JPH1021868A - イオン照射装置 - Google Patents
イオン照射装置Info
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- JPH1021868A JPH1021868A JP8191489A JP19148996A JPH1021868A JP H1021868 A JPH1021868 A JP H1021868A JP 8191489 A JP8191489 A JP 8191489A JP 19148996 A JP19148996 A JP 19148996A JP H1021868 A JPH1021868 A JP H1021868A
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 33
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空計以外の手段によって、ファラデーカッ
プ内の真空度悪化を速やかに検出する。 【解決手段】 プラズマシャワー装置20からファラデ
ーカップ8内にプラズマ22を引き出す引出し電源54
に流れる引出し電流IE を計測する引出し電流計測器5
6を設けた。かつ、この引出し電流計測器56で計測し
た引出し電流IEを予め設定した基準範囲Rと比較し
て、引出し電流IE が基準範囲R外のときにインターロ
ック信号Sを出力する比較回路60を設けた。
プ内の真空度悪化を速やかに検出する。 【解決手段】 プラズマシャワー装置20からファラデ
ーカップ8内にプラズマ22を引き出す引出し電源54
に流れる引出し電流IE を計測する引出し電流計測器5
6を設けた。かつ、この引出し電流計測器56で計測し
た引出し電流IEを予め設定した基準範囲Rと比較し
て、引出し電流IE が基準範囲R外のときにインターロ
ック信号Sを出力する比較回路60を設けた。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばイオン注
入装置のように、真空中でファラデーカップ内を通して
イオンビームを基板に照射してそれにイオン注入等の処
理を施すイオン照射装置に関し、より具体的には、その
ファラデーカップ内の真空度の悪化を検出する手段に関
する。
入装置のように、真空中でファラデーカップ内を通して
イオンビームを基板に照射してそれにイオン注入等の処
理を施すイオン照射装置に関し、より具体的には、その
ファラデーカップ内の真空度の悪化を検出する手段に関
する。
【0002】
【従来の技術】図2は、従来のイオン照射装置の一例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【0003】このイオン照射装置は、基本的には、真空
に排気される処理室1内に収納されたホルダ4に保持さ
れた基板(例えばウェーハ)6にイオンビーム2を照射
してそれにイオン注入等の処理を施すよう構成されてい
る。ホルダ4は、バッチ処理用のウェーハディスクの場
合と、枚葉処理用のプラテンの場合とがあり、図示のも
のは前者の場合の例であり、処理室1内で矢印A方向に
回転および紙面の表裏方向に並進させられる。
に排気される処理室1内に収納されたホルダ4に保持さ
れた基板(例えばウェーハ)6にイオンビーム2を照射
してそれにイオン注入等の処理を施すよう構成されてい
る。ホルダ4は、バッチ処理用のウェーハディスクの場
合と、枚葉処理用のプラテンの場合とがあり、図示のも
のは前者の場合の例であり、処理室1内で矢印A方向に
回転および紙面の表裏方向に並進させられる。
【0004】イオンビーム2の経路上には、イオンビー
ム2がホルダ4等に当たった際に放出される二次電子を
受けてそれのアースへの逃げを防止する筒状のファラデ
ーカップ8がホルダ4の上流側に、更にこの例ではホル
ダ4が外に並進したときにそれの代わりにイオンビーム
2を受けるキャッチプレート10がホルダ4の下流側
に、それぞれ設けられている。ホルダ4、キャッチプレ
ート10およびファラデーカップ8は、互いに電気的に
並列接続されてビーム電流計測器12に接続されてい
る。
ム2がホルダ4等に当たった際に放出される二次電子を
受けてそれのアースへの逃げを防止する筒状のファラデ
ーカップ8がホルダ4の上流側に、更にこの例ではホル
ダ4が外に並進したときにそれの代わりにイオンビーム
2を受けるキャッチプレート10がホルダ4の下流側
に、それぞれ設けられている。ホルダ4、キャッチプレ
ート10およびファラデーカップ8は、互いに電気的に
並列接続されてビーム電流計測器12に接続されてい
る。
【0005】イオンビーム2はファラデーカップ8内を
通してホルダ4上の基板6に照射され、それによって基
板6に対してイオン注入等の処理が施される。その際
に、イオンビーム2の照射に伴って基板6の表面が、特
に当該表面が絶縁物の場合、正に帯電して放電等の不具
合が発生するのを防止するために、次のような手段を講
じている。
通してホルダ4上の基板6に照射され、それによって基
板6に対してイオン注入等の処理が施される。その際
に、イオンビーム2の照射に伴って基板6の表面が、特
に当該表面が絶縁物の場合、正に帯電して放電等の不具
合が発生するのを防止するために、次のような手段を講
じている。
【0006】即ち、ファラデーカップ8の外側にプラズ
マシャワー装置20を設け、そこで発生させたプラズマ
22をファラデーカップ8内に導入する。ファラデーカ
ップ8内の壁面付近には、ファラデーカップ8に対して
負電位にされる筒状のリフレクタ電極24が設けられて
おり、ファラデーカップ8内に導入されたプラズマ22
中のイオンは、このリフレクタ電極24に回収される。
同プラズマ22中の電子は、イオンビーム2内にその電
界によって引き込まれ、イオンビーム2と共に基板6に
入り基板6の帯電を抑制する。
マシャワー装置20を設け、そこで発生させたプラズマ
22をファラデーカップ8内に導入する。ファラデーカ
ップ8内の壁面付近には、ファラデーカップ8に対して
負電位にされる筒状のリフレクタ電極24が設けられて
おり、ファラデーカップ8内に導入されたプラズマ22
中のイオンは、このリフレクタ電極24に回収される。
同プラズマ22中の電子は、イオンビーム2内にその電
界によって引き込まれ、イオンビーム2と共に基板6に
入り基板6の帯電を抑制する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記の処理室1の真空
度は、常時、当該処理室1に連通させた真空計(例えば
電離真空計)18で測定している。そして、当該真空度
に異常があれば、例えば、ファラデーカップ8内にビー
ムシャッター14を入れてイオンビーム2を遮断して、
基板処理を中断するようにしている。16は、ビームシ
ャッター14を矢印Bに示すようにファラデーカップ8
内に出し入れするシャッター駆動装置である。
度は、常時、当該処理室1に連通させた真空計(例えば
電離真空計)18で測定している。そして、当該真空度
に異常があれば、例えば、ファラデーカップ8内にビー
ムシャッター14を入れてイオンビーム2を遮断して、
基板処理を中断するようにしている。16は、ビームシ
ャッター14を矢印Bに示すようにファラデーカップ8
内に出し入れするシャッター駆動装置である。
【0008】ところが、基板6に対して実際に注入等の
処理を施す場所は、ファラデーカップ8によって囲まれ
ており、処理中のファラデーカップ8内の真空度は、真
空計18の値よりも悪いものと考えられる。なぜなら、
処理中は、ファラデーカップ8内には、基板6の表面に
設けられているレジスト等からの脱ガス(アウトガス)
が拡散したり、プラズマシャワー装置20からのガスが
流れ込んで来ているからである。
処理を施す場所は、ファラデーカップ8によって囲まれ
ており、処理中のファラデーカップ8内の真空度は、真
空計18の値よりも悪いものと考えられる。なぜなら、
処理中は、ファラデーカップ8内には、基板6の表面に
設けられているレジスト等からの脱ガス(アウトガス)
が拡散したり、プラズマシャワー装置20からのガスが
流れ込んで来ているからである。
【0009】プラズマシャワー装置8内の真空度が悪い
と、ファラデーカップ8内でイオンビーム2が広がり、
当該イオンビーム2が残留ガス分子と衝突して中性粒
子が増加し、注入量誤差や注入均一性悪化を生じさせ
る、甚だしい場合はイオンビーム2がファラデーカッ
プ8の壁面に当たり、そこから不純物粒子が発生して基
板表面が汚染される、等の不具合が発生する。
と、ファラデーカップ8内でイオンビーム2が広がり、
当該イオンビーム2が残留ガス分子と衝突して中性粒
子が増加し、注入量誤差や注入均一性悪化を生じさせ
る、甚だしい場合はイオンビーム2がファラデーカッ
プ8の壁面に当たり、そこから不純物粒子が発生して基
板表面が汚染される、等の不具合が発生する。
【0010】このように、ファラデーカップ8内の真空
度悪化を検出することは非常に重要であるけれども、上
記真空計18では、その測定点とファラデーカップ8内
とが遠く離れざるを得ないので、ファラデーカップ8内
の真空度悪化を速やかに検出することはできない。
度悪化を検出することは非常に重要であるけれども、上
記真空計18では、その測定点とファラデーカップ8内
とが遠く離れざるを得ないので、ファラデーカップ8内
の真空度悪化を速やかに検出することはできない。
【0011】そこでこの発明は、真空計以外の手段によ
って、ファラデーカップ内の真空度悪化を速やかに検出
することができるようにしたイオン照射装置を提供する
ことを主たる目的とする。
って、ファラデーカップ内の真空度悪化を速やかに検出
することができるようにしたイオン照射装置を提供する
ことを主たる目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】この発明のイオン照射装
置は、プラズマシャワー装置とファラデーカップとの間
に接続されていて前者からのプラズマを後者内に引き出
す直流の引出し電源と、この引出し電源に流れる引出し
電流を計測する引出し電流計測器と、この引出し電流計
測器で計測した引出し電流を予め設定した基準範囲と比
較して、引出し電流が基準範囲外のときにインターロッ
ク信号を出力する比較回路とを備えることを特徴とす
る。
置は、プラズマシャワー装置とファラデーカップとの間
に接続されていて前者からのプラズマを後者内に引き出
す直流の引出し電源と、この引出し電源に流れる引出し
電流を計測する引出し電流計測器と、この引出し電流計
測器で計測した引出し電流を予め設定した基準範囲と比
較して、引出し電流が基準範囲外のときにインターロッ
ク信号を出力する比較回路とを備えることを特徴とす
る。
【0013】発明者は、研究の結果、プラズマシャワー
装置からファラデーカップ内に引き出されるプラズマの
量が、ファラデーカップ内を通るイオンビームの断面サ
イズに敏感に反応することを見い出した。即ち、ファラ
デーカップ内の真空度の変化によってイオンビームの断
面サイズが変化すると、その変化は、プラズマシャワー
装置からファラデーカップ内に引き出されるプラズマの
量ひいてはこの引出しに供する引出し電源に流れる引出
し電流の変化となって現れる。
装置からファラデーカップ内に引き出されるプラズマの
量が、ファラデーカップ内を通るイオンビームの断面サ
イズに敏感に反応することを見い出した。即ち、ファラ
デーカップ内の真空度の変化によってイオンビームの断
面サイズが変化すると、その変化は、プラズマシャワー
装置からファラデーカップ内に引き出されるプラズマの
量ひいてはこの引出しに供する引出し電源に流れる引出
し電流の変化となって現れる。
【0014】従って、上記構成によって、この引出し電
流を引出し電流計測器で計測し、それを比較回路で所定
の基準範囲と比較することによって、ファラデーカップ
内の真空度悪化を速やかに検出することができる。
流を引出し電流計測器で計測し、それを比較回路で所定
の基準範囲と比較することによって、ファラデーカップ
内の真空度悪化を速やかに検出することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】図1は、この発明に係るイオン照
射装置の一例を示す断面図である。図2の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
射装置の一例を示す断面図である。図2の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
【0016】この実施例においては、前述したプラズマ
シャワー装置20を、次のような2段階プラズマ生成形
のものにしている。
シャワー装置20を、次のような2段階プラズマ生成形
のものにしている。
【0017】即ち、このプラズマシャワー装置20は、
第1プラズマ生成容器32と、その出口側に設けられた
第2プラズマ生成容器42と、その出口側に設けられた
引出し電極50とを備えており、これらの外周部には、
ソースマグネット兼プラズマガイド用のコイル52が巻
かれている。
第1プラズマ生成容器32と、その出口側に設けられた
第2プラズマ生成容器42と、その出口側に設けられた
引出し電極50とを備えており、これらの外周部には、
ソースマグネット兼プラズマガイド用のコイル52が巻
かれている。
【0018】第1プラズマ生成容器32内には、熱電子
発生用のフィラメント34が設けられており、かつ外部
からプラズマ40生成用のガス38が導入される。フィ
ラメント34は直流のフィラメント電源36によって加
熱される。
発生用のフィラメント34が設けられており、かつ外部
からプラズマ40生成用のガス38が導入される。フィ
ラメント34は直流のフィラメント電源36によって加
熱される。
【0019】フィラメント電源36の正極と第2プラズ
マ生成容器42との間には、後者を正極側にして直流の
アーク電源44が接続されている。第1プラズマ生成容
器32と第2プラズマ生成容器42との間には、例えば
150Ω程度の抵抗46が接続されている。
マ生成容器42との間には、後者を正極側にして直流の
アーク電源44が接続されている。第1プラズマ生成容
器32と第2プラズマ生成容器42との間には、例えば
150Ω程度の抵抗46が接続されている。
【0020】引出し電極50はファラデーカップ8と同
電位にされており、第2プラズマ生成容器42とファラ
デーカップ8との間には、前者を正極側にして直流の引
出し電源54が接続されている。
電位にされており、第2プラズマ生成容器42とファラ
デーカップ8との間には、前者を正極側にして直流の引
出し電源54が接続されている。
【0021】前述したリフレクタ電極24とファラデー
カップ8との間には、前者を負極側にして直流のリフレ
クタ電源26が接続されている。
カップ8との間には、前者を負極側にして直流のリフレ
クタ電源26が接続されている。
【0022】フィラメント34から発生した熱電子は、
アーク電源44から抵抗46を介して印加される電圧に
よって第1プラズマ生成容器32の壁面側に引き寄せら
れ、その途中でガス38と衝突してそれを電離させ、プ
ラズマ40が生成される。
アーク電源44から抵抗46を介して印加される電圧に
よって第1プラズマ生成容器32の壁面側に引き寄せら
れ、その途中でガス38と衝突してそれを電離させ、プ
ラズマ40が生成される。
【0023】プラズマ40が生成されると、抵抗46に
電流が流れてその両端に例えば10数V程度の電位差が
生じ、この電位差による加速電界によって、プラズマ4
0中の電子が第2プラズマ生成容器42内に引き出され
る。第2プラズマ生成容器42内には、第1プラズマ生
成容器32側からガス38が流れ込んで来ており、そこ
に引き出された電子はこのガスと衝突してそれを電離さ
せ、そこで再びプラズマ22が作られる。
電流が流れてその両端に例えば10数V程度の電位差が
生じ、この電位差による加速電界によって、プラズマ4
0中の電子が第2プラズマ生成容器42内に引き出され
る。第2プラズマ生成容器42内には、第1プラズマ生
成容器32側からガス38が流れ込んで来ており、そこ
に引き出された電子はこのガスと衝突してそれを電離さ
せ、そこで再びプラズマ22が作られる。
【0024】このプラズマ22中のイオンは、引出し電
源54からの引出し電圧によって、かつコイル52の磁
束にガイドされて、ファラデーカップ8内に引き出され
る。このとき、同イオンの移動に伴って(即ち同イオン
の電界に引っ張られて)、第2プラズマ生成容器42内
のプラズマ22中の電子も、同イオンと共にファラデー
カップ8内に引き出される。即ち、ファラデーカップ8
内には第2プラズマ生成容器42内で生成されたプラズ
マ22が導入される。このようにして、ファラデーカッ
プ8内にプラズマ22が効率良く導入される。しかもフ
ァラデーカップ8内に導入されるプラズマ22中の電子
のエネルギーは、例えば10eV程度以下という低エネ
ルギーである。
源54からの引出し電圧によって、かつコイル52の磁
束にガイドされて、ファラデーカップ8内に引き出され
る。このとき、同イオンの移動に伴って(即ち同イオン
の電界に引っ張られて)、第2プラズマ生成容器42内
のプラズマ22中の電子も、同イオンと共にファラデー
カップ8内に引き出される。即ち、ファラデーカップ8
内には第2プラズマ生成容器42内で生成されたプラズ
マ22が導入される。このようにして、ファラデーカッ
プ8内にプラズマ22が効率良く導入される。しかもフ
ァラデーカップ8内に導入されるプラズマ22中の電子
のエネルギーは、例えば10eV程度以下という低エネ
ルギーである。
【0025】ファラデーカップ8内に導入されたプラズ
マ22中のイオンは負電位のリフレクタ電極24に回収
され、同プラズマ22中の電子はリフレクタ電極24に
よって中央部へ押し返され、そこを通過しているイオン
ビーム2中にその電界によって引き込まれる。そしてこ
の電子によって、イオンビーム照射に伴う基板6の帯電
が抑制される。
マ22中のイオンは負電位のリフレクタ電極24に回収
され、同プラズマ22中の電子はリフレクタ電極24に
よって中央部へ押し返され、そこを通過しているイオン
ビーム2中にその電界によって引き込まれる。そしてこ
の電子によって、イオンビーム照射に伴う基板6の帯電
が抑制される。
【0026】更にこの実施例では、上記引出し電源54
に直列に挿入されていてそこを流れる引出し電流IE を
計測する引出し電流計測器56と、この引出し電流計測
器56で計測した引出し電流IE を予め設定した基準範
囲Rと比較して、引出し電流IE が基準範囲R外のとき
にインターロック信号Sを出力する比較回路60とを設
けている。
に直列に挿入されていてそこを流れる引出し電流IE を
計測する引出し電流計測器56と、この引出し電流計測
器56で計測した引出し電流IE を予め設定した基準範
囲Rと比較して、引出し電流IE が基準範囲R外のとき
にインターロック信号Sを出力する比較回路60とを設
けている。
【0027】この引出し電流IE は、ファラデーカッ
プ8内に導入されたプラズマ22中のイオンがリフレク
タ電極24に回収され、リフレクタ電源26および引出
し電源54を経由して第2プラズマ生成容器42に戻る
電流(イオンによる電流)I1 と、ファラデーカップ
8内に導入されたプラズマ22中の電子がイオンビーム
2と共にホルダ4またはキャッチプレート10に入っ
て、引出し電源54を経由して第2プラズマ生成容器4
2、第1プラズマ生成容器32およびフィラメント34
に戻る電流(電子による電流)I2 と合成したものとな
る。イオンによる電流I1 と電子による電流I2 とは、
引出し電流計測器56に互いに逆方向に流れるから、引
出し電流IE の大きさは次式で表される。
プ8内に導入されたプラズマ22中のイオンがリフレク
タ電極24に回収され、リフレクタ電源26および引出
し電源54を経由して第2プラズマ生成容器42に戻る
電流(イオンによる電流)I1 と、ファラデーカップ
8内に導入されたプラズマ22中の電子がイオンビーム
2と共にホルダ4またはキャッチプレート10に入っ
て、引出し電源54を経由して第2プラズマ生成容器4
2、第1プラズマ生成容器32およびフィラメント34
に戻る電流(電子による電流)I2 と合成したものとな
る。イオンによる電流I1 と電子による電流I2 とは、
引出し電流計測器56に互いに逆方向に流れるから、引
出し電流IE の大きさは次式で表される。
【0028】
【数1】IE =|I1 −I2 |
【0029】引出し電流計測器56はこの例では抵抗器
であり、その両端にはそこを流れる引出し電流IE に応
じた電圧が発生する。それをこの例では増幅器58で増
幅して比較回路60に供給する。但しこの増幅器58を
設けるか否かは任意である。
であり、その両端にはそこを流れる引出し電流IE に応
じた電圧が発生する。それをこの例では増幅器58で増
幅して比較回路60に供給する。但しこの増幅器58を
設けるか否かは任意である。
【0030】比較回路60は、例えばウインドウコンパ
レーターであり、増幅器58からの信号が所定の基準範
囲R外のときに、即ち基準範囲Rの上限よりも大きいか
基準範囲Rの下限よりも小さいときに、インターロック
信号Sを出力する。
レーターであり、増幅器58からの信号が所定の基準範
囲R外のときに、即ち基準範囲Rの上限よりも大きいか
基準範囲Rの下限よりも小さいときに、インターロック
信号Sを出力する。
【0031】この基準範囲Rは、例えば、イオンビーム
2の断面サイズおよびファラデーカップ8内の真空度が
正常なときの引出し電流IE の値を挟んだ所定範囲とす
る。より具体例を示せば、当該引出し電流IE の値の±
10%〜±15%程度とする。この基準範囲Rをもっと
狭くしても良いし、もっと広くしても良いが、あまり狭
くすると誤検出の可能性が高くなり、あまり広くすると
検出感度が低下する。
2の断面サイズおよびファラデーカップ8内の真空度が
正常なときの引出し電流IE の値を挟んだ所定範囲とす
る。より具体例を示せば、当該引出し電流IE の値の±
10%〜±15%程度とする。この基準範囲Rをもっと
狭くしても良いし、もっと広くしても良いが、あまり狭
くすると誤検出の可能性が高くなり、あまり広くすると
検出感度が低下する。
【0032】上記プラズマシャワー装置20からファラ
デーカップ8内に引き出されるプラズマ22の量は、フ
ィラメント電流やアーク電流等の他の条件を一定にして
おいた場合、ファラデーカップ8内を通るイオンビーム
2の断面サイズ(横断面サイズ)に敏感に反応すること
を発明者は見い出した。即ち、ファラデーカップ8内の
真空度の変化によってイオンビーム2の広がりが変化し
てその断面サイズが変化すれば、その変化は、ファラデ
ーカップ8内に引き出されるプラズマ22の量ひいては
この引出しに供する引出し電源54に流れる前記引出し
電流IE の変化となって現れる。
デーカップ8内に引き出されるプラズマ22の量は、フ
ィラメント電流やアーク電流等の他の条件を一定にして
おいた場合、ファラデーカップ8内を通るイオンビーム
2の断面サイズ(横断面サイズ)に敏感に反応すること
を発明者は見い出した。即ち、ファラデーカップ8内の
真空度の変化によってイオンビーム2の広がりが変化し
てその断面サイズが変化すれば、その変化は、ファラデ
ーカップ8内に引き出されるプラズマ22の量ひいては
この引出しに供する引出し電源54に流れる前記引出し
電流IE の変化となって現れる。
【0033】典型例を示せば、ファラデーカップ8内の
真空度が悪化すれば、ファラデーカップ8内を通るイオ
ンビーム2が広がってそのビーム密度が低下する。しか
し、イオンビーム2は、プラズマシャワー装置20に近
づくことになり、その結果、プラズマ22中のイオンの
量は殆ど変化しないが、電子の方はイオンビーム2の正
電位によって多量に引き出され、引出し電流IE の変化
が見られることになる。
真空度が悪化すれば、ファラデーカップ8内を通るイオ
ンビーム2が広がってそのビーム密度が低下する。しか
し、イオンビーム2は、プラズマシャワー装置20に近
づくことになり、その結果、プラズマ22中のイオンの
量は殆ど変化しないが、電子の方はイオンビーム2の正
電位によって多量に引き出され、引出し電流IE の変化
が見られることになる。
【0034】従って、上記引出し電流IE を引出し電流
計測器56で計測し、それを比較回路60で所定の基準
範囲Rと比較してインターロック信号Sを出力させるこ
とによって、ファラデーカップ8内の真空度悪化を、真
空計8に依ることなく速やかに検出することができる。
その結果、処理基板に対して注入量誤差や注入均一性悪
化等が生じるのを未然に防止することができる。
計測器56で計測し、それを比較回路60で所定の基準
範囲Rと比較してインターロック信号Sを出力させるこ
とによって、ファラデーカップ8内の真空度悪化を、真
空計8に依ることなく速やかに検出することができる。
その結果、処理基板に対して注入量誤差や注入均一性悪
化等が生じるのを未然に防止することができる。
【0035】その場合、比較回路60から出力されるイ
ンターロック信号Sに応答して、シャッター駆動装置1
6によってビームシャッター14をイオンビーム経路に
入れてイオンビーム2を遮断して基板処理を中断するよ
うにしても良く、そのようにすれば、処理基板に対して
注入量誤差や注入均一性悪化等が生じるのを自動的にか
つ速やかに防止することができる。
ンターロック信号Sに応答して、シャッター駆動装置1
6によってビームシャッター14をイオンビーム経路に
入れてイオンビーム2を遮断して基板処理を中断するよ
うにしても良く、そのようにすれば、処理基板に対して
注入量誤差や注入均一性悪化等が生じるのを自動的にか
つ速やかに防止することができる。
【0036】なお、上記実施例では2段階プラズマ生成
形のプラズマシャワー装置20を用いたけれども、それ
の代わりに通常の、即ちプラズマ生成容器が1段のプラ
ズマシャワー装置を用いても良いのは勿論である。
形のプラズマシャワー装置20を用いたけれども、それ
の代わりに通常の、即ちプラズマ生成容器が1段のプラ
ズマシャワー装置を用いても良いのは勿論である。
【0037】
【発明の効果】この発明は、上記のとおり構成されてい
るので、次のような効果を奏する。
るので、次のような効果を奏する。
【0038】請求項1記載の発明によれば、ファラデー
カップ内の真空度の変化が引出し電流に敏感に反映さ
れ、この引出し電流の変化を比較回路によって検出する
ことができるので、ファラデーカップ内の真空度悪化
を、真空計に依ることなく速やかに検出することができ
る。その結果、処理基板に対して注入量誤差や注入均一
性悪化等が生じるのを未然に防止することができる。
カップ内の真空度の変化が引出し電流に敏感に反映さ
れ、この引出し電流の変化を比較回路によって検出する
ことができるので、ファラデーカップ内の真空度悪化
を、真空計に依ることなく速やかに検出することができ
る。その結果、処理基板に対して注入量誤差や注入均一
性悪化等が生じるのを未然に防止することができる。
【0039】請求項2記載の発明によれば、前記比較回
路から出力されるインターロック信号に応答してイオン
ビームを遮断して基板処理を中断することができるの
で、処理基板に対して注入量誤差や注入均一性悪化等が
生じるのを自動的にかつ速やかに防止することができ
る。
路から出力されるインターロック信号に応答してイオン
ビームを遮断して基板処理を中断することができるの
で、処理基板に対して注入量誤差や注入均一性悪化等が
生じるのを自動的にかつ速やかに防止することができ
る。
【図1】この発明に係るイオン照射装置の一例を示す断
面図である。
面図である。
【図2】従来のイオン照射装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
2 イオンビーム 4 ホルダ 6 基板 8 ファラデーカップ 14 ビームシャッター 16 シャッター駆動装置 20 プラズマシャワー装置 22 プラズマ 24 リフレクタ電極 32 第1プラズマ生成容器 42 第2プラズマ生成容器 50 引出し電極 54 引出し電源 56 引出し電流計測器 60 比較回路
Claims (2)
- 【請求項1】 基板を保持するホルダと、このホルダの
上流側に設けられていて二次電子のアースへの逃げを防
止するファラデーカップと、プラズマを発生させてそれ
をこのファラデーカップ内に導入するプラズマシャワー
装置とを備え、前記ファラデーカップ内を通してイオン
ビームをホルダ上の基板に照射して当該基板に処理を施
すイオン照射装置において、前記プラズマシャワー装置
とファラデーカップとの間に接続されていて前者からの
プラズマを後者内に引き出す直流の引出し電源と、この
引出し電源に流れる引出し電流を計測する引出し電流計
測器と、この引出し電流計測器で計測した引出し電流を
予め設定した基準範囲と比較して、引出し電流が基準範
囲外のときにインターロック信号を出力する比較回路と
を備えることを特徴とするイオン照射装置。 - 【請求項2】 前記ファラデーカップ内のイオンビーム
経路に出し入れされてイオンビームを断続するビームシ
ャッターと、このビームシャッターをファラデーカップ
内のイオンビーム経路に出し入れするものであって、前
記比較回路から出力されるインターロック信号に応答し
てビームシャッターをイオンビーム経路に入れてビーム
を遮断するシャッター駆動装置とを更に備える請求項1
記載のイオン照射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8191489A JPH1021868A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | イオン照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8191489A JPH1021868A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | イオン照射装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1021868A true JPH1021868A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16275502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8191489A Pending JPH1021868A (ja) | 1996-07-01 | 1996-07-01 | イオン照射装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1021868A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109616395A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-12 | 上海华力微电子有限公司 | 一种高电流离子注入机量测指示装置的维修方法 |
-
1996
- 1996-07-01 JP JP8191489A patent/JPH1021868A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109616395A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-12 | 上海华力微电子有限公司 | 一种高电流离子注入机量测指示装置的维修方法 |
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