JPH10165970A - オゾンの水処理施設 - Google Patents

オゾンの水処理施設

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JPH10165970A
JPH10165970A JP8325032A JP32503296A JPH10165970A JP H10165970 A JPH10165970 A JP H10165970A JP 8325032 A JP8325032 A JP 8325032A JP 32503296 A JP32503296 A JP 32503296A JP H10165970 A JPH10165970 A JP H10165970A
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JP
Japan
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ozone
water
electron beam
treated
basin
Prior art date
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Application number
JP8325032A
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English (en)
Inventor
Shigeo Shiono
繁男 塩野
Masamitsu Nakazawa
正光 中沢
Naoto Komatsu
直人 小松
Koji Kageyama
晃治 陰山
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/30Treatment of water, waste water, or sewage by irradiation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00Treatment of water, waste water, or sewage
    • C02F1/72Treatment of water, waste water, or sewage by oxidation
    • C02F1/78Treatment of water, waste water, or sewage by oxidation with ozone

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  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Physical Water Treatments (AREA)
  • Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】オゾン接触池1から流出した被水処理はオゾン
を含むので、直接オゾンを排気すると悪影響を与えるの
で、オゾンを分解する設備を必要とする。 【解決手段】オゾンガスと被処理水とを混合させるオゾ
ン接触池1に設けた越流壁1dを通過する被処理水に電
子ビーム6bを照射する電子ビーム照射装置6を設け
る。 【効果】被処理水の深さが浅い越流壁1dに電子ビーム
6bを照射すれば、小さな照射エネルギーでよく、小型
の電子ビーム照射装置6を使用出来るばかりか、オゾン
を分解する設備の小型化できるので、トータル建設コス
トが低減できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、オゾンの酸化力を
応用した上水,下水等の殺菌・脱臭・脱色・有機物分解
を目的とした水処理施設あるいはパルプの漂白などに代
表させる産業プラント内のオゾンの水処理施設に関す
る。
【0002】
【従来の技術】オゾンを利用した水処理施設の例として
は、特開昭61−71888 号公報の「オゾンによる水処理方
法」、特開平5−23686号公報の「水のオゾン処理法」な
どが公知で、実際に100〜800Km3/日 処理プラン
トに実用化されている。これは、環境問題の解決手段と
して、上水プラントでは河川より取水して浄化して市民
へ給水しているが、河川の汚染による有害物質を取り除
く為にオゾン処理装置を追加すること、或いは下水プラ
ントにおいては河川への放流により汚染しない為にオゾ
ン処理装置を追加して、中水処理して放流すること、或
いはパルプ漂白プラントでは臭気放出を抑制する為にオ
ゾン処理装置を追加して、脱臭することなどが実用化さ
れている。
【0003】従来のオゾン処理では、オゾンの直接酸化
反応と間接酸化反応とが同時に進行するので、被処理水
中に含有する有機物質の種類によって、オゾン酸化反応
時間はそれぞれ異なる。一般に、上下水プラントの例で
述べれば、有機物質のうち、臭気物質の2−MIB(メ
チルイソボルネオール)は比較的早くオゾン化反応して
分解する。Mn+2物質は時間をかければ、オゾン化反応
をして分解する。フミン酸や農薬物質は離分解性を有
し、相当長い時間をかけないと、オゾン化反応して分解
しない。
【0004】一方、被処理水とオゾンとの混合反応をよ
くする為に迂流式向流の分割槽として、下部よりオゾン
ガスを吹き込み、ガス気泡の上昇力と被処理水の下降向
流力とにより、混合反応させる所謂オゾン接触時間を長
くとるオゾン接触池構造が実用化されている。通常、建
設コストも考えて、オゾン接触池はオゾン接触槽とオゾ
ン滞留槽との構造として、約6分+4分=10分のオゾ
ン接触時間として設計施行されている。更にオゾン接触
時間10分の構造より前述のオゾン化反応で難分解性物
質は、次の水路の活性炭吸着池で物理的に除去する組合
せ方法としている。
【0005】
【発明が解除しようとする課題】近年、環境基準が厳し
くなり、上下水プラントの水質基準も監視測定すべき水
質項目が26→85項目に強化されている。ここに、前
述オゾン処理施設の建設コストにおいて、電気・機械費
と土木・建築費とのコスト構成は3対7で、後者が圧倒
的にウエイトが高いので、トータルコストの低減による
オゾン処理プラントの普及の為には、土木・建築費の低
減が効果的である。故に、オゾン接触池を活性炭吸着池
との縮少化が望まれている。
【0006】本発明の目的は、オゾン化反応時間を短縮
してオゾン接触池を小さくすることとオゾン接触池の上
部に排出させる排オゾン残留ガスも分解することを可能
にした経済的なオゾンの水処理施設を提供することにあ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のオゾンの水処理
施設は、オゾンガスと被処理水とを混合させるオゾン接
触池において、上記オゾン接触池に設けた越流壁を通過
する被処理水に電子線を照射する電子ビーム照射装置を
設けることにある。
【0008】即ち、越流壁を通過する被処理水に電子線
を照射すると排オゾンガスも分解しながら、液体中の有
機物質も分解する併用効果が生ずると共に、越流壁によ
り越流水深が浅くなった所に電子線を照射するするの
で、小型の電子線ビーム照射装置を使用することができ
る。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明のオゾンの水処理施
設の実施例を図1から図7により説明する。図7は、本
発明の上水プラントプロセス例において電子線を照射す
る部位の位置付けを説明するものである。河川10より
取水ポンプ11により被処理水をくみあげて沈砂池12
の水より、重い物質を取り除き、落差水位レベルが得ら
れているから、次の凝集沈殿池13に入り、水中に混在
する浮遊物質を硫酸バンド剤などで固形化して沈殿させ
る。凝集沈殿池13より流出した被処理水はオゾン接触
池1に流れ込むと、オゾン発生設備3によりオゾン接触
池1内の底部よりオゾン散気すると、オゾン気泡の上昇
力により、上側へ浮上してゆく。
【0010】一般に被処理水へのオゾン溶解は約80%
がオゾン酸化消費に使われ、残り約20%が未反応のま
ま密閉されているオゾン接触池1の上側空間に排オゾン
ガスとして排出してくるが、オゾンは有害ガスであるの
で、外部に設置した排オゾン処理装置4により分解され
て、0.05ppm排出基準として外部へ放出せしめてい
る。電子ビーム照射装置6はオゾン接触池1内の越流壁
の上部に▽印を設けて、電子線を照射する。次に、活性
炭吸着池5に入って物理的に濾過して、飲料水となり、
塩素混和池14に入って水道法に定めた基準の塩素(C
l)を混入して、図示外の配水池に至り、各々市民への
飲料水を給水する。
【0011】図1は、オゾン接触池1の構造断面図であ
る。オゾン接触池1は処理水量計2により、被処理水量
Qが与えられるが、上水プラント規模により10〜1,000K
m3/日と定格値は異なるが、オゾンガスとの混合をよく
する為に、迂流式向流の分解槽で構成されている。オゾ
ン発生設備3よりオゾン化ガスは散気管1aにより放出
されるので、気泡状の気体となって浮上してゆく。ここ
に、被処理水は越流水1bとして越流速値(例えば0.
1〜1m/sec)をもたせているので、オゾン気体と混
合しやすい。これをNo.1段オゾン接触槽と称する。仕
切壁により再度上昇流速値を保って、No.2段オゾン接
触槽に越流して、No.1段オゾン接触槽と同様のオゾン
気体との混合を行わせる。尚、処理水量が多いときはN
o.1〜3段まで槽を増やし、少ない時はNo.1段までで
よい。それはオゾン注入率指標(被処理水量に対するオ
ゾン注入量:mg/l)によって決まり、上水プラントで
は0.7〜3mg/l 、下水プラントでは5〜20mg/l
となる。図1においては、No.3段をオゾン滞留槽とし
て被処理水中に混在するオゾンが充分にオゾン化反応す
る為の反応時間を得る為にある。従って、オゾン接触池
1は、No.1〜2段オゾン接触槽とNo.3段オゾン滞留
槽とから構成される。
【0012】一方、散気管1aからのオゾンガスは気泡
浮力として上昇しながら、被処理水中の有機物との酸化
反応に消費されてゆくが、密閉上部の空間部には未消費
の排オゾンガス1cが浮上して蓄積されてしまう。そこ
で、外部に設けた排オゾン処理装置4により、排オゾン
ガス1cを分解して無害にした後、大気放出させる。そ
の方法は100%湿度を有する排オゾンガス1cをNo.
3段オゾン滞留槽の図1の右端側より取出し、ミストセ
パレータ(M.S)4aでドレン除去して、加温ヒータ
(H)4bにより、約60℃にガス加温して、触媒(M
nO2 )4cで効率よくO3→O2、Oに分解せしめ、吸
引ファン(F)4dにより外部へ排出させる仕組みであ
る。
【0013】さて、越流壁1dはNo.3段オゾン滞留槽
の入口側にあるが、No.1とNo.2段オゾン接触槽側に
も同様に設けて迂流式向流の被処理水の流れを生じせし
めている。従って、越流壁1bの部位は3ヶ所にあるこ
ととなる。被処理水の静的水位レベル△WLは水深Wh
で与えられ(一般にWh≒6m)、動的水位レベル△W
Lは処理水量Qにより変化し、Qが多いと△WLは大き
くなり、Qが少ないと△WLは小さくなる。
【0014】電子ビーム照射装置(EB)6は、遮蔽ケ
ース6aにより大気側と隔離して電子ビーム6bを下降
照射させると、排オゾンガス1cの通過時にオゾンを分
解しながら、越流壁1dの上部側の越流水1bにも照射
されて、被処理水の液体中の離分解性有機物を分解でき
る。電子ビーム6bの強さは電子ビーム電源装置7の容
量により制限されるから、この発明では越流壁1dを通
過する被処理水に電子ビーム6bを照射する時に、越流
壁1dにより越流水深が浅くなった所に電子ビーム6b
を照射するするので、越流壁1dを使用しない装置に比
べて小型の電子線ビーム照射装置6を使用することがで
きる。
【0015】次に、No.3段オゾン滞留槽の被処理水は
活性炭吸着池5に入る。活性炭5aは粒状のものを用い
層厚み2〜3mとして物理的に不純物、離分解性有機物
をろ過させるので、取水口5bは活性炭5aの上側に均
等に入れて下部より流出して、出口5cに至る。尚、排
オゾンガス1cはNo.1とNo.2段オゾン接触槽上部が
殆どで、No.3段オゾン滞留槽は微少である。その理由
はNo.1〜No.2段オゾン接触槽の底部に散気管1aが
配置されて、オゾン散気させている為である。従って、
No.1あるいはNo.2段オゾン接触槽の越流壁1dの部
位に電子線を照射してもよいが、図1の構造ではNo.3
段オゾン滞留槽の越流壁1dの部位が好適である。何故
ならば、この実施例ではNo.3段オゾン滞留槽の下流側
にはオゾン発生設備3、オゾン化ガスを排気する散気管
1a等がないからであり、また余った排オゾンの一部を
排気する排オゾン処理装置4がNo.3段オゾン滞留槽の
流出側に配置されているからである。
【0016】図2は、別種のオゾン接触池の場合の説明
図で加圧型オゾン接触池8と呼ばれている構造で、被処
理水Qは入口部8aより中心パイプ8bに入って下降
し、下端で開放されて上昇し、静的水位レベルWLに至
り、越流水8dとなって出口部8cに至る。オゾンガス
はオゾン注入パイプ8eで混合させる。水深Whは約2
0mとするので、約20kgf/cm2 の水圧が加わり、オ
ゾンガスがヘンリーの法則により、被処理水と混合して
オゾン化反応が早くなる効果を狙ったものである。
【0017】さて、動的水位△WLもQに比例して変化
するが、A−A′断面図の図3に示したように円筒形と
するので、電子ビーム6bを照射する部分は出口部8c
の上側が集水されて、排出個所からの排オゾンガス8f
が排オゾン処理装置4に注入口するNo.3段オゾン接触
槽内の排気路側の越流壁1dに電子ビーム6bを照射す
ることにより、小型の電子線ビーム照射装置6を使用す
ることができるようにして、図1に前述した同様の効果
が得られる。
【0018】図3は、オゾン接触池1と活性炭吸着池5
とにおいて、被処理水中の有機物のオゾン分解率がどの
ように低減するかを示した説明図で、A曲線は臭気物
質、特に2−MIBのオゾン分解率の効果を示し、No.
1〜No.2段オゾン接触槽でほとんどなくなること、即
ち、オゾン酸化反応がよく行われて2−MIB物質を分
解していることを示している。
【0019】次に、図4のB曲線はMn+2物質のオゾン
分解率の効果を示し、No.1〜2段オゾン接触槽、No.
3オゾン滞留槽でも未分解として残り、次の活性炭吸着
池5側で物理的に除去していることを示す。C曲線はフ
ミン酸類、農薬物質の離分解性有機物質のオゾン分解率
の効果を示し、活性炭吸着池5側でも除去しきれないこ
とを示している。しかしながら、A〜Cに3分類した物
質は各々管理基準の濃度が異なるので、今のところ、規
制値はクリヤーしているが、今後規制強化が行われると
何らかの対策が必要となる。
【0020】電子ビーム照射装置6が図5中の▽印点及
び越流壁1dに電子ビーム6b照射すると、A〜C曲線
共に点線で示したB′,C′曲線となり、当該有機物の
分解が加速される。つまり、No.3オゾン滞留槽は越流
壁1dを使用しない従来技術に比べて小さく出来る。こ
の点は活性炭吸着池5及び排オゾン処理装置4について
も上述と同様に小さくすることが出来ることを示してい
る。また電子ビーム照射装置6の出力によっては排オゾ
ン処理装置4を省略することもできる。
【0021】図5,図6は、オゾン接触池1内の越流壁
1dの斜視図を示したもので、図5では静的水位レベル
WLを0点としてX方向とY方向とにより、越流面積を
示し、動的水位△WLによる高さはZ方向で示すと、越
流水1bはX方向の流れとして、△WLの液体深さとな
る。ここに、電子ビーム6bをスキャニング角度θで高
速スキャニング照射するが、X方向角はθxとしY方向
角はθyとすると、電子ビーム6bは拡り角θx一定で
θy方向のみを往復スキャニングするのみで照射すれば
よい。
【0022】図6は同様に越流壁1dの上側面積は図5
と同じであるがY方向を半減した場合を示し、越流水1
bの水量は同じであるから動的水位レベル△WL′は大
きく、つまり△WL′の液体深さは図5の2倍と深くな
る。この時、電子ビーム6bのスキャニングするY方向
のθy′は小さくするが、△WL′が深くなるので、電
子ビーム6bを大きくする。つまり電子ビーム電源装置
を大きくして、強力電子線を励起させる必要がある。経
済性より、図5の構造とした方が電子ビーム電源装置も
小型となり安い。従って、越流壁1dは越流水1bの流
れる方向の面積S1の直角方向の面積S2を面積S1よ
り大きくすることで、経済的効果が得られることを示し
ている。なお、Y方向スキャニング角θyが大きい場合
は電子ビーム照射装置6を複数個Y方向に配置すればよ
い。
【0023】図8は、排オゾン処理装置4の触媒(Mn
2 )4cの充填量(l)の最適条件を求める時に用い
る設計特性図で、処理風量250Nm3/h 、排オゾン濃
度4g/Nm3の時の例を示す。横軸の空間速度SV(1
/h)15は触媒(MnO2)4cの交換寿命を示す指標
値で、一般に3年毎交換を目安とするとSV=1,5000
(1/h)を狙う。
【0024】α特性は、従来の場合の排オゾン量(オゾ
ン濃度と処理風量)をベースにした時の特性で、SV=
1,500 とした時に触媒量が約180l必要であっ
た。
【0025】β特性は、図1に示した方法で電子ビーム
6b照射するとオゾン分解されて入力される排オゾン濃
度が低下するので、SV=1,500 の時に約50lで
よいことを示している。つまり、触媒量は180→50
lに低減される効果を生ずる。
【0026】このように、オゾン化反応と電子ビーム6
bの照射との併用による相乗効果に対し、図7のプロセ
スにおいて越流する部分の各種槽においては、越流壁の
上部に電子ビーム6b照射すると化学的反応でなく、電
子線分離反応となるので、例えば凝集沈殿池13の越流
壁部分や塩素混和池14の越流壁部分に電子ビーム照射
装置6を設けてもよい。この時の効果は、化学的反応で
処理できぬ物質が液体中に混合して分解したい場合、或
いは化学反応の為の投入薬品の減量化したい時などに役
立つものである。
【0027】
【発明の効果】本発明によれば、次の効果が得られる。
【0028】(1)オゾン接触池の越流壁の上部を通過
する越流水部分に電子線を照射することにより、オゾン
酸化反応で分解しにくい離分解性有機物も電子線分離反
応で分解することで、オゾン滞留槽の容量を小さくする
事ができる。即ち、オゾン接触池の小型化ができて、後
段の活性炭吸着池の活性炭量も減量化できるので、同時
に活性炭吸着池も小型化出来て、大巾な土木・建築コス
トが削減できる。
【0029】(2)オゾン接触池内の上部密閉空間に排
出させる排オゾンガスも電子線が照射されるので、オゾ
ン分解し、外部の排オゾン処理装置の触媒充填量を減量
化して、小型化,安価にできる。
【0030】(3)オゾン接触池内の越流壁により、動
的水位レベルが小さくなり、越流水深が浅いところに電
子ビームを照射するので、越流壁を使用しない電子ビー
ム照射装置に比べて、本発明の電子ビーム照射装置は出
力の小さく装置を使用出来るので、小型で経済的な安価
な電子ビーム照射装置を使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例として示したオゾン接触池の
構造断面説明図である。
【図2】本発明の別種のオゾン接触池の構造断面説明図
である。
【図3】図2のA−A断面図である。
【図4】図1のオゾン分解率特性図である。
【図5】図1のオゾン接触池内の越流壁の斜視図であ
る。
【図6】他の実施例であるオゾン接触池内の越流壁の斜
視図である。
【図7】上水プラントプロセス説明図である。
【図8】排オゾン処理装置の触媒充填量特性の説明図で
ある。
【符号の説明】
1…オゾン接触池、1a…散気管、1b…越流水、1c
…排オゾンガス、1d…越流壁、2…処理水量計、3…
オゾン発生設備、4…排オゾン処理装置、4a…ミスト
セパレータ、4b…加温ヒータ、4c…触媒、4d…吸
引ファン、5…活性炭吸着池、5a…活性炭、5b…取
水口、5c…出口、6…電子ビーム照射装置、6a…遮
蔽ケース、6b…電子ビーム、7…電子ビーム電源装
置、8…加圧型オゾン接触池、8a…入口部、8b…中
心パイプ、8c…出口部、8d…流水、8e…オゾン注
入パイプ、8f…排オゾンガス、9…オゾン分解率、1
0…河川、11…取水ポンプ、12…沈砂池、13…凝
集沈殿池、14…塩素混和池、15…空間速度。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C02F 1/50 531 C02F 1/50 540A 540 550H 550 560C 560 B01D 53/34 120B (72)発明者 陰山 晃治 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】オゾンガスと被処理水とを混合させるオゾ
    ン接触池において、上記オゾン接触池に設けた越流壁を
    通過する被処理水に電子線を照射する電子ビーム照射装
    置を設けたことを特徴とするオゾンの水処理施設。
  2. 【請求項2】オゾン接触池と排オゾン発生装置との間の
    排オゾンガス路に電子ビーム照射装置より電子線を照射
    することを特徴とする請求項1記載のオゾンの水処理施
    設。
  3. 【請求項3】上記越流壁の被処理水が通過する方向の直
    角方向の面積を通過する方向の面積より大きくすること
    を特徴とする請求項1又は請求項2記載のオゾンの水処
    理施設。
JP8325032A 1996-12-05 1996-12-05 オゾンの水処理施設 Pending JPH10165970A (ja)

Priority Applications (1)

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JP8325032A JPH10165970A (ja) 1996-12-05 1996-12-05 オゾンの水処理施設

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1400493A1 (de) * 2002-09-17 2004-03-24 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung einer schadstoffbelasteten Flüssigkeit
CN106115987A (zh) * 2016-06-30 2016-11-16 仲伟伦 无添加剂污水处理工艺及装置

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EP1400493A1 (de) * 2002-09-17 2004-03-24 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung einer schadstoffbelasteten Flüssigkeit
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