JPH06148616A - Liquid crystal display panel - Google Patents

Liquid crystal display panel

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Publication number
JPH06148616A
JPH06148616A JP29536892A JP29536892A JPH06148616A JP H06148616 A JPH06148616 A JP H06148616A JP 29536892 A JP29536892 A JP 29536892A JP 29536892 A JP29536892 A JP 29536892A JP H06148616 A JPH06148616 A JP H06148616A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display panel
electrode
crystal display
protective film
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP29536892A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akihiro Yamamoto
明弘 山本
Tsuguyoshi Hirata
貢祥 平田
Hiroshi Aida
洋 合田
Takayoshi Nagayasu
孝好 永安
Mikio Katayama
幹雄 片山
Shigemitsu Mizushima
繁光 水嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP29536892A priority Critical patent/JPH06148616A/en
Publication of JPH06148616A publication Critical patent/JPH06148616A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide protective film capable of satisfying both a high dielectric constant and high insulation, to remarkably improve a display grade as a result, and to provide a liquid crystal display panel capable of increasing yield. CONSTITUTION:In the liquid crystal display panel in which an insulating substrate 1 made of transparent glass on the surface of which a gate electrode 7 of TFT 21, a source electrode 10, a drain electrode 11, and a pixel electrode 12, etc., are formed is adhered with a glass substrate 15 on the counter plane side of which a counter electrode 17, etc., is formed, and a liquid crystal molecule 19 is injected between the substrates 1, 15, the protective film 13a of dielectric constant>10 is formed by a CVD method or sputtering method, etc., by using tantalum pentoxide with high dielectric constant and material characteristic with high insulating property, etc., extending over the entire plane of the insulating substrate 1 so as to cover elements formed on the insulating substrate 1.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、対向面側に電極配線が
それぞれ形成され、少なくとも一方が透光性を有し、相
互に貼り合わされる一対の基板間に液晶層を封入した液
晶表示パネルに関し、特に表示品位および歩留りの向上
が図れる液晶表示パネルに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display panel in which electrode wirings are formed on opposing surfaces, at least one of which has translucency, and a liquid crystal layer is sealed between a pair of substrates which are bonded to each other. In particular, the present invention relates to a liquid crystal display panel capable of improving display quality and yield.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示パネルの一例として、マトリク
ス状に配列された表示絵素をスイッチング素子により選
択駆動して表示パターンを形成するアクティブマトリク
ス駆動方式をとるものがある。このスイッチング素子と
しては、薄膜トランジスタ(Thin-Film-Transistor、以
下TFTと称する)素子、MIM(金属−絶縁膜−金
属)素子、MOSトランジスタ素子、ダイオード、バリ
スター等が一般に用いられている。このようなスイッチ
ング素子で、絵素電極とこれに対向する対向電極との間
に印加される電圧信号をスイッチングすることにより、
その間に介在する表示媒体としての液晶の光学的変調が
表示パターンとして視認される。
2. Description of the Related Art As an example of a liquid crystal display panel, there is an active matrix drive system in which display pixels arranged in a matrix are selectively driven by a switching element to form a display pattern. As this switching element, a thin-film-transistor (hereinafter referred to as TFT) element, an MIM (metal-insulating film-metal) element, a MOS transistor element, a diode, a varistor, etc. are generally used. With such a switching element, by switching the voltage signal applied between the pixel electrode and the counter electrode facing it,
The optical modulation of liquid crystal as a display medium interposed therebetween is visually recognized as a display pattern.

【0003】図3はこのような液晶表示パネルの構成要
素であるアクティブマトリクス基板を示す。このアクテ
ィブマトリクス基板は、例えば透明ガラス製の絶縁性基
板1の上(表面)に、複数本の走査線2、2…と、複数
本の信号線3、3…とを互いに直交して配設してある。
隣接する各走査線2、2…と各信号線3、3…とで囲ま
れるそれぞれの領域には、液晶を駆動する絵素電極12
と、この絵素電極12を選択駆動するスイッチング素子
21とが設けられている。スイッチング素子21は、走
査線2、信号線3および絵素電極12にそれぞれ接続さ
れている。
FIG. 3 shows an active matrix substrate which is a component of such a liquid crystal display panel. In this active matrix substrate, for example, a plurality of scanning lines 2, 2, ... And a plurality of signal lines 3, 3 ,. I am doing it.
The pixel electrodes 12 for driving the liquid crystal are provided in respective regions surrounded by the adjacent scanning lines 2, 2 ... And the signal lines 3, 3.
And a switching element 21 for selectively driving the pixel electrode 12. The switching element 21 is connected to the scanning line 2, the signal line 3 and the pixel electrode 12, respectively.

【0004】なお、22は走査線2を駆動する走査線駆
動回路であり、23は信号線を駆動する信号線駆動回路
である。
A scanning line driving circuit 22 drives the scanning lines 2, and a signal line driving circuit 23 drives the signal lines.

【0005】次に、スイッチング素子21としてTFT
を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネ
ルの断面構造を図4に従って説明する。
Next, a TFT is used as the switching element 21.
A cross-sectional structure of an active matrix drive type liquid crystal display panel using is described with reference to FIG.

【0006】絶縁性基板1の上には、ゲート電極7を有
する走査線2が形成され、これを覆うようにして酸化絶
縁膜4が設けられている。走査線2の材料としては、そ
の上に設けられる酸化絶縁膜4が良好に形成されるよう
に、タンタル、アルミニウム等の金属が用いられる。
A scanning line 2 having a gate electrode 7 is formed on an insulating substrate 1, and an oxide insulating film 4 is provided so as to cover the scanning line 2. As the material of the scanning line 2, a metal such as tantalum or aluminum is used so that the oxide insulating film 4 provided thereon can be formed well.

【0007】酸化絶縁膜4の上には、これを覆うように
して絶縁性基板1の全面にわたってゲート絶縁膜5が設
けられている。ゲート絶縁膜5の上には、シリコン薄膜
からなる半導体層6がゲート電極7を覆うようにして形
成されている。半導体層6上の中央部には、エッチング
ストッパー層8が設けられている。エッチングストッパ
ー層8の両端部上には、半導体層6の両端部に接して一
対のコンタクト層9a、9bがそれぞれ形成されてい
る。
A gate insulating film 5 is provided on the entire surface of the insulating substrate 1 so as to cover the oxide insulating film 4. A semiconductor layer 6 made of a silicon thin film is formed on the gate insulating film 5 so as to cover the gate electrode 7. An etching stopper layer 8 is provided in the center of the semiconductor layer 6. A pair of contact layers 9 a and 9 b are formed on both ends of the etching stopper layer 8 so as to be in contact with both ends of the semiconductor layer 6.

【0008】一方のコンタクト層9aの上には、信号線
3から分岐されたソース電極10が、また他方のコンタ
クト層9bの上には、ドレイン電極11がそれぞれパタ
ーン形成されている。ドレイン電極11の一端部には、
ITO等の透明導電性膜からなる絵素電極12が接続形
成されている。絵素電極12の端部は、ドレイン電極1
1の一端部に乗り上げている。
A source electrode 10 branched from the signal line 3 is patterned on one contact layer 9a, and a drain electrode 11 is patterned on the other contact layer 9b. At one end of the drain electrode 11,
A pixel electrode 12 made of a transparent conductive film such as ITO is connected and formed. The end of the pixel electrode 12 is the drain electrode 1
Riding on one end of 1.

【0009】上記したゲート電極7、ソース電極10、
ドレイン電極11等でTFT21が形成される。また、
絶縁性基板1上の全面には、TFT21や絵素電極12
を覆うようにして保護膜13bおよび配向膜14がこの
順に積層されている。保護膜13bの材料としては窒化
シリコンが用いられる。また、配向膜14の材料として
はポリイミドが用いられる。なお、20は必要に応じて
設けられるベースコート絶縁膜である。
The above-mentioned gate electrode 7, source electrode 10,
The TFT 21 is formed by the drain electrode 11 and the like. Also,
The TFT 21 and the pixel electrode 12 are formed on the entire surface of the insulating substrate 1.
The protective film 13b and the alignment film 14 are laminated in this order so as to cover the. Silicon nitride is used as the material of the protective film 13b. Polyimide is used as the material of the alignment film 14. Reference numeral 20 is a base coat insulating film provided as needed.

【0010】絵素電極12等が形成された絶縁性基板1
に対向する他方のガラス基板15の対向面側には、カラ
ーフィルタ16、対向電極17および配向膜18がこの
順に積層形成されている。カラーフィルタ16の周囲に
は、必要に応じて図示しないブラックマトリクスが形成
される。
Insulating substrate 1 having picture element electrodes 12 and the like formed thereon
A color filter 16, a counter electrode 17, and an alignment film 18 are laminated in this order on the facing surface side of the other glass substrate 15 facing the other side. A black matrix (not shown) is formed around the color filter 16 as needed.

【0011】絶縁性基板1とガラス基板15との間に
は、表示媒体として液晶分子19が封入される。液晶分
子19は、絵素電極12と対向電極17との間の印加電
圧に応答して配向変換され、この光学的変調が表示パタ
ーンとして視認される。
Liquid crystal molecules 19 are enclosed as a display medium between the insulating substrate 1 and the glass substrate 15. The liquid crystal molecules 19 undergo orientation conversion in response to an applied voltage between the pixel electrode 12 and the counter electrode 17, and this optical modulation is visually recognized as a display pattern.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成の
液晶表示パネルを液晶表示装置に用いる場合には、保護
膜13bの材料として誘電率が低い窒化シリコンを用い
ているため、絵素電極12と対向電極17との間に電圧
を印加して液晶分子19を駆動する際に、液晶分子19
に電圧が十分にかからず、表示品位が低下するという問
題がある。
When the liquid crystal display panel having the above structure is used in a liquid crystal display device, since silicon nitride having a low dielectric constant is used as the material of the protective film 13b, the pixel electrode 12 and When a voltage is applied between the counter electrode 17 and the liquid crystal molecule 19 to drive the liquid crystal molecule 19,
However, there is a problem that the display quality is degraded because the voltage is not sufficiently applied.

【0013】このような問題点を解決するための技術と
して、配向膜14として用いられるポリイミド等を高誘
電率化して保護膜13bとして用いることが考えられ
る。しかるに、この場合には、保護膜として必要な絶縁
性が十分に得られないことになり、電流リークを生じ易
く、歩留りが低下するという新たな問題がある。
As a technique for solving such a problem, it is considered that polyimide or the like used as the alignment film 14 has a high dielectric constant and is used as the protective film 13b. However, in this case, the insulating property required as the protective film cannot be sufficiently obtained, and there is a new problem that current leakage easily occurs and the yield is reduced.

【0014】本発明はこのような従来技術の課題を解決
するものであり、高誘電率および高絶縁性の両方を満足
できる保護膜を実現でき、結果的に表示品位を格段に向
上でき、かつ歩留りの向上が図れる液晶表示パネルを提
供することを目的とする。
The present invention solves the problems of the prior art as described above, and it is possible to realize a protective film satisfying both a high dielectric constant and a high insulating property, and as a result, the display quality can be remarkably improved, and An object of the present invention is to provide a liquid crystal display panel that can improve the yield.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示パネル
は、対向面側に電極配線がそれぞれ形成され、少なくと
も一方が透光性を有し、相互に貼り合わされる一対の基
板間に液晶層を封入した液晶表示パネルにおいて、少な
くとも該液晶層といずれか一方の該電極配線との間に、
比誘電率10以上の高誘電性の材料を含む絶縁性保護膜
を形成しており、そのことにより上記目的が達成され
る。
A liquid crystal display panel according to the present invention has a liquid crystal layer between a pair of substrates in which electrode wirings are formed on opposing surfaces, at least one of which has translucency, and which are bonded to each other. In a liquid crystal display panel in which is enclosed, at least between the liquid crystal layer and one of the electrode wirings,
The insulating protective film containing a high-dielectric material having a relative dielectric constant of 10 or more is formed, whereby the above object is achieved.

【0016】[0016]

【作用】上記のように比誘電率10以上の高誘電性の材
料を含む絶縁性保護膜を液晶層といずれか一方の電極配
線との間に設けると、両電極配線間に電圧を印加して液
晶を駆動する場合に、液晶に電圧を十分にかけることが
できる。
When the insulating protective film containing a high dielectric material having a relative dielectric constant of 10 or more is provided between the liquid crystal layer and one of the electrode wirings, a voltage is applied between the electrode wirings. When the liquid crystal is driven by the liquid crystal, a sufficient voltage can be applied to the liquid crystal.

【0017】[0017]

【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.

【0018】(実施例1)図1は本発明液晶表示パネル
の実施例1を示す。この液晶表示パネルは、スイッチン
グ素子としてTFTを用いている。以下にその構成を詳
述する。
Example 1 FIG. 1 shows Example 1 of the liquid crystal display panel of the present invention. This liquid crystal display panel uses TFTs as switching elements. The configuration will be described in detail below.

【0019】透明ガラスからなる絶縁性基板1の上に
は、ゲート電極7を有する走査線2が形成され、これを
覆うようにして酸化絶縁膜4が設けられている。走査線
2の材料としては、その上に設けられる酸化絶縁膜4が
良好に形成されるように、タンタル、アルミニウム等の
金属が用いられる。
A scanning line 2 having a gate electrode 7 is formed on an insulating substrate 1 made of transparent glass, and an oxide insulating film 4 is provided so as to cover the scanning line 2. As the material of the scanning line 2, a metal such as tantalum or aluminum is used so that the oxide insulating film 4 provided thereon can be formed well.

【0020】酸化絶縁膜4の上には、これを覆うように
して絶縁性基板1の全面にわたってゲート絶縁膜5が設
けられている。ゲート絶縁膜5の上には、シリコン薄膜
からなる半導体層6がゲート電極7を覆うようにして形
成されている。半導体層6上の中央部には、エッチング
ストッパー層8が設けられている。エッチングストッパ
ー層8の両端部上には、半導体層6の両端部に接して一
対のコンタクト層9a、9bがそれぞれ形成されてい
る。
A gate insulating film 5 is provided over the entire surface of the insulating substrate 1 so as to cover the oxide insulating film 4. A semiconductor layer 6 made of a silicon thin film is formed on the gate insulating film 5 so as to cover the gate electrode 7. An etching stopper layer 8 is provided in the center of the semiconductor layer 6. A pair of contact layers 9 a and 9 b are formed on both ends of the etching stopper layer 8 so as to be in contact with both ends of the semiconductor layer 6.

【0021】一方のコンタクト層9aの上には、信号線
3から分岐されたソース電極10が、また他方のコンタ
クト層9bの上には、ドレイン電極11がそれぞれパタ
ーン形成されている。ドレイン電極11の一端部には、
ITO等の透明導電性膜からなる絵素電極12が接続形
成されている。絵素電極12の端部は、ドレイン電極1
1の一端部に乗り上げている。
A source electrode 10 branched from the signal line 3 is patterned on one contact layer 9a, and a drain electrode 11 is patterned on the other contact layer 9b. At one end of the drain electrode 11,
A pixel electrode 12 made of a transparent conductive film such as ITO is connected and formed. The end of the pixel electrode 12 is the drain electrode 1
Riding on one end of 1.

【0022】上記したゲート電極7、ソース電極10、
ドレイン電極11等でTFT21が形成される。また、
絶縁性基板1上の全面には、TFT21や絵素電極12
を覆うようにして保護膜13aおよび配向膜14がこの
順に積層されている。配向膜14の材料としてはポリイ
ミドが用いられる。また、保護膜13aは後述の材料に
よって形成される。なお、20は必要に応じて設けられ
るベースコート絶縁膜である。
The above-mentioned gate electrode 7, source electrode 10,
The TFT 21 is formed by the drain electrode 11 and the like. Also,
The TFT 21 and the pixel electrode 12 are formed on the entire surface of the insulating substrate 1.
The protective film 13a and the alignment film 14 are laminated in this order so as to cover the. Polyimide is used as the material of the alignment film 14. Further, the protective film 13a is formed of the material described later. Reference numeral 20 is a base coat insulating film provided as needed.

【0023】絵素電極12等が形成された絶縁性基板1
に対向する他方のガラス基板15の対向面側には、カラ
ーフィルタ16、対向電極17および配向膜18がこの
順に積層形成されている。カラーフィルタ16の周囲に
は、必要に応じて図示しないブラックマトリクスが形成
される。
Insulating substrate 1 having picture element electrodes 12 and the like formed thereon
A color filter 16, a counter electrode 17, and an alignment film 18 are laminated in this order on the facing surface side of the other glass substrate 15 facing the other side. A black matrix (not shown) is formed around the color filter 16 as needed.

【0024】絶縁性基板1とガラス基板15との間に
は、表示媒体として液晶分子19が封入される。液晶分
子19は、絵素電極12と対向電極17との間の印加電
圧に応答して配向変換され、この光学的変調が表示パタ
ーンとして視認される。
Liquid crystal molecules 19 are enclosed as a display medium between the insulating substrate 1 and the glass substrate 15. The liquid crystal molecules 19 undergo orientation conversion in response to an applied voltage between the pixel electrode 12 and the counter electrode 17, and this optical modulation is visually recognized as a display pattern.

【0025】このような液晶表示パネルを構成するTF
T側基板は以下のプロセスで作製される。まず、絶縁性
基板1の上にスパッタリング法によりタンタルを300
nmの厚みで成膜し、続いてフォトリソグラフィーの手
法により、ゲート電極7を有する走査線2をパターン形
成する。
TF constituting such a liquid crystal display panel
The T-side substrate is manufactured by the following process. First, 300 tantalum is deposited on the insulating substrate 1 by a sputtering method.
A film having a thickness of nm is formed, and then the scanning line 2 having the gate electrode 7 is patterned by a photolithography technique.

【0026】次に、走査線2と絶縁性基板1との間にス
パッタリング法、CVD法等により、五酸化タンタルや
窒化ケイ素、或は酸化ケイ素等からなるベースコート絶
縁膜20を積層形成する。このベースコート絶縁膜20
は必要に応じて形成される。次に、陽極酸化法又は熱酸
化法により、300nmの厚みの酸化絶縁膜4をゲート
電極7を有する走査線2の上に成膜する。本実施例で
は、陽極酸化法を用いた。
Next, a base coat insulating film 20 made of tantalum pentoxide, silicon nitride, silicon oxide, or the like is laminated between the scanning line 2 and the insulating substrate 1 by a sputtering method, a CVD method, or the like. This base coat insulating film 20
Are formed as needed. Next, an oxide insulating film 4 having a thickness of 300 nm is formed on the scanning line 2 having the gate electrode 7 by an anodic oxidation method or a thermal oxidation method. In this example, the anodic oxidation method was used.

【0027】次に、プラズマCVD法により、走査線2
および酸化絶縁膜4を覆うようにして絶縁性基板1の全
面にわたって窒化ケイ素を積層し、厚さ300nmのゲ
ート絶縁膜5を形成する。このように、酸化絶縁膜4の
上にゲート絶縁膜5を重畳して絶縁膜を多層構造にする
と、絶縁性の向上が図れる利点がある。続いて、ゲート
絶縁膜5の上に、プラズマCVD法によりアモルファス
シリコンを30nmの厚みで積層し、半導体層6を形成
する。
Next, the scanning line 2 is formed by the plasma CVD method.
Then, silicon nitride is laminated over the entire surface of the insulating substrate 1 so as to cover the oxide insulating film 4 to form a gate insulating film 5 having a thickness of 300 nm. As described above, when the gate insulating film 5 is superposed on the oxide insulating film 4 and the insulating film has a multilayer structure, there is an advantage that the insulating property can be improved. Then, on the gate insulating film 5, amorphous silicon is laminated with a thickness of 30 nm by the plasma CVD method to form the semiconductor layer 6.

【0028】次に、半導体層6の上に窒化ケイ素を20
0nmの厚みで積層し、続いて、フォトリソグラフィー
の手法によりエッチングストッパー層8をパターン形成
する。続いて、リンを添加したn+型アモルファスシリ
コンからなり、後にコンタクト層9a、9bとなる層を
プラズマCVD法により50nmの厚みで積層する。続
いて、フォトリソグラフィーの手法により、先ほど積層
した半導体層6と共に、コンタクト層9a、9bをパタ
ーン形成する。
Next, silicon nitride 20 is formed on the semiconductor layer 6.
The layers are stacked with a thickness of 0 nm, and then the etching stopper layer 8 is patterned by a photolithography technique. Subsequently, layers of n + type amorphous silicon to which phosphorus is added, which will be contact layers 9a and 9b later, are stacked with a thickness of 50 nm by a plasma CVD method. Then, the contact layers 9a and 9b are pattern-formed with the semiconductor layer 6 laminated previously by the method of photolithography.

【0029】次に、その上に、スパッタリング法でTi
膜を形成し、続いてフォトリソグラフィーの手法でこの
Ti膜をパターニングして、信号線3、TFT21のソ
ース電極10およびドレイン電極11を形成する。信号
線3、ソース電極10およびドレイン電極11の材料と
しては、Tiの他にAl、Cr、Mo等の他の金属を用
いることも可能である。
Next, on top of that, Ti is formed by a sputtering method.
After forming a film, the Ti film is patterned by a photolithography method to form the signal line 3, the source electrode 10 and the drain electrode 11 of the TFT 21. As the material of the signal line 3, the source electrode 10 and the drain electrode 11, other metals such as Al, Cr and Mo can be used in addition to Ti.

【0030】次に、パターニングされたTi膜の上に酸
化インジウムを主成分とする透明導電膜を80nmの厚
みで成膜し、続いてフォトリソグラフィーの手法により
絵素電極12と、この絵素電極12から分岐された付加
容量(図示せず)とをパターン形成する。
Next, a transparent conductive film containing indium oxide as a main component is formed to a thickness of 80 nm on the patterned Ti film, and then the pixel electrode 12 and this pixel electrode are formed by a photolithography technique. An additional capacitor (not shown) branched from 12 is patterned.

【0031】次に、上記の手順で形成された要素を覆う
ようにして、絶縁性基板1の全面にわたって、高誘電率
で、かつ絶縁性の高い材料特性を有する五酸化タンタル
等を用いて、CVD法、スパッタリング法等により保護
膜13aを形成する。ここで、保護膜13aの比誘電率
としては、10以上のものが好ましい。
Next, tantalum pentoxide or the like having a high dielectric constant and high insulating material characteristics is used over the entire surface of the insulating substrate 1 so as to cover the elements formed by the above procedure, The protective film 13a is formed by the CVD method, the sputtering method, or the like. Here, the relative permittivity of the protective film 13a is preferably 10 or more.

【0032】次に、保護膜13aの上に配向膜14を形
成し、これでTFT側基板が作製される。
Next, the alignment film 14 is formed on the protective film 13a, and the TFT side substrate is manufactured.

【0033】そして、このようにして作製されたTFT
側基板と、対向面側にカラーフィルタ16、対向電極1
7および配向膜18がこの順に積層形成されたガラス基
板15、すなわち対向側基板とを貼り合わせ、両者間に
液晶分子19を封入して本発明液晶表示パネルが作製さ
れる。なお、対向側基板の製造プロセスについては公知
のプロセスによって行われるので、具体的な説明につい
ては省略する。
The TFT manufactured in this way
The side substrate, and the color filter 16 and the counter electrode 1 on the counter surface side
7 and the alignment film 18 are laminated in this order on the glass substrate 15, that is, on the opposite side substrate, and the liquid crystal molecules 19 are sealed between the two to manufacture the liquid crystal display panel of the present invention. Since the manufacturing process of the opposite substrate is performed by a known process, a detailed description thereof will be omitted.

【0034】このような液晶表示パネルによれば、保護
膜13aが高誘電率で、かつ絶縁性の高い材料特性を有
する五酸化タンタル等の材料で形成されているので、絵
素電極12と対向電極17との間に電圧を印加して液晶
分子19を駆動する際に、液晶分子19に十分な電圧を
かけることが可能になる。従って、表示品位が低下する
ことがない。また、十分な絶縁性が確保されるので、電
流リークを生じず、歩留りの向上が図れる。
According to such a liquid crystal display panel, since the protective film 13a is formed of a material such as tantalum pentoxide having a high dielectric constant and a high insulating property, it faces the pixel electrode 12. A sufficient voltage can be applied to the liquid crystal molecules 19 when a voltage is applied between the electrodes 17 and the liquid crystal molecules 19 are driven. Therefore, the display quality does not deteriorate. Further, since sufficient insulation is secured, current leakage does not occur and the yield can be improved.

【0035】(実施例2)図2は、本発明液晶表示パネ
ルの実施例2を示す。この実施例2では、実施例1とは
異なり上記の保護膜13aを対向側基板側に設ける構成
をとる。即ち、図示するように、ガラス基板15の対向
面側であって、対向電極17と配向膜18との間に上記
同様の材料からなる保護膜13aが形成されている。
Example 2 FIG. 2 shows Example 2 of the liquid crystal display panel of the present invention. The second embodiment differs from the first embodiment in that the protective film 13a is provided on the counter substrate side. That is, as shown in the figure, a protective film 13a made of the same material as described above is formed on the opposing surface side of the glass substrate 15 and between the opposing electrode 17 and the alignment film 18.

【0036】本実施例2による場合も、実施例1同様に
表示品位および歩留りの向上が図れる。
Also in the case of the second embodiment, the display quality and the yield can be improved as in the first embodiment.

【0037】なお、上記のような保護膜13aは、TF
T側基板と対向側基板の双方に設けることにしても構わ
ない。
The protective film 13a as described above is formed of TF.
It may be provided on both the T-side substrate and the counter-side substrate.

【0038】また、上記各実施例では、TFT側基板お
よび対向側基板として共に透明ガラスを用いたが、これ
以外の透明材料を用いることも可能である。このように
両基板の材料として透明材料を用いる場合は、透過型の
液晶表示パネルを実現できる。また、いずれか一方の基
板として非透明性の材料を用いる場合は、反射型の液晶
表示パネルを実現できる。
In each of the above embodiments, the transparent glass is used for both the TFT side substrate and the counter side substrate, but other transparent materials can be used. When a transparent material is used as the material for both substrates in this way, a transmissive liquid crystal display panel can be realized. When a non-transparent material is used for one of the substrates, a reflective liquid crystal display panel can be realized.

【0039】また、上記各実施例ではスイッチング素子
としてTFTを用いたアクティブマトリクス駆動方式の
液晶表示パネルに本発明を適用する場合について説明し
たが、MIM素子、MOSトランジスタ素子、ダイオー
ド、バリスター等の他のスイッチング素子を用いた液晶
表示パネルについて同様に本発明を適用することができ
る。
Further, in each of the above embodiments, the case where the present invention is applied to the liquid crystal display panel of the active matrix drive system using the TFT as the switching element has been described, but the MIM element, the MOS transistor element, the diode, the varistor, etc. The present invention can be similarly applied to a liquid crystal display panel using another switching element.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上のように本発明液晶表示パネルは、
比誘電率10以上の高誘電性の材料を含む絶縁性保護膜
を液晶層といずれか一方の電極配線との間に設ける構成
をとるので、両電極配線間に電圧を印加して液晶を駆動
する場合に、液晶に電圧を十分にかけることができる。
従って、表示品位を向上することができる。また、絶縁
性が十分に確保されるので、電流リークを生じず、これ
に起因する不良品を発生することがない。それ故、歩留
りを向上できる。
As described above, the liquid crystal display panel of the present invention is
Since an insulating protective film containing a highly dielectric material having a relative dielectric constant of 10 or more is provided between the liquid crystal layer and one of the electrode wirings, a voltage is applied between both electrode wirings to drive the liquid crystal. In that case, a sufficient voltage can be applied to the liquid crystal.
Therefore, the display quality can be improved. Moreover, since sufficient insulation is secured, current leakage does not occur, and defective products due to this do not occur. Therefore, the yield can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明液晶表示パネルの実施例1を示す部分断
面図。
FIG. 1 is a partial sectional view showing a first embodiment of a liquid crystal display panel of the present invention.

【図2】本発明液晶表示パネルの実施例2を示す部分断
面図。
FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a second embodiment of the liquid crystal display panel of the present invention.

【図3】アクティブマトリクス基板を模式的に示す平面
図。
FIG. 3 is a plan view schematically showing an active matrix substrate.

【図4】液晶表示パネルの従来例を示す部分断面図。FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing a conventional example of a liquid crystal display panel.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁性基板 2 走査線 3 信号線 4 酸化絶縁膜 5 ゲート絶縁膜 6 半導体層 7 ゲート電極 8 エッチングストッパー層 9a、9b コンタクト層 10 ソース電極 11 ドレイン電極 12 絵素電極 13a 高誘電率の絶縁性保護膜 13b 絶縁性保護膜 14 配向膜 15 ガラス基板 16 カラーフィルタ 17 対向電極 18 配向膜 19 液晶分子 20 ベースコート絶縁膜 21 TFT(スイッチング素子) 22 走査線駆動回路 23 信号線駆動回路 1 Insulating Substrate 2 Scan Line 3 Signal Line 4 Oxide Insulating Film 5 Gate Insulating Film 6 Semiconductor Layer 7 Gate Electrode 8 Etching Stopper Layer 9a, 9b Contact Layer 10 Source Electrode 11 Drain Electrode 12 Pixel Electrode 13a High Dielectric Insulation Protective film 13b Insulating protective film 14 Alignment film 15 Glass substrate 16 Color filter 17 Counter electrode 18 Alignment film 19 Liquid crystal molecule 20 Base coat insulation film 21 TFT (Switching element) 22 Scan line drive circuit 23 Signal line drive circuit 23

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永安 孝好 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 片山 幹雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 水嶋 繁光 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Takayoshi Nagayasu 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka Within Sharp Corporation (72) Inventor Mikio Katayama 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka, Osaka Incorporated (72) Inventor Shigemitsu Mizushima 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対向面側に電極配線がそれぞれ形成さ
れ、少なくとも一方が透光性を有し、相互に貼り合わさ
れる一対の基板間に液晶層を封入した液晶表示パネルに
おいて、 少なくとも該液晶層といずれか一方の該電極配線との間
に、比誘電率10以上の高誘電性の材料を含む絶縁性保
護膜を形成した液晶表示パネル。
1. A liquid crystal display panel in which electrode wirings are formed on opposing surfaces, at least one of which has a light-transmitting property, and a liquid crystal layer is enclosed between a pair of substrates which are bonded to each other. A liquid crystal display panel in which an insulating protective film containing a high-dielectric material having a relative dielectric constant of 10 or more is formed between and one of the electrode wirings.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6424012B1 (en) 1999-04-20 2002-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a tantalum oxide blocking film
KR100356832B1 (en) * 1999-04-23 2002-10-18 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 Method for manufacturing high aperture ratio and high transmittance LCD
KR100336895B1 (en) * 1998-12-30 2003-06-09 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 High opening and high transmittance liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2005316001A (en) * 2004-04-27 2005-11-10 Sony Corp Liquid crystal display element and projection display apparatus
US7116301B2 (en) 2002-04-09 2006-10-03 Sharp Kabushiki Kaisha Driving device for electro-optic device, display device using the driving device, driving method thereof, and weight determination method thereof
DE112006000884B4 (en) * 2005-05-20 2010-02-25 Aisin AW Co., Ltd., Anjo Connection setup for an automatic transmission

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100336895B1 (en) * 1998-12-30 2003-06-09 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 High opening and high transmittance liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US6424012B1 (en) 1999-04-20 2002-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a tantalum oxide blocking film
US6677221B2 (en) 1999-04-20 2004-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and the fabricating method therefor
KR100356832B1 (en) * 1999-04-23 2002-10-18 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 Method for manufacturing high aperture ratio and high transmittance LCD
US7116301B2 (en) 2002-04-09 2006-10-03 Sharp Kabushiki Kaisha Driving device for electro-optic device, display device using the driving device, driving method thereof, and weight determination method thereof
JP2005316001A (en) * 2004-04-27 2005-11-10 Sony Corp Liquid crystal display element and projection display apparatus
DE112006000884B4 (en) * 2005-05-20 2010-02-25 Aisin AW Co., Ltd., Anjo Connection setup for an automatic transmission

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