JPH10161074A - 光データ送信デバイス - Google Patents

光データ送信デバイス

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JPH10161074A
JPH10161074A JP9328169A JP32816997A JPH10161074A JP H10161074 A JPH10161074 A JP H10161074A JP 9328169 A JP9328169 A JP 9328169A JP 32816997 A JP32816997 A JP 32816997A JP H10161074 A JPH10161074 A JP H10161074A
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voltage
low
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electrodes
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ドウニ・ペナンク
Philippe Delansay
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    • H04B10/2507Arrangements specific to fibre transmission for the reduction or elimination of distortion or dispersion
    • H04B10/2513Arrangements specific to fibre transmission for the reduction or elimination of distortion or dispersion due to chromatic dispersion
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    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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    • G02F1/21Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference
    • G02F1/225Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference in an optical waveguide structure
    • G02F1/2257Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference in an optical waveguide structure the optical waveguides being made of semiconducting material

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  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光ファイバによる二進データの伝送距離を大
きくする改善された光データ送信デバイスを提供する。 【解決手段】 送信デバイスは、光パワーが低いがゼロ
ではない各二進セルの内部で180°付近の位相偏移を
つくりだすように、発生した光波(S)のパワーと位相
の変調を行なうことによってファイバによって生じた色
分散を補正する。送信デバイスは、III−V元素の基
板上に形成され、電極(Ka、Kb)に加えられた電圧
(Va、Vb)がない場合には、弱め合う干渉がつくり
出されるように設計された「マッハ−ツェンダー」タイ
プの干渉計(1)を備えている。制御回路(2)は、ほ
ぼ等しい直流成分を有する制御電圧(Va、Vb)を電
極(Ka、Kb)に加え、制御電圧のいずれか一つ(V
a)は、バイアス電圧(Vpa)と、入力電気信号
(E)の低域通過濾波によって得られた濾波信号(e
a)を重ね合わせた結果生じる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学手段によるデ
ジタルデータの伝送の分野に関する。詳細には、光ファ
イバを使用する長距離ケーブルによる大容量伝送に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】このような伝送は、ファイバを介して光
受信機に接続された光送信機を用いて行われる。送信機
は、伝送される情報に応じてパワーが変調される光搬送
波を使用する。通常、変調とは、二つのレベル間の搬送
波のパワーを変化させることからなる。二つのレベルと
は、波の消滅に対応する低レベルとレーザ発振器の最大
光パワーに対応する高レベルである。慣例によって、低
レベル及び高レベルは、それぞれ二進値「0」及び
「1」を表わす。波のレベル変化は、クロック信号によ
って強制された瞬間に始まり、こうしてクロック信号
は、伝送するデータに割当てられた連続的なタイミング
セルを規定する。
【0003】一般に、最長伝送距離は、光ケーブル内で
変調された波の伝播後に、受信機がそれら二つのレベル
のパワーを誤差なく検知できるという可能性によって制
限される。この距離を大きくするためには、一般には、
高レベルの平均光パワーと低レベルの平均光パワーとの
比を大きくしようとする。この比が変調の特徴の一つで
ある「消光比」を規定する。
【0004】さらに、距離及び消光比が一定の場合は、
情報伝送速度がファイバの中に生じる色の分散によって
制限される。この分散は、伝送される波の波長に依存す
るファイバの有効屈折率から生じるものであるが、結果
的に発生するパルス幅が、ファイバに沿ってパルスが伝
播されるにつれて大きくなる。
【0005】この現象の影響を抑えるために、適切な符
号化を用いて伝送される信号のスペクトル帯の幅を小さ
くすることが提案された。とりわけ、電気伝送の分野に
おいてよく知られている「二重二進(duobinary)」コ
ードを使用することが提案された。このコードは、実際
に、信号のスペクトル帯を二つに分割する特性を有して
いる。このコードによれば、それぞれが0と+と−で表
わされる三つのレベルの信号が使用される。二進数0は
レベル0によって符号化され、数1は、連続する偶数ま
たは奇数の「0」を取り囲む「1」の連続する二つのブ
ロックを符号化するレベルが、それぞれ同じであるか異
なるかに応じて、符号化規則に従って、レベル+もしく
はレベル−によって符号化される。
【0006】光伝送のための二重二進コードの使用につ
いては、X.Guらによる論文「10Gbit/s unrepeatered th
ree-level optical transmission over 100 km of stan
dardfibre」ELECTRONICS LETTERS、1993年12月9日、vo
l.29、No.25に記載されている。この論文によれば、三
つのレベル0、+、−は、それぞれ光パワーの三つのレ
ベルに対応している。
【0007】番号FR−A−2 719 175で公開
されたフランス特許出願No.94047 32はま
た、光学装置に適用される二重二進符号化について述べ
ている。同書によれば、二進数「0」は常に光パワーの
低レベルに対応するが、記号+及び−は、それぞれ、同
じ高レベル光パワーに対応し、180°の光搬送波の位
相差によって区別される。
【0008】位相反転型のこの二重二進コードの使用に
ついてはまた、K.Yonenagaらによる論文「Optical duob
inary transmission system with no receiver sensiti
vitydegradation」ELECTRONICS LETTERS、1995年2月16
日、vol.31、No.4に記載されている。
【0009】そのようなこのコードの実験報告書が、従
来のNRZ(ゼロ復帰なし)コードに対する改良を発表
しているにもかかわらず、このような改良が常に見られ
るわけではない。このように、特にできるだけ高い消光
比をつくりだすことによって、このコードの理想的な利
用条件に近づくと、最大の改良が検証されるはずであ
る。しかし逆説的に、シミュレーション及び試験によっ
て、期待されていたのとは反対の結果が出た。
【0010】ところで、光学装置というコンテキストに
おいて二重二進コードの物理的作用を詳細に分析してみ
ると、信号のスペクトル帯幅の大きな減少が得られるこ
とがわかる。反対に、このコードは、個別に考察される
各パルスのスペクトルに対して影響を与えず、その一方
で、スペクトルは色の分散作用に関しては決定的な役割
を果たしている。
【0011】様々な論文によって詳細に述べられている
肯定的結果については説明が難しい。というのも、特定
の実験パラメータ(ファイバの長さ及び品質、データレ
ート)を検証できたとしても、他のパラメータ、たとえ
ば光学的構成要素の特性及び検査用電子回路の実際の作
動については精密には検証できないからである。
【0012】シミュレーションと試験を行なった後に、
実験パラメータを変化させることによって、搬送波の位
相差が、個別の各「1」または「1」の各ブロックに先
立つまたは続く各「0」の内部で生じるという条件で、
改良を得ることができるように思われた。位相差の絶対
値はおよそ180°とすることができる。さらに、
「0」を符号化する低レベルのパワーができるだけ小さ
くなるようにしてはいけない。すなわち消光比ができる
だけ大きくなるようにしてはいけない。実際に、消光比
の最良値は、他の実験パラメータの複雑な関数である。
たとえば、最良値として20以下を選択することができ
る。
【0013】したがって、論理的「1」に対応する連続
するセルのブロック全体あるいはまた論理的「1」に対
応する個別のセル全体に先立つまたは続く論理的「0」
に対応する各セルの内部でおよそ180°の位相差を、
搬送波に印加することができる送信デバイスをつくりだ
すことが必要となる。
【0014】そのためには、それ自体が位相変調器に連
結された光パワー変調器に連結されたレーザ発振器を使
用することができる。変調器の適切な電気制御によっ
て、光パワー変調器は、位相変調器に対してレーザ波長
によって搬送される振幅可変波を供給し、位相変調器
は、出力において、パワー及び位相が変調された波を供
給する。
【0015】変形例として、パワー変調器に光学的に連
結されているレーザ発振器を使用することもできる。全
体は単に、従来タイプの変調器内蔵型レーザで構成する
ことができる。先述の実施形態とは反対に、位相変調は
ここでは、レーザの投入電流に働きかけることによって
得られる。この実施形態は、投入電流に応じた可変周波
数で振動するというレーザの特性を利用している。最良
化された実施形態においては、発生した波のパワーが感
知できる程度の変動を受けることなく、電流のわずかな
変化が十分な周波数の変化を引き起こすことができるよ
うに、レーザが設計される。
【0016】しかしながら、これら二つの解決策は、複
雑で費用のかかる電気制御を必要とするという不都合を
有している。
【0017】制御を簡略化するために、位相の偏移は論
理的「0」を含む各セル中で対称的に行なうことができ
るという点を活用し、「マッハ−ツェンダー」タイプの
干渉計変調器を使用することができる。このような変調
器は、二つの分岐部に分割され、さらに出力ガイドを形
成するために再び結合される入力光ガイドで構成された
干渉計構造を有している。二つの分岐部を通してそれぞ
れ電界を印加するために電極が設けられている。入力光
ガイドが、一定のパワーの搬送波を受取ると、二つの部
分波が二つの分岐部の中に伝播し、さらに出力において
干渉し合う。その結果、出力ガイドは、パワーと位相が
電極に加えられる電圧値に依存する波を供給する。パワ
ーと位相が変調される波をつくりだすために、少なくと
も電極の一つに対して、送信される二進信号に対応する
振幅が変調される電圧が加えられる。
【0018】位相の変化は、発生した波のパワーが最小
値をとる瞬間に発生する必要があることから、電極をバ
イアスさせることが必要である。その結果、変調がない
場合には、加えられた電圧の直流成分が、二つの部分波
が最も弱め合う干渉をするようなものとなる。変調器が
二つの等しい分岐部を有する場合には、この条件は、直
流成分が様々に異なることを前提とする。
【0019】変調器は、ニオブ酸リチウムLiNbO3
の基板上につくることができる。ただし、 LiNbO3
上の変調器は内蔵することができず、高価であるととも
に老朽化しやすい。そこで、構成は同じであるがリン化
インジウム(InP)のようなIII−V元素の基板上
で形成される干渉計変調器を使用することが考えられ
る。しかしながら、このような置換えは十分なものでは
ない。なぜなら、ニオブ酸リチウムの場合とは反対に、
III−V元素における非線形電子光学的作用に起因す
るガイド内の減衰は、加えられた電圧に大きく依存して
いるからである。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】このように、本発明の
目的は、先述の解決策の欠点をもたない光学データ送信
デバイスを提案することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】より厳密には、本発明
は、パワー及び位相が変調された光波の形態における二
進データの送信デバイスであって、−入力光波を受取る
のに適した入力光ガイドが、二つの部分波をガイドする
ために二つの分岐部に分割され、さらにそれら二つの分
岐部が出力ガイドを形成するために再び結合され、前記
二つの分岐部を通してそれぞれ電界を印加するために電
極が設けられている「マッハ−ツェンダー」タイプの干
渉計構造体と、−送信する二進データを表わす低レベル
電圧と高レベル電圧の間で変調された入力電気信号に応
じて前記電界を印加するための制御回路を備えており、
さらに、前記干渉計構造体が、III−V元素の基板上
に形成されたp−i−nタイプであり、前記二つの分岐
部が、印加された電界がない場合には前記二つの部分波
が弱め合う干渉をするように寸法決めされ、前記制御回
路が、それぞれほぼ等しい直流成分を有する制御電圧を
電極に加えるために設計され、前記制御電圧の少なくと
も一つは、前記入力電気信号の低域通過濾波によって得
られる濾波信号及びバイアス電圧を重ね合わせた結果生
じることを特徴とする送信デバイスを対象とする。
【0022】「反対称」干渉計構造体及び適合した制御
装置の選択によって、電極に加えられる平均電圧は小さ
くなり、その結果、減衰を減少させるとともに、光パワ
ー0への移行に対する位相の変化を固定させることがで
きる。
【0023】一定の消光比について、電極に加えられた
平均電圧をさらに低くさせることができる変形例によれ
ば、装置は、前記制御電圧が、それぞれ、前記入力電気
信号と、低レベル電圧と高レベル電圧との間で変調さ
れ、送信される前記二進データの相補的な値を表わす相
補的な入力電気信号の低域通過濾波によって得られる濾
波信号とバイアス電圧を重ね合わせることの結果として
生じることを特徴とする。
【0024】反対称変調器の万一の製造欠陥を補うため
に、都合よく、前記バイアス電圧の値は、前記直流成分
が前記電極に印加される時に、前記二つの部分波ができ
るだけ弱め合う干渉となるように選択されると想定され
る。
【0025】図面を参照して、本発明の他の側面及び利
点を説明する。
【0026】
【発明の実施の形態】図1は、本発明による送信デバイ
スの第一の実施の形態を示している。装置は主に、マッ
ハ−ツェンダータイプの変調器1と制御用電子回路2に
よって構成されている。変調器1は、リン化インジウム
InPのようなIII−V元素の基板上に形成される。
変調器は、入力カプラCeを介して二つの分岐部Ba及
びBbに分割される入力ガイドGeを有する。二つの分
岐部Ba及びBbは、出力ガイドGsを形成するために
出力カプラCsのレベルで再び結合する。それぞれ分岐
部Ba及びBb上に置かれた電極Ka及びKbは、制御
回路2から電圧Va及びVbを受取るために設けられて
いる。変調器1の下面に置かれた第三の電極K2はアー
スに接続される。
【0027】入力ガイドGeは、ここには示されていな
いレーザ発振器によって発生する連続波Mを受取る。出
力波Sは、出力ガイドGsによって供給される。
【0028】分岐部Baのレベルでの変調器1の断面図
を示す図2は、その内部構造をより詳細に表わしてい
る。変調器1は、nドープされたInPの基板上に形成
され、この基板上に、能動層CAとpドープされたIn
P層4と接触層5が連続的に形成された。次に、「リッ
ジ」と呼ばれる構造をつくりだすように構成部分の上面
が側方向にカッティングされた。次に、ポリイミドでで
きた側面絶縁層6、さらに上部電極Ka及び下部電極K
2が置かれた。能動層CAはたとえば量子ウェル型構造
を有している。
【0029】入力光波Mの一定の波長について、本発明
による変調器は、上部電極にいかなる電圧も加えられな
い時に、分岐部Ba及びBbの中を搬送される部分波が
弱め合う干渉をするように設計される。こうした結果
は、入力光波Mの波長の半分に等しい光路差を有するよ
うに、長さの異なる分岐部をつくりだすことによって得
られる。
【0030】たとえば、1.45μmの固有波長を有す
るInP上の能動層をともなう1.56μmの入力波長
については、長さの差が0.24μmであるガイドをつ
くりだすことによって必要な光路差が得られる。そこ
で、分岐部Ba及びBbの上方では、電極はたとえば6
00μmの等しい長さを有することになる。
【0031】制御回路2は、NRZタイプの入力電気信
号Eを受取り、電極Ka及びKbに対してそれぞれ制御
電圧Va及びVbを供給する。ここに示されている例に
よれば、電圧Vbは、アースに対して負の固定バイアス
電圧Vpbである。電圧Vaは、負のバイアス電圧Vp
aと、入力電気信号Eの濾波Fによって得られた変調信
号eaを重ね合わせることによって得られる。
【0032】図1の装置の作動を正確に理解するため
に、前もって、InPのようなIII−V元素の基板上
に形成される干渉計変調器の作動についてのいくつかの
説明を行なう必要がある。
【0033】図3及び図4は、InP上に形成される対
称干渉計の特性曲線を表わしている。これらの曲線は、
電極Kbがアースにある場合に対応する。図3に示され
ているように、出力光パワーPsは、Va=0のときに
最大値をとり、特定の負の値V1のときに最小値をとる
ことによって、電極Ka上に与えられる負電圧Vaに応
じて変化する。この値を超えると、パワーPsは、別の
最大値をとるまで再び大きくなる。この後者の最大値
は、電圧に依存する減衰が原因でVa=0のときに得ら
れる値より小さい。出力光波の対応する位相変化Δφを
表わす図4を見てみると、電圧V1の近くに180°よ
り小さい位相差Δφ1が認められる。この値の付近で
は、位相差Δφが段階的にVaに応じて変化し、パワー
PsはVa=V1のときにゼロでない点に注目すること
ができる。
【0034】したがって対称的変調器による望ましい変
調を行なうために、電圧VaがV1の付近で変化するこ
とができるように電極Kaをバイアスさせる必要があ
る。ところで、特性曲線を考慮すると、その結果、わず
かな消光比と、光パワーが最小である点に対する位相偏
移の不正確な固定が生じる。この不都合は、電極Kbの
バイアス電圧に働きかけることによって補うことができ
ない。なぜなら、このバイアス電圧は負であり続けなけ
ればならないからである。
【0035】図5及び図6は、同じく電極Kbがアース
にある場合における、InP上の反対称変調器について
の同じ特性曲線を表わしている。ここで、光パワーPs
はVa=0である時にゼロであり、負の値V0について
最大になる。180°の位相偏移は、Vaが0に近い時
に生じる。
【0036】ここで、電極Kbに負電圧Vbを加えてみ
ると、図7及び図8に表わされている特性曲線が得られ
る。この場合、VaがVb付近で変化する時、光パワー
Psは0を通り、位相偏移Δφは素早く180°変化す
る。このようにして、Vbの近くでVaを変調させるこ
とによって、180°の位相偏移Δφが、光パワーPs
が0を通る瞬間に正確に生じるような出力波の位相及び
パワーの変調を行なうことができる。さらに、電極に加
えられた平均電圧が、対称的変調器の場合よりも小さい
絶対値にあることから、出力パワーの減衰はもっと小さ
いものとなる。
【0037】ここで、図1の装置の作動について、図9
のクイミングチャートを用いて説明する。クイミングチ
ャート(a)は、NRZタイプの入力電気信号Eの例を
表わしている。信号Eは、濾波信号eaを供給する低域
フィルタFの入力に印加される。この信号eaは、電極
Kaの制御電圧Vaを供給するために、アナログ加算器
Taの中でバイアス電圧Vpaに重ね合わされる。電圧
Vaの変化がクイミングチャート(b)に表わされてい
る。バイアス電圧Vpaは、電圧Vaの直流成分が、電
極Kbに印加された固定バイアス電圧Vpbに等しくな
るように調整される。出力光パワーPs及びその位相Δ
φの対応する変化はそれぞれクイミングチャート(c)
及び(d)に現われる。波が、二進0(低い平均光パワ
ー)を表わす各タイミングセルのほぼ中央に180°の
位相偏移を有するのに対して、論理的1(高い平均光パ
ワー)を表わすタイミングセルの中にはいかなる位相偏
移も生じないことが認められる。
【0038】制御回路2の変形例によれば、電極Kb
に、電圧Vaに対して位相が相対している変調された電
圧Vbを加えることができる。そのために、入力電気信
号E及びその補数E*がそれぞれ二つの低域フィルタF
a及びFbの入力に印加される図10に表わされている
配線を使用することができる。フィルタFa及びFb
は、アナログ加算器Ta及びTbを用いてバイアス電圧
Vpa及びVpbの電圧に重ね合わされる濾波信号ea
及びebを供給する。
【0039】原則的に、バイアス電圧Vpa及びVpb
は、電圧の直流成分Va及びVbが等しくなるように調
整される。しかしながら、変調器の万一の製造ばらつき
を補正する目的で、バイアス電圧Vpa及びVpbは、
入力信号の変調がない場合に、すなわち電圧Va及びV
bの直流成分だけが電極に印加される場合に、できるだ
け弱め合う干渉を行なうために調整される。
【0040】濾波信号ea及びebが直流成分をもたな
い特定の場合には、バイアス電圧Vpa及びVpsは、
それぞれ電圧Va及びVbの直流成分となり、原則的に
等しくなる。
【0041】都合よく、低域通過フィルタFa、Fb
は、送信される二進データEの1秒当りのビット数で表
わされるデータレートのおよそ0.28倍であるヘルツ
で表わされる通過帯域を有するように選択される。さら
に、ベッセルのフィルタのような線形位相型フィルタが
好ましい。最後に、論理的0を表わすタイミングセルの
中で光パワーの十分な波動をつくりだすためには、次数
5のベッセルフィルタを使用することが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による送信デバイスを示す図である。
【図2】図1の変調器の一部の断面図である。
【図3】従来の構成のInP上の変調器の特性曲線を示
す第1の図である。
【図4】従来の構成のInP上の変調器の特性曲線を示
す第2の図である。
【図5】唯一つの電極に給電される反対称タイプのIn
P上の変調器の特性曲線を示す第1の図である。
【図6】唯一つの電極に給電される反対称タイプのIn
P上の変調器の特性曲線を示す第2の図である。
【図7】二つの電極に給電される反対称変調器の他の特
性曲線を示す第1の図である。
【図8】二つの電極に給電される反対称変調器の他の特
性曲線を示す第2の図である。
【図9】本発明による送信デバイスの作動を説明するク
イミングチャートを示す図である。
【図10】本発明による送信デバイスの制御回路の変形
例を示す図である。
【符号の説明】
1 干渉計 2 制御回路 ea 濾波信号 E 入力電気信号 Ka、Kb 電極 M、S 光波 Va、Vb 制御電圧 Vpa バイアス電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フイリツプ・ドランセ フランス国、75003・パリ、リユ・サン− ジル・9

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パワー(Ps)と位相(Δφ)が変調さ
    れた光波(S)の形態における二進データの送信デバイ
    スであって、 入力光波(M)を受取るのに適した入力光ガイド(G
    e)が、二つの部分波をガイドするために二つの分岐部
    (Ba、Bb)に分割され、さらにそれら二つの分岐部
    が出力ガイド(Gs)を形成するために再び結合され、
    前記二つの分岐部(Ba、Bb)に渡る電界を印加する
    ためにそれぞれの電極(Ka、Kb)が設けられている
    「マッハ−ツェンダー」タイプの干渉計構造体(1)
    と、 送信する二進データを表わす低レベル電圧と高レベル電
    圧の間で変調される入力電気信号(E)に応じて前記電
    界を印加するための制御回路(2)を有し、 さらに、前記干渉計構造体(1)が、III−V元素の
    基板上に形成されたp−i−nタイプであり、前記二つ
    の分岐部(Ba、Bb)が、印加された電界がない場合
    には前記二つの部分波が弱め合う干渉をするように寸法
    決めされ、前記制御回路(2)が、それぞれほぼ等しい
    直流成分を有する制御電圧(Va、Vb)を電極(K
    a、Kb)に加えるように設計され、前記制御電圧の少
    なくとも一つ(Va)は、前記入力電気信号(E)の低
    域通過濾波によって得られる濾波信号(ea)及びバイ
    アス電圧(Vpa)を重ね合わせた結果生じたものであ
    ることを特徴とする送信デバイス。
  2. 【請求項2】 前記制御電圧(Va、Vb)がそれぞ
    れ、前記入力電気信号(E)と、低レベル電圧と高レベ
    ル電圧との間で変調され、送信される前記二進データの
    相補的な値を表わす相補的な入力電気信号(E*)の低
    域通過濾波によって得られる濾波信号(ea、eb)と
    バイアス電圧(Vpa、Vpb)を重ね合わせた結果生
    じたものであることを特徴とする請求項1に記載の送信
    デバイス。
  3. 【請求項3】 前記低域通過濾波を行なうために、前記
    制御回路(2)が、ヘルツで表わされる通過帯域が送信
    される前記二進データの1秒当りのビット数で表わされ
    るデータレートのおよそ0.28倍である少なくとも一
    つの電子フィルタを備えていることを特徴とする請求項
    1または2に記載の送信デバイス。
  4. 【請求項4】 前記電子フィルタがベッセルフィルタで
    あることを特徴とする請求項3に記載の送信デバイス。
  5. 【請求項5】 前記電子フィルタが次数5のベッセルフ
    ィルタであることを特徴とする請求項4に記載の送信デ
    バイス。
  6. 【請求項6】 前記バイアス電圧の値(Vpa、Vp
    b)が、前記直流成分が前記電極(Ka、Kb)に印加
    される時に前記二つの部分波ができるだけ弱め合う干渉
    をするように選択されることを特徴とする請求項1から
    5のいずれか一項に記載の送信デバイス。
  7. 【請求項7】 前記分岐部(Ba、Bb)が、入力光波
    (M)の波長の半分に等しい光路差を有するように寸法
    決めされることを特徴とする請求項1から6のいずれか
    一項に記載の送信デバイス。
  8. 【請求項8】 前記分岐部(Ba、Bb)が、同一構造
    と異なる長さのガイドとを備えることを特徴とする請求
    項1から7のいずれか一項に記載の送信デバイス。
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