JPH10208269A - 光ピックアップヘッド及びその製造方法並びに製造装置 - Google Patents
光ピックアップヘッド及びその製造方法並びに製造装置Info
- Publication number
- JPH10208269A JPH10208269A JP9013999A JP1399997A JPH10208269A JP H10208269 A JPH10208269 A JP H10208269A JP 9013999 A JP9013999 A JP 9013999A JP 1399997 A JP1399997 A JP 1399997A JP H10208269 A JPH10208269 A JP H10208269A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- photodiode
- optical pickup
- bumps
- pickup head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、半導体レーザとフォトダイオードと
の光学的位置合わせを高精度にする 【解決手段】ＬＤ２を配線基板１上に実装し、配線基板
１上の銅ヒートシンク５上に４個のバンプ１０を形成
し、ＰＤ３をこれらバンプ１０に対して熱圧着により接
合し、かつＰＤ３から各バンプ１０に対する各加圧量を
調整して加圧変形することにより、ＬＤ２とＰＤ３とを
位置合わせする。
の光学的位置合わせを高精度にする 【解決手段】ＬＤ２を配線基板１上に実装し、配線基板
１上の銅ヒートシンク５上に４個のバンプ１０を形成
し、ＰＤ３をこれらバンプ１０に対して熱圧着により接
合し、かつＰＤ３から各バンプ１０に対する各加圧量を
調整して加圧変形することにより、ＬＤ２とＰＤ３とを
位置合わせする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ及び
フォトダイオードを配線基板上に実装した光ピックアッ
プヘッド及びその製造方法並びに製造装置に関する。
フォトダイオードを配線基板上に実装した光ピックアッ
プヘッド及びその製造方法並びに製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータ機器の情報記録媒体とし
て、ＨＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＤ、さらにはＤＶＤ（ディ
ジタル・ビデオ・ディスク）とその記憶情報量が拡大し
ている。その中で、ＤＶＤは、最もメモリ容量が大き
く、ＤＶＤプレーヤの開発が進展している。
て、ＨＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＤ、さらにはＤＶＤ（ディ
ジタル・ビデオ・ディスク）とその記憶情報量が拡大し
ている。その中で、ＤＶＤは、最もメモリ容量が大き
く、ＤＶＤプレーヤの開発が進展している。
【０００３】このような状況下において、情報を読み書
きするために用いる半導体レーザを用いた光ピックアッ
プヘッドの実装開発が重要となっている。図１１はかか
る光ピックアップヘッドの構成図である。
きするために用いる半導体レーザを用いた光ピックアッ
プヘッドの実装開発が重要となっている。図１１はかか
る光ピックアップヘッドの構成図である。
【０００４】配線基板１上には、半導体レーザ（以下、
ＬＤと記載する）２が実装されている。又、配線基板１
上には、ＬＤ２から発振したレーザビームが回折格子等
を通り、ディスクで反射したのを入射し、そのフォーカ
スやトラッキングエラー等を検出するためのフォトダイ
オード（以下、ＰＤと記載する）３が実装されている。
ＬＤと記載する）２が実装されている。又、配線基板１
上には、ＬＤ２から発振したレーザビームが回折格子等
を通り、ディスクで反射したのを入射し、そのフォーカ
スやトラッキングエラー等を検出するためのフォトダイ
オード（以下、ＰＤと記載する）３が実装されている。
【０００５】さらに、配線基板１上には、ＬＤ２の発振
出力を検出するための後方モニタ用フォトダイオード
（リアＰＤ）４が実装されている。なお、これらＬＤ
２、ＰＤ３及び後方モニタ用フォトダイオード４は、ヒ
ートシンクを兼ねた熱放散性のよい銅等のブロック、す
なわち銅ヒートシンク５ａ、５ｂ上に接合されている。
出力を検出するための後方モニタ用フォトダイオード
（リアＰＤ）４が実装されている。なお、これらＬＤ
２、ＰＤ３及び後方モニタ用フォトダイオード４は、ヒ
ートシンクを兼ねた熱放散性のよい銅等のブロック、す
なわち銅ヒートシンク５ａ、５ｂ上に接合されている。
【０００６】従って、このような光ピックアップヘッド
の製造では、ＬＤ２が銅ヒートシンク５ａ上に接合され
るとともに、ＰＤ３が銅ヒートシンク５ｂ上に接合され
る。そして、これらＬＤ２、ＰＤ３のそれぞれ接合され
た各銅ヒートシンク５ａ、５ｂが配線基板１上に接合さ
れる。
の製造では、ＬＤ２が銅ヒートシンク５ａ上に接合され
るとともに、ＰＤ３が銅ヒートシンク５ｂ上に接合され
る。そして、これらＬＤ２、ＰＤ３のそれぞれ接合され
た各銅ヒートシンク５ａ、５ｂが配線基板１上に接合さ
れる。
【０００７】これら銅ヒートシンク５ａ、５ｂは、例え
ば配線基板１に半田接合された後、ワイヤボンディング
法で各素子と配線基板１とを電気的に接続される。この
後、この光ピックアップヘッドモジュールは、気密封止
等のパッケージ封止工程に移り、光ピックアップヘッド
として完成される。
ば配線基板１に半田接合された後、ワイヤボンディング
法で各素子と配線基板１とを電気的に接続される。この
後、この光ピックアップヘッドモジュールは、気密封止
等のパッケージ封止工程に移り、光ピックアップヘッド
として完成される。
【０００８】このような光ピックアップヘッドであれ
ば、ＬＤ２からレーザビームが発振されると、このレー
ザビームは、回折格子等を通り、ディスクで反射した後
にＰＤ３に入射する。このＰＤ３は、入射したレーザビ
ームの光量によりフォーカスやトラッキングエラー等を
検出するための信号を出力する。
ば、ＬＤ２からレーザビームが発振されると、このレー
ザビームは、回折格子等を通り、ディスクで反射した後
にＰＤ３に入射する。このＰＤ３は、入射したレーザビ
ームの光量によりフォーカスやトラッキングエラー等を
検出するための信号を出力する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記光
ピックアップヘッドでは、ＬＤ２とＰＤ３との光学的な
位置合わせ精度に問題がある。すなわち、ＤＶＤ用の光
ピックアップヘッドでは、読み出しトラックピッチの狭
ピッチ化に対応すべく、ＬＤ２とＰＤ３との位置合わせ
精度は高いことが要求される。
ピックアップヘッドでは、ＬＤ２とＰＤ３との光学的な
位置合わせ精度に問題がある。すなわち、ＤＶＤ用の光
ピックアップヘッドでは、読み出しトラックピッチの狭
ピッチ化に対応すべく、ＬＤ２とＰＤ３との位置合わせ
精度は高いことが要求される。
【００１０】ＬＤ２の発光中心点からＰＤ３の受光中心
までは、Ｘ方向、Ｙ方向に共に±１００μｍ程度の高精
度で位置合わせする必要がある。さらに、Ｚ方向は、±
５〜４０μｍの精度が必要となる。
までは、Ｘ方向、Ｙ方向に共に±１００μｍ程度の高精
度で位置合わせする必要がある。さらに、Ｚ方向は、±
５〜４０μｍの精度が必要となる。
【００１１】又、ＬＤ２を銅ヒーシシンク５に接合した
際の回転方向の傾きθの精度も±０．５度以下で、ＬＤ
２とＰＤ３との位置合わせが必要になる。しかしなが
ら、上記光ピックアップヘッドでは、銅ヒートシンク５
ａ、５ｂを高精度で加工作製し、ＬＤ２、ＰＤ３を接合
するために、Ｚ方向の精度は、チップの厚さや接合材料
の半田や樹脂の厚さを制御することが極めて困難であ
る。
際の回転方向の傾きθの精度も±０．５度以下で、ＬＤ
２とＰＤ３との位置合わせが必要になる。しかしなが
ら、上記光ピックアップヘッドでは、銅ヒートシンク５
ａ、５ｂを高精度で加工作製し、ＬＤ２、ＰＤ３を接合
するために、Ｚ方向の精度は、チップの厚さや接合材料
の半田や樹脂の厚さを制御することが極めて困難であ
る。
【００１２】さらに、ＬＤ２の回転方向のばらつきをＰ
Ｄ３の実装で吸収することでできない。そこで本発明
は、半導体レーザとフォトダイオードとの高い光学的位
置合わせ精度を持った光ピックアップヘッドを提供する
ことを目的とする。
Ｄ３の実装で吸収することでできない。そこで本発明
は、半導体レーザとフォトダイオードとの高い光学的位
置合わせ精度を持った光ピックアップヘッドを提供する
ことを目的とする。
【００１３】又、本発明は、半導体レーザとフォトダイ
オードとの光学的位置合わせを高精度にできる光ピック
アップヘッドの製造方法及びその製造装置を提供するこ
とを目的とする。
オードとの光学的位置合わせを高精度にできる光ピック
アップヘッドの製造方法及びその製造装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、半導
体レーザと、この半導体レーザから出力されてディスク
で反射したレーザビームを受光するフォトダイオードと
を基板上に実装した光ピックアップヘッドにおいて、半
導体レーザ又はフォトダイオードのうち少なくとも一方
を各別に高さ調整自在な複数のバンプを介在させて基板
上に実装した光ピックアップヘッドである。
体レーザと、この半導体レーザから出力されてディスク
で反射したレーザビームを受光するフォトダイオードと
を基板上に実装した光ピックアップヘッドにおいて、半
導体レーザ又はフォトダイオードのうち少なくとも一方
を各別に高さ調整自在な複数のバンプを介在させて基板
上に実装した光ピックアップヘッドである。
【００１５】請求項２によれば、請求項１記載の光ピッ
クアップヘッドにおいて、バンプは、金属材料又は有機
樹脂によりボール形状に形成されている。請求項３によ
れば、請求項１記載の光ピックアップヘッドにおいて、
フォトダイオードは、基板に設けられた放熱部材上にバ
ンプを介在させて実装されている。
クアップヘッドにおいて、バンプは、金属材料又は有機
樹脂によりボール形状に形成されている。請求項３によ
れば、請求項１記載の光ピックアップヘッドにおいて、
フォトダイオードは、基板に設けられた放熱部材上にバ
ンプを介在させて実装されている。
【００１６】請求項４によれば、請求項１記載の光ピッ
クアップヘッドにおいて、フォトダイオードを補助マウ
ント上に設け、この補助マウントをバンプを介在させて
基板上に実装されている。
クアップヘッドにおいて、フォトダイオードを補助マウ
ント上に設け、この補助マウントをバンプを介在させて
基板上に実装されている。
【００１７】請求項５によれば、請求項１記載の光ピッ
クアップヘッドにおいて、半導体レーザは、基板上の放
熱部材上に実装され、かつこの放熱部材には、半導体レ
ーザから出力されたレーザビームの光路変更機構が形成
されている。
クアップヘッドにおいて、半導体レーザは、基板上の放
熱部材上に実装され、かつこの放熱部材には、半導体レ
ーザから出力されたレーザビームの光路変更機構が形成
されている。
【００１８】請求項６によれば、半導体レーザと、この
半導体レーザから出力されてディスクで反射したレーザ
ビームを受光するフォトダイオードとを基板上に実装し
た光ピックアップヘッドの製造方法において、半導体レ
ーザ又はフォトダイオードのうち少なくとも一方を基板
上に実装する第１の工程と、基板上に各別に高さ調整自
在なバンプを形成する第２の工程と、フォトダイオード
又は半導体レーザのうちいずれか一方をバンプに対して
熱圧着により接合する第３の工程と、フォトダイオード
又は半導体レーザのうちいずれか一方から各バンプを加
圧変形して半導体レーザとフォトダイオードとの高さ調
整する第４の工程と、を有する光ピックアップヘッドの
製造方法である。
半導体レーザから出力されてディスクで反射したレーザ
ビームを受光するフォトダイオードとを基板上に実装し
た光ピックアップヘッドの製造方法において、半導体レ
ーザ又はフォトダイオードのうち少なくとも一方を基板
上に実装する第１の工程と、基板上に各別に高さ調整自
在なバンプを形成する第２の工程と、フォトダイオード
又は半導体レーザのうちいずれか一方をバンプに対して
熱圧着により接合する第３の工程と、フォトダイオード
又は半導体レーザのうちいずれか一方から各バンプを加
圧変形して半導体レーザとフォトダイオードとの高さ調
整する第４の工程と、を有する光ピックアップヘッドの
製造方法である。
【００１９】請求項７によれば、半導体レーザと、この
半導体レーザから出力されディスクで反射したレーザビ
ームを受光するフォトダイオードとを基板上に実装した
光ピックアップヘッドの製造方法において、半導体レー
ザを基板上に実装する第１の工程と、予め基板上に設け
られた補助マウント部材上に各別に高さ調整自在な複数
のバンプを形成する第２の工程と、フォトダイオードを
バンプに対して熱圧着により接合する第３の工程と、フ
ォトダイオードから各バンプを加圧変形して半導体レー
ザに対するフォトダイオードの高さを調整する第４の工
程と、を有する光ピックアップヘッドの製造方法であ
る。
半導体レーザから出力されディスクで反射したレーザビ
ームを受光するフォトダイオードとを基板上に実装した
光ピックアップヘッドの製造方法において、半導体レー
ザを基板上に実装する第１の工程と、予め基板上に設け
られた補助マウント部材上に各別に高さ調整自在な複数
のバンプを形成する第２の工程と、フォトダイオードを
バンプに対して熱圧着により接合する第３の工程と、フ
ォトダイオードから各バンプを加圧変形して半導体レー
ザに対するフォトダイオードの高さを調整する第４の工
程と、を有する光ピックアップヘッドの製造方法であ
る。
【００２０】請求項８によれば、半導体レーザと、この
半導体レーザから出力されディスクで反射したレーザビ
ームを受光するフォトダイオードとを基板上に実装した
光ピックアップヘッドの製造方法において、半導体レー
ザを基板上に実装する第１の工程と、補助マウント部材
上にフォトダイオードを接合する第２の工程と、基板上
に各別に高さ調整自在な複数のバンプを形成する第３の
工程と、補助マウント部材をバンプに対して熱圧着によ
り接合する第４の工程と、補助マウント部材から各バン
プを加圧変形して半導体レーザに対するフォトダイオー
ドの高さを調整する第５の工程と、を有する光ピックア
ップヘッドの製造方法である。
半導体レーザから出力されディスクで反射したレーザビ
ームを受光するフォトダイオードとを基板上に実装した
光ピックアップヘッドの製造方法において、半導体レー
ザを基板上に実装する第１の工程と、補助マウント部材
上にフォトダイオードを接合する第２の工程と、基板上
に各別に高さ調整自在な複数のバンプを形成する第３の
工程と、補助マウント部材をバンプに対して熱圧着によ
り接合する第４の工程と、補助マウント部材から各バン
プを加圧変形して半導体レーザに対するフォトダイオー
ドの高さを調整する第５の工程と、を有する光ピックア
ップヘッドの製造方法である。
【００２１】請求項９によれば、半導体レーザと、この
半導体レーザから出力されディスクで反射したレーザビ
ームを受光するフォトダイオードとを基板上に実装した
光ピックアップヘッドの製造方法において、半導体レー
ザをこの半導体レーザから出力されたレーザビームの光
路変更機構が形成された放熱部材に対して接合する第１
の工程と、この放熱部材を基板に実装する第２の工程
と、フォトダイオードを補助マウント部材に接合する第
３の工程と、基板上に各別に高さ調整自在な複数のバン
プを形成する第４の工程と、補助マウント部材をバンプ
に対して熱圧着により接合する第５の工程と、補助マウ
ント部材から各バンプを加圧変形して半導体レーザに対
するフォトダイオードの高さを調する第６の工程と、を
有する光ピックアップヘッドの製造方法である。
半導体レーザから出力されディスクで反射したレーザビ
ームを受光するフォトダイオードとを基板上に実装した
光ピックアップヘッドの製造方法において、半導体レー
ザをこの半導体レーザから出力されたレーザビームの光
路変更機構が形成された放熱部材に対して接合する第１
の工程と、この放熱部材を基板に実装する第２の工程
と、フォトダイオードを補助マウント部材に接合する第
３の工程と、基板上に各別に高さ調整自在な複数のバン
プを形成する第４の工程と、補助マウント部材をバンプ
に対して熱圧着により接合する第５の工程と、補助マウ
ント部材から各バンプを加圧変形して半導体レーザに対
するフォトダイオードの高さを調する第６の工程と、を
有する光ピックアップヘッドの製造方法である。
【００２２】請求項１０によれば、請求項６、７、８又
は９記載の光ピックアップヘッドの製造方法において、
基板上に複数個のバンプを形成する。請求項１１によれ
ば、請求項６、７、８又は９記載の光ピックアップヘッ
ドの製造方法において、各バンプをそれぞれ加圧変形す
るときの各加圧量を調整し、半導体レーザに対するフォ
トダイオードの平行度、又は半導体レーザの回転方向の
傾きのずれに対する調整を行う。
は９記載の光ピックアップヘッドの製造方法において、
基板上に複数個のバンプを形成する。請求項１１によれ
ば、請求項６、７、８又は９記載の光ピックアップヘッ
ドの製造方法において、各バンプをそれぞれ加圧変形す
るときの各加圧量を調整し、半導体レーザに対するフォ
トダイオードの平行度、又は半導体レーザの回転方向の
傾きのずれに対する調整を行う。
【００２３】請求項１２によれば、半導体レーザと、こ
の半導体レーザから出力されてディスクで反射したレー
ザビームを受光するフォトダイオードとを基板上に実装
した光ピックアップヘッドの製造装置において、基板上
に各別に高さ調整自在な複数のバンプを形成するバンプ
形成手段と、半導体レーザ又はフォトダイオードの少な
くともいずれか一方をバンプ上に接合するとともに他方
を基板上に接合する実装手段と、バンプを介して基板上
に実装された半導体レーザ又はフォトダイオードのずれ
量を検出するずれ量検出手段と、バンプを介して基板上
に実装された半導体レーザ又はフォトダイオードをずれ
量検出手段により検出された高さ方向のずれ量に基づい
て加圧し、これら半導体レーザ又はフォトダイオードの
平行度及び回転方向の傾きのずれを調整する調整手段
と、を備えた光ピックアップヘッドの製造装置である。
の半導体レーザから出力されてディスクで反射したレー
ザビームを受光するフォトダイオードとを基板上に実装
した光ピックアップヘッドの製造装置において、基板上
に各別に高さ調整自在な複数のバンプを形成するバンプ
形成手段と、半導体レーザ又はフォトダイオードの少な
くともいずれか一方をバンプ上に接合するとともに他方
を基板上に接合する実装手段と、バンプを介して基板上
に実装された半導体レーザ又はフォトダイオードのずれ
量を検出するずれ量検出手段と、バンプを介して基板上
に実装された半導体レーザ又はフォトダイオードをずれ
量検出手段により検出された高さ方向のずれ量に基づい
て加圧し、これら半導体レーザ又はフォトダイオードの
平行度及び回転方向の傾きのずれを調整する調整手段
と、を備えた光ピックアップヘッドの製造装置である。
【００２４】請求項１３によれば、請求項１２記載の光
ピックアップヘッドの製造装置において、ずれ量検出手
段は、半導体レーザ又はフォトダイオードの各上端面の
高さ位置を測定し、これら高さ位置に基づいて半導体レ
ーザ又はフォトダイオードの平行度及び回転方向の傾き
のずれ量を求める機能を有する。
ピックアップヘッドの製造装置において、ずれ量検出手
段は、半導体レーザ又はフォトダイオードの各上端面の
高さ位置を測定し、これら高さ位置に基づいて半導体レ
ーザ又はフォトダイオードの平行度及び回転方向の傾き
のずれ量を求める機能を有する。
【００２５】
(1) 以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参
照して説明する。なお、図１１と同一部分には同一符号
を付してある。図１は光ピックアップヘッドの構成図で
ある。
照して説明する。なお、図１１と同一部分には同一符号
を付してある。図１は光ピックアップヘッドの構成図で
ある。
【００２６】ＬＤ２は、銅ヒートシンク５ａに対して半
田プリフォーム材等により接合され、かつこのＬＤ２の
接合された銅ヒートシンク５ａが配線基板１上に接合さ
れている。なお、銅ヒートシンク５ａは、熱放散性のよ
い銅等の材料により形成されている。
田プリフォーム材等により接合され、かつこのＬＤ２の
接合された銅ヒートシンク５ａが配線基板１上に接合さ
れている。なお、銅ヒートシンク５ａは、熱放散性のよ
い銅等の材料により形成されている。
【００２７】一方、ＰＤ３は、銅ヒートシンク５ｂ上に
ＬＤ２の発光中心に一致するように高精度にボンディン
グされている。この場合、銅ヒートシンク５ｂ上には、
複数のバンプ１０、例えば４個のバンプ１０が形成さ
れ、これらバンプ１０上にＰＤ３が実装されている。
ＬＤ２の発光中心に一致するように高精度にボンディン
グされている。この場合、銅ヒートシンク５ｂ上には、
複数のバンプ１０、例えば４個のバンプ１０が形成さ
れ、これらバンプ１０上にＰＤ３が実装されている。
【００２８】これらバンプ１０は、金や半田等の金属材
料、又は有機樹脂等でボール状に形成され、かつその大
きさは直径２００〜５００μｍ程度、高さ５０〜１００
μｍ程度に形成されている。
料、又は有機樹脂等でボール状に形成され、かつその大
きさは直径２００〜５００μｍ程度、高さ５０〜１００
μｍ程度に形成されている。
【００２９】又、後方モニタ用フォトダイオード４は、
高い実装精度が不要なので、ＬＤ２とともに銅ヒートシ
ンクａ５に直接接合されている。一方、図２はかかる光
ピックアップヘッドの製造装置の構成図である。
高い実装精度が不要なので、ＬＤ２とともに銅ヒートシ
ンクａ５に直接接合されている。一方、図２はかかる光
ピックアップヘッドの製造装置の構成図である。
【００３０】主制御装置２０には、バンプ形成機２１、
実装機２２及びレーザ変位計２３が接続されている。こ
のうちバンプ形成機２１は、配線基板１上、銅ヒートシ
ンク５ａ又は５ｂ上に金又は半田等の金属材料により円
筒状のバンプ１０を形成する機能を有するもので、例え
ばワイヤボンティング法を応用したボールパンプであ
る。
実装機２２及びレーザ変位計２３が接続されている。こ
のうちバンプ形成機２１は、配線基板１上、銅ヒートシ
ンク５ａ又は５ｂ上に金又は半田等の金属材料により円
筒状のバンプ１０を形成する機能を有するもので、例え
ばワイヤボンティング法を応用したボールパンプであ
る。
【００３１】実装機２２は、ＬＤ２又はＰＤ３の少なく
ともいずれか一方をバンプ１０上に接合するとともに他
方を配線基板１上や銅ヒートシンク５ａ又は５ｂ上に接
合する機能を有している。
ともいずれか一方をバンプ１０上に接合するとともに他
方を配線基板１上や銅ヒートシンク５ａ又は５ｂ上に接
合する機能を有している。
【００３２】この実装機２２のボンデイングツール２２
ａは、ＬＤ２が実装済みの銅ヒートシンク５ａの下面に
あるバンプ１０の変形を容易にするために、加熱ヒータ
が備えられているか、又は銅ヒートシンク５ａ或いは光
ピックアップヘッド全体を加熱する機構が備えられてい
てもよい。
ａは、ＬＤ２が実装済みの銅ヒートシンク５ａの下面に
あるバンプ１０の変形を容易にするために、加熱ヒータ
が備えられているか、又は銅ヒートシンク５ａ或いは光
ピックアップヘッド全体を加熱する機構が備えられてい
てもよい。
【００３３】すなわち、実装機２２のボンデイングツー
ル２２ａは、ＬＤ２又はＰＤ３を介してバンプ１０を加
圧変形し、ＬＤ２又はＰＤ３の平行度及び回転方向の傾
きのずれを調整するものとなっている。
ル２２ａは、ＬＤ２又はＰＤ３を介してバンプ１０を加
圧変形し、ＬＤ２又はＰＤ３の平行度及び回転方向の傾
きのずれを調整するものとなっている。
【００３４】なお、ボンデイングツール２２ａは、例え
ば先端が１〜２ｍｍ角のステンレスやモリブデン製のも
のである。その駆動手段は、例えば汎用のフェイフダウ
ンボンダのボンディングツールでよく、バネカのトルク
で押圧するものである。
ば先端が１〜２ｍｍ角のステンレスやモリブデン製のも
のである。その駆動手段は、例えば汎用のフェイフダウ
ンボンダのボンディングツールでよく、バネカのトルク
で押圧するものである。
【００３５】又、加熱温度は、常温（加熱なし）〜１０
０℃程度が変形しやすい。加圧時間は、１〜１０秒が最
適である。例えば、半田バンプの場合、加熱温度を５０
℃にして、加圧力を１５０gf、加圧時間を１秒とする
と、バンプ１０の高さの変形量は約８０μｍである。
０℃程度が変形しやすい。加圧時間は、１〜１０秒が最
適である。例えば、半田バンプの場合、加熱温度を５０
℃にして、加圧力を１５０gf、加圧時間を１秒とする
と、バンプ１０の高さの変形量は約８０μｍである。
【００３６】レーザ変位計２３は、バンプ１０を介して
配線基板１上に実装されたＬＤ２又はＰＤ３の上面にお
ける各端部の高さ位置を測定し、その高さ位置測定信号
を出力する機能を有している。
配線基板１上に実装されたＬＤ２又はＰＤ３の上面にお
ける各端部の高さ位置を測定し、その高さ位置測定信号
を出力する機能を有している。
【００３７】上記主制御装置２０は、バンプ形成機２１
及び実装機２２を動作制御し、かつレーザ変位計２３か
ら出力された高さ位置測定信号を取り込み、この高さ位
置測定信号に基づいて基づいてＬＤ２又はＰＤ３の平行
度及び回転方向の傾きのずれ量を求めるずれ量検出部２
０ａ、このずれ量に基づいて実装機２２のボンディング
ツール２２ａで加圧動作し、ＬＤ２又はＰＤ３の平行度
及び回転方向の傾きのずれを調整するずれ量調整部２０
ｂの各機能を有している。
及び実装機２２を動作制御し、かつレーザ変位計２３か
ら出力された高さ位置測定信号を取り込み、この高さ位
置測定信号に基づいて基づいてＬＤ２又はＰＤ３の平行
度及び回転方向の傾きのずれ量を求めるずれ量検出部２
０ａ、このずれ量に基づいて実装機２２のボンディング
ツール２２ａで加圧動作し、ＬＤ２又はＰＤ３の平行度
及び回転方向の傾きのずれを調整するずれ量調整部２０
ｂの各機能を有している。
【００３８】次に上記光ピックアップヘッドの製造方法
について説明する。先ず、ＬＤ２は、実装機２２により
銅ヒートシンク５ａに対して予め半田プリフォーム等に
より接合される。
について説明する。先ず、ＬＤ２は、実装機２２により
銅ヒートシンク５ａに対して予め半田プリフォーム等に
より接合される。
【００３９】この後、ＬＤ２の接合された銅ヒートシン
ク５ａは、配線基板１に対して半田等により接合され
る。次にＰＤ３は、実装機２２により銅ヒートシンク５
ｂ上に、先に実装済みのＬＤ２の発光中心に一致するよ
うに高精度にボンディングされる。
ク５ａは、配線基板１に対して半田等により接合され
る。次にＰＤ３は、実装機２２により銅ヒートシンク５
ｂ上に、先に実装済みのＬＤ２の発光中心に一致するよ
うに高精度にボンディングされる。
【００４０】すなわち、銅ヒートシンク５ｂ上には、バ
ンプ形成機２１により予め４個のバンプ１０が形成され
る。このように４個のバンプ１０を形成するのは、ＬＤ
２の回転傾きθをＰＤ３の実装で吸収するために最適で
あるからである。
ンプ形成機２１により予め４個のバンプ１０が形成され
る。このように４個のバンプ１０を形成するのは、ＬＤ
２の回転傾きθをＰＤ３の実装で吸収するために最適で
あるからである。
【００４１】これらバンプ１０は、上記の如く金又は半
田により形成する場合、ワイヤボンディング方を応用し
た、ボールバンプが簡便である。その他として、半田ボ
ール材を用いたり、メッキ法により形成してもよい。
田により形成する場合、ワイヤボンディング方を応用し
た、ボールバンプが簡便である。その他として、半田ボ
ール材を用いたり、メッキ法により形成してもよい。
【００４２】このように４個のバンプ１０が銅ヒートシ
ンク５ｂ上に形成されると、ＰＤ３は、実装機２２によ
り４個のバンプ１０上に高精度マウンタにより熱圧着等
で接合される。
ンク５ｂ上に形成されると、ＰＤ３は、実装機２２によ
り４個のバンプ１０上に高精度マウンタにより熱圧着等
で接合される。
【００４３】この際、ＰＤ３の接合のＸ方向及びＹ方向
の精度は、表面実装として±５μｍ程度以下で精度高く
実装できる。この後、ＬＤ２とＰＤ３のＺ方向のばらつ
きやＬＤ２の回転傾きθを吸収するために、パンプ実装
されたＰＤ３の４箇所つまり４個のバンプ１０の各箇所
に対し、これらの高さのばらつきに応じて加圧変形す
る。
の精度は、表面実装として±５μｍ程度以下で精度高く
実装できる。この後、ＬＤ２とＰＤ３のＺ方向のばらつ
きやＬＤ２の回転傾きθを吸収するために、パンプ実装
されたＰＤ３の４箇所つまり４個のバンプ１０の各箇所
に対し、これらの高さのばらつきに応じて加圧変形す
る。
【００４４】この加圧変形により各バンプ１０の高さを
減少させながら位置合わせ精度を追い込むことができ
る。ここで、このような加圧変形による位置合わせ調整
手順について図３に示す位置合わせフローチャート及び
図４(a)(b)に示す位置合わせ手順を参照して具体的に説
明する。
減少させながら位置合わせ精度を追い込むことができ
る。ここで、このような加圧変形による位置合わせ調整
手順について図３に示す位置合わせフローチャート及び
図４(a)(b)に示す位置合わせ手順を参照して具体的に説
明する。
【００４５】上記の如く実装機２２により、ステップ＃
１においてＬＤ２が銅ヒートシンク５ａ上に実装され、
ＰＤ３が銅ヒートシンク５ｂ上の４個のバンプ１０上に
実装される。
１においてＬＤ２が銅ヒートシンク５ａ上に実装され、
ＰＤ３が銅ヒートシンク５ｂ上の４個のバンプ１０上に
実装される。
【００４６】このように実装した場合、ＬＤ２の発光点
とＰＤ３の上面（ＰＤ３の中央部）とを高精度で位置合
わせする際、図４(a) に示すようにＰＤ３の実装ツール
の傾き等でＰＤ３には傾きが発生する。
とＰＤ３の上面（ＰＤ３の中央部）とを高精度で位置合
わせする際、図４(a) に示すようにＰＤ３の実装ツール
の傾き等でＰＤ３には傾きが発生する。
【００４７】そこで、次のステップ＃２において、レー
ザ変位計２３は、実装されたＬＤ２及びＰＤ３の各上面
における各端部の高さ位置を測定し、その高さ位置測定
信号を出力する。
ザ変位計２３は、実装されたＬＤ２及びＰＤ３の各上面
における各端部の高さ位置を測定し、その高さ位置測定
信号を出力する。
【００４８】次にステップ＃３において、主制御装置２
０のずれ量検出部２０ａは、レーザ変位計２３から出力
された高さ位置測定信号を取り込み、この高さ位置測定
信号に基づいて基づいてＬＤ２とＰＤ３との間の平行度
及び回転方向の傾きのずれ量を求める。
０のずれ量検出部２０ａは、レーザ変位計２３から出力
された高さ位置測定信号を取り込み、この高さ位置測定
信号に基づいて基づいてＬＤ２とＰＤ３との間の平行度
及び回転方向の傾きのずれ量を求める。
【００４９】次にステップ＃４において、主制御装置２
０のずれ量調整部２０ｂは、ずれ量検出部２０ａにより
求められたずれ量に基づいて実装機２２のボンディング
ツール２２ａを加圧動作し、このボンディングツール２
２ａでＰＤ３を加圧して、ＬＤ２とＰＤ３との間の平行
度及び回転方向の傾きのずれを調整する。
０のずれ量調整部２０ｂは、ずれ量検出部２０ａにより
求められたずれ量に基づいて実装機２２のボンディング
ツール２２ａを加圧動作し、このボンディングツール２
２ａでＰＤ３を加圧して、ＬＤ２とＰＤ３との間の平行
度及び回転方向の傾きのずれを調整する。
【００５０】すなわち、実装機２２は、ボンディングツ
ール２２ａを用いてバンプ１０上に接合されたＰＤ３の
上面を加圧してバンプ１０を変形し、ＬＤ２とＰＤ３と
の間の平行度及び回転方向の傾きのずれを調整する。
ール２２ａを用いてバンプ１０上に接合されたＰＤ３の
上面を加圧してバンプ１０を変形し、ＬＤ２とＰＤ３と
の間の平行度及び回転方向の傾きのずれを調整する。
【００５１】例えば、ＰＤ３の右端面をボンディングツ
ール２２ａにより加圧することで、ＬＤ２に対するＰＤ
３の平行度が調整される。又、ＬＤ２を銅ヒートシンク
５に接合した際の回転方向の傾きθのずれも、ＰＤ３の
下部の各バンプ１０に対する各加圧量を調整すること
で、図４(b) に示すようにＬＤ２に対するＰＤ３の位置
合わせが行われる。
ール２２ａにより加圧することで、ＬＤ２に対するＰＤ
３の平行度が調整される。又、ＬＤ２を銅ヒートシンク
５に接合した際の回転方向の傾きθのずれも、ＰＤ３の
下部の各バンプ１０に対する各加圧量を調整すること
で、図４(b) に示すようにＬＤ２に対するＰＤ３の位置
合わせが行われる。
【００５２】ここで、バンプ１０での高さ制御のための
高さ変動の実験例を図５及び図６を参照して説明する。
なお、図５は金ボールバンプの高さ変動の実験結果を示
し、図６は半田ボールバンプの高さ変動の実験結果を示
す。
高さ変動の実験例を図５及び図６を参照して説明する。
なお、図５は金ボールバンプの高さ変動の実験結果を示
し、図６は半田ボールバンプの高さ変動の実験結果を示
す。
【００５３】図５に示す金ボールバンプは、初期形状で
φ１００μｍで高さ５５μｍであるが、押圧すなわち加
圧力を０〜１５０gf／bumpに増加させると、直線的にバ
ンプ高さが減少する。この減少量すなわちバンプ変形量
は、３０μｍ程度である。
φ１００μｍで高さ５５μｍであるが、押圧すなわち加
圧力を０〜１５０gf／bumpに増加させると、直線的にバ
ンプ高さが減少する。この減少量すなわちバンプ変形量
は、３０μｍ程度である。
【００５４】又、図６に示す半田ボールバンプは、初期
形状でφ１００μｍで高さ１１０μｍであるが、押圧す
なわち加圧力を０〜３００gf／bumpに増加させると、バ
ンプ高さが減少する。この減少量すなわちバンプ変形量
は、金バンプよりも大きく１００μｍ程度である。
形状でφ１００μｍで高さ１１０μｍであるが、押圧す
なわち加圧力を０〜３００gf／bumpに増加させると、バ
ンプ高さが減少する。この減少量すなわちバンプ変形量
は、金バンプよりも大きく１００μｍ程度である。
【００５５】減少量の違いは、バンプ材料の硬度による
ものである。このような実験例をみると、高精度の高さ
制御には、金バンプが優れ、制御量を大きくするために
は、半田バンプが適していると言える。又、種類や形状
の異なるバンプを混在させても制御効果が高くなること
も可能性がある。
ものである。このような実験例をみると、高精度の高さ
制御には、金バンプが優れ、制御量を大きくするために
は、半田バンプが適していると言える。又、種類や形状
の異なるバンプを混在させても制御効果が高くなること
も可能性がある。
【００５６】次に、後方モニタ用フォトダイオード４
は、上記の如く高い実装精度が必要ないので、ＬＤ２と
ともに実装機２２により銅ヒートシンク５に対して直接
接合される。
は、上記の如く高い実装精度が必要ないので、ＬＤ２と
ともに実装機２２により銅ヒートシンク５に対して直接
接合される。
【００５７】この後、ＬＤ２やＰＤ３などの各素子は、
配線基板１上で、ワイヤボンディング法で配線基板１と
電気的に接続される。そして、かかる光ピックアップヘ
ッドモジュールは、気密封止等のパッケージ封止工程に
移り、光ピックアップヘッドとして完成される。
配線基板１上で、ワイヤボンディング法で配線基板１と
電気的に接続される。そして、かかる光ピックアップヘ
ッドモジュールは、気密封止等のパッケージ封止工程に
移り、光ピックアップヘッドとして完成される。
【００５８】このように上記第１の実施の形態において
は、ＬＤ２を配線基板１上に実装し、配線基板１上の銅
ヒートシンク５ｂ上に４つのバンプ１０を形成し、ＰＤ
３をこれらバンプ１０に対して熱圧着により接合し、か
つＰＤ３から各バンプ１０を加圧変形してＬＤ２とＰＤ
３とを位置合わせするので、読取りトラックの狭ピッチ
化に対応したＬＤ２とＰＤ３との高精度な光学的位置合
わせが取れた光ピックアップヘッドを得ることができ
る。
は、ＬＤ２を配線基板１上に実装し、配線基板１上の銅
ヒートシンク５ｂ上に４つのバンプ１０を形成し、ＰＤ
３をこれらバンプ１０に対して熱圧着により接合し、か
つＰＤ３から各バンプ１０を加圧変形してＬＤ２とＰＤ
３とを位置合わせするので、読取りトラックの狭ピッチ
化に対応したＬＤ２とＰＤ３との高精度な光学的位置合
わせが取れた光ピックアップヘッドを得ることができ
る。
【００５９】又、４つのバンプ１０を加圧変形する製造
方法を採用することにより、ＬＤ２とＰＤ３との高さ制
御及びＬＤ２の回転方向のばらつきを吸収でき、これら
ＬＤ２とＰＤ３との光学的位置合わせを精度を高くして
光ピックアップヘッドを製造できる。 (2) 次に本発明の第２の実施の形態について図面を参照
して説明する。なお、図１１と同一部分には同一符号を
付してある。
方法を採用することにより、ＬＤ２とＰＤ３との高さ制
御及びＬＤ２の回転方向のばらつきを吸収でき、これら
ＬＤ２とＰＤ３との光学的位置合わせを精度を高くして
光ピックアップヘッドを製造できる。 (2) 次に本発明の第２の実施の形態について図面を参照
して説明する。なお、図１１と同一部分には同一符号を
付してある。
【００６０】図７は光ピックアップヘッドの構成図であ
る。ＬＤ２は、銅ヒートシンク５ａに対して半田プリフ
ォーム材等により接合され、かつこのＬＤ２の接合され
た銅ヒートシンク５ａは配線基板１上に接合されてい
る。なお、銅ヒートシンク５ａは、熱放散性のよい銅等
の材料により形成されている。
る。ＬＤ２は、銅ヒートシンク５ａに対して半田プリフ
ォーム材等により接合され、かつこのＬＤ２の接合され
た銅ヒートシンク５ａは配線基板１上に接合されてい
る。なお、銅ヒートシンク５ａは、熱放散性のよい銅等
の材料により形成されている。
【００６１】一方、ＰＤ３は、補助マウント部材３０上
に半田により接合されている。そして、このＰＤ３の接
合され補助マウント部材３０は、ＬＤ２の発光中心に一
致するように高精度にボンディングされている。
に半田により接合されている。そして、このＰＤ３の接
合され補助マウント部材３０は、ＬＤ２の発光中心に一
致するように高精度にボンディングされている。
【００６２】この場合、配線基板１上には、４個のバン
プ３１が形成され、これらバンプ３１上に補助マウント
部材３０が接合されている。これらバンプ３１は、上記
同様に、金や半田等の金属材料、又は有機樹脂等でボー
ル状に形成され、かつその大きさは直径２００〜５００
μｍ程度、高さ５０〜１００μｍ程度に形成されてい
る。
プ３１が形成され、これらバンプ３１上に補助マウント
部材３０が接合されている。これらバンプ３１は、上記
同様に、金や半田等の金属材料、又は有機樹脂等でボー
ル状に形成され、かつその大きさは直径２００〜５００
μｍ程度、高さ５０〜１００μｍ程度に形成されてい
る。
【００６３】又、後方モニタ用フォトダイオード４は、
ＬＤ２とともに銅ヒートシンク５ａに直接接合されてい
る。次に上記光ピックアップヘッドの製造方法について
図２に示す光ピックアップヘッドの製造装置を用いて説
明する。
ＬＤ２とともに銅ヒートシンク５ａに直接接合されてい
る。次に上記光ピックアップヘッドの製造方法について
図２に示す光ピックアップヘッドの製造装置を用いて説
明する。
【００６４】先ず、ＬＤ２は、実装機２２によって銅ヒ
ートシンク５ａに半田プリフォーム等により予め接合さ
れるとともに、後方モニタ用フォトダイオード４も銅ヒ
ートシンク５ａに半田プリフォーム等により予め接合さ
れる。
ートシンク５ａに半田プリフォーム等により予め接合さ
れるとともに、後方モニタ用フォトダイオード４も銅ヒ
ートシンク５ａに半田プリフォーム等により予め接合さ
れる。
【００６５】この後、これらＬＤ２及び後方モニタ用フ
ォトダイオード４の接合された銅ヒートシンク５ａは、
配線基板１に対して実装機２２により半田等により接合
される。
ォトダイオード４の接合された銅ヒートシンク５ａは、
配線基板１に対して実装機２２により半田等により接合
される。
【００６６】又、ＰＤ３は、先ず、補助マウント部材３
０上に実装機２２を用いて半田等により接合される。一
方、配線基板１上には、バンプ形成機２１により予め４
個のバンプ３１が形成される。これら４個のバンプ３１
を形成するのは、ＬＤ２の回転傾きθをＰＤ３の実装さ
れた補助マウント３０で吸収するために最適であるから
である。
０上に実装機２２を用いて半田等により接合される。一
方、配線基板１上には、バンプ形成機２１により予め４
個のバンプ３１が形成される。これら４個のバンプ３１
を形成するのは、ＬＤ２の回転傾きθをＰＤ３の実装さ
れた補助マウント３０で吸収するために最適であるから
である。
【００６７】なお、これらバンプ３１は、上記同様に、
金又は半田により形成する場合、ワイヤボンディング方
を応用した、ボールバンプが簡便である。その他とし
て、半田ボール材を用いたり、メッキ法により形成して
もよい。
金又は半田により形成する場合、ワイヤボンディング方
を応用した、ボールバンプが簡便である。その他とし
て、半田ボール材を用いたり、メッキ法により形成して
もよい。
【００６８】このように４個のバンプ３１が配線基板１
上に形成されると、ＰＤ３の接合された補助マウント部
材３０が配線基板１上に対して、実装済みのＬＤ２の発
光中心に一致するように高精度にボンディングされ。こ
の際、Ｘ方向とＹ方向の精度は、表面実装として±５μ
ｍ程度以下で精度高く実装される。
上に形成されると、ＰＤ３の接合された補助マウント部
材３０が配線基板１上に対して、実装済みのＬＤ２の発
光中心に一致するように高精度にボンディングされ。こ
の際、Ｘ方向とＹ方向の精度は、表面実装として±５μ
ｍ程度以下で精度高く実装される。
【００６９】この後、ＬＤ２とＰＤ３とのＺ方向のばら
つきやＬＤ２の回転傾きθを吸収すべく、これらＬＤ２
とＰＤ３との位置合わせ調整を行うため上記同様に、レ
ーザ変位計２３は、実装されたＬＤ２及びＰＤ３の各上
面における各端部の高さ位置を測定し、その高さ位置測
定信号を出力する。
つきやＬＤ２の回転傾きθを吸収すべく、これらＬＤ２
とＰＤ３との位置合わせ調整を行うため上記同様に、レ
ーザ変位計２３は、実装されたＬＤ２及びＰＤ３の各上
面における各端部の高さ位置を測定し、その高さ位置測
定信号を出力する。
【００７０】主制御装置２０のずれ量検出部２０ａは、
レーザ変位計２３から出力された高さ位置測定信号を取
り込み、この高さ位置測定信号に基づいて基づいてＬＤ
２とＰＤ３との間の平行度及び回転方向の傾きのずれ量
を求める。
レーザ変位計２３から出力された高さ位置測定信号を取
り込み、この高さ位置測定信号に基づいて基づいてＬＤ
２とＰＤ３との間の平行度及び回転方向の傾きのずれ量
を求める。
【００７１】次に主制御装置２０のずれ量調整部２０ｂ
は、ずれ量検出部２０ａにより求められたずれ量に基づ
いて実装機２２のボンディングツール２２ａを加圧動作
し、ＬＤ２とＰＤ３との間の平行度及び回転方向の傾き
のずれを調整する。
は、ずれ量検出部２０ａにより求められたずれ量に基づ
いて実装機２２のボンディングツール２２ａを加圧動作
し、ＬＤ２とＰＤ３との間の平行度及び回転方向の傾き
のずれを調整する。
【００７２】すなわち、実装機２２は、ボンディングツ
ール２２ａを用いてバンプ１０上に接合されたＰＤ３の
上面を加圧してバンプ３１を変形し、例えば補助マウン
ト部材３０の右端面をボンディングツール２２ａで加圧
することで、ＬＤ２に対するＰＤ３の平行度が調整され
る。
ール２２ａを用いてバンプ１０上に接合されたＰＤ３の
上面を加圧してバンプ３１を変形し、例えば補助マウン
ト部材３０の右端面をボンディングツール２２ａで加圧
することで、ＬＤ２に対するＰＤ３の平行度が調整され
る。
【００７３】又、ＬＤ２を銅ヒートシンク５に接合した
際の回転方向の傾きθのずれも、補助マウント部材３０
の下部の各バンプ３１に対する各加圧量を調整すること
で、ＬＤ２に対するＰＤ３の位置合わせが行われる。
際の回転方向の傾きθのずれも、補助マウント部材３０
の下部の各バンプ３１に対する各加圧量を調整すること
で、ＬＤ２に対するＰＤ３の位置合わせが行われる。
【００７４】この後、ＬＤ２やＰＤ３などの各素子は、
上記同様に、配線基板１上で、ワイヤボンディング法で
配線基板１と電気的に接続される。そして、かかる光ピ
ックアップヘッドモジュールは、気密封止等のパッケー
ジ封止工程に移り、光ピックアップヘッドとして完成さ
れる。
上記同様に、配線基板１上で、ワイヤボンディング法で
配線基板１と電気的に接続される。そして、かかる光ピ
ックアップヘッドモジュールは、気密封止等のパッケー
ジ封止工程に移り、光ピックアップヘッドとして完成さ
れる。
【００７５】このように上記第２の実施の形態において
は、ＬＤ２を配線基板１上に実装し、補助マウント部材
３０上にＰＤ３を接合し、さらに配線基板１上に４つの
バンプ３１を形成し、この後、ＰＤ３を各バンプ３１に
対して熱圧着により接合し、しかる後に補助マウント部
材３０から各バンプ３１を加圧変形してＬＤ２とＰＤ３
とを位置合わせするので、上記第１の実施の形態と同様
に、読取りトラックの狭ピッチ化に対応したＬＤ２とＰ
Ｄ３との高精度な光学的位置合わせが取れた光ピックア
ップヘッドを得ることができる。
は、ＬＤ２を配線基板１上に実装し、補助マウント部材
３０上にＰＤ３を接合し、さらに配線基板１上に４つの
バンプ３１を形成し、この後、ＰＤ３を各バンプ３１に
対して熱圧着により接合し、しかる後に補助マウント部
材３０から各バンプ３１を加圧変形してＬＤ２とＰＤ３
とを位置合わせするので、上記第１の実施の形態と同様
に、読取りトラックの狭ピッチ化に対応したＬＤ２とＰ
Ｄ３との高精度な光学的位置合わせが取れた光ピックア
ップヘッドを得ることができる。
【００７６】又、４つのバンプ３１を加圧変形する製造
方法を採用することにより、ＬＤ２とＰＤ３との高さ制
御及びＬＤ２の回転方向のばらつきを吸収でき、これら
ＬＤ２とＰＤ３との光学的位置合わせを精度を高くして
光ピックアップヘッドを製造できる。
方法を採用することにより、ＬＤ２とＰＤ３との高さ制
御及びＬＤ２の回転方向のばらつきを吸収でき、これら
ＬＤ２とＰＤ３との光学的位置合わせを精度を高くして
光ピックアップヘッドを製造できる。
【００７７】さらに、ＰＤ３のベアチップよりも形状を
大きくした補助マウント部材３０の４辺端をそれぞれ加
圧変形するので、作業性、信頼性が向上できる。 (3) 次に本発明の第３の実施の形態について図面を参照
して説明する。なお、図１１と同一部分には同一符号を
付してある。
大きくした補助マウント部材３０の４辺端をそれぞれ加
圧変形するので、作業性、信頼性が向上できる。 (3) 次に本発明の第３の実施の形態について図面を参照
して説明する。なお、図１１と同一部分には同一符号を
付してある。
【００７８】図８は光ピックアップヘッドの構成図であ
る。配線基板１上には、光路変更機能付きヒートシンク
４０が接合され、このヒートシンク４０上にＬＤ２が接
合されている。
る。配線基板１上には、光路変更機能付きヒートシンク
４０が接合され、このヒートシンク４０上にＬＤ２が接
合されている。
【００７９】又、配線基板１上には、後方モニタフォト
ダイオード４が直接平行実装されている。上記光路変更
機能付きヒートシンク４０は、ＬＤ２の後方から出力さ
れたレーザビームの光路を変更して後方モニタフォトダ
イオード４に導く光路変更機構４１が形成されている。
ダイオード４が直接平行実装されている。上記光路変更
機能付きヒートシンク４０は、ＬＤ２の後方から出力さ
れたレーザビームの光路を変更して後方モニタフォトダ
イオード４に導く光路変更機構４１が形成されている。
【００８０】この光路変更機構４１は、ＬＤ２の後方か
ら出力されるレーザビーム光路上、すなわちＬＤ２の接
合面の直下の銅ヒートシンク５ａ上に、例えば斜め角度
４５度の傾斜面を形成したものである。
ら出力されるレーザビーム光路上、すなわちＬＤ２の接
合面の直下の銅ヒートシンク５ａ上に、例えば斜め角度
４５度の傾斜面を形成したものである。
【００８１】この傾斜面は、例えば鏡面仕上げすること
によりレーザ反射効率を高くしている。一方、ＰＤ３
は、補助マウント部材４２上に半田により接合されてい
る。そして、このＰＤ３の接合され補助マウント部材４
２は、ＬＤ２の発光中心に一致するように配線基板１上
に高精度にボンディングされている。
によりレーザ反射効率を高くしている。一方、ＰＤ３
は、補助マウント部材４２上に半田により接合されてい
る。そして、このＰＤ３の接合され補助マウント部材４
２は、ＬＤ２の発光中心に一致するように配線基板１上
に高精度にボンディングされている。
【００８２】この場合、配線基板１上には、図９に示す
ように４個のバンプ４３が形成され、これらバンプ４３
上に補助マウント部材４２が接合されている。これらバ
ンプ４３は、上記同様に、金や半田等の金属材料、又は
有機樹脂等でボール状に形成され、かつその大きさは直
径２００〜５００μｍ程度、高さ５０〜１００μｍ程度
に形成されている。
ように４個のバンプ４３が形成され、これらバンプ４３
上に補助マウント部材４２が接合されている。これらバ
ンプ４３は、上記同様に、金や半田等の金属材料、又は
有機樹脂等でボール状に形成され、かつその大きさは直
径２００〜５００μｍ程度、高さ５０〜１００μｍ程度
に形成されている。
【００８３】次に上記光ピックアップヘッドの製造方法
について図２に示す光ピックアップヘッドの製造装置を
用いて説明する。先ず、ＬＤ２は、光路変更機能付きヒ
ートシンク４０に対して実装機２２により半田プリフォ
ーム等により予め接合される。
について図２に示す光ピックアップヘッドの製造装置を
用いて説明する。先ず、ＬＤ２は、光路変更機能付きヒ
ートシンク４０に対して実装機２２により半田プリフォ
ーム等により予め接合される。
【００８４】この後、このＬＤ２の接合された光路変更
機能付きヒートシンク４０は、実装機２２により半田シ
ート４４を介して配線基板１上に接合される。又、後方
モニタ用フォトダイオード４は、実装機２２により予め
配線基板１上に対して直接半田プリフォーム等により接
合される。
機能付きヒートシンク４０は、実装機２２により半田シ
ート４４を介して配線基板１上に接合される。又、後方
モニタ用フォトダイオード４は、実装機２２により予め
配線基板１上に対して直接半田プリフォーム等により接
合される。
【００８５】そして、ＰＤ３は、補助マウント部材４２
上に実装機２２により半田等により接合される。一方、
配線基板１上には、バンプ形成機２１により予め４個の
バンプ４３が形成される。これら４個のバンプ４３を形
成するのは、上記同様、ＬＤ２の回転傾きθをＰＤ３の
実装された補助マウント４２で吸収するために最適であ
るからである。
上に実装機２２により半田等により接合される。一方、
配線基板１上には、バンプ形成機２１により予め４個の
バンプ４３が形成される。これら４個のバンプ４３を形
成するのは、上記同様、ＬＤ２の回転傾きθをＰＤ３の
実装された補助マウント４２で吸収するために最適であ
るからである。
【００８６】なお、これらバンプ４３は、上記同様に、
金又は半田により形成する場合、ワイヤボンディング方
を応用した、ボールバンプが簡便である。その他とし
て、半田ボール材を用いたり、メッキ法により形成して
もよい。
金又は半田により形成する場合、ワイヤボンディング方
を応用した、ボールバンプが簡便である。その他とし
て、半田ボール材を用いたり、メッキ法により形成して
もよい。
【００８７】このように４個のバンプ４３が配線基板１
上に形成されると、ＰＤ３の接合された補助マウント部
材４２が配線基板１上に対して、実装済みのＬＤ２の発
光中心に一致するように高精度にボンディングされ。こ
の際、Ｘ方向とＹ方向の精度は、表面実装として±５μ
ｍ程度以下で精度高く実装される。
上に形成されると、ＰＤ３の接合された補助マウント部
材４２が配線基板１上に対して、実装済みのＬＤ２の発
光中心に一致するように高精度にボンディングされ。こ
の際、Ｘ方向とＹ方向の精度は、表面実装として±５μ
ｍ程度以下で精度高く実装される。
【００８８】この後、ＬＤ２とＰＤ３とのＺ方向のばら
つきやＬＤ２の回転傾きθを吸収すべく、これらＬＤ２
とＰＤ３との位置合わせ調整を行うため上記同様に、レ
ーザ変位計２３は、実装されたＬＤ２及びＰＤ３の各上
面における各端部の高さ位置を測定し、その高さ位置測
定信号を出力する。
つきやＬＤ２の回転傾きθを吸収すべく、これらＬＤ２
とＰＤ３との位置合わせ調整を行うため上記同様に、レ
ーザ変位計２３は、実装されたＬＤ２及びＰＤ３の各上
面における各端部の高さ位置を測定し、その高さ位置測
定信号を出力する。
【００８９】主制御装置２０のずれ量検出部２０ａは、
レーザ変位計２３から出力された高さ位置測定信号を取
り込み、この高さ位置測定信号に基づいて基づいてＬＤ
２とＰＤ３との間の平行度及び回転方向の傾きのずれ量
を求める。
レーザ変位計２３から出力された高さ位置測定信号を取
り込み、この高さ位置測定信号に基づいて基づいてＬＤ
２とＰＤ３との間の平行度及び回転方向の傾きのずれ量
を求める。
【００９０】次に主制御装置２０のずれ量調整部２０ｂ
は、ずれ量検出部２０ａにより求められたずれ量に基づ
いて実装機２２のボンディングツール２２ａを加圧動作
し、ＬＤ２とＰＤ３との間の平行度及び回転方向の傾き
のずれを調整する。
は、ずれ量検出部２０ａにより求められたずれ量に基づ
いて実装機２２のボンディングツール２２ａを加圧動作
し、ＬＤ２とＰＤ３との間の平行度及び回転方向の傾き
のずれを調整する。
【００９１】すなわち、実装機２２は、ボンディングツ
ール２２ａを用いてバンプ４３上に接合された補助マウ
ント部材４２の右端面を加圧することでバンプ４３を変
形し、ＬＤ２に対するＰＤ３の平行度を調整する。
ール２２ａを用いてバンプ４３上に接合された補助マウ
ント部材４２の右端面を加圧することでバンプ４３を変
形し、ＬＤ２に対するＰＤ３の平行度を調整する。
【００９２】又、ＬＤ２を光路変更機能付きヒートシン
ク４０に接合した際の回転方向の傾きθのずれも、補助
マウント部材４２の下部の各バンプ４３に対する各加圧
量を調整することで、ＬＤ２に対するＰＤ３の位置合わ
せが行われる。
ク４０に接合した際の回転方向の傾きθのずれも、補助
マウント部材４２の下部の各バンプ４３に対する各加圧
量を調整することで、ＬＤ２に対するＰＤ３の位置合わ
せが行われる。
【００９３】このように上記第３の実施の形態において
は、ＬＤ２を、ＬＤ２の後方から出力されたレーザビー
ムの光路を変更して後方モニタフォトダイオード４に導
く光路変更機能付きヒートシンク４０に接合したので、
上記第１の実施の形態と同様に、読取りトラックの狭ピ
ッチ化に対応したＬＤ２とＰＤ３との高精度な光学的位
置合わせが取れた光ピックアップヘッドを得ることがで
きる。
は、ＬＤ２を、ＬＤ２の後方から出力されたレーザビー
ムの光路を変更して後方モニタフォトダイオード４に導
く光路変更機能付きヒートシンク４０に接合したので、
上記第１の実施の形態と同様に、読取りトラックの狭ピ
ッチ化に対応したＬＤ２とＰＤ３との高精度な光学的位
置合わせが取れた光ピックアップヘッドを得ることがで
きる。
【００９４】又、４つのバンプ４３を加圧変形する製造
方法を採用することにより、ＬＤ２とＰＤ３との高さ制
御及びＬＤ２の回転方向のばらつきを吸収でき、これら
ＬＤ２とＰＤ３との光学的位置合わせを精度を高くして
光ピックアップヘッドを製造できる。
方法を採用することにより、ＬＤ２とＰＤ３との高さ制
御及びＬＤ２の回転方向のばらつきを吸収でき、これら
ＬＤ２とＰＤ３との光学的位置合わせを精度を高くして
光ピックアップヘッドを製造できる。
【００９５】さらに後方モニタ用フォトダイオード４を
配線基板１上に平面実装することができ、ワイヤボンデ
ィングの作業性を飛躍的に向上できる。この場合、ＬＤ
２の接合面の直下のシークタンクに例えば斜め４５度の
傾斜面を形成することで容易に達成できる。
配線基板１上に平面実装することができ、ワイヤボンデ
ィングの作業性を飛躍的に向上できる。この場合、ＬＤ
２の接合面の直下のシークタンクに例えば斜め４５度の
傾斜面を形成することで容易に達成できる。
【００９６】又、ＬＤ２についての実装に限らず、ＰＤ
３の実装にも適用できる。すなわち、始めにＰＤ３を実
装し、その後にＬＤ２をバンプ制御を含めて高精度にボ
ンディングすることである。なお、ＬＤ２の接合部は、
高い放熱性を要求されるので、バンプの接合面積はでき
る限り大きくとるのが望ましい。
３の実装にも適用できる。すなわち、始めにＰＤ３を実
装し、その後にＬＤ２をバンプ制御を含めて高精度にボ
ンディングすることである。なお、ＬＤ２の接合部は、
高い放熱性を要求されるので、バンプの接合面積はでき
る限り大きくとるのが望ましい。
【００９７】なお、本発明は、上記第１〜第３の実施の
形態に限定されるものでなく次の通り変形してもよい。
例えば、図１０に示すようにバンプ５０、５１は、それ
ぞれＬＤ２及びＰＤ３の両方に介在させて配線基板１に
実装してもよい。
形態に限定されるものでなく次の通り変形してもよい。
例えば、図１０に示すようにバンプ５０、５１は、それ
ぞれＬＤ２及びＰＤ３の両方に介在させて配線基板１に
実装してもよい。
【００９８】この光ピックアップヘッドの製造方法を図
２に示す製造装置を用いて説明すると、先ず、配線基板
１には、バンプ形成機２１によりバンプ５０、５１を形
成する。
２に示す製造装置を用いて説明すると、先ず、配線基板
１には、バンプ形成機２１によりバンプ５０、５１を形
成する。
【００９９】次にＬＤ２を実装した銅ヒートシンク５ａ
を実装機２２によりバンプ５０上に実装する。この際、
ＬＤ２の発光点は、発光中心からずれを生じる。これは
主にＬＤ２の製造工程で発光軸のずれが発生するためで
あり、実装では補正しきれないものである。
を実装機２２によりバンプ５０上に実装する。この際、
ＬＤ２の発光点は、発光中心からずれを生じる。これは
主にＬＤ２の製造工程で発光軸のずれが発生するためで
あり、実装では補正しきれないものである。
【０１００】そこで、レーザ発光点を光学顕微鏡観察や
ＣＣＤ等の画像検出、或いはレーザ変位計２３を用い、
レーザ発光パターンを検出して補正量を検出する。次に
実装機２２のボンディングツール２２ａによる加圧
「１」により銅ヒートシンク５ａを介して左側のバンプ
５０のみを加圧変形し、ＬＤ２の発光中心からずれを修
正する。
ＣＣＤ等の画像検出、或いはレーザ変位計２３を用い、
レーザ発光パターンを検出して補正量を検出する。次に
実装機２２のボンディングツール２２ａによる加圧
「１」により銅ヒートシンク５ａを介して左側のバンプ
５０のみを加圧変形し、ＬＤ２の発光中心からずれを修
正する。
【０１０１】次にＰＤ３を実装する。この場合、実装済
みのＬＤ２の発光点とＰＤ３との間の高さ方向のギャッ
プ（Gap ）とＰＤ３自体の傾きが問題となる。このうち
ＰＤ３自体の傾きの補正に関しては、上記第１の実施の
形態で説明済みである。
みのＬＤ２の発光点とＰＤ３との間の高さ方向のギャッ
プ（Gap ）とＰＤ３自体の傾きが問題となる。このうち
ＰＤ３自体の傾きの補正に関しては、上記第１の実施の
形態で説明済みである。
【０１０２】ＰＤ３の高さ調整は、ＬＤ２の発光中心か
ら所望の実装間隔で、ＰＤ３を高精度でボンディングす
る。ここで、銅ヒートシンク５ｂの下には、予め円筒状
のバンプ５１が形成されている。
ら所望の実装間隔で、ＰＤ３を高精度でボンディングす
る。ここで、銅ヒートシンク５ｂの下には、予め円筒状
のバンプ５１が形成されている。
【０１０３】この後、ＬＤ２とＰＤ３の高さのばらつき
を高精度に制御するために、バンプ実装されたＰＤ３の
２箇所以上を同時に実装機２２のボンディングツール２
２ａで押圧することで、例えば±５μｍ程度の高精度で
追い込むことができる。
を高精度に制御するために、バンプ実装されたＰＤ３の
２箇所以上を同時に実装機２２のボンディングツール２
２ａで押圧することで、例えば±５μｍ程度の高精度で
追い込むことができる。
【０１０４】高さ制御は、例えばＬＤ２の発光点及びＰ
Ｄ３の実装高さの各４箇所をレーザ変位計２３で測定
し、これらＬＤ２とＰＤ３とのずれ量を検出しながら、
ＰＤ３の調整時と同様にボンディングツール２２ａで加
圧調整する。この場合、ボンディングツール２２ａは、
ＬＤ２の実装のときと同様に先端が１〜２ｍｍ角のステ
ンレスやモリブデン製の小型ツールでもよく、又ＰＤ３
のサイズと同等程度の大型ツールでもよい。
Ｄ３の実装高さの各４箇所をレーザ変位計２３で測定
し、これらＬＤ２とＰＤ３とのずれ量を検出しながら、
ＰＤ３の調整時と同様にボンディングツール２２ａで加
圧調整する。この場合、ボンディングツール２２ａは、
ＬＤ２の実装のときと同様に先端が１〜２ｍｍ角のステ
ンレスやモリブデン製の小型ツールでもよく、又ＰＤ３
のサイズと同等程度の大型ツールでもよい。
【０１０５】又、高さ制御は、ＬＤ２の発光点及びＰＤ
３の実装高さをレーザ変位計２３で測定し、そのずれ量
を検出した後、高さ調整機器で加圧調整する。ずれ量検
出と高さ調整は、リアルタイムで同時に実施してもよ
い。これを必要に応じてバンプ形成箇所に対応して繰り
返すことにより、精度を追い込むことができる。
３の実装高さをレーザ変位計２３で測定し、そのずれ量
を検出した後、高さ調整機器で加圧調整する。ずれ量検
出と高さ調整は、リアルタイムで同時に実施してもよ
い。これを必要に応じてバンプ形成箇所に対応して繰り
返すことにより、精度を追い込むことができる。
【０１０６】
【発明の効果】以上詳記したように本発明の請求項１乃
至５によれば、半導体レーザとフォトダイオードとの高
い光学的位置合わせ精度を持った光ピックアップヘッド
を提供できる。
至５によれば、半導体レーザとフォトダイオードとの高
い光学的位置合わせ精度を持った光ピックアップヘッド
を提供できる。
【０１０７】又、本発明の請求項２によれば、バンプを
加圧変形することで、半導体レーザとフォトダイオード
との高さ制御及び半導体レーザの回転方向のばらつきを
吸収でき、これら半導体レーザとフォトダイオードとの
光学的位置合わせが精度を高くできる光ピックアップヘ
ッドを提供できる。
加圧変形することで、半導体レーザとフォトダイオード
との高さ制御及び半導体レーザの回転方向のばらつきを
吸収でき、これら半導体レーザとフォトダイオードとの
光学的位置合わせが精度を高くできる光ピックアップヘ
ッドを提供できる。
【０１０８】又、本発明の請求項４によれば、半導体レ
ーザのベアチップよりも形状を大きくした補助マウント
部材の各辺端をそれぞれ加圧変形するので、作業性、信
頼性が向上できる光ピックアップヘッドを提供できる。
ーザのベアチップよりも形状を大きくした補助マウント
部材の各辺端をそれぞれ加圧変形するので、作業性、信
頼性が向上できる光ピックアップヘッドを提供できる。
【０１０９】又、本発明の請求項５によれば、半導体レ
ーザの後方から出力されたレーザビームの光路を変更し
て後方モニタフォトダイオードに導く光路変更機能付き
ヒートシンクに接合したので、後方モニタ用フォトダイ
オードを配線基板上に平面実装することができ、ワイヤ
ボンディングの作業性を飛躍的に向上できる光ピックア
ップヘッドを提供できる。
ーザの後方から出力されたレーザビームの光路を変更し
て後方モニタフォトダイオードに導く光路変更機能付き
ヒートシンクに接合したので、後方モニタ用フォトダイ
オードを配線基板上に平面実装することができ、ワイヤ
ボンディングの作業性を飛躍的に向上できる光ピックア
ップヘッドを提供できる。
【０１１０】又、本発明の請求項６乃至１１によれば、
半導体レーザとフォトダイオードとの光学的位置合わせ
を高精度にして製造できる光ピックアップヘッドの製造
方法を提供できる。
半導体レーザとフォトダイオードとの光学的位置合わせ
を高精度にして製造できる光ピックアップヘッドの製造
方法を提供できる。
【０１１１】又、本発明の請求項１２乃至１３によれ
ば、半導体レーザとフォトダイオードとの光学的位置合
わせを高精度にして製造できる光ピックアップヘッドの
製造装置を提供できる。
ば、半導体レーザとフォトダイオードとの光学的位置合
わせを高精度にして製造できる光ピックアップヘッドの
製造装置を提供できる。
【図１】本発明に係わる光ピックアップヘッドの第１の
実施の形態を示す構成図。
実施の形態を示す構成図。
【図２】光ピックアップヘッドの製造装置の構成図。
【図３】加圧変形による位置合わせフローチャートを示
す図。
す図。
【図４】加圧変形による位置合わせ手順を示す図。
【図５】金ボールバンプでの高さ制御のための高さ変動
の実験結果を示す図。
の実験結果を示す図。
【図６】半田ボールバンプでの高さ制御のための高さ変
動の実験結果を示す図。
動の実験結果を示す図。
【図７】本発明に係わる光ピックアップヘッドの第２の
実施の形態を示す構成図。
実施の形態を示す構成図。
【図８】本発明に係わる光ピックアップヘッドの第３の
実施の形態を示す構成図。
実施の形態を示す構成図。
【図９】同光ピックアップヘッドの製造手順を示す図。
【図１０】光ピックアップヘッド製造の変形例を示す
図。
図。
【図１１】従来の光ピックアップヘッドの構成図。
１…配線基板、 ２…半導体レーザ（ＬＤ）、 ３…フォトダイオード（ＰＤ）、 ４…後方モニタ用フォトダイオード（リアＰＤ）、 １０，３１，４３…バンプ、 ２１…バンプ形成機、 ２２…実装機、 ２３…レーザ変位計、 ２４…加圧機、 ２０ａ…ずれ量検出部、 ２０ｂ…ずれ量調整部、 ３０，４２…補助マウント部材、 ４０…光路変更機能付きヒートシンク、 ４１…光路変更機構。
Claims (13)
- 【請求項１】 半導体レーザと、この半導体レーザから
出力されてディスクで反射したレーザビームを受光する
フォトダイオードとを基板上に実装した光ピックアップ
ヘッドにおいて、 前記半導体レーザ又は前記フォトダイオードのうち少な
くとも一方を各別に高さ調整自在な複数のバンプを介在
させて前記基板上に実装したことを特徴とする光ピック
アップヘッド。 - 【請求項２】 前記バンプは、金属材料又は有機樹脂に
よりボール形状に形成されたことを特徴とする請求項１
記載の光ピックアップヘッド。 - 【請求項３】 前記フォトダイオードは、前記基板に設
けられた放熱部材上に前記バンプを介在させて実装され
たことを特徴とする請求項１記載の光ピックアップヘッ
ド。 - 【請求項４】 前記フォトダイオードを補助マウント上
に設け、この補助マウントを前記バンプを介在させて前
記基板上に実装したことを特徴とする請求項１記載の光
ピックアップヘッド。 - 【請求項５】 前記半導体レーザは、前記基板上の放熱
部材上に実装され、かつこの放熱部材には、前記半導体
レーザから出力されたレーザビームの光路変更機構が形
成されたことを特徴とする請求項１記載の光ピックアッ
プヘッド。 - 【請求項６】 半導体レーザと、この半導体レーザから
出力されディスクで反射したレーザビームを受光するフ
ォトダイオードとを基板上に実装した光ピックアップヘ
ッドの製造方法において、 前記半導体レーザ又は前記フォトダイオードのうち少な
くとも一方を前記基板上に実装する第１の工程と、 前記基板上に各別に高さ調整自在なバンプを形成する第
２の工程と、 前記フォトダイオード又は前記半導体レーザのうちいず
れか一方を前記バンプに対して熱圧着により接合する第
３の工程と、 前記フォトダイオード又は前記半導体レーザのうちいず
れか一方から前記各バンプを加圧変形して前記半導体レ
ーザと前記フォトダイオードとの高さを調整する第４の
工程と、を有することを特徴とする光ピックアップヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項７】 半導体レーザと、この半導体レーザから
出力されディスクで反射したレーザビームを受光するフ
ォトダイオードとを基板上に実装した光ピックアップヘ
ッドの製造方法において、 前記半導体レーザを前記基板上に実装する第１の工程
と、 予め前記基板上に設けられた補助マウント部材上に各別
に高さ調整自在な複数のバンプを形成する第２の工程
と、 前記フォトダイオードを前記バンプに対して熱圧着によ
り接合する第３の工程と、 前記フォトダイオードから前記各バンプを加圧変形して
前記半導体レーザに対する前記フォトダイオードの高さ
を調整する第４の工程と、を有することを特徴とする光
ピックアップヘッドの製造方法。 - 【請求項８】 半導体レーザと、この半導体レーザから
出力されディスクで反射したレーザビームを受光するフ
ォトダイオードとを基板上に実装した光ピックアップヘ
ッドの製造方法において、 前記半導体レーザを前記基板上に実装する第１の工程
と、 補助マウント部材上に前記フォトダイオードを接合する
第２の工程と、 前記基板上に各別に高さ調整自在な複数のバンプを形成
する第３の工程と、 前記補助マウント部材を前記バンプに対して熱圧着によ
り接合する第４の工程と、 前記補助マウント部材から前記各バンプを加圧変形して
前記半導体レーザに対する前記フォトダイオードの高さ
を調整する第５の工程と、を有することを特徴とする光
ピックアップヘッドの製造方法。 - 【請求項９】 半導体レーザと、この半導体レーザから
出力されディスクで反射したレーザビームを受光するフ
ォトダイオードとを基板上に実装した光ピックアップヘ
ッドの製造方法において、 前記半導体レーザをこの半導体レーザから出力されたレ
ーザビームの光路変更機構が形成された放熱部材に対し
て接合する第１の工程と、 この放熱部材を前記基板に実装する第２の工程と、 前記フォトダイオードを補助マウント部材に接合する第
３の工程と、 前記基板上に各別に高さ調整自在な複数のバンプを形成
する第４の工程と、 前記補助マウント部材を前記バンプに対して熱圧着によ
り接合する第５の工程と、 前記補助マウント部材から前記各バンプを加圧変形して
前記半導体レーザに対する前記フォトダイオードの高さ
を調整する第６の工程と、を有することを特徴とする光
ピックアップヘッドの製造方法。 - 【請求項１０】 前記基板上に複数個のバンプを形成す
ることを特徴とする請求項６、７、８又は９記載の光ピ
ックアップヘッドの製造方法。 - 【請求項１１】 前記各バンプをそれぞれ加圧変形する
ときの各加圧量を調整し、前記半導体レーザに対する前
記フォトダイオードの平行度、又は前記半導体レーザの
回転方向の傾きのずれに対する調整を行うことを特徴と
する請求項６、７、８又は９記載の光ピックアップヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項１２】 半導体レーザと、この半導体レーザか
ら出力されてディスクで反射したレーザビームを受光す
るフォトダイオードとを基板上に実装した光ピックアッ
プヘッドの製造装置において、 前記基板上に各別に高さ調整自在な複数のバンプを形成
するバンプ形成手段と、 前記半導体レーザ又は前記フォトダイオードの少なくと
もいずれか一方を前記バンプ上に接合するとともに他方
を前記基板上に接合する実装手段と、 前記バンプを介して前記基板上に実装された前記半導体
レーザ又は前記フォトダイオードのずれ量を検出するず
れ量検出手段と、 前記バンプを介して前記基板上に実装された前記半導体
レーザ又は前記フォトダイオードを前記ずれ量検出手段
により検出された高さ方向のずれ量に基づいて加圧し、
前記半導体レーザ又は前記フォトダイオードの平行度及
び回転方向の傾きのずれを調整する調整手段と、を具備
したことを特徴とする光ピックアップヘッドの製造装
置。 - 【請求項１３】 前記ずれ量検出手段は、前記半導体レ
ーザ又は前記フォトダイオードの各上端面の高さ位置を
測定し、これら高さ位置に基づいて前記半導体レーザ又
は前記フォトダイオードの平行度及び回転方向の傾きの
ずれ量を求める機能を有することを特徴とする請求項１
２記載の光ピックアップヘッドの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9013999A JPH10208269A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 光ピックアップヘッド及びその製造方法並びに製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9013999A JPH10208269A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 光ピックアップヘッド及びその製造方法並びに製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10208269A true JPH10208269A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11848937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9013999A Pending JPH10208269A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 光ピックアップヘッド及びその製造方法並びに製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10208269A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2500757A1 (en) | 2011-03-18 | 2012-09-19 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Method of manufacturing optical module |
| JP2012256946A (ja) * | 2012-09-28 | 2012-12-27 | Nec Corp | 光デバイスとその製造方法 |
-
1997
- 1997-01-28 JP JP9013999A patent/JPH10208269A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2500757A1 (en) | 2011-03-18 | 2012-09-19 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Method of manufacturing optical module |
| US9214446B2 (en) | 2011-03-18 | 2015-12-15 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Method of manufacturing optical module |
| JP2012256946A (ja) * | 2012-09-28 | 2012-12-27 | Nec Corp | 光デバイスとその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6394158B1 (en) | Method and device for thermally bonding connecting surfaces of two substrates | |
| US7464850B2 (en) | Method and apparatus for flip-chip bonding | |
| US7886956B2 (en) | Bonding apparatus and bonding stage height adjustment method for the bonding apparatus | |
| US6522618B1 (en) | Integrated optical apparatus and associated methods | |
| US6961994B2 (en) | Method of high-speed and accurate alignment using a chip mounting device | |
| KR100852567B1 (ko) | 광학 장치 장착 방법 및 광학 헤드 장치 | |
| JP3486378B2 (ja) | 光電素子を製造するための方法 | |
| JPH09138325A (ja) | 光ファイバ実装構造とその製造方法 | |
| US9507107B2 (en) | Arrangement of a substrate with at least one optical waveguide and with an optical coupling location and of an optoelectronic component, and method for manufacturing such an arrangement | |
| KR101143838B1 (ko) | 플립 칩 본딩 방법 | |
| JP2007133011A (ja) | 光結合構造およびその製造方法、光モジュール | |
| JP3140994B2 (ja) | レーザーエネルギーの手段で２つの各々の接触する素子間の接続を生成するデバイス | |
| US6853042B2 (en) | Hybrid optical element and photodetector device | |
| US11273515B2 (en) | Bonding process with rotating bonding stage | |
| TW583655B (en) | Optical assembly | |
| JP2012128233A (ja) | 光モジュール及びその実装方法 | |
| JPH10208269A (ja) | 光ピックアップヘッド及びその製造方法並びに製造装置 | |
| US20020163865A1 (en) | Optical pickup unit assembly process | |
| JP4304717B2 (ja) | 光モジュールおよびその製造方法 | |
| JP2002025104A (ja) | 集積光ヘッド装置 | |
| JP2002156562A (ja) | 半導体レーザモジュール及びその製造方法 | |
| US6254284B1 (en) | Optical pickup having optical waveguide device fixed on stem with wedge-shaped device fixing member interposed and method of manufacturing the same | |
| US6873580B2 (en) | Objective lens alignment in optical pickup unit assembly | |
| CN102163442A (zh) | 光拾取装置及其制造方法 | |
| JP3795024B2 (ja) | 接合方法および装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |