JPH10177180A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
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- JPH10177180A JPH10177180A JP33779496A JP33779496A JPH10177180A JP H10177180 A JPH10177180 A JP H10177180A JP 33779496 A JP33779496 A JP 33779496A JP 33779496 A JP33779496 A JP 33779496A JP H10177180 A JPH10177180 A JP H10177180A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
するもので、特に、二端子非線形素子を用いた液晶表示
装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device using a two-terminal nonlinear element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、低消費電力、薄
型及び軽量である特徴に加え、より大容量表示及び高画
質が求められている。そこで、表示画面を構成している
個々の画素にスイッチング素子を設けたアクティブ駆動
方式の液晶表示装置が開発されている。2. Description of the Related Art In recent years, a liquid crystal display device has been required to have a large capacity display and a high image quality in addition to features of low power consumption, thinness and light weight. Therefore, an active drive type liquid crystal display device in which switching elements are provided in individual pixels constituting a display screen has been developed.
【０００３】スイッチング素子としては、薄膜トランジ
スタまたは二端子非線形素子が用いられているが、構造
が簡単で製造コストの面で有利な二端子非線形素子を用
いた液晶表示装置が有望視されており、なかでも金属−
絶縁体−金属（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅ
ｔａｌ、以下ＭＩＭと表記する）構造を有するものは実
用化がなされている。As the switching element, a thin film transistor or a two-terminal non-linear element is used. However, a liquid crystal display device using a two-terminal non-linear element which has a simple structure and is advantageous in terms of manufacturing cost is promising. But metal-
Insulator-Metal (Metal-Insulator-Me)
tal (hereinafter referred to as MIM)) has been put to practical use.
【０００４】図１１及び図１２を用いて、ＭＩＭ素子を
用いた液晶表示装置について説明する。図１１は従来の
ＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置を示す説明図、図１２
は図１１の素子側基板のＥ−Ｅ線における断面図であ
る。A liquid crystal display device using an MIM element will be described with reference to FIGS. FIG. 11 is an explanatory view showing a liquid crystal display device using a conventional MIM element.
FIG. 12 is a cross-sectional view of the element-side substrate of FIG. 11 taken along line EE.
【０００５】図１１及び図１２に示すように、液晶表示
装置は、ガラスからなる素子側基板５１とガラスからな
る対向側基板５２とを貼り合わせた構造となっている。As shown in FIGS. 11 and 12, the liquid crystal display device has a structure in which an element-side substrate 51 made of glass and an opposing substrate 52 made of glass are bonded.
【０００６】素子側基板５１上には、信号配線５３、画
素電極５４及びＭＩＭ素子５５が形成されている。また
対向側基板５２上には、信号配線５３に直交する向きに
ストライプ状の対向側電極５６が形成されている。した
がって、画素電極５４と対向側電極５６の重なり領域が
１画素となる。画素電極５４及び対向側電極５６として
は、透明電導膜、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）が用いられる。On the element-side substrate 51, a signal wiring 53, a pixel electrode 54 and an MIM element 55 are formed. On the opposing substrate 52, opposing electrodes 56 in a stripe shape are formed in a direction perpendicular to the signal wiring 53. Therefore, the overlapping area between the pixel electrode 54 and the opposing electrode 56 becomes one pixel. As the pixel electrode 54 and the counter electrode 56, a transparent conductive film, for example, ITO (Indium Tin)
Oxide) is used.
【０００７】ＭＩＭ素子５５は、信号配線５３から張り
出した下部電極５７、下部電極５７上に形成された非線
形性を有する絶縁体５８及び上部電極５９から構成され
た二端子非線形素子である。ＭＩＭ素子５５のスイッチ
ングは、ＭＩＭ素子５５の抵抗が下部電極５７と上部電
極５９との間に印加された電圧が低い場合に高抵抗とな
り、高い場合に低抵抗になる性質を利用して行なう。The MIM element 55 is a two-terminal nonlinear element composed of a lower electrode 57 projecting from the signal wiring 53, a non-linear insulator 58 formed on the lower electrode 57, and an upper electrode 59. Switching of the MIM element 55 is performed by using the property that the resistance of the MIM element 55 becomes high when the voltage applied between the lower electrode 57 and the upper electrode 59 is low, and becomes low when the voltage is high.
【０００８】ＭＩＭ素子５５を構成する材料としては、
下部電極５７にはタンタル（Ｔａ）、絶縁体５８には酸
化タンタル（ＴａＯX）、上部電極５９にはクロム（Ｃ
ｒ）、チタン（Ｔｉ）またはアルミニウム（Ａｌ）等が
用いられている。[0008] Materials for forming the MIM element 55 include:
The lower electrode 57 has tantalum (Ta), the insulator 58 has tantalum oxide (TaO x ), and the upper electrode 59 has chromium (C).
r), titanium (Ti), aluminum (Al), or the like.
【０００９】尚、ＭＩＭ素子５５を形成する前に、あら
かじめ素子側基板５１表面上に五酸化タンタル等からな
る絶縁性のベースコート６０を形成しておいてもよい。
ベースコート６０を形成することにより、素子側基板５
１からの不純物の侵入を防ぐことができるとともに、下
部電極５７の素子側基板５１への密着性を向上させるこ
とができる。Before the MIM element 55 is formed, an insulating base coat 60 made of tantalum pentoxide or the like may be formed on the surface of the element-side substrate 51 in advance.
By forming the base coat 60, the element-side substrate 5
In addition, it is possible to prevent intrusion of impurities from the substrate 1 and to improve the adhesion of the lower electrode 57 to the element-side substrate 51.
【００１０】素子側基板５１と対向側基板５２とは、画
素電極５４と対向側電極５６とが向かい合うように、１
０μｍ程度の空間を保持するように貼り合わせられてい
る。空間の保持は、一定の寸法のスぺーサー（図示せ
ず）を素子側基板５１と対向側基板５２との間に挟み込
むことで行なう。The element-side substrate 51 and the opposing-side substrate 52 are connected to each other so that the pixel electrode 54 and the opposing-side electrode 56 face each other.
They are bonded so as to maintain a space of about 0 μm. The space is maintained by sandwiching a spacer (not shown) having a certain size between the element-side substrate 51 and the opposite-side substrate 52.
【００１１】液晶はこの空間に注入され、素子側基板５
１上に形成された配向膜６１と対向側基板５２上に形成
された配向膜（図示せず）とによって、所定の配向状態
にされる。The liquid crystal is injected into this space, and the element-side substrate 5
A predetermined alignment state is obtained by an alignment film 61 formed on the substrate 1 and an alignment film (not shown) formed on the opposing substrate 52.
【００１２】この後、所定の光学モードになるように、
素子側基板５１と対向側基板５２とに光学フィルムを貼
り付ける。例えばＴＮ方式であれば、偏光軸が直交する
ように偏光板６２ａ及び６２ｂを、素子側基板５１及び
対向側基板５２基板の外側面に貼り付ける。表示は、画
素電極５４と対向側電極５６との間に印加された電界に
より、液晶分子の配向状態を変えることによって行な
う。[0012] Thereafter, so as to be in a predetermined optical mode,
An optical film is attached to the element-side substrate 51 and the opposite-side substrate 52. For example, in the case of the TN method, the polarizing plates 62a and 62b are attached to the outer surfaces of the element-side substrate 51 and the counter-side substrate 52 so that the polarization axes are orthogonal to each other. Display is performed by changing the alignment state of liquid crystal molecules by an electric field applied between the pixel electrode 54 and the counter electrode 56.
【００１３】ところで、前述したようなＭＩＭ素子５５
の絶縁体５８は、通常３０〜７０ｎｍであり、製造工程
中の静電気によって絶縁破壊されやすいという問題点が
ある。そこで、以下に説明するような層間絶縁膜を有す
る構成が用いられることがある。The MIM element 55 as described above
Is usually 30 to 70 nm, and there is a problem that dielectric breakdown easily occurs due to static electricity during the manufacturing process. Therefore, a configuration having an interlayer insulating film as described below may be used.
【００１４】図１３乃至図１６を用いて、層間絶縁膜を
有するＭＩＭ素子について説明する。図１３は従来の層
間絶縁膜を有するＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の主
要部を説明する平面図、図１４は図１３のＦ−Ｆ線にお
ける断面図、図１５は図１３の液晶表示装置の製造工程
を説明する工程図、図１６は図１５のＧ−Ｇ線における
断面を説明する工程図である。An MIM element having an interlayer insulating film will be described with reference to FIGS. 13 is a plan view illustrating a main part of a liquid crystal display device using a conventional MIM element having an interlayer insulating film, FIG. 14 is a cross-sectional view taken along line FF of FIG. 13, and FIG. 15 is a liquid crystal display device of FIG. 16 is a process diagram illustrating a cross section taken along line GG of FIG. 15.
【００１５】図１３及び図１４に示すように、下部電極
５７の端部を覆うように、上部電極５９の下層に層間絶
縁膜６３を形成してＭＩＭ素子５５を構成する。このよ
うな層間絶縁膜６３は、絶縁破壊されやすい下部電極５
７の端部上の絶縁体５８を保護する目的で形成されるも
のである。As shown in FIGS. 13 and 14, an MIM element 55 is formed by forming an interlayer insulating film 63 below the upper electrode 59 so as to cover the end of the lower electrode 57. Such an interlayer insulating film 63 is formed on the lower electrode 5 that is easily broken down.
It is formed for the purpose of protecting the insulator 58 on the end of the gate 7.
【００１６】この層間絶縁膜６３を有するＭＩＭ素子５
５の製造工程について、図１５及び図１６を用いて説明
する。MIM element 5 having interlayer insulating film 63
The manufacturing process of No. 5 will be described with reference to FIGS.
【００１７】図１５（ａ）及び図１６（ａ）に示すよう
に、ガラスからなる素子側基板５１に五酸化タンタルか
らなるベースコート６０を形成し、Ｔａからなる信号配
線５３及び下部電極５７をフォトリソグラフィー法を用
いて所定の形状に形成する。さらに、陽極酸化法を用い
てＴａＯXからなる非線形性を有する絶縁体５８を少な
くとも下部電極５７の表面に形成する。As shown in FIGS. 15A and 16A, a base coat 60 made of tantalum pentoxide is formed on an element-side substrate 51 made of glass, and a signal wiring 53 made of Ta and a lower electrode 57 are formed by photolithography. It is formed into a predetermined shape by using a lithography method. Furthermore, at least formed on the surface of the lower electrode 57 an insulator 58 having a nonlinearity consisting TaO X using anodic oxidation.
【００１８】次に、図１５（ｂ）及び図１６（ｂ）に示
すように、層間絶縁膜６３を下部電極５７の端部を覆う
ように形成する。層間絶縁膜６３としては、例えばＳｉ
ＮXまたはＳｉＯ2が用いられる。Next, as shown in FIGS. 15B and 16B, an interlayer insulating film 63 is formed so as to cover the edge of the lower electrode 57. As the interlayer insulating film 63, for example, Si
N X or SiO 2 is used.
【００１９】次に、図１５（ｃ）及び図１６（ｃ）に示
すように、例えばＴｉを所定の形状にパターニングして
上部電極５９を形成し、図１５（ｄ）及び図１６（ｄ）
に示すように、例えばＩＴＯを所定の形状にパターニン
グして画素電極５４を形成して、ＭＩＭ素子５５を得
る。Next, as shown in FIGS. 15 (c) and 16 (c), for example, Ti is patterned into a predetermined shape to form an upper electrode 59, and FIGS. 15 (d) and 16 (d).
As shown in (1), for example, the pixel electrode 54 is formed by patterning ITO into a predetermined shape, and the MIM element 55 is obtained.
【００２０】[0020]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１３
及び図１４に示すような層間絶縁膜６３を有するＭＩＭ
素子５５を形成した場合、図１４の部に示す層間絶縁
膜６３の端部で、層間絶縁膜６３の厚みによる段差が原
因となって上部電極５９が断線するという問題点があ
る。However, FIG.
And an MIM having an interlayer insulating film 63 as shown in FIG.
When the element 55 is formed, there is a problem that the upper electrode 59 is disconnected at the end of the interlayer insulating film 63 shown in FIG. 14 due to a step due to the thickness of the interlayer insulating film 63.
【００２１】すなわち、層間絶縁膜６３は、下部電極５
７と上部電極５９との短絡を抑制することができるが、
層間絶縁膜６３の厚みによる段差が原因となって上部電
極５９が断線することが増えてしまうのである。That is, the interlayer insulating film 63 is formed on the lower electrode 5
7 and the upper electrode 59 can be suppressed,
The disconnection of the upper electrode 59 increases due to the step due to the thickness of the interlayer insulating film 63.
【００２２】層間絶縁膜６３を素子側基板５１全面に形
成し、ＭＩＭ素子５５を形成する部分の層間絶縁膜６３
を除去して、層間絶縁膜６３による段差をなくすことは
可能であるが、層間絶縁膜６３と素子側基板５１との熱
膨張係数の差によって素子側基板５１が反ったり、透過
率が低下したりするという問題点が発生するため、必要
な部分に、例えば島状に層間絶縁膜６３を形成すること
が望ましいのである。An interlayer insulating film 63 is formed on the entire surface of the element-side substrate 51, and a portion of the interlayer insulating film 63 where the MIM element 55 is formed is formed.
Can be removed to eliminate the step due to the interlayer insulating film 63, but the element-side substrate 51 warps or the transmittance decreases due to the difference in the thermal expansion coefficient between the interlayer insulating film 63 and the element-side substrate 51. Therefore, it is desirable to form the interlayer insulating film 63 in a necessary portion, for example, in an island shape.
【００２３】したがって、素子側基板５１の反り及び透
過率の低下を考慮して層間絶縁膜６３の形状及び寸法を
決めると、層間絶縁膜６３の端部を上部電極５９が横切
る構成を採用せざるを得ないため、前述した上部電極５
９が層間絶縁膜６３による段差部分で断線するという問
題点を生じることとなる。Therefore, when the shape and dimensions of the interlayer insulating film 63 are determined in consideration of the warpage of the element-side substrate 51 and the reduction of the transmittance, the configuration in which the upper electrode 59 crosses the end of the interlayer insulating film 63 has to be adopted. The upper electrode 5
9 will be broken at the step due to the interlayer insulating film 63.
【００２４】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、層間絶縁膜による段差部分で
上部電極が断線することを低減した二端子非線形素子を
用いた液晶表示装置を提供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and is directed to a liquid crystal display device using a two-terminal non-linear element in which disconnection of an upper electrode at a step portion due to an interlayer insulating film is reduced. It is intended to provide.
【００２５】[0025]
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の請求項１記載の液晶表示装置は、下部
電極と、非線形性を有する絶縁体と、上部電極とが積層
され、前記下部電極の端部を覆うように前記上部電極の
下層に層間絶縁膜が形成された二端子非線形素子を有
し、画素電極に前記上部電極が接続され、前記二端子非
線形素子を用いて駆動される液晶表示装置において、前
記画素電極が、前記層間絶縁膜の端部を覆うように形成
されていることを特徴としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a lower electrode, an insulator having non-linearity, and an upper electrode; A two-terminal nonlinear element in which an interlayer insulating film is formed below the upper electrode so as to cover an end of the lower electrode; the upper electrode is connected to a pixel electrode; and the pixel is driven using the two-terminal nonlinear element. In the liquid crystal display device, the pixel electrode is formed so as to cover an end of the interlayer insulating film.
【００２６】請求項２記載の液晶表示装置は、請求項１
記載の液晶表示装置において、前記上部電極が、前記層
間絶縁膜を横切るように形成されていることを特徴とし
ている。The liquid crystal display device according to the second aspect is the first aspect.
In the liquid crystal display device described above, the upper electrode is formed so as to cross the interlayer insulating film.
【００２７】請求項３記載の液晶表示装置は、請求項２
記載の液晶表示装置において、前記下部電極の両側に矩
形状の前記層間絶縁膜が形成され、前記上部電極が、前
記層間絶縁膜を横切る際に跨がっている辺とは異なる辺
にも跨がっていることを特徴としている。The liquid crystal display device according to the third aspect is the second aspect.
In the liquid crystal display device described in the above, the rectangular interlayer insulating film is formed on both sides of the lower electrode, and the upper electrode also straddles a side different from a side straddling when crossing the interlayer insulating film. It is characterized by being sharp.
【００２８】請求項４記載の液晶表示装置は、請求項３
記載の液晶表示装置において、前記上部電極が、前記層
間絶縁膜の辺に沿って形成されていることを特徴として
いる。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device.
In the liquid crystal display device described above, the upper electrode is formed along a side of the interlayer insulating film.
【００２９】請求項５記載の液晶表示装置は、請求項２
乃至請求項４記載の液晶表示装置において、前記下部電
極の両側に略Ｌ字状の前記層間絶縁膜が形成され、前記
上部電極が、前記層間絶縁膜の屈曲部に跨がるように形
成されていることを特徴としている。The liquid crystal display device according to the fifth aspect is the second aspect.
5. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein the substantially L-shaped interlayer insulating film is formed on both sides of the lower electrode, and the upper electrode is formed so as to extend over a bent portion of the interlayer insulating film. It is characterized by having.
【００３０】本発明の液晶表示装置によれば、画素電極
が層間絶縁膜の端部を覆うように形成されていることに
より、上部電極と画素電極とが、層間絶縁膜上で接続さ
れているため、層間絶縁膜の端部における段差を考慮す
る必要がなくなる。According to the liquid crystal display device of the present invention, since the pixel electrode is formed so as to cover the edge of the interlayer insulating film, the upper electrode and the pixel electrode are connected on the interlayer insulating film. Therefore, it is not necessary to consider a step at the end of the interlayer insulating film.
【００３１】また、上部電極が層間絶縁膜を横切るよう
に形成されていることにより、層間絶縁膜の端部におけ
る段差が原因で上部電極が断線した場合であっても、上
部電極と画素電極とは層間絶縁膜上で接続されているた
め、上部電極と画素電極との接続状態を保つことができ
る。Further, since the upper electrode is formed so as to cross the interlayer insulating film, even if the upper electrode is disconnected due to a step at the end of the interlayer insulating film, the upper electrode and the pixel electrode are connected to each other. Are connected on the interlayer insulating film, the connection between the upper electrode and the pixel electrode can be maintained.
【００３２】さらに、下部電極の両側に矩形状の層間絶
縁膜が形成され、上部電極が層間絶縁膜を横切る際に跨
がっている辺とは異なる辺にも跨がっていることによ
り、層間絶縁膜の端部における段差が原因で上部電極の
一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜の別の辺に
跨がっている上部電極は画素電極と接続されているた
め、上部電極と画素電極との接続状態を保つことができ
る。Further, a rectangular interlayer insulating film is formed on both sides of the lower electrode, and the upper electrode also straddles a side different from the side straddling when crossing the interlayer insulating film. Even if a part of the upper electrode is disconnected due to a step at the end of the interlayer insulating film, the upper electrode extending over another side of the interlayer insulating film is connected to the pixel electrode, The connection state between the upper electrode and the pixel electrode can be maintained.
【００３３】さらに、上部電極が層間絶縁膜の辺に沿っ
て形成されていることにより、層間絶縁膜の端部を上部
電極で覆う面積が大きくなるため、層間絶縁膜の端部に
おける段差が原因で上部電極が断線することを抑制する
ことができ、層間絶縁膜の端部における段差が原因で上
部電極の一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜の
別の辺に跨がっている上部電極は画素電極と接続されて
いるため、上部電極と画素電極との接続状態を保つこと
ができる。Further, since the upper electrode is formed along the side of the interlayer insulating film, the area covered by the upper electrode at the edge of the interlayer insulating film becomes large, and the step at the edge of the interlayer insulating film is caused by the step. Can prevent the upper electrode from being disconnected, and even if a part of the upper electrode is disconnected due to a step at the end of the interlayer insulating film, the upper electrode extends over another side of the interlayer insulating film. Since the upper electrode is connected to the pixel electrode, the connection between the upper electrode and the pixel electrode can be maintained.
【００３４】また、下部電極の両側に略Ｌ字状の層間絶
縁膜が形成され、上部電極が層間絶縁膜の屈曲部に跨が
るように形成されていることにより、上部電極は層間絶
縁膜の異なる辺に跨がることとなり、層間絶縁膜の端部
における段差が原因で上部電極の一部が断線した場合で
あっても、層間絶縁膜の別の辺に跨がっている上部電極
は画素電極と接続されているため、上部電極と画素電極
との接続状態を保つことができる。Also, a substantially L-shaped interlayer insulating film is formed on both sides of the lower electrode, and the upper electrode is formed so as to extend over the bent portion of the interlayer insulating film. The upper electrode straddles another side of the interlayer insulating film even if a part of the upper electrode is disconnected due to a step at the edge of the interlayer insulating film. Is connected to the pixel electrode, the connection state between the upper electrode and the pixel electrode can be maintained.
【００３５】[0035]
【発明の実施の形態】図１乃至図１０を用いて、本発明
の実施の形態について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
【００３６】（実施の形態１）図１乃至図４を用いて、
本発明の実施の形態１について説明する。図１は本発明
の実施の形態１に係わる液晶表示装置の主要部を説明す
る平面図、図２は図１のＡ−Ａ線における断面図、図３
は図１のＢ−Ｂ線における断面図、図４は本発明の実施
の形態１に係わる他の液晶表示装置の主要部を説明する
平面図である。尚、図１乃至図４においては、上部電極
を斜線部で示す。(Embodiment 1) Referring to FIGS. 1 to 4,
Embodiment 1 of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view illustrating a main part of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 1, and FIG. 4 is a plan view illustrating a main part of another liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention. In FIGS. 1 to 4, the upper electrode is indicated by hatching.
【００３７】図１乃至図３に示すように、ガラスからな
る素子側基板１に五酸化タンタルからなるベースコート
２を形成し、Ｔａからなる信号配線３及び下部電極４を
フォトリソグラフィー法を用いて所定の形状に形成す
る。さらに、陽極酸化法を用いて、ＴａＯXからなる非
線形性を有する絶縁体５を少なくとも下部電極４の表面
に形成する。As shown in FIGS. 1 to 3, a base coat 2 made of tantalum pentoxide is formed on an element-side substrate 1 made of glass, and a signal wiring 3 and a lower electrode 4 made of Ta are formed by photolithography. It is formed in the shape of Furthermore, using the anodic oxidation process to form at least on the surface of the lower electrode 4 and insulating body 5 having a nonlinear consisting TaO X.
【００３８】次に、ＳｉＮXまたはＳｉＯ2からなる層間
絶縁膜６を下部電極４の両側の端部を覆うように矩形状
に形成する。Next, an interlayer insulating film 6 made of SiN x or SiO 2 is formed in a rectangular shape so as to cover both ends of the lower electrode 4.
【００３９】次に、Ｔｉからなる上部電極７を形成する
のであるが、上部電極７は層間絶縁膜６を横切るように
するとともに、別の方向に張り出して層間絶縁膜６を横
切る際に跨がっている辺とは異なる層間絶縁膜６の辺に
も跨がるように形成する。このとき、図４に示すよう
に、上部電極７の幅Ｗ１とＷ２との関係がＷ１＞Ｗ２で
あってもよく、Ｗ１とＷ２との関係は特に限定されるも
のではない。Next, an upper electrode 7 made of Ti is formed. The upper electrode 7 crosses the interlayer insulating film 6 and extends in another direction to cross over the interlayer insulating film 6. It is formed so as to straddle the side of the interlayer insulating film 6 which is different from the side where it is. At this time, as shown in FIG. 4, the relationship between the widths W1 and W2 of the upper electrode 7 may be W1> W2, and the relationship between W1 and W2 is not particularly limited.
【００４０】次に、ＩＴＯからなる画素電極８を形成す
るのであるが、画素電極８は信号配線３及び下部電極４
とは重畳しないようにして、層間絶縁膜６の端部を覆う
ように形成することでＭＩＭ素子９を得る。Next, the pixel electrode 8 made of ITO is formed. The pixel electrode 8 is formed by the signal wiring 3 and the lower electrode 4.
The MIM element 9 is obtained by forming the interlayer insulating film 6 so as to cover the edge of the interlayer insulating film 6 so as not to overlap.
【００４１】この後、周知の方法により、配向膜を形成
し、対向側基板に対向側電極及び配向膜を形成して、素
子側基板１と対向側基板とを貼り合わせて液晶を注入す
ることで、ＭＩＭ素子９を用いた液晶表示装置を得る。Thereafter, an alignment film is formed by a well-known method, a counter electrode and an alignment film are formed on the counter substrate, and the element side substrate 1 and the counter substrate are bonded to each other and liquid crystal is injected. Thus, a liquid crystal display device using the MIM element 9 is obtained.
【００４２】上部電極７を層間絶縁膜６を横切るように
するとともに、別の方向に張り出して層間絶縁膜６を横
切る際に跨がっている辺とは異なる層間絶縁膜６の辺に
も跨がるように形成することにより、層間絶縁膜６の厚
みによる段差が原因で上部電極７の一部が断線した場合
であっても、別の方向に張り出している上部電極７が画
素電極８と接続されているため、上部電極７と画素電極
８との接続状態を保つことができる。The upper electrode 7 is made to cross the interlayer insulating film 6, and is also extended in another direction so as to cross over the side of the interlayer insulating film 6 which is different from the side which is crossed when crossing the interlayer insulating film 6. When the upper electrode 7 is partially disconnected due to a step due to the thickness of the interlayer insulating film 6, the upper electrode 7 projecting in another direction and the pixel electrode 8 are formed. Because of the connection, the connection state between the upper electrode 7 and the pixel electrode 8 can be maintained.
【００４３】さらに、画素電極８を層間絶縁膜６の端部
を覆うように形成することにより、層間絶縁膜６の厚み
による段差が原因で上部電極７がすべて断線した場合で
あっても、上部電極７と画素電極８とが層間絶縁膜６上
でも接続されているため、上部電極７と画素電極８との
接続状態を保つことができる。Further, since the pixel electrode 8 is formed so as to cover the edge of the interlayer insulating film 6, even if the upper electrode 7 is completely disconnected due to a step due to the thickness of the interlayer insulating film 6, the upper portion of the pixel electrode 8 can be removed. Since the electrode 7 and the pixel electrode 8 are also connected on the interlayer insulating film 6, the connection state between the upper electrode 7 and the pixel electrode 8 can be maintained.
【００４４】（実施の形態２）図５乃至図８を用いて、
本発明の実施の形態２について説明する。図５は本発明
の実施の形態２に係わる液晶表示装置の主要部を説明す
る平面図、図６は図５のＣ−Ｃ線における断面図、図７
は図５のＤ−Ｄ線における断面図、図８は本発明の実施
の形態２に係わる他の液晶表示装置の主要部を説明する
平面図である。尚、図５乃至図８においては、上部電極
を斜線部で示す。(Embodiment 2) Referring to FIG. 5 to FIG.
Embodiment 2 of the present invention will be described. FIG. 5 is a plan view illustrating a main part of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG.
Is a cross-sectional view taken along line DD of FIG. 5, and FIG. 8 is a plan view illustrating a main part of another liquid crystal display device according to Embodiment 2 of the present invention. In FIGS. 5 to 8, the upper electrode is indicated by hatching.
【００４５】図５乃至図７に示すように、ガラスからな
る素子側基板１に五酸化タンタルからなるベースコート
２を形成し、Ｔａからなる信号配線３及び下部電極４を
フォトリソグラフィー法を用いて所定の形状に形成す
る。さらに、陽極酸化法を用いて、ＴａＯXからなる非
線形性を有する絶縁体５を少なくとも下部電極４の表面
に形成する。As shown in FIGS. 5 to 7, a base coat 2 made of tantalum pentoxide is formed on an element-side substrate 1 made of glass, and a signal wiring 3 made of Ta and a lower electrode 4 are formed by photolithography. It is formed in the shape of Furthermore, using the anodic oxidation process to form at least on the surface of the lower electrode 4 and insulating body 5 having a nonlinear consisting TaO X.
【００４６】次に、ＳｉＮXまたはＳｉＯ2からなる層間
絶縁膜６を下部電極４の両側の端部を覆うように矩形状
に形成する。Next, an interlayer insulating film 6 made of SiN X or SiO 2 is formed in a rectangular shape so as to cover both ends of the lower electrode 4.
【００４７】次に、Ｔｉからなる上部電極７を形成する
のであるが、上部電極７は層間絶縁膜６を横切るように
するとともに、層間絶縁膜６の辺に沿うように形成す
る。このとき、図８に示すように、上部電極７の一部を
層間絶縁膜６の辺から突出するように形成してもよい。Next, the upper electrode 7 made of Ti is formed. The upper electrode 7 is formed so as to cross the interlayer insulating film 6 and along the side of the interlayer insulating film 6. At this time, as shown in FIG. 8, a part of the upper electrode 7 may be formed so as to protrude from the side of the interlayer insulating film 6.
【００４８】次に、ＩＴＯからなる画素電極８を形成す
るのであるが、画素電極８は信号配線３及び下部電極４
とは重畳しないようにして、層間絶縁膜６の端部を覆う
ように形成することでＭＩＭ素子９を得る。Next, the pixel electrode 8 made of ITO is formed. The pixel electrode 8 is formed by the signal wiring 3 and the lower electrode 4.
The MIM element 9 is obtained by forming the interlayer insulating film 6 so as to cover the edge of the interlayer insulating film 6 so as not to overlap.
【００４９】この後、周知の方法により、配向膜を形成
し、対向側基板に対向側電極及び配向膜を形成して、素
子側基板１と対向側基板とを貼り合わせて液晶を注入す
ることで、ＭＩＭ素子９を用いた液晶表示装置を得る。After that, an alignment film is formed by a known method, a counter electrode and an alignment film are formed on the counter substrate, and the element substrate 1 and the counter substrate are bonded to each other and liquid crystal is injected. Thus, a liquid crystal display device using the MIM element 9 is obtained.
【００５０】上部電極７を層間絶縁膜６を横切るように
するとともに、層間絶縁膜６の辺に沿うように形成する
ことにより、層間絶縁膜６の端部を上部電極７で覆う面
積が大きくなるため、層間絶縁膜６の厚みによる段差が
原因で上部電極７が断線することを抑制することがで
き、層間絶縁膜６の厚みによる段差が原因で上部電極７
の一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜６の別の
辺に跨がっている上部電極７が画素電極８と接続されて
いるため、上部電極７と画素電極８との接続状態を保つ
ことができる。By forming the upper electrode 7 so as to cross the interlayer insulating film 6 and to extend along the side of the interlayer insulating film 6, an area for covering the end of the interlayer insulating film 6 with the upper electrode 7 is increased. Therefore, disconnection of the upper electrode 7 due to the step due to the thickness of the interlayer insulating film 6 can be suppressed, and the upper electrode 7 due to the step due to the thickness of the interlayer insulating film 6 can be suppressed.
Is partially connected, the upper electrode 7 extending over another side of the interlayer insulating film 6 is connected to the pixel electrode 8, so that the connection between the upper electrode 7 and the pixel electrode 8 is possible. State can be maintained.
【００５１】さらに、画素電極８を層間絶縁膜６の端部
を覆うように形成することにより、層間絶縁膜６の厚み
による段差が原因で上部電極７がすべて断線した場合で
あっても、上部電極７と画素電極８とが層間絶縁膜６上
でも接続されているため、上部電極７と画素電極８との
接続状態を保つことができる。Further, since the pixel electrode 8 is formed so as to cover the edge of the interlayer insulating film 6, even if the upper electrode 7 is completely disconnected due to a step due to the thickness of the interlayer insulating film 6, the upper electrode 7 can be removed. Since the electrode 7 and the pixel electrode 8 are also connected on the interlayer insulating film 6, the connection state between the upper electrode 7 and the pixel electrode 8 can be maintained.
【００５２】（実施の形態３）図９及び図１０を用い
て、本発明の実施の形態３について説明する。図９は本
発明の実施の形態３に係わる液晶表示装置の主要部を説
明する平面図、図１０は本発明の実施の形態３に係わる
他の液晶表示装置の主要部を説明する平面図である。
尚、図９及び図１０においては、層間絶縁膜を斜線部で
示す。(Embodiment 3) Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a plan view illustrating a main part of a liquid crystal display device according to Embodiment 3 of the present invention, and FIG. 10 is a plan view illustrating a main part of another liquid crystal display device according to Embodiment 3 of the present invention. is there.
In FIGS. 9 and 10, the interlayer insulating film is indicated by hatching.
【００５３】図９及び図１０に示すように、ガラスから
なる素子側基板に五酸化タンタルからなるベースコート
を形成し、Ｔａからなる信号配線３及び下部電極４をフ
ォトリソグラフィー法を用いて所定の形状に形成する。
さらに、陽極酸化法を用いて、ＴａＯXからなる非線形
性を有する絶縁体を少なくとも下部電極４の表面に形成
する。As shown in FIGS. 9 and 10, a base coat made of tantalum pentoxide is formed on an element-side substrate made of glass, and a signal wiring 3 and a lower electrode 4 made of Ta are formed in a predetermined shape by photolithography. Formed.
Furthermore, using the anodic oxidation process to form at least on the surface of the lower electrode 4 an insulator having a nonlinearity consisting TaO X.
【００５４】次に、ＳｉＮXまたはＳｉＯ2からなる層間
絶縁膜６を下部電極４の両側の端部を覆うように略Ｌ字
状に形成する。Next, an interlayer insulating film 6 made of SiN x or SiO 2 is formed in a substantially L shape so as to cover both ends of the lower electrode 4.
【００５５】次に、Ｔｉからなる上部電極７を形成する
のであるが、上部電極７は、図９に示すように、層間絶
縁膜６の屈曲部に跨がるように矩形状に形成する。ま
た、上部電極７は、図１０に示すように、別の方向に張
り出して層間絶縁膜６の屈曲部とは異なる辺にも跨がる
ように形成してもよい。Next, the upper electrode 7 made of Ti is formed. As shown in FIG. 9, the upper electrode 7 is formed in a rectangular shape so as to straddle the bent portion of the interlayer insulating film 6. Further, as shown in FIG. 10, the upper electrode 7 may be formed so as to extend in another direction and extend over a side different from the bent portion of the interlayer insulating film 6.
【００５６】次に、ＩＴＯからなる画素電極８を形成す
るのであるが、画素電極８は信号配線３及び下部電極４
とは重畳しないようにして、層間絶縁膜６の端部を覆う
ように形成することでＭＩＭ素子９を得る。Next, the pixel electrode 8 made of ITO is formed. The pixel electrode 8 is formed by the signal wiring 3 and the lower electrode 4.
The MIM element 9 is obtained by forming the interlayer insulating film 6 so as to cover the edge of the interlayer insulating film 6 so as not to overlap.
【００５７】この後、周知の方法により、配向膜を形成
し、対向側基板に対向側電極及び配向膜を形成して、素
子側基板１と対向側基板とを貼り合わせて液晶を注入す
ることで、ＭＩＭ素子９を用いた液晶表示装置を得る。Thereafter, an alignment film is formed by a well-known method, a counter electrode and an alignment film are formed on the counter substrate, and the liquid crystal is injected by bonding the element substrate 1 and the counter substrate. Thus, a liquid crystal display device using the MIM element 9 is obtained.
【００５８】層間絶縁膜６を略Ｌ字状に形成することに
より、層間絶縁膜６の厚みによる段差が原因で上部電極
７の一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜６の別
の辺に跨がっている上部電極７が画素電極８と接続され
ているため、上部電極７と画素電極８との接続状態を保
つことができる。By forming the interlayer insulating film 6 in a substantially L-shape, even if a part of the upper electrode 7 is disconnected due to a step due to the thickness of the interlayer insulating film 6, the interlayer insulating film 6 can be separated. Is connected to the pixel electrode 8, the connection between the upper electrode 7 and the pixel electrode 8 can be maintained.
【００５９】さらに、層間絶縁膜６の屈曲部とは異なる
辺にも跨がるように上部電極７を形成することにより、
上部電極７が跨がる層間絶縁膜６の辺の数を増やすこと
ができるため、層間絶縁膜６の厚みによる段差が原因で
上部電極７の一部が断線した場合であっても、層間絶縁
膜６の別の辺に跨がっている上部電極７が画素電極８と
接続されている可能性が高くなるため、上部電極７と画
素電極８との接続状態を保つ確率を高くすることができ
る。Further, by forming the upper electrode 7 so as to extend over a side different from the bent portion of the interlayer insulating film 6,
Since the number of sides of the interlayer insulating film 6 over which the upper electrode 7 straddles can be increased, even if a part of the upper electrode 7 is disconnected due to a step due to the thickness of the interlayer insulating film 6, the interlayer insulating film 6 can be formed. Since the possibility that the upper electrode 7 extending over another side of the film 6 is connected to the pixel electrode 8 increases, the probability of maintaining the connection state between the upper electrode 7 and the pixel electrode 8 can be increased. it can.
【００６０】さらに、画素電極８を層間絶縁膜６の端部
を覆うように形成することにより、層間絶縁膜６の厚み
による段差が原因で上部電極７がすべて断線した場合で
あっても、上部電極７と画素電極８とが層間絶縁膜６上
でも接続されているため、上部電極７と画素電極８との
接続状態を保つことができる。Further, by forming the pixel electrode 8 so as to cover the edge of the interlayer insulating film 6, even if all the upper electrodes 7 are disconnected due to a step due to the thickness of the interlayer insulating film 6, the upper portion of the pixel electrode 8 can be removed. Since the electrode 7 and the pixel electrode 8 are also connected on the interlayer insulating film 6, the connection state between the upper electrode 7 and the pixel electrode 8 can be maintained.
【００６１】[0061]
【発明の効果】以上の説明のように、本発明の液晶表示
装置によれば、画素電極が層間絶縁膜の端部を覆うよう
に形成されていることにより、層間絶縁膜の端部におけ
る段差を考慮する必要がなくなり、ＭＩＭ素子の断線不
良を低減することができるため、液晶表示装置の良品率
を向上させることができる。As described above, according to the liquid crystal display device of the present invention, since the pixel electrode is formed so as to cover the edge of the interlayer insulating film, a step at the edge of the interlayer insulating film is formed. Need not be taken into account, and the disconnection failure of the MIM element can be reduced, so that the yield of the liquid crystal display device can be improved.
【００６２】また、上部電極が層間絶縁膜を横切るよう
に形成されていることにより、層間絶縁膜の端部におけ
る段差が原因で上部電極が断線した場合であっても、上
部電極と画素電極との接続状態を保つことができ、ＭＩ
Ｍ素子の上部電極の断線不良を低減することができるた
め、液晶表示装置の良品率を向上させることができる。Further, since the upper electrode is formed so as to cross the interlayer insulating film, even if the upper electrode is disconnected due to a step at the end of the interlayer insulating film, the upper electrode and the pixel electrode are separated from each other. Can be maintained, and MI
Since the disconnection failure of the upper electrode of the M element can be reduced, the yield of the liquid crystal display device can be improved.
【００６３】さらに、下部電極の両側に矩形状の層間絶
縁膜が形成され、上部電極が層間絶縁膜を横切る際に跨
がっている辺とは異なる辺にも跨がっていることによ
り、層間絶縁膜の端部における段差が原因で上部電極の
一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜の別の辺に
跨がる上部電極によって画素電極との接続状態を保つこ
とができ、ＭＩＭ素子の上部電極の断線不良を低減する
ことができるため、液晶表示装置の良品率を向上させる
ことができる。Further, a rectangular interlayer insulating film is formed on both sides of the lower electrode, and the upper electrode also straddles a side different from the side straddling when crossing the interlayer insulating film. Even when a part of the upper electrode is disconnected due to a step at the end of the interlayer insulating film, the connection state with the pixel electrode can be maintained by the upper electrode extending over another side of the interlayer insulating film. In addition, since the disconnection failure of the upper electrode of the MIM element can be reduced, the yield of the liquid crystal display device can be improved.
【００６４】さらに、上部電極が層間絶縁膜の辺に沿っ
て形成されていることにより、層間絶縁膜の端部におけ
る段差が原因で上部電極が断線することを抑制すること
ができ、層間絶縁膜の端部における段差が原因で上部電
極の一部が断線した場合であっても、層間絶縁膜の別の
辺に跨がる上部電極によって画素電極との接続状態を保
つことができ、ＭＩＭ素子の上部電極の断線不良を低減
することができるため、液晶表示装置の良品率を向上さ
せることができる。Further, since the upper electrode is formed along the side of the interlayer insulating film, disconnection of the upper electrode due to a step at the end of the interlayer insulating film can be suppressed, and Even if a part of the upper electrode is disconnected due to a step at the end of the MIM element, the connection state with the pixel electrode can be maintained by the upper electrode extending over another side of the interlayer insulating film. Since the disconnection failure of the upper electrode can be reduced, the non-defective rate of the liquid crystal display device can be improved.
【００６５】また、下部電極の両側に略Ｌ字状の層間絶
縁膜が形成され、上部電極が層間絶縁膜の屈曲部に跨が
るように形成されていることにより、層間絶縁膜の端部
における段差が原因で上部電極の一部が断線した場合で
あっても、層間絶縁膜の別の辺に跨がる上部電極によっ
て画素電極との接続状態を保つことができ、ＭＩＭ素子
の上部電極の断線不良を低減することができるため、液
晶表示装置の良品率を向上させることができる。Also, a substantially L-shaped interlayer insulating film is formed on both sides of the lower electrode, and the upper electrode is formed so as to straddle the bent portion of the interlayer insulating film. Even if a part of the upper electrode is disconnected due to the step in the above, the connection state with the pixel electrode can be maintained by the upper electrode extending over another side of the interlayer insulating film, and the upper electrode of the MIM element can be maintained. Can be reduced, so that the yield of the liquid crystal display device can be improved.
【図１】本発明の実施の形態１に係わる液晶表示装置の
主要部を説明する平面図である。FIG. 1 is a plan view illustrating a main part of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.
【図３】図１のＢ−Ｂ線における断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line BB of FIG. 1;
【図４】本発明の実施の形態１に係わる他の液晶表示装
置の主要部を説明する平面図である。FIG. 4 is a plan view illustrating a main part of another liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention.
【図５】本発明の実施の形態２に係わる液晶表示装置の
主要部を説明する平面図である。FIG. 5 is a plan view illustrating a main part of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
【図６】図５のＣ−Ｃ線における断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line CC of FIG. 5;
【図７】図５のＤ−Ｄ線における断面図である。FIG. 7 is a sectional view taken along line DD of FIG. 5;
【図８】本発明の実施の形態２に係わる他の液晶表示装
置の主要部を説明する平面図である。FIG. 8 is a plan view illustrating a main part of another liquid crystal display device according to Embodiment 2 of the present invention.
【図９】本発明の実施の形態３に係わる液晶表示装置の
主要部を説明する平面図である。FIG. 9 is a plan view illustrating a main part of a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の実施の形態３に係わる他の液晶表示
装置の主要部を説明する平面図である。FIG. 10 is a plan view illustrating a main part of another liquid crystal display device according to Embodiment 3 of the present invention.
【図１１】従来のＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置を示
す説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram showing a liquid crystal display device using a conventional MIM element.
【図１２】図１１の素子側基板のＥ−Ｅ線における断面
図である。12 is a cross-sectional view of the element-side substrate of FIG. 11 taken along line EE.
【図１３】従来の層間絶縁膜を有するＭＩＭ素子を用い
た液晶表示装置の主要部を説明する平面図である。FIG. 13 is a plan view illustrating a main part of a conventional liquid crystal display device using an MIM element having an interlayer insulating film.
【図１４】図１３のＦ−Ｆ線における断面図である。FIG. 14 is a sectional view taken along line FF of FIG. 13;
【図１５】（ａ）〜（ｄ）は図１３の液晶表示装置の製
造工程を説明する工程図である。15 (a) to (d) are process diagrams for explaining a manufacturing process of the liquid crystal display device of FIG.
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は図１５のＧ−Ｇ線における
断面を説明する工程図である。16 (a) to (d) are process diagrams illustrating a cross section taken along line GG of FIG.
１ 素子側基板 ２ ベースコート ３ 信号配線 ４ 下部電極 ５ 絶縁体 ６ 層間絶縁膜 ７ 上部電極 ８ 画素電極 ９ ＭＩＭ素子 ５１ 素子側基板 ５２ 対向側基板 ５３ 信号配線 ５４ 画素電極 ５５ ＭＩＭ素子 ５６ 対向側電極 ５７ 下部電極 ５８ 絶縁体 ５９ 上部電極 ６０ ベースコート ６１ 配向膜 ６２ａ、６２ｂ 偏光板 ６３ 層間絶縁膜 REFERENCE SIGNS LIST 1 element side substrate 2 base coat 3 signal wiring 4 lower electrode 5 insulator 6 interlayer insulating film 7 upper electrode 8 pixel electrode 9 MIM element 51 element side substrate 52 opposing substrate 53 signal wiring 54 pixel electrode 55 MIM element 56 opposing electrode 57 Lower electrode 58 Insulator 59 Upper electrode 60 Base coat 61 Alignment film 62a, 62b Polarizer 63 Interlayer insulation film
Claims (5)
と、上部電極とが積層され、前記下部電極の端部を覆う
ように前記上部電極の下層に層間絶縁膜が形成された二
端子非線形素子を有し、画素電極に前記上部電極が接続
され、前記二端子非線形素子を用いて駆動される液晶表
示装置において、前記画素電極が、前記層間絶縁膜の端
部を覆うように形成されていることを特徴とする液晶表
示装置。1. A two-terminal nonlinear structure in which a lower electrode, an insulator having nonlinearity, and an upper electrode are stacked, and an interlayer insulating film is formed below the upper electrode so as to cover an end of the lower electrode. A liquid crystal display device having an element, wherein the upper electrode is connected to a pixel electrode, and driven using the two-terminal nonlinear element, wherein the pixel electrode is formed so as to cover an end of the interlayer insulating film. A liquid crystal display device.
るように形成されていることを特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the upper electrode is formed to cross the interlayer insulating film.
絶縁膜が形成され、前記上部電極が、前記層間絶縁膜を
横切る際に跨がっている辺とは異なる辺にも跨がってい
ることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。3. The rectangular inter-layer insulating film is formed on both sides of the lower electrode, and the upper electrode also straddles a side different from a side straddling when crossing the inter-layer insulating film. 3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein:
沿って形成されていることを特徴とする請求項３記載の
液晶表示装置。4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein said upper electrode is formed along a side of said interlayer insulating film.
間絶縁膜が形成され、前記上部電極が、前記層間絶縁膜
の屈曲部に跨がるように形成されていることを特徴とす
る請求項２乃至請求項４記載の液晶表示装置。5. An L-shaped interlayer insulating film is formed on both sides of the lower electrode, and the upper electrode is formed so as to extend over a bent portion of the interlayer insulating film. 5. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein:
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP33779496A JP3359250B2 (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP33779496A JP3359250B2 (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Liquid crystal display |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10177180A true JPH10177180A (en) | 1998-06-30 |
| JP3359250B2 JP3359250B2 (en) | 2002-12-24 |
Family
ID=18312037
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| JP33779496A Expired - Fee Related JP3359250B2 (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Liquid crystal display |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3359250B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013047381A1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | シャープ株式会社 | Touch panel, and touch panel display device |
| CN114415432A (en) * | 2021-12-17 | 2022-04-29 | 惠科股份有限公司 | Array substrate, preparation method thereof and display panel |
-
1996
- 1996-12-18 JP JP33779496A patent/JP3359250B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013047381A1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | シャープ株式会社 | Touch panel, and touch panel display device |
| CN114415432A (en) * | 2021-12-17 | 2022-04-29 | 惠科股份有限公司 | Array substrate, preparation method thereof and display panel |
| CN114415432B (en) * | 2021-12-17 | 2022-12-27 | 惠科股份有限公司 | Array substrate, preparation method thereof and display panel |
| US11916085B2 (en) | 2021-12-17 | 2024-02-27 | HKC Corporation Limited | Array substrate, method of manufacturing array substrate, and display panel |
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