JPH10198920A

JPH10198920A - 薄膜磁気ヘッドの摺動幅加工方法

Info

Publication number: JPH10198920A
Application number: JP35905996A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Fukuyama; 博福山
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1996-12-27
Filing date: 1996-12-27
Publication date: 1998-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】信頼性が高く、生産性が良好な薄膜磁気ヘッ
ドの摺動幅加工方法を得る。【解決手段】エキシマレ−ザ２から放射されたレ−ザ
光３の光路中に所定の間隔幅Ｗ₂を持って、窓開け形成
された２つの窓領域５ａ、５ｂを有したマスク４と、前
記マスク４を所定の縮小率Ｍで縮小投影するための縮小
投影レンズ７と、所定のピッチ幅ｌで複数個の薄膜磁気
ヘッド素子１４ａ₁、１４ａ₂、…、１４ａ_nのトラッ
ク９ａ₁、９ａ₂、…、９ａ_nが形成された溶着バ−８
を順次配置し、前記溶着バ−８上に、前記縮小投影レン
ズ７で所定の縮小倍率Ｍで縮小投影された前記２つの窓
領域５ａ、５ｂの前記所定の間隔幅Ｗ₂が前記摺動幅Ｗ
に重なるようにして位置合わせを行い、前記レ−ザ光を
前記摺動幅Ｗの両側を同時に走査して加工する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＶＴＲ等のよう
に、磁気ヘッドと記録媒体が接触摺動する磁気記録再生
装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの摺動幅加工方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】ＶＴＲ、磁気ディスク装置等のように、
磁気ヘッドと記録媒体が接触摺動する磁気記録再生装置
においては、前記磁気ヘッドと前記記録媒体の間隔は、
スペ−シングロスとなり、前記磁気ヘッドの再生効率を
下げるので、前記磁気ヘッドと前記記録媒体との接触状
態は非常に重要である。前記磁気ヘッドと前記記録媒体
の良好な接触を得るには前記磁気ヘッドにおける前記記
録媒体との接触面積を小さくすれば良いことが知られて
おり、例えば特開平１−１５０２１３号公報に、前記記
録媒体との接触面積を小さくした前記磁気ヘッドが開示
されている。このことは薄膜磁気ヘッドにおいても同様
であり、薄膜磁気ヘッドにおける記録媒体との摺動幅を
小さくなるように加工すれば、良好な接触を得ることが
でき、再生効率を向上させることができる。

【０００３】図６（Ａ）は、従来の薄膜磁気ヘッドの摺
動幅加工する光学装置の配置図、図６（Ｂ）は基板上に
形成された複数個の薄膜磁気ヘッドの斜視図である。

【０００４】以下に、従来の薄膜磁気ヘッドの摺動幅加
工するための光学配置の構成について説明する。エキシ
マレ−ザ発振器２から発振したレ−ザ光３の光路中に、
長さｄ₀×幅ｌ₀の長方形状に窓開けされた窓領域２７
を有するマスク４、反射ミラ−６、縮小投影レンズ７及
び稼働可能なステ−ジ（ＸＹＺθ）１０が順次配置され
ている。ステ−ジ１０上には、基板２８が薄膜磁気ヘッ
ド素子２９ａ₁、２９ａ₂…、２９ａ_nの配列方向（Ｆ
₁Ｆ₂方向）をステ−ジ１０のＸ方向と平行に固定され
ている。

【０００５】基板２８の上部２８ａ上には、所定のピッ
チｌで薄膜磁気ヘッド素子２９ａ₁、２９ａ₂、…、２
９ａ_nが形成されている。薄膜磁気ヘッド素子２９
ａ₁、２９ａ₂…、２９ａ_nはそれぞれに対応したコア
３０ａ₁、３０ａ₂、…、３０ａ_nとコイル３１ａ₁、
３１ａ₂…、３１ａ_nを備えている。コア３０ａ₁、３
０ａ₂、…、３０ａ_nの周囲にはそれぞれに対応してコ
イル３１ａ₁、３１ａ₂…、３１ａ_nが巻回されてい
る。コイル３１ａ₁の両端は互いに平行配置されたリ−
ド線３２ａ₁と３２ｂ₁、コイル３１ａ₂の両端は互い
に平行配置されたリ−ド線３２ａ₂と３２ｂ₂、…、及
びコイル３１ａ_nの両端は互いに平行配置されたリ−ド
線３２ａ_nと３２ｂ_nに接続している。基板２８の側面
２８ｂ上には、摺動幅Ｗ、基板厚さｄ₁の寸法の金属マ
スク２８が基板の厚さｄ₁方向に、コア３０ａ₁、３０
ａ₂、…、３０ａ_nの先端部と接して形成されている。

【０００６】ステ−ジ１０を稼働、調整すると、金属マ
スク３３は縮小投影レンズ７により縮小率Ｍで縮小投影
されて形成された加工領域２７´の幅ｌ₁の真中になる
ようにできる。こうして、窓領域ｌ₀はｌ₁に、ｄ₀は
ｄ₁に対応するように位置合わができる。ｌ₀とｌ₁の
関係及びｄ₀とｄ₁の関係は、ｌ₁＝Ｍ×ｌ₀、ｄ₁＝
Ｍ×ｌ₀となる。

【０００７】薄膜磁気ヘッド２９ａ₁、２９ａ₂…、２
９ａ_nの摺動幅加工は次のように行われる。エキシマレ
−ザ発振器２からレ−ザ光３が放射されると、レ−ザ光
３はマスク４の窓開けされた窓領域２５だけを通過し、
反射ミラ−６に入射、反射された後、縮小投影レンズ７
を通過し、加工領域２７´に達すると、金属マスク３３
で覆われた以外の領域が深さ方向にレ−ザ加工され、薄
膜磁気ヘッド２９ａ₁の摺動幅Ｗ加工が行われる。次
に、ステ−ジ１０をピッチｌだけＦ₁Ｆ₂方向に平行移
動し、同様の操作を繰り返し、薄膜磁気ヘッド２９ａ₂
…、２９ａ_nの摺動幅加工を行う。このレ−ザ加工の
際、レ−ザ光３のスポット径はマスク４の寸法よりも大
きくならないようにしてある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エネル
ギ−密度Ｅ₁を有したレ−ザ光のスポット径が縮小率Ｍ
に絞られた後のエネルギ−密度をＥ₂とすると、Ｅ₂＝
Ｍ²・Ｅ₁の関係があり、加工領域２７´全体に渡って
レ−ザ照射を行って摺動幅加工を行うためにマスク４の
窓領域はｄ₀×ｌ₀の広い加工領域を必要とするので、
縮小投影レンズ７を通過後のエネルギ−密度Ｅ₁は小さ
く、前記の関係から、加工領域２７´に入射し、加工す
るためのエネルギ−密度Ｅ₂は小さく、摺動幅Ｗ加工に
時間が掛かり、生産性を落としていた。そこで、本発明
は、上記のような問題点を解消するためになされたもの
で、信頼性が高く、生産性が良好な薄膜磁気ヘッドの摺
動幅加工方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】薄膜磁気ヘッドの摺動幅
加工方法において、記録媒体と直接接触摺動させるため
の摺動幅を加工する薄膜磁気ヘッドの摺動幅加工方法に
おいて、エキシマレ−ザから放射されたレ−ザ光の光路
中に所定の間隔幅を持って、窓開け形成された２つの窓
領域を有したマスクと、前記マスクを所定の縮小率で縮
小投影するための縮小投影レンズと、所定のピッチ幅で
複数個の薄膜磁気ヘッド素子のトラックが形成された溶
着バ−を順次配置し、前記溶着バ−上に、前記縮小投影
レンズで所定の縮小倍率で縮小投影された前記２つの窓
領域の前記所定の間隔幅が前記摺動幅に重なるようにし
て位置合わせを行い、前記レ−ザ光を前記摺動幅の両側
を同時に走査して加工することを特徴とする。

【００１０】前記摺動幅の両側を同時に走査して加工す
るので、エネルギ−密度の高いレ−ザ光により摺動幅加
工が行えるので、生産性が向上する。また、ブレ−ド等
を使用した機械加工とは異なり、磨耗等による機械精度
の狂いがなく、安定した摺動幅加工行えるので、信頼性
の高い摺動幅を有した薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の薄膜磁気ヘッドの摺動幅
加工方法の一実施例について図と共に以下に説明する。
図１は本発明の薄膜磁気ヘッドの摺動幅加工するための
光学装置を示す図である。図２（ａ）は、絶縁層１３の
一部を切り欠き、基板１１上に形成された薄膜磁気ヘッ
ド素子１４ａ₁、１４ａ₂、…、１４ａ_nを露出させた
す図であり、図２（ｂ）は、の薄膜磁気ヘッド素子１４
ａ₁のＡＡ断面図である。図３は、薄膜磁気ヘッド素子
１４ａ₁、１４ａ₂、…１４ａ_nの摺動幅加工の工程図
である。前述した構成と同一構成部分は同一符号を付
し、その説明を省略する。

【００１２】まず、薄膜磁気ヘッドの摺動幅加工するた
めの光学装置１の構成について説明する。エキシマレ−
ザ２から発振したレ−ザ光３の光路中に、間隔幅がＷ₂
で、幅ｌ₂×長さｄ2 の２つの長方形形状に窓開けされ
た窓領域５ａ、５ｂを有するマスク４、反射ミラ−６、
縮小投影レンズ７及び稼働可能なステ−ジ（ＸＹＺθ）
１０が順次配置されている。ステ−ジ１０上には溶着バ
−８が薄膜磁気ヘッド素子１４ａ₁、１４ａ₂、…１４
ａ_nの配列方向（Ｆ₁Ｆ₂方向）をステ−ジ１０のＸ方
向と平行に固定されている。

【００１３】溶着バ−８は、等間隔ピッチｌで薄膜磁気
ヘッド素子１４ａ₁、１４ａ₂、…、１４ａ_nが形成さ
れた基板１１と保護基板１２とが張り合わされた構造を
している。基板１１の上面１１ａ上には、所定のピッチ
幅ｌで薄膜磁気ヘッド素子１４ａ₁、１４ａ₂、…、１
４ａ_nが形成されている。薄膜磁気ヘッド素子１４
ａ₁、１４ａ₂…、１４ａ_nはそれぞれに対応したるコ
ア１５ａ₁、１５ａ₂、…、１５ａ_nとコイル１６
ａ₁、１６ａ₂…、１６ａ_nを備えている。コア１５ａ
₁、１５ａ₂、…、１５ａ_nの周囲にはそれぞれに対応
して、コイル１６ａ₁、１６ａ₂…、１６ａ_nが巻回さ
れている。コイル１６ａ₁の両端は互いに平行配置され
たリ−ド線１７ａ₁と１７ｂ₁、コイル１６ａ₂の両端
は互いに平行配置されたリ−ド線１７ａ₂と１７ｂ₂、
…、及びコイル１６ａ_nの両端は互いに平行配置された
リ−ド線１７ａ_nと１７ｂ_nに接続している。基板１１
の側面１１ｂ上には、薄膜磁気ヘッド１４ａ₁、１４ａ
₂…、１４ａ_nのトラック９ａ₁、９ａ₂、…、９ｂ_n
が摺動幅Ｗ、長さｈを有して形成されている。薄膜磁気
ヘッド素子１４ａ₁、１４ａ₂…、１４ａ_nの上を覆う
ようにして絶縁層１５が形成されている。

【００１４】ここで、図２（ｂ）の薄膜磁気ヘッド素子
の断面図により更に詳細に、薄膜磁気ヘッド素子１４ａ
₁、１４ａ₂…、１４ａ_nの構造について説明する。薄
膜磁気ヘッド１４ａ₁について説明し、その他の断面形
状は同様であるので説明は省略する。絶縁層１３が形成
された基板１１上に磁性体からなる下コア１８と下部絶
縁層２３ａが段差なく接触して形成され、トラック９ａ
₁側には、磁気ギャップ１９を介して磁性体からなる中
間コア２０ａが形成されている。トラック９ａ₁側と反
対側には、中間コア２０ｂが形成されている。中間コア
２０ａと中間コア２０ｂに跨がり、上コア２１が下コア
１８と対抗して形成され、上コア２１と下コア１８との
間及び磁気ギャップ１９には中間絶縁層２３ｂが形成さ
れている。また、上コア２１と下コア１８の間の中間絶
縁層２３ｂ中には、コイルパタ−ン２２が中間コア２０
ｂを取り巻いている。下部絶縁層２３ａ上にコイルパタ
−ン２２を埋め込んだ中間絶縁層２３ｂ、上部絶縁層２
３ｃが順次積層されている。上部絶縁層２３ｃと上コア
２１は段差なく形成されている。

【００１５】また、窓領域５ａは加工領域５´ａ、窓領
域５ｂは加工領域５´ｂに対応するように、即ち、ｌ₂
がｌ´₂、ｄ₂がｄ´₂に対応し、間隔幅Ｗ₂は摺動幅
Ｗに対応するように溶着バ−８上に縮小率Ｍで縮小投影
できるようになっている。このためｌ₂とｌ´₂、ｄ₂
とｄ´₂、Ｗ₂とＷとの関係は以下のようになる。ｌ₂＝Ｍ×ｌ´₂、ｄ₂＝Ｍ×ｄ´₂、Ｗ₂＝Ｍ×Ｗとなる。

【００１６】ここで、縮小投影レンズ７によって縮小さ
れる投影像の縮小率Ｍについて説明する。縮小投影レン
ズ７からマスク４までの光学的距離をＡ、縮小投影レン
ズ７から光軸上に位置するトラック９ａ₁、９ａ₂、
…、９ａ_nまでの光学的距離（例えば、トラック９ａ₁
の摺動幅Ｗを加工する場合には縮小投影レンズ７からト
ラック９ａ₁までの光学的距離）をＢ、縮小投影レンズ
１０の焦点距離をｆ、縮小率Ｍとすると、１／Ａ＋１／Ｂ＝１／ｆ

【００１７】Ｍ＝Ａ／Ｂとなる。

【００１８】このため、縮小投影レンズ７から光軸上に
位置するトラック９ａ₁、９ａ₂、…、９ａ_nまでの光
学的距離Ｂ（例えば、縮小投影レンズ７の光軸上にトラ
ック９ａ₁を位置させトラック９ａ₁の摺動幅Ｗを加工
する場合には、縮小投影レンズ７からトラック９ａ₁ま
での光学的距離）を一定とした場合、縮小投影レンズ７
からマスク４までの光学的距離Ａを調節することによっ
て縮小率Ｍを調節することができる。

【００１９】次に、光学装置１を用いた溶着バ−８のト
ラック９ａ₁、９ａ₂、…、９ａ_nの摺動幅Ｗ加工する
方法について説明する。まず初めに、トラック９ａ₁の
摺動幅Ｗ加工について説明する。縮小投影レンズ７から
マスク４までの光学的距離Ａ、及び縮小投影レンズ７の
光軸上でステ−ジ１０を上下動させることによって、縮
小投影レンズ７からトラック９ａ₁までの光学的距離Ｂ
を変化させ、マスク４の縮小率がＭになるように設定す
る。縮小投影レンズ７の光軸上でステ−ジ１０を溶着バ
−８のトラック９ａ₁、９ａ₂、…、９ａ_nの配列方向
と同じ方向のＸ方向、Ｙ、Ｚ及びθ回転させて、縮小率
Ｍで窓領域５ａ、５ｂの縮小投影された加工領域５´
ａ、５´ｂがトラック９ａ₁の摺動幅Ｗを挟みようにし
て、位置合わせする。この後、ステ−ジ１０をＹ方向に
平行移動させ、縮小投影５´ａ、５´ｂを溶着バ−８の
一方の端８ａ（または、８ｂ）に合わせる（図３
（ａ））。この時、間隔幅Ｗ₂は縮小されて摺動幅Ｗと
同じ大きさとなり、摺動幅Ｗと重なるようになる。

【００２０】その状態から、ステ−ジ１０をＹ方向に向
かって移動を開始し、溶着バ−８の一方の端８ａ（また
は、８ｂ）から他方の端８ｂ（または、８ａ）までレ−
ザ光３を走査させて加工し、加工溝２５ａ₁を形成す
る。この際、摺動幅Ｗはレ−ザ光照射されないので、加
工されないでそのまま残り、摺動幅Ｗの両側に加工溝２
５ａ₁を有した摺動面２４ａ₁が作製できる（図３
（ｂ））。

【００２１】以下、ピッチｌずつＦ₁方向にステ−ジ１
０を移動し、同様の操作を繰り返すことによって、摺動
幅Ｗの両側に加工溝２５ａ₂、２５ａ₃、…、２５ａ_n
を有した摺動面２４ａ₂、２４ａ₄、…、２４ａ_nの作
製が可能となる（図３（ｃ））。

【００２２】この時、摺動面２４ａ₁、２４ａ₂、…、
２４ａ_nの断面形状は側面２６ａ₁、２６ａ₂、…、２
６ａ_nと加工溝の底辺ｍとのなす角度が加工溝傾斜角θ
₀である台形形状となる。また加工溝２５ａ₁、２５ａ
₂、…、２５ａ_nの加工溝深さはｈ₀である。

【００２３】なお、エキシマレ−ザ２の発振はパルスで
あり、そのスポット面積は、十分大きいが、マスク４の
照射面積はレ−ザ照射面積に比較して小さく設定されて
いる。本発明では、エキシマレ−ザのスポット面積は
約 0.6ｍｍ×9 ｍｍであるのに対して、レ−ザ光の照射
面積は窓領域５ａ、５ｂの幅ｌ₂（0.75ｍｍ）及びその
間隔幅Ｗ₁（0.3 ｍｍ）を合わせた幅（２ｌ₂＋Ｗ₁）
は1.05ｍｍであり、窓領域５ａ、５ｂの長さｄ₂は0.6
ｍｍであるので、レ−ザ光３の最低限の照射面積0.42ｍ
ｍ×0.6 ｍｍとなり、レ−ザ照射面積よりも十分小さく
なるようにしている。このような大きいレ−ザスポット
が得られるのはエキシマレ−ザの特徴である。

【００２４】また、レ−ザ加工においては、レ−ザ光３
は溶着バ−８上で熱エネルギ−に変換され、表面温度が
上昇して変態、溶融、蒸発することによって深さ方向に
加工されるのである。

【００２５】加工した加工溝形状及び加工深さはレ−ザ
のエネルギ−密度に影響されるので、レ−ザのエネルギ
−密度と加工溝形状及び加工深さの関係について調べ
た。

【００２６】図４は、エキシマレ−ザの周波数とパルス
数を一定とした場合の溶着バ−８上でのレ−ザのエネル
ギ−密度と傾斜角θ₀との関係を示す図である。図５
は、レ−ザのエネルギ−密度を一定とした場合のレ−ザ
パルス数と加工溝深さｈ₀の関係を示す図である。

【００２７】図４より傾斜角θ₀はレ−ザ光のエネルギ
−密度を６（Ｊ／ｃｍ²）〜１６（Ｊ／ｃｍ²）の間で
選択することにより、７０°〜８０°の範囲で一定とす
ることができる。このように、適当なレ−ザ光のエネル
ギ−密度を選択して摺動幅Ｗ加工を行えば、摺動面２４
ａ₁、２４ａ₂、…、２４ａ_nの傾斜角θ₀を７０°〜
８０°の範囲で一定とすることができるので、一定した
摺動幅Ｗの形状加工ができる。

【００２８】また、図５から加工溝深さｈ₀はレ−ザパ
ルス数に比例しているので、レ−ザパルス数で加工深さ
の制御を行うことができる。この図５より、加工溝深さ
の加工深さレ−トは約0.1 μｍ／レ−ザパルスとなり、
精密加工ができることがわかる。

【００２９】摺動幅Ｗの両側を同時にレ−ザ走査して溝
加工するので、摺動幅Ｗの両側に印加される熱が均一と
なり、摺動幅Ｗの熱変形が解消される。レ−ザ光３を縮
小投影レンズ７で縮小し、高いレ−ザエネルギ−密度で
加工するので、従来加工では安定しなかったＳｉＯ₂等
の絶縁物の加工や安定した加工溝形状が得られる。ま
た、レ−ザパルス数で加工溝深さｈ₀が制御できるの
で、精度が良好かつ、生産性のよい加工が可能となる。

【００３０】レーザ光３として、ＫｒＦのエキシマレ−
ザを使用した場合について説明したが、これに限定され
ずに、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、Ｆ₂等の異なるエキシマレ−
ザを用いても良いことはいうまでもない。

【００３１】

【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドの摺動幅加工方
法によれば、摺動幅の両側を同時にレ−ザ走査して溝加
工するので、摺動幅の熱変形が解消される。レ−ザ光を
縮小投影レンズで縮小し、高いレ−ザエネルギ−密度で
加工するので、安定したＳｉＯ₂等の絶縁物の加工や加
工溝形状が得られる。また、レ−ザパルス数で加工深さ
が制御できるので、精度が良好かつ、生産性が向上す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの摺動幅加工方法を実
現するための薄膜磁気ヘッドの摺動幅加工するための光
学装置の配置図である。

【図２】基板上に形成された薄膜磁気ヘッド素子を示す
図である。

【図３】本発明の薄膜磁気ヘッド素子の摺動幅加工方法
を示す製造工程図である。

【図４】エキシマレーザにより加工された摺動面の傾斜
角のレ−ザエネルギ−密度依存性を示すである。

【図５】エキシマレーザのレ−ザパルス数と加工溝深さ
の関係を示した図である。

【図６】従来の薄膜磁気ヘッドの摺動幅加工方法を実現
するための薄膜磁気ヘッドの摺動幅加工するための光学
装置の配置図である。

【符号の説明】

１…光学装置、２…エキシマレ−ザ、３…レ−ザ光、４
…マスク、５ａ、５ｂ…窓領域、５′ａ、５′ｂ…加工
領域、６…反射ミラ−、７…縮小投影レンズ、８…溶着
バ−、９ａ₁、９ａ₂、…９ａ_n…トラック、１０…ス
テ−ジ、１１…基板、１１ａ…基板上面、１１ｂ…基板
側面、１２…保護基板、１３…絶縁層、１４ａ₁、１４
ａ₂、…、１４ａ_n…薄膜磁気ヘッド素子、１５ａ1 、
１５ａ₂、…１５ａ_n…コア、１６ａ₁、１６ａ₂、
…、１６ａ_n…コイル、１７ａ₁、１７ａ₂、…、１７
ａ_n…リ−ド線、１７ｂ₁、１７ｂ₂、…、１７ｂ_n…
リ−ド線，１８…下コア、１９…磁気ギャップ、２０
ａ、２０ｂ…中間コア、２１…上コア、２２…コイル、
２３ａ…下部絶縁層、２３ｂ…中間絶縁層、２３ｃ…上
部絶縁層、２４ａ₁、２４ａ₂、…、２４ａ_n…摺動
面、２５ａ₁、２５ａ₂、…２５ａ_n…加工溝、２６ａ
₁、２６ａ₂、…２６ａ_n…側面、２７…窓領域、２８
…基板、２９ａ₁、２９ａ₂、…、２９ａ_n…薄膜磁気
ヘッド素子、３０ａ₁、３０ａ₂、…、３０ａ_n…コ
ア、３１ａ₁、３１ａ₂…、３１ａ_n…コイル、３２ａ
₁、３２ａ₂…、３２ａ_n…リ−ド線、３２ｂ₁、３２
ｂ₂…、３２ｂ_n…リ−ド線、３３…金属マスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録媒体と直接接触摺動させるための摺動
幅を加工する薄膜磁気ヘッドの摺動幅加工方法におい
て、エキシマレ−ザから放射されたレ−ザ光の光路中に所定
の間隔幅を持って、窓開け形成された２つの窓領域を有
したマスクと、前記マスクを所定の縮小率で縮小投影す
るための縮小投影レンズと、所定のピッチ幅で複数個の
薄膜磁気ヘッド素子のトラックが形成された溶着バ−を
順次配置し、前記溶着バ−上に、前記縮小投影レンズで
所定の縮小倍率で縮小投影された前記２つの窓領域の前
記所定の間隔幅が前記摺動幅に重なるようにして位置合
わせを行い、前記レ−ザ光を前記摺動幅の両側を同時に
走査して加工することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの摺
動幅加工方法。