JPH10229042A - Projection aligner - Google Patents

Projection aligner

Info

Publication number
JPH10229042A
JPH10229042A JP9047101A JP4710197A JPH10229042A JP H10229042 A JPH10229042 A JP H10229042A JP 9047101 A JP9047101 A JP 9047101A JP 4710197 A JP4710197 A JP 4710197A JP H10229042 A JPH10229042 A JP H10229042A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
optical system
projection optical
stage
projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9047101A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Shimizu
賢二 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP9047101A priority Critical patent/JPH10229042A/en
Publication of JPH10229042A publication Critical patent/JPH10229042A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a projection aligner allowing a a change of relative positions of a reticle and a projecting optical system relating to the projection aligner for projecting a pattern of the reticle on an exposure substrate through the projecting optical system. SOLUTION: Reflection mirrors 3 are fixed in the X, Y directions of the side of a reticle stage 2 of the projecting optical system 6. In the X, Y directions oriented to the reticle stage 2 of a second stand 5 supporting the reticle stage 2, a laser length-measuring unit 4 is mounted corresponding to a reflection mirror 3 mounted on the system 6. A fixed mirror of the laser length-measuring unit 4 is fixed on the second stand 5, and a relative positional difference between a fixed mirror of the second stand 5 and the reflection mirror 3 of the system 6 is made to be received by a light-receiving system as coherent light. Positional information of the system 6 and the second stand 5 measured by the laser length-measuring unit 4 is inputted to a control part 15.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レチクルのパター
ンを投影光学系を介して露光基板上に投影する投影露光
装置に関する。
The present invention relates to a projection exposure apparatus for projecting a reticle pattern onto an exposure substrate via a projection optical system.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の投影露光装置の概略構造を図4を
用いて説明する。図4において、回路パターンが描画さ
れたレチクル1は、レチクルステージ2上に載置されて
いる。レチクルステージ2は第2架台5上に載せられて
2次元平面内を移動することができるようになってい
る。
2. Description of the Related Art A schematic structure of a conventional projection exposure apparatus will be described with reference to FIG. In FIG. 4, a reticle 1 on which a circuit pattern is drawn is placed on a reticle stage 2. The reticle stage 2 is mounted on a second gantry 5 and can move in a two-dimensional plane.

【0003】投影露光装置全体は防振台10下部の4本
の防振パッド11を介して設置面上に設置されている。
レチクルステージ2を載置した第2架台5は、投影光学
系6を支持している第1架台7上に載せられている。そ
して、投影光学系6を支持する第1架台7は防振台10
上に固定されている。また防振台10上であって、第1
架台7に支持された投影光学系6の投影領域下方に、ガ
ラス基板や半導体基板等の露光基板8を載置して2次元
的に移動可能な基板ステージ9が載せられている。
The entire projection exposure apparatus is installed on an installation surface via four anti-vibration pads 11 below the anti-vibration table 10.
The second mount 5 on which the reticle stage 2 is mounted is mounted on a first mount 7 supporting a projection optical system 6. The first mount 7 supporting the projection optical system 6 is a vibration isolator 10
Fixed on top. Also, on the anti-vibration table 10, the first
Below the projection area of the projection optical system 6 supported by the gantry 7, a substrate stage 9 on which an exposure substrate 8 such as a glass substrate or a semiconductor substrate is placed and which can move two-dimensionally is placed.

【0004】そして、この投影露光装置では、投影光学
系6の結像面に露光基板8の所定の露光領域が一致する
ように基板ステージ9を所定量移動させて位置決めし、
露光が終了すると次の露光領域を投影光学系6の結像面
に移動させるという動作を順次繰り返して、露光基板上
の全ての露光領域に対する露光を行う、いわゆるステッ
プ・アンド・リピート方式の露光動作が行われる。
In this projection exposure apparatus, the substrate stage 9 is moved and positioned by a predetermined amount so that a predetermined exposure area of the exposure substrate 8 coincides with the image forming plane of the projection optical system 6.
When the exposure is completed, an operation of moving the next exposure area to the image forming plane of the projection optical system 6 is sequentially repeated to perform exposure on all the exposure areas on the exposure substrate, that is, a so-called step-and-repeat exposure operation. Is performed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このステップ・アンド
・リピート方式の投影露光装置において、装置1台当た
りの基板処理能力(いわゆるスループット)を向上させ
るには、露光基板8を載置して移動する基板ステージ9
のステッピング動作を高速にすることが考えられる。基
板ステージ9のステッピング動作を高速にするには、基
板ステージ9を短時間で加速し、減速させる必要があ
る。ところが、基板ステージ9の加減速を大きくする
と、それに伴って基板ステージ9の移動方向とは逆方向
にかかる反力が大きくなってくると共に、反力の伝達が
急峻(すなわちステップ関数的)になることから発生す
る振動周波数成分が高域まで拡がってくる。この反力は
防振台10に伝達されて、防振台10上の構造物に振動
を与えることになる。上述のように防振台10上には、
基板ステージ9以外に、投影光学系6を支持している第
1架台7が載せられており、さらに第1架台7上にはレ
チクルステージ2を支持する第2架台5が載せられてい
る。従って、防振台10に基板ステージ9の急峻な移動
による反力が伝達されると、防振台10上の第1架台7
に振動が発生すると共に、第2架台5にも振動が発生す
る。この第1架台7の系と第2架台5の系の質量、形状
はそれぞれ異なるので、基板ステージ9による反力が急
峻で大きくなってくると第1架台7と第2架台5とは別
個の振動振幅及び周波数で振動を始める。
In this step-and-repeat projection exposure apparatus, in order to improve the substrate processing capacity (so-called throughput) per apparatus, the exposure substrate 8 is placed and moved. Substrate stage 9
It is conceivable to make the stepping operation at high speed. To speed up the stepping operation of the substrate stage 9, it is necessary to accelerate and decelerate the substrate stage 9 in a short time. However, when the acceleration / deceleration of the substrate stage 9 is increased, the reaction force applied in the direction opposite to the moving direction of the substrate stage 9 increases, and the transmission of the reaction force becomes steep (that is, a step function). As a result, the vibration frequency component generated from the noise spreads to a high frequency range. This reaction force is transmitted to the anti-vibration pedestal 10 and gives vibration to the structure on the anti-vibration pedestal 10. As described above, on the anti-vibration table 10,
In addition to the substrate stage 9, a first gantry 7 supporting the projection optical system 6 is mounted, and a second gantry 5 supporting the reticle stage 2 is mounted on the first gantry 7. Therefore, when the reaction force due to the steep movement of the substrate stage 9 is transmitted to the vibration isolator 10, the first frame 7
And the second base 5 also vibrates. Since the mass and shape of the system of the first gantry 7 and the system of the second gantry 5 are different from each other, the first gantry 7 and the second gantry 5 are separated when the reaction force by the substrate stage 9 becomes steep and large. Start vibration at vibration amplitude and frequency.

【0006】第1架台7には投影光学系6が支持されて
おり、また第2架台5にはレチクル1を載置したレチク
ルステージ2が支持されている。従って、これらの架台
の振動に伴って投影光学系6とレチクル1とは相異なる
振幅及び周波数で振動することになる。これらが振動し
ている間は、レチクル1の中心と投影光学系6の光軸と
がずれてしまうが、ずれ量が所定の許容範囲を超えてい
る状態で露光を開始すると、露光基板上でパターンずれ
を生じてしまい製造歩留まりが低下してしまう。結局、
基板ステージ9がステッピング動作を完了し、振動が減
衰するまでの一定時間待ってから露光を開始する必要が
あるので、スループットはそれほど向上させることがで
きない。
The first mount 7 supports the projection optical system 6, and the second mount 5 supports the reticle stage 2 on which the reticle 1 is mounted. Accordingly, the projection optical system 6 and the reticle 1 vibrate at different amplitudes and frequencies with the vibrations of the gantry. While these are vibrating, the center of the reticle 1 and the optical axis of the projection optical system 6 are displaced. However, if exposure is started in a state where the deviation exceeds a predetermined allowable range, the exposure substrate A pattern shift occurs, and the manufacturing yield decreases. After all,
Since exposure must be started after a certain period of time until the substrate stage 9 completes the stepping operation and the vibration is attenuated, the throughput cannot be improved much.

【0007】また、第1架台と第2架台の剛性を高めて
振動周波数成分を低く抑えることにより、レチクル1と
投影光学系6とがほぼ同様の振動振幅及び周波数で振動
するようにして、レチクル1と投影光学系6との相対的
なずれを小さくすることも考えられるが、装置全体の重
量が重くなってしまう点と、コスト高になってしまう点
で問題がある。投影露光装置を構成する部材の剛性を高
める改造をせずに、現状の装置構成に基づいてスループ
ットの向上を図るには、前提として基板ステージ9から
の反力によるレチクル1と投影光学系6との相対的なず
れをほぼ実時間で計測する必要が生じる。
Further, the rigidity of the first and second frames is increased to suppress the vibration frequency component so that the reticle 1 and the projection optical system 6 vibrate at substantially the same vibration amplitude and frequency, and Although it is conceivable to reduce the relative displacement between the projection optical system 1 and the projection optical system 6, there is a problem in that the weight of the entire apparatus increases and the cost increases. In order to improve the throughput based on the current apparatus configuration without modifying the rigidity of the members constituting the projection exposure apparatus, it is premised that the reticle 1 and the projection optical system 6 by the reaction force from the substrate stage 9 are used. Needs to be measured in almost real time.

【0008】本発明の目的は、レチクルと投影光学系の
相対位置の変化を検出することができる投影露光装置を
提供することにある。
An object of the present invention is to provide a projection exposure apparatus capable of detecting a change in a relative position between a reticle and a projection optical system.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】一実施形態を表す図1に
対応付けて説明すると上記目的は、パターンが形成され
たレチクル(1)を載置して移動するレチクルステージ
(2)と、パターンの像を露光基板(8)に投影する投
影光学系(6)と、露光基板(8)を載置して移動する
基板ステージ(9)とを有する投影露光装置において、
基板ステージ(9)の移動に起因したレチクル(1)と
投影光学系(6)との相対的な位置の差を計測する計測
手段(3、4)とを有することを特徴とする投影露光装
置によって達成される。
The object of the present invention will be described with reference to FIG. 1, which shows an embodiment of the present invention. An object of the present invention is to provide a reticle stage (2) on which a reticle (1) on which a pattern is formed is mounted and moved. A projection optical system (6) for projecting the image on the exposure substrate (8) and a substrate stage (9) on which the exposure substrate (8) is mounted and moved.
A projection exposure apparatus comprising measuring means (3, 4) for measuring a difference in relative position between a reticle (1) and a projection optical system (6) due to movement of a substrate stage (9). Achieved by

【0010】また、上記投影露光装置において、計測手
段(3、4)は、投影光学系(6)のレチクルステージ
(2)寄りの側部に固定された反射鏡(3)と、レチク
ルステージ(2)を支持する架台(5)に固定された反
射鏡(4)とを有し、両反射鏡(3、4)に照射したレ
ーザ光の反射光を干渉させて相対的な位置の差を計測す
ることを特徴としている。
In the above-mentioned projection exposure apparatus, the measuring means (3, 4) includes a reflecting mirror (3) fixed to a side of the projection optical system (6) near the reticle stage (2), and a reticle stage ( And a reflecting mirror (4) fixed to a mount (5) that supports the two mirrors. The reflected light of the laser light applied to the two reflecting mirrors (3, 4) interferes with each other to reduce the relative position difference. It is characterized by measuring.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態による
投影露光装置を図1及び図2を用いて説明する。まず、
図1を用いて本実施の形態による投影露光装置の構成を
説明する。本実施の形態による投影露光装置は、レチク
ルと投影光学系との相対的な位置の差を計測する計測手
段を設けた点に特徴を有している。それ以外の構成要素
は図4に示した従来の投影露光装置と同一であるので、
同一の構成要素には同一の符号を付している。図1にお
いて、不図示の照明ユニットからの照明光により回路パ
ターンが描画されたレチクル1が照明される。レチクル
1は、レチクルステージ2上に載置され、レチクルステ
ージ2の移動に伴って2次元平面内を移動することがで
きるようになっている。レチクルステージ2は、その
X、Y方向の位置が不図示のレーザ測長器により計測さ
れ、制御部15により位置制御されるようになってい
る。レチクルステージ2は、第2架台5上に載せられて
いる。レチクル1の回路パターンを照明した照明光は第
1架台の上に載せられた投影光学系6に入射し、投影光
学系6の投影面内で回路パターンの像を結像する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A projection exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. First,
The configuration of the projection exposure apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG. The projection exposure apparatus according to the present embodiment is characterized in that a measurement unit for measuring a relative position difference between a reticle and a projection optical system is provided. Other components are the same as those of the conventional projection exposure apparatus shown in FIG.
The same components are denoted by the same reference numerals. In FIG. 1, a reticle 1 on which a circuit pattern is drawn is illuminated by illumination light from an illumination unit (not shown). The reticle 1 is mounted on a reticle stage 2, and can move in a two-dimensional plane as the reticle stage 2 moves. The position of the reticle stage 2 in the X and Y directions is measured by a laser length measuring device (not shown), and the position is controlled by the control unit 15. The reticle stage 2 is mounted on a second gantry 5. The illumination light illuminating the circuit pattern of the reticle 1 is incident on the projection optical system 6 mounted on the first gantry, and forms an image of the circuit pattern on the projection plane of the projection optical system 6.

【0012】投影露光装置全体は防振台10下部の4本
の防振パッド11を介して設置面上に設置されている。
この防振パッド11及び防振台10により、接地面を介
して伝達される外部からの振動がある程度抑えられてい
る。レチクルステージ2を載置した第2架台5は、投影
光学系6を支持している第1架台7に載せられている。
投影光学系6を支持する第1架台7は防振台10上に固
定されている。また防振台10上であって、第1架台7
に支持された投影光学系6の投影領域下方に、ガラス基
板や半導体基板等の露光基板8を載置して2次元的に移
動可能な基板ステージ9が載せられている。基板ステー
ジ9もX、Y方向の位置が不図示のレーザ測長器により
計測され、制御部15により位置制御されるようになっ
ている。
The entire projection exposure apparatus is installed on an installation surface via four anti-vibration pads 11 below the anti-vibration table 10.
Due to the anti-vibration pad 11 and the anti-vibration base 10, external vibration transmitted through the ground plane is suppressed to some extent. The second mount 5 on which the reticle stage 2 is mounted is mounted on a first mount 7 supporting a projection optical system 6.
The first gantry 7 supporting the projection optical system 6 is fixed on an anti-vibration table 10. Also, on the anti-vibration table 10, the first mount 7
Below the projection area of the projection optical system 6 supported by the camera, a substrate stage 9 on which an exposure substrate 8 such as a glass substrate or a semiconductor substrate is placed and which can move two-dimensionally is placed. The position of the substrate stage 9 in the X and Y directions is also measured by a laser length measuring device (not shown), and the position is controlled by the control unit 15.

【0013】また、投影光学系6のレチクルステージ2
寄りの側部のX、Y方向にそれぞれ反射鏡3が固定され
ている。図1中Y軸方向の反射鏡3の図示は省略してい
る。レチクルステージ2を支持する第2架台5のレチク
ルステージ2寄りのX、Y方向には、投影光学系6に取
り付けられた反射鏡3に対応してレーザ測長ユニット4
が取り付けられている。レーザ測長ユニット4は、固定
鏡、レーザ発信器及び干渉光を受光する受光系等から構
成されている。なお、図1中Y軸方向のレーザ測長ユニ
ット4の図示は省略している。図示しない固定鏡は第2
架台5に取り付けられており、第2架台5の固定鏡と投
影光学系6の反射鏡3との相対的な位置の差が干渉光と
して受光系で受光されるようになっている。レーザ測長
ユニット4で計測された投影光学系6と第2架台5との
位置情報は制御部15に入力される。制御部15は、レ
ーザ測長ユニット4からの位置情報に基づいて、投影光
学系6と第2架台5との基準位置からの差を算出する。
制御部15は、この基準位置からの差を誤差信号として
レチクルステージ2の制御系に入力してレチクルステー
ジ2を移動させ、投影光学系6とレチクル1の位置のず
れを補正するようになっている。
The reticle stage 2 of the projection optical system 6
The reflecting mirrors 3 are fixed in the X and Y directions on the side portions closer to each other. In FIG. 1, the illustration of the reflecting mirror 3 in the Y-axis direction is omitted. In the X and Y directions of the second gantry 5 supporting the reticle stage 2 near the reticle stage 2, a laser measuring unit 4 corresponding to the reflecting mirror 3 attached to the projection optical system 6.
Is attached. The laser length measurement unit 4 includes a fixed mirror, a laser transmitter, a light receiving system that receives interference light, and the like. The illustration of the laser length measuring unit 4 in the Y-axis direction is omitted in FIG. The fixed mirror not shown is the second
It is attached to the gantry 5, and the difference in the relative position between the fixed mirror of the second gantry 5 and the reflecting mirror 3 of the projection optical system 6 is received by the light receiving system as interference light. Position information of the projection optical system 6 and the second gantry 5 measured by the laser measuring unit 4 is input to the control unit 15. The control unit 15 calculates the difference between the projection optical system 6 and the second gantry 5 from the reference position based on the position information from the laser measuring unit 4.
The control unit 15 inputs the difference from the reference position as an error signal to the control system of the reticle stage 2 to move the reticle stage 2 and correct the displacement between the projection optical system 6 and the reticle 1. I have.

【0014】図2は、基板ステージ9が+X方向にステ
ッピング操作を開始した直後の状態を示している。第2
架台5と投影光学系6は−X方向の反力を受けて振動を
開始する。このときの第2架台5と投影光学系6の基準
位置からの位置ずれを逐次反射鏡3とレーザ測長ユニッ
ト4により計測して制御系15にフィードバックするこ
とにより、制御系15はレチクルステージ2を移動制御
して、レチクル1の中心と投影光学系6の光軸とのずれ
が小さくなるように制御する。
FIG. 2 shows a state immediately after the substrate stage 9 starts a stepping operation in the + X direction. Second
The gantry 5 and the projection optical system 6 start vibrating upon receiving a reaction force in the −X direction. At this time, the positional deviation of the second gantry 5 and the projection optical system 6 from the reference position is sequentially measured by the reflecting mirror 3 and the laser length measuring unit 4 and fed back to the control system 15 so that the control system 15 becomes reticle stage 2 Is controlled so that the deviation between the center of the reticle 1 and the optical axis of the projection optical system 6 is reduced.

【0015】このように、本実施の形態による投影露光
装置によれば、レチクル1と投影光学系6との振動によ
る相対位置ずれを計測してレチクルステージ2の移動制
御系にフィードバックしてレチクルステージ2を移動さ
せるので、レチクル1の中心と投影光学系6の光軸との
位置ずれを小さくすることができ、基板ステージ9のス
テッピング動作を高速にして、スループットを向上させ
ることができるようになる。
As described above, according to the projection exposure apparatus of the present embodiment, the relative position shift due to the vibration between the reticle 1 and the projection optical system 6 is measured and fed back to the movement control system of the reticle stage 2 to provide the reticle stage. 2 is moved, the displacement between the center of the reticle 1 and the optical axis of the projection optical system 6 can be reduced, and the stepping operation of the substrate stage 9 can be performed at a high speed to improve the throughput. .

【0016】次に、本発明の第2の実施の形態による投
影露光装置を図3を用いて説明する。本実施の形態によ
る投影露光装置も、レチクルと投影光学系との相対的な
位置の差を計測する計測手段を設けた点に特徴を有して
いる。それ以外の構成要素は図1に示した第1の実施の
形態による投影露光装置と同一であるので、同一の構成
要素には同一の符号を付して説明を省略する。図3にお
いて、投影光学系6の上部に、CCD等の撮像素子から
なる受光部13が固定されている。また、第2架台5の
上部には、レチクル1を透過して受光部13に入射する
所定のスポット径を有するレーザ光を発するレーザ送光
系12が設けられている。受光部13に入射したレーザ
光のスポット位置は撮像素子により撮像されて制御部1
5に入力される。
Next, a projection exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The projection exposure apparatus according to the present embodiment is also characterized in that a measurement unit for measuring a relative position difference between the reticle and the projection optical system is provided. The other components are the same as those of the projection exposure apparatus according to the first embodiment shown in FIG. 1, and therefore, the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted. In FIG. 3, a light receiving unit 13 including an image pickup device such as a CCD is fixed above the projection optical system 6. In addition, a laser light transmission system 12 that emits a laser beam having a predetermined spot diameter that passes through the reticle 1 and enters the light receiving unit 13 is provided above the second gantry 5. The spot position of the laser beam incident on the light receiving unit 13 is imaged by the imaging device and
5 is input.

【0017】レーザ送光系12から出射したレーザ光が
受光部13の撮像素子に入射している状態で、図2に示
したように基板ステージ9が+X方向にステッピング操
作を開始すると、第2架台5と投影光学系6は−X方向
の反力を受けて振動を開始する。このときの第2架台5
上のレーザ送光系12から投影光学系6上の受光部13
に入射するレーザ光のスポット位置は、第2架台5と投
影光学系6とがずれた分だけ基準位置から位置ずれを生
じる。この位置ずれを逐次制御系15にフィードバック
することにより、制御系15はレチクルステージ2を移
動制御して、レチクル1の中心と投影光学系6の光軸と
のずれが小さくなるように制御することができる。
When the substrate stage 9 starts a stepping operation in the + X direction as shown in FIG. 2 in a state where the laser beam emitted from the laser transmitting system 12 is incident on the image pickup device of the light receiving section 13, the second The gantry 5 and the projection optical system 6 start vibrating upon receiving a reaction force in the −X direction. The second stand 5 at this time
From the upper laser transmission system 12 to the light receiving unit 13 on the projection optical system 6
The position of the spot of the laser light incident on the laser beam is shifted from the reference position by an amount corresponding to the shift between the second gantry 5 and the projection optical system 6. By feeding back the positional deviation to the control system 15 sequentially, the control system 15 controls the movement of the reticle stage 2 so as to reduce the deviation between the center of the reticle 1 and the optical axis of the projection optical system 6. Can be.

【0018】このように、本実施の形態による投影露光
装置によっても、レチクル1と投影光学系6との振動に
よる相対位置ずれを計測してレチクルステージ2の移動
制御系にフィードバックしてレチクルステージ2を移動
させるので、レチクル1の中心と投影光学系6の光軸と
の位置ずれを小さくすることができ、基板ステージ9の
ステッピング動作を高速にして、スループットを向上さ
せることができるようになる。
As described above, also in the projection exposure apparatus according to the present embodiment, the relative position shift due to the vibration between the reticle 1 and the projection optical system 6 is measured and fed back to the movement control system of the reticle stage 2 to thereby control the reticle stage 2. Is moved, the displacement between the center of the reticle 1 and the optical axis of the projection optical system 6 can be reduced, and the stepping operation of the substrate stage 9 can be performed at a high speed to improve the throughput.

【0019】本発明は、上記実施の形態に限らず種々の
変形が可能である。例えば、上記実施の形態において
は、レーザ測長ユニット4で計測した投影光学系6と第
2架台の基準位置からの差をレチクルステージ2の位置
制御系にフィードバックしてレチクルステージ2を移動
させるようにして、レチクル1の中心と投影光学系6の
光軸とのずれを補正するようにしたが、特にフィードバ
ック制御は行わずに、レーザ測長ユニット4あるいは受
光部13で計測した基準位置からの差を所定の許容値と
比較して、許容範囲内に入ったら露光を開始するように
してもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. For example, in the above embodiment, the difference between the projection optical system 6 measured by the laser measuring unit 4 and the reference position of the second gantry is fed back to the position control system of the reticle stage 2 to move the reticle stage 2. Thus, the deviation between the center of the reticle 1 and the optical axis of the projection optical system 6 is corrected. However, the feedback control is not performed, and the position from the reference position measured by the laser length measurement unit 4 or the light receiving unit 13 is adjusted. The difference may be compared with a predetermined allowable value, and exposure may be started when the difference falls within the allowable range.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、レチクル
と投影光学系の相対位置の変化を検出することができ、
当該位置の変化に基づいてレチクルと投影光学系の位置
の補正を行うことができるようになる。
As described above, according to the present invention, a change in the relative position between the reticle and the projection optical system can be detected.
The position of the reticle and the position of the projection optical system can be corrected based on the change in the position.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態による投影露光装置
の概略の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a projection exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1の実施の形態による投影露光装置
の動作を説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an operation of the projection exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2の実施の形態による投影露光装置
の概略の構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a projection exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図4】従来の投影露光装置の概略の構成を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional projection exposure apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レチクル 2 レチクルステージ 3 反射鏡 4 レーザ測長ユニット 5 第2架台 6 投影光学系 7 第1架台 8 ガラス基板 9 基板ステージ 10 支持台 11 支持脚 12 レーザ送光系 13 受光部 15 制御部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reticle 2 Reticle stage 3 Reflector 4 Laser measuring unit 5 2nd pedestal 6 Projection optical system 7 1st pedestal 8 Glass substrate 9 Substrate stage 10 Support stand 11 Support leg 12 Laser transmission system 13 Light receiving unit 15 Control unit

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】パターンが形成されたレチクルを載置して
移動するレチクルステージと、前記パターンの像を露光
基板に投影する投影光学系と、前記露光基板を載置して
移動する基板ステージとを有する投影露光装置におい
て、 前記基板ステージの前記移動に起因した前記レチクルと
前記投影光学系との相対的な位置の差を計測する計測手
段とを有することを特徴とする投影露光装置。
A reticle stage for mounting and moving a reticle on which a pattern is formed; a projection optical system for projecting an image of the pattern onto an exposure substrate; and a substrate stage for mounting and moving the exposure substrate. A projection exposure apparatus, comprising: a measurement unit configured to measure a difference in a relative position between the reticle and the projection optical system due to the movement of the substrate stage.
【請求項2】請求項1記載の投影露光装置において、 前記計測手段は、前記投影光学系の前記レチクルステー
ジ寄りの側部に固定された反射鏡と、前記レチクルステ
ージを支持する架台に固定された反射鏡とを有し、前記
両反射鏡に照射したレーザ光の反射光を干渉させて前記
相対的な位置の差を計測することを特徴とする投影露光
装置。
2. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein said measuring means is fixed to a reflecting mirror fixed to a side of said projection optical system near said reticle stage, and to a gantry supporting said reticle stage. And a reflection mirror for measuring the relative position difference by causing reflected light of the laser light applied to the two reflection mirrors to interfere with each other.
JP9047101A 1997-02-14 1997-02-14 Projection aligner Withdrawn JPH10229042A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9047101A JPH10229042A (en) 1997-02-14 1997-02-14 Projection aligner

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9047101A JPH10229042A (en) 1997-02-14 1997-02-14 Projection aligner

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10229042A true JPH10229042A (en) 1998-08-25

Family

ID=12765797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9047101A Withdrawn JPH10229042A (en) 1997-02-14 1997-02-14 Projection aligner

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10229042A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6359679B1 (en) Positioning device, exposure device, and device manufacturing method
JP3890136B2 (en) Exposure apparatus, device manufacturing method using the same, and stage apparatus
US5539497A (en) Projection exposure apparatus and exposure method
JPH08145645A (en) Inclination detector
JP2000106340A (en) Aligner, scanning exposure method, and stage device
US6285437B1 (en) Method for controlling stages, apparatus therefor, and scanning type exposure apparatus
KR100401353B1 (en) Stage driving control device and stage driving control method
US6400456B1 (en) Plane positioning apparatus
US6396562B1 (en) Microdevice manufacturing apparatus
KR100986165B1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JPH10229042A (en) Projection aligner
CN109100920B (en) Exposure apparatus and method for manufacturing article
JP3305448B2 (en) Surface position setting device, exposure device, and exposure method
JP3391470B2 (en) Projection exposure apparatus and projection exposure method
JP3536382B2 (en) Stage apparatus and scanning type exposure apparatus
JP3303463B2 (en) Surface position setting device and exposure device
JP3429783B2 (en) Pattern exposure method and apparatus
JP7453790B2 (en) Exposure device and article manufacturing method
JP2005166538A (en) Electrically-charged particle beam device
JP6700932B2 (en) Detecting apparatus, detecting method, program, lithographic apparatus, and article manufacturing method
JPS63229816A (en) Alignment system
TWI836164B (en) Exposure devices and methods of manufacturing articles
JP4208914B2 (en) Exposure apparatus, device manufacturing method using the same, and stage apparatus
JP3648779B2 (en) Projection exposure apparatus and exposure method
JP4120361B2 (en) Measuring device, stage device, and measuring method

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20040511