JPH10215159A - Semiconductor relay - Google Patents

Semiconductor relay

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JPH10215159A
JPH10215159A JP9015793A JP1579397A JPH10215159A JP H10215159 A JPH10215159 A JP H10215159A JP 9015793 A JP9015793 A JP 9015793A JP 1579397 A JP1579397 A JP 1579397A JP H10215159 A JPH10215159 A JP H10215159A
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JP
Japan
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current
light
mosfet
cathode
anode
Prior art date
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Application number
JP9015793A
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Japanese (ja)
Inventor
Toyofumi Satsute
豊文 左手
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To interrupt drain current for not less than prescribed current with high reliability by setting a thyristor in a state where drain current exceeds prescribed current and current flows from an anode to a cathode. SOLUTION: The optical trigger thyristor 4 is set in the state where drain current exceeds prescribed current, it flows and therefore current can flow from the anode to the cathode. A charge charged between the gate and the source of MOSFET 3 flows from the anode to the cathode and the drain and the source of MOSFET 3 become the interrupted state. Since current which once flows from the anode to the cathode continuously flows as long as photovoltaic power is applied between the anode and the cathode even if drain current of MOSFET 3 exceeds prescribed current and it does not flow, the gate and the source of MOSFET 3 are not charged. Thus, the interruption state and the conduction state of MOSFET 3 are prevented from repeating.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、所定電流を越えて流れ
たときに、MOSFETに充電された電荷を放電する半
導体リレーに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor relay for discharging a charge charged in a MOSFET when a current exceeding a predetermined current flows.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の半導体リレーとして、図
2に示すものが存在する。このものは、入力信号に応じ
て発光する発光素子A と、発光素子A の光を受光して光
起電力を発生する受光素子B と、ゲートとソースとの間
に光起電力が印加されて充電されるMOSFETM と、
MOSFETM のソースに接続された抵抗R と、抵抗R
の両端にベース及びエミッタが接続されるとともにMO
SFETM のゲートにコレクタが接続されたバイポーラ
トランジスタT と、を備えている。
2. Description of the Related Art Conventionally, there is a semiconductor relay of this type shown in FIG. The light-emitting element A emits light in response to an input signal, the light-receiving element B receives light from the light-emitting element A to generate a photoelectromotive force, and a photoelectromotive force is applied between the gate and the source. MOSFETM to be charged;
A resistor R connected to the source of MOSFETM and a resistor R
The base and the emitter are connected to both ends of the
A bipolar transistor T having a collector connected to the gate of SFETM.

【0003】次に、動作を説明する。発光素子A が入力
信号に応じて発光すると、受光素子B が発光素子A の光
を受光して光起電力を発生する。そうすると、MOSF
ETM は、そのゲートとソースとの間に光起電力が印加
されて充電され、ドレインとソースとの間が導通状態と
なって、ドレイン電流が流れる。
Next, the operation will be described. When the light emitting element A emits light according to the input signal, the light receiving element B receives the light of the light emitting element A and generates a photovoltaic voltage. Then, MOSF
The ETM is charged by the application of photovoltaic voltage between its gate and source, and the ETM becomes conductive between the drain and source, causing a drain current to flow.

【0004】このドレイン電流が所定電流以上流れる
と、MOSFETM のソースに接続された抵抗R の両端
電圧が大きくなり、その抵抗R の両端にベース及びエミ
ッタが接続されたバイポーラトランジスタT のベース電
流が流れて、バイポーラトランジスタT のコレクタ電流
が流れるようになる。こうして、バイポーラトランジス
タT のコレクタ電流が流れると、MOSFETM に充電
された電荷が放電されて、MOSFETM のドレインと
ソースとの間が遮断状態となる。
When this drain current flows beyond a predetermined current, the voltage across the resistor R connected to the source of the MOSFET M increases, and the base current of the bipolar transistor T whose base and emitter are connected to both ends of the resistor R flows. As a result, the collector current of the bipolar transistor T flows. In this way, when the collector current of the bipolar transistor T flows, the electric charge charged in the MOSFETM is discharged, and the connection between the drain and the source of the MOSFETM is cut off.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
リレーにあっては、MOSFETM のドレイン電流が所
定電流以上流れると、前述したように、MOSFETM
のドレインとソースとの間が遮断状態となるから、MO
SFETM に所定電流以上のドレイン電流が流れ続ける
のを防止することができる。
In the above-described conventional semiconductor relay, when the drain current of the MOSFETM flows over a predetermined current, as described above, the MOSFETM
Is cut off between the drain and the source of the
It is possible to prevent a drain current exceeding a predetermined current from continuing to flow through the SFETM.

【0006】しかしながら、発光素子A が発光している
間は、MOSFETM は、そのゲートとソースとの間に
光起電力が印加されて充電されて、ドレインとソースと
の間が導通状態となるから、MOSFETM のドレイン
とソースとの間が一時的に遮断状態となっても、再度、
導通状態となって、MOSFETM のドレイン電流が所
定電流以上流れることにより、高い信頼性でもって、所
定電流以上のドレイン電流の遮断ができなくなる恐れが
ある。
However, while the light emitting element A is emitting light, the MOSFET M is charged by the application of photovoltaic voltage between its gate and source, and the MOSFET M is in a conductive state between the drain and source. , Even if the connection between the drain and the source of MOSFETM is temporarily cut off,
When the MOSFET M is turned on and the drain current of the MOSFET M flows over a predetermined current, the drain current over the predetermined current may not be cut off with high reliability.

【0007】本発明は、上記の点に着目してなされたも
ので、その目的とするところは、高い信頼性でもって、
所定電流以上のドレイン電流を遮断できる半導体リレー
を提供することにある。
[0007] The present invention has been made in view of the above points, and its object is to achieve high reliability.
An object of the present invention is to provide a semiconductor relay capable of cutting off a drain current of a predetermined current or more.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、請求項1記載の発明は、入力信号に応じて発光
する発光素子と、発光素子からの光を受光して光起電力
を発生する受光素子と、ゲートとソースとの間に光起電
力が印加されて充電されるMOSFETと、アノードと
カソードとの間に光起電力が印加されているときにMO
SFETのドレイン電流が所定電流を越えて流れること
により、MOSFETに接続されたアノードからカソー
ドへ電流が流れるサイリスタと、を備えた構成にしてあ
る。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 comprises a light emitting element which emits light in response to an input signal, and a light electromotive force generated by receiving light from the light emitting element. The light-receiving element generated, the MOSFET charged by applying photovoltaic voltage between the gate and the source, and the MOSFET when the photovoltaic voltage is applied between the anode and the cathode.
A thyristor is connected to the MOSFET so that a current flows from the anode to the cathode when the drain current of the SFET exceeds a predetermined current.

【0009】請求項2記載のものは、請求項1記載の発
明において、MOSFETのソースに接続された抵抗及
びその抵抗に並列接続された第2発光素子が設けられ、
前記サイリスタは、第2の発光素子からの光を受光して
アノードからカソ−ドへ電流が流れる光トリガーサイリ
スタである構成にしてある。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, a resistor connected to the source of the MOSFET and a second light emitting element connected in parallel with the resistor are provided.
The thyristor is a light-triggered thyristor that receives light from the second light-emitting element and allows current to flow from the anode to the cathode.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図1に基づ
いて以下に説明する。この半導体リレーは、第1の発光
ダイオード(発光素子)1 、光起電力発光ダイオードア
レイ(受光素子)2 、MOSFET3 、光トリガーサイ
リスタ4 、第2の発光ダイオード(第2の受光素子)5
、制御用トランジスタ6 、第1乃至第3の抵抗7,8,9
を備えて構成される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. The semiconductor relay includes a first light emitting diode (light emitting element) 1, a photovoltaic light emitting diode array (light receiving element) 2, a MOSFET 3, a light trigger thyristor 4, a second light emitting diode (second light receiving element) 5.
, Control transistor 6, first to third resistors 7, 8, 9
It is comprised including.

【0011】第1の発光ダイオード(発光素子)1 は、
入力端子10a,10b の間に入力される入力信号に応じて光
信号を発光する。光起電力発光ダイオードアレイ(受光
素子)2 は、第1の発光ダイオード1 からの光信号を受
光して、光起電力を発生する。
The first light emitting diode (light emitting element) 1
An optical signal is emitted according to an input signal input between the input terminals 10a and 10b. The photovoltaic light emitting diode array (light receiving element) 2 receives an optical signal from the first light emitting diode 1 and generates a photovoltaic power.

【0012】MOSFET3 は、そのゲートが光起電力
発光ダイオードアレイ2 のアノードに接続され、ソース
が第1及び第2の抵抗7,8 を介して光起電力発光ダイオ
ードアレイ2 のカソードに接続されている。
The MOSFET 3 has a gate connected to the anode of the photovoltaic light emitting diode array 2 and a source connected to the cathode of the photovoltaic light emitting diode array 2 via first and second resistors 7 and 8. I have.

【0013】光トリガーサイリスタ4 は、そのアノード
がMOSFET3 のゲートに接続され、カソードが第1
の抵抗7 を介して、MOSFET3 のドレインに接続さ
れ、ゲートが第1及び第2の抵抗7,8 を介して、MOS
FET3 のドレインに接続されている。第2の発光ダイ
オード(第2の受光素子)5 は、第1の抵抗7 に並列接
続されている。
The light trigger thyristor 4 has an anode connected to the gate of the MOSFET 3 and a cathode connected to the first.
Is connected to the drain of the MOSFET 3 via the resistor 7 of the MOSFET 3 and the gate is connected to the MOS through the first and second resistors 7 and 8.
Connected to the drain of FET3. The second light emitting diode (second light receiving element) 5 is connected in parallel to the first resistor 7.

【0014】制御用トランジスタ6 は、そのゲートが光
起電力発光ダイオードアレイ2 のカソードに接続され、
ソースが第2の抵抗8 を介して光起電力発光ダイオード
アレイ2 のカソードに接続され、ドレインが光起電力発
光ダイオードアレイ2 のアノードに接続されている。
The control transistor 6 has its gate connected to the cathode of the photovoltaic light emitting diode array 2,
The source is connected to the cathode of the photovoltaic light emitting diode array 2 via the second resistor 8, and the drain is connected to the anode of the photovoltaic light emitting diode array 2.

【0015】次に、動作を説明する。第1の発光ダイオ
ード1 が入力信号に応じて光信号を発光すると、光起電
力発光ダイオードアレイ2 が第1の発光ダイオード1 の
光信号を受光して光起電力を発生する。そうすると、M
OSFET3 は、そのゲートとソースとの間に光起電力
が印加されて充電され、ドレインとソースとの間が導通
状態となって、出力端子11a,11b の間にドレイン電流が
流れる。
Next, the operation will be described. When the first light emitting diode 1 emits an optical signal according to the input signal, the photovoltaic light emitting diode array 2 receives the optical signal of the first light emitting diode 1 and generates photovoltaic power. Then, M
The OSFET 3 is charged by applying a photovoltaic force between its gate and source, and becomes conductive between the drain and source, causing a drain current to flow between the output terminals 11a and 11b.

【0016】一方、光起電力発光ダイオードアレイ2 が
光起電力を発生すると、制御用トランジスタ6 のゲート
とソースの間にも、第2の抵抗8 の両端電圧が印加され
るので、ドレインとソースとの間が導通状態となってい
る。
On the other hand, when the photovoltaic light emitting diode array 2 generates photovoltaic voltage, the voltage across the second resistor 8 is applied between the gate and the source of the control transistor 6, so that the drain and the source Are in a conductive state.

【0017】そして、第1の発光ダイオード1 に入力信
号が入力されなくなって発光しなくなると、光起電力発
光ダイオードアレイ2 が光起電力を発生しなくなる。そ
うすると、MOSFET3 のゲートとソースとの間に充
電された電荷が、制御用トランジスタ6 を通って速やか
に放電され、MOSFET3 のドレインとソースとの間
が遮断状態となって、ドレイン電流が流れなくなる。
When no input signal is input to the first light emitting diode 1 and light emission stops, the photovoltaic light emitting diode array 2 stops generating photovoltaic power. Then, the charge charged between the gate and the source of the MOSFET 3 is quickly discharged through the control transistor 6, so that the drain and the source of the MOSFET 3 are cut off, and the drain current stops flowing.

【0018】また、MOSFET3 のドレイン電流が所
定電流以上流れると、MOSFET3 のソースに接続さ
れた第1の抵抗7 の両端電圧が大きくなり、その第1の
抵抗7 の両端に並列接続された第2の発光ダイオード5
に電流が流れて、第2の発光ダイオード5 が発光するよ
うになる。こうして、第2の発光ダイオード5 が発光す
ると、その発光された光を光トリガーサイリスタ4 が受
光して、その光トリガーサイリスタ4 のアノードとカソ
ードとの間が導通状態となり、MOSFET3に充電さ
れた電荷が放電されて、MOSFET3 のドレインとソ
ースとの間が遮断状態となる。
When the drain current of the MOSFET 3 flows over a predetermined current, the voltage across the first resistor 7 connected to the source of the MOSFET 3 increases, and the voltage across the second resistor connected in parallel to both ends of the first resistor 7 increases. Light-emitting diodes 5
Current flows through the second light-emitting diode 5, and the second light-emitting diode 5 emits light. Thus, when the second light emitting diode 5 emits light, the emitted light is received by the light trigger thyristor 4, and the anode and the cathode of the light trigger thyristor 4 become conductive, and the electric charge charged in the MOSFET 3 Is discharged, and the connection between the drain and the source of the MOSFET 3 is cut off.

【0019】かかる半導体リレーにあっては、光トリガ
ーサイリスタ4 は、ドレイン電流が所定電流を越えて流
れることにより、アノードからカソードへ電流が流れ得
る状態になるので、そのアノードからカソードへ、MO
SFET3 のゲートとソースとの間に充電された電荷が
流れ、MOSFET3 のドレインとソースとの間が遮断
状態になる。しかも、光トリガーサイリスタ4 は、MO
SFET3 のドレイン電流が所定電流を越えて流れなく
なっても、アノードとカソードとの間に光起電力が印加
されている限り、一旦、アノードからカソードへ流れる
ようになった電流が流れ続けるから、MOSFET3 の
ゲートとソースとの間に充電されなくなって、MOSF
ET3 のドレイン電流が流れなくなるので、MOSFE
T3 の遮断状態及び導通状態が繰り返されることがなく
なり、高い信頼性でもって、所定電流以上のドレイン電
流を遮断できる。
In such a semiconductor relay, the light trigger thyristor 4 is in a state where a current can flow from the anode to the cathode when the drain current exceeds a predetermined current.
Charge charged between the gate and source of SFET3 flows, and the drain and source of MOSFET3 are cut off. Moreover, the light trigger thyristor 4 is an MO
Even if the drain current of SFET3 stops flowing beyond a predetermined current, as long as the photovoltaic voltage is applied between the anode and the cathode, the current once flowing from the anode to the cathode continues to flow. Is no longer charged between the gate and source of the MOSF
Since the drain current of ET3 stops flowing, MOSFE
The interruption state and the conduction state of T3 are not repeated, and the drain current exceeding a predetermined current can be interrupted with high reliability.

【0020】また、所定電流を越えたMOSFET3 の
ドレイン電流が抵抗に流れると、第1の抵抗7 の両端電
圧が増大して、第1の抵抗7 に並列接続された第2の発
光ダイオード5 が発光し、この発光された光がトリガー
となって、光トリガーサイリスタ4 のアノードからカソ
ードへ電流が流れるのであるから、ゲートからカソード
に電流が流れることによってアノードからカソードへ電
流が流れるサイリスタよりも、絶縁性を高めることがで
き、ノイズが発生しにくくなる。
When the drain current of the MOSFET 3 exceeding the predetermined current flows through the resistor, the voltage across the first resistor 7 increases, and the second light emitting diode 5 connected in parallel to the first resistor 7 is activated. Since light is emitted and the emitted light serves as a trigger, a current flows from the anode to the cathode of the light-triggered thyristor 4.Thus, a current flows from the gate to the cathode, so that a current flows from the anode to the cathode. Insulation can be improved and noise is less likely to occur.

【0021】なお、本実施形態では、光トリガーサイリ
スタ4 が設けられているが、例えば、絶縁性が十分に高
いときは、ゲートからカソードに電流が流れることによ
ってアノードからカソードへ電流が流れるサイリスタが
設けられてもよい。
In this embodiment, the light trigger thyristor 4 is provided. For example, when the insulation property is sufficiently high, the thyristor in which the current flows from the anode to the cathode due to the current flowing from the gate to the cathode is provided. It may be provided.

【0022】[0022]

【発明の効果】請求項1記載の発明は、サイリスタは、
ドレイン電流が所定電流を越えて流れることにより、ア
ノードからカソードへ電流が流れ得る状態になるので、
そのアノードからカソードへ、MOSFETのゲートと
ソースとの間に充電された電荷が流れ、MOSFETの
ドレインとソースとの間が遮断状態になる。しかも、サ
イリスタは、MOSFETのドレイン電流が所定電流を
越えて流れなくなっても、アノードとカソードとの間に
光起電力が印加されている限り、一旦、アノードからカ
ソードへ流れるようになった電流が流れ続けるから、M
OSFETのゲートとソースとの間に充電されなくなっ
て、MOSFETのドレイン電流が流れなくなるので、
MOSFETの遮断状態及び導通状態が繰り返されるこ
とがなくなり、高い信頼性でもって、所定電流以上のド
レイン電流を遮断できる。
According to the first aspect of the present invention, the thyristor is
When the drain current exceeds the predetermined current, a current can flow from the anode to the cathode.
The charge charged between the gate and the source of the MOSFET flows from the anode to the cathode, so that the drain and the source of the MOSFET are cut off. In addition, even if the drain current of the MOSFET does not flow beyond a predetermined current, the thyristor can supply the current once flowing from the anode to the cathode as long as the photovoltaic voltage is applied between the anode and the cathode. Because it keeps flowing, M
Since it is not charged between the gate and the source of the OSFET and the drain current of the MOSFET does not flow,
The interruption state and the conduction state of the MOSFET are not repeated, and the drain current of a predetermined current or more can be interrupted with high reliability.

【0023】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明の効果に加えて、所定電流を越えたMOSFETのド
レイン電流が抵抗に流れると、抵抗の両端電圧が増大し
て、抵抗に並列接続された第2の発光素子が発光し、こ
の発光された光がトリガーとなって、光トリガーサイリ
スタのアノードからカソードへ電流が流れるのであるか
ら、ゲートからカソードで電流が流れることによってア
ノードからカソードへ電流が流れるサイリスタよりも、
絶縁性を高めることができ、ノイズが発生しにくくな
る。
According to a second aspect of the present invention, in addition to the effect of the first aspect of the present invention, when a drain current of a MOSFET exceeding a predetermined current flows through the resistor, the voltage across the resistor increases, and the voltage across the resistor increases. The connected second light-emitting element emits light, and the emitted light serves as a trigger to cause current to flow from the anode to the cathode of the light-triggered thyristor. Than a thyristor where current flows to
Insulation can be improved and noise is less likely to occur.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】従来例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 発光素子 2 受光素子(光起電力発光ダイオードアレイ) 3 MOSFET 4 光トリガーサイリスタ 5 発光ダイオード(第2の発光素子) 7 第1の抵抗 1 light emitting element 2 light receiving element (photovoltaic light emitting diode array) 3 MOSFET 4 light trigger thyristor 5 light emitting diode (second light emitting element) 7 first resistor

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力信号に応じて発光する発光素子と、
発光素子からの光を受光して光起電力を発生する受光素
子と、ゲートとソースとの間に光起電力が印加されて充
電されるMOSFETと、アノードとカソードとの間に
光起電力が印加されているときにMOSFETのドレイ
ン電流が所定電流を越えて流れることにより、MOSF
ETに接続されたアノードからカソードへ電流が流れ得
るサイリスタと、を備えたことを特徴とする半導体リレ
ー。
A light emitting element that emits light in response to an input signal;
A light-receiving element that receives light from a light-emitting element to generate photovoltaic power, a MOSFET that is charged by applying photovoltaic power between a gate and a source, and a photovoltaic power is generated between an anode and a cathode. When the drain current of the MOSFET exceeds a predetermined current while being applied, the MOSF
And a thyristor connected to the ET and through which a current can flow from the anode to the cathode.
【請求項2】 MOSFETのソースに接続された抵抗
及びその抵抗に並列接続された第2発光素子が設けら
れ、前記サイリスタは、第2の発光素子からの光を受光
してアノードからカソ−ドへ電流が流れる光トリガーサ
イリスタであることを特徴とする請求項1記載の半導体
リレー。
2. A resistor connected to a source of a MOSFET and a second light emitting element connected in parallel to the resistor, wherein the thyristor receives light from the second light emitting element and receives a light from an anode to a cathode. 2. The semiconductor relay according to claim 1, wherein the semiconductor relay is a light-triggered thyristor through which a current flows.
JP9015793A 1997-01-29 1997-01-29 Semiconductor relay Pending JPH10215159A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103236701A (en) * 2013-04-10 2013-08-07 李国勇 Triggering device and triggering control method for thyristor valve block of high-voltage TSC (thyristor switched capacitor)
JP7329124B1 (en) * 2022-12-21 2023-08-17 セイコーグループ株式会社 Electronic circuits and electronic devices

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