone is formed at 45 degrees and the applied voltage is changed in FIG. 3A. Here, the lower portion of the horizontal axis shows the pixel electrode 60, the valley 5030, and the electric field enhancement electrode 403 of FIG. 3A. The valley 5030 has a flat center portion unlike the V-shape of FIG. 3A. Reference numeral 61 denotes an alignment film. The vertical axis shows the distance between the two electrodes.

도 10은 초기 상태를 나타내고, 도 11은 인가 전압이 2V, 도 12는 2.5V, 도 13은 3V, 도 14는 4V이다. 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이 인가 전압이 2V일 때 액정 분자는 거의 움직이지 않고 인가 전압이 2.5V에서 액정 분자가 움직이므로 문턱 전압은 2V 내지 2.5V 사이 값을 가지는 것을 알 수 있다. FIG. 10 shows an initial state, FIG. 11 is an applied voltage of 2V, FIG. 12 is 2.5V, FIG. 13 is 3V, and FIG. 14 is 4V. As shown in FIGS. 11 and 12, since the liquid crystal molecules hardly move when the applied voltage is 2V and the liquid crystal molecules move when the applied voltage is 2.5V, the threshold voltage has a value between 2V and 2.5V.

도 10 내지 도 14에 도시한 바와 같이 문턱 전압 이상에서 인가 전압이 커질수록 골(5030) 부분에서 등전위선이 휘는 정도가 커지고 액정 분자(90)도 기판에 대해 많이 눕게 되는데, 화소 전극(60) 내에 전경의 발생없이 골(5030)을 중심으로 액정 분자(90)가 안정하게 배열하는 것을 알 수 있다.As shown in FIGS. 10 to 14, as the applied voltage increases above the threshold voltage, the degree of warp of the equipotential lines in the valley 5030 increases, and the liquid crystal molecules 90 also lay down on the substrate much. The pixel electrode 60 It can be seen that the liquid crystal molecules 90 are stably arranged around the valley 5030 without generation of the foreground.

본 발명에서는 화소 전극의 개구부에 해당하는 부분에 골을 형성함으로써, 화소 전극 내에 전경의 발생없이 안정적으로 화소 분할하여 액정 표시 장치의 시야각을 넓힐 수 있다.In the present invention, by forming a valley in a portion corresponding to the opening of the pixel electrode, it is possible to stably divide the pixel in the pixel electrode without generating the foreground to widen the viewing angle of the liquid crystal display.

Claims (11)

기판,Board, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 개구부를 가지는 전계 생성 전극,A field generating electrode formed on the substrate and having an opening; 상기 기판과 상기 전계 생성 전극 사이에 형성되어 있으며 상기 개구부 하부에 위치하는 골을 가지는 제1 절연막, 그리고A first insulating film formed between the substrate and the field generating electrode and having a valley located below the opening; and 상기 골 하부에 형성되어 있으며 상기 전계 생성 전극과 전기적으로 연결되어 있는 전장 향상 전극A field enhancement electrode formed under the valley and electrically connected to the field generating electrode 을 포함하는 액정 표시 장치. Liquid crystal display comprising a. 삭제delete 제1항에서,In claim 1, 상기 기판과 상기 제1 절연막 사이에 형성되어 있는 다수의 게이트선,A plurality of gate lines formed between the substrate and the first insulating film, 상기 게이트선 상부에 형성되어 있는 제2 절연막,A second insulating film formed on the gate line; 상기 제2 절연막 상부에 형성되어 있으며 상기 제1 절연막으로 덮여있는 다수의 데이터선,A plurality of data lines formed on the second insulating film and covered with the first insulating film, 상기 게이트선과 이어진 게이트 전극, 상기 데이터선과 이어진 소스 전극 및 상기 소스 전극과 분리되어 있는 드레인 전극으로 이루어지며 상기 게이트선으로부터 주사 신호를 받아 상기 데이터선으로부터의 화상 신호를 스위칭하는 박막 트랜 지스터A thin film transistor comprising a gate electrode connected to the gate line, a source electrode connected to the data line, and a drain electrode separated from the source electrode, and receiving a scan signal from the gate line to switch an image signal from the data line 를 더 포함하는 액정 표시 장치.Liquid crystal display further comprising. 제3항에서,In claim 3, 상기 전장 향상 전극은 상기 드레인 전극과 같은 물질을 포함하며 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 액정 표시 장치. The electric field enhancement electrode includes the same material as the drain electrode and is connected to the drain electrode. 제3항에서,In claim 3, 상기 골이 상기 제1 절연막 하부의 상기 제2 절연막에까지 이어져 있는 액정 표시 장치.And the valley extends to the second insulating film under the first insulating film. 제5항에서,In claim 5, 상기 전장 향상 전극은 상기 게이트선과 같은 물질을 포함하며 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 액정 표시 장치. The field enhancement electrode includes the same material as the gate line and is connected to the drain electrode. 제1항, 제4항 및 제6항 중 어느 한 항에서,The method according to any one of claims 1, 4 and 6, 상기 전장 향상 전극의 폭은 상기 골의 폭 이상인 액정 표시 장치.The width of the electric field enhancement electrode is greater than or equal to the width of the valley. 제1항에서,In claim 1, 상기 기판에 수직인 면과 상기 골이 이루는 각도는 0도 보다 크고 80도 이하 인 액정 표시 장치.And an angle formed between the surface perpendicular to the substrate and the valley is greater than 0 degrees and less than 80 degrees. 제1항에서,In claim 1, 상기 골의 폭은 10μm 이하인 액정 표시 장치.The width of the valley is 10μm or less liquid crystal display device. 기판,Board, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 골을 가지는 절연막,An insulating film formed on the substrate and having a valley, 상기 절연막 위에 형성되어 있으며 개구부를 가지는 전계 생성 전극, 그리고A field generating electrode formed over said insulating film and having an opening, and 상기 골 하부에 형성되어 있으며 상기 전계 생성 전극과 전기적으로 연결되어 있는 전장 향상 전극A field enhancement electrode formed under the valley and electrically connected to the field generating electrode 을 포함하며,Including; 상기 골과 개구부는 쌍을 이루고 있는 액정 표시 장치.And the valley and the opening are paired. 삭제delete
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