JPH101771A - アークイオンプレーティング装置 - Google Patents

アークイオンプレーティング装置

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Publication number
JPH101771A
JPH101771A JP18652696A JP18652696A JPH101771A JP H101771 A JPH101771 A JP H101771A JP 18652696 A JP18652696 A JP 18652696A JP 18652696 A JP18652696 A JP 18652696A JP H101771 A JPH101771 A JP H101771A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
discharge
target
gas
electrode
ionized
Prior art date
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Pending
Application number
JP18652696A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Suzuki
明 鈴木
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NIPPON SEIMITSU KK
Original Assignee
NIPPON SEIMITSU KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】定電圧アークイオンプレーティングにおける定
電流電源による低電圧放電の影響を小さくすること。 【構成】直流パルス電源による放電を引き起こす為の、
定電流電源による放電電流を小さくするため、予めイオ
ン化したガスをターゲット近傍に導入し、よって定電流
電源による放電電流を、ガスをイオン化せずに導入した
時より、更に電流値を小さくするようにした、アークイ
オンプレーティング装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、切削工具等の上にＴｉ
Ｎ（窒化チタン）等の皮膜を形成する為の、アークイオ
ンプレーティング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】１９９５年度精密工学会春期学術講演会
講演論文集８７５ページの中で述べているように、パル
ス電源のみでは放電を持続させることが難しい為、定電
流電源による４０Ａ以上の放電を引き金として、パルス
電源による放電を発生させていた。
【０００３】
【発明が解決しょうとする課題】１９９５年度精密工学
会春期学術講演会講演論文集８７５ページの中で述べて
いるように、パルス電圧を使う目的は、放電電圧を上げ
ることにあり、定電流電源を引き金として使用する場
合、この低い電圧による放電の影響が避けられない。定
電流電源は普通４０Ａ以上の電流で使用する為、この電
流による蒸発金属の影響がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】真空中のアーク放電は通
常４０Ａ以下では、放電が長時間持続せず、途中で停止
してしまうことがある。従って通常４０Ａ以上で使用さ
れる。図によって説明する。図１のようにターゲットと
第１の電極間に直流パルス電源を接続し、ターゲットと
第２の電極間に定電流電源を接続する。第３の電極に数
十ボルトの正の電圧を印加し、フィラメントから出る熱
電子を第３の電極へ流す。この熱電子を利用してガスを
イオン化する。このようにしてイオン化されたガスをタ
ーゲット近傍に導入することにより、ターゲットと第２
の電極の間の、空間の放電に対する抵抗値が下がる。こ
のようにしてガスのイオンにより、定電流電源の電流値
を１０Ａまで下げることができ、この放電による影響を
小さくすることができる。ガスをイオン化する方法は、
高周波やマイクロ波等でもよく、また磁界を形成するこ
とにより更にガスをイオン化しやすくすると更に効果的
である。
【０００５】
【実施例】定電圧アークイオンプレーティング装置にＴ
ｉターゲットを取付け、第３の電極にプラス５０Ｖ印加
し、フィラメントを約２０００℃に加熱して、窒素ガス
をイオン化して、１００ＣＣ毎分導入し、定電流電源に
より、１０Ａの放電を発生せしめ、ピーク電圧８０ボル
トのパルスで、１００アンペアの放電により、第１のス
ローアウェイチップ工具上に、３ミクロンのＴｉＮ膜を
得た。この膜のビッカース硬さは約２８００であった。
次に定電流電源による４０Ａの放電を引き金とし、窒素
ガスをイオン化せずに１００ＣＣ毎分導入し、ピーク電
圧８０Ｖのパルスで、１００Ａの放電により、第２のス
ローアウェイチップ工具上に、３ミクロンのＴｉＮ膜を
得た。この膜のビッカース硬さは約２５００であった。
【０００６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
定電流電源による電圧の低い放電の影響を小さくするこ
とができるのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】ガスをイオン化してターゲット近傍に導入し、
第２の電極とターゲット間の放電を、電流値の小さい領
域でも、安定して放電が持続するように改良した図。
【符号の説明】
１、ターゲット ２、第１の電極 ３、第２の電極 ４、直流パルス電源 ５、定電流電源 ６、真空槽 ７、第３の電極 ８、フィラメント ９、窒素ガス容器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 アークイオンプレーティング装置に於い
    て、あらかじめイオン化されたガスをターゲット近傍に
    導入し、アーク放電電流値の小さい領域でも、安定した
    放電が持続されるようにした事を特徴とするアークイオ
    ンプレーティング装置。
JP18652696A 1996-06-12 1996-06-12 アークイオンプレーティング装置 Pending JPH101771A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007505997A (ja) * 2003-09-18 2007-03-15 ゴロコフスキー，ウラディミール，アイ． 長方形フィルター真空プラズマ源及び真空プラズマ流の制御方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007505997A (ja) * 2003-09-18 2007-03-15 ゴロコフスキー，ウラディミール，アイ． 長方形フィルター真空プラズマ源及び真空プラズマ流の制御方法

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