JPH10229112A - Mask alignment device - Google Patents
Mask alignment deviceInfo
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- JPH10229112A JPH10229112A JP3342497A JP3342497A JPH10229112A JP H10229112 A JPH10229112 A JP H10229112A JP 3342497 A JP3342497 A JP 3342497A JP 3342497 A JP3342497 A JP 3342497A JP H10229112 A JPH10229112 A JP H10229112A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光透過性ウェハの
フォトリソグラフィ工程で用いられるマスクアライメン
ト装置に関するものである。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a mask alignment apparatus used in a photolithography process of a light transmitting wafer.
【0002】[0002]
【従来の技術】シリコンウェハ等の半導体プロセス(フ
ォトリソグラフィ工程)で用いられるマスクアライメン
ト装置では、対物レンズからの落斜光によって、ウェハ
上のアライメントマークとフォトマスクのアライメント
マークを照らし、両者を一致させる作業を行う。2. Description of the Related Art In a mask alignment apparatus used in a semiconductor process (photolithography step) for a silicon wafer or the like, an oblique light from an objective lens illuminates an alignment mark on a wafer and an alignment mark on a photomask so that the two coincide. Do the work.
【0003】しかし、最近ではシリコンだけでなく様々
な材料がウェハという形で供給されるようになり、多様
なマスクアライメント作業が可能である必要性が高まっ
てきている。However, recently, not only silicon but also various materials have been supplied in the form of wafers, and the necessity of enabling various mask alignment operations has been increasing.
【0004】上述のウェハとして単結晶強誘電体ウェハ
があるが、このウェハを機械加工する手段として、プラ
ズマディスプレイパネルの製造工程でも専ら使用される
ようになってきたサンドブラスト法がある。A single crystal ferroelectric wafer is used as the above-mentioned wafer. As a means for machining this wafer, there is a sand blast method which has been used exclusively in a plasma display panel manufacturing process.
【0005】サンドプラスト法では、ウェハの加工/非
加工領域をレジストパターンによって分別させることが
必要となるが、このとき用いられるレジスト皮膜の厚さ
は、前述したシリコンウェハ等の半導体プロセスで用い
られるレジスト皮膜のように薄い(10μm程度)もの
ではなく、約5〜10倍の厚さである。In the sand plast method, it is necessary to separate processed / non-processed areas of a wafer by a resist pattern. The thickness of a resist film used at this time is used in the above-described semiconductor process for a silicon wafer or the like. It is not as thin (about 10 μm) as the resist film, but about 5 to 10 times as thick.
【0006】従って、対物レンズからの落斜光によって
ウェハとフォトマスクの両方のアライメントマークを認
識するには、焦点距離が両者の間で大きく異なる、レジ
スト内部で光が減衰(吸収)される、等の理由で困難で
ある。Accordingly, in order to recognize the alignment marks on both the wafer and the photomask by the oblique light from the objective lens, the focal lengths differ greatly between the two, and the light is attenuated (absorbed) inside the resist. Difficult for reasons.
【0007】ここで、単結晶強誘電体ウェハは可視光に
対して透明あるいは半透明であるので、ウェハの裏側よ
り光を透過させることが可能であり、ウェハの裏側より
光を当て、その透過光を対物レンズに入れることで上述
の問題を解決することができる。Here, since the single crystal ferroelectric wafer is transparent or translucent to visible light, it is possible to transmit light from the back side of the wafer, and to shine light from the back side of the wafer and transmit the light. The above problem can be solved by introducing light into the objective lens.
【0008】以上より、厚(50〜100μm)レジス
トを被覆した光透過性ウェハのパターニング(フォトリ
ソグラフィ)工程で用いられるマスクアライメント装置
は、ウェハがセットされるウェハチャックに、少なくと
もアライメントマーク近傍を照射できるような発光領域
を有することが必要となる。As described above, the mask alignment apparatus used in the patterning (photolithography) step of a light-transmitting wafer coated with a thick (50 to 100 μm) resist irradiates at least the vicinity of the alignment mark to a wafer chuck on which the wafer is set. It is necessary to have a light emitting region that can be used.
【0009】そこで、両面マスクアライナーの裏面光を
利用してマスクアライメント作業を行う方法も試みた
が、より汎用性が高く、安価にその作業を行うことがで
きるためには、通常の(片面)マスクアライナーで行う
ことができるようにする必要がある。Therefore, a method of performing a mask alignment operation using the back surface light of the double-sided mask aligner has been attempted. However, in order to perform the operation with higher versatility and at a low cost, a normal (one-sided) It needs to be able to do with a mask aligner.
【0010】上述の問題を解決する方法として、図8に
示すマスクアライメント装置がある。1はウェハが搭載
られるウェハチャックであり、2はウェハを真空吸着す
るためのウェハ吸着孔であり、9は発光面であり、10
は光ファイバであり、光ファイバ10内を通ってきた光
が発光面9から照射されるようになっている。11は紫
外光をカットするフィルタであり、12はハロゲン球で
ある。ここで、フィルタ11を設けているのは、レジス
トが紫外光により露光してしまうためである。As a method for solving the above problem, there is a mask alignment apparatus shown in FIG. 1 is a wafer chuck on which a wafer is mounted, 2 is a wafer suction hole for vacuum suction of the wafer, 9 is a light emitting surface, and 10
Denotes an optical fiber, and light passing through the optical fiber 10 is emitted from the light emitting surface 9. Reference numeral 11 denotes a filter for cutting ultraviolet light, and reference numeral 12 denotes a halogen bulb. Here, the reason why the filter 11 is provided is that the resist is exposed by ultraviolet light.
【0011】従来例に係るマスクアライメント装置は、
ウェハ搭載面1にウェハ(図示せず)を搭載し、ハロゲ
ン球12から照射される光の内、紫外光をフィルタ11
により除去し、紫外光が除去された光を光ファイバ10
内を通して発光面9から照射することによりウェハの裏
側から光を照射するようにしている。A conventional mask alignment apparatus is
A wafer (not shown) is mounted on the wafer mounting surface 1, and ultraviolet light of the light emitted from the halogen bulb 12 is filtered by the filter 11.
The light from which the ultraviolet light has been removed is
The light is emitted from the back side of the wafer by irradiating from the light emitting surface 9 through the inside.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な構成のマスクアライメント装置においては、構造上ウ
ェハチャック1に光ファイバ10の束を挿入する箇所が
かなり制限されるという問題があった。However, in the mask alignment apparatus having the above-described structure, there is a problem in that the place where the bundle of optical fibers 10 is inserted into the wafer chuck 1 is considerably restricted.
【0013】また、一旦挿入してしまうと、その発光位
置(発光面9)を任意に変化させることが不可能なた
め、あらゆるサイズのウェハや任意の箇所にアライメン
トマークを有するウェハに対応することができないとい
う問題があった。Further, once inserted, the light emitting position (light emitting surface 9) cannot be arbitrarily changed, so that it can be used for a wafer of any size or a wafer having an alignment mark at an arbitrary position. There was a problem that can not be.
【0014】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、構造に制限されるこ
となくウェハの裏側から光を照射することのできるマス
クアライメント装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a mask alignment apparatus capable of irradiating light from the back side of a wafer without being limited to a structure. Is to do.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
ウェハの位置合わせを行うマスクアライメント装置であ
って、ウェハを搭載するウェハチャックと、該ウェハチ
ャックに搭載されたウェハを吸着する吸着部と、前記ウ
ェハチャックに内蔵され、該ウェハチャックに搭載され
たウェハの裏側から光を照射するように配置されたLE
Dアレイと、該LEDアレイに導線を介して接続された
電源とを有して成るものである。According to the first aspect of the present invention,
A mask alignment device for aligning a wafer, comprising: a wafer chuck for mounting a wafer; a suction unit for suctioning a wafer mounted on the wafer chuck; and a built-in wafer chuck mounted on the wafer chuck. LE arranged to irradiate light from the back side of the wafer
It has a D array and a power supply connected to the LED array via a conducting wire.
【0016】請求項2記載の発明は、請求項1記載のマ
スクアライメント装置において、前記ウェハチャックに
おけるウェハ搭載面の略全面にLEDアレイを配置した
ことを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, in the mask alignment apparatus of the first aspect, an LED array is arranged on substantially the entire surface of the wafer chuck on the wafer mounting surface.
【0017】請求項3記載の発明は、請求項1または請
求項2記載のマスクアライメント装置において、前記L
EDアレイを複数に分割し、分割された各LEDアレイ
群毎に点灯制御を行う選択点灯回路を付加したことを特
徴とするものである。According to a third aspect of the present invention, in the mask alignment apparatus according to the first or second aspect, the L
The ED array is divided into a plurality of parts, and a selective lighting circuit for performing lighting control for each of the divided LED array groups is added.
【0018】請求項4記載の発明は、請求項1または請
求項3記載のマスクアライメント装置において、前記L
EDアレイを、前記ウェハチャックのウェハ搭載面に略
十字状に配置したことを特徴とするものである。According to a fourth aspect of the present invention, in the mask alignment apparatus according to the first or third aspect, the L
The ED array is arranged on the wafer mounting surface of the wafer chuck in a substantially cross shape.
【0019】請求項5記載の発明は、請求項1乃至請求
項4記載のマスクアライメント装置において、前記LE
Dアレイの点滅制御を行う点滅回路を付加したことを特
徴とするものである。According to a fifth aspect of the present invention, in the mask alignment apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the LE is provided.
A blinking circuit for controlling blinking of the D array is added.
【0020】請求項6記載の発明は、請求項1乃至請求
項5記載のマスクアライメント装置において、前記LE
Dアレイの発光波長領域が、570〜610nmの範囲
にあることを特徴とするものである。According to a sixth aspect of the present invention, in the mask alignment apparatus according to the first to fifth aspects, the LE is provided.
The emission wavelength range of the D array is in the range of 570 to 610 nm.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面に基づき説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0022】=実施形態1= 図1は、本発明の一実施形態に係るマスクアライメント
装置を示す模式図である。1はウェハチャックであり、
2はウェハを吸着する吸着部としてのウェハ吸着孔であ
り、3は紫外線を透過させない透明薄板であり、ウェハ
チャック1におけるウェハ搭載面全面を覆うように配置
されている。このとき、透明薄板3にもウェハチャック
1におけるウェハ吸着孔2に対応する箇所にウェハ吸着
孔2が形成されている。4は複数の発光ダイオードで構
成された高輝度,高密度のLEDアレイであり、ウェハ
チャック1の内部に収納され、ウェハ吸着孔2を挟んで
略対向するように矩形状に、かつ、ウェハチャック1に
ウェハを搭載した際に、ウェハの裏面から光を照射する
ように配置されている。そして、LEDアレイ4は導線
5により外部電源6に接続されている。Embodiment 1 = FIG. 1 is a schematic view showing a mask alignment apparatus according to an embodiment of the present invention. 1 is a wafer chuck,
Reference numeral 2 denotes a wafer suction hole as a suction unit for sucking a wafer, and 3 denotes a transparent thin plate that does not transmit ultraviolet light, and is arranged so as to cover the entire wafer mounting surface of the wafer chuck 1. At this time, the wafer suction holes 2 are also formed in the transparent thin plate 3 at locations corresponding to the wafer suction holes 2 in the wafer chuck 1. Reference numeral 4 denotes a high-brightness, high-density LED array composed of a plurality of light-emitting diodes. The LED array 4 is housed inside the wafer chuck 1 and has a rectangular shape so as to substantially face the wafer chucking hole 2. When the wafer is mounted on the wafer 1, it is arranged to emit light from the back surface of the wafer. The LED array 4 is connected to an external power supply 6 by a conductor 5.
【0023】ここで、ウェハチャック1の厚みは約1c
mであり、LEDアレイ4の厚みは約5〜7mmである
ため、LEDアレイ4はウェハチャック1内に完全に内
蔵されるようになる。Here, the thickness of the wafer chuck 1 is about 1c.
m, and the thickness of the LED array 4 is about 5 to 7 mm, so that the LED array 4 is completely embedded in the wafer chuck 1.
【0024】従って、本実施形態においては、ウェハ
(図示せず)が搭載されるウェハチャック1にLEDア
レイ4が内蔵され、そのLEDアレイ4から照射される
光が前記ウェハのアライメントマーク及びその近傍を透
過できる構造であるので、ウェハチャック1から露出す
る箇所は導線5のみとなって非常にコンパクトな構造と
なり、また、マスクアライメント装置の構造によってそ
の仕様が制限されことがない。Therefore, in the present embodiment, the LED array 4 is built in the wafer chuck 1 on which a wafer (not shown) is mounted, and light emitted from the LED array 4 emits light from the alignment mark on the wafer and its vicinity. , The exposed portion of the wafer chuck 1 is only the conductive wire 5 and has a very compact structure, and its specifications are not limited by the structure of the mask alignment apparatus.
【0025】=実施形態2= 図2は、本発明の他の実施形態に係るマスクアライメン
ト装置を示す模式図である。なお、説明の便宜上、実施
形態1と同一箇所には同一符号を付して説明を省略す
る。本実施形態に係るウェハアライメント装置は、実施
形態1に係るウェハアライメント装置におけるLEDア
レイ4を、ウェハチャック1のウェハ搭載面のウェハ吸
着孔2の形成箇所を除いた箇所の略全面に配置した構成
である。Embodiment 2 = FIG. 2 is a schematic view showing a mask alignment apparatus according to another embodiment of the present invention. For convenience of description, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The wafer alignment device according to the present embodiment has a configuration in which the LED array 4 in the wafer alignment device according to the first embodiment is arranged on substantially the entire surface of the wafer mounting surface of the wafer chuck 1 except for the portion where the wafer suction hole 2 is formed. It is.
【0026】従って、本実施形態においては、ウェハ
(図示せず)が搭載されるウェハチャック1にLEDア
レイ4が内蔵され、そのLEDアレイ4から照射される
光が前記ウェハのアライメントマーク及びその近傍を透
過できる構造であるので、ウェハチャック1から露出す
る箇所は導線5のみとなって非常にコンパクトな構造と
なり、また、マスクアライメント装置の構造によってそ
の仕様が制限されことがない。Therefore, in the present embodiment, the LED array 4 is built in the wafer chuck 1 on which a wafer (not shown) is mounted, and light emitted from the LED array 4 emits light from the alignment mark on the wafer and its vicinity. , The exposed portion of the wafer chuck 1 is only the conductive wire 5 and has a very compact structure, and its specifications are not limited by the structure of the mask alignment apparatus.
【0027】また、ウェハチャック1のウェハ搭載面に
おけるウェハ吸着孔2の形成箇所を除いた箇所の略全面
にLEDアレイ4を配置するようにしたので、ウェハサ
イズやウェハのアライメントマーク位置によって使用が
制限されることがない。Also, since the LED array 4 is arranged on almost the entire surface of the wafer mounting surface of the wafer chuck 1 except for the location where the wafer suction hole 2 is formed, the LED array 4 can be used depending on the wafer size and the alignment mark position of the wafer. There is no restriction.
【0028】なお、本実施形態においては、LEDアレ
イ4をウェハチャック1のウェハ搭載面に2箇所配置す
るようにしたが、これに限定される必要はなく、例え
ば、図3に示すように、図2に示す2つのLEDアレイ
4の中央付近をLEDアレイ4によりつないで1つのL
EDアレイ4で構成するようにしても良く、この場合、
LEDアレイ4と外部電源6との接続を1本の導線5に
より行うことができる。In this embodiment, two LED arrays 4 are arranged on the wafer mounting surface of the wafer chuck 1. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. The vicinity of the center of the two LED arrays 4 shown in FIG.
The ED array 4 may be used. In this case,
The connection between the LED array 4 and the external power supply 6 can be performed by one conductor 5.
【0029】=実施形態3= 図4は、本発明の他の実施形態に係るマスクアライメン
ト装置を示す模式図である。なお、説明の便宜上、実施
形態1と同一箇所には同一符号を付して説明を省略す
る。本実施形態に係るマスクアライメント装置は、実施
形態2として図2に示したマスクアライメント装置のL
EDアレイ4を複数に分割して、各LEDアレイ4を導
線5を介して選択点灯回路7に接続した構成である。こ
こで、選択点灯回路7は、外部電源6からの供給電圧を
いずれのLEDアレイ4に印加するかを選択するもので
あり、選択点灯回路7の制御により所望のLEDアレイ
4を点灯させることができる。Embodiment 3 = FIG. 4 is a schematic view showing a mask alignment apparatus according to another embodiment of the present invention. For convenience of description, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The mask alignment apparatus according to the present embodiment is the same as the mask alignment apparatus shown in FIG.
In this configuration, the ED array 4 is divided into a plurality of parts, and each LED array 4 is connected to a selective lighting circuit 7 via a conductor 5. Here, the selective lighting circuit 7 selects which LED array 4 is to be supplied with the supply voltage from the external power supply 6, and controls the selective lighting circuit 7 to turn on a desired LED array 4. it can.
【0030】従って、本実施形態においては、ウェハ
(図示せず)が搭載されるウェハチャック1にLEDア
レイ4が内蔵され、そのLEDアレイ4から照射される
光が前記ウェハのアライメントマーク及びその近傍を透
過できる構造であるので、ウェハチャック1から露出す
る箇所は導線5のみとなって非常にコンパクトな構造と
なり、また、マスクアライメント装置の構造によってそ
の仕様が制限されことがない。Therefore, in the present embodiment, the LED array 4 is built in the wafer chuck 1 on which a wafer (not shown) is mounted, and the light emitted from the LED array 4 emits light from the alignment mark of the wafer and its vicinity. , The exposed portion of the wafer chuck 1 is only the conductive wire 5 and has a very compact structure, and its specifications are not limited by the structure of the mask alignment apparatus.
【0031】また、ウェハチャック1のウェハ搭載面に
おけるウェハ吸着孔2の形成箇所を除いた箇所の略全面
にLEDアレイ4を配置するようにしたので、ウェハサ
イズやウェハのアライメントマーク位置によって使用が
制限されることがない。Further, since the LED array 4 is arranged on substantially the entire surface of the wafer mounting surface of the wafer chuck 1 excluding the portion where the wafer suction hole 2 is formed, the LED array 4 can be used depending on the wafer size and the alignment mark position of the wafer. There is no restriction.
【0032】また、選択点灯回路7により所望のLED
アレイ4を点灯させるようにしたので、ウェハのアライ
メントマーク位置に応じて点灯させることにより最低限
の消費電力で動作させることができ、また、ある特定の
発光パターンを作り出すことでウェハセットのためのガ
イドを表示させることも可能となる。Further, a desired LED is provided by the selective lighting circuit 7.
Since the array 4 is turned on, it can be operated with the minimum power consumption by turning on the light according to the alignment mark position of the wafer, and by generating a specific light emitting pattern, It is also possible to display a guide.
【0033】なお、LEDアレイ4の配置パターンは、
本実施形態におけるLEDアレイ4の配置パターンに限
定されるものではなく、例えば図5に示すようにウェハ
チャック1の略中央部にもLEDアレイ4を配置し、略
中央に配置されたLEDアレイ4を挟むようにウェハ吸
着孔2を形成するようにしても良い。The arrangement pattern of the LED array 4 is as follows.
The arrangement pattern of the LED array 4 in the present embodiment is not limited. For example, as shown in FIG. 5, the LED array 4 is arranged substantially at the center of the wafer chuck 1, and the LED array 4 arranged substantially at the center is provided. May be formed to sandwich the wafer suction hole 2.
【0034】=実施形態4= 図6は、本発明の他の実施形態に係るマスクアライメン
ト装置を示す模式図である。なお、説明の便宜上、実施
形態1と同一箇所には同一符号を付して説明を省略す
る。本実施形態に係るマスクアライメント装置は、実施
形態3として図4に示すマスクアライメント装置におけ
るLEDアレイ4を、ウェハチャック1におけるウェハ
搭載面に略十字型となるように配置した構成である。Embodiment 4 = FIG. 6 is a schematic view showing a mask alignment apparatus according to another embodiment of the present invention. For convenience of description, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The mask alignment apparatus according to the present embodiment has a configuration in which the LED array 4 in the mask alignment apparatus shown in FIG. 4 as the third embodiment is arranged on the wafer mounting surface of the wafer chuck 1 so as to have a substantially cross shape.
【0035】従って、本実施形態においては、ウェハ
(図示せず)が搭載されるウェハチャック1にLEDア
レイ4が内蔵され、そのLEDアレイ4から照射される
光が前記ウェハのアライメントマーク及びその近傍を透
過できる構造であるので、ウェハチャック1から露出す
る箇所は導線5のみとなって非常にコンパクトな構造と
なり、また、マスクアライメント装置の構造によってそ
の仕様が制限されことがない。Therefore, in this embodiment, the LED array 4 is built in the wafer chuck 1 on which a wafer (not shown) is mounted, and the light emitted from the LED array 4 emits the alignment mark on the wafer and its vicinity. , The exposed portion of the wafer chuck 1 is only the conductive wire 5 and has a very compact structure, and its specifications are not limited by the structure of the mask alignment apparatus.
【0036】また、選択点灯回路7により所望のLED
アレイ4を点灯させるようにしたので、ウェハのアライ
メントマーク位置に応じて点灯させることにより最低限
の消費電力で動作させることができ、更に、LEDアレ
イ4を略十字型に配置したので、略十字型に配置された
LEDアレイ4の発光がウェハをウェハチャック1に搭
載する際のガイドとして機能し、非常に効率よく精確に
ウェハをウェハチャック1に搭載することができる。Further, a desired LED is provided by the selective lighting circuit 7.
Since the array 4 is turned on, it can be operated with minimum power consumption by turning on according to the alignment mark position of the wafer. Further, since the LED array 4 is arranged in a substantially cross shape, The light emission of the LED array 4 arranged in the mold functions as a guide when the wafer is mounted on the wafer chuck 1, and the wafer can be mounted on the wafer chuck 1 very efficiently and accurately.
【0037】なお、本実施形態においては、複数のLE
Dアレイ4により略十字型の配列を構成したが、これに
限定される必要はなく、1つのLEDアレイ4により略
十字型を構成しても良く、この場合選択点灯回路7を除
去することができるともに、LEDアレイ4と外部電源
6との接続を1本の導線5により行うことができる。In this embodiment, a plurality of LEs
Although the D-shaped array 4 forms a substantially cross-shaped array, the present invention is not limited to this. A substantially cross-shaped array may be formed by one LED array 4. In this case, the selective lighting circuit 7 may be omitted. At the same time, the connection between the LED array 4 and the external power supply 6 can be performed by one conductor 5.
【0038】また、一般的に人は点灯に比べ点滅の場合
は約2倍の視認性が得られるので、実施形態1〜4のL
EDアレイ4を点滅させるようにすればさらに視認性が
向上し、例えば、図7に示すように、実施形態4として
図6に示すマスクアライメント装置において、LEDア
レイ4の点滅制御を行う点滅回路8を付加して、LED
アレイ4の発光を点滅させるようにすれば、視認性が向
上してさらに精度良くウェハをウェハチャック1に搭載
することができる。In general, a person can obtain approximately twice the visibility in the case of blinking as compared with the case of lighting, so that the L in the first to fourth embodiments can be obtained.
If the ED array 4 is made to blink, the visibility is further improved. For example, as shown in FIG. 7, in a mask alignment apparatus shown in FIG. To the LED
If the light emission of the array 4 is made to blink, the visibility is improved and the wafer can be mounted on the wafer chuck 1 with higher accuracy.
【0039】ここで、実施形態1〜4において、LED
アレイ4を構成する各発光ダイオードの発光波長ピーク
値を、560〜610nm(黄色〜橙色)の領域となる
ようにすれば、白色光を光源に用いたときのような、短
波長をカットするためのフィルタ(実施形態1〜4にお
いては透明薄板3)が不要となる。Here, in the first to fourth embodiments, the LED
By setting the emission wavelength peak value of each light emitting diode constituting the array 4 to be in a range of 560 to 610 nm (yellow to orange), it is possible to cut short wavelengths such as when white light is used as a light source. (The transparent thin plate 3 in the first to fourth embodiments) becomes unnecessary.
【0040】[0040]
【発明の効果】請求項1記載の発明は、ウェハの位置合
わせを行うマスクアライメント装置であって、ウェハを
搭載するウェハチャックと、ウェハチャックに搭載され
たウェハを吸着する吸着部と、ウェハチャックに内蔵さ
れ、ウェハチャックに搭載されたウェハの裏側から光を
照射するように配置されたLEDアレイと、LEDアレ
イに導線を介して接続された電源とを有して成るので、
ウェハチャックから露出する箇所は導線のみとなって非
常にコンパクトな構造となり、構造に制限されることな
くウェハの裏側から光を照射することのできるマスクア
ライメント装置を提供することができた。According to the first aspect of the present invention, there is provided a mask alignment apparatus for positioning a wafer, comprising: a wafer chuck for mounting a wafer; a suction unit for suctioning the wafer mounted on the wafer chuck; Since it has an LED array arranged to irradiate light from the back side of the wafer mounted on the wafer chuck and a power supply connected to the LED array via a lead wire,
The portion exposed from the wafer chuck is only a conductive wire and has a very compact structure, and a mask alignment apparatus capable of irradiating light from the back side of the wafer without being limited to the structure can be provided.
【0041】請求項2記載の発明は、請求項1記載のマ
スクアライメント装置において、ウェハチャックにおけ
るウェハ搭載面の略全面にLEDアレイを配置したの
で、ウェハサイズやウェハのアライメントマーク位置に
よって使用が制限されることがない。According to the second aspect of the present invention, in the mask alignment apparatus of the first aspect, since the LED array is arranged on substantially the entire surface of the wafer mounting surface of the wafer chuck, use of the LED array is restricted depending on the wafer size and the alignment mark position of the wafer. Never be.
【0042】請求項3記載の発明は、請求項1または請
求項2記載のマスクアライメント装置において、LED
アレイを複数に分割し、分割された各LEDアレイ群毎
に点灯制御を行う選択点灯回路を付加したので、ウェハ
のアライメントマーク位置に応じて点灯させることによ
り最低限の消費電力で動作させることができ、また、あ
る特定の発光パターンを作り出すことでウェハセットの
ためのガイドを表示させることも可能となる。According to a third aspect of the present invention, there is provided a mask alignment apparatus according to the first or second aspect, wherein
Since the array is divided into a plurality of parts and a selective lighting circuit for controlling the lighting of each divided LED array group is added, it is possible to operate with minimum power consumption by lighting according to the alignment mark position of the wafer. It is also possible to display a guide for a wafer set by creating a specific light emitting pattern.
【0043】請求項4記載の発明は、請求項1または請
求項3記載のマスクアライメント装置において、LED
アレイを、ウェハチャックのウェハ搭載面に略十字状に
配置したので、略十字型に配置されたLEDアレイの発
光がウェハをウェハチャックに搭載する際のガイドとし
て機能し、非常に効率よく精確にウェハをウェハチャッ
クに搭載することができる。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a mask alignment apparatus according to the first or third aspect, wherein
Since the array is arranged in a substantially cross shape on the wafer mounting surface of the wafer chuck, the light emission of the LED array arranged in a substantially cross shape functions as a guide when mounting the wafer on the wafer chuck, making it extremely efficient and accurate The wafer can be mounted on a wafer chuck.
【0044】請求項5記載の発明は、請求項1乃至請求
項4記載のマスクアライメント装置において、LEDア
レイの点滅制御を行う点滅回路を付加したので、視認性
が向上してさらに精度良くウェハをウェハチャックに搭
載することができる。According to a fifth aspect of the present invention, in the mask alignment device according to the first to fourth aspects, a blinking circuit for controlling blinking of the LED array is added, so that the visibility is improved and the wafer can be more precisely formed. It can be mounted on a wafer chuck.
【0045】請求項6記載の発明は、請求項1乃至請求
項5記載のマスクアライメント装置において、LEDア
レイの発光波長領域が、570〜610nmの範囲にあ
るの、白色光を光源に用いたときのような、短波長をカ
ットするためのフィルタが不要となる。According to a sixth aspect of the present invention, in the mask alignment apparatus according to the first to fifth aspects, the emission wavelength range of the LED array is in the range of 570 to 610 nm, and white light is used as the light source. This eliminates the need for a filter for cutting short wavelengths.
【図1】本発明の一実施形態に係るマスクアライメント
装置を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing a mask alignment apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の他の実施形態に係るマスクアライメン
ト装置を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic view showing a mask alignment apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図3】本発明の他の実施形態に係るマスクアライメン
ト装置を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view showing a mask alignment apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図4】本発明の他の実施形態に係るマスクアライメン
ト装置を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing a mask alignment apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図5】本発明の他の実施形態に係るマスクアライメン
ト装置を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing a mask alignment apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図6】本発明の他の実施形態に係るマスクアライメン
ト装置を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic view showing a mask alignment apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図7】本発明の他の実施形態に係るマスクアライメン
ト装置を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic view showing a mask alignment apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図8】従来例に係るマスクアライメント装置を示す模
式図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing a mask alignment apparatus according to a conventional example.
1 ウェハチャック 2 ウェハ吸着孔 3 透明薄板 4 LEDアレイ 5 導線 6 外部電源 7 選択点灯回路 8 点滅回路 9 発光面 10 光ファイバ 11 フィルタ 12 ハロゲン球 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer chuck 2 Wafer suction hole 3 Transparent thin plate 4 LED array 5 Conductor wire 6 External power supply 7 Selective lighting circuit 8 Flashing circuit 9 Light emitting surface 10 Optical fiber 11 Filter 12 Halogen bulb
Claims (6)
メント装置であって、ウェハを搭載するウェハチャック
と、該ウェハチャックに搭載されたウェハを吸着する吸
着部と、前記ウェハチャックに内蔵され、該ウェハチャ
ックに搭載されたウェハの裏側から光を照射するように
配置されたLEDアレイと、該LEDアレイに導線を介
して接続された電源とを有して成るマスクアライメント
装置。1. A mask alignment device for aligning a wafer, comprising: a wafer chuck for mounting a wafer; a suction unit for suctioning the wafer mounted on the wafer chuck; A mask alignment apparatus comprising: an LED array arranged to emit light from the back side of a wafer mounted on a chuck; and a power supply connected to the LED array via a conductive wire.
面の略全面にLEDアレイを配置したことを特徴とする
請求項1記載のマスクアライメント装置。2. The mask alignment apparatus according to claim 1, wherein an LED array is arranged on substantially the entire surface of the wafer chuck on which the wafer is mounted.
された各LEDアレイ群毎に点灯制御を行う選択点灯回
路を付加したことを特徴とする請求項1または請求項2
記載のマスクアライメント装置。3. The LED array according to claim 1, wherein the LED array is divided into a plurality of LED arrays, and a selective lighting circuit for performing lighting control is added to each of the divided LED array groups.
The mask alignment apparatus according to the above.
クのウェハ搭載面に略十字状に配置したことを特徴とす
る請求項1または請求項3記載のマスクアライメント装
置。4. The mask alignment apparatus according to claim 1, wherein said LED array is arranged in a substantially cross shape on a wafer mounting surface of said wafer chuck.
回路を付加したことを特徴とする請求項1乃至請求項4
記載のマスクアライメント装置。5. A blinking circuit for controlling blinking of said LED array is added.
The mask alignment apparatus according to the above.
70〜610nmの範囲にあることを特徴とする請求項
1乃至請求項5記載のマスクアライメント装置。6. The light-emitting wavelength range of the LED array is 5
The mask alignment apparatus according to claim 1, wherein the distance is in a range of 70 to 610 nm.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3342497A JPH10229112A (en) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | Mask alignment device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3342497A JPH10229112A (en) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | Mask alignment device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10229112A true JPH10229112A (en) | 1998-08-25 |
Family
ID=12386188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3342497A Pending JPH10229112A (en) | 1997-02-18 | 1997-02-18 | Mask alignment device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10229112A (en) |
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1997
- 1997-02-18 JP JP3342497A patent/JPH10229112A/en active Pending
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