JPH10209252A - Wafer tray - Google Patents
Wafer trayInfo
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- JPH10209252A JPH10209252A JP9011395A JP1139597A JPH10209252A JP H10209252 A JPH10209252 A JP H10209252A JP 9011395 A JP9011395 A JP 9011395A JP 1139597 A JP1139597 A JP 1139597A JP H10209252 A JPH10209252 A JP H10209252A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置、
例えば薄膜の成膜、加工用装置等に適用して好適なウエ
ハ用トレイに関する。The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus,
For example, the present invention relates to a wafer tray suitable for use in an apparatus for forming and processing a thin film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体装置の製造に用いられる薄
膜の成膜、加工を行う装置では、処理できる半導体ウエ
ハ、例えばシリコンウエハのサイズが１種類に限られて
いた。もし、異なるサイズのシリコンウエハを処理しよ
うとすると、成膜、加工装置の搬送系やウエハステージ
を取り替える必要があるため、１日程度のロスタイムが
あった。2. Description of the Related Art Conventionally, in an apparatus for forming and processing a thin film used for manufacturing a semiconductor device, the size of a semiconductor wafer, for example, a silicon wafer that can be processed is limited to one kind. If a silicon wafer of a different size is to be processed, it is necessary to replace a transfer system and a wafer stage of a film forming and processing apparatus, and there is a loss time of about one day.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】従来の対処法では、異
なるサイズの半導体ウエハを処理したいときに、装置の
部品を交換することに時間がかかりすぎていた。In the conventional method, when processing semiconductor wafers of different sizes, it takes too much time to exchange parts of the apparatus.
【０００４】また、真空雰囲気で処理を行う装置では、
一度装置の真空を破って大気解放する必要があるため、
装置の部品を交換した後、もとのベースプレッシャー
（ガスを流さないときの到達真空度）まで真空引きする
には、更に時間がかかる。[0004] Further, in an apparatus for performing processing in a vacuum atmosphere,
Because it is necessary to break the vacuum of the device once and release it to the atmosphere,
After replacing the components of the apparatus, it takes more time to evacuate to the original base pressure (the ultimate vacuum when no gas is flowed).
【０００５】また、小さいサイズの半導体ウエハを大き
いサイズの半導体ウエハと同じ大きさのアダプターに単
純に載せるだけで搬送、成膜をすると、熱伝導が悪くな
ることから半導体ウエハの加熱がうまく行えないことが
予想される。Further, when a small semiconductor wafer is simply transported and formed by simply placing it on an adapter of the same size as a large semiconductor wafer, the semiconductor wafer cannot be heated well due to poor heat conduction. It is expected that.
【０００６】本発明は、上述の点に鑑み、半導体製造装
置の部品を取り替えことなく異なるサイズのウエハ処理
を可能にするウエハ用トレイを提供するものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a wafer tray capable of processing wafers of different sizes without replacing parts of a semiconductor manufacturing apparatus.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係るウエハ用ト
レイは、中心部分に、保持されるウエハの面が臨む開口
を有し、開口の外周にウエハの周縁を保持する受部が設
けられた構成とする。SUMMARY OF THE INVENTION A wafer tray according to the present invention has an opening at a central portion facing a surface of a wafer to be held, and a receiving portion for holding a peripheral edge of the wafer at an outer periphery of the opening. Configuration.
【０００８】このウエハ用トレイを用いることにより、
１つの装置において異なるサイズのウエハの処理が行え
る。そして、ウエハに対する加熱処理では、トレイの開
口を通してウエハ面が露出しているので、このウエハ面
を熱輻射で均一に且つ効率よく加熱することができる。By using this wafer tray,
One apparatus can process wafers of different sizes. Then, in the heating process on the wafer, since the wafer surface is exposed through the opening of the tray, the wafer surface can be uniformly and efficiently heated by heat radiation.
【０００９】本発明に係るウエハ用トレイは、ウエハを
保持する面の一部又は全部が網目状とされるか又は多数
の貫通孔が設けられた構成とする。The wafer tray according to the present invention has a structure in which a part or all of a surface for holding a wafer is meshed or provided with a large number of through holes.
【００１０】このウエハ用トレイを用いることにより、
１つの装置において異なるサイズのウエハの処理が行え
る。そして、ウエハに対する加熱処理では、トレイの網
目状又は多数の貫通孔を通して熱輻射によって均一且つ
効率よく加熱することができる。By using this wafer tray,
One apparatus can process wafers of different sizes. Then, in the heat treatment of the wafer, the heat can be uniformly and efficiently heated by heat radiation through a mesh or a large number of through holes of the tray.
【００１１】本発明に係るウエハ用トレイは、ウエハの
面に対向して凹部が設けられ、凹部の外周上にウエハの
周縁を保持する受部が設けられた構成とする。The wafer tray according to the present invention has a configuration in which a concave portion is provided facing the surface of the wafer, and a receiving portion for holding the peripheral edge of the wafer is provided on the outer periphery of the concave portion.
【００１２】このウエハ用トレイを用いることにより、
１つの装置において異なるサイズのウエハの処理が行え
る。そして、ウエハに対する加熱処理では、トレイ自
体、即ちウエハの面に対向する凹部底面からの熱輻射に
よって均一に且つ効率よく加熱することができる。By using this wafer tray,
One apparatus can process wafers of different sizes. In the heat treatment on the wafer, heat can be uniformly and efficiently heated by heat radiation from the tray itself, that is, the bottom surface of the concave portion facing the surface of the wafer.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】第１の本発明に係るウエハ用トレ
イは、中心部分に、保持されるウエハの面が臨む開口を
有し、且つ開口外周にウエハの周縁を保持する受部が設
けられた構成とする。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A wafer tray according to a first aspect of the present invention has an opening at a center portion facing a surface of a wafer to be held, and a receiving portion for holding a peripheral edge of the wafer at an outer periphery of the opening. Configuration.
【００１４】第２の本発明に係るウエハ用トレイは、ウ
エハを保持する面の一部又は全部が網目状とされるか又
は多数の貫通孔が設けられた構成とする。The wafer tray according to the second aspect of the present invention has a structure in which a part or all of a surface for holding a wafer is mesh-shaped or provided with a large number of through holes.
【００１５】第３の本発明は、第２の発明のウエハ用ト
レイが赤外線に対して透明である材質にて形成された構
成とする。According to a third aspect of the present invention, the wafer tray of the second aspect is formed of a material which is transparent to infrared rays.
【００１６】第４の本発明に係るウエハ用トレイは、ウ
エハの面に対向して凹部が設けられ、凹部の外周上にウ
エハの周縁を保持する受部が設けられた構成とする。The wafer tray according to a fourth aspect of the present invention has a configuration in which a concave portion is provided facing the surface of the wafer, and a receiving portion for holding the peripheral edge of the wafer is provided on the outer periphery of the concave portion.
【００１７】第５の本発明は、第４の発明のウエハ用ト
レイがカーボン又はシリコンカーバイトで形成された構
成とする。According to a fifth aspect of the present invention, the wafer tray according to the fourth aspect of the invention is formed of carbon or silicon carbide.
【００１８】第６の本発明は、第４の発明のウエハ用ト
レイにおいて、トレイ自体がウエハを加熱するための熱
輻射源となる構成とする。According to a sixth aspect of the present invention, in the wafer tray according to the fourth aspect, the tray itself serves as a heat radiation source for heating the wafer.
【００１９】以下、図面を参照して本発明の実施例を説
明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２０】図１Ａ，Ｂは、本発明によるウエハ用トレ
イの一実施例を示す。本例のウエハ用トレイ１は、大き
なサイズのウエハ、例えば８インチウエハと同じ大きさ
に対応するように、例えば厚さ１ｍｍ、直径２００ｍｍ
（８インチ）の石英の円板２の中心部をくり抜き、直径
１１５ｍｍの開口３を形成すると共に、開口３の外周に
幅６ｍｍで、深さ０．３ｍｍの座繰りによって例えば５
インチの半導体ウエハ５の周縁を保持する段差部、即ち
受部４を形成して構成される。FIGS. 1A and 1B show an embodiment of a wafer tray according to the present invention. The wafer tray 1 of this example has a thickness of 1 mm and a diameter of 200 mm, for example, so as to correspond to a large-sized wafer, for example, an 8-inch wafer.
A (8 inch) quartz disk 2 is hollowed out to form an opening 3 having a diameter of 115 mm, and a hole of 6 mm in width and 0.3 mm in depth is formed on the outer periphery of the opening 3 by, for example, 5 mm.
A step portion for holding the periphery of the inch semiconductor wafer 5, that is, the receiving portion 4, is formed.
【００２１】このウエハ用トレイ１の受部４上に５イン
チ（約１２６ｍｍ）のＳｉウエハ５を載置すると、Ｓｉ
ウエハ５の裏面の直径１１５ｍｍの円形部分が露出す
る。Ｓｉウエハ５は受部４によって位置規制される。When a 5-inch (about 126 mm) Si wafer 5 is placed on the receiving portion 4 of the wafer tray 1,
A circular portion having a diameter of 115 mm on the back surface of the wafer 5 is exposed. The position of the Si wafer 5 is regulated by the receiving portion 4.
【００２２】本例では、このウエハ用トレイ１に５イン
チのＳｉウエハ５を載置した状態で、このウエハ用トレ
イ１を図示せざるも８インチＳｉウエハ用の加熱用ウエ
ハステージに搬送した。このＳｉウエハ５の裏面の露出
部分にトレイ１の下部のウエハステージから設定温度４
００℃の熱輻射を照射すると、５インチのＳｉウエハ５
の直径１１５ｍｍの部分の温度分布は３９８℃±５℃内
に収まり、良好な温度分布を示した。In this embodiment, with the 5-inch Si wafer 5 placed on the wafer tray 1, the wafer tray 1 is transferred to a heating wafer stage for an 8-inch Si wafer (not shown). The exposed temperature on the back surface of the Si wafer 5 is set from the wafer stage below the tray 1 to the set temperature 4.
Irradiation with heat radiation of 00 ° C. results in a 5-inch Si wafer 5
The temperature distribution of the portion having a diameter of 115 mm was within 398 ° C. ± 5 ° C., indicating a good temperature distribution.
【００２３】即ち、この熱処理では、トレイ１とＳｉウ
エハ５の熱伝導の差を気にすることなく、Ｓｉウエハ５
の裏面が露出した部分を均一に且つ効率よく加熱するこ
とができる。中心部分がくり抜かれて開口３が形成され
ているトレイ１は製作が容易であり、ウエハ温度の均一
性も得られる。そして、８インチＳｉウエハの場合は、
トレイ１を用いずに処理し、５インチＳｉウエハの場合
はトレイ１を用いて処理することにより、１台の半導体
製造装置で異なるサイズのＳｉウエハの処理ができる。That is, in this heat treatment, the Si wafer 5 can be used without regard to the difference in heat conduction between the tray 1 and the Si wafer 5.
Can uniformly and efficiently heat the portion where the back surface is exposed. The tray 1 in which the center portion is hollowed out and the opening 3 is formed is easy to manufacture, and uniformity of the wafer temperature can be obtained. And in the case of an 8-inch Si wafer,
The processing is performed without using the tray 1, and in the case of a 5-inch Si wafer, the processing is performed using the tray 1, so that a single semiconductor manufacturing apparatus can process Si wafers of different sizes.
【００２４】この実施例は、あくまでも一つの例に過ぎ
ず使用するトレイのサイズや材質及び処理温度などは本
発明の主旨を逸脱しない範囲で変更できる。This embodiment is merely an example, and the size, material and processing temperature of the tray to be used can be changed without departing from the gist of the present invention.
【００２５】図２Ａ，Ｂは、本発明によるウエハ用トレ
イの他の実施例を示す。本例のウエハ用トレイ１１は、
大きなサイズのウエハ、例えば８インチウエハと同じ大
きさに対応するように、例えば厚さ１ｍｍ、直径２００
ｍｍ（８インチ）の石英の円板１２の中心部をくり抜
き、直径１２７ｍｍの開口１３を形成すると共に、円板
１２の下面に開口１３を塞ぐように、太さ０．７ｍｍの
石英繊維からなる網目状体（隙間は１ｍｍ角の正方形）
１４を溶着して構成される。FIGS. 2A and 2B show another embodiment of the wafer tray according to the present invention. The wafer tray 11 of the present example includes:
In order to correspond to the same size as a large-sized wafer, for example, an 8-inch wafer, for example, a thickness of 1 mm and a diameter of 200 mm
The central portion of a quartz disk 12 of 8 mm (8 inches) is hollowed out to form an opening 13 having a diameter of 127 mm, and is made of quartz fiber having a thickness of 0.7 mm so as to cover the opening 13 on the lower surface of the disk 12. Reticulated body (the gap is 1mm square)
14 is welded.
【００２６】このウエハ用トレイ１１の開口１３内の網
目状体１４上に５インチ（約１２６ｍｍ）のＳｉウエハ
５を載置すると、Ｓｉウエハ５の裏面全体が網目の隙間
から露出する。Ｓｉウエハ５は開口１３によって位置規
制される。When a 5-inch (approximately 126 mm) Si wafer 5 is placed on the mesh body 14 in the opening 13 of the wafer tray 11, the entire back surface of the Si wafer 5 is exposed from the mesh gap. The position of the Si wafer 5 is regulated by the opening 13.
【００２７】本例では、このウエハ用トレイ１１に５イ
ンチのＳｉウエハ５を載置した状態で、このウエハ用ト
レイ１１を図示せざるも８インチＳｉウエハ用の加熱用
ウエハステージに搬送した。このＳｉウエハ５の裏面の
露出部分にトレイ１１の下部のウエハステージから設定
温度４００℃の熱輻射を照射すると、５インチのＳｉウ
エハ５の温度分布は３９８℃±７℃内に収まり良好な温
度分布を示した。In this embodiment, with the 5-inch Si wafer 5 placed on the wafer tray 11, the wafer tray 11 is transferred to a heating wafer stage (not shown) for an 8-inch Si wafer. When the exposed portion of the back surface of the Si wafer 5 is irradiated with thermal radiation at a set temperature of 400 ° C. from the wafer stage below the tray 11, the temperature distribution of the 5-inch Si wafer 5 falls within 398 ° C. ± 7 ° C. The distribution was shown.
【００２８】この実施例では網目状体１４を有するトレ
イを構成したが、その他、網目状体１４に代えて、Ｓｉ
ウエハ５が載置される部分に無数の貫通孔を有する構
成、例えば石英円板１１に５インチＳｉウエハ５が載置
される凹部を形成し、この凹部に無数の貫通孔を設けた
構成とすることにより、網目の場合と同じ効果が期待で
きる。In this embodiment, a tray having a mesh 14 is formed.
A configuration having an innumerable through-hole in a portion where the wafer 5 is mounted, for example, a configuration in which a concave portion in which a 5-inch Si wafer 5 is mounted in the quartz disk 11 and an infinite number of through-holes are provided in the concave portion. By doing so, the same effect as in the case of mesh can be expected.
【００２９】このように、網目状になっているトレイ１
１や多数の貫通孔を有するトレイにＳｉウエハ５を載置
して裏面から熱輻射で加熱することにより、トレイとＳ
ｉウエハの熱伝導の差を気にすることなく容易にＳｉウ
エハ５を加熱できる。As described above, the meshed tray 1
The Si wafer 5 is placed on a tray having one or a large number of through holes, and is heated by heat radiation from the back surface, so that the tray and the S
The Si wafer 5 can be easily heated without regard to the difference in heat conduction between the i wafers.
【００３０】このとき、トレイ１１を石英などの赤外線
に対して透明な物質で作製することにより、熱輻射が完
全に遮られることを防止できるので、赤外線に対して不
透明な物質で作製した場合より均一にＳｉウエハ５を加
熱できる。At this time, if the tray 11 is made of a material such as quartz which is transparent to infrared rays, it is possible to prevent the heat radiation from being completely blocked. The Si wafer 5 can be heated uniformly.
【００３１】尚、上例の中心部分がくり抜かれて開口３
を有するトレイ１は製作が容易であり、ウエハ温度の均
一性も取れるが、搬送するときのトレイの上下動を行う
ピン（プッシャーピン）などの位置に制約が出てくる事
もある。之に対して網目状になっているトレイ１１や多
数の貫通孔を有するトレイの場合は、プッシャーピンの
位置は比較的、自由度がある。但し、材質によってはウ
エハ温度の均一性がくり抜きによる開口３を有するトレ
イ１より多少悪くなることもあり得る。The center portion of the above example is hollowed out and the opening 3 is formed.
Is easy to manufacture, and uniformity of the wafer temperature can be obtained. However, the position of a pin (pusher pin) for vertically moving the tray during transfer may be restricted. On the other hand, in the case of a mesh-shaped tray 11 or a tray having a large number of through holes, the position of the pusher pin has a relatively high degree of freedom. However, depending on the material, the uniformity of the wafer temperature may be slightly worse than that of the tray 1 having the opening 3 formed by hollowing.
【００３２】そして、８インチＳｉウエハの場合は、ト
レイ１１を用いずに処理し、５インチＳｉウエハの場合
はトレイ１１を用いて処理することにより、１台の半導
体製造装置で異なるサイズのＳｉウエハの処理ができ
る。In the case of an 8-inch Si wafer, processing is performed without using the tray 11, and in the case of a 5-inch Si wafer, processing is performed using the tray 11. It can process wafers.
【００３３】上述の実施例は、あくまで一つの例にすぎ
ず、使用するトレイのサイズや材質、及び処理温度など
は本発明の主旨を逸脱しない範囲で変更できる。The above-described embodiment is merely an example, and the size and material of the tray to be used and the processing temperature can be changed without departing from the gist of the present invention.
【００３４】図３Ａ，Ｂは、本発明によるウエハ用トレ
イの更に他の実施例を示す。本例のウエハ用トレイはト
レイ自体からの熱輻射を利用してウエハを加熱するよう
にしている。FIGS. 3A and 3B show still another embodiment of the wafer tray according to the present invention. The wafer tray of this embodiment heats the wafer by utilizing heat radiation from the tray itself.
【００３５】即ち、本例のウエハ用トレイ２１は、大き
なサイズのウエハ、例えば８インチウエハと同じ大きさ
に対応するように、例えば厚さ１ｍｍ、直径２００ｍｍ
（８インチ）のＳｉＣ製の円板２２の中心に直径１２１
ｍｍ、深さ０．５ｍｍの凹部２３を形成し、更にこの凹
部２３の外周上に幅３ｍｍ、深さ０．２ｍｍの座繰りに
よって例えは５インチの半導体ウエハ５の周縁を保持す
る段差部、即ち受部２４を形成して構成される。That is, the wafer tray 21 of this embodiment has a thickness of 1 mm and a diameter of 200 mm so as to correspond to the same size as a large-sized wafer, for example, an 8-inch wafer.
(8 inches) diameter of 121 at the center of the SiC disk 22
a concave portion 23 having a depth of 0.5 mm and a depth of 0.5 mm, and a step portion for holding the peripheral edge of the semiconductor wafer 5 having a width of 3 mm and a depth of 0.2 mm on the outer periphery of the concave portion 23 by, for example, 5 inches; That is, the receiving portion 24 is formed.
【００３６】このウエハ用トレイ２１の受部２４上に５
インチ（約１２６ｍｍ）のＳｉウエハ５を載置すると、
Ｓｉウエハ５の裏面は凹部２３の底面から０．３ｍｍ離
れている状態となる。Ｓｉウエハ５は、受部２４によっ
て位置規制される。従って、このＳｉＣ製のトレイ２１
が加熱された場合は、Ｓｉウエハ５の周辺２．５ｍｍ以
外はＳｉＣ製のトレイ２１からの直接熱伝導ではなく、
トレイ２１の凹部２３の底面が熱輻射源となって、トレ
イ２１自身からの熱輻射によって加熱されることにな
る。5 is placed on the receiving portion 24 of the wafer tray 21.
When an inch (about 126 mm) Si wafer 5 is placed,
The back surface of Si wafer 5 is in a state of being 0.3 mm away from the bottom surface of recess 23. The position of the Si wafer 5 is regulated by the receiving portion 24. Therefore, this SiC tray 21
Is heated, the heat is not directly transferred from the SiC tray 21 except for the area 2.5 mm around the Si wafer 5,
The bottom surface of the concave portion 23 of the tray 21 serves as a heat radiation source, and is heated by the heat radiation from the tray 21 itself.
【００３７】本例では、このウエハ用トレイ２１に５イ
ンチのＳｉウエハ５を載置した状態で、このウエハ用ト
レイ２１を図示せざるも８インチＳｉウエハ用の加熱用
ウエハステージに搬送した。このトレイ２１の下部のウ
エハステージから設定温度４００℃の熱輻射を照射する
と、加熱されたトレイ２１からの熱輻射により加熱され
た５インチのＳｉウエハ５の中心から１２１ｍｍ内の温
度分布は３９９℃±４℃内に収まり良好な温度分布を示
した。In this embodiment, with the 5-inch Si wafer 5 placed on the wafer tray 21, the wafer tray 21 is transferred to a heating wafer stage (not shown) for an 8-inch Si wafer. When thermal radiation at a set temperature of 400 ° C. is irradiated from the wafer stage below the tray 21, the temperature distribution within 121 mm from the center of the 5-inch Si wafer 5 heated by the thermal radiation from the heated tray 21 is 399 ° C. It stayed within ± 4 ° C and showed good temperature distribution.
【００３８】即ち、この熱処理では、ウエハ５をトレイ
２１自体からの熱輻射によって行うことにより、トレイ
２１とＳｉウエハ５の熱伝導の差を気にすることなく、
均一に加熱が出来る。That is, in this heat treatment, the wafer 5 is subjected to the heat radiation from the tray 21 itself, so that the difference in heat conduction between the tray 21 and the Si wafer 5 is not considered.
Uniform heating is possible.
【００３９】トレイ２１の材質としてカーボン（Ｃ）や
シリコンカーバイト（ＳｉＣ）等であれば、トレイ２１
が加熱されたときに赤外線を効率よく放射するため、ウ
エハ５を効率よく加熱できる。そして、８インチＳｉウ
エハの場合は、トレイ２１を用いずに処理し、５インチ
Ｓｉウエハの場合はトレイ２１を用いて処理することに
より、１台の半導体製造装置で異なるサイズのＳｉウエ
ハの処理ができる。If the material of the tray 21 is carbon (C), silicon carbide (SiC) or the like, the tray 21
Since the infrared rays are efficiently radiated when the wafer 5 is heated, the wafer 5 can be efficiently heated. In the case of an 8-inch Si wafer, processing is performed without using the tray 21, and in the case of a 5-inch Si wafer, processing is performed using the tray 21. Can be.
【００４０】図３の実施例はあくまでも一つの例にすぎ
ず、使用するトレイのサイズや材質、及び処理温度など
は、本発明の主旨を逸脱しない範囲で変更できる。The embodiment shown in FIG. 3 is merely an example, and the size and material of the tray to be used and the processing temperature can be changed without departing from the gist of the present invention.
【００４１】上述の各実施例のトレイ１，１１，２１
は、ウエハ５の搬送と処理（例えば成膜やエッチング
等）に使用することができる。The trays 1, 11, 21 of each of the above-described embodiments.
Can be used for transferring and processing the wafer 5 (for example, film formation and etching).
【００４２】上述したウエハ用トレイ１，１１又は２１
を用いることにより、１台の半導体製造装置で種々のサ
イズの例えばＳｉ等の半導体ウエハ５を搬送、処理（成
膜、加工）することができる。即ち、大きさは同じで且
つ夫々異なるサイズの半導体ウエハ５を載置できる複数
種のウエハ用トレイ１，１１又は２１を用意することに
より、１台の半導体製造装置で種々のサイズの半導体ウ
エハの搬送、処理が可能となる。そして、ウエハの加熱
処理においても、トレイと半導体ウエハの熱伝導の差に
拘らず、均一且つ効率よく加熱することができる。The above-described wafer tray 1, 11 or 21
With the use of a single semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor wafers 5 of various sizes, such as Si, can be transported and processed (film formation, processing). That is, by preparing a plurality of types of wafer trays 1, 11 or 21 on which semiconductor wafers 5 of the same size and different sizes can be placed, semiconductor wafers of various sizes can be prepared by one semiconductor manufacturing apparatus. Transport and processing become possible. Further, even in the heat treatment of the wafer, uniform and efficient heating can be performed regardless of the difference in heat conduction between the tray and the semiconductor wafer.
【００４３】[0043]
【発明の効果】本発明に係るウエハ用トレイを用いるこ
とにより、種々のサイズの半導体ウエハを半導体製造装
置の部品を取り替えることなく、処理することが可能に
なる。即ち１台の半導体製造装置で各種サイズの半導体
ウエハの処理が可能となる。By using the wafer tray according to the present invention, semiconductor wafers of various sizes can be processed without replacing parts of a semiconductor manufacturing apparatus. That is, a single semiconductor manufacturing apparatus can process semiconductor wafers of various sizes.
【００４４】従って、本発明に係るウエハ用トレイは、
異なるサイズの半導体ウエハを処理する半導体製造ライ
ンに適用して好適ならしめる。Therefore, the wafer tray according to the present invention is
The present invention is applied to a semiconductor manufacturing line for processing semiconductor wafers of different sizes, and is suitable.
【図１】Ａ 本発明に係るウエハ用トレイの一例を示す
平面図である。 Ｂ 本発明に係るウエハ用トレイの一例を示す平面図で
ある。FIG. 1A is a plan view showing an example of a wafer tray according to the present invention. B is a plan view showing an example of a wafer tray according to the present invention.
【図２】Ａ 本発明に係るウエハ用トレイの他の例を示
す平面図である。 Ｂ 本発明に係るウエハ用トレイの他の例を示す断面図
である。FIG. 2A is a plan view showing another example of the wafer tray according to the present invention. B is a sectional view showing another example of the wafer tray according to the present invention.
【図３】Ａ 本発明に係るウエハ用トレイの他の例を示
す平面図である。 Ｂ 本発明に係るウエハ用トレイの他の例を示す断面図
である。FIG. 3A is a plan view showing another example of the wafer tray according to the present invention. B is a sectional view showing another example of the wafer tray according to the present invention.
１，１１，１２ ウエハ用トレイ、２，１２ 石英の円
板、３，１３ 開口、４，２４ 受部、５ 半導体ウエ
ハ、１４ 網目状体、２３ 凹部1,11,12 Wafer tray, 2,12 Quartz disk, 3,13 opening, 4,24 receiving part, 5 semiconductor wafer, 14 mesh body, 23 recess
Claims (6)
む開口を有し、 且つ前記開口の外周に前記ウエハの周縁を保持する受部
が設けられて成ることを特徴とするウエハ用トレイ。1. A wafer tray having an opening in a center portion facing a surface of a wafer to be held, and a receiving portion for holding a peripheral edge of the wafer at an outer periphery of the opening. .
目状とされるか又は多数の貫通孔が設けられて成ること
を特徴とするウエハ用トレイ。2. A wafer tray characterized in that a part or all of a surface holding a wafer is formed in a mesh or a plurality of through holes are provided.
されて成ることを特徴とする請求項２に記載のウエハ用
トレイ。3. The wafer tray according to claim 2, wherein the tray is formed of a material that is transparent to infrared rays.
設けられて成ることを特徴とするウエハ用トレイ。4. A wafer tray comprising: a concave portion facing a surface of a wafer; and a receiving portion for holding a peripheral edge of the wafer on an outer periphery of the concave portion.
されて成ることを特徴とする請求項４に記載のウエハ用
トレイ。5. The wafer tray according to claim 4, wherein the wafer tray is formed of carbon or silicon carbide.
の熱輻射源となることを特徴とする請求項４に記載のウ
エハ用トレイ。6. The wafer tray according to claim 4, wherein the tray itself serves as a heat radiation source for heating the wafer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9011395A JPH10209252A (en) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | Wafer tray |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9011395A JPH10209252A (en) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | Wafer tray |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209252A true JPH10209252A (en) | 1998-08-07 |
Family
ID=11776835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9011395A Pending JPH10209252A (en) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | Wafer tray |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209252A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010192524A (en) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Sharp Corp | Substrate holder |
| JP2013069773A (en) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing apparatus |
| CN108565236A (en) * | 2018-01-17 | 2018-09-21 | 北京中科飞鸿科技有限公司 | A kind of more size wafer compatible type tooling boxes |
| JP2020027886A (en) * | 2018-08-13 | 2020-02-20 | 富士ゼロックス株式会社 | Method of manufacturing semiconductor element |
| CN112786522A (en) * | 2020-12-31 | 2021-05-11 | 拓荆科技股份有限公司 | Tray device capable of adjusting thickness of edge film of wafer |
-
1997
- 1997-01-24 JP JP9011395A patent/JPH10209252A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010192524A (en) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Sharp Corp | Substrate holder |
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| CN108565236A (en) * | 2018-01-17 | 2018-09-21 | 北京中科飞鸿科技有限公司 | A kind of more size wafer compatible type tooling boxes |
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| CN112786522A (en) * | 2020-12-31 | 2021-05-11 | 拓荆科技股份有限公司 | Tray device capable of adjusting thickness of edge film of wafer |
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