JPH10189675A - パ−ティクル検出用ダミーウエハ - Google Patents
パ−ティクル検出用ダミーウエハInfo
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- JPH10189675A JPH10189675A JP8356834A JP35683496A JPH10189675A JP H10189675 A JPH10189675 A JP H10189675A JP 8356834 A JP8356834 A JP 8356834A JP 35683496 A JP35683496 A JP 35683496A JP H10189675 A JPH10189675 A JP H10189675A
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 36
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 79
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 24
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 81
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 31
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 abstract 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 34
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007849 furan resin Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハ洗浄装置の洗浄液としてフッ酸
やフッ硝酸水溶液等の酸性の洗浄液を用いた場合であっ
ても、その表面は腐食によって面荒れすることがなく、
洗浄液中のパ−ティクル量を正確に測定することができ
るパ−ティクル検出用ダミーウエハを提供する。 【解決手段】 本発明は、パ−ティクル検出用ダミーウ
エハにおいて、前記ダミーウエハをガラス状カーボン材
により形成すると共に、前記ガラス状カーボン材の表面
粗さＲmax を０．０１μｍ〜０．０５μｍとしたことを
特徴としている。この構成により、本発明にかかるダミ
ーウエハは、半導体ウエハ洗浄装置の洗浄液としてフッ
酸等の酸性のものを用いた場合であっても、ダミーウエ
ハの表面は腐食によって面荒れを起こすことがなく、洗
浄液中のパ−ティクル量を正確に測定することができ
る。その結果、洗浄液中のパ−ティクルが所定量以上蓄
積される前に、洗浄液を交換することができ、半導体ウ
エハの良好な洗浄を行うことができる。
やフッ硝酸水溶液等の酸性の洗浄液を用いた場合であっ
ても、その表面は腐食によって面荒れすることがなく、
洗浄液中のパ−ティクル量を正確に測定することができ
るパ−ティクル検出用ダミーウエハを提供する。 【解決手段】 本発明は、パ−ティクル検出用ダミーウ
エハにおいて、前記ダミーウエハをガラス状カーボン材
により形成すると共に、前記ガラス状カーボン材の表面
粗さＲmax を０．０１μｍ〜０．０５μｍとしたことを
特徴としている。この構成により、本発明にかかるダミ
ーウエハは、半導体ウエハ洗浄装置の洗浄液としてフッ
酸等の酸性のものを用いた場合であっても、ダミーウエ
ハの表面は腐食によって面荒れを起こすことがなく、洗
浄液中のパ−ティクル量を正確に測定することができ
る。その結果、洗浄液中のパ−ティクルが所定量以上蓄
積される前に、洗浄液を交換することができ、半導体ウ
エハの良好な洗浄を行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はパ−ティクル検出用
ダミーウエハに関し、詳しくは、半導体ウエハを洗浄す
る前に、洗浄槽内のパ−ティクルの汚染状況を測定する
ために用いられるパ−ティクル検出用ダミーウエハに関
する。
ダミーウエハに関し、詳しくは、半導体ウエハを洗浄す
る前に、洗浄槽内のパ−ティクルの汚染状況を測定する
ために用いられるパ−ティクル検出用ダミーウエハに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体の製造工程において、半
導体ウエハの切断後、ラッピング後、エッチング後、鏡
面研磨後等の種々の処理後に、半導体ウエハ表面に付着
した塵埃を含む有機系の汚染付着物及び無機系の汚染付
着物を除去するため、半導体ウエハの洗浄処理が行われ
ている。この半導体ウエハの洗浄処理には、図１に示す
ような半導体ウエハ洗浄装置が、一般的に用いられてい
る。
導体ウエハの切断後、ラッピング後、エッチング後、鏡
面研磨後等の種々の処理後に、半導体ウエハ表面に付着
した塵埃を含む有機系の汚染付着物及び無機系の汚染付
着物を除去するため、半導体ウエハの洗浄処理が行われ
ている。この半導体ウエハの洗浄処理には、図１に示す
ような半導体ウエハ洗浄装置が、一般的に用いられてい
る。
【０００３】図１に示す半導体ウエハ洗浄装置１は、半
導体ウエハＷを洗浄するための洗浄液２が貯留された洗
浄槽３と、前記半導体ウエハＷを支持するホルダ−４
と、前記ホルダ−４が載置される載置台５と、前記載置
台５を移動させる駆動部６と、前記半導体ウエハＷの洗
浄を補助するために前記洗浄槽３内にＡｒあるいはＨｅ
等の不活性ガスＧを供給するパイプ７と、前記パイプ７
に前記不活性ガスを供給する不活性ガス供給源８とによ
り構成されている。
導体ウエハＷを洗浄するための洗浄液２が貯留された洗
浄槽３と、前記半導体ウエハＷを支持するホルダ−４
と、前記ホルダ−４が載置される載置台５と、前記載置
台５を移動させる駆動部６と、前記半導体ウエハＷの洗
浄を補助するために前記洗浄槽３内にＡｒあるいはＨｅ
等の不活性ガスＧを供給するパイプ７と、前記パイプ７
に前記不活性ガスを供給する不活性ガス供給源８とによ
り構成されている。
【０００４】このような構成を備える半導体ウエハ洗浄
装置１を用いて、半導体ウエハＷの洗浄を行うには、ま
ず半導体ウエハＷが支持されたホルダ−４を載置台５に
載せ、その載置台５を洗浄液２が貯留された洗浄槽３内
に移動させ、半導体ウエハＷを洗浄液２に浸漬する。そ
の後、前記載置台５を洗浄槽３内で左右方向（矢印方
向）に移動させると共に、不活性ガス供給源８からパイ
プ７を介して不活性ガスＧを洗浄液２中に供給する。こ
の載置台５の移動、不活性ガスＧ及び洗浄液の洗浄効果
によって、半導体ウエハＷ表面に付着した付着物は取除
かれ、半導体ウエハＷの洗浄処理は終了する。
装置１を用いて、半導体ウエハＷの洗浄を行うには、ま
ず半導体ウエハＷが支持されたホルダ−４を載置台５に
載せ、その載置台５を洗浄液２が貯留された洗浄槽３内
に移動させ、半導体ウエハＷを洗浄液２に浸漬する。そ
の後、前記載置台５を洗浄槽３内で左右方向（矢印方
向）に移動させると共に、不活性ガス供給源８からパイ
プ７を介して不活性ガスＧを洗浄液２中に供給する。こ
の載置台５の移動、不活性ガスＧ及び洗浄液の洗浄効果
によって、半導体ウエハＷ表面に付着した付着物は取除
かれ、半導体ウエハＷの洗浄処理は終了する。
【０００５】このような半導体ウエハ洗浄装置の洗浄槽
内に貯留される洗浄液は、洗浄処理において繰返し使用
されるため、洗浄処理回数が増加するに連れてウエハ表
面に付着していた付着物が洗浄液中に、いわゆるパ−テ
ィクルとして混入する。このパ−ティクルによる洗浄液
の汚染が進むと、洗浄処理を行っている半導体ウエハ表
面に洗浄液中のパ−ティクルが付着し、良好な洗浄処理
を行うことができないという弊害があった。そのため、
半導体ウエハを洗浄する前に、Ｓｉ材からなるダミーウ
エハ（以下、Ｓｉダミーウエハという）を用いて、洗浄
液中のパ−ティクル量を測定し、所定量以上のパ−ティ
クルが含まれている場合には、洗浄液を新たな洗浄液に
交換した後、半導体ウエハの洗浄処理を行なっていた。
内に貯留される洗浄液は、洗浄処理において繰返し使用
されるため、洗浄処理回数が増加するに連れてウエハ表
面に付着していた付着物が洗浄液中に、いわゆるパ−テ
ィクルとして混入する。このパ−ティクルによる洗浄液
の汚染が進むと、洗浄処理を行っている半導体ウエハ表
面に洗浄液中のパ−ティクルが付着し、良好な洗浄処理
を行うことができないという弊害があった。そのため、
半導体ウエハを洗浄する前に、Ｓｉ材からなるダミーウ
エハ（以下、Ｓｉダミーウエハという）を用いて、洗浄
液中のパ−ティクル量を測定し、所定量以上のパ−ティ
クルが含まれている場合には、洗浄液を新たな洗浄液に
交換した後、半導体ウエハの洗浄処理を行なっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウエ
ハ洗浄装置の洗浄液として、一般的にフッ酸やフッ硝酸
水溶液等の酸性のものが多く用いられている。そのた
め、従来のＳｉダミーウエハは洗浄液によって腐食し、
その表面に面荒れが発生する。この面荒れは、洗浄液に
含まれるパ−ティクル量を測定する際に、パ−ティクル
と誤認されることがあり、洗浄液中のパ−ティクル量を
正確に測定することができなかった。
ハ洗浄装置の洗浄液として、一般的にフッ酸やフッ硝酸
水溶液等の酸性のものが多く用いられている。そのた
め、従来のＳｉダミーウエハは洗浄液によって腐食し、
その表面に面荒れが発生する。この面荒れは、洗浄液に
含まれるパ−ティクル量を測定する際に、パ−ティクル
と誤認されることがあり、洗浄液中のパ−ティクル量を
正確に測定することができなかった。
【０００７】特に、近年の半導体ウエハが６４メガバイ
ト以上の高集積化になるにつれて、許容されるパ−ティ
クルは小径化の傾向にあり、前記面荒れをパ−ティクル
と誤認する場合が多く、パ−ティクル量を正確に測定す
ることは困難になってきている。また、前記したように
従来のＳｉダミーウエハは、酸性の洗浄液によって腐食
するため、繰返し使用することができず、製造コストの
上昇を招いていた。
ト以上の高集積化になるにつれて、許容されるパ−ティ
クルは小径化の傾向にあり、前記面荒れをパ−ティクル
と誤認する場合が多く、パ−ティクル量を正確に測定す
ることは困難になってきている。また、前記したように
従来のＳｉダミーウエハは、酸性の洗浄液によって腐食
するため、繰返し使用することができず、製造コストの
上昇を招いていた。
【０００８】そこで、本発明は、半導体ウエハ洗浄装置
の洗浄液として、フッ酸やフッ硝酸水溶液等の酸性の洗
浄液を用いた場合であっても、その表面は腐食によって
面荒れすることがなく、洗浄液中のパ−ティクル量を正
確に測定することができるパ−ティクル検出用ダミーウ
エハを提供することを目的とする。
の洗浄液として、フッ酸やフッ硝酸水溶液等の酸性の洗
浄液を用いた場合であっても、その表面は腐食によって
面荒れすることがなく、洗浄液中のパ−ティクル量を正
確に測定することができるパ−ティクル検出用ダミーウ
エハを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
になされた本発明は、パ−ティクル検出用ダミーウエハ
において、前記ダミーウエハをガラス状カーボン材によ
り形成すると共に、前記ガラス状カーボン材の表面粗さ
Ｒmax を０．０１μｍ〜０．０５μｍとしたことを特徴
としている。また、このパ−ティクル検出用ダミーウエ
ハに用いられるガラス状カーボン材の開気孔の気孔径
が、０．０５μｍ以下であるのが好ましい。更に、この
パ−ティクル検出用ダミーウエハに用いられるガラス状
カーボン材の開気孔の気孔率が、０．０１％以下である
のが好ましい。
になされた本発明は、パ−ティクル検出用ダミーウエハ
において、前記ダミーウエハをガラス状カーボン材によ
り形成すると共に、前記ガラス状カーボン材の表面粗さ
Ｒmax を０．０１μｍ〜０．０５μｍとしたことを特徴
としている。また、このパ−ティクル検出用ダミーウエ
ハに用いられるガラス状カーボン材の開気孔の気孔径
が、０．０５μｍ以下であるのが好ましい。更に、この
パ−ティクル検出用ダミーウエハに用いられるガラス状
カーボン材の開気孔の気孔率が、０．０１％以下である
のが好ましい。
【００１０】以上のような構成により、本発明にかかる
ダミーウエハは、ガラス状カーボン材により形成されて
いるため、半導体ウエハ洗浄装置の洗浄液としてフッ酸
等の酸性のものを用いた場合であっても、ダミーウエハ
の表面は腐食によって面荒れを起こすことがない。しか
も、前記ガラス状カーボン材の表面粗さＲmax が０．０
１μｍ〜０．０５μｍであるため、洗浄液中のパ−ティ
クル量を測定する際に、前記ダミーウエハの面荒れをパ
−ティクルとして誤って測定することがなく、洗浄液中
のパ−ティクル量を正確に測定することができる。同様
に、パ−ティクル検出用ダミーウエハの開気孔の気孔径
が０．０５μｍ以下、あるいは、及び気孔率が０．０１
％以下であるため、洗浄液中のパ−ティクル量を測定す
る際に、ガラス状カーボン材の気孔をパ−ティクルと誤
って測定することがなく、洗浄液中のパ−ティクル量を
正確に測定することができる。その結果、洗浄液中のパ
−ティクルが所定量以上蓄積される前に、洗浄液を交換
することができ、半導体ウエハの良好な洗浄を行うこと
ができる。
ダミーウエハは、ガラス状カーボン材により形成されて
いるため、半導体ウエハ洗浄装置の洗浄液としてフッ酸
等の酸性のものを用いた場合であっても、ダミーウエハ
の表面は腐食によって面荒れを起こすことがない。しか
も、前記ガラス状カーボン材の表面粗さＲmax が０．０
１μｍ〜０．０５μｍであるため、洗浄液中のパ−ティ
クル量を測定する際に、前記ダミーウエハの面荒れをパ
−ティクルとして誤って測定することがなく、洗浄液中
のパ−ティクル量を正確に測定することができる。同様
に、パ−ティクル検出用ダミーウエハの開気孔の気孔径
が０．０５μｍ以下、あるいは、及び気孔率が０．０１
％以下であるため、洗浄液中のパ−ティクル量を測定す
る際に、ガラス状カーボン材の気孔をパ−ティクルと誤
って測定することがなく、洗浄液中のパ−ティクル量を
正確に測定することができる。その結果、洗浄液中のパ
−ティクルが所定量以上蓄積される前に、洗浄液を交換
することができ、半導体ウエハの良好な洗浄を行うこと
ができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかるパ−ティク
ル検出用ダミーウエハの実施の形態について詳しく説明
する。本発明にかかるパ−ティクル検出用ダミーウエハ
は、ガラス状カーボン材により形成されている。このガ
ラス状カーボン材は、外観がガラス状の高硬質炭素で、
耐摩耗性、耐酸性、ガス不透過性であり、基本的に固相
炭素化により製造されるものである。本発明で使用する
ガラス状カーボンは一般にそのような概念に属するもの
であれば特に制限はない。上記したようにガラス状カー
ボン材は耐酸性を有するため、洗浄液としてフッ酸やフ
ッ硝酸水溶液等の酸性の洗浄液を用いた場合であって
も、その表面は腐食しないため、面荒れは発生しない。
ル検出用ダミーウエハの実施の形態について詳しく説明
する。本発明にかかるパ−ティクル検出用ダミーウエハ
は、ガラス状カーボン材により形成されている。このガ
ラス状カーボン材は、外観がガラス状の高硬質炭素で、
耐摩耗性、耐酸性、ガス不透過性であり、基本的に固相
炭素化により製造されるものである。本発明で使用する
ガラス状カーボンは一般にそのような概念に属するもの
であれば特に制限はない。上記したようにガラス状カー
ボン材は耐酸性を有するため、洗浄液としてフッ酸やフ
ッ硝酸水溶液等の酸性の洗浄液を用いた場合であって
も、その表面は腐食しないため、面荒れは発生しない。
【００１２】またガラス状カーボン材は、好ましくは、
耐熱温度２０００℃以上、カサ比重１．５〜１．６ｇ／
ｃｍ3 、曲げ強度１００ＭＰａ以上、熱伝導率５〜１０
Ｗ／ｍ・Ｋであり、特に、３．０〜３．５×１０-6／℃
の熱膨張率（石英押捧式測定法で室温から４５０℃の
値）を有するものである。尚、このパ−ティクル検出用
ダミーウエハの形状は、特に制限されるものではない。
但し、ダミーウエハは通常、ウエハ移動手段に載置され
て洗浄されるものであるため、一般のウエハと同一形状
であることが好ましい。
耐熱温度２０００℃以上、カサ比重１．５〜１．６ｇ／
ｃｍ3 、曲げ強度１００ＭＰａ以上、熱伝導率５〜１０
Ｗ／ｍ・Ｋであり、特に、３．０〜３．５×１０-6／℃
の熱膨張率（石英押捧式測定法で室温から４５０℃の
値）を有するものである。尚、このパ−ティクル検出用
ダミーウエハの形状は、特に制限されるものではない。
但し、ダミーウエハは通常、ウエハ移動手段に載置され
て洗浄されるものであるため、一般のウエハと同一形状
であることが好ましい。
【００１３】また、一般的に製造されるガラス状カーボ
ン材の表面粗さＲmax は１μｍ程度であるが、本発明に
かかるパ−ティクル検出用ダミーウエハは、表面粗さＲ
maxが０．０１μｍ〜０．０５μｍであることが好まし
い。表面粗さＲmax を０．０１μｍ〜０．０５μｍとす
ることによって、洗浄液中のパ−ティクル量を測定する
際に、前記ダミーウエハの面荒れをパ−ティクルとして
誤って測定することがない。その結果、パ−ティクル量
の高精度な測定を行うことができる。尚、表面粗さＲ
max を０．０１μｍ〜０．０５μｍとする方法は、特に
制限されるものではなく、公知の研磨加工等の表面加工
方法を適用することができる。
ン材の表面粗さＲmax は１μｍ程度であるが、本発明に
かかるパ−ティクル検出用ダミーウエハは、表面粗さＲ
maxが０．０１μｍ〜０．０５μｍであることが好まし
い。表面粗さＲmax を０．０１μｍ〜０．０５μｍとす
ることによって、洗浄液中のパ−ティクル量を測定する
際に、前記ダミーウエハの面荒れをパ−ティクルとして
誤って測定することがない。その結果、パ−ティクル量
の高精度な測定を行うことができる。尚、表面粗さＲ
max を０．０１μｍ〜０．０５μｍとする方法は、特に
制限されるものではなく、公知の研磨加工等の表面加工
方法を適用することができる。
【００１４】更に、パ−ティクル検出用ダミーウエハの
開気孔の気孔径は０．０５μｍ以下で、気孔率は０．０
１％以下であることが好ましい。その理由は、開気孔の
気孔径が０．０５μｍを越える場合、あるいは気孔率が
０．０１％を越える場合には、上記した表面粗さＲmax
の場合と同様に、洗浄液中のパ−ティクル量を測定する
際に、ガラス状カーボン材の気孔をパ−ティクルと誤っ
て測定することがあるためである。
開気孔の気孔径は０．０５μｍ以下で、気孔率は０．０
１％以下であることが好ましい。その理由は、開気孔の
気孔径が０．０５μｍを越える場合、あるいは気孔率が
０．０１％を越える場合には、上記した表面粗さＲmax
の場合と同様に、洗浄液中のパ−ティクル量を測定する
際に、ガラス状カーボン材の気孔をパ−ティクルと誤っ
て測定することがあるためである。
【００１５】次に、本発明にかかるパ−ティクル検出用
ダミーウエハの製造方法について説明する。尚、一般的
にガラス状カーボン材は、極めて高硬度であり切削加工
等が困難であることから、予め所定形状、一般には、平
板円盤状に形成した後に炭素化して製造することが好ま
しい。ガラス状カーボン材は、例えば、フラン系樹脂、
フェノール系樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を、
窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、約１０００℃
以上の温度で緩やかに長時間焼成することにより生成さ
れる。特に、本発明に使用されるガラス状カーボン材は
気孔径が０．０５μｍ以下で、気孔率が０．０１％以下
であることが必要とされるため、熱硬化性樹脂に有機ス
ルホン酸を添加して常温重合させ流動状重合物とし、流
動状態で成形型に注入して緩やかに昇温して硬化させて
成形体を形成し、得られた成形体を８００℃〜１０００
℃に徐々に昇温して焼成炭化し、表面加工を施した後、
更に、２０００℃〜２５００℃に加熱して純化処理する
ことによって得ることができる。
ダミーウエハの製造方法について説明する。尚、一般的
にガラス状カーボン材は、極めて高硬度であり切削加工
等が困難であることから、予め所定形状、一般には、平
板円盤状に形成した後に炭素化して製造することが好ま
しい。ガラス状カーボン材は、例えば、フラン系樹脂、
フェノール系樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を、
窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、約１０００℃
以上の温度で緩やかに長時間焼成することにより生成さ
れる。特に、本発明に使用されるガラス状カーボン材は
気孔径が０．０５μｍ以下で、気孔率が０．０１％以下
であることが必要とされるため、熱硬化性樹脂に有機ス
ルホン酸を添加して常温重合させ流動状重合物とし、流
動状態で成形型に注入して緩やかに昇温して硬化させて
成形体を形成し、得られた成形体を８００℃〜１０００
℃に徐々に昇温して焼成炭化し、表面加工を施した後、
更に、２０００℃〜２５００℃に加熱して純化処理する
ことによって得ることができる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の実施例及び比較例として、表
面粗さＲmax 、気孔径及び気孔率の異なる複数のパ−テ
ィクル検出用ダミーウエハを用いて、ウエハ洗浄装置内
の洗浄液のパ−ティクルの測定及び表面荒れの度合い、
また製造コストの評価を行った。洗浄液のパ−ティクル
の測定は、図１に示す半導体ウエハ洗浄装置を用いて、
ダミ−ウエハをフッ硝酸の洗浄液に５分間浸漬し、洗浄
液のパ−ティクルをダミ−ウエハに付着させ、０．０５
μｍの径を有するパ−ティクルを検出できるか、否かを
評価した。
面粗さＲmax 、気孔径及び気孔率の異なる複数のパ−テ
ィクル検出用ダミーウエハを用いて、ウエハ洗浄装置内
の洗浄液のパ−ティクルの測定及び表面荒れの度合い、
また製造コストの評価を行った。洗浄液のパ−ティクル
の測定は、図１に示す半導体ウエハ洗浄装置を用いて、
ダミ−ウエハをフッ硝酸の洗浄液に５分間浸漬し、洗浄
液のパ−ティクルをダミ−ウエハに付着させ、０．０５
μｍの径を有するパ−ティクルを検出できるか、否かを
評価した。
【００１７】また、表面荒れの度合いは、ダミーウエハ
を洗浄液に浸漬する前、及び洗浄液に浸漬した後の表面
荒さを測定し評価した。更に、製造コストは、加工費用
と表面粗さの変化に伴う推定使用ライフを評価した。そ
の評価の結果を表１に示す。
を洗浄液に浸漬する前、及び洗浄液に浸漬した後の表面
荒さを測定し評価した。更に、製造コストは、加工費用
と表面粗さの変化に伴う推定使用ライフを評価した。そ
の評価の結果を表１に示す。
【００１８】尚、実施例１として、表面粗さＲmax を
０．０２μｍに設定した直径２００ｍｍ、厚さ７２５μ
ｍのガラス状カーボン材からなるダミーウエハを用い
た。実施例２として、表面粗さＲmax を０．０３μｍの
ガラス状カーボン材からなるダミーウエハを用いた。実
施例３として、表面粗さＲmax を０．０５μｍのガラス
状カーボン材からなるダミーウエハを用いた。
０．０２μｍに設定した直径２００ｍｍ、厚さ７２５μ
ｍのガラス状カーボン材からなるダミーウエハを用い
た。実施例２として、表面粗さＲmax を０．０３μｍの
ガラス状カーボン材からなるダミーウエハを用いた。実
施例３として、表面粗さＲmax を０．０５μｍのガラス
状カーボン材からなるダミーウエハを用いた。
【００１９】また比較例１として、表面粗さＲmax を
０．００７μｍのガラス状カーボン材からなるダミーウ
エハを用いた。比較例２として、表面粗さＲmax を０．
０８μｍのガラス状カーボン材からなるダミーウエハを
用いた。比較例３として、表面粗さＲmax を０．０３μ
ｍのＳｉ材からなるダミーウエハを用いた。
０．００７μｍのガラス状カーボン材からなるダミーウ
エハを用いた。比較例２として、表面粗さＲmax を０．
０８μｍのガラス状カーボン材からなるダミーウエハを
用いた。比較例３として、表面粗さＲmax を０．０３μ
ｍのＳｉ材からなるダミーウエハを用いた。
【００２０】更に比較例４として、開気孔の気孔径が１
μｍであるガラス状カーボン材からなるダミーウエハを
用いた。比較例５として、開気孔の気孔率が０．１％で
あるガラス状カーボン材からなるダミーウエハを用い
た。
μｍであるガラス状カーボン材からなるダミーウエハを
用いた。比較例５として、開気孔の気孔率が０．１％で
あるガラス状カーボン材からなるダミーウエハを用い
た。
【００２１】
【表１】
【００２２】尚、上記表１において、測定結果は０．０
５μｍの径を有するパ−ティクルの検出ができた場合に
は、検出できなかった場合には×で表されている。また
製造コストは、高価な場合には×、安価な場合にはで表
されている。更に、総合評価は、実用化可能なものは、
実用化困難なものは×、欠点を有するものの実用化可能
なものは△で表されている。
５μｍの径を有するパ−ティクルの検出ができた場合に
は、検出できなかった場合には×で表されている。また
製造コストは、高価な場合には×、安価な場合にはで表
されている。更に、総合評価は、実用化可能なものは、
実用化困難なものは×、欠点を有するものの実用化可能
なものは△で表されている。
【００２３】以上の実施例及び比較例の結果より、比較
例１のように表面粗さＲmax が０．００７μｍである
と、０．０５μｍの径を有するパ−ティクルを検出する
ことができるが、表面粗さが極めて小さいため、表面加
工に費用がかかり製造コストは高いものであった。ま
た、比較例２のように表面粗さＲmax が０．０８μｍで
あると、面荒れをパ−ティクルとして検出してしまうた
め、０．０５μｍの径を有するパ−ティクルを検出する
ことができなかった。
例１のように表面粗さＲmax が０．００７μｍである
と、０．０５μｍの径を有するパ−ティクルを検出する
ことができるが、表面粗さが極めて小さいため、表面加
工に費用がかかり製造コストは高いものであった。ま
た、比較例２のように表面粗さＲmax が０．０８μｍで
あると、面荒れをパ−ティクルとして検出してしまうた
め、０．０５μｍの径を有するパ−ティクルを検出する
ことができなかった。
【００２４】更に、比較例３のように、ダミ−ウエハの
材質が従来通りＳｉである場合には、使用前の表面粗さ
Ｒmax が０．０３μｍであっても、使用後の表面粗さが
０．０８μｍと面荒れを起こすため、比較例１と同様
に、面荒れをパ−ティクルとして検出してしまうため、
０．０５μｍの径を有するパ−ティクルを検出すること
ができなかった。また、比較例４のように開気孔の気孔
径が１μｍ、気孔率を０．１％であると気孔による面荒
れをパ−ティクルとして検出してしまうため、０．０５
μｍの径を有するパ−ティクルを検出することができな
かった。また同様に、比較例５のように開気孔の気孔径
が０．１μｍ、気孔率を０．１％であると気孔による面
荒れをパ−ティクルとして検出してしまうため、０．０
５μｍの径を有するパ−ティクルを検出することができ
なかった。
材質が従来通りＳｉである場合には、使用前の表面粗さ
Ｒmax が０．０３μｍであっても、使用後の表面粗さが
０．０８μｍと面荒れを起こすため、比較例１と同様
に、面荒れをパ−ティクルとして検出してしまうため、
０．０５μｍの径を有するパ−ティクルを検出すること
ができなかった。また、比較例４のように開気孔の気孔
径が１μｍ、気孔率を０．１％であると気孔による面荒
れをパ−ティクルとして検出してしまうため、０．０５
μｍの径を有するパ−ティクルを検出することができな
かった。また同様に、比較例５のように開気孔の気孔径
が０．１μｍ、気孔率を０．１％であると気孔による面
荒れをパ−ティクルとして検出してしまうため、０．０
５μｍの径を有するパ−ティクルを検出することができ
なかった。
【００２５】これに対して、実施例１、２、３のよう
に、表面粗さＲmax が０．０１μｍから０．０５μｍの
範囲内にある場合には、０．０５μｍの径を有するパ−
ティクルを検出することができ、しかも製造コストも安
価に抑えることができるため、実用に供することができ
るものであることが認められた。
に、表面粗さＲmax が０．０１μｍから０．０５μｍの
範囲内にある場合には、０．０５μｍの径を有するパ−
ティクルを検出することができ、しかも製造コストも安
価に抑えることができるため、実用に供することができ
るものであることが認められた。
【００２６】
【発明の効果】本発明にかかるパ−ティクル検出用ダミ
ーウエハは、ガラス状カーボン材により形成されている
ため、半導体ウエハ洗浄装置の洗浄液としてフッ酸等の
酸性のものを用いた場合であっても、その表面が腐食に
よって面荒れを起こすことがなく、小径のパ−ティクル
についても検出することができるため、洗浄槽内の洗浄
液の汚染状況を正確に測定することができる。その結
果、洗浄液中のパ−ティクルが所定量蓄積される前に、
洗浄液を新規な洗浄液に交換することができ、半導体ウ
エハの適切な洗浄処理を行うことができる。また、本発
明のパ−ティクル検出用ダミーウエハは、従来のＳｉダ
ミーウエハとは異なり、ダミーウエハとして繰返し使用
することができるため、製造コストの低減を図ることが
できる。
ーウエハは、ガラス状カーボン材により形成されている
ため、半導体ウエハ洗浄装置の洗浄液としてフッ酸等の
酸性のものを用いた場合であっても、その表面が腐食に
よって面荒れを起こすことがなく、小径のパ−ティクル
についても検出することができるため、洗浄槽内の洗浄
液の汚染状況を正確に測定することができる。その結
果、洗浄液中のパ−ティクルが所定量蓄積される前に、
洗浄液を新規な洗浄液に交換することができ、半導体ウ
エハの適切な洗浄処理を行うことができる。また、本発
明のパ−ティクル検出用ダミーウエハは、従来のＳｉダ
ミーウエハとは異なり、ダミーウエハとして繰返し使用
することができるため、製造コストの低減を図ることが
できる。
【図１】一般的なウエハ洗浄装置の概略断面説明図であ
る。
る。
１ ウエハ洗浄装置 ２ 洗浄液 ３ 洗浄槽 ４ ホルダ− ５ 載置台 ６ 駆動部 ７ パイプ ８ 不活性ガス供給源 Ｇ 不活性ガス Ｗ ウエハ
Claims (3)
- 【請求項１】 パ−ティクル検出用ダミーウエハにおい
て、前記ダミーウエハをガラス状カーボン材により形成
する共に、前記ガラス状カーボン材の表面粗さＲmax を
０．０１μｍ〜０．０５μｍとしたことを特徴とするパ
−ティクル検出用ダミーウエハ。 - 【請求項２】 前記ガラス状カーボン材の開気孔の気孔
径が、０．０５μｍ以下であることを特徴とする請求項
１に記載されたパ−ティクル検出用ダミーウエハ。 - 【請求項３】 前記ガラス状カーボン材の開気孔の気孔
率が、０．０１％以下であることを特徴とする請求項１
または請求項２に記載されたパ−ティクル検出用ダミー
ウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8356834A JPH10189675A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | パ−ティクル検出用ダミーウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8356834A JPH10189675A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | パ−ティクル検出用ダミーウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189675A true JPH10189675A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18451006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8356834A Pending JPH10189675A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | パ−ティクル検出用ダミーウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189675A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273947A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム、基板表面処理装置、基板表面検査装置、基板表面検査方法及び記憶媒体 |
| JP2010505118A (ja) * | 2006-09-29 | 2010-02-18 | サイバーオプティクス セミコンダクタ インコーポレイテッド | 基板と一体化された粒子センサ |
| US8578952B2 (en) | 2006-03-08 | 2013-11-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate surface processing apparatus, substrate surface inspecting apparatus, substrate surface inspecting method, and storage medium storing program for implementing the method |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP8356834A patent/JPH10189675A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273947A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム、基板表面処理装置、基板表面検査装置、基板表面検査方法及び記憶媒体 |
| US8578952B2 (en) | 2006-03-08 | 2013-11-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate surface processing apparatus, substrate surface inspecting apparatus, substrate surface inspecting method, and storage medium storing program for implementing the method |
| JP2010505118A (ja) * | 2006-09-29 | 2010-02-18 | サイバーオプティクス セミコンダクタ インコーポレイテッド | 基板と一体化された粒子センサ |
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