JPH10186011A - 磁気発光素子 - Google Patents
磁気発光素子Info
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- JPH10186011A JPH10186011A JP34494096A JP34494096A JPH10186011A JP H10186011 A JPH10186011 A JP H10186011A JP 34494096 A JP34494096 A JP 34494096A JP 34494096 A JP34494096 A JP 34494096A JP H10186011 A JPH10186011 A JP H10186011A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気抵抗効果素子の感度の高さを活かし、これ
を電気信号ではなく、光に変換することで、高記録密度
に対応した磁気記録装置を提供する。 【解決手段】半導体基体上に成長した半導体発光素子２
３と、磁界によって電気特性の変化する構造を有する構
成とが電気的に接続した磁気発光素子。
を電気信号ではなく、光に変換することで、高記録密度
に対応した磁気記録装置を提供する。 【解決手段】半導体基体上に成長した半導体発光素子２
３と、磁界によって電気特性の変化する構造を有する構
成とが電気的に接続した磁気発光素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気発光素子，磁
気センサおよび磁気記録再生装置に関する。
気センサおよび磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】米国特許第5,432,373 号にはマグネテイ
ックスピントランジスタおよびそれを用いた磁気ヘッ
ド，メモリセル電流スイッチの記載がある。
ックスピントランジスタおよびそれを用いた磁気ヘッ
ド，メモリセル電流スイッチの記載がある。
【０００３】特開平6−97531号公報には、ｐ−ｎ接合を
磁性体層で挟んだ磁気抵抗効果素子の記載がある。
磁性体層で挟んだ磁気抵抗効果素子の記載がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、磁気
記録装置に要求される磁気記録密度の上昇、すなわち、
記録媒体上での線記録密度向上、かつ磁気ヘッドの駆動
周波数の上昇を実現することが困難であり、記録装置と
しての機能向上が困難になりつつあった。
記録装置に要求される磁気記録密度の上昇、すなわち、
記録媒体上での線記録密度向上、かつ磁気ヘッドの駆動
周波数の上昇を実現することが困難であり、記録装置と
しての機能向上が困難になりつつあった。
【０００５】従来、磁気記録装置では磁界を検知して電
気信号に変換する方式がとられており、この方法にはホ
ール素子を用いて磁界によって変化するホール電圧を検
知する等の半導体センサを用いる方法や、磁気回路への
磁束の出入りによって起きる誘導起電力を検知する方
法、そして磁気抵抗効果素子と呼ばれる磁界によって電
気抵抗が変化する物質に電流を印加し、電気抵抗の変化
を電圧の変化に変換する方法が知られている。
気信号に変換する方式がとられており、この方法にはホ
ール素子を用いて磁界によって変化するホール電圧を検
知する等の半導体センサを用いる方法や、磁気回路への
磁束の出入りによって起きる誘導起電力を検知する方
法、そして磁気抵抗効果素子と呼ばれる磁界によって電
気抵抗が変化する物質に電流を印加し、電気抵抗の変化
を電圧の変化に変換する方法が知られている。
【０００６】上記の方法では、次の問題点がある。ホー
ル素子などの半導体磁場センサは磁場の感度が低く記録
媒体からの漏洩磁束のような弱い磁場を検知する目的に
対しては使用できない。また、誘導起電力を検知する方
法は、現在要求されている記録密度には対応できない。
磁気抵抗効果素子は、感度は非常に高いが、素子に電流
を流して出力を得るために発熱による出力低下や破壊が
生じる。とくに、磁気抵抗効果素子の抵抗が高い場合顕
著で、この理由でこのような物質は磁気抵抗効果が大き
くても使用されえなかった。このように、磁気抵抗効果
素子は出力が弱いという問題があり、これを補うために
信号の増幅処理が重要な問題となった。この際、電気信
号では高い周波数の信号は扱いが困難なために将来的に
信号をより高い密度，周波数で伝送できる光伝達が必要
と考えられる。
ル素子などの半導体磁場センサは磁場の感度が低く記録
媒体からの漏洩磁束のような弱い磁場を検知する目的に
対しては使用できない。また、誘導起電力を検知する方
法は、現在要求されている記録密度には対応できない。
磁気抵抗効果素子は、感度は非常に高いが、素子に電流
を流して出力を得るために発熱による出力低下や破壊が
生じる。とくに、磁気抵抗効果素子の抵抗が高い場合顕
著で、この理由でこのような物質は磁気抵抗効果が大き
くても使用されえなかった。このように、磁気抵抗効果
素子は出力が弱いという問題があり、これを補うために
信号の増幅処理が重要な問題となった。この際、電気信
号では高い周波数の信号は扱いが困難なために将来的に
信号をより高い密度，周波数で伝送できる光伝達が必要
と考えられる。
【０００７】本発明の目的は磁気抵抗効果素子の感度の
高さを活かし、これを電気信号ではなく、光に変換する
ことで、高記録密度に対応した磁気記録装置を提供する
ことにある。
高さを活かし、これを電気信号ではなく、光に変換する
ことで、高記録密度に対応した磁気記録装置を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の課題は半導体発
光素子の電圧−光変換による光伝達回路系と磁気抵抗効
果素子の感度の高さとのそれぞれを活かす点にある。
光素子の電圧−光変換による光伝達回路系と磁気抵抗効
果素子の感度の高さとのそれぞれを活かす点にある。
【０００９】上記課題を解決する手段として本発明で採
用した構成は、スライダ兼用の半導体ウエハ上の発光素
子と、この発光素子に電圧を印加する磁気抵抗効果素子
という構成である。外部からの磁界によって電気抵抗が
変化する磁気抵抗効果膜を例えばトランジスタタイプの
半導体発光素子のベース部分に形成し、ベースにかかる
電圧を磁気抵抗効果膜の電気抵抗の変化でスイッチング
する。磁気抵抗効果膜の電気抵抗が例えば磁界の有無に
よって１０4から１０7μΩcmに変化するならば、ベース
部分にかかる電圧を１０3 倍変化させることが可能であ
る。半導体発光素子は閾値以上の電流を流した状態で、
この電圧を変えることによって発光する。
用した構成は、スライダ兼用の半導体ウエハ上の発光素
子と、この発光素子に電圧を印加する磁気抵抗効果素子
という構成である。外部からの磁界によって電気抵抗が
変化する磁気抵抗効果膜を例えばトランジスタタイプの
半導体発光素子のベース部分に形成し、ベースにかかる
電圧を磁気抵抗効果膜の電気抵抗の変化でスイッチング
する。磁気抵抗効果膜の電気抵抗が例えば磁界の有無に
よって１０4から１０7μΩcmに変化するならば、ベース
部分にかかる電圧を１０3 倍変化させることが可能であ
る。半導体発光素子は閾値以上の電流を流した状態で、
この電圧を変えることによって発光する。
【００１０】本発明ではこのように磁気抵抗効果膜を接
続した半導体発光素子を磁気センサとして採用すること
により高感度で高周波特性の優れた磁界−光変換タイプ
の磁気ヘッドを得、高記録密度，高速転送を可能にする
磁気記録装置が実現できる。
続した半導体発光素子を磁気センサとして採用すること
により高感度で高周波特性の優れた磁界−光変換タイプ
の磁気ヘッドを得、高記録密度，高速転送を可能にする
磁気記録装置が実現できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の磁気発光素子を構成する
磁気抵抗効果膜はイオンビームスパッタリング装置によ
り以下のように作製した。
磁気抵抗効果膜はイオンビームスパッタリング装置によ
り以下のように作製した。
【００１２】半導体は予め、分子線エピタキシ装置でＧ
ａＡｓをｐ型Ｇａ1-xＡｌxＡｓとｎ型Ｇａ1-xＡｌxＡｓ
とでサンドイッチ状にはさんだ２つのヘテロ接合からな
るダブルヘテロ接合構造の半導体基体を作製し、この活
性領域を幅１ないし３０μｍの帯状にしたストライプ形
状にした。この発光素子の特性は、光出力１ないし１５
ｍＡ（動作電流：２５ないし１４０ｍＡ），順電圧１.
８Ｖ ，ピ−ク波長８３０ｎｍである。
ａＡｓをｐ型Ｇａ1-xＡｌxＡｓとｎ型Ｇａ1-xＡｌxＡｓ
とでサンドイッチ状にはさんだ２つのヘテロ接合からな
るダブルヘテロ接合構造の半導体基体を作製し、この活
性領域を幅１ないし３０μｍの帯状にしたストライプ形
状にした。この発光素子の特性は、光出力１ないし１５
ｍＡ（動作電流：２５ないし１４０ｍＡ），順電圧１.
８Ｖ ，ピ−ク波長８３０ｎｍである。
【００１３】この半導体基体のｐ型Ｇａ1-xＡｌxＡｓ上
にイオンビームスパッタリング装置をもちいて磁気抵抗
効果膜を作製した。ランタン，カルシウム，マンガン，
酸素からなる焼結ターゲットを用い、キセノンイオンビ
ームをこのターゲット上に照射して膜形成した。スパッ
タリング条件は以下のとおり。
にイオンビームスパッタリング装置をもちいて磁気抵抗
効果膜を作製した。ランタン，カルシウム，マンガン，
酸素からなる焼結ターゲットを用い、キセノンイオンビ
ームをこのターゲット上に照射して膜形成した。スパッ
タリング条件は以下のとおり。
【００１４】 基体上の素子の形成はホトレジスト工程およびイオンミ
リングによってパターニングした。その後、ウエハ部分
をスライダ形状に加工し磁気記録装置に搭載した。
リングによってパターニングした。その後、ウエハ部分
をスライダ形状に加工し磁気記録装置に搭載した。
【００１５】以下に本発明の実施例を図をおって説明す
る。
る。
【００１６】図１は本発明の磁気発光素子の説明図であ
る。本発明は、磁場の変化を電圧あるいは電流の電気特
性に変化させる素子を電気的特性の変化を光に変える素
子（半導体発光素子）に組み合わせたものである。図２
は本発明の磁気発光素子の具体的な構成である。図中２
１の磁気抵抗効果膜の材質は例えばLaMnCaO 単結晶膜な
どの酸化物や例えば強磁性金属（ＮｉＦｅ）中に非磁性
金属(Ｃｕ)の微粒子が拡散した膜からなる。これは、半
導体発光素子２３の電極２２上に形成される。半導体発
光素子は図３に示すように、例えばｎ型のＧａＡｓ単結
晶３４の上下をｎ型のＧａ1-xＡｌxＡｓ単結晶３５とｐ
型のＧａ1-xＡｌxＡｓ単結晶３４で挟んだ膜や、例えば
図４に示すようにｎ型ＧａＡｓ単結晶基体４４上にスト
ライプ状に下から、ｎ型Ｇａ1-xＡｌxＡｓ４６，ＧａＡ
ｓ４７，ｐ型Ｇａ1-xＡｌxＡｓ４５単結晶膜の順に積層
し、両端部４３をｎ型Ｇａ1-xＡｌxＡｓで埋めた構造を
作る方法がある。これらのｎ型とｐ型の接しているＧａ
Ａｓ部分４７は適当な電流を印加すると発光する特性を
もつ。その特性の一例を図５に示す。図に示すように、
半導体発光素子から発する光の出力Ｐは特定の電流閾値
ｉth以上で増加する。図３，図４の３２，４２に示す部
分に作製した。半導体発光素子の電極はＣｕ，Ｔａ，Ａ
ｕ，Ａｇ，Ａｌなどの導電性をもつ金属からなる。すな
わち、外部からの磁界が図２の磁気センサ部に印加され
ると磁気抵抗効果膜の電気抵抗は例えば図６のように変
化する。即ち、磁場の有無によって、磁場が無いときに
は抵抗が低く、磁場がかかると抵抗は増加する。従っ
て、回路の電圧を一定にすると、磁気抵抗効果膜の抵抗
の大きいときには回路を流通する電流は少なく（望まし
くは絶縁状態で電流は０）、抵抗の小さいときに流れる
電流は、発光素子の発光条件を上回るように電圧を設定
する。例えば、半導体素子に図４の構造を用いたとき
に、電圧を２Ｖ一定とすると、幅１μｍの半導体発光素
子の電流閾値は２５ｍＡであるから、抵抗は８０Ωあれ
ばよい。磁気抵抗効果膜にLaMnCaO 単結晶膜を用いる
と、磁場の有無によって比抵抗は１０4ないし１０7μΩ
cmに変化する。よって、厚さを１μｍないし１ｎｍ程度
の膜厚変化で制御できる。また、この磁気発光素子の構
成は、図７のように磁気抵抗効果部分と半導体発光素子
部分とが分離した構造でもよい。
る。本発明は、磁場の変化を電圧あるいは電流の電気特
性に変化させる素子を電気的特性の変化を光に変える素
子（半導体発光素子）に組み合わせたものである。図２
は本発明の磁気発光素子の具体的な構成である。図中２
１の磁気抵抗効果膜の材質は例えばLaMnCaO 単結晶膜な
どの酸化物や例えば強磁性金属（ＮｉＦｅ）中に非磁性
金属(Ｃｕ)の微粒子が拡散した膜からなる。これは、半
導体発光素子２３の電極２２上に形成される。半導体発
光素子は図３に示すように、例えばｎ型のＧａＡｓ単結
晶３４の上下をｎ型のＧａ1-xＡｌxＡｓ単結晶３５とｐ
型のＧａ1-xＡｌxＡｓ単結晶３４で挟んだ膜や、例えば
図４に示すようにｎ型ＧａＡｓ単結晶基体４４上にスト
ライプ状に下から、ｎ型Ｇａ1-xＡｌxＡｓ４６，ＧａＡ
ｓ４７，ｐ型Ｇａ1-xＡｌxＡｓ４５単結晶膜の順に積層
し、両端部４３をｎ型Ｇａ1-xＡｌxＡｓで埋めた構造を
作る方法がある。これらのｎ型とｐ型の接しているＧａ
Ａｓ部分４７は適当な電流を印加すると発光する特性を
もつ。その特性の一例を図５に示す。図に示すように、
半導体発光素子から発する光の出力Ｐは特定の電流閾値
ｉth以上で増加する。図３，図４の３２，４２に示す部
分に作製した。半導体発光素子の電極はＣｕ，Ｔａ，Ａ
ｕ，Ａｇ，Ａｌなどの導電性をもつ金属からなる。すな
わち、外部からの磁界が図２の磁気センサ部に印加され
ると磁気抵抗効果膜の電気抵抗は例えば図６のように変
化する。即ち、磁場の有無によって、磁場が無いときに
は抵抗が低く、磁場がかかると抵抗は増加する。従っ
て、回路の電圧を一定にすると、磁気抵抗効果膜の抵抗
の大きいときには回路を流通する電流は少なく（望まし
くは絶縁状態で電流は０）、抵抗の小さいときに流れる
電流は、発光素子の発光条件を上回るように電圧を設定
する。例えば、半導体素子に図４の構造を用いたとき
に、電圧を２Ｖ一定とすると、幅１μｍの半導体発光素
子の電流閾値は２５ｍＡであるから、抵抗は８０Ωあれ
ばよい。磁気抵抗効果膜にLaMnCaO 単結晶膜を用いる
と、磁場の有無によって比抵抗は１０4ないし１０7μΩ
cmに変化する。よって、厚さを１μｍないし１ｎｍ程度
の膜厚変化で制御できる。また、この磁気発光素子の構
成は、図７のように磁気抵抗効果部分と半導体発光素子
部分とが分離した構造でもよい。
【００１７】図８は本発光型磁気センサを用いた磁気ヘ
ッドの概念図である。半導体発光素子からなるスライダ
８１上に下部磁気シールド８２及び上部磁気シールド兼
下部磁極８３，上部磁極８４およびコイル８５を形成
し、磁気シールドおよび記録用磁気ヘッドを構成する部
分を付帯してなる。半導体発光部分８６は、下部磁気シ
ールドの下にある。磁気抵抗効果膜８７は磁気的な感知
部分となり、下部磁気シールド下の半導体に発光部分が
ある。
ッドの概念図である。半導体発光素子からなるスライダ
８１上に下部磁気シールド８２及び上部磁気シールド兼
下部磁極８３，上部磁極８４およびコイル８５を形成
し、磁気シールドおよび記録用磁気ヘッドを構成する部
分を付帯してなる。半導体発光部分８６は、下部磁気シ
ールドの下にある。磁気抵抗効果膜８７は磁気的な感知
部分となり、下部磁気シールド下の半導体に発光部分が
ある。
【００１８】図９は本発明の磁気記録再生装置の構成例
である。情報を磁気的に記録する記録媒体９１を保持す
るデイスク９２をスピンドルモータ９３で回転し、アク
チュエータ９４によって磁気ヘッド９５をデイスク上に
書かれたトラック上に誘導する。即ち、磁気デイスク装
置で磁気ヘッド９５上に形成した磁気発光素子、及び、
記録ヘッドがこの機構によってデイスク上の所定の記録
位置に近接するように相対運動し信号を順次書き込み、
そして読み取る。記録信号は信号処理系９６を通じて記
録ヘッドで媒体上に記録する。更に磁気ヘッドを所望の
記録トラック上に移動するに際し、再生ヘッドからの光
を用いてトラック上の位置を検出しアクチュエータを制
御して磁気ヘッドの位置を決めることができる。本図で
は磁気ヘッドおよびデイスクを各一個示したがこれらは
複数であっても良い。また、磁気デイスクは両面に記録
してあるものについても、本発明は成立ち、この場合、
磁気ヘッドを表裏それぞれ一個ずつ配置する。
である。情報を磁気的に記録する記録媒体９１を保持す
るデイスク９２をスピンドルモータ９３で回転し、アク
チュエータ９４によって磁気ヘッド９５をデイスク上に
書かれたトラック上に誘導する。即ち、磁気デイスク装
置で磁気ヘッド９５上に形成した磁気発光素子、及び、
記録ヘッドがこの機構によってデイスク上の所定の記録
位置に近接するように相対運動し信号を順次書き込み、
そして読み取る。記録信号は信号処理系９６を通じて記
録ヘッドで媒体上に記録する。更に磁気ヘッドを所望の
記録トラック上に移動するに際し、再生ヘッドからの光
を用いてトラック上の位置を検出しアクチュエータを制
御して磁気ヘッドの位置を決めることができる。本図で
は磁気ヘッドおよびデイスクを各一個示したがこれらは
複数であっても良い。また、磁気デイスクは両面に記録
してあるものについても、本発明は成立ち、この場合、
磁気ヘッドを表裏それぞれ一個ずつ配置する。
【００１９】上述した構成について、本発明の磁気ヘッ
ドおよび、これを搭載した磁気記録再生装置を試験した
結果、充分に出力は得られた。本発明の磁気センサは、
単独の磁気センサとしても機能させることができる。
ドおよび、これを搭載した磁気記録再生装置を試験した
結果、充分に出力は得られた。本発明の磁気センサは、
単独の磁気センサとしても機能させることができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば磁界に敏感で、信号を光
で伝達できるような磁気センサを作製することができ
る。これによって、信号伝達の減衰等の影響の少ない磁
気記録の再生、および、光による正確な位置決めや、視
認性の高い磁場センサが作製できる。
で伝達できるような磁気センサを作製することができ
る。これによって、信号伝達の減衰等の影響の少ない磁
気記録の再生、および、光による正確な位置決めや、視
認性の高い磁場センサが作製できる。
【図１】磁気発光素子の説明図。
【図２】磁気発光素子の構成の説明図。
【図３】磁気発光素子の例１の説明図。
【図４】磁気発光素子の例２の説明図。
【図５】半導体発光素子の電流−出力の特性図。
【図６】磁気抵抗効果膜の磁場−抵抗の特性図。
【図７】磁気発光素子の例３の説明図。
【図８】磁気発光素子を用いた磁気ヘッドの斜視図。
【図９】磁気発光素子を用いた磁気記録再生装置の側面
図。
図。
２１…磁気抵抗効果膜、２２…電極、２３…半導体発光
素子。
素子。
Claims (12)
- 【請求項１】半導体基体上に成長した入力電流によって
発光する特性を持つ半導体発光素子と、磁界によって電
気特性の変化する構造とから成り、上記半導体発光素子
の信号入力構造と磁界によって電気特性の変化する構造
とが電気的に接続することで、上記半導体発光素子ある
いは構成全体に印加される磁界によって応答の異なる特
性を有することを特徴とする磁気発光素子。 - 【請求項２】上記磁界によって電気特性の変化する構造
が、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果膜である請求項
１の磁気発光素子。 - 【請求項３】上記磁気抵抗効果膜が磁性膜／非磁性膜／
磁性膜の構造を有する請求項２の磁気発光素子。 - 【請求項４】上記磁気抵抗効果膜が酸化物からなる請求
項２の磁気発光素子。 - 【請求項５】上記磁気抵抗効果膜がぺロブスカイト型化
合物からなる請求項２の磁気発光素子。 - 【請求項６】上記磁気抵抗効果膜がＡ−Ｍ−Ｏ（Ａ＝Ｌ
ａ，Ｙ，Ｈｏ，Ｄｙ，Ｙｂ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｃａ，Ｓｒ，
Ｂｉ，Ｔｌ，Ｂａ，Ｐｂ，Ｋ：Ｍ＝Ｖ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｚｎ）型酸化物か
らなる請求項２の磁気発光素子。 - 【請求項７】上記半導体基体が単結晶からなり、上記磁
気抵抗効果部が上記単結晶上に直接成長している請求項
１，２，３，４，５または６の磁気発光素子。 - 【請求項８】上記半導体基体が単結晶からなり、上記磁
気抵抗効果部が上記単結晶上に中間層を介して成長して
いる請求項１，２，３，４，５または６の磁気発光素
子。 - 【請求項９】上記半導体発光素子がｐ型半導体とｎ型半
導体を接合した構造を有する請求項１，２，３，４，５
または６の磁気発光素子。 - 【請求項１０】上記半導体発光素子が半導体の上層およ
び下層をｎ型およびｐ型の半導体でサンドイッチした構
造であるダブルヘテロ構造を有する請求項１，２，３，
４，５または６の磁気発光素子。 - 【請求項１１】請求項１，２，３，４，５，６，７，
８，９または１０の上記磁気発光素子を用いた磁気セン
サ。 - 【請求項１２】信号を磁気的に記録した記録媒体を有す
る磁気デイスクに近接して、上記記録媒体から漏洩する
磁界を検出し、発光の有無に信号を置き換える磁気セン
サを備えた磁気ヘッドおよびヘッドスライダを有する磁
気記録再生装置であって、上記磁気センサが請求項９の
磁気発光素子である磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34494096A JPH10186011A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 磁気発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34494096A JPH10186011A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 磁気発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10186011A true JPH10186011A (ja) | 1998-07-14 |
Family
ID=18373188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34494096A Pending JPH10186011A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 磁気発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10186011A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7468282B2 (en) | 2002-03-26 | 2008-12-23 | Japan Science And Technology Agency | Tunneling magnetoresistive element, semiconductor junction element, magnetic memory and semiconductor light emitting element |
| JP2014038894A (ja) * | 2012-08-11 | 2014-02-27 | Tohoku Univ | マルチフェロイック薄膜及びそれを用いたデバイス |
| WO2015147430A1 (ko) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 | 반도체 소자, 반도체 소자의 제조 방법, 발광 소자 및 발광 소자의 제조 방법 |
-
1996
- 1996-12-25 JP JP34494096A patent/JPH10186011A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7468282B2 (en) | 2002-03-26 | 2008-12-23 | Japan Science And Technology Agency | Tunneling magnetoresistive element, semiconductor junction element, magnetic memory and semiconductor light emitting element |
| JP2014038894A (ja) * | 2012-08-11 | 2014-02-27 | Tohoku Univ | マルチフェロイック薄膜及びそれを用いたデバイス |
| WO2015147430A1 (ko) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 | 반도체 소자, 반도체 소자의 제조 방법, 발광 소자 및 발광 소자의 제조 방법 |
| US9768359B2 (en) | 2014-03-28 | 2017-09-19 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing same, light-emitting diode, and method for manufacturing same |
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