JPH10178331A - Surface acoustic wave element - Google Patents

Surface acoustic wave element

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JPH10178331A
JPH10178331A JP33918996A JP33918996A JPH10178331A JP H10178331 A JPH10178331 A JP H10178331A JP 33918996 A JP33918996 A JP 33918996A JP 33918996 A JP33918996 A JP 33918996A JP H10178331 A JPH10178331 A JP H10178331A
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JP
Japan
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surface acoustic
acoustic wave
crystal piezoelectric
single crystal
thin plate
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Application number
JP33918996A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroteru Satou
浩輝 佐藤
Yutaka Taguchi
豊 田口
Tetsuyoshi Ogura
哲義 小掠
Osamu Kawasaki
修 川崎
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface acoustic wave element with a high degree of freedom of combination of an electromechanical coupling coefficient and a temperature dependency, especially with a high electromechanical coupling coefficient and a small temperature dependency. SOLUTION: Flat processing, mirror surface processing, cleaning processing, hydrophilic processing are applied to a single crystal piezoelectric substrate 10 and a single crystal piezoelectric thin plate 20, they are overlapped and heat-treated, then they are directly adhered and laminated, and a interdigital electrode 30 to stimulate a Rayleigh surface acoustic wave is provided onto the single crystal piezoelectric substrate 10 or the single crystal piezoelectric thin plate 20. Let a plate thickness of the single crystal piezoelectric thin plate 20 be H and a wavelength of the stimulated surface acoustic wave be A, then a relation of H/λ<0.5 is in existence.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、フィルタや共振子
などに用いる、温度依存性に優れかつ電気機械結合係数
に優れた弾性表面波素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device having excellent temperature dependency and excellent electromechanical coupling coefficient used for a filter, a resonator or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、移動体通信技術の進歩発展によ
り、通信機器の小型、高周波化が進んでいる。これらの
機器には、必ず発振器や高周波のフィルタが必要であ
り、またこれらの発振器や高周波フィルタに弾性表面波
素子が多く用いられている。従来の弾性表面波素子、例
えば弾性表面波フィルタや弾性表面波共振子は、ニオブ
酸リチウムなどの圧電基板に櫛形電極を形成し、その電
極に交番電界を加えることによって弾性表面波振動を励
振している。
2. Description of the Related Art In recent years, with the advancement and development of mobile communication technology, communication devices have been reduced in size and frequency. These devices always require an oscillator and a high-frequency filter, and a surface acoustic wave element is often used for these oscillators and high-frequency filters. Conventional surface acoustic wave devices, such as surface acoustic wave filters and surface acoustic wave resonators, form a comb-shaped electrode on a piezoelectric substrate such as lithium niobate and excite the surface acoustic wave vibration by applying an alternating electric field to the electrode. ing.

【0003】移動体通信機器に使用するためには、高周
波で特性の良い弾性表面波素子が必要である。弾性表面
波素子の高周波特性として重要なのは、フィルタの場合
は挿入損失とその温度依存性であり、共振子の場合は共
振のQと共振および反共振の比(容量比)およびその温
度依存性である。容量比は共振器型フィルタなどに用い
る場合に、通過帯域に直接関係する。挿入損失、共振の
Q、容量比は、用いる圧電体の電気機械結合係数に依存
し、温度依存性は用いる圧電体の音速の温度依存性が関
与する。電気機械結合係数と温度依存性(以降、遅延時
間温度係数を温度依存性の指標として用いる)は、用い
る材料およびその結晶方位によって大きく変わる。
For use in mobile communication equipment, a surface acoustic wave element having high frequency and good characteristics is required. What is important as the high frequency characteristics of a surface acoustic wave element is the insertion loss and its temperature dependence in the case of a filter, and the resonance Q and the ratio of resonance and antiresonance (capacitance ratio) and its temperature dependence in the case of a resonator. is there. The capacitance ratio is directly related to the pass band when used in a resonator type filter or the like. The insertion loss, the resonance Q, and the capacitance ratio depend on the electromechanical coupling coefficient of the piezoelectric body used, and the temperature dependence involves the temperature dependence of the sound speed of the piezoelectric body used. The electromechanical coupling coefficient and the temperature dependence (hereinafter, the delay time temperature coefficient is used as an index of the temperature dependence) greatly vary depending on the material used and its crystal orientation.

【0004】水晶の場合、レイリータイプ弾性表面波に
関して42.5度回転YカットX軸伝搬で、電気機械結
合係数が0.12%、遅延時間温度係数が0ppm/
℃、リーキータイプ弾性表面波に関して105度回転Y
カットX軸伝搬で、電気機械結合係数が0.11%、遅
延時間温度係数が0ppm/℃、ニオブ酸リチウムの場
合、レイリータイプ弾性表面波に関して128度回転Y
カットX軸伝搬で電気機械結合係数が5.5%、遅延時
間温度係数が72ppm/℃、リーキータイプ弾性表面
波に関して64度回転YカットX軸伝搬で、電気機械結
合係数が11.3%、遅延時間温度係数が70ppm/
℃、タンタル酸リチウムに関して場合、リーキータイプ
弾性表面波の36度回転YカットX軸伝搬で、電気機械
結合係数が5.0%、遅延時間温度係数が30ppm/
℃、、ほう酸リチウムの場合、レイリータイプ弾性表面
波に関して45度回転Xカットで、電気機械結合係数が
1.0%程度である。
In the case of quartz, an electromechanical coupling coefficient is 0.12% and a delay time temperature coefficient is 0 ppm / in a 42.5-degree rotation Y-cut X-axis propagation with respect to a Rayleigh-type surface acoustic wave.
℃, 105 degree rotation Y about leaky type surface acoustic wave
In the case of cut X-axis propagation, the electromechanical coupling coefficient is 0.11%, the delay time temperature coefficient is 0 ppm / ° C., and lithium niobate is used.
The electromechanical coupling coefficient is 5.5% in the cut X-axis propagation, the delay time temperature coefficient is 72 ppm / ° C., the electromechanical coupling coefficient is 11.3% in the Y-cut X-axis propagation with a rotation of 64 degrees with respect to leaky surface acoustic waves, The delay time temperature coefficient is 70 ppm /
° C and lithium tantalate, the electromechanical coupling coefficient is 5.0%, the delay time temperature coefficient is 30 ppm /
In the case of ℃, lithium borate, the electromechanical coupling coefficient is about 1.0% with a 45 ° rotation X cut for Rayleigh type surface acoustic waves.

【0005】電気機械結合係数の面からいうと、ニオブ
酸リチウムが一般的に望ましい。しかしながら温度依存
性は水晶などに比べて劣る。水晶は温度依存性は極めて
小さいが、電気機械結合係数が極めて小さい。
In terms of the electromechanical coupling coefficient, lithium niobate is generally desirable. However, the temperature dependency is inferior to quartz or the like. Quartz has a very small temperature dependence, but a very small electromechanical coupling coefficient.

【0006】設計の自由度の観点から言うと、電気機械
結合係数は大きく、また温度依存性が小さいものがあれ
ば好ましい。しかしながら上記材料では不十分である。
従来の単一材料からなる圧電基板を用いたのでは、電気
機械結合係数と温度依存性の組合せが限られており、設
計の自由度が少ない。また電気機械結合係数が大きく、
温度依存性の小さい材料がないという課題があった。こ
れらの課題を解決するために、積層構造の弾性表面波素
子が知られている。
From the viewpoint of design flexibility, it is preferable that the electromechanical coupling coefficient is large and the temperature dependence is small. However, these materials are not sufficient.
When a conventional piezoelectric substrate made of a single material is used, the combination of the electromechanical coupling coefficient and the temperature dependency is limited, and the degree of freedom in design is small. In addition, the electromechanical coupling coefficient is large,
There was a problem that there was no material having low temperature dependence. In order to solve these problems, a surface acoustic wave device having a laminated structure is known.

【0007】例えば、圧電体どうしの積層である酸化亜
鉛とニオブ酸リチウムの積層構造が、A. Armstrong ら
によって報告されている(Proc. 1972 IEEE Ultrasonic
s Symp. (IEEE, New York, 1972)p.370 )。このような
構成にすると電気機械結合係数に優れた弾性表面波素子
が得られる。また、温度特性改善のために、Si半導体
基板上に圧電体である窒化アルミニウム膜を形成し、そ
の上に酸化珪素の膜を形成して、温度特性を改善する方
法が知られている(USP4,516,049)。また近年、圧
電体基板や非圧電体基板を直接接合法により張り合わせ
た複合圧電基板上に形成する、優れた温度特性、結合係
数をもつ弾性表面波素子が注目されている(特開平6−
326553)。
For example, a laminate structure of zinc oxide and lithium niobate, which is a laminate of piezoelectric bodies, has been reported by A. Armstrong et al. (Proc. 1972 IEEE Ultrasonic
s Symp. (IEEE, New York, 1972) p.370). With such a configuration, a surface acoustic wave device having an excellent electromechanical coupling coefficient can be obtained. Further, in order to improve the temperature characteristics, a method is known in which an aluminum nitride film, which is a piezoelectric material, is formed on a Si semiconductor substrate, and a silicon oxide film is formed thereon to improve the temperature characteristics (USP4). , 516,049). In recent years, a surface acoustic wave element having excellent temperature characteristics and a coupling coefficient, which is formed on a composite piezoelectric substrate in which a piezoelectric substrate or a non-piezoelectric substrate is bonded by a direct bonding method, has been attracting attention (Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 6-1994).
326553).

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の積層技術の
うち、スパッタリング法や化学気相堆積法や真空蒸着法
などの薄膜形成技術を用いて積層構造を形成する場合、
基板と材料の組合せに厳しい制限がある。例えば、スパ
ッタリング法などにより形成した圧電膜は、バルク単結
晶よりも圧電特性が劣る。また圧電特性を出すために
は、少なくとも結晶方向を一様に配向させることが必要
であるが、配向させるためには、基板と膜の組合せが極
めて限定される。また望ましくはエピタキシャル成長技
術により単結晶薄膜を形成するのが好ましいが、この場
合には基板と膜の組合せが更に限定される。例えば、水
晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ほう酸リ
チウムなど通常弾性表面波素子に用いられる圧電材料で
は、基板材料が異なる場合、良好なエピタキシャル膜は
得られていない。そのためこの場合にも、設計の自由度
が乏しく、電気機械結合係数が大きく温度依存性に優れ
た材料が乏しいと言う課題があった。
Among the above conventional lamination techniques, when a lamination structure is formed by using a thin film formation technique such as a sputtering method, a chemical vapor deposition method, or a vacuum deposition method,
There are severe restrictions on substrate and material combinations. For example, a piezoelectric film formed by a sputtering method or the like has lower piezoelectric characteristics than a bulk single crystal. Further, in order to obtain the piezoelectric characteristics, it is necessary to at least uniformly orient the crystal direction. However, in order to achieve the orientation, the combination of the substrate and the film is extremely limited. Preferably, a single crystal thin film is preferably formed by an epitaxial growth technique. In this case, the combination of the substrate and the film is further limited. For example, in the case of a piezoelectric material such as quartz, lithium niobate, lithium tantalate, and lithium borate, which is usually used for a surface acoustic wave device, a good epitaxial film cannot be obtained when the substrate material is different. Therefore, also in this case, there is a problem that the degree of freedom in design is poor, and the material having a large electromechanical coupling coefficient and excellent in temperature dependency is poor.

【0009】上記の薄膜技術で作った場合、圧電材料を
所定の方向に配向させてつくることが必要となるが、基
板との組合せが著しく制限されるため、実用的なものは
得られていない。また各種接着剤を用いると、接着剤が
弾性表面波伝搬の界面にはいり、弾性表面波が減衰し、
好ましい特性が得られない。
In the case of the above-mentioned thin film technology, it is necessary to orient the piezoelectric material in a predetermined direction. However, a practical material has not been obtained because the combination with the substrate is extremely limited. . When various adhesives are used, the adhesive enters the interface of surface acoustic wave propagation, and the surface acoustic waves are attenuated.
Preferred characteristics cannot be obtained.

【0010】本発明は、このような従来の弾性表面波素
子の製造方法の課題を考慮し、電気機械結合係数、温度
依存性の組合せの自由度が大幅に増し、特に温度依存性
の小さい弾性表面波素子を提供することを目的とするも
のである。
In view of the above-mentioned problems of the conventional method of manufacturing a surface acoustic wave element, the present invention greatly increases the degree of freedom of the combination of the electromechanical coupling coefficient and the temperature dependence, and in particular, the elasticity having a small temperature dependence. It is an object to provide a surface acoustic wave element.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の弾性表面波素子は、単結晶圧電体基板と、
単結晶圧電体薄板と、前記単結晶圧電体基板または前記
単結晶圧電体薄板の少なくとも一方に設けた弾性表面波
を励振するための櫛形電極とを含む弾性表面波素子にお
いて、前記単結晶圧電体基板と前記単結晶圧電体薄板が
それぞれ平坦化、鏡面化、清浄化、親水化処理して、重
ね合わせ熱処理することにより直接接合されて積層さ
れ、かつ前記弾性表面波がレイリータイプ弾性表面波で
あり、かつ前記単結晶圧電体薄板の板厚をH、励振され
る前記弾性表面波の波長をλとしたとき、H/λがH/
λ<0.5の範囲にあるものである。
Means for Solving the Problems To solve the above problems, a surface acoustic wave device according to the present invention comprises a single crystal piezoelectric substrate,
A surface acoustic wave element including a single-crystal piezoelectric thin plate and a comb-shaped electrode provided on at least one of the single-crystal piezoelectric substrate and the single-crystal piezoelectric thin plate for exciting a surface acoustic wave; The substrate and the single-crystal piezoelectric thin plate are respectively flattened, mirror-finished, cleaned, hydrophilized, and directly bonded and laminated by heat treatment for superposition, and the surface acoustic wave is a Rayleigh-type surface acoustic wave. When the thickness of the single-crystal piezoelectric thin plate is H and the wavelength of the surface acoustic wave to be excited is λ, H / λ is H /
λ <0.5.

【0012】また、前記単結晶圧電体基板の弾性表面波
の伝搬する方向における遅延時間温度係数が、前記単結
晶圧電薄板の前記弾性表面波の伝搬する方向における遅
延時間温度係数よりも小さいことによって単一の単結晶
圧電体基板では得られない温度特性、具体的には遅延時
間温度係数の小さい弾性表面波素子が得られる。
The delay time temperature coefficient of the single crystal piezoelectric substrate in the direction in which the surface acoustic wave propagates is smaller than the delay time temperature coefficient of the single crystal piezoelectric thin plate in the direction in which the surface acoustic wave propagates. Temperature characteristics that cannot be obtained with a single single-crystal piezoelectric substrate, specifically, a surface acoustic wave element having a small delay time temperature coefficient can be obtained.

【0013】また、前記単結晶圧電基板は水晶またはラ
ンガサイトがよく、前記単結晶圧電薄板はニオブ酸リチ
ウムまたはタンタル酸リチウムまたはほう酸リチウムが
よい。
The single-crystal piezoelectric substrate is preferably made of quartz or langasite, and the single-crystal piezoelectric thin plate is preferably made of lithium niobate, lithium tantalate or lithium borate.

【0014】また、前記単結晶圧電体基板が水晶であ
り、前記単結晶圧電体薄板がニオブ酸リチウムであって
もよい。
The single-crystal piezoelectric substrate may be made of quartz, and the single-crystal piezoelectric thin plate may be made of lithium niobate.

【0015】上記のような構成とすることにより、積層
した界面近傍を弾性表面波が伝搬することから、積層基
板の音速、電気機械結合係数、温度依存性は、それぞれ
単独の音速、電気機械結合係数、温度依存性と異なるも
のが得られる。
With the above-described structure, the surface acoustic wave propagates in the vicinity of the laminated interface, so that the sound velocity, the electromechanical coupling coefficient, and the temperature dependency of the laminated substrate are independent of the sound velocity and the electromechanical coupling, respectively. Coefficients and temperature dependence are obtained.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態の弾性表
面波素子の構成について図面を参照しながら説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The configuration of a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】(実施の形態1)本発明の弾性表面波素子
の構造の第1の実施の形態を図1に示す。
(Embodiment 1) FIG. 1 shows a first embodiment of the structure of a surface acoustic wave device according to the present invention.

【0018】図1において10は単結晶圧電基板、20
は単結晶圧電薄板、30、30’は単結晶圧電薄板の上
に設けた櫛形電極である。櫛形電極はここでは簡略化し
て示している。
In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a single crystal piezoelectric substrate;
Is a single-crystal piezoelectric thin plate, and 30 and 30 'are comb-shaped electrodes provided on the single-crystal piezoelectric thin plate. The comb electrodes are shown here in a simplified manner.

【0019】単結晶圧電基板10と前記単結晶圧電薄板
20はそれぞれ平坦化、鏡面化、清浄化、親水化処理し
て、重ね合わせ熱処理することにより直接接合されて積
層されている。
The single-crystal piezoelectric substrate 10 and the single-crystal piezoelectric thin plate 20 are flattened, mirror-finished, cleaned, and hydrophilized, and are directly joined and laminated by heat treatment for superposition.

【0020】単結晶圧電基板10として、例えば単結晶
圧電体である水晶、単結晶圧電薄板20として、例えば
単結晶圧電体であるニオブ酸リチウムが適している。
As the single-crystal piezoelectric substrate 10, for example, quartz which is a single-crystal piezoelectric body, and as the single-crystal piezoelectric thin plate 20, for example, lithium niobate which is a single-crystal piezoelectric body are suitable.

【0021】弾性表面波素子素子としての機能は、櫛形
電極30に高周波信号を入れることにより、その近傍の
圧電部に弾性表面波が励振され、それが積層構造を経
て、他方の櫛形電極30’に伝搬して櫛形電極30’下
部の圧電部で再び電気信号に変換されるものである。こ
こでは櫛形電極を用いた弾性表面波素子の基本構成を示
したもので、実際にフィルタや共振子にする場合には、
櫛形電極の数を増やしたり、構成を変えたりする。
A function as a surface acoustic wave element is to apply a high-frequency signal to the comb-shaped electrode 30 so that a surface acoustic wave is excited in a piezoelectric portion near the comb-shaped electrode 30, and this is passed through a laminated structure to form the other comb-shaped electrode 30 ′. And is converted again into an electric signal by the piezoelectric portion below the comb-shaped electrode 30 '. Here, the basic configuration of a surface acoustic wave element using a comb-shaped electrode is shown, and when actually forming a filter or a resonator,
Increase the number of comb electrodes or change the configuration.

【0022】ここで積層基板においてレイリータイプ弾
性表面波がどのような伝搬特性を持つかを計算によって
検討する。以下に積層基板を伝搬するレイリータイプ弾
性表面波の伝搬特性の算出方法およびその結果について
説明する。まず、最初にレイリー波の理論について説明
する。層状基板を伝搬するレイリータイプ弾性表面波
は、以下に説明する関係式より、その特性を計算するこ
とができる。計算に用いるモデルと座標系を図2に示
す。レイリータイプ弾性表面波はX1方向に伝搬するも
のとする。単結晶圧電基板10と単結晶圧電薄板20の
両方において、以下の圧電基本式、運動方程式および準
静電界近似のマクスウェルの方程式が成り立つ。圧電基
本式、運動方程式および準静電界近似のマクスウェルの
方程式は次のように与えられる。
Here, the propagation characteristics of the Rayleigh-type surface acoustic wave in the laminated substrate will be examined by calculation. Hereinafter, a method of calculating the propagation characteristics of the Rayleigh-type surface acoustic wave propagating through the laminated substrate and the result thereof will be described. First, the Rayleigh wave theory will be described. The characteristics of the Rayleigh-type surface acoustic wave propagating through the layered substrate can be calculated from the relational expression described below. FIG. 2 shows a model and a coordinate system used for the calculation. The Rayleigh-type surface acoustic wave propagates in the X1 direction. In both the single-crystal piezoelectric substrate 10 and the single-crystal piezoelectric thin plate 20, the following basic piezoelectric formula, equation of motion, and Maxwell's equation approximating the quasi-electrostatic field hold. The piezoelectric basic equation, the equation of motion, and the Maxwell's equation of the quasi-electrostatic field approximation are given as follows.

【0023】[0023]

【数1】 (Equation 1)

【0024】[0024]

【数2】 (Equation 2)

【0025】[0025]

【数3】 (Equation 3)

【0026】ここで、cij、eijk、εijはそれ
ぞれ座標回転後の弾性定数、圧電定数、誘電定数のテン
ソルで、ρは密度である。これらの数式が単結晶基板と
単結晶薄板および単結晶薄板表面との境界においてそれ
ぞれ境界条件を満たすような音速を求めればよい。境界
条件は、具体的にはそれぞれの境界において、応力のX
3方向成分について連続であること、および電束密度の
X3方向成分について連続であること、および粒子変位
が連続であることである。
Here, cij, eijk, and εij are tensors of the elastic constant, the piezoelectric constant, and the dielectric constant after the coordinate rotation, respectively, and ρ is the density. It is sufficient to find a sound velocity that satisfies the boundary conditions at the boundaries between the single crystal substrate, the single crystal thin plate, and the surface of the single crystal thin plate. The boundary condition is, specifically, the stress X at each boundary.
That is, the three-directional components are continuous, the X3-direction component of the electric flux density is continuous, and the particle displacement is continuous.

【0027】以上の手順で求めた音速vより、電気機械
結合係数k2、遅延時間温度係数(TCD)は以下のよ
うに求められる。
From the sound velocity v obtained by the above procedure, the electromechanical coupling coefficient k2 and the delay time temperature coefficient (TCD) are obtained as follows.

【0028】[0028]

【数4】 (Equation 4)

【0029】[0029]

【数5】 (Equation 5)

【0030】ここで、vf、vmは、それぞれ表面が電
気的開放、電気的短絡のX1方向の音速で、αはX1方
向の熱膨張係数を示す。
Here, vf and vm are the sound velocities in the X1 direction where the surfaces are electrically open and electrically short, respectively, and α indicates the thermal expansion coefficient in the X1 direction.

【0031】計算は、水晶単結晶基板の切り出し角およ
び伝搬方向と、ニオブ酸リチウム単結晶基板の切り出し
角および伝搬方向および厚さを変化させたときの複合基
板を伝搬するレイリー波の伝搬特性、特に音速と電気機
械結合係数と遅延時間温度係数を求めることを目的に行
った。
The calculation was performed by changing the cutout angle and propagation direction of the quartz single crystal substrate and the propagation characteristics of the Rayleigh wave propagating through the composite substrate when the cutout angle, the propagation direction and the thickness of the lithium niobate single crystal substrate were changed. In particular, the purpose was to determine sound velocity, electromechanical coupling coefficient, and delay time temperature coefficient.

【0032】計算結果について図3から図26を用いて
説明する。図3から図5は水晶において弾性表面波の伝
搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、θ1)とし
たとき角度θ1を変化させたときのレイリータイプ弾性
表面波ならびに同一方向を伝搬する遅い横波の音速、電
気機械結合係数、遅延時間結合係数の計算結果である。
図6から図8はニオブ酸リチウムにおいて弾性表面波の
伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、θ2)と
したとき角度θ2を変化させたときのレイリータイプ弾
性表面波ならびに同一方向を伝搬する遅い横波の音速、
電気機械結合係数、遅延時間温度係数の計算結果であ
る。図3から図5に示すように0゜≦θ1≦180゜の
ときレイリータイプ弾性表面波の音速は3160m/秒
から3810m/秒、遅い横波の音速は3300m/秒
から4675m/秒、電気機械結合係数は0.18%以
下、遅延時間温度係数は−23ppm/℃から69pp
m/℃である。また、図6に示すようにθ2=0゜のと
きレイリータイプ弾性表面波の音速は3440m/秒か
ら3743m/秒、遅い横波の音速は3534m/秒か
ら3910m/秒、電気機械結合係数は1.5%から
5.0%、遅延時間温度係数は75ppm/℃から94
ppm/℃である。水晶のレイリータイプ弾性表面波の
遅延時間温度係数はニオブ酸リチウムのレイリータイプ
弾性表面波の遅延時間温度係数に比べて小さい。また水
晶のレイリータイプ弾性表面波の遅延時間温度係数は、
0゜≦θ1≦35゜、145゜≦θ1≦180゜におい
て負の値を持つ。
The calculation result will be described with reference to FIGS. FIG. 3 to FIG. 5 show that the propagation direction of the surface acoustic wave in quartz is Euler angle display (0 °, 90 °, θ1), and the ray propagates in the same direction as the Rayleigh-type surface acoustic wave when the angle θ1 is changed. It is a calculation result of the sound velocity, electromechanical coupling coefficient, and delay time coupling coefficient of a slow transverse wave.
FIGS. 6 to 8 show the Rayleigh-type surface acoustic wave and the same direction when the angle θ2 is changed when the propagation direction of the surface acoustic wave is represented by Euler angles (0 °, 90 °, θ2) in lithium niobate. The speed of sound of the slow transverse waves propagating,
It is a calculation result of an electromechanical coupling coefficient and a delay time temperature coefficient. As shown in FIGS. 3 to 5, when 0 ° ≦ θ1 ≦ 180 °, the sound speed of the Rayleigh-type surface acoustic wave is 3160 m / s to 3810 m / s, the sound speed of the slow transverse wave is 3300 m / s to 4675 m / s, and the electromechanical coupling The coefficient is 0.18% or less, and the delay time temperature coefficient is from -23 ppm / ° C to 69 pp.
m / ° C. As shown in FIG. 6, when θ2 = 0 °, the sound speed of the Rayleigh-type surface acoustic wave is 3440 m / s to 3743 m / s, the sound speed of the slow transverse wave is 3534 m / s to 3910 m / s, and the electromechanical coupling coefficient is 1. 5% to 5.0%, lag time temperature coefficient 75 ppm / ° C to 94%
ppm / ° C. The delay time temperature coefficient of the Rayleigh-type surface acoustic wave of quartz is smaller than the delay time temperature coefficient of the Rayleigh-type surface acoustic wave of lithium niobate. The delay time temperature coefficient of Rayleigh-type surface acoustic waves of quartz is
It has a negative value at 0 ° ≦ θ1 ≦ 35 ° and 145 ° ≦ θ1 ≦ 180 °.

【0033】図9から図11は水晶が基板であり、ニオ
ブ酸リチウムが薄板である積層基板の場合、水晶におい
て弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、9
0゜、θ1)、ニオブ酸リチウムにおいて弾性表面波の
伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、θ2)の
とき、θ1=0゜としてθ2を0゜≦θ2≦90゜の範
囲で、また薄板の厚さHをレイリータイプ弾性表面波の
波長λで規格化した値H/λを変化させた場合のレイリ
ータイプ弾性表面波の音速、電気機械結合係数、遅延時
間温度係数の計算結果である。図9に示すようにθ2の
変化の範囲において、積層基板を伝搬する音速につい
て、水晶のレイリータイプ弾性表面波の音速はニオブ酸
リチウムのレイリータイプ弾性表面波の音速に比べて遅
いため、複合基板を伝搬するレイリータイプ弾性表面波
が存在して、複合基板を伝搬する音速について、水晶と
ニオブ酸リチウムそれぞれ単体の音速の中間の値をと
る。図10に示すように複合基板の電気機械結合係数に
ついても水晶とニオブ酸リチウムそれぞれ単体の電気機
械結合係数の中間の値をとる。また、図11に示すよう
に複合基板の遅延時間温度係数についても水晶とニオブ
酸リチウムそれぞれ単体の遅延時間温度係数の中間の値
をとる。遅延時間温度係数はH/λが大きくなるにした
がい、その値が負から正に変化するため、0温度係数を
もつH/λが存在して、良好な温度特性が得られる。変
化させたθ2の範囲では、H/λ=0.2〜0.3にお
いて0温度係数を持つ。
FIGS. 9 to 11 show that in the case of a laminated substrate in which quartz is a substrate and lithium niobate is a thin plate, the propagation direction of the surface acoustic wave in the quartz is represented by Euler angles (0 °, 9).
0 °, θ1), and when the propagation direction of the surface acoustic wave in lithium niobate is represented by Euler angles (0 °, 90 °, θ2), θ1 is set to 0 ° and θ2 is set in the range of 0 ° ≦ θ2 ≦ 90 °. Calculation results of the sound velocity, electromechanical coupling coefficient, and delay time temperature coefficient of a Rayleigh-type surface acoustic wave when the value H / λ obtained by normalizing the thickness H of the thin plate with the wavelength λ of the Rayleigh-type surface acoustic wave is changed It is. As shown in FIG. 9, in the range of change of θ2, the sound speed of the Rayleigh-type surface acoustic wave of quartz is lower than the sound speed of the Rayleigh-type surface acoustic wave of lithium niobate. There is a Rayleigh-type surface acoustic wave propagating through the substrate, and the sound speed propagating through the composite substrate takes an intermediate value between the sound speeds of the quartz and lithium niobate alone. As shown in FIG. 10, the electromechanical coupling coefficient of the composite substrate also takes an intermediate value between the electromechanical coupling coefficients of quartz and lithium niobate alone. Further, as shown in FIG. 11, the delay time temperature coefficient of the composite substrate also takes an intermediate value between the delay time temperature coefficients of the quartz and lithium niobate alone. As the delay time temperature coefficient increases as H / λ increases, the value changes from negative to positive, so that H / λ having a zero temperature coefficient exists, and good temperature characteristics can be obtained. In the range of the changed θ2, it has a zero temperature coefficient at H / λ = 0.2 to 0.3.

【0034】図12から図14は圧電体基板が水晶であ
り、圧電体薄板がニオブ酸リチウムである積層基板にお
いて(θ1、θ2)=(15゜、θ2)としたとき、θ
2を0゜≦θ1≦90゜の範囲で、また薄板の厚さHを
レイリータイプ弾性表面波の波長λで規格化した値H/
λを変化させた場合のレイリータイプ弾性表面波ならび
に同一方向を伝搬する遅い横波の音速、電気機械結合係
数、遅延時間温度係数の計算結果である。図12に示す
ように複合基板の音速について、水晶のレイリータイプ
弾性表面波の音速はニオブ酸リチウムのレイリータイプ
弾性表面波の音速に比べて遅いため、複合基板を伝搬す
るレイリータイプ弾性表面波が存在して、複合基板を伝
搬する音速について、水晶とニオブ酸リチウムそれぞれ
単体の音速の中間の値をとる。図13に示すように複合
基板の電気機械結合係数についても水晶とニオブ酸リチ
ウムそれぞれ単体の電気機械結合係数の中間の値をと
る。また図14に示すように複合基板の遅延時間温度係
数についても水晶とニオブ酸リチウムそれぞれ単体の遅
延時間温度係数の中間の値をとる。変化させたθ2の範
囲では、H/λ=0.2〜0.3において0温度係数を
持つ。
FIGS. 12 to 14 show that when (θ1, θ2) = (15 °, θ2) in a laminated substrate in which the piezoelectric substrate is quartz and the piezoelectric thin plate is lithium niobate,
2 is in the range of 0 ° ≦ θ1 ≦ 90 °, and the thickness H of the thin plate is a value H / normalized by the wavelength λ of the Rayleigh-type surface acoustic wave.
10 shows calculation results of the sound velocity, electromechanical coupling coefficient, and delay time temperature coefficient of a Rayleigh-type surface acoustic wave and a slow transverse wave propagating in the same direction when λ is changed. As shown in FIG. 12, the sound speed of the Rayleigh-type surface acoustic wave of quartz is lower than the sound speed of the Rayleigh-type surface acoustic wave of lithium niobate. The sound velocity that exists and propagates through the composite substrate takes an intermediate value between the sound velocities of the quartz and lithium niobate alone. As shown in FIG. 13, the electromechanical coupling coefficient of the composite substrate also takes an intermediate value between the electromechanical coupling coefficients of quartz and lithium niobate alone. As shown in FIG. 14, the delay time temperature coefficient of the composite substrate also takes an intermediate value between the delay time temperature coefficients of the quartz and lithium niobate alone. In the range of the changed θ2, it has a zero temperature coefficient at H / λ = 0.2 to 0.3.

【0035】図15から図17は圧電体基板が水晶であ
り、圧電体薄板がニオブ酸リチウムである積層基板にお
いて(θ1、θ2)=(30゜、θ2)としたとき、θ
2を0゜≦θ2≦90゜の範囲で、また薄板の厚さHを
レイリータイプ弾性表面波の波長λで規格化した値H/
λを変化させた場合のレイリータイプ弾性表面波ならび
に同一方向を伝搬する遅い横波の音速、電気機械結合係
数、遅延時間温度係数の計算結果である。図16に示す
ように複合基板の電気機械結合係数についても水晶とニ
オブ酸リチウムそれぞれ単体の電気機械結合係数の中間
の値をとる。また図17に示すように複合基板の遅延時
間温度係数についても水晶とニオブ酸リチウムそれぞれ
単体の遅延時間温度係数の中間の値をとる。変化させた
θ2の範囲では、H/λ=0.20〜0.25において
0温度係数を持つ。
FIGS. 15 to 17 show the case where (θ1, θ2) = (30 °, θ2) in a laminated substrate in which the piezoelectric substrate is quartz and the piezoelectric thin plate is lithium niobate.
2 is in the range of 0 ° ≦ θ2 ≦ 90 °, and the thickness H of the thin plate is a value H / normalized by the wavelength λ of the Rayleigh-type surface acoustic wave.
10 shows calculation results of the sound velocity, electromechanical coupling coefficient, and delay time temperature coefficient of a Rayleigh-type surface acoustic wave and a slow transverse wave propagating in the same direction when λ is changed. As shown in FIG. 16, the electromechanical coupling coefficient of the composite substrate also takes an intermediate value between the electromechanical coupling coefficients of quartz and lithium niobate alone. As shown in FIG. 17, the delay time temperature coefficient of the composite substrate also takes an intermediate value between the delay time temperature coefficients of the quartz and lithium niobate alone. In the range of the changed θ2, it has a zero temperature coefficient at H / λ = 0.20 to 0.25.

【0036】図18から図20は圧電体基板が水晶であ
り、圧電体薄板がニオブ酸リチウムである積層基板にお
いて(θ1、θ2)=(45゜、θ2)としたとき、θ
2を0゜≦θ1≦90゜の範囲で、また薄板の厚さHを
レイリータイプ弾性表面波の波長λで規格化した値H/
λを変化させた場合のレイリータイプ弾性表面波ならび
に同一方向を伝搬する遅い横波の音速、電気機械結合係
数、遅延時間温度係数の計算結果である。変化させたθ
2の範囲では遅延時間時間温度係数が0となる範囲がな
い。これは薄板の単板における遅延時間温度係数が負で
はないことによる。
FIGS. 18 to 20 show that when (θ1, θ2) = (45 °, θ2) in a laminated substrate in which the piezoelectric substrate is quartz and the piezoelectric thin plate is lithium niobate,
2 is in the range of 0 ° ≦ θ1 ≦ 90 °, and the thickness H of the thin plate is a value H / normalized by the wavelength λ of the Rayleigh-type surface acoustic wave.
10 shows calculation results of the sound velocity, electromechanical coupling coefficient, and delay time temperature coefficient of a Rayleigh-type surface acoustic wave and a slow transverse wave propagating in the same direction when λ is changed. Changed θ
In the range of 2, there is no range where the delay time time temperature coefficient becomes zero. This is due to the non-negative delay time temperature coefficient of the thin veneer.

【0037】図21から図23は圧電体基板が水晶であ
り、圧電体薄板がニオブ酸リチウムである積層基板にお
いて(θ1、θ2)=(60゜、θ2)としたとき、θ
2を0゜≦θ1≦90゜の範囲で、また薄板の厚さHを
レイリータイプ弾性表面波の波長λで規格化した値H/
λを変化させた場合のレイリータイプ弾性表面波ならび
に同一方向を伝搬する遅い横波の音速、電気機械結合係
数、遅延時間温度係数の計算結果である。変化させたθ
2の範囲では遅延時間時間温度係数が0となる範囲がな
い。これは薄板の単板における遅延時間温度係数が負で
はないことによる。
FIGS. 21 to 23 show that when (θ1, θ2) = (60 °, θ2) in a laminated substrate in which the piezoelectric substrate is quartz and the piezoelectric thin plate is lithium niobate,
2 is in the range of 0 ° ≦ θ1 ≦ 90 °, and the thickness H of the thin plate is a value H / normalized by the wavelength λ of the Rayleigh-type surface acoustic wave.
10 shows calculation results of the sound velocity, electromechanical coupling coefficient, and delay time temperature coefficient of a Rayleigh-type surface acoustic wave and a slow transverse wave propagating in the same direction when λ is changed. Changed θ
In the range of 2, there is no range where the delay time time temperature coefficient becomes zero. This is due to the non-negative delay time temperature coefficient of the thin veneer.

【0038】図24から図26は圧電体基板が水晶であ
り、圧電体薄板がニオブ酸リチウムである積層基板にお
いて(θ1、θ2)=(75゜、θ2)としたとき、θ
2を0゜≦θ1≦90゜の範囲で、また薄板の厚さHを
レイリータイプ弾性表面波の波長λで規格化した値H/
λを変化させた場合のレイリータイプ弾性表面波ならび
に同一方向を伝搬する遅い横波の音速、電気機械結合係
数、遅延時間温度係数の計算結果である。積層基板の遅
延時間時間温度係数の0となる範囲がない。これは薄板
の単板における遅延時間温度係数が負ではないことによ
る。
FIGS. 24 to 26 show that when (θ1, θ2) = (75 °, θ2) in a laminated substrate in which the piezoelectric substrate is quartz and the piezoelectric thin plate is lithium niobate,
2 is in the range of 0 ° ≦ θ1 ≦ 90 °, and the thickness H of the thin plate is a value H / normalized by the wavelength λ of the Rayleigh-type surface acoustic wave.
10 shows calculation results of the sound velocity, electromechanical coupling coefficient, and delay time temperature coefficient of a Rayleigh-type surface acoustic wave and a slow transverse wave propagating in the same direction when λ is changed. There is no range where the delay time temperature coefficient of the laminated substrate becomes zero. This is due to the non-negative delay time temperature coefficient of the thin veneer.

【0039】圧電体基板が水晶であり、圧電体薄板がニ
オブ酸リチウムである積層基板において(θ1、θ2)
=(90゜、θ2)としたとき、θ2を0゜≦θ1≦9
0゜の範囲で本発明で考える弾性表面波は計算で求める
ことができなかった。
In a laminated substrate in which the piezoelectric substrate is quartz and the piezoelectric thin plate is lithium niobate, (θ1, θ2)
= (90 °, θ2), θ2 is 0 ° ≦ θ1 ≦ 9
The surface acoustic wave considered in the present invention in the range of 0 ° could not be obtained by calculation.

【0040】対称性を考慮すると、Yカット板どうしの
組合せに関して、0゜≦θ1≦90゜および0゜≦θ2
≦90゜で弾性表面波の伝搬特性の検討を行えば十分で
ある。
Considering the symmetry, 0 ° ≦ θ1 ≦ 90 ° and 0 ° ≦ θ2 with respect to the combination of Y-cut plates.
It is sufficient to study the propagation characteristics of the surface acoustic wave when ≦ 90 °.

【0041】以上をまとめると、圧電体基板が水晶であ
り、圧電体薄板がニオブ酸リチウムである積層基板にお
いて、水晶のレイリータイプ弾性表面波の音速はニオブ
酸リチウムのレイリータイプ弾性表面波の音速に比べて
遅いときには積層基板を伝搬する弾性表面波が存在す
る。また圧電体基板の弾性表面波の伝搬する方向の遅延
時間温度係数が、圧電体薄板の弾性表面波の遅延時間温
度係数よりも小さく、値が負であるという条件を満たす
とき、積層基板は優れた温度依存性を持つことがわか
る。
To summarize the above, in a laminated substrate in which the piezoelectric substrate is quartz and the piezoelectric thin plate is lithium niobate, the sound speed of Rayleigh-type surface acoustic waves of quartz is the same as that of lithium niobate. When it is slower than the above, there is a surface acoustic wave propagating through the laminated substrate. Also, when the delay time temperature coefficient of the piezoelectric substrate in the direction in which the surface acoustic wave propagates is smaller than the delay time temperature coefficient of the surface acoustic wave of the piezoelectric thin plate and the value is negative, the laminated substrate is excellent. It can be seen that it has a temperature dependency.

【0042】なお、これまでの数値計算による検討は、
水晶ならびにニオブ酸リチウムのYカット板におけるも
のに関して示しているが、同様の検討によって本カッ
ト、伝搬方向以外のカット、伝搬方向、また単結晶基板
および単結晶薄板材料の組合せについても前記条件を満
たすものについて同様の効果があることは明らかであ
る。
The examination by the numerical calculation so far is as follows.
Although shown in the case of quartz and lithium niobate in a Y-cut plate, similar conditions are satisfied for the main cut, the cut other than the propagation direction, the propagation direction, and the combination of a single crystal substrate and a single crystal thin plate material. It is clear that things have similar effects.

【0043】[0043]

【実施例】図27は、実施の形態1における具体的実施
例の構造を示したもので、単結晶圧電基板に水晶を、単
結晶圧電薄板にニオブ酸リチウムを用いた例である。図
27において、11は、切り出し角および弾性表面波の
伝搬方法をオイラー角表示で(0゜、90゜、0゜)と
した水晶(以下、Y−カットX軸伝搬の水晶と呼ぶ。)
からなる単結晶圧電基板、21は切り出し角および弾性
表面波の伝搬方法をオイラー角表示で(0゜、90゜、
0゜)としたニオブ酸リチウム(以下、Y−カットX軸
伝搬のニオブ酸リチウムと呼ぶ。)からなる単結晶圧電
薄板で、単結晶圧電基板11と単結晶圧電薄板21とは
前述の直接接合により複合化されている。31は単結晶
圧電薄板21の上に設けた櫛形電極である。ここでは簡
略化して表示してある。
EXAMPLE FIG. 27 shows the structure of a specific example of the first embodiment, in which quartz is used for a single-crystal piezoelectric substrate and lithium niobate is used for a single-crystal piezoelectric thin plate. In FIG. 27, reference numeral 11 denotes a crystal in which the cut-out angle and the propagation method of the surface acoustic wave are represented by Euler angles (0 °, 90 °, 0 °) (hereinafter, referred to as a Y-cut X-axis propagating crystal).
The single-crystal piezoelectric substrate 21 is made up of a cutout angle and a propagation method of a surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °,
0 °), which is a single crystal piezoelectric thin plate made of lithium niobate (hereinafter, referred to as Y-cut X-axis propagating lithium niobate), wherein the single crystal piezoelectric substrate 11 and the single crystal piezoelectric thin plate 21 are directly bonded as described above. Are combined. Reference numeral 31 denotes a comb-shaped electrode provided on the single-crystal piezoelectric thin plate 21. Here, the display is simplified.

【0044】レイリータイプ弾性表面波について、Y−
カットX軸伝搬の水晶における音速は3160m/秒、
電気機械結合係数は0.19%、遅延時間温度係数は−
23ppm/゜C、Y−カットX軸伝搬の単結晶ニオブ
酸リチウムにおける音速は3744m/秒、電気機械結
合係数は1.5%、遅延時間温度係数は76ppm/゜
Cである。
For Rayleigh-type surface acoustic waves, Y-
The sound velocity in the crystal of the cut X-axis propagation is 3160 m / sec,
The electromechanical coupling coefficient is 0.19% and the delay time temperature coefficient is-
The sound velocity of single-crystal lithium niobate of 23 ppm / ° C and Y-cut X-axis propagation is 3744 m / sec, the electromechanical coupling coefficient is 1.5%, and the delay time temperature coefficient is 76 ppm / ° C.

【0045】しかしこのように直接接合により複合化し
た積層基板では、単結晶圧電基板21の厚みを、用いる
レイリータイプ弾性表面波の波長に応じて適当な厚みに
設定することにより、実質的な音速と電気機械結合係数
と遅延時間温度係数がそれぞれの圧電体単体とは異なる
特性が得られる。
However, in the case of the laminated substrate formed by the direct bonding as described above, by setting the thickness of the single-crystal piezoelectric substrate 21 to an appropriate thickness in accordance with the wavelength of the Rayleigh-type surface acoustic wave to be used, the substantial sound velocity can be obtained. In addition, characteristics different from those of the piezoelectric substance alone can be obtained with respect to the piezoelectric material and the electromechanical coupling coefficient and the delay time temperature coefficient.

【0046】例えば80MHzで櫛形電極30を励振す
る場合、櫛形電極30の間隔を0.5波長で約40μm
とし、単結晶圧電薄板21の厚みを約0.26波長で1
0μmに設定することにより、音速と電気機械結合係数
と遅延時間温度係数について、単結晶圧電薄板21を伝
搬する Y−カット、X軸伝搬の単結晶ニオブ酸リチウ
ムの値とも、単結晶圧電基板11のY−カット、X軸伝
搬の単結晶水晶の値とも異なる値が得られる。
For example, when exciting the comb electrodes 30 at 80 MHz, the interval between the comb electrodes 30 is set to about 40 μm at 0.5 wavelength.
And the thickness of the single-crystal piezoelectric thin plate 21 is set to 1 at about 0.26 wavelength.
By setting the thickness to 0 μm, the sound velocity, the electromechanical coupling coefficient, and the delay time temperature coefficient both of the values of Y-cut and X-axis propagating single-crystal lithium niobate propagating through the single-crystal piezoelectric thin plate 21 and the single-crystal piezoelectric substrate 11 And a value different from the value of the single-crystal quartz crystal propagated in the Y-cut and X-axis directions.

【0047】具体的には単結晶圧電薄板21の厚みを
0.26波長に設定すると、音速が3222m/秒、電
気機械結合係数が1.5%、遅延時間結合係数が0pp
m/゜C程度の値が得られる。この場合、音速と電気機
械結合係数と遅延時間温度係数についてそれぞれの圧電
体の中間の値が得られることにより、例えば、高周波数
帯域フィルタに適した弾性表面波素子となる。
Specifically, when the thickness of the single-crystal piezoelectric thin plate 21 is set to 0.26 wavelength, the sound velocity is 3222 m / sec, the electromechanical coupling coefficient is 1.5%, and the delay time coupling coefficient is 0 pp.
A value of about m / mC is obtained. In this case, by obtaining intermediate values of the sound velocity, the electromechanical coupling coefficient, and the delay time temperature coefficient between the respective piezoelectric materials, a surface acoustic wave element suitable for, for example, a high-frequency band filter is obtained.

【0048】本実施の形態の第1の具体例の表面波音速
の−20℃から+80℃の範囲における温度変化を測定
したところ100ppm以下と温度変化はきわめて小さ
くまた、電気機械結合係数についても、計算による検討
に近い結果を得た。
When the temperature change of the surface acoustic wave velocity in the first specific example of this embodiment in the range of −20 ° C. to + 80 ° C. was measured, the temperature change was 100 ppm or less, and the temperature change was extremely small. The result was close to the calculation.

【0049】[0049]

【発明の効果】上記のような構成とすることにより、電
気機械結合係数、温度依存性の組合せの自由度が大幅に
増し、特に温度依存性の小さい弾性表面波素子が得られ
る。
According to the above configuration, the degree of freedom of the combination of the electromechanical coupling coefficient and the temperature dependence is greatly increased, and a surface acoustic wave element having a small temperature dependence can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の構成図FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】弾性表面波の数値解析モデルと座標系を示す図FIG. 2 is a diagram showing a numerical analysis model of a surface acoustic wave and a coordinate system;

【図3】水晶単結晶基板の切り出し角および波の伝搬方
向をオイラー角表示で(0゜、90゜、θ1)とし、θ
1を変化させた場合の弾性表面波の音速および遅い横波
の音速の数値計算による結果を示す図
FIG. 3 shows a cutout angle of a quartz single crystal substrate and a propagation direction of a wave in Euler angles (0 °, 90 °, θ1), and θ
The figure which shows the result by numerical calculation of the sound speed of a surface acoustic wave and the sound speed of a slow transverse wave when changing 1

【図4】水晶単結晶基板の切り出し角および波の伝搬方
向をオイラー角表示で(0゜、90゜、θ1)とし、θ
1を変化させた場合の弾性表面波の電気機械結合係数お
よび遅い横波の電気機械結合係数の数値計算による結果
を示す図
FIG. 4 shows the cut-out angle of the quartz single crystal substrate and the wave propagation direction as Euler angles (0 °, 90 °, θ1), and θ
The figure which shows the result by numerical calculation of the electromechanical coupling coefficient of a surface acoustic wave and the electromechanical coupling coefficient of a slow transverse wave when 1 is changed.

【図5】水晶単結晶基板の切り出し角および波の伝搬方
向をオイラー角表示で(0゜、90゜、θ1)とし、θ
1を変化させた場合の弾性表面波の遅延時間温度係数お
よび遅い横波の遅延時間温度係数の数値計算による結果
を示す図
FIG. 5 shows the cutout angle and the wave propagation direction of the quartz single crystal substrate as Euler angles (0 °, 90 °, θ1), and θ
The figure which shows the result by numerical calculation of the delay time temperature coefficient of a surface acoustic wave and the delay time temperature coefficient of a slow shear wave when 1 is changed.

【図6】ニオブ酸リチウム単結晶基板の切り出し角およ
び波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、θ
2)とし、θ2を変化させた場合の弾性表面波の音速お
よび遅い横波の音速の数値計算による結果を示す図
FIG. 6 shows the cutout angle and wave propagation direction of a lithium niobate single crystal substrate in Euler angles (0 °, 90 °, θ).
2) is a diagram showing the results of numerical calculations of the sound speed of a surface acoustic wave and the sound speed of a slow transverse wave when θ2 is changed.

【図7】ニオブ酸リチウム単結晶基板の切り出し角およ
び波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、θ
2)とし、θ2を変化させた場合の弾性表面波の電気機
械結合係数および遅い横波の電気機械結合係数の数値計
算による結果を示す図
FIG. 7 shows the cutout angle and wave propagation direction of a lithium niobate single crystal substrate in Euler angles (0 °, 90 °, θ).
2) is a diagram showing the results of numerical calculation of the electromechanical coupling coefficient of the surface acoustic wave and the electromechanical coupling coefficient of the slow transverse wave when θ2 is changed.

【図8】ニオブ酸リチウム単結晶基板の切り出し角およ
び波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、θ
2)とし、θ2を変化させた場合の弾性表面波の遅延時
間温度係数および遅い横波の遅延時間温度係数の数値計
算による結果を示す図
FIG. 8 shows the cutout angle and wave propagation direction of a lithium niobate single crystal substrate in Euler angles (0 °, 90 °, θ).
2) is a diagram showing the results of numerical calculation of the delay time temperature coefficient of the surface acoustic wave and the delay time temperature coefficient of the slow transverse wave when θ2 is changed.

【図9】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面波
の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、0
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の音速の数値計算による結果
を示す図
FIG. 9 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 0 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the sound velocity of surface acoustic waves when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図10】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、0
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の電気機械結合係数の数値計
算による結果を示す図
FIG. 10 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 0 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the electromechanical coupling coefficient of the surface acoustic wave when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図11】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、0
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の遅延時間温度係数の数値計
算による結果を示す図
FIG. 11 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 0 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the delay time temperature coefficient of the surface acoustic wave when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図12】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、15
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の音速の数値計算による結果
を示す図
FIG. 12 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 15 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the sound velocity of surface acoustic waves when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図13】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、15
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の電気機械結合係数の数値計
算による結果を示す図
FIG. 13 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 15 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the electromechanical coupling coefficient of the surface acoustic wave when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図14】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、15
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の遅延時間温度係数の数値計
算による結果を示す図
FIG. 14 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 15 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the delay time temperature coefficient of the surface acoustic wave when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図15】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、30
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の音速の数値計算による結果
を示す図
FIG. 15 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 30 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the sound velocity of surface acoustic waves when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図16】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、30
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2を変化させた場合の弾性表面
波の電気機械結合係数の数値計算による結果を示す図
FIG. 16 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 30 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the electromechanical coupling coefficient of the surface acoustic wave when θ2 is changed.

【図17】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、30
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の遅延時間温度係数の数値計
算による結果を示す図
FIG. 17 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 30 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the delay time temperature coefficient of the surface acoustic wave when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図18】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、45
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の音速の数値計算による結果
を示す図
FIG. 18 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 45 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the sound velocity of surface acoustic waves when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図19】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、45
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の電気機械結合係数の数値計
算による結果を示す図
FIG. 19 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 45 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the electromechanical coupling coefficient of the surface acoustic wave when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図20】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、45
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の遅延時間温度係数の数値計
算による結果を示す図
FIG. 20 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 45 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the delay time temperature coefficient of the surface acoustic wave when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図21】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、60
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の音速の数値計算による結果
を示す図
FIG. 21 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 60 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the sound velocity of surface acoustic waves when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図22】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、60
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の電気機械結合係数の数値計
算による結果を示す図
FIG. 22 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 60 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the electromechanical coupling coefficient of the surface acoustic wave when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図23】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、60
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の遅延時間温度係数の数値計
算による結果を示す図
FIG. 23 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 60 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the delay time temperature coefficient of the surface acoustic wave when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図24】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、75
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の音速の数値計算による結果
を示す図
FIG. 24 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 75 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the sound velocity of surface acoustic waves when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図25】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、75
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の電気機械結合係数の数値計
算による結果を示す図
FIG. 25 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 75 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the electromechanical coupling coefficient of the surface acoustic wave when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図26】水晶単結晶基板の切り出し角および弾性表面
波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、90゜、75
゜)、またニオブ酸リチウム単結晶薄板の切り出し角お
よび弾性表面波の伝搬方向をオイラー角表示で(0゜、
90゜、θ2)とし、θ2および規格化板厚H/λを変
化させた場合の弾性表面波の遅延時間温度係数の数値計
算による結果を示す図
FIG. 26 shows the cutout angle of the quartz single crystal substrate and the propagation direction of the surface acoustic wave in Euler angles (0 °, 90 °, 75 °).
゜), and the cutout angle and the propagation direction of the surface acoustic wave of the lithium niobate single crystal thin plate are represented by Euler angles (0 °,
90 °, θ2), showing the results of numerical calculation of the delay time temperature coefficient of the surface acoustic wave when θ2 and the normalized plate thickness H / λ are changed.

【図27】本発明の第1の実施の形態における実施例の
構成図
FIG. 27 is a configuration diagram of an example according to the first embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 単結晶圧電基板 20 単結晶圧電薄板 30 櫛形電極 30’ 櫛形電極 11 単結晶圧電基板(水晶) 21 単結晶圧電薄板(ニオブ酸リチウム) 31 櫛形電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Single crystal piezoelectric substrate 20 Single crystal piezoelectric thin plate 30 Comb electrode 30 'Comb electrode 11 Single crystal piezoelectric substrate (quartz) 21 Single crystal piezoelectric thin plate (lithium niobate) 31 Comb electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川崎 修 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Osamu Kawasaki, Inventor 1006 Ojidoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 単結晶圧電体基板と、単結晶圧電体薄板
と、前記単結晶圧電体基板または前記単結晶圧電体薄板
の少なくとも一方に設けた弾性表面波を励振するための
櫛形電極とを含む弾性表面波素子において、前記単結晶
圧電体基板と前記単結晶圧電体薄板が直接接合されて積
層され、かつ前記弾性表面波がレイリータイプ弾性表面
波であり、かつ前記単結晶圧電体薄板の板厚をH、励振
される前記弾性表面波の波長をλとしたとき、H/λが
H/λ<0.5の範囲にあることを特徴とする弾性表面
波素子。
1. A single-crystal piezoelectric substrate, a single-crystal piezoelectric thin plate, and a comb-shaped electrode provided on at least one of the single-crystal piezoelectric substrate and the single-crystal piezoelectric thin plate for exciting surface acoustic waves. In the surface acoustic wave element including, the single crystal piezoelectric substrate and the single crystal piezoelectric thin plate are directly bonded and laminated, and the surface acoustic wave is a Rayleigh type surface acoustic wave, and the single crystal piezoelectric thin plate H / λ is in the range of H / λ <0.5, where H is the plate thickness and λ is the wavelength of the surface acoustic wave to be excited.
【請求項2】直接接合は、前記単結晶圧電体基板と前記
単結晶圧電体薄板がそれぞれ平坦化、鏡面化、清浄化、
親水化処理して、重ね合わせ熱処理することにより直接
接合されることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波
素子。
2. The direct bonding method according to claim 1, wherein the single-crystal piezoelectric substrate and the single-crystal piezoelectric thin plate are respectively flattened, mirror-finished, and cleaned.
2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the surface acoustic wave device is directly bonded by performing a hydrophilization treatment and a superposition heat treatment.
【請求項3】 単結晶圧電体基板の弾性表面波の伝搬方
向における弾性表面波の音速に比べて、前記単結晶圧電
体薄板の前記弾性表面波の伝搬方向における弾性表面波
の音速が遅いことを特徴とする請求項1又は2に記載の
弾性表面波素子。
3. The sound velocity of the surface acoustic wave in the propagation direction of the surface acoustic wave of the single crystal piezoelectric thin plate is lower than the sound velocity of the surface acoustic wave in the propagation direction of the surface acoustic wave of the single crystal piezoelectric substrate. The surface acoustic wave device according to claim 1 or 2, wherein:
【請求項4】 単結晶圧電体基板の弾性表面波の伝搬す
る方向における前記弾性表面波の遅延時間温度係数が、
前記単結晶圧電体薄板の前記方向における前記弾性表面
波の遅延時間温度係数よりも小さいことを特徴とする請
求項3に記載の弾性表面波素子。
4. A delay time temperature coefficient of the surface acoustic wave in a direction in which the surface acoustic wave of the single crystal piezoelectric substrate propagates,
4. The surface acoustic wave device according to claim 3, wherein a delay time temperature coefficient of the surface acoustic wave in the direction of the single crystal piezoelectric thin plate is smaller.
【請求項5】 単結晶圧電体基板の弾性表面波の伝搬す
る方向における前記弾性表面波の遅延時間温度係数が負
の値であり、前記単結晶圧電体薄板の前記方向における
前記弾性表面波の遅延時間温度係数が正の値であること
を特徴とする請求項3に記載の弾性表面波素子。
5. The surface acoustic wave has a negative delay time temperature coefficient in a direction in which the surface acoustic wave of the single crystal piezoelectric substrate propagates, and the surface acoustic wave in the direction of the single crystal piezoelectric thin plate has a negative value. 4. The surface acoustic wave device according to claim 3, wherein the delay time temperature coefficient has a positive value.
【請求項6】 単結晶圧電体基板が水晶またはランガサ
イトであり、前記単結晶圧電体薄板がニオブ酸リチウム
またはタンタル酸リチウムまたはほう酸リチウムである
ことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の弾性表
面波素子。
6. The single crystal piezoelectric substrate is quartz or langasite, and the single crystal piezoelectric thin plate is lithium niobate, lithium tantalate or lithium borate. The surface acoustic wave device as described in the above.
【請求項7】 単結晶圧電体基板が水晶であり、前記単
結晶圧電体薄板がニオブ酸リチウムであることを特徴と
する請求項6に記載の弾性表面波素子。
7. The surface acoustic wave device according to claim 6, wherein the single-crystal piezoelectric substrate is quartz and the single-crystal piezoelectric thin plate is lithium niobate.
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