JPH10189526A - Method and apparatus for cleaning of reticle - Google Patents

Method and apparatus for cleaning of reticle

Info

Publication number
JPH10189526A
JPH10189526A JP34150396A JP34150396A JPH10189526A JP H10189526 A JPH10189526 A JP H10189526A JP 34150396 A JP34150396 A JP 34150396A JP 34150396 A JP34150396 A JP 34150396A JP H10189526 A JPH10189526 A JP H10189526A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
cleaning
pure water
arm
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP34150396A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Kono
隆 河野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP34150396A priority Critical patent/JPH10189526A/en
Publication of JPH10189526A publication Critical patent/JPH10189526A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cleaning method for a reticle, in which a cleaning effect is high. SOLUTION: A reticle cleaning method refers to a cleaning method for a reticle for photolithography which is applied when a semiconductor device is manufactured. Instead of a brush scribing and cleaning operation in conventional cases, pure water is jetted to both faces of the reticle in a first reticle cleaning part 12, and the reticle is immersed in a surface-active agent solution in a surface-active agent treatment part 14. Then, ammonia water and pure water are jetted to both faces of the reticle in a second reticle cleaning part 16, and the reticle is cleaned. In addition, in the same manner as in conventional cases, the reticle is cleaned ultrasonically by executing a pure-water ultrasonic cleaning operation in an ultrasonic cleaning part 18, and the reticle is dried by IPA(isopropyl alcohol) vapor in an IPA drying part 20.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レチクルの洗浄方
法及びその装置に関し、更に詳細には洗浄効果の高いレ
チクルの洗浄方法及びその装置に関するものである。
The present invention relates to a reticle cleaning method and apparatus, and more particularly to a reticle cleaning method and apparatus having a high cleaning effect.

【0002】[0002]

【従来の技術】フォトリソグラフィで使用するレチクル
にパーティクル等の異物が付着していると、正確なパタ
ーンを基板上に転写できない。そこで、従来、露光の前
後、或いは露光を一時中断してレチクルを洗浄してい
る。従来、レチクルの洗浄は、図7に示すブラシ・スク
ライブ洗浄装置50、図8に示す超音波洗浄装置52及
び図9に示すIPA乾燥装置54により次の洗浄手順で
行われていた。 (1)先ず、ブラシ・スクライブ洗浄装置50を使っ
て、ブラシ・スクライブ洗浄工程を実施する。下段のノ
ズル57からアンモニア水を流出させながら、ブラシ5
8を回転させつつレチクルRに接触させて洗浄する。レ
チクルRを引き上げる時、上段のノズル56から純水を
レチクルRに向け噴出して、レチクルRに付着した異物
を洗い流す。 (2)次いで、超音波洗浄装置52を使って、超音波洗
浄工程を実施する。純水を収容した洗浄槽60中にレチ
クルRを浸漬し、超音波発生器62から超音波をレチク
ルRに照射して洗浄する。洗浄したレチクルRを純水か
らから引き上げつつ、ノズル63から純水をレチクルR
にシャワー状に噴射し、レチクルR上の異物を除去す
る。 (3)最後に、IPA乾燥装置54を使って、IPA乾
燥工程を実施する。IPA槽66にIPA(イソプロピ
ルアルコール)を収容し、ヒータ64で加熱してIPA
蒸気を発生し、IPA蒸気中にレチクルRを入れて、レ
チクルR上でIPA蒸気を凝縮させ、凝縮IPAでレチ
クルRの付着水を置換する。置換しながら、レチクルR
をIPAの沸点まで昇温し、凝縮IPAを蒸発させて乾
燥する。洗浄を行った後、パーティクル検査を行う。若
し、満足できる程度にパーティクルの除去が行われてい
ない時には、再洗浄が必要となる。
2. Description of the Related Art If foreign matter such as particles adheres to a reticle used in photolithography, an accurate pattern cannot be transferred onto a substrate. Therefore, conventionally, the reticle is washed before or after the exposure, or by temporarily stopping the exposure. Conventionally, cleaning of the reticle has been performed by the brush / scribe cleaning apparatus 50 shown in FIG. 7, the ultrasonic cleaning apparatus 52 shown in FIG. 8, and the IPA drying apparatus 54 shown in FIG. (1) First, a brush scribe cleaning step is performed using the brush scribe cleaning device 50. While discharging the ammonia water from the lower nozzle 57, the brush 5
8 is rotated and brought into contact with the reticle R for cleaning. When the reticle R is lifted, pure water is spouted from the upper nozzle 56 toward the reticle R to wash away foreign substances attached to the reticle R. (2) Next, an ultrasonic cleaning step is performed using the ultrasonic cleaning device 52. The reticle R is immersed in the cleaning tank 60 containing pure water, and the reticle R is irradiated with ultrasonic waves from the ultrasonic generator 62 for cleaning. While pulling up the washed reticle R from the pure water, the pure water is supplied from the nozzle 63 to the reticle R.
To remove foreign matter on the reticle R. (3) Finally, an IPA drying step is performed using the IPA drying device 54. IPA (isopropyl alcohol) is accommodated in the IPA tank 66 and heated by the heater 64 to form the IPA.
A vapor is generated, the reticle R is put into the IPA vapor, the IPA vapor is condensed on the reticle R, and the condensed IPA replaces the water adhering to the reticle R. While replacing, reticle R
Is heated to the boiling point of IPA, and condensed IPA is evaporated to dryness. After cleaning, a particle inspection is performed. If the particles have not been removed to a satisfactory degree, re-cleaning is required.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の洗浄方法では、レチクルの洗浄効果が低く、洗浄後の
パーティクル検査でパーティクルが残存しているため
に、再洗浄が必要になることがしばしば生じていた。と
ころで、半導体装置の微細化が進むにつれて、レチクル
に付着したパーティクルは、重大な影響をパターニング
に及ぼし、正確なパターニングを行うことが益々難しく
なっている。従って、半導体装置の微細化に対応できる
ような洗浄効果の高いレチクルの洗浄方法の開発が求め
られている。
However, in the conventional cleaning method described above, the cleaning effect of the reticle is low, and it is often necessary to reclean the particles because the particles remain in the particle inspection after the cleaning. Had occurred. By the way, as the miniaturization of the semiconductor device progresses, particles attached to the reticle exert a significant influence on the patterning, and it is increasingly difficult to perform accurate patterning. Therefore, development of a reticle cleaning method having a high cleaning effect capable of coping with miniaturization of semiconductor devices is required.

【0004】以上のような状況から、本発明の目的は、
洗浄効果の高い、レチクルの洗浄方法を提供することで
ある。
[0004] From the above situation, the object of the present invention is to
An object of the present invention is to provide a reticle cleaning method having a high cleaning effect.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者は、従来の方法
によるレチクルの洗浄では洗浄効果が低くなる原因を調
べ、次の事実を見い出した。即ち、従来の方法では、ブ
ラシ・スクライブ洗浄を行っているため、前回の洗浄の
際にブラシに付いたゴミが、再び、次に洗浄するレチク
ルに付着し、この結果、レチクルの洗浄不良が生じるこ
とが判った。レチクルの洗浄毎にブラシを交換すれば、
このような洗浄不良を防ぐことができるが、交換に人手
と時間を要し、また新たなブラシが必要となる。これで
は、レチクルの洗浄コストが嵩み、実用的ではない。そ
こで、本発明者は、ブラシ・スクライブ洗浄を必要とし
ない洗浄方法を開発することにし、実験を重ねた末に、
本発明を完成するに到った。
Means for Solving the Problems The present inventor has investigated the cause of the low cleaning effect in the conventional reticle cleaning, and has found the following facts. That is, in the conventional method, since the brush scribe cleaning is performed, dust attached to the brush at the time of the previous cleaning adheres to the next reticle to be cleaned again, and as a result, defective cleaning of the reticle occurs. It turns out. If you change the brush every time you clean the reticle,
Such cleaning failure can be prevented, but replacement requires time and labor and requires a new brush. This increases the cost of cleaning the reticle and is not practical. Therefore, the inventor decided to develop a cleaning method that does not require brush scribe cleaning, and after repeating experiments,
The present invention has been completed.

【0006】上記の目的を達成するために、本発明に係
るレチクルの洗浄方法は、半導体装置を製造する際に適
用するフォトリソグラフィ用のレチクルの洗浄方法であ
って、(1)レチクルに純水を噴射して洗浄する工程
と、(2)レチクルを界面活性剤溶液に浸漬する工程
と、(3)洗浄液、次いで純水をレチクルに噴射して洗
浄する工程と、(4)純水中にレチクルを浸漬して超音
波洗浄を行う工程と、(5)IPAによる乾燥工程とを
備えることを特徴としている。
In order to achieve the above object, a method of cleaning a reticle according to the present invention is a method of cleaning a reticle for photolithography applied when manufacturing a semiconductor device. (2) a step of immersing the reticle in a surfactant solution, (3) a step of washing by spraying a cleaning liquid and then pure water on the reticle, and (4) a step of immersing the reticle in pure water. It is characterized by comprising a step of immersing the reticle to perform ultrasonic cleaning, and (5) a drying step by IPA.

【0007】本発明では、(1)工程で、レチクルに、
好適にはレチクルの両面に純水を噴射して、レチクル面
に付着した異物、例えば比較的大きな粒径のパーティク
ルを洗浄除去する。次いで、(2)工程で、レチクルを
界面活性剤溶液に浸漬し、レチクル面に付着した比較的
微細な異物を界面活性剤の洗浄作用によりレチクル面か
ら剥離させ、次の(3)工程で除去し易くする。続い
て、(3)工程で、洗浄液、例えばアンモニア水を、次
いで純水をレチクル面に噴射して、(2)工程で剥離し
た異物を洗浄除去する。アンモニア水は、レチクルに荷
電した静電気を中和して静電気吸着作用を消滅させ、剥
離したゴミをレチクル面から除去し易くする。本発明で
は、(1)、(2)及び(3)工程の複合的な作用によ
り、従来のブラシ・スクライブ洗浄に代えてレチクルを
洗浄することができる。(4)超音波洗浄工程及び
(5)IPAによる乾燥工程は、従来の同様に実施す
る。
In the present invention, in the step (1), a reticle is
Preferably, pure water is sprayed on both surfaces of the reticle to wash and remove foreign substances attached to the reticle surface, for example, particles having a relatively large particle size. Next, in the step (2), the reticle is immersed in a surfactant solution, and relatively fine foreign matter adhering to the reticle surface is peeled off from the reticle surface by the cleaning action of the surfactant, and is removed in the next step (3). Make it easier. Subsequently, in step (3), a cleaning liquid, for example, ammonia water, and then pure water are sprayed onto the reticle surface to wash and remove the foreign matter peeled off in step (2). Ammonia water neutralizes the static electricity charged on the reticle, eliminates the electrostatic adsorption action, and facilitates the removal of the separated dust from the reticle surface. In the present invention, the combined operation of the steps (1), (2) and (3) allows the reticle to be cleaned instead of the conventional brush scribe cleaning. (4) The ultrasonic cleaning step and (5) the drying step by IPA are performed in the same manner as in the conventional case.

【0008】(1)工程及び(3)工程では、純水又は
洗浄水を噴射するノズル間を上下方向にレチクルを移動
させることにより、一層効果的にレチクルを洗浄するこ
とができる。(1)工程では、純水の噴射に代えて、イ
オナイザーで不活性ガスを噴射することにより、レチク
ル上の異物を除去することもできる。イオナイザーは、
レチクルに帯電した静電気を中和して、静電気吸着作用
を排除することにより、レチクル上の異物を剥離し易く
し、次いで、剥離し易くなった異物を不活性ガスにより
吹き飛ばしている。
In the steps (1) and (3), the reticle can be more effectively cleaned by moving the reticle vertically between nozzles for injecting pure water or cleaning water. In the step (1), foreign matter on the reticle can be removed by injecting an inert gas with an ionizer instead of injecting pure water. The ionizer is
By neutralizing the static electricity charged on the reticle and eliminating the electrostatic adsorption action, the foreign matter on the reticle is easily peeled off, and then the foreign matter that is easily peeled off is blown off by an inert gas.

【0009】本発明に係るレチクルの洗浄方法を実施す
る装置は、レチクル面をほぼ垂直にして、レチクルを保
持するアームと、レチクル面に純水を噴射するノズルと
を備えた、第1のレチクル洗浄部と、界面活性剤溶液を
収容する処理槽と、レチクルを保持して処理槽の界面活
性剤溶液中に浸漬するアームとを備えた、レチクルの界
面活性剤処理部と、レチクル面をほぼ垂直にして、レチ
クルを保持するアームと、レチクル面に洗浄水を噴射す
る洗浄水ノズルと、及び純水を噴射するために、洗浄水
ノズルの上方に設けられた純水ノズルとを備えた、第2
のレチクル洗浄部と、純水を収容し、かつ超音波発生部
を有して超音波洗浄を行う超音波洗浄槽と、レチクルを
保持して超音波洗浄槽の純水中に浸漬するアームとを備
えた、超音波洗浄部と、IPAを収容し、ヒータにより
加熱してIPA蒸気を発生し、IPA蒸気によりレチク
ルを乾燥させる乾燥室と、レチクルを保持して乾燥室内
に送入するアームとを備えた、IPA乾燥部とを備えて
いることを特徴としている。
An apparatus for carrying out the reticle cleaning method according to the present invention comprises a first reticle having an arm for holding a reticle with a reticle surface substantially vertical, and a nozzle for jetting pure water to the reticle surface. A cleaning unit, a processing tank containing a surfactant solution, and an arm for holding the reticle and immersing the reticle in the surfactant solution of the processing tank. Vertically, an arm that holds the reticle, a cleaning water nozzle that injects cleaning water onto the reticle surface, and a pure water nozzle provided above the cleaning water nozzle to inject pure water, Second
A reticle cleaning unit, an ultrasonic cleaning tank that contains pure water, and has an ultrasonic generator and performs ultrasonic cleaning, and an arm that holds the reticle and is immersed in pure water in the ultrasonic cleaning tank. An ultrasonic cleaning unit, a drying chamber for receiving IPA, heating with a heater to generate IPA vapor, and drying the reticle with the IPA vapor, and an arm for holding the reticle and feeding the reticle into the drying chamber. , And an IPA drying unit.

【0010】好適には、第1及び第2のレチクル洗浄部
の保持アームが、レチクルを上下方向に動かすことがで
きるようにする。また、第1のレチクル洗浄部に代え
て、レチクルを保持するアームと、アームに保持された
レチクルに向け上方から清浄空気又は清浄不活性ガスを
噴射するノズルと、レチクル表面電荷を中和する静電気
除去機構とを備えたイオナイザを設けてもよい。
[0010] Preferably, the holding arms of the first and second reticle cleaning sections allow the reticle to move up and down. Further, instead of the first reticle cleaning unit, an arm for holding the reticle, a nozzle for jetting clean air or a clean inert gas from above toward the reticle held by the arm, and an electrostatic charge for neutralizing the reticle surface charge An ionizer provided with a removing mechanism may be provided.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
例を挙げて、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説
明する。レチクル洗浄装置の実施例 本実施例は、本発明方法を実施する本発明に係るレチク
ル洗浄装置の実施例の一つであって、図1(a)は本レ
チクル洗浄装置の構成を示すブロック図、図1(b)は
本発明方法の工程図である。図2から図5は装置の各部
の詳細をそれぞれ示す。本レチクル洗浄装置10は、半
導体装置を製造する際に適用するフォトリソグラフィ用
のレチクルを洗浄する装置であって、図1(a)に示す
ように、従来のブラシ・スクライブ洗浄装置に代えて、
第1レチクル洗浄部12、界面活性剤処理部14及び第
2レチクル洗浄部16と、レチクルの従来の洗浄方法で
使用した超音波洗浄装置52及びIPA乾燥装置54と
それぞれ同じ構成の超音波洗浄部18及びIPA乾燥部
20とから構成されている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings by way of examples. Embodiment of Reticle Cleaning Apparatus This embodiment is one of the embodiments of the reticle cleaning apparatus according to the present invention for carrying out the method of the present invention, and FIG. 1A is a block diagram showing the configuration of the reticle cleaning apparatus. FIG. 1 (b) is a process chart of the method of the present invention. 2 to 5 show details of each part of the apparatus. The present reticle cleaning apparatus 10 is an apparatus for cleaning a reticle for photolithography applied when manufacturing a semiconductor device. As shown in FIG. 1A, instead of a conventional brush scribe cleaning apparatus,
The first reticle cleaning unit 12, the surfactant processing unit 14, and the second reticle cleaning unit 16, and the ultrasonic cleaning unit 52 having the same configuration as the ultrasonic cleaning device 52 and the IPA drying device 54 used in the conventional reticle cleaning method. 18 and an IPA drying unit 20.

【0012】第1レチクル洗浄部12は、図2に示すよ
うに、洗浄するレチクルRの両側に上下2段でノズル2
2A、B及びノズル23A、Bを備えた第1洗浄槽24
と、レチクルRを保持するアーム26とを備えている。
ノズル23は、高圧の純水を噴射してレチクル面を洗浄
し、異物を除去する。ノズル22は、ノズル23でレチ
クル面を洗浄し、次いでレチクルRを引き上げる際に、
純水をシャワー状に噴射してレチクルRを清浄にする。
アーム26は、レチクルRの両側縁を把持して、レチク
ル面をノズル22、23に向けてほぼ垂直方向に保持す
ることができる。第1レチクル洗浄部12に設けたアー
ム26は、更に詳細には、図3に示すように、枠状のフ
レームで形成され、フレーム内にレチクルRを保持し
て、洗浄中、上下に昇降自在である。これにより、第1
レチクル洗浄部12は、レチクルRをアーム26で保持
しつつレチクルRの両側に設けたノズル23で、次いで
ノズル22で洗浄することができる。
As shown in FIG. 2, the first reticle cleaning section 12 has nozzles 2 in upper and lower stages on both sides of a reticle R to be cleaned.
First cleaning tank 24 provided with 2A, B and nozzles 23A, B
And an arm 26 for holding the reticle R.
The nozzle 23 jets high-pressure pure water to clean the reticle surface and remove foreign matter. The nozzle 22 cleans the reticle surface with the nozzle 23, and then pulls up the reticle R,
Pure water is sprayed in a shower shape to clean the reticle R.
The arm 26 can hold both sides of the reticle R and hold the reticle surface in a substantially vertical direction toward the nozzles 22 and 23. More specifically, the arm 26 provided in the first reticle cleaning unit 12 is formed of a frame-like frame as shown in FIG. 3, and holds the reticle R in the frame, and can be moved up and down during cleaning. It is. Thereby, the first
The reticle cleaning unit 12 can perform cleaning with the nozzles 23 provided on both sides of the reticle R while holding the reticle R with the arm 26, and then with the nozzle 22.

【0013】界面活性剤処理部14は、図4に示すよう
に、界面活性剤溶液を収容する処理槽32と、第1レチ
クル洗浄部12のアーム26と同様な構成でレチクルR
を保持しつつ界面活性剤溶液中にレチクルRを浸漬し、
かつ昇降自在なアーム34とを備えている。第2レチク
ル洗浄部16は、図5に示すように、洗浄するレチクル
Rの両側に上下2段でノズル36A、B及びノズル37
A、Bを備えた第2洗浄槽38と、第1レチクル洗浄部
12のアーム26と同様な構成でレチクルRを保持しつ
つ昇降自在なアーム40とを備えている。ノズル37
は、高圧のアンモニア水をレチクル面に向け噴射し、ノ
ズル36は、高圧の純水をレチクル面に噴射する。アー
ム40は、レチクルRの両側縁を把持して、レチクル面
をノズル22A、Bに向けてほぼ垂直に保持することが
できる。
As shown in FIG. 4, the surfactant processing section 14 has a processing tank 32 for storing a surfactant solution and a reticle R having the same configuration as the arm 26 of the first reticle cleaning section 12.
While holding the reticle R in the surfactant solution,
And an arm 34 that can move up and down. As shown in FIG. 5, the second reticle cleaning unit 16 includes nozzles 36A, B and
A second cleaning tank 38 provided with A and B, and an arm 40 that can move up and down while holding the reticle R with the same configuration as the arm 26 of the first reticle cleaning unit 12 are provided. Nozzle 37
Ejects high-pressure ammonia water toward the reticle surface, and the nozzle 36 ejects high-pressure pure water onto the reticle surface. The arm 40 can hold both side edges of the reticle R and hold the reticle surface almost vertically toward the nozzles 22A and 22B.

【0014】純水超音波洗浄部18及びIPA乾燥部2
0のそれぞれの構成は、従来の装置と同じである。
A pure water ultrasonic cleaning section 18 and an IPA drying section 2
The configuration of each of 0 is the same as that of the conventional device.

【0015】レチクルの洗浄方法の実施例 以下に、図1(a)に示すレチクル洗浄装置10を使用
した本発明方法の実施を説明する。本発明方法は、半導
体装置を製造する際に適用するフォトリソグラフィ用の
レチクルの洗浄方法であって、図1(b)に示すよう
に、(1)レチクルの両面に純水を噴射して洗浄する第
1洗浄工程と、(2)レチクルを界面活性剤溶液に浸漬
させる界面活性剤処理工程と、(3)洗浄液、次いで純
水をレチクルの両面に噴射して洗浄する第2洗浄工程
と、(4)純水で超音波洗浄を行う超音波洗浄工程と、
(5)IPAによる乾燥工程とから構成されている。
Embodiment of a Reticle Cleaning Method An embodiment of the method of the present invention using a reticle cleaning apparatus 10 shown in FIG. 1A will be described below. The method of the present invention is a method of cleaning a reticle for photolithography applied when manufacturing a semiconductor device. As shown in FIG. 1B, (1) cleaning is performed by spraying pure water on both surfaces of the reticle. A first cleaning step, (2) a surfactant treatment step in which the reticle is immersed in a surfactant solution, and (3) a second cleaning step in which a cleaning liquid and then pure water are sprayed onto both surfaces of the reticle to perform cleaning. (4) an ultrasonic cleaning step of performing ultrasonic cleaning with pure water;
(5) a drying step by IPA.

【0016】(1)先ず、図2に示す第1レチクル洗浄
部12を使って、第1洗浄工程を実施する。アーム26
によりレチクルRを保持して、第1洗浄槽24内に送入
し、ノズル23からレチクルRに向けて高圧の純水を噴
射する。洗浄の後、レチクルRを引き上げる際に、ノズ
ル22から純水をシャワー状に噴出させ、レチクル面上
の異物を洗い流す。これにより、レチクル面に付着した
異物、例えば比較的大きな粒径のパーティクルを洗浄除
去することができる。 (2)次いで、図4に示す界面活性剤処理部14を使っ
て、界面活性剤処理工程を実施する。レチクルRをアー
ム34により保持して処理槽32内に送入し、界面活性
剤溶液に浸漬しつつ上下に昇降する。これにより、レチ
クル面に付着した比較的微細な異物は、界面活性剤の剥
離作用によりレチクル面から剥離し、、次の第2洗浄工
程で除去され易くなる。 (3)更に、図5に示す第2レチクル洗浄部16を使っ
て、第2洗浄工程を実施する。アーム40によりレチク
ルRを保持して、第2洗浄槽38内に送入し、下段のノ
ズル37からレチクルRに向けて高圧のアンモニア水を
噴射する。同時に、上段のノズル36から高圧の純水を
レチクル面に噴射して、アンモニア水を洗い流すと共
に、更に異物を洗浄除去する。アンモニア水は、レチク
ル面を洗浄すると共に、レチクルに荷電した静電気を中
和して、静電気吸着作用を消滅させ、(2)界面活性剤
処理工程で剥離したゴミを離間し易くするので、界面活
性剤処理工程でレチクル面から剥離した微細な異物が、
殆どレチクル面から除去される。
(1) First, a first cleaning step is performed using the first reticle cleaning unit 12 shown in FIG. Arm 26
Then, the reticle R is held and sent into the first cleaning tank 24, and high-pressure pure water is jetted from the nozzle 23 toward the reticle R. After the cleaning, when the reticle R is pulled up, pure water is ejected from the nozzle 22 in a shower shape to wash away foreign substances on the reticle surface. This makes it possible to wash and remove foreign substances attached to the reticle surface, for example, particles having a relatively large particle size. (2) Next, a surfactant treatment step is performed using the surfactant treatment unit 14 shown in FIG. The reticle R is held by the arm 34 and sent into the processing tank 32, and is moved up and down while being immersed in the surfactant solution. Thereby, the relatively fine foreign matter adhering to the reticle surface is peeled off from the reticle surface by the peeling action of the surfactant, and is easily removed in the next second cleaning step. (3) Further, a second cleaning step is performed using the second reticle cleaning unit 16 shown in FIG. The reticle R is held by the arm 40, sent into the second cleaning tank 38, and high-pressure ammonia water is injected from the lower nozzle 37 toward the reticle R. At the same time, high-pressure pure water is sprayed onto the reticle surface from the upper nozzle 36 to wash away the ammonia water and further remove and remove foreign matter. Ammonia water not only cleans the reticle surface, but also neutralizes static electricity charged on the reticle, quenching the electrostatic adsorption effect and (2) facilitating separation of dust removed in the surfactant treatment step. Fine foreign matter peeled from the reticle surface in the agent treatment process
Most are removed from the reticle surface.

【0017】続いて、図8の超音波洗浄装置52及び図
9のIPA乾燥装置を使って、レチクルの従来の洗浄方
法と同様にして、(4)超音波洗浄工程及び(5)IP
Aによる乾燥工程を実施する。本実施例では、(1)、
(2)及び(3)工程の複合的な作用により、従来のブ
ラシ・スクライブ洗浄に代えてレチクルを洗浄すること
ができる。
Subsequently, using the ultrasonic cleaning apparatus 52 of FIG. 8 and the IPA drying apparatus of FIG. 9, the (4) ultrasonic cleaning step and the (5) IP
A drying step of A is performed. In this embodiment, (1),
By the combined action of the steps (2) and (3), the reticle can be cleaned instead of the conventional brush scribe cleaning.

【0018】改変例 本改変例は、本発明に係るレチクル洗浄装置の実施例の
一部を改変したものであって、実施例のレチクル洗浄装
置10の第1レチクル洗浄部12に代えて、イオナイザ
ー42を備えている。イオナイザー42は、図6に示す
ように、下方に排気口41を備えたイオナイザー槽43
を有し、槽43内には、それぞれ、レチクルRに荷電し
た静電気を空気イオン又は窒素イオンにより中和する静
電気除去機構44と、静電気除去機構44の上方にあっ
て下方に向け窒素ガスを噴出する窒素ガス噴出機構45
と、レチクルを保持するアーム(図示せず)とを備えて
いる。窒素ガス噴出機構45は、その上部に窒素ガスの
噴出口46と、噴出口46から流出した窒素ガスを濾過
して清浄にするフィルタ部48と、フィルタ部48で清
浄化された窒素ガスを下方に向け噴出させるノズル49
とを備えている。イオナイザー42は、静電気除去機構
44によりレチクルRに荷電した静電気を除去して静電
気吸着作用を消滅させ、異物をレチクル面より剥離し易
くし、次いで、剥離し易くなった異物を噴出ノズル49
から噴出した窒素ガスによりレチクル面から除去する。
本改変例のように、イオナイザー42を用いることによ
り、純水の使用量を減少させることができる。
Modification Example This modification example is a modification of the embodiment of the reticle cleaning apparatus according to the present invention, in which an ionizer is used instead of the first reticle cleaning section 12 of the reticle cleaning apparatus 10 of the embodiment. 42 are provided. As shown in FIG. 6, the ionizer 42 includes an ionizer tank 43 having an exhaust port 41 below.
In the tank 43, a static electricity removing mechanism 44 for neutralizing static electricity charged in the reticle R by air ions or nitrogen ions, and a nitrogen gas is ejected downward above and above the static electricity removing mechanism 44, respectively. Nitrogen gas ejection mechanism 45
And an arm (not shown) for holding the reticle. The nitrogen gas ejection mechanism 45 has a nitrogen gas ejection port 46 on its upper part, a filter section 48 for filtering and cleaning the nitrogen gas flowing out of the ejection port 46, and a nitrogen gas purified by the filter section 48, Nozzle 49 squirting toward
And The ionizer 42 removes the static electricity charged on the reticle R by the static electricity removing mechanism 44 to eliminate the electrostatic adsorption action, facilitates the separation of the foreign matter from the reticle surface, and then ejects the foreign matter that has been easily separated from the ejection nozzle 49.
Is removed from the reticle surface by nitrogen gas ejected from the reticle.
By using the ionizer 42 as in this modification, the amount of pure water used can be reduced.

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明方法によれば、ブラシ・スクライ
ブ洗浄工程に代えて、レチクルに純水を噴射する工程
と、レチクルを界面活性剤溶液に浸漬させる工程と、洗
浄液、次いで純水をレチクルの両面に噴射して洗浄する
工程とを備え、それらの工程の複合作用により、(1)
レチクルのダスト除去効果が高い。(2)従来の方法の
ように、先の洗浄の際にブラシに付いたゴミが、次に洗
浄するレチクルに再び付着し、この結果、レチクルの洗
浄不良が生じるようなことが生じない。また、本発明に
係る装置は、本発明方法を効率的に実施する装置を実現
している。更には、純水洗浄に代えてイオナイザーを使
用することにより、純水の使用量を減少させ、経済的に
レチクルを洗浄することができる。
According to the method of the present invention, a step of injecting pure water into a reticle, a step of immersing the reticle in a surfactant solution, a step of washing the reticle with a surfactant solution, and then the step of cleaning the reticle with pure water And a step of washing by spraying on both sides of the substrate.
High dust removal effect of reticle. (2) As in the conventional method, dust attached to the brush during the previous cleaning adheres to the reticle to be cleaned next, and as a result, defective cleaning of the reticle does not occur. Further, the device according to the present invention realizes a device that efficiently performs the method of the present invention. Further, by using an ionizer instead of the pure water cleaning, the amount of pure water used can be reduced, and the reticle can be economically cleaned.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1(a)は本レチクル洗浄装置の構成を示す
ブロック図、図1(b)は本発明方法の工程図である。
FIG. 1A is a block diagram showing the configuration of the present reticle cleaning apparatus, and FIG. 1B is a process diagram of the method of the present invention.

【図2】第1レチクル洗浄部の構成を示す模式図であ
る。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration of a first reticle cleaning unit.

【図3】第1レチクル洗浄部のアームの詳細を示す、第
1レチクル洗浄部の斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view of the first reticle cleaning unit, showing details of an arm of the first reticle cleaning unit;

【図4】界面活性剤処理部の構成を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a configuration of a surfactant processing unit.

【図5】第2レチクル洗浄部の構成を示す模式図であ
る。
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a configuration of a second reticle cleaning unit.

【図6】イオナイザーの構成を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing a configuration of an ionizer.

【図7】従来のブラシ・スクライブ洗浄装置の構成を示
す模式図である。
FIG. 7 is a schematic diagram showing a configuration of a conventional brush scribe cleaning device.

【図8】超音波洗浄装置の構成を示す模式図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing a configuration of an ultrasonic cleaning device.

【図9】IPA乾燥装置の構成を示す模式図である。FIG. 9 is a schematic diagram showing a configuration of an IPA drying device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10……レチクル洗浄装置の実施例、12……第1レチ
クル洗浄部、14……界面活性剤処理部、16……第2
レチクル洗浄部、18……超音波洗浄部、20……IP
A乾燥部、22……ノズル、23……ノズル、24……
第1洗浄槽、26……アーム、32……処理槽、34…
…アーム、36……ノズル、37……ノズル、38……
第2洗浄槽、40……アーム、42……イオナイザー、
43……イオナイザー槽、44……静電気除去機構、4
5……窒素ガス噴出機構、46……噴出口、48……フ
ィルタ部、49……ノズル、50……ブラシ・スクライ
ブ洗浄装置、52……超音波洗浄装置、54……IPA
乾燥装置、56……ノズル、57……ノズル、58……
ブラシ、60……洗浄槽、62……超音波発生器、63
……ノズル、64……ヒータ、66……IPA槽。
Reference numeral 10 denotes an embodiment of a reticle cleaning apparatus, 12 denotes a first reticle cleaning section, 14 denotes a surfactant processing section, and 16 denotes a second.
Reticle cleaning unit, 18 Ultrasonic cleaning unit, 20 IP
A drying section, 22 ... nozzle, 23 ... nozzle, 24 ...
1st washing tank, 26 ... arm, 32 ... treatment tank, 34 ...
... Arm, 36 ... Nozzle, 37 ... Nozzle, 38 ...
Second washing tank, 40 ... arm, 42 ... ionizer,
43 ... Ionizer tank, 44 ... Static electricity removal mechanism, 4
Reference numeral 5: Nitrogen gas ejection mechanism, 46: Spout port, 48: Filter section, 49: Nozzle, 50: Brush scribe cleaning device, 52: Ultrasonic cleaning device, 54: IPA
Drying device, 56 nozzle, 57 nozzle, 58
Brush, 60 Cleaning tank, 62 Ultrasonic generator, 63
... Nozzle, 64 ... heater, 66 ... IPA tank.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体装置を製造する際に適用するフォ
トリソグラフィ用のレチクルの洗浄方法であって、
(1)レチクルに純水を噴射して洗浄する工程と、
(2)レチクルを界面活性剤溶液に浸漬する工程と、
(3)洗浄液、次いで純水をレチクルに噴射して洗浄す
る工程と、(4)純水中にレチクルを浸漬して超音波洗
浄を行う工程と、(5)IPAによる乾燥工程とを備え
ることを特徴とするレチクルの洗浄方法。
1. A method for cleaning a reticle for photolithography applied when manufacturing a semiconductor device, comprising:
(1) a step of injecting pure water into the reticle for cleaning;
(2) a step of immersing the reticle in the surfactant solution;
(3) a step of cleaning by spraying a cleaning liquid and then pure water onto a reticle; (4) a step of immersing the reticle in pure water to perform ultrasonic cleaning; and (5) a drying step by IPA. A method for cleaning a reticle, comprising:
【請求項2】 (3)工程の洗浄液として、アンモニア
水を使用することを特徴とする請求項1に記載のレチク
ルの洗浄方法。
2. The reticle cleaning method according to claim 1, wherein ammonia water is used as the cleaning liquid in the step (3).
【請求項3】 (1)工程及び(3)工程では、純水又
は洗浄水を噴射するノズル間にレチクルを配置し、上下
方向にレチクルを動かしつつ洗浄するようにしたことを
特徴とする請求項1又は2に記載のレチクルの洗浄方
法。
3. The method according to claim 1, wherein in the steps (1) and (3), a reticle is arranged between nozzles for injecting pure water or cleaning water, and cleaning is performed while moving the reticle vertically. Item 3. The method for cleaning a reticle according to Item 1 or 2.
【請求項4】 (1)工程で、純水の噴射に代えて、イ
オナイザーによりレチクルの静電気を除去しつつ、不活
性ガスを噴射してレチクルから異物を飛散させることを
特徴とする請求項1又は2に記載のレチクルの洗浄方
法。
4. The method according to claim 1, wherein in the step (1), foreign matter is scattered from the reticle by injecting an inert gas while removing static electricity of the reticle by using an ionizer instead of jetting pure water. Or the reticle cleaning method according to 2.
【請求項5】 レチクル面をほぼ垂直にして、レチクル
を保持するアームと、レチクル面に純水を噴射するノズ
ルとを備えた、第1のレチクル洗浄部と、 界面活性剤溶液を収容する処理槽と、レチクルを保持し
て処理槽の界面活性剤溶液中に浸漬するアームとを備え
た、レチクルの界面活性剤処理部と、 レチクル面をほぼ垂直にして、レチクルを保持するアー
ムと、レチクル面に洗浄水を噴射する洗浄水ノズルと、
及び純水を噴射するために、洗浄水ノズルの上方に設け
られた純水ノズルとを備えた、第2のレチクル洗浄部
と、 純水を収容し、かつ超音波発生部を有して超音波洗浄を
行う超音波洗浄槽と、レチクルを保持して超音波洗浄槽
の純水中に浸漬するアームとを備えた、超音波洗浄部
と、 IPAを収容し、ヒータにより加熱してIPA蒸気を発
生し、IPA蒸気によりレチクルを乾燥させる乾燥室
と、レチクルを保持して乾燥室内に送入するアームとを
備えた、IPA乾燥部とを備えていることを特徴とする
レチクル洗浄装置。
5. A process for holding a reticle surface substantially vertical, an arm for holding the reticle, a nozzle for jetting pure water to the reticle surface, and a process for containing a surfactant solution. A surfactant treatment section of the reticle, comprising a tank and an arm for holding the reticle and immersing the reticle in a surfactant solution in the treatment tank; and an arm for holding the reticle with the reticle surface substantially vertical, and a reticle. A washing water nozzle that sprays washing water onto the surface,
And a second reticle cleaning unit including a pure water nozzle provided above the cleaning water nozzle for injecting pure water, and a supersonic generator that contains pure water and has an ultrasonic wave generating unit. An ultrasonic cleaning unit including an ultrasonic cleaning tank for performing ultrasonic cleaning, and an arm for holding a reticle and immersing it in pure water in the ultrasonic cleaning tank. A reticle cleaning apparatus, comprising: a drying chamber for generating the reticle and drying the reticle with IPA vapor; and an arm for holding the reticle and feeding the reticle into the drying chamber.
【請求項6】 第1及び第2のレチクル洗浄部の保持ア
ームが、レチクルを保持して上下方向に動かす機構を備
えていることを特徴とする請求項5に記載のレチクルの
洗浄装置。
6. The reticle cleaning apparatus according to claim 5, wherein the holding arms of the first and second reticle cleaning units include a mechanism for holding the reticle and moving the reticle vertically.
【請求項7】 第1のレチクル洗浄部に代えて、 レチクルを保持するアームと、 アームに保持されたレチクルのレチクル面に帯電した静
電気を中和する静電気除去機構と、 静電気除去機構の上方に設けられ、アームに保持された
レチクルに向け上方から清浄空気又は清浄不活性ガスを
噴射するノズルとを有する、イオナイザを備えているこ
とを特徴とする請求項5に記載のレチクルの洗浄装置。
7. An arm for holding a reticle, a static elimination mechanism for neutralizing static electricity charged on a reticle surface of the reticle held by the arm, and a static electricity removing mechanism instead of the first reticle cleaning unit. The reticle cleaning apparatus according to claim 5, further comprising an ionizer provided, and having a nozzle for injecting clean air or clean inert gas from above toward the reticle held by the arm.
JP34150396A 1996-12-20 1996-12-20 Method and apparatus for cleaning of reticle Pending JPH10189526A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34150396A JPH10189526A (en) 1996-12-20 1996-12-20 Method and apparatus for cleaning of reticle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34150396A JPH10189526A (en) 1996-12-20 1996-12-20 Method and apparatus for cleaning of reticle

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10189526A true JPH10189526A (en) 1998-07-21

Family

ID=18346572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34150396A Pending JPH10189526A (en) 1996-12-20 1996-12-20 Method and apparatus for cleaning of reticle

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10189526A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007068A (en) * 1999-04-08 2001-01-12 Applied Materials Inc Spin rinse dryer
EP1793276A3 (en) * 2005-12-02 2007-10-03 ASML Netherlands B.V. A method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
CN105903713A (en) * 2016-06-13 2016-08-31 嘉盛半导体(苏州)有限公司 Semiconductor product cleaning method and semiconductor product cleaning device
CN111346861A (en) * 2018-12-21 2020-06-30 三星显示有限公司 Mask member cleaning device and mask member cleaning system

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001007068A (en) * 1999-04-08 2001-01-12 Applied Materials Inc Spin rinse dryer
JP4702975B2 (en) * 1999-04-08 2011-06-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Spin rinse dryer
EP1793276A3 (en) * 2005-12-02 2007-10-03 ASML Netherlands B.V. A method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US10061207B2 (en) 2005-12-02 2018-08-28 Asml Netherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
CN105903713A (en) * 2016-06-13 2016-08-31 嘉盛半导体(苏州)有限公司 Semiconductor product cleaning method and semiconductor product cleaning device
CN111346861A (en) * 2018-12-21 2020-06-30 三星显示有限公司 Mask member cleaning device and mask member cleaning system
CN111346861B (en) * 2018-12-21 2023-09-22 三星显示有限公司 Mask part cleaning device and mask part cleaning system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100272729B1 (en) Cleaning apparatus for semiconductor
KR100335450B1 (en) A semiconductor device washing apparatus and a method of washing a semiconductor device
JP2007216158A (en) Substrate cleaning method and apparatus using superheated steam
KR100323502B1 (en) Method of manufacturing liquid crystal display panel and washing machine used for the same
JP2000114233A (en) Semiconductor wet-etching apparatus
KR100563843B1 (en) Processing apparatus and processing method
JPH10189526A (en) Method and apparatus for cleaning of reticle
JP2000117201A (en) Washer and washing method
US6248180B1 (en) Method for removing particles from a semiconductor wafer
JPH01140727A (en) Cleaning of substrate
JPH05175184A (en) Wafer cleaning method
JPH0756323A (en) Substrate cleaning device
JPH03274722A (en) Method and device for manufacturing semiconductor device
JPH05259137A (en) Cleaning apparatus for mask
JPH034587A (en) Method and device for cleaning printed board
JPH05160104A (en) Wet treatment method and equipment for semiconductor wafer
JPH1062965A (en) Cleaning device of photomask and cleaning method of photomask
KR100837533B1 (en) Spin scrubber brush cleaning apparatus and method thereof
KR100417648B1 (en) Wafer cleaning method
KR200158118Y1 (en) Removing apparatus of particle in the wafer
JPS6260225A (en) Cleaning silicon wafer
JPH09234437A (en) Method for cleaning electronic parts
KR19990040761A (en) Wafer cleaning method
JPS612316A (en) Drying method for housing cassette
JPH0528758Y2 (en)