JPH10189859A - Lead frame for semiconductor device - Google Patents

Lead frame for semiconductor device

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JPH10189859A
JPH10189859A JP34310096A JP34310096A JPH10189859A JP H10189859 A JPH10189859 A JP H10189859A JP 34310096 A JP34310096 A JP 34310096A JP 34310096 A JP34310096 A JP 34310096A JP H10189859 A JPH10189859 A JP H10189859A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tie bar
lead
semiconductor device
lead frame
slit
Prior art date
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Pending
Application number
JP34310096A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Yamamoto
浩司 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
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Publication of JPH10189859A publication Critical patent/JPH10189859A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a lead frame for semiconductor device with stable bend shape precision, capable of relieving the impact force during in a tie bar cutting time. SOLUTION: This lead frame for semiconductor device is provided with a tie pad 1, outer leads 2 connecting to a semiconductor element by bonding wire, a tie bar 3 intermediately supporting the outer leads 2, slits 6 formed on the tie bar 3 and a frame 4 supporting the outer leas 2 on the ends. The slits 6 are formed within the width of the outer leads 2. On the other hand, for the shape of the slits 6 includes a polygon, an elipse and a circle.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、パワーPKG等
に使用する厚型タイプの半導体装置のリードフレームに
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame of a thick type semiconductor device used for a power PKG or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、パワーPKG等に、0.3〜
0.4mmの厚さの厚型タイプのリードフレームが使用
されている。図3に、厚さ0.3mmの従来の厚型タイ
プの半導体装置のリードフレームの平面図を示す。図3
において、11は半導体素子(図示せず)を載置するダ
イパッド、12は一端が半導体素子にワイヤーボンディ
ングされる外部導出リード、13は外部導出リード12
を中間で支えるタイバー、14はダイパッド11と外部
導出リード12を他端で支える枠であり、15は封止樹
脂のモールドラインを表している。タイバー13は、外
部導出リード12の変形を防ぐために必要なものであ
り、かつ樹脂形成時に発生する樹脂バリの進行を押さえ
るためにも必要なものである。
2. Description of the Related Art Conventionally, a power PKG or the like has a resistance of 0.3 to
A thick type lead frame having a thickness of 0.4 mm is used. FIG. 3 shows a plan view of a lead frame of a conventional thick type semiconductor device having a thickness of 0.3 mm. FIG.
In the figure, 11 is a die pad on which a semiconductor element (not shown) is mounted, 12 is an external lead lead having one end wire-bonded to the semiconductor element, and 13 is an external lead 12
Is a frame supporting the die pad 11 and the external lead 12 at the other end, and 15 is a molding line of the sealing resin. The tie bar 13 is necessary to prevent deformation of the external lead-out lead 12 and also to suppress the progress of resin burrs generated during resin formation.

【0003】タイバー13は、樹脂形成後は不要なもの
となり,ベンド加工前に、枠14と共に切断される。図
3中のEは、タイバー13のカットラインを示してお
り、IV部分の拡大図を図4に示す。
The tie bar 13 becomes unnecessary after the resin is formed, and is cut together with the frame 14 before bending. E in FIG. 3 indicates a cut line of the tie bar 13, and an enlarged view of an IV portion is shown in FIG.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置のリ
ードフレームでは、樹脂形成後にタイバー13をカット
する際、リードフレームが厚いため、タイバー13部分
に加わるカット刃の衝撃が大きくなり、リードフレーム
と封止樹脂との剥離が起きるという問題があった。
In the conventional lead frame of a semiconductor device, when the tie bar 13 is cut after the resin is formed, the thickness of the lead frame is large. There is a problem that peeling from the sealing resin occurs.

【0005】また、図4に示すように、タイバー13を
カットした後、外部導出リード12の両側に凸状の切り
残し部分16が形成される。この切り残し部分16がベ
ンド部に掛かってしまうことで、ベンド加工が困難とな
り、ベンド形状の精度が出ないという問題があった。こ
の発明は、上記従来の問題点を解決するもので、タイバ
ーカット時の衝撃力を緩和でき、かつベンド形状精度の
安定した半導体装置のリードフレームを提供することを
目的とする。
[0005] As shown in FIG. 4, after cutting the tie bar 13, convex uncut portions 16 are formed on both sides of the external lead-out lead 12. When the uncut portion 16 is hung on the bend portion, the bend processing becomes difficult, and there is a problem that the accuracy of the bend shape is not obtained. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a lead frame of a semiconductor device which can reduce an impact force at the time of tie bar cutting and has a stable bend shape accuracy.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明の半導体装置の
リードフレームは、ダイパッドと、ダイパッド上の半導
体素子にボンディングワイヤーで接続される外部導出リ
ードと、外部導出リードを中間で支えるタイバーと、タ
イバーに形成したスリットと、外部導出リードを端で支
える枠とを備えたものである。
A lead frame of a semiconductor device according to the present invention comprises a die pad, an external lead connected to a semiconductor element on the die pad by a bonding wire, a tie bar supporting the external lead in the middle, and a tie bar. And a frame that supports the external lead-out lead at the end.

【0007】スリットの形状としては、多角形,楕円
形,円形等が挙げられる。この発明の半導体装置のリー
ドフレームによると、タイバーにスリットを形成したこ
とにより、タイバーの実効的な寸法が小さくなり、タイ
バーカット時の衝撃力を緩和でき、カット刃で切断する
時の半導体装置のリードフレームと封止樹脂界面に生じ
る歪みを吸収することができる。また、スリットを形成
したことで、タイバーカット後のリード幅が小さくな
り、カット部のセンターで精度良くリードを曲げること
ができ、ベンド精度が安定し、容易にベンド加工を施す
ことができる。
The shape of the slit may be polygonal, elliptical, circular or the like. According to the lead frame of the semiconductor device of the present invention, by forming the slit in the tie bar, the effective size of the tie bar is reduced, the impact force at the time of cutting the tie bar can be reduced, and the semiconductor device can be cut at the time of cutting with the cutting blade. The distortion generated at the interface between the lead frame and the sealing resin can be absorbed. Further, by forming the slit, the lead width after the tie bar cut is reduced, and the lead can be bent with high accuracy at the center of the cut portion, and the bend accuracy is stabilized and bend processing can be easily performed.

【0008】また、外部導出リードの幅内に達してスリ
ットを形成してもよい。これにより、タイバーカット後
のリード幅がより一層小さくなり、ベンド加工もし易く
なる。
The slit may be formed so as to reach the width of the external lead. As a result, the lead width after the tie bar cut is further reduced, and bend processing is facilitated.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】この発明の一実施の形態につい
て、図1および図2を参照しながら説明する。図1は、
一実施の形態における半導体装置のリードフレームの平
面図を示している。図1において、1は半導体素子(図
示せず)を載置するダイパッド、2は一端が半導体素子
にワイヤーボンディングされる外部導出リード、3は外
部導出リード2を中間で支えるタイバー、4はダイパッ
ド1と外部導出リード2を他端で支える枠であり、5は
封止樹脂のモールドラインを表している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
1 shows a plan view of a lead frame of a semiconductor device according to one embodiment. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a die pad on which a semiconductor element (not shown) is mounted, 2 denotes an external lead having one end wire-bonded to the semiconductor element, 3 denotes a tie bar for supporting the external lead 2 in the middle, 4 denotes a die pad 1 And a frame for supporting the external lead 2 at the other end. Reference numeral 5 denotes a molding line of the sealing resin.

【0010】また、6はタイバー3に形成したスリット
である。スリット6は、外部導出リード2の幅内に達し
た四角形に形成されている。すなわち、図1のII部分の
拡大図である図2に示すように、スリット6の外部導出
リード2の幅内への食い込み量2Cは、リード曲げ強度
から考え、外部導出リード2の幅寸法Bの一割以下が望
ましい。例えば、外部導出リード2の幅寸法Bが0.2
8mmで構成されている場合には、スリット6の食い込
み量Cは0.014mm以下とする。
Reference numeral 6 denotes a slit formed in the tie bar 3. The slit 6 is formed in a rectangular shape reaching the width of the external lead 2. That is, as shown in FIG. 2 which is an enlarged view of a portion II in FIG. 1, the amount of penetration 2C of the slit 6 into the width of the external lead 2 is considered from the lead bending strength, and the width B of the external lead 2 is considered. Is preferably less than 10%. For example, the width dimension B of the external lead 2 is 0.2
In the case of 8 mm, the biting amount C of the slit 6 is set to 0.014 mm or less.

【0011】次に、半導体装置のリードフレームの組立
について説明する。まず、半導体装置のリードフレーム
を樹脂形成する。そして、四角形のスリット6が入った
タイバー3および枠4を切断する。さらに、図1中A
は、タイバー3のカットラインを示している。タイバー
カットされた外部導出リード2をベンド加工する。この
ように構成された半導体装置のリードフレームによる
と、タイバー3にスリット6を形成したことにより、タ
イバー3の実効的な寸法が小さくなり、カット刃の接触
面積も小さくなって、リードフレームに加わる衝撃力が
緩和され、カット刃で切断する時のリードフレームと封
止樹脂界面に生じる歪みを吸収することができる。
Next, the assembly of the lead frame of the semiconductor device will be described. First, a lead frame of a semiconductor device is formed of resin. Then, the tie bar 3 having the rectangular slit 6 and the frame 4 are cut. Further, in FIG.
Indicates a cut line of the tie bar 3. Bend processing is performed on the tie bar cut external lead 2. According to the lead frame of the semiconductor device configured as described above, the slit 6 is formed in the tie bar 3, so that the effective size of the tie bar 3 is reduced and the contact area of the cutting blade is also reduced, so that the tie bar 3 is added to the lead frame. The impact force is reduced, and the distortion generated at the interface between the lead frame and the sealing resin when cutting with the cutting blade can be absorbed.

【0012】また、図2に示すように、タイバーカット
後の外部導出リード2の両側が凹状となり、リード幅D
が小さくなることで、カット部のセンターで精度良くリ
ードを曲げることができ、ベンド精度が安定し、容易に
ベンド加工を施すことができる。なお、前記実施の形態
では、スリット6は四角形としたが、スリット形状は四
角形以外の多角形,楕円形,円形等であってもよい。ま
た、スリットは、外部導出リード2の幅内に達していな
くてもよい。例えば、円形のスリットを外部導出リード
2の幅内に達することなくタイバー3に形成してもよ
い。このように、スリットが外部導出リード2の幅内に
達していなくても、スリットの無い従来のタイバーに比
べると、カット時の衝撃力の緩和、ならびにカット後の
リードの小幅化が図れる。
As shown in FIG. 2, both sides of the external lead 2 after the tie bar cut are concave, and the lead width D
As a result, the lead can be bent accurately at the center of the cut portion, the bend accuracy is stabilized, and bend processing can be easily performed. In the above-described embodiment, the slit 6 has a rectangular shape, but the slit shape may be a polygon other than a square, an ellipse, a circle, or the like. Further, the slit does not need to reach the width of the external lead 2. For example, a circular slit may be formed in the tie bar 3 without reaching the width of the external lead 2. As described above, even if the slit does not reach the width of the external lead 2, the impact force at the time of cutting and the width of the lead after cutting can be reduced as compared with a conventional tie bar having no slit.

【0013】[0013]

【発明の効果】この発明の半導体装置のリードフレーム
によると、タイバーにスリットを形成したことにより、
タイバーの実効的な寸法が小さくなり、タイバーカット
時の衝撃力を緩和でき、カット刃で切断する時の半導体
装置のリードフレームと封止樹脂界面に生じる歪みを吸
収することができ、タイバーカット時の刃の寿命も延ば
すことができる。また、スリットを形成したことで、タ
イバーカット後のリード幅が小さくなり、カット部のセ
ンターで精度良くリードを曲げることができ、ベンド精
度が安定し、容易にベンド加工を施すことができる。
According to the lead frame of the semiconductor device of the present invention, the slit is formed in the tie bar.
The effective size of the tie bar is reduced, the impact force at the time of cutting the tie bar can be reduced, and the strain generated at the interface between the lead frame of the semiconductor device and the sealing resin when cutting with the cutting blade can be absorbed. The life of the blade can be extended. Further, by forming the slit, the lead width after the tie bar cut is reduced, and the lead can be bent with high accuracy at the center of the cut portion, and the bend accuracy is stabilized and bend processing can be easily performed.

【0014】また、外部導出リードの幅内に達してスリ
ットを形成してもよい。これにより、タイバーカット後
のリード幅がより一層小さくなり、ベンド加工もし易く
なる。
The slit may be formed so as to reach the width of the external lead. As a result, the lead width after the tie bar cut is further reduced, and bend processing is facilitated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施の形態における半導体装置の
リードフレームの平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a lead frame of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のII部分の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of a portion II in FIG.

【図3】従来例の半導体装置のリードフレームの平面図
である。
FIG. 3 is a plan view of a lead frame of a conventional semiconductor device.

【図4】図3のIV部分の拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view of a portion IV in FIG. 3;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ダイパッド 2 外部導出リード 3 タイバー 4 枠 6 スリット 1 die pad 2 external lead 3 tie bar 4 frame 6 slit

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ダイパッドと、前記ダイパッド上の半導
体素子にボンディングワイヤーで接続される外部導出リ
ードと、前記外部導出リードを中間で支えるタイバー
と、前記タイバーに形成したスリットと、前記外部導出
リードを端で支える枠とを備えた半導体装置のリードフ
レーム。
1. A die pad, an external lead connected to a semiconductor element on the die pad by a bonding wire, a tie bar supporting the external lead in the middle, a slit formed in the tie bar, and the external lead. A lead frame for a semiconductor device having a frame supported at an end.
【請求項2】 スリットが外部導出リードの幅内に達し
ていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置のリ
ードフレーム。
2. The lead frame of a semiconductor device according to claim 1, wherein the slit extends within a width of the external lead.
【請求項3】 スリットの形状が多角形であることを特
徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置のリ
ードフレーム。
3. The lead frame of a semiconductor device according to claim 1, wherein the slit has a polygonal shape.
【請求項4】 スリットの形状が楕円形であることを特
徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置のリ
ードフレーム。
4. The lead frame of a semiconductor device according to claim 1, wherein the shape of the slit is elliptical.
【請求項5】 スリットの形状が円形であることを特徴
とする請求項1または請求項2記載の半導体装置のリー
ドフレーム。
5. The lead frame of a semiconductor device according to claim 1, wherein the slit has a circular shape.
JP34310096A 1996-12-24 1996-12-24 Lead frame for semiconductor device Pending JPH10189859A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021110270A1 (en) 2020-06-02 2021-12-02 Mitsubishi Electric Corporation Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021110270A1 (en) 2020-06-02 2021-12-02 Mitsubishi Electric Corporation Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
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