JPH10208990A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JPH10208990A
JPH10208990A JP9017647A JP1764797A JPH10208990A JP H10208990 A JPH10208990 A JP H10208990A JP 9017647 A JP9017647 A JP 9017647A JP 1764797 A JP1764797 A JP 1764797A JP H10208990 A JPH10208990 A JP H10208990A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mark
reference mark
exposure
original
detection system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9017647A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Kato
正紀 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP9017647A priority Critical patent/JPH10208990A/ja
Priority to TW086117483A priority patent/TW357396B/zh
Priority to KR1019980000329A priority patent/KR19980070407A/ko
Priority to US09/009,365 priority patent/US5978069A/en
Publication of JPH10208990A publication Critical patent/JPH10208990A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置内の経時的なドリフトが位置合わせに与
える影響を排除する。 【解決手段】 基板ステージ上の基準マーク141と、
基板位置を検出する第1の検出系と、基準マークと原版
マークとの相対位置を検出する第2の検出系と、固定マ
ーク401と、基準マークと固定マークとの相対位置を
検出する第3の検出系と、第3の検出系による相対位置
に関する情報に基づいて第1の検出系の検出信号と第2
の検出系の検出信号を補正する信号補正系と、原版と投
影光学系との間の露光光路中に設けられた平行平面板5
01と、露光光路外に設けられた光路分割面または光路
合成面の境界面413を有する光学部材412とを備
え、光学部材と投影光学系との合成系は、原版マークと
基準マークとを光学的に共役にすると共に、固定マーク
と基準マークとを光学的に共役にし、平行平面板と投影
光学系との合成系は、原版の露光用パターン領域と感光
性基板の露光面とを光学的に共役にする投影露光装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、感光性基板の投影
露光装置に関し、特に基板ステージに基準マークを備え
た、大型の液晶パネル等の製造に用いられる基板用投影
露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】大型の液晶パネル等の露光装置の基準位
置は、基板ステージ上に配置した基準マークにより定め
られ、その基準マークにより、投影光学系を通してレチ
クル即ち原版のアライメントマークと照合され、基板ス
テージ座標系における投影光学系を介したレチクルの位
置が求められる。
【0003】更に、露光装置はプレートアライメント系
を有しており、プレート即ち感光性基板に2層目以上を
露光する際には、1層目に露光されたプレートの位置を
検出するため、基準マークを用いて、そのプレートアラ
イメント系の位置を検出する。
【0004】このようにして、いわゆる露光装置におけ
るプレートアライメント系のベースラインが求まる。ベ
ースラインとは、対象物あるいは対象系を、ステージ座
標系の座標で表示したものであり、投影光学系の基準位
置に対するベクトル表示の一種である。
【0005】一般には露光前に上記工程を経て、基板ス
テージ上に搬入されたプレート上のプレートアライメン
トマークをプレートアライメント系で観察してその位置
を計測し、上記ベースラインの値を用いてプレートの位
置合わせを行い、2層目以降の露光を開始する。しかし
特に大きな、しかも角形の基板の露光装置では、基板ス
テージのプレートを載置する位置に上下動する基準マー
クを設け、プレートが載置されていないときにその基準
マークを上方向にプレートの露光面が来るべき高さまで
アップさせてベースラインを計測し、載置されていると
きには下に退避させるようにしている。この構造により
基板ステージの大型化を避け、コストを低減し精度を高
めることができる。
【0006】また特に複数枚のレチクルにて1画面を構
成する液晶パネル等の露光装置では、その複数枚のレチ
クルの位置を、レチクルを交換しながら、各レチクル毎
にアップした基準マークを用いて計測し、先に述べたプ
レートアライメント系の位置と各レチクルの位置をステ
ージ座標系にて検出し、いわゆる各レチクル毎のベース
ラインを求めている。
【0007】各レチクルの位置を検出する方法は、例え
ば、特開昭61−143760のように、基板ステージ
上に設けられた基準マークとその下方に設けられた受光
センサとにより、レチクル上のアランメイントマークと
の相対位置を検出したり、特開昭63−284814の
ように、基準マーク上のスリットマークを基板ステージ
側より発光し、投影光学系を介して、レチクル上のアラ
イメントマークであるスリットマークとの相対位置を照
明光学系内にある受光センサにて検出する方法などがあ
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら以上のよ
うな従来の技術によれば、複数のレチクルを用いる場合
は、レチクルを交換する時間とプレートアライメント系
の位置を検出する時間とがかかり、更に、レチクル上の
異物検査等の時間を加えるとかなりの時間を要する。加
えて最近は、デバイスの最適化、パネルの大型化等によ
りレチクル枚数も4枚が普通であったものが、6枚とな
り、さらに多くの枚数を必要とするようになりつつあ
る。そこで、基準マークをアップしてレチクルのアライ
メントマーク、プレートアライメント系等の位置を検出
する場合に、各レチクルの位置とプレートアライメント
系の位置とを計測する時間がかなり長くなり、基準マー
クが上下動する機構であるためにステージの移動等によ
り力が加わったり、ステージの移動等による熱的な要因
を受け、基準マーク自体がドリフトを生じ、計測値が時
間が経てば経つほど変化してしまうと言った問題を生じ
てしまった。
【0009】またこの種の露光装置は、レチクルの位置
をプレート(感光性基板)が基板ステージ上に無い状態
にて、複数枚のレチクルを順次レチクルアライメント系
を用いて所定の位置に置いて、その位置座標をステージ
干渉系で定めるため、各レチクルの複数箇所に配置され
たマーク(以下、レチクル多点計測マークと呼ぶ)を、
基板ステージ上の基準マークを用いて計測することによ
り、各レチクル間の位置を計測している。
【0010】各レチクル毎に複数箇所計測するのは、レ
チクルの描画誤差等の影響を小さくする目的であり、実
際に露光されるパターン近傍に配置されることが望まし
い。こうして計測された各レチクル間の位置を用いて、
露光の際には、例えば、1枚目のレチクルと2枚目以降
のレチクルを同じ位置にセットすることにより正確に画
面を継ぎ合わせることができる。
【0011】また、このときの2枚目以降のレチクルの
位置は、レチクル多点計測マークと基準マークとの位置
を検出する系とは別に用意される、レチクルのみを計測
し位置合わせを行うレチクルアライメント系により定め
られる。即ち、先に述べた、計測結果分補正された位置
にレチクルをセットし、この位置はレチクルアライメン
ト系を介して制御される。
【0012】また露光の際に、基板ステージの移動を伴
う、いわゆるステップを行ったときに生ずる基板ステー
ジのねじれ(ヨーイング)を基板ステージの干渉計にて
計測し、レチクルを回転することにより補正している。
この補正は、レチクルアライメント系内にあるマーク指
標に対するレチクルアライメントマーク位置にソフト
的、又はハード的にオフセットをもたせ、そのオフセッ
ト位置にレチクルを、例えばモーターや、押し引きバネ
等のメカ駆動系にて回転させている。
【0013】しかしながら、この場合にはレチクルアラ
イメント系自身がメカニカルなかなり大型のベースの上
に形成され、光学系を介して、基準となるマーク指標と
レチクルアライメントマークの位置ずれを計測している
為、時間、温度等によるレチクルアライメント系のベー
スの変形、光学系の経時変化、更には、レチクルアライ
メント系内にあるマーク指標とレチクルのレチクルアラ
イメントマーク間が長い為に生ずる揺らぎ、振動等によ
る、変動、ドリフトを起こしてしまうという問題があっ
た。
【0014】更に、基板が基板ステージ上に載置された
状態では、基準マークがステージの下方にダウンし、そ
の上には基板があるために基準マークを観察することが
できず、レチクルアライメント系に異常があった場合で
も基板を一度ステージ上から排出した上で、基準マーク
をアップさせ、レチクルの多点計測を実行しなければな
らず、多くの時間を費やすことになる。
【0015】加えて、例えばプレートアライメント系
や、レチクルアライメント系が長時間使用することによ
って変動してしまい、再びベースラインを計測する場合
でも、従来の系では先に計測したレチクルの多点計測用
マークを複数点計測しなければならず、ベースライン計
測にも長時間を要してしまうことになる。
【0016】そこで本発明は、投影露光装置に経時的に
生じ得る装置内のドリフトが基板等の位置合わせに与え
る影響を排除ないしはごく小さくすることを目的とす
る。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に係る発明による露光装置は、図2に示さ
れるように、所定の露光用パターンが形成された原版1
21を露光光によって照明する露光用照明系100と、
該露光用照明系によって照明された前記原版上の露光用
パターンの像を感光性基板202(図1)上に形成する
投影光学系112とを備え、前記原版上の露光用パター
ンを前記感光性基板上に露光する露光装置において;前
記感光性基板を載置すると共に前記投影光学系の像面に
沿って移動する基板ステージ201と;前記基板ステー
ジに設けられた基準マーク141と;前記感光性基板の
位置を検出すると共に前記基準マークに対する位置を検
出する第1の位置検出系131、132、133(図
1)と;前記投影光学系を通ると共に前記基準マークと
前記原版との間に形成される検出光路を介して、前記基
準マークと前記原版上に形成された原版マーク121
a、121b(図3)との相対位置を光学的に検出する
第2の位置検出系と;パターンの投影のために前記原版
が載置される位置と投影光学系との間に固設された固定
マーク401、402(図5)と;前記投影光学系を通
ると共に前記基準マークと前記固定マークとの間に形成
される検出光路451(図5)を介して、前記基準マー
クと前記固定マークとの相対位置を光学的に検出する第
3の位置検出系と;前記第3の位置検出系にて得られる
前記基準マークと前記固定マークとの相対位置に関する
情報に基づいて、前記第1の位置検出系から出力される
基準マークと感光性基板との相対位置に関する第1の基
準マーク検出信号と、前記第2の位置検出系から出力さ
れる前記基準マークと前記原版マークとの相対位置に関
する第2の基準マーク検出信号との少なくとも一方を補
正する信号補正系と;前記原版が載置される位置と前記
投影光学系との間、または前記投影光学系と前記基板ス
テージとの間のいずれかの露光光路中に設けられた平行
平面板501と;前記原版が載置される位置と前記投影
光学系との間の露光光路外に設けられた光路分割面また
は光路合成面の境界面413(図5)を有する光学部材
412(図5)とを備え;前記光学部材は、前記境界面
と前記基準マークとの間では前記第2の位置検出系の検
出光路と前記第3の位置検出系の検出光路とが共用する
検出光路451を形成すると共に、前記境界面と前記原
版マークとの間では前記第2の位置検出系の専用検出光
路452(図5)を形成し、さらに前記境界面と前記固
定マークとの間では前記第3の位置検出系の専用検出光
路453(図5)を形成し;前記光学部材と前記投影光
学系との合成系は、前記原版マークと前記基準マークと
を光学的に共役にすると共に、前記固定マークと前記基
準マークとを光学的に共役にし;前記平行平面板と前記
投影光学系との合成系は、前記原版の露光用パターン領
域と前記感光性基板の露光面とを光学的に共役にするこ
とを特徴とする。
【0018】このように構成すると、固定マークと第3
の位置検出系及び信号補正系を備えるので、基準マーク
のドリフトによる測定誤差が補正され、かつ平行平面板
と光学部材を備えるので、原版マークと基準マーク、固
定マークと基準マークとをそれぞれ光学的に共役にする
ことができ、原版の露光用パターンと基板の露光面とを
光学的に共役にできる。さらに投影光学系を光学部材を
含めて無収差に構成し、基板への露光に供する露光領域
は、平行平面板を用いることにより、やはり無収差の合
成系とすることができる。
【0019】以上の装置において、請求項2に係る発明
のように、前記基準マークは、前記基板ステージ上に保
持される前記感光性基板の露光面とほぼ同一の高さとな
る位置に設けられ;前記第2の位置検出系は、露光波長
を持つ光で前記基準マークと前記原版上に形成された原
版マークとの相対位置を検出し;前記第3の位置検出系
は、露光波長を持つ光で前記基準マークと前記固定マー
クとの相対位置を検出するように構成してもよい。
【0020】このように構成すると、図2に示されるよ
うに、基板ステージ201上の基準マーク141が原版
マーク121a、121bと、また固定マーク401、
402と、露光波長の光について共役になるので、露光
時と同じ良好な結像を示す状態で相対位置の検出ができ
る。
【0021】また、請求項3に係る発明による露光装置
は、以上に加えて第2の位置検出系と第3の位置検出系
とが、ほぼ同時に各相対位置を検出可能に構成される。
この場合は、各相対位置をほぼ同時に検出可能である
ので検出に要する時間を短縮できる。
【0022】請求項4に係る発明では、以上に加えて前
記第3の位置検出系は、前記第2の位置検出系と共用す
る前記基準マーク照明系を有し;該基準マーク照明系
は、前記第2の位置検出系にて前記基準マークと前記原
版との相対位置を検出する際には、露光波長を持つ光に
よって前記原版上に形成された原版マークを前記投影光
学系と前記光学部材を介して照明し;前記第3の位置検
出系にて前記基準マークと前記固定マークとの相対位置
を検出する際には、露光波長を持つ光によって前記固定
マークを前記投影光学系と前記光学部材を介して照明す
るようにしてもよい。
【0023】この場合は、露光波長の光を用いるので露
光時と同じ状態で相対位置の検出をすることができる。
【0024】請求項5に係る露光装置のように、請求項
4の発明について、前記第3の位置検出系は、前記第2
の位置検出系と共用する前記露光用照明系内部に設けら
れた光電検出器を有し;前記光電検出器は、前記投影光
学系と前記光学部材を介して前記固定マーク上に形成さ
れる前記基準マークの像と前記固定マークとからの光
を、前記露光用照明系の1部を介して受光するようにし
てもよく、このようにすると、構成部材が少なくなり製
造が容易になる。
【0025】請求項6に係る露光装置では、請求項1か
ら請求項3の装置について、前記露光用照明系は、前記
原版上に形成される原版マークと、前記投影光学系を介
して前記基準マークとを照明すると共に、前記固定マー
クと、前記投影光学系と前記光学部材を介して前記基準
マークとを照明し;前記第3の位置検出系は、前記第2
の位置検出系と共用する光電検出器を有し;前記光電検
出器は、前記第2の位置検出系にて前記基準マークと前
記原版との相対位置を検出する際には、前記投影光学系
と前記光学部材を介して前記基準マーク上に形成される
前記原版マークの像と前記基準マークとからの光を受光
し;前記第3の位置検出系にて前記基準マークと前記固
定マークとの相対位置を検出する際には、前記投影光学
系と前記光学部材を介して前記基準マーク上に形成され
る前記固定マークの像と前記基準マークとからの光を受
光することを特徴とする。
【0026】請求項7に係る露光装置では、前記露光用
照明系は、前記原版上に形成される原版マークと、前記
投影光学系と前記光学部材を介して前記基準マークとを
照明し;前記第3の位置検出系は、前記固定マークと、
前記投影光学系と前記光学部材を介して前記基準マーク
とを照明する固定マーク照明系とを有し;前記第3の位
置検出系は、前記第2の位置検出系と共用する光電検出
器を有し;前記光電検出器は、前記第2の位置検出系に
て前記基準マークと前記原版との相対位置を検出する際
には、前記投影光学系と前記光学部材を介して前記基準
マーク上に形成される前記原版マークの像と前記基準マ
ークとからの光を受光し;前記第3の位置検出系にて前
記基準マークと前記固定マークとの相対位置を検出する
際には、前記投影光学系と前記光学部材を介して前記基
板マーク上に形成される前記固定マークの像と前記基準
マークとからの光を受光することを特徴とする。
【0027】請求項8に係る露光装置では、請求項6ま
たは請求項7の装置について、前記第3の位置検出系
は、前記基準マークと前記光電検出器との間に配置され
た前記第2の位置検出系と共用するライトガイド部材を
有することを特徴とする。
【0028】このようにすると、ライトガイド部材を有
するので、光電検出器を基板ステージの中に納めること
ができ、さらにライトガイド部材が光ファイバー状の部
材を含む場合は、光電検出器の熱の装置に与える影響を
除去することができる。
【0029】請求項9に係る露光装置では、前記ライト
ガイド部材は、前記投影光学系と前記光学部材を介して
前記基準マーク上に形成される前記固定マークの像と前
記基準マークとの各拡大像を前記光電検出器の受光面上
に形成する拡大光学系を有することを特徴としており、
このようにすると、拡大光学系を有するので検出の精度
が上がる。
【0030】請求項10に係る液晶表示装置の製造方法
では、以上いずれかの露光装置を用いて、前記原版上の
パターンを前記平行平面板及び投影光学系を介して前記
感光性基板上に露光する工程を含む。
【0031】この発明では、固定マークを備えた装置を
用いるので、高品質の液晶表示装置を高いスループット
で製造することができる。
【0032】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。なお、各図において互い
に同一あるいは相当する部材には同一符号を付し、重複
した説明は省略する。
【0033】図1は、本発明による露光装置の構成を示
す概略図である。この実施の形態では、超高圧水銀ラン
プ等の光源101、反射鏡102、コリメートレンズ1
03、オプティカルインテグレーター104、ハーフミ
ラー107、リレーレンズ108、レチクルブラインド
109、レチクルブラインド結像光学系110及び反射
鏡111を含む照明光学系100、コンデンサレンズ1
13(図1には不図示、図2参照)そして投影光学系1
12、プレートステージ201が、光源101の光路中
に以上の順に配置されている。
【0034】反射鏡111またはコンデンサレンズ11
3と投影光学系112の間の光路中には、不図示の原版
ステージが設けられており、その上に、投影すべきパタ
ーンの形成されたレチクル121、122、123、1
24が順次載置されるように構成されている。
【0035】前記レチクルを載置する位置と投影光学系
112との間の、露光領域には平行平面板501が設け
られている。この実施の形態では、投影光学系112の
レンズとほぼ同一径の、所定厚さを与える互いに平行な
表面と裏面を有する円板を、その表面・裏面と直交する
2つの平行面で切断し対称な2個の半月板をそぎ落とし
た残りの小判状の平面板としたものを用いている。この
小判状の部分は、この投影光学系の基板への露光領域を
カバーするのに十分な面積を有する。
【0036】投影光学系112は、この平行平面板50
1と合わせた合成光学系として、露光波長を有する光に
対して良好な結像を示す光学系に構成され、基板ステー
ジ201上に載置される基板202の露光面と、レチク
ル121のパターンとが共役になるように配置されてい
る。平行平面板501は、図1、図2には、投影光学系
112とレチクル位置との間に設けられる場合が示され
ているが、投影光学系112とプレート202の位置と
の間であってもよい。要は、合成光学系として良好な結
像を示すように構成されればよい。
【0037】さらに、反射鏡102とコリメートレンズ
103の間には、シャッター301が設けられている。
このシャッターは光源101側にミラー面が形成されて
おり、必要に応じてメイン照明系100の光路をこのシ
ャッターにより遮断すると、前記ミラー面がその光路に
対して所定の角度をもって設定されて、光源101から
の光束が照明光学系100の外部に取り出されるように
なっている。取り出された光束は集光レンズ302によ
り、光ファイバー303の入射端に集光されるように構
成されている。シャッター301としては、複数例えば
3枚の羽根を有する回転シャッターが用いられる。
【0038】ハーフミラー107は、やはり照明光学系
内の光束を外部に導くためのもので、導き出された光束
は結像光学系のレンズ106を介して、基板202の面
と共役な結像面を有する例えば光電変換素子のような受
光素子105の受光面に結像されるように構成されてい
る。図2では受光素子105は、CCDのような撮像素
子ではなく、光強度を検出するフォトマル(フォトマル
チプライヤ)などを用いる場合で示されている。
【0039】さらに投影光学系112の周囲には、プレ
ートステージをその真下に設定したときに、そのステー
ジ上に載置されるプレート(基板)のほぼ四隅の僅かに
内側に位置するように4個のプレートアライメント系が
配置されている(131、132、133の3個のみ図
示、134は投影光学系の陰に隠れている)。
【0040】また、プレートステージの位置を座標系で
計測するために、プレート干渉系203が設けられてい
る。
【0041】ここで、基板を載置するように表面が平坦
に形成されたプレートステージ201には、基板が載置
されていないときにステージの表面から突出し、基板が
載置されるときには基板載置の邪魔にならないようにス
テージの内部に退避するように構成された基準マーク1
41(図2)が設けられている。
【0042】また、投影光学系112とプレートステー
ジ201との間には、投影光学系112用のオートフォ
ーカス系204が設けられている。
【0043】図5に、平行平面板501周辺部分の拡大
図を示す。図中、レチクル121が載置されるべき位置
と投影光学系112との間の、前記半月板をそぎ落とし
た部分がカバーする投影光学系の領域、即ち露光光路外
の領域には、ビームスプリッター412が設けられてい
る。ビームスプリッター412は、光路分割面である境
界面413を有する、例えばハーフプリズムのような光
学部材である。このビームスプリッター412は、直角
2等辺角形の断面を有する2個のプリズムが、その斜面
で接合された光学部材として構成されており、その斜面
にハーフミラーの境界面413が形成されている。光学
部材412は、投影光学系112から光軸方向に出射さ
れる検出光451を受光し、境界面413を透過してマ
ーク121aの方向に向かう光452と、境界面413
で反射して固定マーク401の方向に向かう光453と
に分割する。
【0044】ここで、光学部材412と投影光学系11
2との合成系は、露光波長を有する光に対して無収差な
光学系に構成される。また、前記基準マーク141と、
レチクルの位置合わせ用マーク121a、121bと
が、境界面413を透過する前記合成系を介して共役に
なるように構成され配置されている。また平行平面板5
01と光学部材412は、投影光学系112と合成した
とき同一パワーとなるように構成されている。即ち例え
ば同一材料の光学ガラスで同一厚さに作られている。こ
のように構成されているので、後述の図3に示されるよ
うな投影露光用パターンの周辺部の枠に形成されたレチ
クルの位置合わせ用マーク121a、121bの他、投
影露光用パターンの領域にそのパターンと隣接して形成
された多点計測用マーク125も、前記合成光学系を介
して基準マーク141他により計測することができる。
【0045】また、境界面413により反射される前記
合成光学系を介して共役な位置に、固定マーク401、
402(図1では、401はレチクル121に隠れてい
る)が、原版ステージに対して固定的に設けられてい
る。
【0046】以上、境界面413は合わせプリズムの接
合面に形成されたハーフミラーの例を示したが、フレー
ム枠に張られた、ハーフミラーとして作用する薄膜であ
ってもよい。この場合は薄膜の光学的パワーはほぼゼロ
であるので、平行平面板501は、実質的に不要とな
る。
【0047】この装置でレチクル121、122、12
3、124上のパターンをプレートステージ上に載置さ
れたプレート(感光性基板)に投影露光する場合には、
光源101の光を露光用の波長(例えばg線、h線、i
線)に、例えばコリメートレンズ103とオプティカル
インテグレータ104の間の光路中に設けられる不図示
の干渉フィルタ等により選択し、前記照明光学系100
を介して、レチクルステージ上に載置されたレチクル1
21等を照明し、そのレチクル上のパターンは、投影光
学系112により、プレートステージ201上に載置さ
れたプレート202上(図1に点線で図示)に転写され
る。この露光動作を図1に示されるように、複数例えば
4枚のレチクル121、122、123、124を用い
て、継ぎ露光を行うことにより、大きな液晶パネルが形
成されることとなる。
【0048】この露光装置におけるベースラインの計測
をする際には、まずプレート202がプレートステージ
201上に無い状態にて、基準マーク141をアップさ
せる。このとき、基準マーク141の面が、ほぼ投影光
学系112の焦点面になるようにアップする。
【0049】基準マーク141を上下動するような構造
にすれば、先に述べたようにステージの大型化を避ける
ことができるし、基準マークの数を複数、例えば2つと
し、それらの間隔をプレートアライメント系131と1
32との間隔とほぼ同一になるように定めれば、基準マ
ークを用いてプレートアライメント系131、132、
133、134の位置をプレート干渉系203により計
測するときに、プレートステージ201を移動する距離
を小さくでき、装置のスループットを高めることができ
る。
【0050】次に、図2に示す第1の実施の形態によ
り、基準マーク141を用いた固定マーク401、40
2、及びレチクルの位置合わせ用マーク121a、12
1bの位置の計測について説明する。
【0051】まず、前述のメイン照明系100内のシャ
ッター301のミラー面にて反射された光を集光レンズ
302を介して光ファイバー303にてプレートステー
ジ201上の基準マーク141に導き、これを照明す
る。なお、光ファイバー303の出射端はプレートステ
ージ201の面に平行に向けられており、その先にはコ
ンデンサレンズ305と反射鏡306が設けられてい
る。反射鏡306により照明光束は基準マーク141に
向けられるように構成されている。ここで、照明光は、
不図示の干渉フィルタ等により、露光波長に選択されて
いる。照明された基準マーク141の像は、投影光学系
112とビームスプリッター412(図5参照)を介し
て、2つの光路方向に分割され、一方は固定マーク40
1上に結像され、他方はレチクル上のレチクルマーク1
21aあるいは121b上に結像する。
【0052】ここで、図5において固定マーク401を
透過する光453は、受光レンズ171を介して光電変
換素子161に受光される。光電変換素子161として
は、シリコンフォトダイオード等が用いられる。これ
は、メイン照明光学系100と違って、境界面413の
透過率と反射率をほぼ半々にとれる、即ち、かなり強い
光を固定マーク401に照射できるので、フォトマルほ
ど微弱な光を検出する受光素子とする必要がないからで
ある。ただしフォトマルを用いてもよい。
【0053】一方図2に示されるように、レチクルの位
置合わせ用マーク121aあるいは121bを透過した
光は、照明光学系100の一部、この実施の形態ではコ
ンデンサレンズ113、反射鏡111、レチクルブライ
ンド結像光学系110、レチクルブラインド109、リ
レーレンズ108、を介して、ハーフミラー107で反
射され、光電変換素子105により受光される。光電変
換素子105としては、フォトマル等が用いられる。メ
イン照明系100内では、露光光の損失を抑えるため
に、ハーフミラー107としては透過率が反射率に比べ
てかなり大きいミラーを採用するので、微弱な光を検出
できるフォトマル等が用いられる。
【0054】図3に、レチクル121、122、12
3、124上に形成された各マークの例を示す。図中、
露光用パターンを避けた周辺部の正方形の環状枠の一方
の対向する枠上にはレチクルの位置合わせ用マーク12
1a、121bが形成された長方形の窓、他方の対辺の
枠にはレチクルアライメント系用の十文字のレチクルア
ライメントマーク121c、121dの形成された正方
形の窓があり、さらに環状枠内側の領域内の露光用パタ
ーン(不図示)の近傍には複数のレチクル多点計測マー
ク125(2個を図示)が形成されている。
【0055】ここで、基準マーク141のパターン、固
定マーク401のパターン及びレチクル位置合わせ用マ
ーク121a、121bは、それぞれ例えば図4(a)
に示されているようなスリットマークi、ii、iii
である。ここで基準マークは、iに示されるように円形
の視野中のスリット、固定マークとレチクル位置合わせ
用マークはそれぞれii、iiiに示されるように正方
形の視野中の、基準マークと同一形状のスリットとして
示されている。
【0056】ここで、プレートステージ201を走査す
ることにより、iの基準マークのスリットと、iiの固
定マークあるいはiiiのレチクル位置合わせ用マーク
が重なり再び離れる際の受光素子105にて検出される
信号は、図5の(b)に示されるような左右対称の山型
の信号が2つ連なった信号になる。この山型の信号のあ
る高さ(丸印で示すレベル)で水平に切ったスライスレ
ベルによる中点の検出等を行うことにより、干渉計20
3にてステージの位置座標を計測することができる。
【0057】このように固定マーク401、402及び
レチクル位置合わせ用マーク121a、121bの基準
マーク141を用いた計測を行う。ここで、固定マーク
を2つ設けているのは、2つの固定マークを投影光学系
112の光軸対称に配置することにより、投影光学系1
12の光軸の位置を固定点と考えられるようにしたため
であり、さらにレチクルの位置合わせのために、レチク
ルの2カ所のX、Y方向座標を計測することにより、X
方向位置、Y方向位置、ローテーションを計測可能とし
たためである。
【0058】次に、基準マーク141を用いて、プレー
トアライメント系131、132、133、134(図
1においてアライメント系134は投影光学系112に
隠れている)の位置を計測する。この計測は、通常プレ
ートのアライメントを行うマークと同様のマークを基準
マーク141に配置しておけば、プレートのアライメン
トを行うのと同様に、例えば画像処理、レーザ光による
回折光検出等の通常の信号処理を行うことにより、プレ
ートアライメント系の位置を計測することができる。
【0059】続いて、レチクル121のレチクル多点計
測用マーク125の位置を、基準マーク141を平行平
面板501のカバーする露光領域に動かして、複数点検
出しプレートステージ干渉計203で座標を求め、さら
にこの位置をレチクルアライメント系でマーク121
c、121dを用いて計測すれば、ある位置に置いたレ
チクル121でのベースラインが計測されたことにな
り、さらにこのときのレチクル位置合わせマークと基準
マークの相対位置も検出されたことになる。
【0060】次に、レチクル121をレチクル122と
交換し、まずレチクルアライメント系でレチクルアライ
メントマーク122c,122dを観察し、レチクル1
22の該マークをレチクル121の該マークと同位置に
置き、次に固定マーク401の位置とレチクル122の
位置合わせ用マーク122a(121aに対応する12
2上の不図示のマーク)の位置を基準マーク141を用
いて検出し、更に、固定マーク402の位置とレチクル
122の位置合わせ用マーク122b(121bに対応
する122上の不図示のマーク)を基準マーク141を
用いて検出することにより、先に基準マーク141を用
いて計測された、固定マーク401、402の位置との
差が求まり、この差分が基準マーク141のドリフト量
として計測されることとなる。この差分がゼロとなるよ
うにオフセット制御すれば、良いことになる。
【0061】このときレチクル122の位置合わせ用マ
ーク122aと固定マーク間の相対位置も同時に計測さ
れる。続いてレチクル122のレチクル多点計測用マー
ク125の複数点を基準マーク141を用いて計測し、
レチクル122のレチクル121に対するX、Y方向の
シフトと回転量が計算されることとなる。このときのレ
チクル122の位置合わせマーク122a、122bに
対応させることにより、レチクル122の位置合わせ用
マークのX、Y方向のシフト(回転量)を求めることが
できる。
【0062】以下、レチクル122をレチクル123と
交換し、同様のことを行えば、はじめに計測した固定マ
ーク401、402の位置との差を求めることができ
る。以下レチクル124でも同様である。
【0063】こうして、得られた各レチクルに対応した
ドリフト量を表したのが、図6のグラフである。横軸は
時間であるが、固定マーク、各レチクルマーク、プレー
トアライメント系を計測している時間に対応するところ
に、S1〜S5、R11〜R42、P1〜P2を記して
ある(P3、P4も適宜固定マーク計測の間に計測する
が、図6では不図示)。このようなデータにより、各計
測点でのドリフト量を例えば直線近似、2次近似等の補
間により求めることも可能であり、ドリフトに適した補
間方法を行えば、基準マーク141にドリフトが生じて
もごく小さな影響のみにとどめることが可能となる。更
に、固定マーク401、402等での計測の間隔を短く
すれば、より正確なオフセット量を求めることができ
る。
【0064】なお、信号補正系は、例えば図2の光電変
換素子105からの位置信号と図1のプレート干渉計か
らの出力信号を受信して、図6のグラフに示すような補
間による補正を行う不図示の制御系である。
【0065】以上のように計測された各レチクルを用い
て、露光を開始する。まず、基準マーク141を下方に
ダウンさせステージ201の中に退避させる。次に露光
を行うプレート(基板)をステージ201上に載置す
る。更に、レチクル121を、先にレチクル121の多
点計測時に求めた計測値に基づいた量だけレチクルアラ
イメント系にオフセットをもたせ、所定の位置にレチク
ル121を移動させ露光を行う。
【0066】更に、レチクル122と交換し、レチクル
122に対して多点計測された値分だけ、レチクルアラ
イメント系にオフセットを加え、所定の位置にレチクル
122を移動させ露光を行う。同様に、レチクル12
3、レチクル124についても露光動作を繰り返す。
【0067】以上は、ファースト露光の場合であり、セ
カンド露光、つまり重ね露光の場合には、レチクル12
1にて露光する前に、ファースト時に露光されたプレー
トアライメントマークをプレートアライメント系にて計
測することにより、基板の位置合わせを行い露光を開始
する。
【0068】更に、継続的に装置を使用した場合には、
例えばロットの切れ目等に再び、ベースラインを計測す
る。この時には、先に述べた順にてベースライン計測を
行わずに、予め計測してある固定マーク401、402
とレチクルの位置合わせマーク121a、121bとを
基準マーク141を用いて計測することにより、レチク
ルの多点計測用マーク125を計測すること無しに、各
マーク間をキャリブレーションできることとなる。つま
りは、基準マーク141を用い、固定マーク401、4
02、レチクルの位置合わせ用マーク121a、121
b、プレートアライメント系131〜134の位置を計
測すれば、よいこととなる。この動作を各レチクルにて
実行すればベースラインが計測されることとなる。
【0069】図7は本発明の第2の実施の形態を示す。
この実施の形態は、固定マーク401を独立に照明する
独立の固定マーク照明光学系を備える。この固定マーク
照明光学系は、図2に示したものと同様にシャッター3
01により光束を集光レンズ302と光ファイバー30
3を介してメイン照明系から引き出すように構成されて
いる。ただしこの実施の形態では、光ファイバー303
の出射端は、レチクル121を載置する位置と投影光学
系112との間に導かれている。ここには固定マーク4
01、光学部材412が図5に示される例と同様に配置
されている。
【0070】ここで、本実施の形態では、光学部材41
2は光分割部材ではなく、光合成部材として作用する。
なお図中、光学部材412を透過した光は、平行平面板
501を透過しているかのように示されているが、これ
は図示し易いように光学部材と平行平面板を上下にずら
して示したものであり、実際は光学部材412は平行平
面板501の半月状にそぎ落とした領域に設けられてお
り、図7では光学部材412が平行平面板501の手前
あり、それを光学部材412の側から見ている。
【0071】光ファイバー303の出射端からの光束は
コンデンサレンズ311により、固定マーク401に照
射される。固定マーク401を出た光は、光学部材41
2の境界面413(図5参照)で反射され、投影光学系
112に向かう。
【0072】一方、レチクルの多点計測用マーク12
5、及びレチクル121の位置合わせ用マーク121
a、121bを照明する照明光学系としては、メイン照
明光学系100が用いられる。この照明光を用い上記マ
ークを照明し、それらマークを出た光は光学部材412
に入射し、境界面413を透過し、投影光学系112に
向かう。
【0073】固定マーク401及び上記レチクル上のマ
ークと、ステージ201上の基準マーク141は、共役
関係にあるように配置されているので、投影光学系11
2を介して基準マーク141上に固定マーク401及
び、レチクル位置合わせマーク121aまたは121
b、レチクルの多点計測用マーク125が結像される。
【0074】さらにこれらの像は画像検出系により検出
される。この実施の形態では、画像検出系は、ステージ
201に埋設してある反射鏡321拡大光学系322及
び撮像素子162とで構成されている。基準マーク14
1上に結像された像、及び基準マーク141の像は、反
射鏡321拡大光学系322を介して撮像素子162上
に結像され検出される。本実施の形態でも、レチクル位
置合わせ用マーク121aと、固定マーク401は、同
時に観察可能である。
【0075】図8は、本発明の第3の実施の形態であっ
て、図2の第1の実施の形態と同様に、メイン照明系内
のシャッター301にて反射した光を、集光レンズ30
2、光ファイバー303、コンデンサレンズ305、反
射鏡306を介してステージ201上の基準マーク14
1に導き、これを露光波長に選択された照明光で照明す
る。
【0076】この実施の形態では、ビームスプリッタ4
12はレチクル121の載置される位置と投影光学系1
12の間に設けられており、その境界面413は投影光
学系112を基板ステージ201の方から透過して来た
光を、平行平面板501の半月形にそぎ落とされた部分
の側面に平行な方向に反射するような向きに配置されて
いる。図8では、固定マーク401は平行平面板の厚さ
を一辺の長さとする正方形のガラス板に形成され、その
ガラス板の一辺が平行平面板の側面に貼り付けられて構
成されている。
【0077】前述のように照明された基準マーク141
の像は、平行平面板501を含まない投影光学系112
を介して、ビームスプリッタ412により、一方は境界
面413で反射され、固定マーク401の方に偏向さ
れ、投影光学系112のほぼ焦点位置に配置された固定
マーク401上に結像され、他方は境界面413を透過
し、レチクル121上の位置合わせマーク121aに結
像する。
【0078】境界面413を透過し、固定マーク401
と拡大光学系322を介して共役な位置に、CCD等の
撮像素子162が設けられている。固定マーク401及
びレチクルの位置合わせマーク121aと、基準マーク
141の転写像を再びビームスプリッタ412、拡大光
学系322を介して、撮像素子162にて受光する。即
ち、固定マーク401の像は境界面413を透過して、
レチクルの位置合わせマーク121bの像は境界面で反
射されて、両者が合成されて撮像素子162に向かう。
【0079】更に、レチクル多点計測用マーク125に
ついては、基準マーク141が前述のように照明され、
平行平面板501を含む投影光学系112を介して、レ
チクル121にある多点計測用マーク125に基準マー
ク141の像が結像される。その像とレチクル多点計測
用マーク125の像からの光を、メイン照明系100内
に配置したフォトマル等の光電変換素子105により受
光する構成は、図2の第1の実施の形態と同様である。
【0080】図9、図10、図11は、本発明の第4の
実施の形態を示す。本実施の形態ではいずれも、基準マ
ーク141等、固定マーク401等、更にレチクル多点
計測用マーク125等、レチクルの位置合わせ用マーク
121a等を検出する受光系が共通で、かつ1つしかな
いものである。
【0081】まず図9は、メイン照明光にて照明された
固定マーク401とレチクルの位置合わせ用マーク12
1aをビームスプリッタ412にて合成し、さらに平行
平面板501を含まない投影光学系112を介して、ス
テージ201上の基準マーク141をスリットスキャン
や、ナイフエッジ等の走査することによる基準マークを
透過する光強度を検出する系であり、基準マーク141
を透過した光を光ファイバー304にて光電変換素子1
61に導く構成である。
【0082】光学部材412は、レチクル121の載置
位置と投影光学系112の間に図7の実施の形態と同様
に配置されている。この場合も光合成部材として作用す
る。ただし、固定マーク401は基準マーク141と共
役な位置である点は同様であるが、メイン照明光で照明
されるように、メイン照明光の光路中に配されており、
その像が写し込まれた光が反射鏡414により光学部材
412の方向に偏向されるように配置されている。
【0083】基準マーク141の下には、光束を基板ス
テージ201に平行な方向に偏向するように配置された
反射鏡321、偏向された光束をコリメートするコリメ
ートレンズ323、その光を入射端に受光して光電変換
素子161に導く光ファイバー304が設けられてい
る。光電変換素子161は、ステージ201の中に設け
てもかまわないが、本実施の形態では、受光素子である
光電変換素子161自身の発熱による熱膨張を小さくす
るために、熱の影響を受けない場所に光ファイバー30
4にて導くこととしたものである。
【0084】図10は、図9の実施の形態の変形例であ
り、受光センサ部としてステージ201に埋設されたC
CD等の撮像素子162を用い、基準マーク141の像
を拡大して撮像素子162へ導く拡大光学系322を設
けている。いわゆる画像処理を行うことにより、各マー
クを計測する方式である。固定マーク401の配置は、
図9と同一である。
【0085】図11は、図2に示した第1の実施例の変
形例と見ることもできる例であり、固定マーク401と
基準マーク141の相対位置検出系は、レチクル121
に光を透過させる部分を設けることにより、照明系内に
あるフォトマル等の光電変換素子105にて基準マーク
141と各マークを同一の受光素子で受光することが可
能となる。
【0086】この例では、光学部材412は図5に示す
のと同一の構成を有するが、固定マーク401は直角2
等辺3角形の断面を有するプリズムの等辺の一方の辺面
に設けられており、光学部材412に向いている。位置
は境界面413を介して基準マーク141と共役な位置
である。また該プリズムの斜辺は固定マークの像を写し
込んだ光を全反射して投影光学系112の光軸方向に向
けるように配置されている。
【0087】図12は、本発明の第5の実施の形態を示
す。本実施の形態は、基準マーク141と、固定マーク
401、レチクル位置合わせ用マーク121aを同時に
検出し、更に、その基準マーク141の反投影光学系側
に設けられた受光系324により、レチクルの多点計測
マーク125も計測され、さらに、露光中を含む常時
に、レチクルの位置合わせ用マーク121aと固定マー
ク401を計測できるレチクルアライメント系212を
追加した系である。この実施の形態では、レチクルアラ
イメントマークとレチクル位置合わせ用マークは共通に
用いられる。
【0088】レチクルの位置合わせ用マーク121aと
固定マーク401を照明する照明系には、メイン照明光
を用い、基準マーク141上に結像された各マークの像
と基準マーク141とを拡大光学系324を介して撮像
素子162上に結像させ、いわゆる画像処理を行うこと
により、各マークと基準マーク141の相対位置を同時
に計測し、更に、レチクル多点計測用マーク125と基
準マーク141もメイン照明光を用い、同撮像素子16
2にて計測される。
【0089】ここでは、いわゆる画像検出系を用いた
が、先に述べた、ステージスキャン等による検出系であ
っても構わない。さらに、ここでは、先のビームスプリ
ッタ412を用いて、レチクルの位置合わせ用マーク1
21aと固定マーク401を常時観察、計測可能なレチ
クルアライメント系212を用いている。
【0090】ここで、このレチクルアライメント系21
2について説明する。この系は、メイン照明系で用いる
例えば、水銀ランプ等の光源101から、露光光以外の
波長を干渉フィルタ331にて取り出し、光ファイバー
303にて、レチクルアライメント系212内に導いて
いる。レチクルアライメント系212内の照明系にて、
ビームスプリッタ412を介して、レチクルの位置合わ
せ用マーク121aと固定マーク401を照明し、各マ
ーク像を同ビームスプリッタ412にて合成させ、対物
レンズ341等を介してCCD165にて各マークの合
成像が検出されることとなる。
【0091】ここで、レチクルアライメント系212内
の波長を非露光光としたのは、露光中も観察可能とした
ためである。但し、不図示の別光源で、露光光と同じ波
長を選択しても構わない。この場合には、感光対策の為
に、露光中は、不図示のシャッター(例えば光学部材4
12と投影光学系112との間に設けられる)等によ
り、アライメント光が基板202(図1)に到達しない
ようにすればよい。さらに、別光源であれば、レチクル
アライメント系211内の照明系を用いることにより、
メイン照明光を用いること無しに、ステージ201上の
基準マーク141と、レチクルの位置合わせ用マーク1
21aと、固定マーク401、をステージ201上に埋
設した光学系を介して検出でき、さらにレチクルの位置
合わせマーク121aと固定マーク401も同時に、レ
チクルアライメント系212にて観察、計測可能にな
る。
【0092】この実施の形態によれば、露光の際にも、
レチクルアライメント系211内に配置したマーク指標
を用いずに、先に述べた固定マーク401、402を用
いて、レチクルアライメントの位置合わせマークとの位
置を計測、制御するために、レチクルアライメント系2
11の変形等の経時変化の影響を受けずにレチクルアラ
イメントを実行できることとなる。更に、基準マーク1
41を用いて、固定マークとレチクルの位置合わせ用マ
ークを同じ検出系にて、ほぼ同時に検出することも可能
であるため、計測時間を短縮することもでき、更に、あ
る設定された間隔でベースライン計測をするときのベー
スライン計測時間も短縮できる。加えて、レチクルの位
置合わせマークを用いたアライメントは、固定マーク
と、レチクルの位置合わせマークを観察することができ
るため、メンテナンス性も十分向上する。また、基準マ
ークの位置ズレに関係無く固定マークとレチクル位置合
わせマークの相対位置を検出可能であり、精度的にみて
も有利である。
【0093】以上述べたように構成すれば、基準マーク
をアップしてレチクルマーク、プレートアライメント系
等の位置を検出する場合に、各レチクルの位置とプレー
トアライメント系の位置とを計測する時間が、例えば、
レチクル枚数の増加等により、多くなり、ステージの移
動等による外力の影響や、その他熱的な要因により、基
準マーク自体のドリフトが大きく発生した場合であって
も、各レチクル毎に固定マークを用いてキャリブレーシ
ョンを行うことにより、その複数枚のレチクルにていわ
ゆるベースラインを計測した場合のドリフトの影響は、
レチクル1枚分の、しかも固定マークと基準マークの計
測とそのレチクルにて計測される最後の計測の間の極短
期間しか影響を受けないことになる。また、その固定マ
ークの位置を計測した値を用いて、その間を補間するこ
とにより、更に詳細なドリフト量を推定できる。また、
装置のタクトタイムを低下させること無く、装置のメン
テナンス性を向上することもできる。
【0094】以上の実施の形態では、平行平面板501
と固定マーク401とを別体として示したが、これらを
一体に形成してもよい。また、平行平面板501は投影
光学系112に対してプレートステージ201側に配置
してもよい。要は、プレートの表面と一致するような高
さにアップした基準マーク141とレチクル多点計測マ
ーク125及びレチクル位置合わせマーク121a他が
共役になり、同一平面で計測できるように、ビームスプ
リッタ412の厚さを設定してやればよい。
【0095】以上におけるドリフトとは、複数のレチク
ルについてベースラインを計測する場合の基準マークの
経時的変化や、露光の際に、レチクルのアライメントを
行う、レチクルアライメント系の揺らぎ、振動、変形等
によるドリフトを含む。
【0096】更に本発明によれば、露光の際にも、レチ
クルアライメント系内に配置したマーク指標を用いず
に、先に述べた固定マークを用いて、レチクルアライメ
ントの位置合わせマークとの位置を計測、制御するため
に、レチクルアライメント系の変形等の経時変化の影響
を受けずにレチクルアライメントを実行できることとな
る。また、従来型のレチクルアライメント系にて制御し
た場合であっても、別系統のレチクル位置計測手段を有
することとなるため、ベースライン計測時に駆動量の確
認が容易に行えるというメリットもある。更に、固定マ
ーク自身が複数あり、各々の固定マークが例えば、年単
位にわずかにドリフトが生ずることになっても、ある決
められたレチクル(テストレチクル等)を用いれば、装
置に設定された固定マークの位置と前記レチクルとを比
較することにより、容易にキャリブレーションすること
も可能となる。更に、基準マークを用いて、固定マーク
とレチクルの位置合わせ用マークを同じ検出系にて、ほ
ぼ同時に検出することも可能であるため、計測時間を短
縮することもでき、更に、ある設定された間隔でベース
ライン計測をするときのベースライン計測時間も短縮で
きる。加えて、レチクルの位置合わせマークを用いたア
ライメントは、固定マークと、レチクルの位置合わせマ
ークを観察することができるため、メンテナンス性も十
分向上することとなる。
【0097】さらに、例えば基準マークのドリフト量が
安定したところで、2カ所に配置された固定マークを基
準マークを用いて計測することにより、投影光学系の倍
率のキャリブレーションに用いることもできる。
【0098】さらには、固定マークと基準マークとの計
測系を用いて、プレートステージの上下動による信号強
度の変化を計測し、投影光学系のピント位置を求め、斜
入射型のオートフォーカス系の較正を行うことも可能に
なる。
【0099】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、固定マー
クは交換されるレチクルとは別のマークとして装置に固
定されているので、たとえ基準マークが上下動できる構
造のためにドリフトしたとしても、相対的な位置関係の
計測に実質的に影響を与えない構成をとることが可能に
なる。また光学部材と平行平面板を備えるので、原版上
の露光領域にあるマークと基準マーク、光学部材を通し
た原版上の位置合わせマークと基準マーク、固定マーク
と基準マークとをそれぞれ光学的に共役にすることがで
き、原版の露光用パターンと基板の露光面とを光学的に
共役にできる。さらに投影光学系は光学部材を含めて良
好な結像を示す収差に構成するが、基板への露光に供す
る露光領域は、平行平面板を用いることにより、やはり
良好な結像を示す収差の合成系とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による装置の概略を示す斜視図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態の概略構成図であ
る。
【図3】本発明に用いるレチクルの窓を示す図である。
【図4】本発明に用いる基準マークのパターンと固定マ
ークのパターンの例及びそれらを走査したときに受光素
子で検出される信号の例を示す図である。
【図5】図2の平行平面板周辺の構成、特に光学部材の
拡大図である。
【図6】各レチクルに対応するドリフト量を表すグラフ
を示す線図である。
【図7】本発明の第2の実施の形態の概略構成図であ
る。
【図8】本発明の第3の実施の形態の概略構成図であ
る。
【図9】本発明の第4の実施の形態、基準マークと他の
マークを1つの共通の受光系で受光する実施の形態の概
略構成図である。
【図10】第4の実施の形態の変形例である。
【図11】第4の実施の形態の別の変形例である。
【図12】本発明の第5の実施の形態、基準マークと固
定マークとレチクル位置合わせ要マークを同時に検出す
る場合の概略構成図である。
【符号の説明】
100 照明光学系 105、161、162、165 受光素子 112 投影光学系 121、122、123、124 レチクル 121a、121b レチクル位置合わせ用マーク 125 レチクル多点計測用マーク 131、132、133、134 プレートアライメン
ト系 141 基準マーク 201 プレートステージ 202 基板 211、212 レチクルアライメント系 301 シャッター 303、304 光ファイバー 401、402 固定マーク 412 光学部材 413 境界面 501 平行平面板

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の露光用パターンが形成された原版
    を露光光によって照明する露光用照明系と、該露光用照
    明系によって照明された前記原版上の露光用パターンの
    像を感光性基板上に形成する投影光学系とを備え、前記
    原版上の露光用パターンを前記感光性基板上に露光する
    露光装置において;前記感光性基板を載置すると共に前
    記投影光学系の像面に沿って移動する基板ステージと;
    前記基板ステージに設けられた基準マークと;前記感光
    性基板の位置を検出すると共に前記基準マークに対する
    位置を検出する第1の位置検出系と;前記投影光学系を
    通ると共に前記基準マークと前記原版との間に形成され
    る検出光路を介して、前記基準マークと前記原版上に形
    成された原版マークとの相対位置を光学的に検出する第
    2の位置検出系と;パターンの投影のために前記原版が
    載置される位置と投影光学系との間に固設された固定マ
    ークと;前記投影光学系を通ると共に前記基準マークと
    前記固定マークとの間に形成される検出光路を介して、
    前記基準マークと前記固定マークとの相対位置を光学的
    に検出する第3の位置検出系と;前記第3の位置検出系
    にて得られる前記基準マークと前記固定マークとの相対
    位置に関する情報に基づいて、前記第1の位置検出系か
    ら出力される基準マークと感光性基板との相対位置に関
    する第1の基準マーク検出信号と、前記第2の位置検出
    系から出力される前記基準マークと前記原版マークとの
    相対位置に関する第2の基準マーク検出信号との少なく
    とも一方を補正する信号補正系と;前記原版が載置され
    る位置と前記投影光学系との間、または前記投影光学系
    と前記基板ステージとの間のいずれかの露光光路中に設
    けられた平行平面板と;前記原版が載置される位置と前
    記投影光学系との間の露光光路外に設けられた光路分割
    面または光路合成面の境界面を有する光学部材とを備
    え;前記光学部材は、前記境界面と前記基準マークとの
    間では前記第2の位置検出系の検出光路と前記第3の位
    置検出系の検出光路とが共用する検出光路を形成すると
    共に、前記境界面と前記原版マークとの間では前記第2
    の位置検出系の専用検出光路を形成し、さらに前記境界
    面と前記固定マークとの間では前記第3の位置検出系の
    専用検出光路を形成し;前記光学部材と前記投影光学系
    との合成系は、前記原版マークと前記基準マークとを光
    学的に共役にすると共に、前記固定マークと前記基準マ
    ークとを光学的に共役にし;前記平行平面板と前記投影
    光学系との合成系は、前記原版の露光用パターン領域と
    前記感光性基板の露光面とを光学的に共役にすることを
    特徴とする、露光装置。
  2. 【請求項2】 前記基準マークは、前記基板ステージ上
    に保持される前記感光性基板の露光面とほぼ同一の高さ
    となる位置に設けられ;前記第2の位置検出系は、露光
    波長を持つ光で前記基準マークと前記原版上に形成され
    た原版マークとの相対位置を検出し;前記第3の位置検
    出系は、露光波長を持つ光で前記基準マークと前記固定
    マークとの相対位置を検出することを特徴とする、請求
    項1に記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記第2の位置検出系と前記第3の位置
    検出系とが、ほぼ同時に各相対位置を検出可能に構成さ
    れたことを特徴とする、請求項1または請求項2に記載
    の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記第3の位置検出系は、前記第2の位
    置検出系と共用する前記基準マーク照明系を有し;該基
    準マーク照明系は、前記第2の位置検出系にて前記基準
    マークと前記原版との相対位置を検出する際には、露光
    波長を持つ光によって前記原版上に形成された原版マー
    クを前記投影光学系と前記光学部材を介して照明し;前
    記第3の位置検出系にて前記基準マークと前記固定マー
    クとの相対位置を検出する際には、露光波長を持つ光に
    よって前記固定マークを前記投影光学系と前記光学部材
    を介して照明することを特徴とする、請求項1乃至請求
    項3のいずれかに記載の露光装置。
  5. 【請求項5】 前記第3の位置検出系は、前記第2の位
    置検出系と共用する前記露光用照明系内部に設けられた
    光電検出器を有し;前記光電検出器は、前記投影光学系
    と前記光学部材を介して前記固定マーク上に形成される
    前記基準マークの像と前記固定マークとからの光を、前
    記露光用照明系の1部を介して受光することを特徴とす
    る、請求項4に記載の露光装置。
  6. 【請求項6】 前記露光用照明系は、前記原版上に形成
    される原版マークと、前記投影光学系を介して前記基準
    マークとを照明すると共に、前記固定マークと、前記投
    影光学系と前記光学部材を介して前記基準マークとを照
    明し;前記第3の位置検出系は、前記第2の位置検出系
    と共用する光電検出器を有し;前記光電検出器は、前記
    第2の位置検出系にて前記基準マークと前記原版との相
    対位置を検出する際には、前記投影光学系と前記光学部
    材を介して前記基準マーク上に形成される前記原版マー
    クの像と前記基準マークとからの光を受光し;前記第3
    の位置検出系にて前記基準マークと前記固定マークとの
    相対位置を検出する際には、前記投影光学系と前記光学
    部材を介して前記基準マーク上に形成される前記固定マ
    ークの像と前記基準マークとからの光を受光することを
    特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の
    露光装置。
  7. 【請求項7】 前記露光用照明系は、前記原版上に形成
    される原版マークと、前記投影光学系と前記光学部材を
    介して前記基準マークとを照明し;前記第3の位置検出
    系は、前記固定マークと、前記投影光学系と前記光学部
    材を介して前記基準マークとを照明する固定マーク照明
    系とを有し;前記第3の位置検出系は、前記第2の位置
    検出系と共用する光電検出器を有し;前記光電検出器
    は、前記第2の位置検出系にて前記基準マークと前記原
    版との相対位置を検出する際には、前記投影光学系と前
    記光学部材を介して前記基準マーク上に形成される前記
    原版マークの像と前記基準マークとからの光を受光し;
    前記第3の位置検出系にて前記基準マークと前記固定マ
    ークとの相対位置を検出する際には、前記投影光学系と
    前記光学部材を介して前記基板マーク上に形成される前
    記固定マークの像と前記基準マークとからの光を受光す
    ることを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれか
    に記載の露光装置。
  8. 【請求項8】 前記第3の位置検出系は、前記基準マー
    クと前記光電検出器との間に配置された前記第2の位置
    検出系と共用するライトガイド部材を有することを特徴
    とする、請求項6または請求項7に記載の露光装置。
  9. 【請求項9】 前記ライトガイド部材は、前記投影光学
    系と前記光学部材を介して前記基準マーク上に形成され
    る前記固定マークの像と前記基準マークとの各拡大像を
    前記光電検出器の受光面上に形成する拡大光学系を有す
    ることを特徴とする、請求項8に記載の露光装置。
  10. 【請求項10】 請求項1乃至請求項9のいずれかに記
    載の露光装置を用いて、前記原版上のパターンを前記平
    行平面板及び投影光学系を介して前記感光性基板上に露
    光する工程を含む、液晶表示装置の製造方法。
JP9017647A 1997-01-17 1997-01-17 露光装置 Pending JPH10208990A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9017647A JPH10208990A (ja) 1997-01-17 1997-01-17 露光装置
TW086117483A TW357396B (en) 1997-01-17 1997-11-22 Exposure device
KR1019980000329A KR19980070407A (ko) 1997-01-17 1998-01-09 노광 장치
US09/009,365 US5978069A (en) 1997-01-17 1998-01-20 Exposure apparatus and methods

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9017647A JPH10208990A (ja) 1997-01-17 1997-01-17 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10208990A true JPH10208990A (ja) 1998-08-07

Family

ID=11949659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9017647A Pending JPH10208990A (ja) 1997-01-17 1997-01-17 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10208990A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI432910B (zh) 面位置檢測裝置、曝光裝置及元件製造方法
KR100471524B1 (ko) 노광방법
JP3376179B2 (ja) 面位置検出方法
US5751404A (en) Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates
EP2466384A2 (en) Plane position detecting apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
US8416423B2 (en) Interferometric apparatus for detecting 3D position of a diffracting object
JP2010066256A (ja) 面位置検出装置、露光装置、面位置検出方法およびデバイス製造方法
TW201009508A (en) Surface position measuring apparatus, surface position measuring method, exposure apparatus and device fabrication method
WO2009148185A1 (en) Surface position detecting apparatus, exposure apparatus, surface position detecting method, and device manufacturing method
JP4882384B2 (ja) 面位置検出装置、面位置検出方法、露光装置及びデバイスの製造方法
US5978069A (en) Exposure apparatus and methods
JP2002231616A (ja) 位置計測装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
JP3298212B2 (ja) 位置検出方法及び装置、露光方法、投影露光装置、並びに素子製造方法
JPH09219354A (ja) 位置検出装置及び該装置を備えた露光装置
JP5401770B2 (ja) 面位置検出装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JPH10208990A (ja) 露光装置
WO2006046430A1 (ja) 焦点検出装置
JPH05118957A (ja) 投影光学系の検査方法
JP4029134B2 (ja) 投影露光装置
JP3383994B2 (ja) 露光方法および装置
JP2000012452A (ja) 露光装置
JPH11219892A (ja) 走査型露光装置及びその視野絞り位置の測定方法
JP2007329384A (ja) 面位置検出装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JPH06291019A (ja) ステージ駆動方法
JPH10209029A (ja) アライメント系を備える露光装置