JPH10186151A - 光導波路型素子および光導波路型素子の位相調整方法 - Google Patents
光導波路型素子および光導波路型素子の位相調整方法Info
- Publication number
- JPH10186151A JPH10186151A JP8341195A JP34119596A JPH10186151A JP H10186151 A JPH10186151 A JP H10186151A JP 8341195 A JP8341195 A JP 8341195A JP 34119596 A JP34119596 A JP 34119596A JP H10186151 A JPH10186151 A JP H10186151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- light
- core
- phase
- polysilane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 位相調整機能を特には備えていない従来型の
光導波路型素子を用いて容易に作製することができ、簡
易かつ低エネルギーで広範囲に位相調整することができ
る構造の光導波路型素子とその位相調整方法を提供す
る。 【解決手段】 基板上に形成された位相調整機能を特に
は備えていない従来型の光導波路型素子の基板上に光を
導波するコアを横切るように切り込み溝を形成し、その
切り込み溝内に有機ポリシランを充填する。位相調整に
あたっては、前記溝部分に紫外光を照射する。
光導波路型素子を用いて容易に作製することができ、簡
易かつ低エネルギーで広範囲に位相調整することができ
る構造の光導波路型素子とその位相調整方法を提供す
る。 【解決手段】 基板上に形成された位相調整機能を特に
は備えていない従来型の光導波路型素子の基板上に光を
導波するコアを横切るように切り込み溝を形成し、その
切り込み溝内に有機ポリシランを充填する。位相調整に
あたっては、前記溝部分に紫外光を照射する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野で用い
られる位相調整機能を有する光導波路型素子およびその
位相調整方法に関するものである。
られる位相調整機能を有する光導波路型素子およびその
位相調整方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光カップラ、光合分波器等で代表される
光導波路型素子は、光通信システムにおける重要な鍵デ
バイスとして期待され、実用化へ向けた研究開発が活発
に行われている。ここで用いられる光カップラにおける
分岐比や、マッハツェンダー（ＭＺ）素子やアレー光導
波路格子（ＡＷＧ）における光の位相は、導波路型素子
の設計によって決められている。しかし、現実的には設
計された導波路型素子を、設計値通りに精度良く作製す
ることは難しく、したがって作製後に位相調整する必要
が生ずる。
光導波路型素子は、光通信システムにおける重要な鍵デ
バイスとして期待され、実用化へ向けた研究開発が活発
に行われている。ここで用いられる光カップラにおける
分岐比や、マッハツェンダー（ＭＺ）素子やアレー光導
波路格子（ＡＷＧ）における光の位相は、導波路型素子
の設計によって決められている。しかし、現実的には設
計された導波路型素子を、設計値通りに精度良く作製す
ることは難しく、したがって作製後に位相調整する必要
が生ずる。
【０００３】このような要求に対して、従来から行われ
てきた位相調整方法としては、以下に挙げた５つの方法
が報告されている。
てきた位相調整方法としては、以下に挙げた５つの方法
が報告されている。
【０００４】（ｉ） 光導波路上部に形成したカルコゲ
ナイトガラスを化学エッチングによりその一部を取り除
くことによって、方向性結合器の結合長を変化させ、分
岐比を調整する方法（ミカミ、ゼンブツ著、アプライド
フィジックス レター、１９７９年、３５巻、３８頁
〜４０頁）。
ナイトガラスを化学エッチングによりその一部を取り除
くことによって、方向性結合器の結合長を変化させ、分
岐比を調整する方法（ミカミ、ゼンブツ著、アプライド
フィジックス レター、１９７９年、３５巻、３８頁
〜４０頁）。
【０００５】（ii） 光導波路の下地基板上に形成した
ＳｉＯＮ膜の屈折率をＣＯ2 レーザー光照射で変化さ
せ、方向性結合器の分岐比を調整する方法（グレイン、
ミューラー著、ジャーナル ライトウエーブテクノロジ
ー、１９９１年、９巻、１６２６頁〜１６２９頁）。
ＳｉＯＮ膜の屈折率をＣＯ2 レーザー光照射で変化さ
せ、方向性結合器の分岐比を調整する方法（グレイン、
ミューラー著、ジャーナル ライトウエーブテクノロジ
ー、１９９１年、９巻、１６２６頁〜１６２９頁）。
【０００６】（iii ） 光導波路の上部に形成したアモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜にレーザー光を照射し
て該ａ−Ｓｉ膜の一部を多結晶化することにより、該ａ
−Ｓｉ膜の構造的応力を緩和させ、これにより位相調整
を図る方法（カワチ著、オプティカル アンド クォン
タム エレクトロニクス、１９９０年、２２巻、３９１
頁〜４１６頁）。
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜にレーザー光を照射し
て該ａ−Ｓｉ膜の一部を多結晶化することにより、該ａ
−Ｓｉ膜の構造的応力を緩和させ、これにより位相調整
を図る方法（カワチ著、オプティカル アンド クォン
タム エレクトロニクス、１９９０年、２２巻、３９１
頁〜４１６頁）。
【０００７】（iv） コアにエキシマレーザー等の高エ
ネルギー紫外（ＵＶ）光を照射して、コアの屈折率を変
化させることにより、位相調整する方法（ヒビノ、ア
ベ、ヤマダ、オオモリ、ビロデュー、マーロー、ヒル
著、エレクトロニクス レター、１９９３年、２９巻、
６２１頁〜６２３頁）。
ネルギー紫外（ＵＶ）光を照射して、コアの屈折率を変
化させることにより、位相調整する方法（ヒビノ、ア
ベ、ヤマダ、オオモリ、ビロデュー、マーロー、ヒル
著、エレクトロニクス レター、１９９３年、２９巻、
６２１頁〜６２３頁）。
【０００８】（ｖ） 光導波路に薄膜ヒーターを取付
け、この薄膜ヒーターにより光導波路を加熱して、熱に
よる光導波路の屈折率変化（熱光学効果）を生じさせる
ことにより、位相調整する方法（ヤマダ、タカダ、イノ
ウエ、ヒビノ、ホリグチ著、エレクトロニクス レタ
ー、１９９５年３１巻、３６０頁〜３６１頁）。
け、この薄膜ヒーターにより光導波路を加熱して、熱に
よる光導波路の屈折率変化（熱光学効果）を生じさせる
ことにより、位相調整する方法（ヤマダ、タカダ、イノ
ウエ、ヒビノ、ホリグチ著、エレクトロニクス レタ
ー、１９９５年３１巻、３６０頁〜３６１頁）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の位相調整方
法は、いずれも、調整するために、複雑な光導波路構造
を余儀なくされたり、屈折率変化材料の材質を大幅に変
化させることが必要であった。または、位相調整のため
に炭酸ガスレーザやエキシマレーザ等の高エネルギー光
を照射できる大型で高価な光源が必要であった。
法は、いずれも、調整するために、複雑な光導波路構造
を余儀なくされたり、屈折率変化材料の材質を大幅に変
化させることが必要であった。または、位相調整のため
に炭酸ガスレーザやエキシマレーザ等の高エネルギー光
を照射できる大型で高価な光源が必要であった。
【００１０】このように、従来の位相調整方法には、大
量生産等の実用性に適していないという問題点があっ
た。
量生産等の実用性に適していないという問題点があっ
た。
【００１１】本発明は、前記従来の事情に鑑みてなされ
たものであり、その課題は、位相調整機能を特には備え
ていない従来型の光導波路型素子を用いて容易に作製す
ることができ、簡易かつ低エネルギーで広範囲に位相調
整することができる構造の光導波路型素子とその位相調
整方法を提供することにある。
たものであり、その課題は、位相調整機能を特には備え
ていない従来型の光導波路型素子を用いて容易に作製す
ることができ、簡易かつ低エネルギーで広範囲に位相調
整することができる構造の光導波路型素子とその位相調
整方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願発明の第１の発明
は、基板上に形成された位相調整機能を特には備えてい
ない従来型の光導波路型素子を用いて、基板上に光を導
波するコア部を横切るように切り込み溝を形成し、その
切り込み溝内に有機ポリシランを充填したことを特徴と
する。
は、基板上に形成された位相調整機能を特には備えてい
ない従来型の光導波路型素子を用いて、基板上に光を導
波するコア部を横切るように切り込み溝を形成し、その
切り込み溝内に有機ポリシランを充填したことを特徴と
する。
【００１３】本願発明の第２の発明は、前記第１の発明
の光導波路素子において、溝に充填される有機ポリシラ
ンが、一般構造式（Ｒ1 Ｒ2 Ｓｉ）x （Ｒ1 ，Ｒ2 はア
ルキル基、アリール基、アルコキシル基、アリル基、水
酸基、ハロゲン、ハロゲン化アルキル基またはハロゲン
化フェニル基）で示されることを特徴とする。
の光導波路素子において、溝に充填される有機ポリシラ
ンが、一般構造式（Ｒ1 Ｒ2 Ｓｉ）x （Ｒ1 ，Ｒ2 はア
ルキル基、アリール基、アルコキシル基、アリル基、水
酸基、ハロゲン、ハロゲン化アルキル基またはハロゲン
化フェニル基）で示されることを特徴とする。
【００１４】本願発明の第３の発明は、前記第１の発明
の光導波路素子の位相調整方法に関するもので、前記光
導波路素子の屈折率変化材料として、容易に光分解しそ
の屈折率を大きく変化させ得る有機ポリシランを用い、
この有機ポリシランを前記光導波路素子のコアを横切る
溝に充填し、この溝部分に低エネルギーのＵＶ光を照射
して、溝内の有機ポリシランの屈折率を変化させ、もっ
て導波光の光路長を変化させることにより、光導波路の
位相調整を行うことを特徴とする。
の光導波路素子の位相調整方法に関するもので、前記光
導波路素子の屈折率変化材料として、容易に光分解しそ
の屈折率を大きく変化させ得る有機ポリシランを用い、
この有機ポリシランを前記光導波路素子のコアを横切る
溝に充填し、この溝部分に低エネルギーのＵＶ光を照射
して、溝内の有機ポリシランの屈折率を変化させ、もっ
て導波光の光路長を変化させることにより、光導波路の
位相調整を行うことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は本発明の請求項１に対応する図面で
あって、基板１上に形成された位相調整機能を特には備
えていない従来型のコア３と下部クラッド２および上部
クラッド４を有する光導波路型素子を用いて、基板１上
の光を導波するコア３を横切るように、基板１上のクラ
ッド層２、４およびコア３からなる積層に切り込み溝５
を形成し、その切り込み溝５内に有機ポリシラン６を充
填した本発明の光導波路型素子を示している。
て説明する。図１は本発明の請求項１に対応する図面で
あって、基板１上に形成された位相調整機能を特には備
えていない従来型のコア３と下部クラッド２および上部
クラッド４を有する光導波路型素子を用いて、基板１上
の光を導波するコア３を横切るように、基板１上のクラ
ッド層２、４およびコア３からなる積層に切り込み溝５
を形成し、その切り込み溝５内に有機ポリシラン６を充
填した本発明の光導波路型素子を示している。
【００１６】（実施形態例１）実施形態例１で用いた非
対称型ＭＺ素子の平面構成図を図２に示す。光導波路３
ａ、３ｂの一方のアーム３ａに幅２０μｍ、深さ４９．
４μｍの切れ込み溝５をダイシングソーを用いて形成し
た。この溝５への有機ポリシランの埋め込みは、有機ポ
リシランを溶解させたＴＨＦ溶液を溝５に流しこみ、こ
れを減圧乾燥し、光導波路上部の薄膜をアセトンで拭き
取った後、加熱乾燥（７０℃、３時間）させることによ
り、行った。溝５を中心とする光導波路の概念図は、図
１に見られるものと類似する。
対称型ＭＺ素子の平面構成図を図２に示す。光導波路３
ａ、３ｂの一方のアーム３ａに幅２０μｍ、深さ４９．
４μｍの切れ込み溝５をダイシングソーを用いて形成し
た。この溝５への有機ポリシランの埋め込みは、有機ポ
リシランを溶解させたＴＨＦ溶液を溝５に流しこみ、こ
れを減圧乾燥し、光導波路上部の薄膜をアセトンで拭き
取った後、加熱乾燥（７０℃、３時間）させることによ
り、行った。溝５を中心とする光導波路の概念図は、図
１に見られるものと類似する。
【００１７】溝５の埋め込みに用いた有機ポリシラン
は、ポリ（メチルフェニルシラン）であって、対応する
二置換ジクロロシランをナトリウム存在下でトルエン中
で還流して重合した。この有機ポリシランの屈折率
（１．５５μｍ）は、該有機ポリシランをＳｉ基板上に
スピンコートして膜（３μｍ）を形成し、この膜のプリ
ズムカップラー法から求めた。この埋め込み有機ポリシ
ランによる光導波路の位相変化は、光導波路に１５４５
〜１５５５ｎｍの光（５０μＷ）を入力し、溝５部分へ
のＵＶ光照射による出力光変化から算出した。光分解用
ＵＶ光源としては、水銀キセノンランプ（２００Ｗ；Ｋ
ｅｎｋｏ ＵＶＦ−２０２Ｓ）を用いた。
は、ポリ（メチルフェニルシラン）であって、対応する
二置換ジクロロシランをナトリウム存在下でトルエン中
で還流して重合した。この有機ポリシランの屈折率
（１．５５μｍ）は、該有機ポリシランをＳｉ基板上に
スピンコートして膜（３μｍ）を形成し、この膜のプリ
ズムカップラー法から求めた。この埋め込み有機ポリシ
ランによる光導波路の位相変化は、光導波路に１５４５
〜１５５５ｎｍの光（５０μＷ）を入力し、溝５部分へ
のＵＶ光照射による出力光変化から算出した。光分解用
ＵＶ光源としては、水銀キセノンランプ（２００Ｗ；Ｋ
ｅｎｋｏ ＵＶＦ−２０２Ｓ）を用いた。
【００１８】図３には、前記溝５の埋め込み材料に用い
たポリ（メチルフェニルシラン）の膜（０．３μｍ）の
ＵＶ光照射による吸収変化を示す。ＵＶ光照射により有
機ポリシランの光分解が起こり、Ｓｉ−Ｓｉ結合の切断
とシロキサン結合の生成による長波長吸収帯の消失が観
測された。この吸収帯の消失は膜上部から順次光分解で
きることを意味し、厚膜の光分解には有利となる。
たポリ（メチルフェニルシラン）の膜（０．３μｍ）の
ＵＶ光照射による吸収変化を示す。ＵＶ光照射により有
機ポリシランの光分解が起こり、Ｓｉ−Ｓｉ結合の切断
とシロキサン結合の生成による長波長吸収帯の消失が観
測された。この吸収帯の消失は膜上部から順次光分解で
きることを意味し、厚膜の光分解には有利となる。
【００１９】図４には、光分解による屈折率変化を示
す。分解に伴って屈折率が低下し、屈折率変化Δｎは−
０．１程度であった。この値は、大きな屈折率変化をお
こす色素分散系高分子と比較して、５倍以上である。例
えば、ジエチルアミノベンズアルデヒドジフェニルヒド
ラゾンをポリメチルメタクリレートに５０ｗｔ％分散し
たものの屈折率変化Δｎは、−０．０２である。したが
って、有機ポリシランが位相調整材料として適している
ことが、図４から明らかである。また、この有機ポリシ
ランにおいて、光分解を始めるＵＶ光エネルギー（臨界
ＵＶ光強度）は、色素分散系高分子の５０分の１程度で
あった。
す。分解に伴って屈折率が低下し、屈折率変化Δｎは−
０．１程度であった。この値は、大きな屈折率変化をお
こす色素分散系高分子と比較して、５倍以上である。例
えば、ジエチルアミノベンズアルデヒドジフェニルヒド
ラゾンをポリメチルメタクリレートに５０ｗｔ％分散し
たものの屈折率変化Δｎは、−０．０２である。したが
って、有機ポリシランが位相調整材料として適している
ことが、図４から明らかである。また、この有機ポリシ
ランにおいて、光分解を始めるＵＶ光エネルギー（臨界
ＵＶ光強度）は、色素分散系高分子の５０分の１程度で
あった。
【００２０】図５、図６には、溝５にポリ（メチルフェ
ニルシラン）を埋め込み、溝５部分にＵＶ光を照射した
場合の光導波路の出力光強度変化を示す。図５は、入力
波長に対する出力強度をプロットしたもので、光分解に
よるシフトを示している。また、図６は、１．５５μｍ
光を入力した場合のＵＶ光照射による出力光変化を示し
ている。図５のａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅと図６のａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅとはそれぞれ対応する。ＵＶ光を約５分間照
射したところから徐々に分解に伴う対称的な出力（位
相）変化が観測され、ＵＶ光照射を止めると、位相も一
定の値を示した。このとき熱の発生による位相変動は見
られなかった。
ニルシラン）を埋め込み、溝５部分にＵＶ光を照射した
場合の光導波路の出力光強度変化を示す。図５は、入力
波長に対する出力強度をプロットしたもので、光分解に
よるシフトを示している。また、図６は、１．５５μｍ
光を入力した場合のＵＶ光照射による出力光変化を示し
ている。図５のａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅと図６のａ，ｂ，
ｃ，ｄ，ｅとはそれぞれ対応する。ＵＶ光を約５分間照
射したところから徐々に分解に伴う対称的な出力（位
相）変化が観測され、ＵＶ光照射を止めると、位相も一
定の値を示した。このとき熱の発生による位相変動は見
られなかった。
【００２１】以上の結果は、有機ポリシランを光導波路
の切り込み溝に埋め込むことにより、安定した位相調整
が可能であることを示している。位相の変化は５０分間
のＵＶ光照射によりほぼ飽和し、位相変化Δφ＝１７７
°（１．５５μｍ）、屈折率変化Δｎ＝−０．０３８、
Ｌｏｓｓ＝４．５ｄＢが得られた。
の切り込み溝に埋め込むことにより、安定した位相調整
が可能であることを示している。位相の変化は５０分間
のＵＶ光照射によりほぼ飽和し、位相変化Δφ＝１７７
°（１．５５μｍ）、屈折率変化Δｎ＝−０．０３８、
Ｌｏｓｓ＝４．５ｄＢが得られた。
【００２２】これらの結果は、ポリ（メチルフェニルシ
ラン）に限ったものではなく、他の各種側鎖を有した有
機ポリシランにおいても同様な特性が観測された。ま
た、同様な切れ込み溝をアレー光導波路格子（ＡＷＧ）
に形成し、位相調整を行ったところ、同様に位相調整可
能であった。
ラン）に限ったものではなく、他の各種側鎖を有した有
機ポリシランにおいても同様な特性が観測された。ま
た、同様な切れ込み溝をアレー光導波路格子（ＡＷＧ）
に形成し、位相調整を行ったところ、同様に位相調整可
能であった。
【００２３】（実施形態例２）有機ポリシランとしてポ
リ（メチルフェニルシラン）を用い、光導波路として実
施形態例１と同様な非対称ＭＺ素子を用い、切り込み溝
５の幅および切り込み溝５の数を変化させて、同様な位
相調整を行った。その結果を表１にまとめる。表１に見
るように、切り込み溝幅、溝数に応じた良好な位相調整
特性が観測された。また、これら得られた値は、溝を斜
めに切る等の切り込み方法の変形によって、改良するこ
とが可能である。
リ（メチルフェニルシラン）を用い、光導波路として実
施形態例１と同様な非対称ＭＺ素子を用い、切り込み溝
５の幅および切り込み溝５の数を変化させて、同様な位
相調整を行った。その結果を表１にまとめる。表１に見
るように、切り込み溝幅、溝数に応じた良好な位相調整
特性が観測された。また、これら得られた値は、溝を斜
めに切る等の切り込み方法の変形によって、改良するこ
とが可能である。
【００２４】
【表１】
【００２５】（実施形態例３）表２に各種側鎖を有する
有機ポリシランを用いた場合の位相調整の結果を示す。
光導波路としては実施形態例１と同様な非対称ＭＺ素子
を用いた。切り込み溝５の幅はいずれも２０μｍで実施
した。側鎖によって多少の違いが見られるが、いずれも
良好な位相調整特性を示した。
有機ポリシランを用いた場合の位相調整の結果を示す。
光導波路としては実施形態例１と同様な非対称ＭＺ素子
を用いた。切り込み溝５の幅はいずれも２０μｍで実施
した。側鎖によって多少の違いが見られるが、いずれも
良好な位相調整特性を示した。
【００２６】
【表２】
【００２７】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、位相調
整機能を特には備えていない従来型の光導波路型素子を
用いて容易に作製することができ、簡易かつ低エネルギ
ーで広範囲に位相調整することができる構造の光導波路
型素子とその位相調整方法を提供することができる。
整機能を特には備えていない従来型の光導波路型素子を
用いて容易に作製することができ、簡易かつ低エネルギ
ーで広範囲に位相調整することができる構造の光導波路
型素子とその位相調整方法を提供することができる。
【図１】コア部を横切る切り込み溝に有機ポリシランが
充填された光導波路型素子の概略構成図である。
充填された光導波路型素子の概略構成図である。
【図２】実験に用いた非対称型ＭＺ素子の平面構成図で
あり、一方のアームに幅２０μｍ、深さ４９．４μｍの
切れ込み溝をダイシングソーを用いて形成した構造の素
子である。
あり、一方のアームに幅２０μｍ、深さ４９．４μｍの
切れ込み溝をダイシングソーを用いて形成した構造の素
子である。
【図３】本発明において溝に埋め込む有機ポリシランと
して好適なポリ（メチルフェニルシラン）の水銀キセノ
ンランプ（２００Ｗ；Ｋｅｎｋｏ ＵＶＦ−２０２Ｓ）
照射による吸収変化を示すグラフである。
して好適なポリ（メチルフェニルシラン）の水銀キセノ
ンランプ（２００Ｗ；Ｋｅｎｋｏ ＵＶＦ−２０２Ｓ）
照射による吸収変化を示すグラフである。
【図４】前記ポリ（メチルフェニルシラン）の水銀キセ
ノンランプ（２００Ｗ；Ｋｅｎｋｏ ＵＶＦ−２０２
Ｓ）照射による屈折率変化を示す図である。
ノンランプ（２００Ｗ；Ｋｅｎｋｏ ＵＶＦ−２０２
Ｓ）照射による屈折率変化を示す図である。
【図５】コアを横切る溝にポリ（メチルフェニルシラ
ン）を埋め込んだ非対称型ＭＺ素子のＵＶ光照射による
出力光強度変化を示すグラフであり、入力波長に対する
出力強度プロットの光分解によるシフトを示している。
ン）を埋め込んだ非対称型ＭＺ素子のＵＶ光照射による
出力光強度変化を示すグラフであり、入力波長に対する
出力強度プロットの光分解によるシフトを示している。
【図６】コアを横切る溝にポリ（メチルフェニルシラ
ン）を埋め込んだ非対称型ＭＺ素子のＵＶ光照射による
出力光強度変化を示すグラフであり、１．５５μｍ光を
入力した場合のＵＶ光照射による出力光変化を示してい
る。
ン）を埋め込んだ非対称型ＭＺ素子のＵＶ光照射による
出力光強度変化を示すグラフであり、１．５５μｍ光を
入力した場合のＵＶ光照射による出力光変化を示してい
る。
１ 基板 ２ 下部クラッド ３ コア ４ 上部クラッド ５ 切り込み溝 ６ 有機ポリシラン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 助川 健 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に形成された光を導波するコア
と、該コアの周りに配置され該コアより屈折率の低いク
ラッドとを有してなり、 前記基板上には前記コアを光の導波方向に対して横切る
切り込み溝が形成され、該切り込み溝内に有機ポリシラ
ンが充填されていることを特徴とする光導波路型素子。 - 【請求項２】 前記有機ポリシランが一般構造式（Ｒ1
Ｒ2 Ｓｉ）x （Ｒ1，Ｒ2 はアルキル基、アリール基、
アルコキシル基、アリル基、水酸基、ハロゲン、ハロゲ
ン化アルキル基またはハロゲン化フェニル基）で示され
ることを特徴とする請求項１記載の光導波路型素子。 - 【請求項３】 前記請求項１に記載の光導波路型素子の
位相調整方法であって、 前記光導波路型素子の切り込み溝に充填された有機ポリ
シランに紫外光（ＵＶ光）を照射して前記有機ポリシラ
ンの屈折率を変化させることにより、該光導波路型素子
を導波する光の位相調整を行うことを特徴とする光導波
路型素子の位相調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8341195A JPH10186151A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 光導波路型素子および光導波路型素子の位相調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8341195A JPH10186151A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 光導波路型素子および光導波路型素子の位相調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10186151A true JPH10186151A (ja) | 1998-07-14 |
Family
ID=18344109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8341195A Pending JPH10186151A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 光導波路型素子および光導波路型素子の位相調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10186151A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005114278A1 (ja) * | 2004-05-21 | 2008-03-27 | 松下電器産業株式会社 | 屈折率分布型光学部材、屈折率分布型光学部材の製造方法、光モジュール、および光モジュールの製造方法 |
| US7496256B2 (en) | 2006-08-04 | 2009-02-24 | Keio University | Diffraction grating and dispersion compensation circuit |
| JP2020027128A (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路デバイスを透過する信号光の透過波長を調整する方法 |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP8341195A patent/JPH10186151A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005114278A1 (ja) * | 2004-05-21 | 2008-03-27 | 松下電器産業株式会社 | 屈折率分布型光学部材、屈折率分布型光学部材の製造方法、光モジュール、および光モジュールの製造方法 |
| US7496256B2 (en) | 2006-08-04 | 2009-02-24 | Keio University | Diffraction grating and dispersion compensation circuit |
| JP2020027128A (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | 日本電信電話株式会社 | 光導波路デバイスを透過する信号光の透過波長を調整する方法 |
| US11960152B2 (en) | 2018-08-09 | 2024-04-16 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method for adjusting transmitted wavelength of signal light transmitted through optical waveguide device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5938811A (en) | Method for altering the temperature dependence of optical waveguides devices | |
| US6327406B1 (en) | Optical transmission systems and apparatuses including Bragg gratings and methods of making | |
| US5930420A (en) | Method for producing photo induced grating devices by UV irradiation of heat-activated hydrogenated glass | |
| JP2001042148A (ja) | 光デバイスおよびその所定の透過特性を修正する方法 | |
| Hao et al. | Dual-band polarization-independent subwavelength grating coupler for wavelength demultiplexing | |
| JP2001311847A (ja) | 屈折率の修正方法、屈折率の修正装置、及び光導波路デバイス | |
| JPH10186151A (ja) | 光導波路型素子および光導波路型素子の位相調整方法 | |
| Adar et al. | Polarization independent narrow band Bragg reflection gratings made with silica‐on‐silicon waveguides | |
| US6870967B2 (en) | Pretrimming of tunable finite response (FIR) filter | |
| WO2020031751A1 (ja) | 光導波路デバイスを透過する信号光の透過波長を調整する方法 | |
| JP3867453B2 (ja) | 光損失フィルタおよびその製造方法 | |
| JP2002536698A (ja) | 導波路を含む光学素子の加工方法及び導波路を含む素子 | |
| JP2004258610A (ja) | スポットサイズ変換素子及びその製造方法並びにスポットサイズ変換素子を用いた導波路埋め込み型光回路 | |
| Sokolov et al. | Routes to polymer-based photonics | |
| JPH1068833A (ja) | 光導波路及びその製造方法並びに光回路 | |
| JP3578376B2 (ja) | 光回路の製造方法 | |
| JP2002202420A (ja) | 光波長合分波器 | |
| JPH11287916A (ja) | 光導波路素子 | |
| Tsushima et al. | Novel manufacturing process of waveguide using selective photobleaching of polysilane films by UV light irradiation | |
| JP3717307B2 (ja) | 光ファイバ型光部品 | |
| Eldada et al. | Thermally tunable polymer Bragg grating OADMs | |
| JP3698913B2 (ja) | 波長合分波光回路及びその製造方法 | |
| JP4237115B2 (ja) | 帯域可変型光フィルタ | |
| Bernussi et al. | Mirror quality and the performance of reflective arrayed-waveguide grating multiplexers | |
| EP1250616A1 (en) | Tuning of optical waveguide devices containing an organic material |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040315 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040318 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040513 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040826 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040908 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070924 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100924 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110924 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110924 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120924 Year of fee payment: 8 |