JPH10177786A - Semiconductor memory - Google Patents

Semiconductor memory

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JPH10177786A
JPH10177786A JP8335439A JP33543996A JPH10177786A JP H10177786 A JPH10177786 A JP H10177786A JP 8335439 A JP8335439 A JP 8335439A JP 33543996 A JP33543996 A JP 33543996A JP H10177786 A JPH10177786 A JP H10177786A
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JP
Japan
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memory
refresh
memory block
block
address
Prior art date
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Application number
JP8335439A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsuo Shibamoto
辰夫 芝本
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NEC Platforms Ltd
Original Assignee
NEC AccessTechnica Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To control a switch corresponding to a memory block by software by storing constitution information of a memory block corresponding to a memory address, while storing memory refresh control information, storing a memory block of refresh start/stop, calculating a memory block to be processed, and writing it in an I/O port. SOLUTION: A file in which memory block information is stored is read from an outer memory device 2, and set to a memory block information storing section 3. To record memory block information in the outer memory device 2 is to cope with that correspondence between an address range of a memory and a number of a memory block is different depending on a used system. Thereby, a memory block control section 1 can receive a memory refresh control command from a host device.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、メモリリフレッシ
ュ制御装置および方法に関し、特に、省電力を目的とし
て、ランダムアクセスメモリを複数メモリブロックに分
割し、上位装置からのメモリアドレスに対応するメモリ
ブロックのみをオン状態とするメモリリフレッシュ制御
装置および方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory refresh control device and method, and more particularly, to a power saving device, a random access memory is divided into a plurality of memory blocks, and only a memory block corresponding to a memory address from a host device is stored. And a memory refresh control device for turning on the memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、主として、ダイナミック・ランダ
ムアクセスメモリ(以下、D−RAMと称す)を使用す
るシステムにおいては、メモリ容量の増加に伴う消費電
力の増加が問題となった。そこで、D−RAMを複数メ
モリブロックに分割し、メモリブロック単位に入力され
るリフレッシュ信号をオン・オフするスイッチを備え
て、アドレスバスの各信号線の変化を検出して、対応す
るスイッチを制御するメモリリフレッシュ制御装置およ
び方法が提案されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a system mainly using a dynamic random access memory (hereinafter, referred to as a D-RAM), an increase in power consumption due to an increase in memory capacity has been a problem. Therefore, the D-RAM is divided into a plurality of memory blocks, and a switch for turning on / off a refresh signal input in units of memory blocks is provided to detect a change in each signal line of the address bus and control the corresponding switch. A memory refresh control device and method have been proposed.

【0003】即ち、この種のメモリリフレッシュ制御装
置としては、例えば、特開昭63−37893号公報に
所載のものがある。ここでは、分割されたメモリブロッ
クの各々に対応して、各メモリブロックに入力されるリ
フレッシュ信号をオン/オフするスイッチを備え、これ
をアドレス信号線のデコードで制御している。
That is, as this type of memory refresh control device, there is one described in, for example, JP-A-63-37893. Here, a switch for turning on / off a refresh signal input to each memory block is provided corresponding to each of the divided memory blocks, and is controlled by decoding an address signal line.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ここで
の第1の問題点は、リフレッシュが不要となったメモリ
バンクの検出について、何等、明らかにされていないこ
とである。即ち、メモリのアクセスに関しては、メモリ
の使用状況を管理しているOSなどのソフトウェアが必
要であるが、その点について、何も開示していないので
ある。
However, the first problem here is that the detection of a memory bank that does not require refreshing has not been clarified at all. That is, regarding access to the memory, software such as an OS that manages the use state of the memory is required, but nothing is disclosed about this point.

【0005】第2の問題点は、当該装置では、複雑な論
理回路が必要であるために、回路を小型化できない。こ
れは、メモリをアクセスするアドレスの信号線をデコー
ドする回路などが必要となるためである。
[0005] The second problem is that the device cannot be miniaturized because a complicated logic circuit is required. This is because a circuit for decoding a signal line of an address for accessing the memory is required.

【0006】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
ので、その目的とするところは、プログラムが確保する
か、または、開放するメモリブロックの使用状況を監視
することにより、メモリブロックに対応するスイッチ
を、ソフトウエアから制御し、リフレッシュするメモリ
フレッシュ制御装置および方法を提供することにある。
The present invention has been made based on the above circumstances, and an object of the present invention is to deal with a memory block by monitoring the use status of a memory block that is secured or released by a program. An object of the present invention is to provide a memo refresh control device and method for controlling and refreshing a switch from software.

【0007】また、本発明の他の目的は、複雑な論理回
路を必要としないで、メモリブロックのリフレッシュ信
号のオン/オフ制御ができるメモリリフレッシュ制御装
置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a memory refresh control device capable of controlling on / off of a refresh signal of a memory block without requiring a complicated logic circuit.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
ランダムアクセスメモリを複数メモリブロックに分割
し、これらメモリブロックの各々に対応して、各メモリ
ブロックに入力されるリフレッシュ信号をオン/オフす
るスイッチを装備しているメモリリフレッシュ制御装置
において、前記メモリブロックの構成情報を、メモリア
ドレスに対応して記憶する第1の記憶手段と、前記メモ
リブロックに対する上位装置からのリフレッシュの開始
/停止、および、前記リフレッシュを開始/停止するメ
モリアドレスの範囲を含むメモリリフレッシュ制御情報
を記憶する第2の記憶手段と、前記リフレッシュの開始
/停止の対象となるメモリブロックを記憶する第3の記
憶手段と、前記メモリリフレッシュ制御情報に基づい
て、前記リフレッシュの開始/終了の対象となるメモリ
ブロックを算出し、当該メモリブロックの番号を生成
し、前記第3の記憶手段に記録すると共に、この情報
を、リフレッシュ信号を制御するためのI/Oポートに
書き込む手段とを有し、リフレッシュが必要なメモリブ
ロックに対してのみ、リフレッシュ信号をオンするよう
に、前記メモリブロックに対応するスイッチを制御する
ことを特徴とする。
Therefore, in the present invention,
A memory refresh control device comprising: a random access memory divided into a plurality of memory blocks; and a switch corresponding to each of these memory blocks for turning on / off a refresh signal input to each memory block. Storage means for storing configuration information corresponding to a memory address, start / stop of refresh of the memory block from a higher-level device, and a memory including a range of memory addresses for starting / stopping the refresh A second storage unit for storing refresh control information, a third storage unit for storing a memory block targeted for the start / stop of the refresh, and a start / end of the refresh based on the memory refresh control information Calculate the target memory block Means for generating a number of a memory block, recording the number in the third storage means, and writing this information to an I / O port for controlling a refresh signal; The switch corresponding to the memory block is controlled so that only the refresh signal is turned on.

【0009】また、本発明では、ランダムアクセスメモ
リを複数メモリブロックに分割し、これらメモリブロッ
クの各々に対応して、上位装置からのリフレッシュ信号
で、選択された各メモリブロックをオン/オフするメモ
リリフレッシュ制御方法において、予め記憶したメモリ
アドレスの範囲と対応するメモリブロックの番号を元
に、上位装置からの命令で、”開始アドレス”、”終了
アドレス”の情報から、該当するメモリブロックを選択
し、これを別に記憶しておき、選択された前記メモリブ
ロックに関して、メモリブロックのリフレッシュ信号を
オン/オフすることを特徴とする。
According to the present invention, the random access memory is divided into a plurality of memory blocks, and each of the selected memory blocks is turned on / off by a refresh signal from a higher-level device corresponding to each of the memory blocks. In the refresh control method, a corresponding memory block is selected from information of “start address” and “end address” by an instruction from a higher-level device based on a memory block number corresponding to a previously stored memory address range. This is stored separately, and the refresh signal of the memory block is turned on / off for the selected memory block.

【0010】この場合、上位装置からの命令で”開始ア
ドレス”、”終了アドレス”の情報を記憶しておき、前
記メモリブロックの番号を元に検索して、”リフレッシ
ュ開始/停止”の情報を元に、リフレッシュ開始の場合
は、該当するメモリブロックの番号を記憶し、また、リ
フレッシュ停止の場合は、該当するメモリブロックの番
号を削除することができる。
In this case, information of "start address" and "end address" is stored by an instruction from a higher-level device, and the information of "refresh start / stop" is searched based on the number of the memory block. Originally, when the refresh is started, the number of the corresponding memory block is stored, and when the refresh is stopped, the number of the corresponding memory block can be deleted.

【0011】従って、プログラムが確保するか、あるい
は、解放するメモリアドレスを、これに該当するメモリ
ブロックの番号に変換することで、リフレッシュするメ
モリブロックを決定し、このメモリブロック番号に従っ
て、該当するI/Oポートを制御することになるから、
メモリのアクセスに関しては、メモリの使用状況をソフ
トウエア的に管理することができ、また、従来のよう
な、複雑な論理回路を必要としないのである。
Therefore, the memory address to be refreshed is determined by converting the memory address secured or released by the program into the number of the corresponding memory block, and the memory block to be refreshed is determined according to the memory block number. Because it will control the / O port,
Regarding memory access, the use state of the memory can be managed by software, and a complicated logic circuit unlike the related art is not required.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の実施
の形態を表す構成図であり、ハードディスクなどの外部
記憶装置2と、外部記憶装置に記録されたメモリアドレ
スと対応する複数分割のメモリブロック(全体をメモリ
群7で示す)の情報を格納するメモリブロック情報記憶
部3と、メモリリフレッシュ制御情報記憶部4と、メモ
リリフレッシュブロック記憶部5と、上位装置からのリ
フレッシュ制御命令を受けて、前記各記憶部とI/Oポ
ート6とを制御するメモリブロック制御部1と、I/O
ポート6からのにより前記メモリブロックのリフレッシ
ュをオン/オフするスイッチ群8とから構成されてい
る。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of the present invention. An external storage device 2 such as a hard disk, and a plurality of divided memory blocks corresponding to memory addresses recorded in the external storage device (the whole is shown by a memory group 7) ), A memory refresh control information storage unit 4, a memory refresh block storage unit 5, and a refresh control command from a host device. A memory block controller 1 for controlling the port 6;
And a switch group 8 for turning on / off the refresh of the memory block from the port 6.

【0013】メモリブロック情報記憶部3には、図2に
示すように、外部記憶装置2に記憶されたメモリアドレ
スの範囲と1対1で対応するメモリブロック(71〜7
n)の番号が格納されている。例えば、0M〜2Mバイ
トのアドレス範囲は、メモリブロックの番号”1”とい
う形で格納されている。なお、ここでは、このメモリア
ドレスの範囲とメモリブロックとの関係は、使用するシ
ステムにより異なるために、対応情報を、予め、前述の
外部記憶装置2に記録する構造としている。
As shown in FIG. 2, the memory block information storage unit 3 stores memory blocks (71 to 7) corresponding to the range of the memory addresses stored in the external storage device 2 on a one-to-one basis.
n) is stored. For example, an address range of 0 M to 2 M bytes is stored in the form of a memory block number “1”. Here, since the relationship between the range of the memory address and the memory block differs depending on the system to be used, the correspondence information is recorded in the external storage device 2 in advance.

【0014】メモリリフレッシュ制御情報記憶部4は、
図3に示すように、上位装置からのリフレッシュ制御命
令に含まれるリフレッシュの開始/停止情報、および、
その開始アドレス、終了アドレスを、それぞれ、格納す
る記憶部(41〜43)を備えている。なお、リフレッ
シュの開始/停止の記憶域では、その内容が”1”の場
合、リフレッシュの開始を、また、”0”の場合、リフ
レッシュの停止を意味するように設定されている。
The memory refresh control information storage unit 4
As shown in FIG. 3, refresh start / stop information included in a refresh control command from a higher-level device, and
A storage unit (41-43) for storing the start address and the end address is provided. Note that the refresh start / stop storage area is set so that when the content is "1", the refresh is started, and when the content is "0", the refresh is stopped.

【0015】メモリリフレッシュブロック記憶部5は、
図4に示すように、リフレッシュ信号を有効としている
メモリブロックの番号を格納している。ここでの格納方
法は、リフレッシュの開始のブロック番号を記憶域51
に、リフレッシュの終了のブロック番号を記憶域52
に、それぞれ、格納する仕方である。なお、格納するブ
ロック番号は、前述のメモリリフレッシュ制御情報記憶
部4の情報を元に、メモリブロック情報記憶部3の対応
表を参照して、算出される。
The memory refresh block storage unit 5
As shown in FIG. 4, the number of the memory block for which the refresh signal is valid is stored. The storage method here is that the block number of the start of the refresh is stored in the storage area 51.
The block number of the end of the refresh is stored in the storage area 52.
And how to store them. The block number to be stored is calculated based on the information in the memory refresh control information storage unit 4 and referring to the correspondence table in the memory block information storage unit 3.

【0016】I/Oポート6は、メモリブロック制御部
1からの指示により、Bit単位でスイッチ群8の各ス
イッチ(81〜8n)をオン/オフする機能(レジスタ
などの構成)を備えており、スイッチ81がBit:0
に、スイッチ82がBit:1に、以降、順次に対応し
て、スイッチ8nがBit:(n−1)に対応してい
る。なお、スイッチ群8の各スイッチ(81〜8n)
と、メモリ群7の各メモリブロック(71〜7n)は1
対1で対応している。
The I / O port 6 has a function of turning on / off each switch (81 to 8n) of the switch group 8 in units of bits in response to an instruction from the memory block control unit 1 (configuration of a register or the like). , Switch 81 is Bit: 0
The switch 82 corresponds to Bit: (n-1), and the switch 82 corresponds to Bit: (n-1). Each switch (81 to 8n) of the switch group 8
And each memory block (71-7n) of the memory group 7 is 1
One to one.

【0017】而して、I/Oポート(のレジスタ)に書
き込む値が”1”の場合、対応するスイッチ群8のスイ
ッチはオン状態となり、対応するメモリ群7のメモリブ
ロックへのリフレッシュ信号が有効となる。反対に、I
/Oポート(のレジスタ)に書き込む値が”0”の場
合、対応するスイッチ群8のスイッチはオフ状態とな
り、対応するメモリ群7のメモリブロックへのリフレッ
シュ信号が無効となる。
When the value to be written to (the register of) the I / O port is "1", the switches of the corresponding switch group 8 are turned on, and the refresh signal to the memory block of the corresponding memory group 7 is output. Becomes effective. Conversely, I
When the value to be written to (the register of) the / O port is “0”, the switches of the corresponding switch group 8 are turned off, and the refresh signal to the memory block of the corresponding memory group 7 becomes invalid.

【0018】次に、本発明の実施の形態での制御方法に
ついて、図1〜図5を参照して説明する。まず、メモリ
ブロック制御部1が起動されると、メモリリフレッシュ
ブロック記憶部5の全てに”未使用コード”がセットさ
れる(ステップ101)。また、I/Oポート6の全て
のBitに”0”を書き込むことによって、メモリブロ
ック(71〜7m)へリフレッシュ信号が入力されない
ようにする(ステップ102)。
Next, a control method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. First, when the memory block control unit 1 is started, "unused code" is set in all of the memory refresh block storage units 5 (step 101). Further, by writing "0" to all the bits of the I / O port 6, the refresh signal is prevented from being input to the memory blocks (71 to 7m) (step 102).

【0019】次に、メモリブロック情報を格納したファ
イルを、外部記憶装置2から読み込み、メモリブロック
情報記憶部3にセットする(ステップ103)。なお、
メモリブロック情報を外部記憶装置に記録するのは、前
述のように、メモリのアドレス範囲とメモリブロックの
番号との対応が、使用するシステムにより異なることに
対処するためである。以上の処理により、メモリブロッ
ク制御部1は、上位装置(図示せず)からのメモリリフ
レッシュ制御命令の受け付けが可能となる(ステップ1
04)。
Next, the file storing the memory block information is read from the external storage device 2 and set in the memory block information storage unit 3 (step 103). In addition,
The reason for recording the memory block information in the external storage device is to cope with the fact that the correspondence between the address range of the memory and the number of the memory block differs depending on the system used as described above. Through the above processing, the memory block control unit 1 can receive a memory refresh control command from a higher-level device (not shown) (step 1).
04).

【0020】メモリブロック制御部1が上位装置からメ
モリリフレッシュ制御命令を受け付けたならば、命令内
の”リフレッシュ開始/停止”、”開始アドレス”およ
び、”終了アドレス”の各情報を取り出し、メモリリフ
レッシュ制御情報記憶部4内の記憶域41、42、43
に順次、セットする(ステップ105)。
When the memory block control unit 1 receives a memory refresh control command from a host device, it extracts the information of "refresh start / stop", "start address" and "end address" in the command, and executes memory refresh. Storage areas 41, 42, 43 in control information storage unit 4
Are sequentially set (step 105).

【0021】次に、メモリブロック制御部1では、上位
装置からのメモリリフレッシュ制御命令が、開始を指示
する命令か、停止を指示する命令かを判別する(ステッ
プ106)。メモリリフレッシュ制御命令が開始を指示
する命令の場合、メモリリフレッシュ制御情報記憶部4
内の開始アドレス42が、メモリブロック情報記憶部3
内のメモリアドレス範囲(311〜31n)のいずれに
該当するか検索し、対応するメモリブロック番号(32
1〜32nの内の対応するもの)をメモリリフレッシュ
ブロック記憶部5内のリフレッシュ開始のメモリブロッ
クの記憶域(511〜51mの内の対応するもの)にセ
ットする。
Next, the memory block controller 1 determines whether the memory refresh control command from the host device is a command for instructing start or a command for instructing stop (step 106). When the memory refresh control command is a command for instructing start, the memory refresh control information storage unit 4
Of the memory block information storage unit 3
Of the memory address range (311 to 31n) in the memory block, and searches for the corresponding memory block number (32
1 to 32n) is set in the storage area (corresponding one of 511 to 51m) of the memory block at the start of refresh in the memory refresh block storage unit 5.

【0022】同様にして、終了アドレス43がメモリア
ドレス範囲(311〜31n)のいずれに該当するか検
索し、対応するメモリブロック番号(321〜32n農
地の対応するもの)をメモリリフレッシュ終了のメモリ
ブロックの記憶域(521〜52mの内の対応するも
の)にセットする(ステップ107)。
Similarly, the end address 43 is searched for any one of the memory address ranges (311 to 31n), and the corresponding memory block number (corresponding to the farmland 321 to 32n) is determined as the memory block at the end of the memory refresh (The corresponding one of 521 to 52m) (step 107).

【0023】なお、セットする位置については、リフレ
ッシュ開始/終了のメモリブロックの記憶域(511〜
51n/521〜52n)内で、511/521の記憶
域からチェックして、最初に未使用コードを検出した位
置となる。
The setting position is determined by the storage area (511-111) of the memory block at the start / end of the refresh.
51n / 521 to 52n), a check is made from the storage area of 511/521 to find the position where an unused code is first detected.

【0024】次に、メモリリフレッシュ制御命令が停止
を指示する命令の場合、開始の場合と同様に、メモリリ
フレッシュ制御情報記憶部4内の開始アドレス42と終
了アドレス43が、メモリブロック情報記憶部3内のメ
モリアドレス範囲(311〜31n)のいずれに該当す
るか検索し、対応するメモリブロック番号(321〜3
2nの内の対応するもの)と、メモリリフレッシュブロ
ック記憶部5内のリフレッシュ開始のメモリブロックの
記憶域(511〜51mの内の対応するもの)および、
リフレッシュ終了のメモリブロックの記憶域(521〜
52mの内の対応するもの)の値とを同時に照合し、一
致するブロックの番号の記憶域を、未使用コードに変更
する(ステップ108)。
Next, in the case where the memory refresh control instruction is an instruction to stop, the start address 42 and the end address 43 in the memory refresh control information storage unit 4 are stored in the memory block information storage unit 3 as in the case of the start. Of the memory address range (311 to 31n) within the memory block, the corresponding memory block number (321 to 31n) is searched.
2n), the storage area of the memory block at the start of refresh in the memory refresh block storage unit 5 (the corresponding one of 511 to 51m), and
Storage area of memory block after refresh (521 to 521)
52m), and the storage area of the number of the matching block is changed to an unused code (step 108).

【0025】次に、メモリリフレッシュブロック記憶部
5のリフレッシュ開始/終了の各メモリブロックの組み
合わせを取り出し、Bit列に変換してI/Oポート6
に書き込む(ステップ109)。
Next, a combination of each memory block of the refresh start / end of the memory refresh block storage unit 5 is taken out, converted into a bit string, and
(Step 109).

【0026】システム・オンの状態では、通常のよう
に、メモリアドレスコントローラにおいて、CPUアド
レスリクエスト情報、および、リフレッシュコントロー
ラからのリフレッシュタイミング信号により、メモリ群
7へアクセス制御出力がなされる。また、マルチプレク
サに対しては、MPX信号を出力し、前記マルチプレク
サは、このMPX信号に基づいて、当該アドレス信号の
列アドレスおよび行アドレスの切換を行う。
When the system is turned on, the memory address controller performs an access control output to the memory group 7 in the usual manner by CPU address request information and a refresh timing signal from the refresh controller. Further, the multiplexer outputs an MPX signal, and the multiplexer switches the column address and the row address of the address signal based on the MPX signal.

【0027】以上説明したように、ステップ104から
ステップ109までの処理を、システムが停止するまで
繰り返す。これによって、本発明においては、上位装置
からのメモリの使用状況に関する情報を入手すること
で、そのメモリアドレスに対応するメモリブロックを算
出し、このメモリブロックを元に、スイッチをオンまた
はオフするため、リフレッシュが必要なメモリブロック
だけに、リフレッシュ信号を入力させることになる。
As described above, the processing from step 104 to step 109 is repeated until the system stops. Thus, in the present invention, by obtaining information on the use status of the memory from the host device, the memory block corresponding to the memory address is calculated, and the switch is turned on or off based on this memory block. In other words, the refresh signal is input only to the memory blocks that need to be refreshed.

【0028】[0028]

【実施例】次に、本発明の実施の形態の具体例を、例え
ば、実装可能な最大メモリ容量が16MBで、メモリブ
ロック情報記憶部3の内容が図6に示すような、組み合
わせの装置について、その動作について説明する。
Next, a specific example of the embodiment of the present invention will be described with reference to a combination device in which the maximum memory capacity that can be mounted is 16 MB and the content of the memory block information storage unit 3 is as shown in FIG. The operation will be described.

【0029】この実施例では、0メガバイト(MB)〜
2MB−1バイトのメモリ範囲は、メモリブロックの番
号1に、2MB〜4MB−1バイトのメモリ範囲は、メ
モリブロックの番号2に、それ以降、順次、対応して、
14MB〜16M−1バイトのメモリ範囲は、メモリブ
ロックの番号8に対応している。
In this embodiment, 0 megabytes (MB) to
The memory range of 2 MB-1 byte corresponds to the memory block number 1 and the memory range of 2 MB to 4 MB-1 byte corresponds to the memory block number 2 and thereafter.
The memory range of 14 MB to 16 M-1 bytes corresponds to the memory block number 8.

【0030】本装置において、図7に示すようなメモリ
リフレッシュ制御情報を含む命令を上位装置から受け付
けた場合(ステップ104)、リフレッシュ開始/停止
(前述の符号41に対応)の情報が”1”であるため、
リフレッシュを開始する命令であることがわかる(ステ
ップ106)。次に、開始アドレスの”1Mバイト”で
は、図6より明らかなように、メモリブロックの番号
が”1”であることがわかる。また、終了アドレスの”
3Mバイト”では、同様に、図6より明らかなように、
メモリブロックの番号が”2”であることがわかる。そ
して、メモリリフレッシュブロック記憶部5は、図8に
示すような内容となる(ステップ107)。
In this apparatus, when an instruction including the memory refresh control information as shown in FIG. 7 is received from the host apparatus (step 104), the information of the refresh start / stop (corresponding to the above-mentioned reference numeral 41) is "1". Because
It can be seen that the instruction is to start refreshing (step 106). Next, as shown in FIG. 6, at the start address “1 Mbyte”, the number of the memory block is “1”. In addition, the end address
In the case of "3 Mbytes", similarly, as is apparent from FIG.
It can be seen that the number of the memory block is “2”. Then, the content of the memory refresh block storage unit 5 is as shown in FIG. 8 (step 107).

【0031】次に、例えば、図8に示すような組み合わ
せにおいて、I/Oポートに書き込むものとする。リフ
レッシュ開始/終了が”1”と”2”の組み合わせで
は、そのBitが”1”となる。なお、未使用コードが
セットされている領域については、これを無視する。以
上の処理結果をBit列で表すと、”11”となり、ま
た、Bitが”2”〜”n−1”までは0となり、この
値を、I/Oポート6に書き込む(ステップ109)。
以上の処理により、メモリブロック1、2が、リフレッ
シュを必要とするメモリブロックとして、リフレッシュ
信号を開始させる対象となる。
Next, for example, in a combination as shown in FIG. 8, data is written to an I / O port. When the refresh start / end is a combination of “1” and “2”, the Bit is “1”. In the area where the unused code is set, this is ignored. When the above processing result is represented by a Bit string, it becomes "11", and when the Bit is "2" to "n-1", it becomes 0, and this value is written to the I / O port 6 (step 109).
By the above processing, the memory blocks 1 and 2 are targets for starting the refresh signal as the memory blocks requiring the refresh.

【0032】また、メモリリフレッシュブロック記憶部
5の内容が、図9に示すような場合で、リフレッシュ停
止の命令を受け付けた場合、図10に示すように、リフ
レッシュ開始/終了のアドレスを、先に説明した検索方
法で、メモリブロックの番号に変換する。変換の結果”
3”と”4”となり、この組み合わせで、リフレッシュ
開始/終了のメモリブロックの記憶域を検索し、未使用
コード”0”に変更する。つまり、図9の内容は、図1
1に示す内容となる。
In the case where the contents of the memory refresh block storage unit 5 are as shown in FIG. 9 and a refresh stop instruction is received, as shown in FIG. It is converted into the number of the memory block by the search method described. Conversion Result "
3 "and" 4 ", and in this combination, the storage area of the memory block at the start / end of the refresh is searched and changed to the unused code" 0 ".
The contents shown in FIG.

【0033】次に、図11に示す組み合わせにおいて、
I/Oポートに書き込むものとすると、リフレッシュ開
始/終了の組み合わせが”1”番と”2”番の場合に
は、そのBit:0、1が”1”となり、”2”番と”
2”番の組み合わせは、Bit:1が”1”となり、”
4”番と”4”番の組み合わせは、Bit:3が”1”
となる。なお、未使用コードがセットされている領域に
ついては無視する。
Next, in the combination shown in FIG.
Assuming that data is written to the I / O port, if the refresh start / end combination is “1” and “2”, Bits: 0 and 1 become “1”, and “2” and “2”
In the combination of No. 2 ", Bit: 1 becomes" 1 "and"
The combination of No. 4 "and No. 4" indicates that Bit: 3 is "1".
Becomes The area where the unused code is set is ignored.

【0034】以上の処理結果をBit列で表すと、”1
011”となり、この値をI/Oポート6に書き込む
(ステップ109)。以上の処理により、メモリブロッ
ク3はメモリの途中ではあるが、リフレッシュが不要と
なり、リフレッシュ信号を停止させることができる。
When the above processing result is represented by a Bit column, "1"
011 "and write this value to the I / O port 6 (step 109). With the above processing, although the memory block 3 is in the middle of the memory, refresh is not required, and the refresh signal can be stopped.

【0035】[0035]

【発明の効果】本発明は、以上詳述したようになり、メ
モリアドレスの範囲をメモリブロック番号で管理するこ
とにより、リフレッシュ信号のオン/オフがメモリブロ
ック単位で制御可能なため、ランダムアクセスメモリが
消費する電力を、必要最小限に抑えることができ、ま
た、メモリから発生する熱も抑制することができる。し
かも、メモリのアクセスがランダムに発生して、途中の
メモリブロックのリフレッシュが不要となった場合でも
制御可能である。また、従来のように、メモリにアクセ
スするアドレス信号線をデコードするための複雑な回路
が不要となるので、回路を小型化することができる。
The present invention has been described in detail above. Since the on / off of the refresh signal can be controlled in memory block units by managing the range of the memory address by the memory block number, the random access memory can be controlled. Of the memory can be suppressed to a necessary minimum, and the heat generated from the memory can also be suppressed. In addition, control can be performed even when a memory access occurs at random and refresh of a memory block in the middle becomes unnecessary. Further, unlike the related art, a complicated circuit for decoding an address signal line for accessing a memory is not required, so that the circuit can be downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態を示すブロック構成図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1のメモリブロック情報記憶部の構成を示す
図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a memory block information storage unit in FIG. 1;

【図3】図1のメモリリフレッシュ制御情報記憶部の構
成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a memory refresh control information storage unit in FIG. 1;

【図4】図1のメモリリフレッシュブロック記憶部の構
成を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of a memory refresh block storage unit in FIG. 1;

【図5】図1のメモリブロック制御部の処理手順を示す
図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a processing procedure of a memory block control unit in FIG. 1;

【図6】本発明の具体例を示すメモリブロック情報記憶
部の構成を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a memory block information storage unit showing a specific example of the present invention.

【図7】同じく、メモリリフレッシュ制御情報記憶部で
の、リフレッシュ開始/停止を”1”とした場合を図で
ある。
FIG. 7 is a diagram showing a case where the refresh start / stop in the memory refresh control information storage unit is set to “1”.

【図8】同じく、メモリリフレッシュブロック記憶部の
構成を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a configuration of a memory refresh block storage unit.

【図9】本発明の別の具体例を示すメモリリフレッシュ
ブロック記憶部の構成を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a memory refresh block storage unit showing another specific example of the present invention.

【図10】同じく、メモリリフレッシュ制御情報記憶部
での、リフレッシュ開始/停止を”0”とした場合を図
である。
FIG. 10 is a diagram illustrating a case where the start / stop of the refresh is set to “0” in the memory refresh control information storage unit.

【図11】その結果としての、メモリリフレッシュブロ
ック記憶部の構成を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a memory refresh block storage unit as a result.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 メモリブロック制御部 2 外部記憶装置 3 メモリブロック情報記憶部 4 メモリリフレッシュ制御情報記憶部 5 メモリリフレッシュブロック記憶部 6 I/Oポート 7 メモリ群 8 リフレッシュ信号オン/オフのスイッチ群 71、…7n メモリブロック 81、…8n スイッチ Reference Signs List 1 memory block control unit 2 external storage device 3 memory block information storage unit 4 memory refresh control information storage unit 5 memory refresh block storage unit 6 I / O port 7 memory group 8 refresh signal on / off switch group 71,... 7n memory Block 81, 8n switch

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ランダムアクセスメモリを複数メモリブ
ロックに分割し、これらメモリブロックの各々に対応し
て、各メモリブロックに入力されるリフレッシュ信号を
オン/オフするスイッチを装備しているメモリリフレッ
シュ制御装置において、 前記メモリブロックの構成情報を、メモリアドレスに対
応して記憶する第1の記憶手段と、 前記メモリブロックに対する上位装置からのリフレッシ
ュの開始/停止、および、前記リフレッシュを開始/停
止するメモリアドレスの範囲を含むメモリリフレッシュ
制御情報を記憶する第2の記憶手段と、 前記リフレッシュの開始/終了の対象となるメモリブロ
ックを記憶する第3の記憶手段と、 前記メモリリフレッシュ制御情報に基づいて、前記リフ
レッシュの開始/終了の対象となるメモリブロックを算
出し、当該メモリブロックの番号を生成し、前記第3の
記憶手段に記録すると共に、この情報を、リフレッシュ
信号を制御するためのI/Oポートに書き込む手段とを
有し、 リフレッシュが必要なメモリブロックに対してのみ、リ
フレッシュ信号をオンするように、前記メモリブロック
に対応するスイッチを制御することを特徴としたメモリ
リフレッシュ制御装置。
1. A memory refresh control device comprising: a random access memory divided into a plurality of memory blocks; and a switch for turning on / off a refresh signal input to each memory block corresponding to each of the memory blocks. A first storage unit for storing configuration information of the memory block corresponding to a memory address; a start / stop of a refresh of the memory block from a higher-level device; and a memory address for starting / stopping the refresh. A second storage unit that stores memory refresh control information including a range of: a third storage unit that stores a memory block targeted for start / end of the refresh; and Memory block for which refresh starts / ends Means for calculating a memory block number, generating the number of the memory block, recording the number in the third storage means, and writing this information to an I / O port for controlling a refresh signal. A memory refresh control device, wherein a switch corresponding to a memory block is controlled so that a refresh signal is turned on only for a necessary memory block.
【請求項2】 ランダムアクセスメモリを複数メモリブ
ロックに分割し、これらメモリブロックの各々に対応し
て、上位装置からのリフレッシュ信号で、選択された各
メモリブロックをオン/オフするメモリリフレッシュ制
御方法において、 予め記憶したメモリアドレスの範囲と対応するメモリブ
ロックの番号を元に、上位装置からの命令による”開始
アドレス”、”終了アドレス”の情報から、該当するメ
モリブロックを選択し、これを別に記憶しておき、その
メモリブロックに関して、メモリブロックのリフレッシ
ュ信号をオン/オフすることを特徴とするメモリリフレ
ッシュ制御方法。
2. A memory refresh control method in which a random access memory is divided into a plurality of memory blocks, and corresponding to each of the memory blocks, a selected memory block is turned on / off by a refresh signal from a host device. Based on the memory block number corresponding to the previously stored memory address range, the corresponding memory block is selected from the information of “start address” and “end address” according to the instruction from the host device, and this is separately stored. A memory refresh control method characterized by turning on / off a refresh signal of the memory block for the memory block.
【請求項3】 上位装置からの命令で”開始アドレ
ス”、”終了アドレス”の情報を記憶しておき、前記メ
モリブロックの番号を元に検索して、”リフレッシュ開
始/停止”の情報を元に、リフレッシュ開始の場合は、
該当するメモリブロックの番号を記憶し、また、リフレ
ッシュ停止の場合は、該当するメモリブロックの番号を
削除することを特徴とする請求項2に記載のメモリリフ
レッシュ制御方法。
3. The information of "start address" and "end address" is stored by an instruction from a higher-level device, and is searched based on the number of the memory block, and the information of "refresh start / stop" is obtained. In the case of a refresh start,
3. The memory refresh control method according to claim 2, wherein the number of the corresponding memory block is stored, and when refreshing is stopped, the number of the corresponding memory block is deleted.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6343043B2 (en) 2000-03-13 2002-01-29 Oki Electric Industry Co., Ltd. Dynamic random access memory
JP2008152841A (en) * 2006-12-15 2008-07-03 Fujitsu Ltd Semiconductor memory, operation method of semiconductor memory, memory controller and system
JP2010534897A (en) * 2007-07-26 2010-11-11 クゥアルコム・インコーポレイテッド System and method for reducing dynamic RAM power consumption through the use of valid data indicators

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