JPH10193257A - 化学的機械的研磨方法 - Google Patents
化学的機械的研磨方法Info
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- JPH10193257A JPH10193257A JP31890797A JP31890797A JPH10193257A JP H10193257 A JPH10193257 A JP H10193257A JP 31890797 A JP31890797 A JP 31890797A JP 31890797 A JP31890797 A JP 31890797A JP H10193257 A JPH10193257 A JP H10193257A
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
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- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
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- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】半導体基板の化学的機械的研磨の研磨スラリ
は、供給管を介した配送時にはすでに混合され、凝固
し、供給管を封栓し易い。さらに、そのシステムは同じ
混合剤のために多数の不要な供給ラインを要する。これ
らの欠点を解消した研磨機を提供する。 【解決手段】研磨機が、チェックバルブ１６４，１６６
を介して容器から研磨剤構成要素を配送し、それら構成
要素はマニホールド１６８部分を介して配送され、混合
要素によって溝内にて混合される。その混合研磨剤は、
部分的分割フレキシブル供給管１７０によって研磨ロー
ラ１３２に分配される。チェックバルブと、分配ポイン
トのできるだけ近くで構成要素を混合する事によって、
配送ライン中で研磨剤が凝固するのを防ぎ、パーティク
ルの生成によるライン封栓を防ぐ。混合された研磨剤に
晒されるのは研磨システムの一部分の管だけで、管の製
造コストは低いので、凝固が生成し易くとも、低コスト
で交換可能である。
は、供給管を介した配送時にはすでに混合され、凝固
し、供給管を封栓し易い。さらに、そのシステムは同じ
混合剤のために多数の不要な供給ラインを要する。これ
らの欠点を解消した研磨機を提供する。 【解決手段】研磨機が、チェックバルブ１６４，１６６
を介して容器から研磨剤構成要素を配送し、それら構成
要素はマニホールド１６８部分を介して配送され、混合
要素によって溝内にて混合される。その混合研磨剤は、
部分的分割フレキシブル供給管１７０によって研磨ロー
ラ１３２に分配される。チェックバルブと、分配ポイン
トのできるだけ近くで構成要素を混合する事によって、
配送ライン中で研磨剤が凝固するのを防ぎ、パーティク
ルの生成によるライン封栓を防ぐ。混合された研磨剤に
晒されるのは研磨システムの一部分の管だけで、管の製
造コストは低いので、凝固が生成し易くとも、低コスト
で交換可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般に半導体基板の化学
的機械的研磨（chemical-mechanical polishing）に関
し、特に研磨溶剤（polishing fluid）を研摩機に送り
込むための装置およびその方法に関する。
的機械的研磨（chemical-mechanical polishing）に関
し、特に研磨溶剤（polishing fluid）を研摩機に送り
込むための装置およびその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】化学
的機械的研磨は、平坦化、コンタクトまたはバイアプラ
グ（via plugs）の製造、若しくはインレイド相互接続
（inlaid interconnects）の製造のために、半導体製造
において使用される。その研磨方法において、パーティ
クルを含む研磨スラリ（polishing slurry）が使用され
る。研磨スラリは、基板表面またはそれを覆う層の表面
を機械的および化学的にエッチングし得る。研磨スラリ
は即使用できる形態（ready-to-use form）にて製剤（f
ormulate）できるが、多くの研磨スラリは、濃縮した形
態として若しくは構成要素（components）を分離したま
ま製剤される。即時に使用できる形態での研磨スラリ
は、多量の水を含む。水のための出荷コストが、その比
重のために、高くなる。混合済スラリ（pre-mixed slur
roes）に伴う他の問題は、そのスラリ中のパーティクル
が縣濁液（suspension）の状態を十分に維持せず、個別
の構成要素を混合することによる初期の化学的反応の有
用性を失ってしまう、という事実である。
的機械的研磨は、平坦化、コンタクトまたはバイアプラ
グ（via plugs）の製造、若しくはインレイド相互接続
（inlaid interconnects）の製造のために、半導体製造
において使用される。その研磨方法において、パーティ
クルを含む研磨スラリ（polishing slurry）が使用され
る。研磨スラリは、基板表面またはそれを覆う層の表面
を機械的および化学的にエッチングし得る。研磨スラリ
は即使用できる形態（ready-to-use form）にて製剤（f
ormulate）できるが、多くの研磨スラリは、濃縮した形
態として若しくは構成要素（components）を分離したま
ま製剤される。即時に使用できる形態での研磨スラリ
は、多量の水を含む。水のための出荷コストが、その比
重のために、高くなる。混合済スラリ（pre-mixed slur
roes）に伴う他の問題は、そのスラリ中のパーティクル
が縣濁液（suspension）の状態を十分に維持せず、個別
の構成要素を混合することによる初期の化学的反応の有
用性を失ってしまう、という事実である。
【０００３】そのような問題を克服するために、研磨ス
ラリは、使用時（point-to-use）近くでバッチ毎に混合
することによって、若しくは研磨機のローラ（platen）
上で（即ち、使用時に）個別の構成要素を混合すること
によって、成される。例えば、研磨溶剤の構成要素が、
研磨スラリを形成するために、酸性酸化剤（acidicoxid
izing fluid）または塩基性加水分解剤（basic hydroly
zing fluid）と混合し、次に研磨ローラ上に送られ、供
給せられる。代わりに、分離送剤ライン（separate del
ivery lines）が、研磨ローラ近くに位置付けられる混
合要素に構成要素を送り得る。そのような分離送剤機の
例としては、小林による欧州特許出願EP0709166 A1に開
示されている。
ラリは、使用時（point-to-use）近くでバッチ毎に混合
することによって、若しくは研磨機のローラ（platen）
上で（即ち、使用時に）個別の構成要素を混合すること
によって、成される。例えば、研磨溶剤の構成要素が、
研磨スラリを形成するために、酸性酸化剤（acidicoxid
izing fluid）または塩基性加水分解剤（basic hydroly
zing fluid）と混合し、次に研磨ローラ上に送られ、供
給せられる。代わりに、分離送剤ライン（separate del
ivery lines）が、研磨ローラ近くに位置付けられる混
合要素に構成要素を送り得る。そのような分離送剤機の
例としては、小林による欧州特許出願EP0709166 A1に開
示されている。
【０００４】研磨スラリの使用時に近くの構成要素を混
合することが、混合済スラリに伴う多くの問題を克服す
る一方で、研磨ローラへの構成要素の送剤に問題が残
る。重要な問題は、個別の構成要素の、および送剤ライ
ンの混同による汚染（cross-contamination）、並びに
ライン封栓（line blockage）の可能性である。個別の
構成要素の混合の際に、研磨ローラに十分早く送られな
いと、その混合された研磨スラリは、凝固し、ラインを
塞いでしまう傾向がある。
合することが、混合済スラリに伴う多くの問題を克服す
る一方で、研磨ローラへの構成要素の送剤に問題が残
る。重要な問題は、個別の構成要素の、および送剤ライ
ンの混同による汚染（cross-contamination）、並びに
ライン封栓（line blockage）の可能性である。個別の
構成要素の混合の際に、研磨ローラに十分早く送られな
いと、その混合された研磨スラリは、凝固し、ラインを
塞いでしまう傾向がある。
【０００５】その凝固の問題は、従来の研磨機を参照す
ることによってよりよく理解されるであろう。図１は、
化学的機械的研磨機１０の一部の概略図から構成され
る。その化学的機械的研磨機１０は、供給セクション１
１、混合セクション１２および研磨セクション１３の三
セクションから構成される。その供給セクション内に
は、２つの容器１１１、１１２がある。その２つの容器
１１１、１１２は、研磨溶剤の構成要素を包含してい
る。例えば、容器１１１は酸性酸化剤または塩基性加水
分解剤を包含し、一方で容器１１２は、その中で縣濁し
ている研磨溶剤のパーティクルを有する溶液を包含す
る。容器１１１、１１２内の構成要素は、それぞれ供給
ライン１１３、１１４を介して多岐管へ流れる。ぜん動
性ポンプ１１５、１１６が、それぞれ供給ライン１１
３、１１４を介する流れを調節している。
ることによってよりよく理解されるであろう。図１は、
化学的機械的研磨機１０の一部の概略図から構成され
る。その化学的機械的研磨機１０は、供給セクション１
１、混合セクション１２および研磨セクション１３の三
セクションから構成される。その供給セクション内に
は、２つの容器１１１、１１２がある。その２つの容器
１１１、１１２は、研磨溶剤の構成要素を包含してい
る。例えば、容器１１１は酸性酸化剤または塩基性加水
分解剤を包含し、一方で容器１１２は、その中で縣濁し
ている研磨溶剤のパーティクルを有する溶液を包含す
る。容器１１１、１１２内の構成要素は、それぞれ供給
ライン１１３、１１４を介して多岐管へ流れる。ぜん動
性ポンプ１１５、１１６が、それぞれ供給ライン１１
３、１１４を介する流れを調節している。
【０００６】混合セクション１２は、各々流出口を有す
る２つの供給ライン１１３、１１４を結合する多岐管１
２１を含む。多岐管１２１の流入口は、混合セクション
１２への流入口である。多岐管１２１にて供給ライン１
１３、１１４からの構成要素を混合した後、その構成要
素は、静的インライン混合機（static in-line mixer）
１２３へ管を介して流入する。容器１１１、１１２から
の構成要素は、研磨溶剤を構成するために静的インライ
ン混合機１２３内で混合される。その研磨溶剤は、液体
またはスラリの状態を維持する。次に、その混合研摩溶
剤は、ブロック１２７を介して研磨機１０の研磨セクシ
ョン１３に送られる。
る２つの供給ライン１１３、１１４を結合する多岐管１
２１を含む。多岐管１２１の流入口は、混合セクション
１２への流入口である。多岐管１２１にて供給ライン１
１３、１１４からの構成要素を混合した後、その構成要
素は、静的インライン混合機（static in-line mixer）
１２３へ管を介して流入する。容器１１１、１１２から
の構成要素は、研磨溶剤を構成するために静的インライ
ン混合機１２３内で混合される。その研磨溶剤は、液体
またはスラリの状態を維持する。次に、その混合研摩溶
剤は、ブロック１２７を介して研磨機１０の研磨セクシ
ョン１３に送られる。
【０００７】研磨セクション１３は、デッキ１２５、タ
ブ１３１およびローラ１３２（研磨パッドを含む）から
構成される。簡単に、ローラと研磨パッドの結合体は、
単にローラ１３２として表現する。そのローラ１３２の
上には、基板ホルダ１３３および半導体基板１３４があ
る。研磨の間、研磨溶剤は、ブロック１２７に接続され
る供給管１２８を介して研磨ローラ１３２上に供給され
る。研磨溶剤はローラ上の研磨パッドを濡らし、そして
ローラが回転している間に、過剰な溶剤がローラからタ
ブ１３１の中へ流れ去る。研磨溶剤は、ローラが回転し
ている間に、再利用されるかまたは廃棄される。
ブ１３１およびローラ１３２（研磨パッドを含む）から
構成される。簡単に、ローラと研磨パッドの結合体は、
単にローラ１３２として表現する。そのローラ１３２の
上には、基板ホルダ１３３および半導体基板１３４があ
る。研磨の間、研磨溶剤は、ブロック１２７に接続され
る供給管１２８を介して研磨ローラ１３２上に供給され
る。研磨溶剤はローラ上の研磨パッドを濡らし、そして
ローラが回転している間に、過剰な溶剤がローラからタ
ブ１３１の中へ流れ去る。研磨溶剤は、ローラが回転し
ている間に、再利用されるかまたは廃棄される。
【０００８】研磨溶剤の構成要素の混合は、混合セクシ
ョン１２内の多岐管１２１にて起きているので、その構
成要素間の化学反応はこの時点で始まっている。一旦反
応が起きてしまうと、混合された溶剤の特性は変化し、
特にそのスラリは凝固し始める。そのスラリは、もし直
ちに研磨ローラに送らなければ、送剤ライン中に蓄積し
始め、結果として溶剤中で結合する好ましくない粒子に
なる。さらに、混同により汚染した構成要素は、容器１
１１、１１２の方へ送剤ラインを介して次第に逆流して
いき、再びライン封栓および粒子化の問題を引き起こ
す。
ョン１２内の多岐管１２１にて起きているので、その構
成要素間の化学反応はこの時点で始まっている。一旦反
応が起きてしまうと、混合された溶剤の特性は変化し、
特にそのスラリは凝固し始める。そのスラリは、もし直
ちに研磨ローラに送らなければ、送剤ライン中に蓄積し
始め、結果として溶剤中で結合する好ましくない粒子に
なる。さらに、混同により汚染した構成要素は、容器１
１１、１１２の方へ送剤ラインを介して次第に逆流して
いき、再びライン封栓および粒子化の問題を引き起こ
す。
【０００９】図２では、ブロック１２７および供給管１
２８または従来の研磨機１０をさらに詳細に図示してい
る。図２の部分的詳細図は、底面からの図であり、言い
換えれば、研磨機１０のデッキ１２５およびローラ１３
２から見た図である。ブロック１２７は、混合された研
磨溶剤を受け取るための多数の開口１４０を含む。図示
するとおり、４個の分離した供給ラインが、同じく混合
された研磨溶剤を含む各供給ラインで、そのブロックの
４個の開口に結合する。ブロック１２７の各開口１４０
は、供給管１２８の経路溝１４２に対応している。従来
の研磨システムでは、供給管１２８は、硬質のポリ四フ
ッ化エチレン（rigid polytetrfluoroethylene）または
ポリビニルジメチルフッ化物（polyvinyldimethylflupr
ide）などから成り、ローラに研磨溶剤を配送するため
の分離した経路溝から構成される。各経路溝１４２は溶
剤供給に関連する開口１４４を有し、そこで研磨溶剤
は、供給管から出て、ローラ上に供給される。
２８または従来の研磨機１０をさらに詳細に図示してい
る。図２の部分的詳細図は、底面からの図であり、言い
換えれば、研磨機１０のデッキ１２５およびローラ１３
２から見た図である。ブロック１２７は、混合された研
磨溶剤を受け取るための多数の開口１４０を含む。図示
するとおり、４個の分離した供給ラインが、同じく混合
された研磨溶剤を含む各供給ラインで、そのブロックの
４個の開口に結合する。ブロック１２７の各開口１４０
は、供給管１２８の経路溝１４２に対応している。従来
の研磨システムでは、供給管１２８は、硬質のポリ四フ
ッ化エチレン（rigid polytetrfluoroethylene）または
ポリビニルジメチルフッ化物（polyvinyldimethylflupr
ide）などから成り、ローラに研磨溶剤を配送するため
の分離した経路溝から構成される。各経路溝１４２は溶
剤供給に関連する開口１４４を有し、そこで研磨溶剤
は、供給管から出て、ローラ上に供給される。
【００１０】図２に示す供給管およびブロック形態の不
利な点は次のとおりである。研磨スラリは、そのブロッ
クおよび供給管を介して送られる時にはすでにその混合
された状態であり、その各々のブロックおよび供給管で
は研磨スラリが生成し、供給管を封栓する傾向がある。
さらに、そのシステムの設計は、同じ混合溶剤のために
不必要な程多数の供給ラインおよび送剤経路を要してい
る。前記の欠点および不利な点を解消し、改良された研
磨機が望まれる。
利な点は次のとおりである。研磨スラリは、そのブロッ
クおよび供給管を介して送られる時にはすでにその混合
された状態であり、その各々のブロックおよび供給管で
は研磨スラリが生成し、供給管を封栓する傾向がある。
さらに、そのシステムの設計は、同じ混合溶剤のために
不必要な程多数の供給ラインおよび送剤経路を要してい
る。前記の欠点および不利な点を解消し、改良された研
磨機が望まれる。
【００１１】
【好適実施例の詳細な説明】本発明は、基板を研磨する
方法に関し、特にスラリを使用時に混合および供給する
研磨機を使用する半導体デバイス基板に関する。さら
に、その研磨機は、混同による汚染を防止するためにチ
ェックバルブ（chech valves）または他の手段が組込ま
れている配送システムを含む。そのチェックバルブは、
個々のスラリの構成要素の逆流を防止し、それによって
分離配送ラインを通じて構成要素の混合を防ぎ、好まし
くない凝固を防止する。その研磨機はまた、マニホルド
片要素（manihold block element）内で結合する混合要
素を含む。そのマニホルド片要素は、研磨ローラ、およ
びマニホルド片に直接接続する供給管の近くに位置付け
られる。このように、研磨ローラに可能な限り近くで混
合させることにより、分離した混合要素をライン内で結
合させ、混合要素が供給管自体に結合することをなく
す。さらに、供給管は、前述した生成する混合したスラ
リからのパーティクル問題を防止するため比較的多くの
場合に配置されるように、フレキシブルで簡単なデザイ
ンで安価な物質から成る。
方法に関し、特にスラリを使用時に混合および供給する
研磨機を使用する半導体デバイス基板に関する。さら
に、その研磨機は、混同による汚染を防止するためにチ
ェックバルブ（chech valves）または他の手段が組込ま
れている配送システムを含む。そのチェックバルブは、
個々のスラリの構成要素の逆流を防止し、それによって
分離配送ラインを通じて構成要素の混合を防ぎ、好まし
くない凝固を防止する。その研磨機はまた、マニホルド
片要素（manihold block element）内で結合する混合要
素を含む。そのマニホルド片要素は、研磨ローラ、およ
びマニホルド片に直接接続する供給管の近くに位置付け
られる。このように、研磨ローラに可能な限り近くで混
合させることにより、分離した混合要素をライン内で結
合させ、混合要素が供給管自体に結合することをなく
す。さらに、供給管は、前述した生成する混合したスラ
リからのパーティクル問題を防止するため比較的多くの
場合に配置されるように、フレキシブルで簡単なデザイ
ンで安価な物質から成る。
【００１２】本発明は、図３〜１０を参照することによ
りより良く理解されるであろう。図３には、本発明の実
施例に従った化学的機械的研磨機１００の概要図が示さ
れている。研磨機１００の多くの要素が前述の研磨機１
０の要素に類似しているので、それらの要素の記述は省
略する。研磨機１００は、容器１１１、１１２にそれぞ
れ接合するうず巻きポンプ（centrifugal pumps）１６
０、１６２を含む。うず巻きポンプは、研磨機１０にお
けるぜん動ポンプ（peristaltic pumps）１１５、１１
６のかわりに、配送ラインを介して輸送される溶剤の高
圧を発生させるために使用される。チェックバルブ１６
４、１６６の存在のために、高圧が必要とされる。チェ
ックバルブは、配送ラインを通じて溶剤が逆流するのを
防止するため各配送ラインに配置され、それにより混同
による汚染を防止する。高い溶剤の圧力が、典型的にチ
ェックバルブを通じて溶剤を輸送するのに必要とされ
る。しかし、チェックバルブを通じて溶剤を配送するこ
とのできるポンプ手段であれば、どんなポンプ手段であ
っても、本発明のこの実施例の実施に使用するのに適切
である。例えば、ダイアフラムポンプ（diaphragm pump
s）または非常に強力なぜん動ポンプが使用され得る。
りより良く理解されるであろう。図３には、本発明の実
施例に従った化学的機械的研磨機１００の概要図が示さ
れている。研磨機１００の多くの要素が前述の研磨機１
０の要素に類似しているので、それらの要素の記述は省
略する。研磨機１００は、容器１１１、１１２にそれぞ
れ接合するうず巻きポンプ（centrifugal pumps）１６
０、１６２を含む。うず巻きポンプは、研磨機１０にお
けるぜん動ポンプ（peristaltic pumps）１１５、１１
６のかわりに、配送ラインを介して輸送される溶剤の高
圧を発生させるために使用される。チェックバルブ１６
４、１６６の存在のために、高圧が必要とされる。チェ
ックバルブは、配送ラインを通じて溶剤が逆流するのを
防止するため各配送ラインに配置され、それにより混同
による汚染を防止する。高い溶剤の圧力が、典型的にチ
ェックバルブを通じて溶剤を輸送するのに必要とされ
る。しかし、チェックバルブを通じて溶剤を配送するこ
とのできるポンプ手段であれば、どんなポンプ手段であ
っても、本発明のこの実施例の実施に使用するのに適切
である。例えば、ダイアフラムポンプ（diaphragm pump
s）または非常に強力なぜん動ポンプが使用され得る。
【００１３】一旦チェックバルブ１６４、１６６を介し
て配送されると、その分離している構成要素は、次に当
該研磨機のデッキ１２５内に搭載されるマニホールド部
分１６８を介して配送される。その構成要素は典型的
に、酸性酸化剤または塩基性加水分解剤およびパーティ
クルが拡散している研磨溶剤のいづれでもよい。二種類
の個別研磨溶剤の構成要素は、マニホールド部分に配送
され、そのマニホールド部分の内部にて混合されて、フ
レキシブル供給管１７０を介して研磨ローラ１３２上に
配送される。研磨溶剤が供給されている間、ローラ１３
２は回転している。そのローラ上の研磨パッドおよび研
磨されるべき半導体デバイス基板１３４の表面は、基板
上に形成される物質１３６の層を研磨するために互いに
向き合う方向に加圧される。層１３６は、酸化物のよう
な絶縁層、タングステンまたはアルミニウムのような導
電層、などで成り得る。
て配送されると、その分離している構成要素は、次に当
該研磨機のデッキ１２５内に搭載されるマニホールド部
分１６８を介して配送される。その構成要素は典型的
に、酸性酸化剤または塩基性加水分解剤およびパーティ
クルが拡散している研磨溶剤のいづれでもよい。二種類
の個別研磨溶剤の構成要素は、マニホールド部分に配送
され、そのマニホールド部分の内部にて混合されて、フ
レキシブル供給管１７０を介して研磨ローラ１３２上に
配送される。研磨溶剤が供給されている間、ローラ１３
２は回転している。そのローラ上の研磨パッドおよび研
磨されるべき半導体デバイス基板１３４の表面は、基板
上に形成される物質１３６の層を研磨するために互いに
向き合う方向に加圧される。層１３６は、酸化物のよう
な絶縁層、タングステンまたはアルミニウムのような導
電層、などで成り得る。
【００１４】図４は、マニホールド部分１６８および供
給管１７０、１７２の下から見た、言い換えれば研磨機
のデッキおよびローラから見た、部分的詳細図である。
好適にはマニホールド部分１６８は、酸および塩基に対
する抵抗力を有し、湿度の変化または経時変化により変
形しないものが良い。適切な物質は、ポリビニルジメチ
ルフッ化物（PVDF）、ポリ塩化ビニル（PVC）およびポ
リ四フッ化エチレン（PTFE）から構成される。
給管１７０、１７２の下から見た、言い換えれば研磨機
のデッキおよびローラから見た、部分的詳細図である。
好適にはマニホールド部分１６８は、酸および塩基に対
する抵抗力を有し、湿度の変化または経時変化により変
形しないものが良い。適切な物質は、ポリビニルジメチ
ルフッ化物（PVDF）、ポリ塩化ビニル（PVC）およびポ
リ四フッ化エチレン（PTFE）から構成される。
【００１５】マニホールド部分は、チェックバルブまた
はデッキバルブ１６４、１６６を通過した後、配送ライ
ンから種別研磨溶剤の構成要素を受けるための溶剤輸送
口１９０を含む。その種別研磨溶剤の構成要素は、マニ
ホールド部分１６８に入り、溝１９４（そこで混合要素
１９６が形成される）を介して輸送される。二種の種別
構成要素は溝１９４を介して流れると、その構成要素
は、マニホールド部分１６８を流出する直前に最終的な
研磨スラリを形成するために、互いに混合し合う。一実
施例としては、混合要素１９６は、同様な目的を伴う浅
めのまたは伸長した溝に沿って、マニホールド部分１６
８を介して、きりもみ状（drilling）の溝１９４によっ
て形成される。代わりに、種別混合構成要素が、滑らか
な溝の内側に位置付けられ得る。マニホールド部分内の
研磨溶剤を攪拌するという他の手段はまた、個別研磨ス
ラリ構成要素を溝１９４内で混合するという目的を達成
するのにも適切である。
はデッキバルブ１６４、１６６を通過した後、配送ライ
ンから種別研磨溶剤の構成要素を受けるための溶剤輸送
口１９０を含む。その種別研磨溶剤の構成要素は、マニ
ホールド部分１６８に入り、溝１９４（そこで混合要素
１９６が形成される）を介して輸送される。二種の種別
構成要素は溝１９４を介して流れると、その構成要素
は、マニホールド部分１６８を流出する直前に最終的な
研磨スラリを形成するために、互いに混合し合う。一実
施例としては、混合要素１９６は、同様な目的を伴う浅
めのまたは伸長した溝に沿って、マニホールド部分１６
８を介して、きりもみ状（drilling）の溝１９４によっ
て形成される。代わりに、種別混合構成要素が、滑らか
な溝の内側に位置付けられ得る。マニホールド部分内の
研磨溶剤を攪拌するという他の手段はまた、個別研磨ス
ラリ構成要素を溝１９４内で混合するという目的を達成
するのにも適切である。
【００１６】その混合した研磨溶剤は、マニホールド部
分１６８を出て、フレキシブル供給管１７０に入る。好
適実施例においては、フレキシブル供給管１７０は、分
割された管であり、例えば、Lockwood,Inc.製のLoc-Lin
e（登録商標）管がある。その管は、PVDF,PVC,PTFE、ま
たは研磨溶剤の酸性または塩基性の構成要素に耐える熱
硬化性物質から形成される。管１７０は、多数の個別の
セグメントから形成される。そのセグメントの数は、そ
のレイアウトおよび研磨システムの形態に大きく依存す
る。個別のセグメントは、各々が他のセグメントに依存
せずに、回転させ、曲げ得る。管の端には、流出ノズル
１７９が、研磨パッドおよびローラ上に研磨溶剤を供給
する。
分１６８を出て、フレキシブル供給管１７０に入る。好
適実施例においては、フレキシブル供給管１７０は、分
割された管であり、例えば、Lockwood,Inc.製のLoc-Lin
e（登録商標）管がある。その管は、PVDF,PVC,PTFE、ま
たは研磨溶剤の酸性または塩基性の構成要素に耐える熱
硬化性物質から形成される。管１７０は、多数の個別の
セグメントから形成される。そのセグメントの数は、そ
のレイアウトおよび研磨システムの形態に大きく依存す
る。個別のセグメントは、各々が他のセグメントに依存
せずに、回転させ、曲げ得る。管の端には、流出ノズル
１７９が、研磨パッドおよびローラ上に研磨溶剤を供給
する。
【００１７】マニホールド部分１６８はまた、溶剤輸送
口１９１を含み、マニホールド部分１６８では、消イオ
ン水（de-ionized water）がその部分の中に形成される
溝１９２を介して輸送され、同様のフレキシブル管１７
２を介して研磨ローラに送られる。半導体デバイス基板
の研磨が完遂後、その基板を研磨パッドから引き込める
前に、水の分配が施される。このように水は、その半導
体デバイス基板から残留している研磨溶剤をすすぐため
に使用され得る。代わりに、その研磨された基板は、引
き込まれ、それとは分離した装置によってすすがれ得
る。その装置内では、管１７２は、研磨パッドをすす
ぎ、研磨面の間を濡らしておくために、ローラに水を供
給するよう使用される。もし、管１７２を、水の分配ま
たは他の無反応な希釈剤のためにだけ使用するならば、
管１７２の材質は、管１７０に使用される材質のような
化学的耐久性は必要としないが、それにもかかわらず、
同様な材質が使用され得る。本発明の一実施例として
は、フレキシブル管１７２のさらにもう一種のセグメン
ト１７６が、流出ノズル１７８を含む。流出ノズル１７
８は、図５において、セグメント１７６の断面図により
詳しく図示されている。管の長手方向に亘って多数の流
出ノズルが施されることにより、研磨ローラ上の水が、
より均一に分布する。そして、管１７６の端は、エンド
プラグ１８０で終わらせることができる。
口１９１を含み、マニホールド部分１６８では、消イオ
ン水（de-ionized water）がその部分の中に形成される
溝１９２を介して輸送され、同様のフレキシブル管１７
２を介して研磨ローラに送られる。半導体デバイス基板
の研磨が完遂後、その基板を研磨パッドから引き込める
前に、水の分配が施される。このように水は、その半導
体デバイス基板から残留している研磨溶剤をすすぐため
に使用され得る。代わりに、その研磨された基板は、引
き込まれ、それとは分離した装置によってすすがれ得
る。その装置内では、管１７２は、研磨パッドをすす
ぎ、研磨面の間を濡らしておくために、ローラに水を供
給するよう使用される。もし、管１７２を、水の分配ま
たは他の無反応な希釈剤のためにだけ使用するならば、
管１７２の材質は、管１７０に使用される材質のような
化学的耐久性は必要としないが、それにもかかわらず、
同様な材質が使用され得る。本発明の一実施例として
は、フレキシブル管１７２のさらにもう一種のセグメン
ト１７６が、流出ノズル１７８を含む。流出ノズル１７
８は、図５において、セグメント１７６の断面図により
詳しく図示されている。管の長手方向に亘って多数の流
出ノズルが施されることにより、研磨ローラ上の水が、
より均一に分布する。そして、管１７６の端は、エンド
プラグ１８０で終わらせることができる。
【００１８】図６には、研磨溶剤を分配に使用するフレ
キシブル管のもう一つの実施例を図示している。特に、
流出ノズル１８２が、単方向に濃縮されたストリーム
（unidirectional concentrated stream）に対して、フ
ラットスプレイ（flat spray）するように溶剤を分配す
るための、チップ（tip）形状を有する管をその端に含
む。様々な他のノズルの形状が、図示されたもの以外に
も管の接続に使用され得る。
キシブル管のもう一つの実施例を図示している。特に、
流出ノズル１８２が、単方向に濃縮されたストリーム
（unidirectional concentrated stream）に対して、フ
ラットスプレイ（flat spray）するように溶剤を分配す
るための、チップ（tip）形状を有する管をその端に含
む。様々な他のノズルの形状が、図示されたもの以外に
も管の接続に使用され得る。
【００１９】図７には、研磨ローラ１３２の平面図が図
示されている。その研磨ローラ１３２では、多数の基板
ホルダ１３２が、多数の半導体デバイス基板を同時に研
磨できるように、構成されている。実施例においては、
図示されるように、研磨溶剤分配管が分裂または分割さ
れ、溶剤が研磨されている各基板の付近に分配されるよ
うに設計されることは、有利となり得る。図示されてい
る分割管（split tube）の形状は、管にY字型セグメン
トを追加することによって、簡単に達成される。さら
に、多数の分割セグメント、または多数の分枝を有する
ように成形された分割セグメントが、二場所以上に直
接、溶剤を流出させるために使用され得る。
示されている。その研磨ローラ１３２では、多数の基板
ホルダ１３２が、多数の半導体デバイス基板を同時に研
磨できるように、構成されている。実施例においては、
図示されるように、研磨溶剤分配管が分裂または分割さ
れ、溶剤が研磨されている各基板の付近に分配されるよ
うに設計されることは、有利となり得る。図示されてい
る分割管（split tube）の形状は、管にY字型セグメン
トを追加することによって、簡単に達成される。さら
に、多数の分割セグメント、または多数の分枝を有する
ように成形された分割セグメントが、二場所以上に直
接、溶剤を流出させるために使用され得る。
【００２０】図８には、本発明の他の実施例に従った、
研磨機２００の概要図が示されている。この研磨機の形
態では、コントローラ８０が、バルブ８２、８４を制御
し、そのバルブ８２、８４は、ポンプ１６０、１６２を
制御するために結合される。より詳細には、バルブ８
２、８４が開く直前に、信号がポンプ１６０、１６２に
送られる。この段階では、バルブ８２、８４の逆流の圧
力が、マニホールド部分１６８の付近での順方向の流れ
の圧力よりも高くなっている。こうして、マニホールド
部分１６８内にて結合される液体は、バルブ８２、８４
を越えて逆流しないため、混同による汚染がない。電子
的バルブとして図示されているが、他の実施例として
は、バルブは、電子的でも、手動的でも制御できる空気
作用（pneumatic）バルブによって代用できる。さら
に、そのポンプおよびバルブの操作は、全て手動ででき
る。そのような場合においては、ポンプ１６０、１６２
は、バルブ８２、８４を開く前に活動させる。うず巻ポ
ンプ１６０、１６２を使用することによって、バルブ８
２、８４が閉じている間にも、そのポンプは動作し得
る。他の実施例においては、ポンプ１６０、１６２が、
他の型のポンプを含み得る。しかし、好適には、バルブ
８２、８４が閉じている場合に、誤動作なしに動作でき
るポンプが好ましい。
研磨機２００の概要図が示されている。この研磨機の形
態では、コントローラ８０が、バルブ８２、８４を制御
し、そのバルブ８２、８４は、ポンプ１６０、１６２を
制御するために結合される。より詳細には、バルブ８
２、８４が開く直前に、信号がポンプ１６０、１６２に
送られる。この段階では、バルブ８２、８４の逆流の圧
力が、マニホールド部分１６８の付近での順方向の流れ
の圧力よりも高くなっている。こうして、マニホールド
部分１６８内にて結合される液体は、バルブ８２、８４
を越えて逆流しないため、混同による汚染がない。電子
的バルブとして図示されているが、他の実施例として
は、バルブは、電子的でも、手動的でも制御できる空気
作用（pneumatic）バルブによって代用できる。さら
に、そのポンプおよびバルブの操作は、全て手動ででき
る。そのような場合においては、ポンプ１６０、１６２
は、バルブ８２、８４を開く前に活動させる。うず巻ポ
ンプ１６０、１６２を使用することによって、バルブ８
２、８４が閉じている間にも、そのポンプは動作し得
る。他の実施例においては、ポンプ１６０、１６２が、
他の型のポンプを含み得る。しかし、好適には、バルブ
８２、８４が閉じている場合に、誤動作なしに動作でき
るポンプが好ましい。
【００２１】図９にて、他の実施例を図示する。その実
施例では、チェックバルブが、タンク９２、９４によっ
て代替できる。一種の研磨溶剤構成要素のための供給ラ
イン１１３が、タンク９２に接続し、他の研磨溶剤構成
要素のための供給ライン１１４がタンク９４に接続して
いる。タンク９２、９４内の溶液レベルまで、液体を生
成し得る。溶液レベルは、タンク内にて必要とされる共
鳴時間（resonancetime）の長さに大きく依存する。次
に、そのタンクは、マニホールド部分９６に接続され
る。そのマニホールド部分９６は、マニホールド部分１
６８を参考にして前述したように、個別の構成要素の溶
剤を結合させ研磨溶剤にするために使用される。そし
て、混合された研磨溶剤は、マニホールド部分から出
て、部分的に分割されたフレキシブル供給管に入る。図
９に図示されるように、タンク９２、９４内の溶剤は、
供給ライン１１３、１１４に逆流しない。タンクは、重
力による供給システムまたは様々なライン内にポンプの
援助を有するシステムのいづれによっても、扱え得る。
施例では、チェックバルブが、タンク９２、９４によっ
て代替できる。一種の研磨溶剤構成要素のための供給ラ
イン１１３が、タンク９２に接続し、他の研磨溶剤構成
要素のための供給ライン１１４がタンク９４に接続して
いる。タンク９２、９４内の溶液レベルまで、液体を生
成し得る。溶液レベルは、タンク内にて必要とされる共
鳴時間（resonancetime）の長さに大きく依存する。次
に、そのタンクは、マニホールド部分９６に接続され
る。そのマニホールド部分９６は、マニホールド部分１
６８を参考にして前述したように、個別の構成要素の溶
剤を結合させ研磨溶剤にするために使用される。そし
て、混合された研磨溶剤は、マニホールド部分から出
て、部分的に分割されたフレキシブル供給管に入る。図
９に図示されるように、タンク９２、９４内の溶剤は、
供給ライン１１３、１１４に逆流しない。タンクは、重
力による供給システムまたは様々なライン内にポンプの
援助を有するシステムのいづれによっても、扱え得る。
【００２２】図１０にて、さらに他の実施例を図示す
る。その実施例では、部分的に分割されたフレキシブル
管１７０が、研磨溶剤ライン７０によって代替できる。
供給ライン１１３、１１４は、マニホールド部分１６８
に入り、研磨溶剤ライン７０を介して出ている。研磨溶
剤ライン７０は、外側硬質管（outer rigid tube）７２
および内側フレキシブル管（inner flexible tube）７
４を含む。外側硬質管７２は、溶剤が流れる経路を成す
ために形成され、内側フレキシブル管７４は、外側硬質
管７２内に挿入される。内側フレキシブル管７４は、フ
レキシブルなので、外側硬質管７２の曲部に従って曲げ
られ、ねじられ得る。管７４は、PTFE,PVDF,PVC,ポリウ
レタン（polyurethane）などから形成され得る。さらに
他の実施例においては、その二種の管を、内部をコーテ
ィング（coating）した一種の硬質管によって代替でき
る。例えば、硬質管７２は、ステンレススチールなどの
物質から形成され得る。また、コーティングは、PTFEま
たは酸および塩基に対する抵抗力のある他の物質から形
成し得る。図１０に示す研磨溶剤ライン７０は、末端に
ノズルを構成することができ、若しくは、多数のまたは
全ての研磨溶剤ライン７０の部分（portion）から溶剤
を分配するため研磨溶剤ライン７０の長手方向の少なく
とも一部分に沿って多数の開口を構成することができ
る。
る。その実施例では、部分的に分割されたフレキシブル
管１７０が、研磨溶剤ライン７０によって代替できる。
供給ライン１１３、１１４は、マニホールド部分１６８
に入り、研磨溶剤ライン７０を介して出ている。研磨溶
剤ライン７０は、外側硬質管（outer rigid tube）７２
および内側フレキシブル管（inner flexible tube）７
４を含む。外側硬質管７２は、溶剤が流れる経路を成す
ために形成され、内側フレキシブル管７４は、外側硬質
管７２内に挿入される。内側フレキシブル管７４は、フ
レキシブルなので、外側硬質管７２の曲部に従って曲げ
られ、ねじられ得る。管７４は、PTFE,PVDF,PVC,ポリウ
レタン（polyurethane）などから形成され得る。さらに
他の実施例においては、その二種の管を、内部をコーテ
ィング（coating）した一種の硬質管によって代替でき
る。例えば、硬質管７２は、ステンレススチールなどの
物質から形成され得る。また、コーティングは、PTFEま
たは酸および塩基に対する抵抗力のある他の物質から形
成し得る。図１０に示す研磨溶剤ライン７０は、末端に
ノズルを構成することができ、若しくは、多数のまたは
全ての研磨溶剤ライン７０の部分（portion）から溶剤
を分配するため研磨溶剤ライン７０の長手方向の少なく
とも一部分に沿って多数の開口を構成することができ
る。
【００２３】本発明に従った研磨機を使用することで、
従来の配送システムに伴う粒状化および配送ラインの封
栓問題が、克服される。個別化された研磨溶剤構成要素
は、できるだけ研磨ローラ上の分配ポイントの近く（例
えば、ローラ上の分配ポイントの２フィート以内、好適
には１フィート以内）で混合される。溶剤が最終的な分
配管に流入する直前に、研磨機のマニホールド部分内部
でその溶剤の構成要素の混合を成すことによって、分離
したインライン混合要素の必要性が取り除かれる。さら
に、最終的な分配管の中には混合要素を結合させないこ
とによって、最終的な分配管を置き代えるコストを大き
く削減する。最終的な分配管の部分のコストを低くする
ことは重要である。この部分は、混合されたスラリに晒
され、凝固やライン封栓の問題を起こしがちであるから
である。最終的な分配管がブロックされた場合に、その
管は比較的低コストで簡単に交換し得る。さらに、本発
明に従った研磨システムの利点は、個別の構成要素の混
同による汚染が、チェックバルブまたは個別の構成要素
配送ラインに混合溶剤の逆流を防止する他の手段によっ
て、なくなることである。混同による汚染を防ぐことに
よって、凝固および生成（build up）問題が、さらに防
止される。
従来の配送システムに伴う粒状化および配送ラインの封
栓問題が、克服される。個別化された研磨溶剤構成要素
は、できるだけ研磨ローラ上の分配ポイントの近く（例
えば、ローラ上の分配ポイントの２フィート以内、好適
には１フィート以内）で混合される。溶剤が最終的な分
配管に流入する直前に、研磨機のマニホールド部分内部
でその溶剤の構成要素の混合を成すことによって、分離
したインライン混合要素の必要性が取り除かれる。さら
に、最終的な分配管の中には混合要素を結合させないこ
とによって、最終的な分配管を置き代えるコストを大き
く削減する。最終的な分配管の部分のコストを低くする
ことは重要である。この部分は、混合されたスラリに晒
され、凝固やライン封栓の問題を起こしがちであるから
である。最終的な分配管がブロックされた場合に、その
管は比較的低コストで簡単に交換し得る。さらに、本発
明に従った研磨システムの利点は、個別の構成要素の混
同による汚染が、チェックバルブまたは個別の構成要素
配送ラインに混合溶剤の逆流を防止する他の手段によっ
て、なくなることである。混同による汚染を防ぐことに
よって、凝固および生成（build up）問題が、さらに防
止される。
【００２４】このように、上述した要求と都合に完全に
適合する半導体デバイス基板の研磨方法が提供された。
本発明の実施例を記述してきたが、本発明は、たった二
種の構成要素の混合によってなされることに限定され
ず、いくつもの構成要素の混合にも使用され得る。ま
た、本発明は、図示されている管の本数、基板の枚数に
限定されない。さらに、本発明は図示されているマニホ
ールド部分のデザインも限定されず、研磨機のデッキ内
のマニホールド部分の位置も限定されない。例えば、図
示されているものの他に、内部攪拌手段としては、リフ
リング（riflings）、バッフル（baffles）、ベンチュ
ーリ（venturi）またはヘリカル板（helical plate）が
ある。ここに記述された研磨機の構成要素は、上述した
物質から形成されることに限定されない。管の材質およ
びマニホールド部分の材質は、研磨スラリに使用できる
様々な物質から選択でき、ポリスチレン、ポリプロピレ
ン、アセタールポリマ、ポリ三フッ化クロレチレン、ポ
リビニルフッ化物などに限定されない。
適合する半導体デバイス基板の研磨方法が提供された。
本発明の実施例を記述してきたが、本発明は、たった二
種の構成要素の混合によってなされることに限定され
ず、いくつもの構成要素の混合にも使用され得る。ま
た、本発明は、図示されている管の本数、基板の枚数に
限定されない。さらに、本発明は図示されているマニホ
ールド部分のデザインも限定されず、研磨機のデッキ内
のマニホールド部分の位置も限定されない。例えば、図
示されているものの他に、内部攪拌手段としては、リフ
リング（riflings）、バッフル（baffles）、ベンチュ
ーリ（venturi）またはヘリカル板（helical plate）が
ある。ここに記述された研磨機の構成要素は、上述した
物質から形成されることに限定されない。管の材質およ
びマニホールド部分の材質は、研磨スラリに使用できる
様々な物質から選択でき、ポリスチレン、ポリプロピレ
ン、アセタールポリマ、ポリ三フッ化クロレチレン、ポ
リビニルフッ化物などに限定されない。
【図１】従来技術における化学的機械的研磨機の概略
図。
図。
【図２】図１に示された研磨機の従来のブロックおよび
供給管の経路溝の部分的詳細図。
供給管の経路溝の部分的詳細図。
【図３】本発明の実施例に従った化学的機械的研磨機の
概略図。
概略図。
【図４】図３に示された研磨機の多岐ブロックおよび複
数のフレキシブル供給管の（底から見た）部分的詳細
図。
数のフレキシブル供給管の（底から見た）部分的詳細
図。
【図５】図４のフレキシブル供給管の一つの内の２個部
分の側面図。
分の側面図。
【図６】図４に示された図から異なる流出ノズルの形
態、フレキシブル供給管の供給端の側面図。
態、フレキシブル供給管の供給端の側面図。
【図７】研磨スラリが分枝供給管によって複数の半導体
デバイス基板に配送される研磨機の平面図。
デバイス基板に配送される研磨機の平面図。
【図８】本発明の他の具体例に従った研磨機（電子制御
バルブが使用されている）の概要図。
バルブが使用されている）の概要図。
【図９】本発明に従った研磨ローラに研磨溶剤の構成要
素を配送するための貯蔵システムの断面図。
素を配送するための貯蔵システムの断面図。
【図１０】本発明に従った硬質な管とフレキシブル管の
組合せを利用する最終的な供給管の断面図。
組合せを利用する最終的な供給管の断面図。
１１ 供給セクション １２ 混合部 １３ 研磨セクション ７０ 研磨溶剤ライン ７２ 外側硬質管 ７４ 内側フレキシブル管 ８０ コントローラ ８２、８４ バルブ ９２、９４ タンク ９６ マニホールド部分 １００ 研磨機 １１１ 第１溶剤 １１２ 第２溶剤 １１３ 第１供給ライン １１４ 第２供給ライン １１５、１１６ ぜん動性ポンプ １２１ 多岐管 １２３ 静的インライン混合機 １２５ デッキ １２７ ブロック １２８ 供給管 １３１ タブ １３２ ローラ １３３ 基板ホルダ １３４ 半導体デバイス基板 １３６ 層 １４０、１４４ 開口 １４２ 経路溝 １６０、１６２ うず巻きポンプ １６４、１６６第１チェックバルブ １６８ マニホールド １７０、１７２ フレキシブル供給管 １７６ セグメント １７８、１７９ 流出ノズル １８０ エンドプラグ １８２ 流出ノズル １９０、１９１ 溶剤輸送口 １９２、１９４ 溝 １９６ 内部形状 ２００ 研磨機
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体デバイス基板（１３４）上に形成
される層（１３６）を研磨する方法であって：研磨機
（１００）の中に前記層を有する半導体デバイス基板を
配置する段階であって、 第１チェックバルブ（１６４）を介して第１溶剤（１１
１）を流す段階と、 第２チェックバルブ（１６６）を介して第２溶剤（１１
２）を流す段階と、 第１、第２溶剤を第１、第２チェックバルブから混合部
（１２）の中へ流して、研磨溶剤を形成する流す段階
と、 からなる半導体デバイス基板配置段階；混合部から前記
層を有する半導体デバイス基板に研磨溶剤を流す段階；
および前記層を研磨する段階；から構成されることを特
徴とする方法。 - 【請求項２】 半導体デバイス基板（１３４）上に形成
される層（１３６）を研磨する方法であって：研磨機
（１００）の中に前記層を有する半導体デバイス基板を
配置する段階；研磨機のローラ上に研磨溶剤を供給する
段階であって、 マニホールド（１６８）に第１溶剤（１１１）を流す段
階と、 前記マニホールドに第２溶剤（１１２）を流す段階と、 前記マニホールド内にて第１、第２溶剤を混合する段階
であって、 前記マニホールドは、前記研磨溶剤を形成するために前
記第１、第２溶剤を攪拌することのできる内部形状（１
９６）を有する段階と、 前記研磨機に前記マニホールドから前記研磨溶剤を流す
段階と、 から成る研磨溶剤供給段階；および前記層を研磨する段
階；から構成されることを特徴とする方法。 - 【請求項３】 半導体デバイス基板（１３４）上に形成
される層（１３６）を研磨する方法であって：研磨機
（１００）の中に前記層を有する半導体デバイス基板を
配置する段階；研磨機のローラ上に研磨溶剤を供給する
段階であって、 マニホールド（１６８）に第１溶剤（１１１）を流す段
階と、 前記マニホールドに第２溶剤（１１２）を流す段階と、 前記マニホールド内にて第１、第２溶剤を混合する段階
であって、 前記マニホールドは、前記研磨溶剤を形成するために前
記第１、第２溶剤を攪拌することのできる内部形状（１
９６）を有する段階と、 部分に分割した形態を有するフレキシブルな管（１７
０）を使用して、前記マニホールドから前記研磨溶剤を
流す段階と、 から成る研磨溶剤供給段階；および前記層を研磨する段
階；から構成されることを特徴とする方法。 - 【請求項４】 半導体デバイス基板（１３４）上に形成
される層（１３６）を研磨する方法であって：研磨機
（１００）の中に前記層を有する半導体デバイス基板を
配置する段階；研磨機のローラ上に研磨溶剤を供給する
段階であって、 第１バルブ（１６４）に第１溶剤（１１１）を流す段階
と、 前記第１バルブを開ける前に、第１供給ライン（１１
３）内に前記第１溶剤を加圧する段階と、 第２バルブ（１６６）に第２溶剤を流す段階と、 前記第２バルブを開ける前に、第２供給ライン（１１
４）内に前記第２溶剤を加圧する段階と、 前記第１バルブを開ける段階と、 前記第２バルブを開ける段階と、 前記第１、第２バルブから混合部（１２）の中へ、研磨
溶剤を形成するために第１、第２溶剤を流す段階と、 混合部から前記層を有する半導体デバイス基板に研磨溶
剤を流す段階と、 から成る研磨溶剤供給段階；および前記層を研磨する段
階；から構成されることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US74335496A | 1996-11-04 | 1996-11-04 | |
| US743354 | 1996-11-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10193257A true JPH10193257A (ja) | 1998-07-28 |
Family
ID=24988463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31890797A Pending JPH10193257A (ja) | 1996-11-04 | 1997-11-04 | 化学的機械的研磨方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10193257A (ja) |
| KR (1) | KR19980042239A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6854484B2 (en) * | 2001-07-31 | 2005-02-15 | Infineon Technologies Ag | Valve for a slurry outlet opening of a chemical mechanical polishing device and chemical mechanical polishing device having a valve |
| JP2007317702A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-11-04 KR KR1019970058931A patent/KR19980042239A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-11-04 JP JP31890797A patent/JPH10193257A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6854484B2 (en) * | 2001-07-31 | 2005-02-15 | Infineon Technologies Ag | Valve for a slurry outlet opening of a chemical mechanical polishing device and chemical mechanical polishing device having a valve |
| JP2007317702A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980042239A (ko) | 1998-08-17 |
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