JPH10154771A - Semiconductor package - Google Patents

Semiconductor package

Info

Publication number
JPH10154771A
JPH10154771A JP31405396A JP31405396A JPH10154771A JP H10154771 A JPH10154771 A JP H10154771A JP 31405396 A JP31405396 A JP 31405396A JP 31405396 A JP31405396 A JP 31405396A JP H10154771 A JPH10154771 A JP H10154771A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
epoxy resin
adhesive
resin
semiconductor package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31405396A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiyuki Makita
俊幸 牧田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP31405396A priority Critical patent/JPH10154771A/en
Publication of JPH10154771A publication Critical patent/JPH10154771A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance the bonding strength of a semiconductor package after moisture absorption without imparing the characteristics, which are superior in non-residual bubble property and non-outflow resin property, of an epoxy resin bonding agent by a method wherein first and second substrates are bonded together with the epoxy resin bonding agent, which contains an epoxy resin, a polyphenylene ether resin, an epoxy resin curing agent and a peroxide as its essential component. SOLUTION: A semiconductor package is manufactured using a first organic substrate 11a having a substrate opening part 13 formed penetratingly the substrate 11a, a second organic substrate 11b with conductor circuits 12b for bonding pad use, which are formed on the surface on one side of the surfaces of the substrate 11b, and an epoxy resin sheetlike bonding agent 15 having a bonding agent opening part 16 of roughly the same size as that of the opening part 13 formed in the substrate 11a. The bonding agent 5, which is used for the manufacture of the package, contains an epoxy resin, a polyphenylene ether resin, an epoxy resin curing agent and a peroxide as its essential component. Thereby, the bonding strength subsequent to moisture absorption of the package can be enhanced without imparing characteristics, which are superior in bubble non-residual property and resin non-outflow property and are the characteristics of the epoxy resin bonding agent 15.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いられる半導体パッケージに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package used for manufacturing a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】ピングリッドアレイなどの半導体装置
は、例えば図4に示すように、基板11の一方の面に、
半導体素子21を配置可能に形成された凹状の半導体素
子配置部17と、その半導体素子配置部17の周囲に形
成され、ボンディングワイヤー22等と接続可能に形成
された導体回路であるボンディングパット32とを備
え、基板11の他方の面に、ボンディングパット32と
電気的に接続された電極18と、その電極18と接続さ
れ、母基板(半導体装置を実装するプリント配線板)に
実装するための端子20とを備える半導体パッケージ1
0を用いて、半導体素子21を実装した後、ボンディン
グワイヤー22等でボンディングパット32と半導体素
子21を接続し、次いで封止材23で封止して製造され
ている。
2. Description of the Related Art A semiconductor device such as a pin grid array is, for example, as shown in FIG.
A concave semiconductor element disposition portion 17 formed so as to be able to dispose the semiconductor element 21 and a bonding pad 32 formed around the semiconductor element disposition portion 17 and being a conductor circuit formed so as to be connectable to the bonding wire 22 and the like; And an electrode 18 electrically connected to the bonding pad 32 on the other surface of the substrate 11, and a terminal connected to the electrode 18 and mounted on a motherboard (a printed wiring board on which a semiconductor device is mounted). Semiconductor package 1 including 20
After the semiconductor element 21 is mounted by using the bonding pad 32, the bonding pad 32 and the semiconductor element 21 are connected with the bonding wire 22 or the like, and then the semiconductor device 21 is sealed with a sealing material 23.

【0003】近年の半導体装置の高機能化に伴い、ボン
ディングパット32の必要数が増大する傾向にある。そ
のため、図2に示すような、表層に形成したボンディン
グパット32aに加え、半導体素子配置部17の内部に
露出するボンディングパット32bをも形成して、ボン
ディングパット32a,32bの数を増加させた半導体
パッケージ10を用いた半導体装置が検討されている。
[0003] In recent years, the required number of bonding pads 32 tends to increase with the advancement of the functions of semiconductor devices. Therefore, in addition to the bonding pad 32a formed on the surface layer as shown in FIG. 2, a bonding pad 32b exposed inside the semiconductor element arrangement portion 17 is also formed to increase the number of bonding pads 32a and 32b. A semiconductor device using the package 10 is being studied.

【0004】このボンディングパット32a,32bの
数を増加させた半導体パッケージ10は、例えば図1に
示すような方法で製造されている。図1(a)に示すよ
うな、一方の面(図で下の面)に導体回路を形成すると
共に、貫通して形成された基板開口部13を有する有機
系基板11a(以下第1基板11aと記す)と、一方の
面(図で上の面)にボンディングパット用等の導体回路
12bを形成した有機系基板11b(以下第2基板11
bと記す)と、シート状の接着剤15を用いる。このと
き接着剤15としては、第1基板11aの基板開口部1
3とほぼ同じ大きさの接着剤開口部16を有する接着剤
15を用いる。
The semiconductor package 10 in which the number of the bonding pads 32a and 32b is increased is manufactured by, for example, a method as shown in FIG. As shown in FIG. 1A, an organic substrate 11a (hereinafter referred to as a first substrate 11a) having a conductive circuit formed on one surface (a lower surface in the drawing) and having a substrate opening 13 formed therethrough. ) And an organic substrate 11b (hereinafter referred to as a second substrate 11) having a conductor circuit 12b for bonding pads or the like formed on one surface (upper surface in the figure).
b) and a sheet-like adhesive 15 is used. At this time, as the adhesive 15, the substrate opening 1 of the first substrate 11a is used.
An adhesive 15 having an adhesive opening 16 of substantially the same size as 3 is used.

【0005】そして、基板開口部13と接着剤開口部1
6の位置がほぼ一致するように第1基板11aと第2基
板11bの間に、接着剤15を介在させて積層した後、
加熱加圧して接着すると、図1(b)に示すように、ボ
ンディングパット用等の導体回路12bが露出している
凹状の半導体素子配置部17が形成される。次いで、図
1(c)に示すように、表層にボンディングパット用の
導体回路12aや、電極18等を形成すると共に、各層
の導体回路12a,12b・・等を接続するスルホール
金属層19を形成して製造される。
The substrate opening 13 and the adhesive opening 1
After laminating between the first substrate 11a and the second substrate 11b with the adhesive 15 interposed therebetween so that the positions of 6 substantially coincide with each other,
When bonding is performed by applying heat and pressure, as shown in FIG. 1B, a concave semiconductor element arrangement portion 17 in which the conductor circuit 12b for a bonding pad or the like is exposed is formed. Then, as shown in FIG. 1 (c), a conductor circuit 12a for bonding pads, an electrode 18 and the like are formed on the surface layer, and a through-hole metal layer 19 for connecting the conductor circuits 12a, 12b,. Manufactured.

【0006】接着剤15で接着される第1基板11a及
び第2基板11bの面は、ボンディングパット用等の導
体回路12b・・を形成しているため凹凸を有してい
る。この凹凸を有する面を接着するとき凹部に気泡が残
らないように、ある程度流動性のある接着剤15を用い
る必要があり、一般にプリプレグと呼ばれる熱硬化性樹
脂を半硬化させてシート状とした接着剤15が用いられ
ている。この半硬化させた熱硬化性樹脂の接着剤15は
接着するために加熱すると、いったん粘度が低下し液状
化して樹脂が流れ、さらに加熱すると硬化して樹脂が流
れなくなるため、凹部に気泡が残りにくいという特徴が
あり、一般に用いられている。
The surfaces of the first substrate 11a and the second substrate 11b adhered by the adhesive 15 have irregularities due to the formation of the conductor circuits 12b for bonding pads and the like. When bonding the surface having the irregularities, it is necessary to use an adhesive 15 having a certain degree of fluidity so that air bubbles do not remain in the concave portions, and a thermosetting resin generally called a prepreg is semi-cured to form a sheet-like adhesive. Agent 15 is used. When the semi-cured thermosetting resin adhesive 15 is heated for bonding, once the viscosity is reduced and liquefied, the resin flows, and when further heated, the resin hardens and the resin does not flow, so that bubbles remain in the concave portions. It has the characteristic of being difficult to use, and is generally used.

【0007】しかし、凹部に気泡が残らないように流動
性を高めると、図3に示すように、第1基板11aと第
2基板11bを接着するときの加圧により、接着剤15
が半導体素子配置部内に露出するボンディングパット用
の導体回路12bの部分に流れ出し、導体回路12bの
部分を覆った状態で接着剤15が硬化する場合があっ
た。この接着剤15で覆われた導体回路12bの部分は
ボンディングワイヤー等との接続が不十分となり、電気
的接続の信頼性が確保できない場合があるという問題が
あった。
However, if the fluidity is increased so that no air bubbles remain in the concave portion, as shown in FIG. 3, the pressure of the adhesive 15 is increased when the first substrate 11a and the second substrate 11b are bonded.
May flow out to the portion of the conductor circuit 12b for the bonding pad exposed in the semiconductor element arrangement portion, and the adhesive 15 may be cured while covering the portion of the conductor circuit 12b. The portion of the conductor circuit 12b covered with the adhesive 15 has a problem that the connection with the bonding wire or the like becomes insufficient, and the reliability of the electrical connection may not be secured.

【0008】なお、接着剤15は、導体回路11b・・
間の凹部への流れやすさと、半導体素子配置部内への流
出し難さのバランスが非常に重要であり、エポキシ樹脂
系の接着剤15を用いることによりそのバランスを取る
ことが検討され、実用化されている。
[0008] The adhesive 15 is applied to the conductor circuit 11b.
It is very important to balance the ease of flow into the gap between the recesses and the difficulty of flowing into the semiconductor element arrangement portion. It has been studied to use an epoxy resin-based adhesive 15 to achieve the balance. Have been.

【0009】しかしこのバランスを取ったエポキシ樹脂
系の接着剤15を用いた半導体パッケージの場合、吸湿
後の接着強度が低下しやすいという問題があった。その
ため、導体回路11b間凹部の気泡の残り難さ(以下気
泡非残存性と記す)、及び半導体素子配置部内に露出す
る導体回路11bへの樹脂流出の少なさ(以下樹脂非流
出性と記す)が優れる特性を損なうことなしに、吸湿後
の接着強度が優れた半導体パッケージが求められてい
る。
However, in the case of a semiconductor package using the epoxy resin-based adhesive 15 in which the above balance is maintained, there is a problem that the adhesive strength after absorbing moisture tends to decrease. For this reason, it is difficult for bubbles to remain in the recesses between the conductor circuits 11b (hereinafter referred to as “bubble non-residual”), and a small amount of resin flowing out to the conductor circuits 11b exposed in the semiconductor element disposition portion (hereinafter referred to as “resin non-outflow”). There is a demand for a semiconductor package having excellent adhesive strength after moisture absorption without impairing the characteristics of the semiconductor package.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、その中の少なくとも1枚には導体回路を形成して
いる複数枚の有機系基板を、その各基板の間にシート状
のエポキシ樹脂系接着剤を介在させて、導体回路が露出
している凹状の半導体素子配置部を所定の位置に形成し
ながら積層、接着して製造する半導体パッケージであっ
て、気泡非残存性及び樹脂非流出性が優れる特性を損な
うことなしに、吸湿後の接着強度が優れた半導体パッケ
ージを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device having at least one of them having a plurality of conductor circuits formed therein. Laminating and bonding two organic substrates, with a sheet-like epoxy resin adhesive interposed between each substrate, and forming a concave semiconductor element arrangement portion where the conductive circuit is exposed at a predetermined position An object of the present invention is to provide a semiconductor package which is manufactured by the above method and which has excellent adhesive strength after absorbing moisture without impairing the characteristics of excellent non-residual bubbles and non-outflow of resin.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
半導体パッケージは、その中の少なくとも1枚には導体
回路を形成している複数枚の有機系基板を、その各基板
の間にシート状のエポキシ樹脂系接着剤を介在させて、
導体回路が露出している凹状の半導体素子配置部を所定
の位置に形成しながら積層、接着して製造する半導体パ
ッケージにおいて、上記接着剤が、エポキシ樹脂、ポリ
フェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂の硬化剤及び過
酸化物を含有することを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor package comprising a plurality of organic substrates forming a conductive circuit on at least one of the substrates, and a plurality of organic substrates formed between the substrates. With a sheet-like epoxy resin adhesive interposed,
In a semiconductor package manufactured by laminating and adhering while forming a concave semiconductor element arrangement portion where a conductive circuit is exposed at a predetermined position, the adhesive is epoxy resin, polyphenylene ether resin, epoxy resin curing agent and It is characterized by containing a peroxide.

【0012】本発明の請求項2に係る半導体パッケージ
は、請求項1記載の半導体パッケージにおいて、ポリフ
ェニレンエーテル樹脂の数平均分子量が、1000〜2
000であることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the semiconductor package according to the first aspect, wherein the polyphenylene ether resin has a number average molecular weight of 1,000 to 2,
000.

【0013】本発明の請求項3に係る半導体パッケージ
は、請求項1又は請求項2記載の半導体パッケージにお
いて、接着剤に含有するエポキシ樹脂、ポリフェニレン
エーテル樹脂、エポキシ樹脂の硬化剤及び過酸化物が、
ガラスクロスに含浸されていることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the semiconductor package according to the first or second aspect, wherein the epoxy resin, the polyphenylene ether resin, the epoxy resin curing agent and the peroxide contained in the adhesive are contained. ,
It is characterized by being impregnated in glass cloth.

【0014】本発明によると、エポキシ樹脂、ポリフェ
ニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂の硬化剤及び過酸化
物を含有する接着剤で接着するため、エポキシ樹脂系の
接着剤の特性である、気泡非残存性及び樹脂非流出性が
優れる特性を損なうことなしに、吸湿後の接着強度が優
れた半導体パッケージが得られる。
According to the present invention, since the adhesive is used for bonding with an adhesive containing an epoxy resin, a polyphenylene ether resin, a curing agent for the epoxy resin and a peroxide, the properties of the epoxy resin-based adhesive such as non-residual air bubbles and A semiconductor package having excellent adhesive strength after moisture absorption can be obtained without impairing the property of excellent resin non-leaching property.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体パッケージを
図面に基づいて説明する。図1は本発明に係る半導体パ
ッケージの一実施の形態の、製造方法を示す工程図であ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor package according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a process chart showing a manufacturing method of one embodiment of a semiconductor package according to the present invention.

【0016】本発明に係る半導体パッケージは、図1
(a)に示すように、貫通して形成された基板開口部1
3を有する有機系の第1基板11aと、一方の面(図で
上の面)にボンディングパット用等の導体回路12bを
形成した有機系の第2基板11bと、第1基板11aの
基板開口部13とほぼ同じ大きさの接着剤開口部16を
有するエポキシ樹脂系のシート状の接着剤15を用いて
製造する。
FIG. 1 shows a semiconductor package according to the present invention.
(A) As shown in FIG.
3, an organic second substrate 11b having a conductor circuit 12b for bonding pads or the like formed on one surface (the upper surface in the figure), and a substrate opening of the first substrate 11a. It is manufactured using an epoxy resin sheet adhesive 15 having an adhesive opening 16 having substantially the same size as the part 13.

【0017】なお、第1基板11aの接着剤15と接し
ない面(図で上の面)は導体回路を形成していてもよ
く、全面に銅箔等の導体箔を有していてもよい。なお、
製造しようとする半導体パッケージの表層に導体回路を
設けない場合や、接着後アディティブ法等により形成す
る場合等は導体はなくてもよい。また、第1基板11a
の接着剤15と接する面(図で下の面)は、導体回路を
形成していてもよく、なくてもよい。
The surface of the first substrate 11a that is not in contact with the adhesive 15 (the upper surface in the figure) may form a conductor circuit, or may have a conductor foil such as a copper foil on the entire surface. . In addition,
The conductor may not be provided when no conductor circuit is provided on the surface layer of the semiconductor package to be manufactured, or when the semiconductor package is formed by an additive method after bonding. Also, the first substrate 11a
The surface in contact with the adhesive 15 (the lower surface in the figure) may or may not form a conductor circuit.

【0018】また、第2基板11bの接着剤15と接し
ない面(図で下の面)は導体回路を形成していてもよ
く、全面に銅箔等の導体箔を有していてもよく、導体が
なくてもよい。なお、第2基板11bの接着剤15と接
する面(図で上の面)は、少なくとも第1基板11aに
形成された基板開口部13と対応する位置に、導体回路
12bを形成しているものに限定される。
The surface of the second substrate 11b that is not in contact with the adhesive 15 (the lower surface in the figure) may form a conductor circuit, and may have a conductor foil such as copper foil on the entire surface. The conductor may not be provided. The surface (upper surface in the figure) of the second substrate 11b in contact with the adhesive 15 has the conductor circuit 12b formed at least at a position corresponding to the substrate opening 13 formed in the first substrate 11a. Is limited to

【0019】この導体回路12bを形成する方法は特に
限定するものではなく、表面に導体箔を有した有機系基
板を用いて、その導体箔をエッチングして形成する方法
や、表面に導体箔を有しない有機系基板を用いて、回路
を形成しない部分にレジスト皮膜を形成した後、無電解
メッキ等を施すことにより形成する方法等が挙げられ
る。なお、導体回路12bを形成する金属としては、
銅、アルミニウム、真鍮、ニッケル等の単独、合金等が
挙げられるが、電気的信頼性より銅や、銅の表面に金め
っき層等を形成したものが好ましい。
The method of forming the conductor circuit 12b is not particularly limited, and a method of forming the conductor foil by etching the conductor foil using an organic substrate having a conductor foil on the surface or a method of forming the conductor foil on the surface is used. A method in which a resist film is formed on a portion where a circuit is not formed using an organic substrate having no resist, and then formed by applying electroless plating or the like. In addition, as a metal forming the conductor circuit 12b,
Copper, aluminum, brass, nickel and the like alone, alloys and the like are listed, but copper and a copper plated layer formed on the surface of copper are preferable from the viewpoint of electrical reliability.

【0020】本発明に用いる基板11a,11bは、有
機系であれば特に限定するものではなく、例えば、エポ
キシ樹脂系、フェノール樹脂系、ポリイミド樹脂系、不
飽和ポリエステル樹脂系、ポリフェニレンエーテル樹脂
系等の熱硬化性樹脂や、これらの熱硬化性樹脂に無機充
填材等を配合したものの板や、ガラス等の無機質繊維や
ポリエステル、ポリアミド、木綿等の有機質繊維のクロ
ス、ペーパー等の基材を、上記熱硬化性樹脂等で接着し
た板等が挙げられる。
The substrates 11a and 11b used in the present invention are not particularly limited as long as they are organic, and examples thereof include epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, unsaturated polyester resin, and polyphenylene ether resin. Thermosetting resin, or a plate of these thermosetting resins mixed with an inorganic filler or the like, inorganic fibers such as glass, polyester, polyamide, a cloth of organic fibers such as cotton, a substrate such as paper, A plate bonded with the above-mentioned thermosetting resin or the like can be used.

【0021】なお、これらの第1基板11a及び第2基
板11bには、その壁面に金属層を形成した貫通穴を有
していてもよく、内部に導体回路を形成していてもよ
い。また、第2基板11bにも、基板開口部を有してい
てもよい。
The first substrate 11a and the second substrate 11b may have a through hole formed with a metal layer on the wall surface, and may have a conductor circuit formed therein. The second substrate 11b may also have a substrate opening.

【0022】本発明に用いる接着剤15は、エポキシ樹
脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂の硬化
剤(以下単に硬化剤と記す)及び過酸化物を必須として
含有した熱硬化性樹脂を、必要に応じて加熱してシート
状としたものや、ガラス等の無機質繊維やポリエステ
ル、ポリアミド、木綿等の有機質繊維のクロス、ペーパ
ー等の基材に、上記熱硬化性樹脂を含浸した後、必要に
応じて加熱してシート状としたもの等が挙げられる。
The adhesive 15 used in the present invention includes an epoxy resin, a polyphenylene ether resin, a curing agent for the epoxy resin (hereinafter simply referred to as a curing agent) and a thermosetting resin essentially containing a peroxide, if necessary. After heating and forming a sheet, inorganic fibers such as glass, polyester, polyamide, cloth of organic fibers such as cotton, and a substrate such as paper, impregnating the thermosetting resin with the above, if necessary Heated sheets may be used.

【0023】なお、基材に熱硬化性樹脂を含浸した後、
シート状としたものの場合、接着した後の第1基板11
aと第2基板11bの間隔を確実に形成することが可能
なため、第1基板11aと第2基板11bの対向する面
に共に導体回路が形成されている場合であっても、両者
の導体回路間の絶縁間隔を確実に形成することができ、
絶縁信頼性が優れ好ましい。特にガラスクロスに含浸し
たものの場合、難燃性も優れ好ましい。
After impregnating the base material with the thermosetting resin,
In the case of a sheet, the first substrate 11 after bonding
a and the second substrate 11b can be reliably formed, so that even if a conductor circuit is formed on both of the opposing surfaces of the first substrate 11a and the second substrate 11b, both conductors The insulation interval between circuits can be reliably formed,
Insulation reliability is excellent and preferable. In particular, a glass cloth impregnated is preferable because of its excellent flame retardancy.

【0024】接着剤15に、エポキシ樹脂、ポリフェニ
レンエーテル樹脂、硬化剤及び過酸化物を含有すると、
エポキシ樹脂系の接着剤15の特性である、気泡非残存
性及び樹脂非流出性が優れる特性を損なうことなしに、
吸湿後の接着強度が優れた半導体パッケージが得られ
る。
When the adhesive 15 contains an epoxy resin, a polyphenylene ether resin, a curing agent and a peroxide,
Without impairing the properties of the epoxy resin-based adhesive 15 that are excellent in non-residual bubbles and non-outflow properties of resin,
A semiconductor package having excellent adhesive strength after moisture absorption can be obtained.

【0025】接着剤15に使用するエポキシ樹脂として
は、特に限定するものではなく、例えばビスフェノール
A型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、
ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポ
キシ樹脂、ビスフェノールFノボラック型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジアミノジ
フェニルメタン型エポキシ樹脂、及びこれらのエポキシ
樹脂構造体中の水素原子の一部をハロゲン化することに
より難燃化したエポキシ樹脂等が挙げられ、2種類以上
を併用してもよい。
The epoxy resin used for the adhesive 15 is not particularly limited. For example, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin,
Bisphenol S type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bisphenol F novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, diaminodiphenylmethane type epoxy resin, and hydrogen atom in these epoxy resin structures Epoxy resins and the like which have been made flame-retardant by partially halogenating them may be mentioned, and two or more kinds may be used in combination.

【0026】接着剤15に使用するポリフェニレンエー
テル樹脂は、別名ポリフェニレンオキサイド樹脂とも呼
ばれる化合物であり、例えば、ポリ(2,6−ジメチル
−1,4−フェニレンオキサイド)が挙げられる。この
ようなポリフェニレンエーテル樹脂は、例えば、USP
4059568号明細書に開示されている方法で合成す
ることができる。なお、ポリフェニレンエーテル樹脂の
数平均分子量が1000〜2000であると、吸湿後の
接着強度を向上する効果と基材への含浸性のバランスが
優れ好ましい。
The polyphenylene ether resin used for the adhesive 15 is a compound also called polyphenylene oxide resin, for example, poly (2,6-dimethyl-1,4-phenylene oxide). Such polyphenylene ether resins are, for example, USP
It can be synthesized by the method disclosed in the specification of US Pat. No. 4,059,568. In addition, when the number average molecular weight of the polyphenylene ether resin is 1,000 to 2,000, the balance between the effect of improving the adhesive strength after moisture absorption and the impregnation property of the base material is excellent, which is preferable.

【0027】なお、原料として用いるポリフェニレンエ
ーテル樹脂の数平均分子量が2000より大きい場合に
は、その分子量の大きいポリフェニレンエーテル樹脂の
骨格を切断して、上記の範囲とした後用いると好まし
い。この骨格を切断する方法としては、ベンゾイルパー
オキサイド等の過酸化物を用いて加熱して反応させるこ
とにより、骨格を切断して低分子量化することができ
る。
When the polyphenylene ether resin used as a raw material has a number average molecular weight of more than 2,000, it is preferable to cut the skeleton of the polyphenylene ether resin having a large molecular weight so as to fall within the above range before use. As a method of cutting the skeleton, the skeleton can be cut to reduce the molecular weight by heating and reacting using a peroxide such as benzoyl peroxide.

【0028】接着剤15に使用する硬化剤としては、例
えばジシアンジアミド、脂肪族ポリアミド等のアミド系
硬化剤や、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニレン
ジアミン、アンモニア、トリエチルアミン、ジエチルア
ミン等のアミン系硬化剤や、ビスフェノールA、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、p−
キシレン−ノボラック樹脂等のフェノール系硬化剤や、
酸無水物類等が挙げられ、2種類以上を併用してもよ
い。
Examples of the curing agent used for the adhesive 15 include amide-based curing agents such as dicyandiamide and aliphatic polyamide; amine-based curing agents such as diaminodiphenylmethane, metaphenylenediamine, ammonia, triethylamine and diethylamine; and bisphenol A , Phenol novolak resin, cresol novolak resin, p-
A phenolic curing agent such as xylene-novolak resin,
Examples thereof include acid anhydrides and the like, and two or more kinds may be used in combination.

【0029】接着剤15に使用する過酸化物としては、
ベンゾイルパーオキサイド等が挙げられる。この過酸化
物は、接着剤15を硬化させるとき、ポリフェニレンエ
ーテル樹脂をラジカル化するラジカル開始剤として働く
と考えられる。なお、分子量の大きいポリフェニレンエ
ーテル樹脂の骨格を切断するとき用いた過酸化物を含有
している場合には、新たに配合せず共通して用いること
もできる。
As the peroxide used for the adhesive 15,
Benzoyl peroxide and the like. This peroxide is considered to function as a radical initiator for radicalizing the polyphenylene ether resin when the adhesive 15 is cured. In addition, when the peroxide used for cutting the skeleton of the polyphenylene ether resin having a large molecular weight is contained, it can be commonly used without newly blending.

【0030】なお、これらのエポキシ樹脂、ポリフェニ
レンエーテル樹脂、硬化剤及び過酸化物の含有比率とし
ては、ポリフェニレンエーテル樹脂100重量部に対
し、エポキシ樹脂が100〜300重量部、硬化剤が3
〜20重量部、過酸化物が3〜20重量部程度が適当で
ある。
The epoxy resin, polyphenylene ether resin, curing agent and peroxide are contained in an amount of 100 to 300 parts by weight of epoxy resin and 3 parts of curing agent per 100 parts by weight of polyphenylene ether resin.
About 20 parts by weight and about 3 to 20 parts by weight of peroxide are suitable.

【0031】また、接着剤15には、必要に応じて硬化
促進剤や無機充填材等を含有することができる。含有す
ることができる硬化促進剤としては、例えば、2−メチ
ルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾー
ル、2−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類、
1,8−ジアザ−ビシクロ[5.4.0]ウンデセン−
7、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン等
の三級アミン類、トリブチルホスフィン、トリフェニル
ホスフィン等の有機ホスフィン類、テトラフェニルホス
ホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフ
ィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン
塩等が挙げられ、2種類以上を併用してもよい。
The adhesive 15 may contain a curing accelerator, an inorganic filler, and the like, if necessary. As a curing accelerator that can be contained, for example, imidazoles such as 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, and 2-phenylimidazole;
1,8-diaza-bicyclo [5.4.0] undecene-
7, tertiary amines such as triethylenediamine and benzyldimethylamine; organic phosphines such as tributylphosphine and triphenylphosphine; and tetraphenylboron salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphine tetraphenylborate. Two or more types may be used in combination.

【0032】また、含有することができる無機充填材と
しては、シリカ、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウ
ム、タルク等の無機質粉末充填材や、ガラス繊維、パル
プ繊維、合成繊維、セラミック繊維等の繊維質充填材が
挙げられる。
Examples of the inorganic filler that can be contained include inorganic powder fillers such as silica, calcium carbonate, aluminum hydroxide and talc, and fibrous fillers such as glass fiber, pulp fiber, synthetic fiber and ceramic fiber. Materials.

【0033】そして、第1基板11aの基板開口部13
と、接着剤15の接着剤開口部16の位置がほぼ一致す
るように第1基板11aと第2基板11bの間に、接着
剤15を介在させて積層する。なお、この各基板11
a,11bの間に介在させる接着剤15の枚数は1枚に
限定するものではなく、複数枚積層してもよい。
The substrate opening 13 of the first substrate 11a
Then, the adhesive 15 is laminated between the first substrate 11a and the second substrate 11b with the adhesive 15 interposed therebetween such that the positions of the adhesive openings 16 of the adhesive 15 substantially match. Each of the substrates 11
The number of the adhesives 15 interposed between a and 11b is not limited to one, and a plurality of adhesives 15 may be laminated.

【0034】なお、第2基板11b等に形成された導体
回路12b・・の表面を、研磨等を行い粗面化した後、
接着剤15と積層するようにすると、導体回路12b・
・と接着剤15の間の接着強度が向上し好ましい。
The surfaces of the conductor circuits 12b formed on the second substrate 11b and the like are roughened by polishing or the like.
When laminated with the adhesive 15, the conductor circuit 12b
It is preferable because the adhesive strength between the adhesive 15 and the adhesive 15 is improved.

【0035】この粗面化する方法としては、バフ、スク
ラブ等で機械的に表面を削って粗面化する方法や、硫酸
及び過酸化水素を含む粗面化処理液や過硫酸アンモニウ
ムを含む粗面化処理液等で化学的に表面をエッチングし
て粗面化する方法等が挙げられる。エッチングして粗面
化する方法の場合、機械的に削る方法と比較して粗面化
の凹凸を大きくすることが可能なため、接着強度を特に
向上することができる。
The surface can be roughened by mechanically shaving the surface with a buff, scrub, or the like, a roughening treatment solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, or a rough surface containing ammonium persulfate. And a method of chemically etching the surface with a surface treatment liquid to roughen the surface. In the case of the method of roughening by etching, the unevenness of the roughening can be increased as compared with the method of mechanically shaving, so that the adhesive strength can be particularly improved.

【0036】また、半導体素子配置部内に露出させよう
とする導体回路12bを除く導体回路に、ソルダーレジ
スト等の熱硬化性樹脂を塗布した後、無加圧で硬化させ
て導体回路間の凹部を埋めた後、接着剤15と積層する
ようにすると、更に気泡非残存性が優れ好ましい。
Further, a thermosetting resin such as a solder resist is applied to the conductor circuits except for the conductor circuits 12b which are to be exposed in the semiconductor element arrangement portion, and then cured without applying pressure to form recesses between the conductor circuits. After the filling, it is preferable to laminate with the adhesive 15 because the non-residual air bubbles are further excellent.

【0037】次いで、加熱加圧して接着すると、図1
(b)に示すように、ボンディングパット用等の導体回
路12bが露出している凹状の半導体素子配置部17が
形成されて、第1基板11aと第2基板11bと接着剤
15が一体化する。
Next, when bonding is performed by applying heat and pressure, FIG.
As shown in (b), a recessed semiconductor element disposing portion 17 in which the conductor circuit 12b for a bonding pad or the like is exposed is formed, and the first substrate 11a, the second substrate 11b, and the adhesive 15 are integrated. .

【0038】次いで、図1(c)に示すように、表層に
ボンディングパット用の導体回路12aや、電極18等
を形成すると共に、各層の導体回路12a・・や電極1
8等を接続するスルホール金属層19等を形成し、次い
で電極18と接続した針状や球状の端子20を形成する
ことにより半導体パッケージは製造される。なお、端子
20は、半導体素子を実装した後、形成するようにして
もよい。
Next, as shown in FIG. 1 (c), a conductor circuit 12a for bonding pads, an electrode 18, etc. are formed on the surface layer, and the conductor circuits 12a,.
A semiconductor package is manufactured by forming a through-hole metal layer 19 and the like connecting the electrodes 8 and the like, and then forming a needle-like or spherical terminal 20 connected to the electrode 18. Note that the terminal 20 may be formed after the semiconductor element is mounted.

【0039】なお、第1基板11a及び第2基板11b
を用いて製造する実施の形態について説明したが、2枚
の基板(11a,11b)を用いる場合に限定するもの
ではなく、第1基板11a及び第2基板11bの間に、
図示しないが、貫通して形成された基板開口部を有する
と共に、表面にボンディングパット用等の導体回路を形
成した有機系の基板を挟むようにしてもよく、第2基板
の外側に、表面に導体回路を形成した有機系の基板等を
積層するようにしてもよい。
The first substrate 11a and the second substrate 11b
Although the embodiment in which the substrate is manufactured has been described above, the present invention is not limited to the case where two substrates (11a, 11b) are used, but is provided between the first substrate 11a and the second substrate 11b.
Although not shown, an organic substrate having a substrate opening formed therethrough and having a conductor circuit for bonding pads or the like formed on the surface thereof may be interposed therebetween, and a conductor circuit may be formed on the surface outside the second substrate. An organic substrate or the like on which is formed may be laminated.

【0040】[0040]

【実施例】【Example】

(実施例1)大きさ50×50cm、銅箔を除く厚み
0.5mmのガラス基材ポリイミド樹脂両面銅張積層板
[松下電工株式会社製、商品名 R−4785、銅箔厚
み18μm]を第1基板及び第2基板の材料として用い
た。そして、この積層板の一方の面の銅箔をエッチング
して導体回路を形成した後、その積層板に一辺が約20
mmの四角状の貫通する基板開口部を複数形成して第1
基板とした。
(Example 1) A glass substrate polyimide resin double-sided copper-clad laminate (manufactured by Matsushita Electric Works, trade name: R-4785, copper foil thickness: 18 µm) having a size of 50 x 50 cm and a thickness of 0.5 mm excluding copper foil was used. It was used as a material for the first substrate and the second substrate. After etching the copper foil on one side of the laminate to form a conductor circuit, the laminate has a side of about 20
A plurality of rectangular substrate openings having a square
A substrate was used.

【0041】また、上記積層板の一方の面の銅箔をエッ
チングして導体回路を形成して第2基板とした。なお、
この第2基板に形成した導体回路は、上記第1基板に形
成した基板開口部と対応する位置、及び上記第1基板に
形成した基板開口部以外の部分と対応する位置の両者に
形成した。
The copper foil on one side of the laminate was etched to form a conductor circuit, which was used as a second substrate. In addition,
The conductor circuit formed on the second substrate was formed at both a position corresponding to the substrate opening formed on the first substrate and a position corresponding to a portion other than the substrate opening formed on the first substrate.

【0042】次いで、第1基板及び第2基板に形成した
導体回路の表面を、バフ研磨を行い粗面化した。
Next, the surfaces of the conductor circuits formed on the first substrate and the second substrate were buffed and roughened.

【0043】また、エポキシ樹脂組成物を厚さ0.1m
mのガラスクロス[旭シュエーベル株式会社製、商品名
216L]に含浸した後、加熱してシート状とした接
着剤を用いた。
Further, the epoxy resin composition is 0.1 m thick.
m impregnated in a glass cloth [manufactured by Asahi Schwebel KK, trade name: 216L], and then heated to form a sheet-like adhesive.

【0044】この接着剤に用いたエポキシ樹脂組成物
は、以下の方法で調製した。ポリフェニレンエーテル
[日本GEプラスチック社製、商品名640−111]
100重量部と、ベンゾイルパーオキサイド5重量部
と、ビスフェノールA5重量部をトルエン100重量部
に溶解し、90℃にて60分反応させてポリフェニレン
エーテルの骨格を切断して、数平均分子量が1400の
ポリフェニレンエーテルとした。なお、ポリフェニレン
エーテルの数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフ
(GPC)で測定した。
The epoxy resin composition used for this adhesive was prepared by the following method. Polyphenylene ether [manufactured by Nippon GE Plastics, trade name 640-111]
100 parts by weight, 5 parts by weight of benzoyl peroxide, and 5 parts by weight of bisphenol A are dissolved in 100 parts by weight of toluene, reacted at 90 ° C. for 60 minutes to cut the polyphenylene ether skeleton, and the number average molecular weight is 1400. This was polyphenylene ether. The number average molecular weight of polyphenylene ether was measured by gel permeation chromatography (GPC).

【0045】そして、この数平均分子量が1400のポ
リフェニレンエーテル及びベンゾイルパーオキサイド及
びビスフェノールAを含有するスチレン溶液100重量
部と、エポキシ当量が500であるテトラブロモビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂[東都化成株式会社製、商品
名YDB−500]を固形分として100重量部と、ジ
アミノジフェニルメタンを1重量部と、2−エチル−4
−メチルイミダゾールを1重量部配合して含浸用のエポ
キシ樹脂組成物とした。
Then, 100 parts by weight of a styrene solution containing polyphenylene ether having a number average molecular weight of 1400, benzoyl peroxide and bisphenol A, and a tetrabromobisphenol A type epoxy resin having an epoxy equivalent of 500 [manufactured by Toto Kasei Co., Ltd. , Trade name YDB-500], 100 parts by weight of solid content, 1 part by weight of diaminodiphenylmethane, and 2-ethyl-4
1 part by weight of -methylimidazole was blended to obtain an epoxy resin composition for impregnation.

【0046】そして、このエポキシ樹脂組成物を、トル
エンを添加して粘度を調整した後、上記ガラスクロスに
含浸し、次いで150℃で3分加熱して、樹脂量53重
量%の、エポキシ樹脂組成物がガラスクロスに均一に含
浸した接着剤を得た。次いで、この接着剤を大きさ50
×50cmに切断した後、第1基板に形成した基板開口
部と対応する位置に、基板開口部とほぼ同じ大きさの接
着剤開口部を形成した。
After adjusting the viscosity of the epoxy resin composition by adding toluene, the glass cloth is impregnated with the epoxy resin composition, and then heated at 150 ° C. for 3 minutes to obtain an epoxy resin composition having a resin amount of 53% by weight. An adhesive in which the object was uniformly impregnated in the glass cloth was obtained. Then, the adhesive is sized to 50
After cutting to a size of × 50 cm, an adhesive opening having substantially the same size as the substrate opening was formed at a position corresponding to the substrate opening formed in the first substrate.

【0047】次いで、第1基板の基板開口部と、接着剤
の接着剤開口部の位置がほぼ一致するように第1基板と
第2基板の間に、接着剤を1枚介在させて積層した。な
お、第1基板と第2基板に形成した導体回路が、接着剤
と接する側になるように積層した。次いで、最高温度1
70℃、圧力2MPaの条件で60分加熱加圧して、導
体回路が露出している凹状の半導体素子配置部を形成し
た評価用半導体パッケージを得た。
Next, one adhesive was laminated between the first substrate and the second substrate such that the position of the opening of the first substrate and the position of the adhesive opening of the adhesive almost coincided. . In addition, the conductor circuits formed on the first substrate and the second substrate were laminated such that they were in contact with the adhesive. Then, the maximum temperature 1
Heating and pressurizing was performed at 70 ° C. and a pressure of 2 MPa for 60 minutes to obtain a semiconductor package for evaluation in which a concave semiconductor element arrangement portion where a conductor circuit was exposed was formed.

【0048】(実施例2)第1基板及び第2基板に形成
した導体回路の表面を、硫酸及び過酸化水素を含む粗面
化処理液でエッチングして粗面化したこと、及び、第1
基板に形成した導体回路と第2基板に形成した導体回路
のうち第1基板が有する基板開口部に対応する部分以外
の位置の導体回路と導体回路の間の凹部に、ソルダーレ
ジスト[アサヒ化研社製、商品名CCR−232CF
V]を塗布して凹部を埋めた後、130℃で30分加熱
硬化させ、次いで接着剤と積層したこと以外は実施例1
と同様にして、評価用半導体パッケージを得た。
(Example 2) The surfaces of the conductor circuits formed on the first substrate and the second substrate were roughened by etching with a roughening solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide.
Solder resist [Asahi Kaken Co., Ltd.] is provided in the recess between the conductive circuit formed on the substrate and the conductive circuit formed on the second substrate other than the portion corresponding to the substrate opening of the first substrate. Product name, CCR-232CF
V] was applied to fill the recesses, and then cured by heating at 130 ° C. for 30 minutes, and then laminated with an adhesive.
In the same manner as in the above, a semiconductor package for evaluation was obtained.

【0049】(比較例1)接着剤に用いたエポキシ樹脂
組成物として、下記のエポキシ樹脂2種類、硬化剤、硬
化促進剤及び溶剤を配合したエポキシ樹脂組成物を用い
たこと以外は実施例1と同様にして、評価用半導体パッ
ケージを得た。
Comparative Example 1 Example 1 was repeated except that an epoxy resin composition containing the following two types of epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator and a solvent was used as the epoxy resin composition used for the adhesive. In the same manner as in the above, a semiconductor package for evaluation was obtained.

【0050】用いたエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹
脂としてエポキシ当量が500であるテトラブロモビス
フェノールA型エポキシ樹脂[東都化成社製、商品名Y
DB−500]を固形分として94重量部と、エポキシ
当量が220であるクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂[東都化成社製、商品名YDCN−220]を固形分
として13重量部、及び硬化剤としてジシアンジアミド
を2.8重量部、硬化促進剤として2−エチル−4−メ
チルイミダゾールを0.1重量部、溶剤としてN,N−
ジメチルホルムアミドを25重量部配合して用いた。
The epoxy resin composition used was a tetrabromobisphenol A type epoxy resin having an epoxy equivalent of 500 as an epoxy resin [trade name: Y, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.]
DB-500] as a solid content, 94 parts by weight, a cresol novolak type epoxy resin having an epoxy equivalent of 220 [YDCN-220, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.] as a solid content, 13 parts by weight, and dicyandiamide as a curing agent. 2.8 parts by weight, 0.1 part by weight of 2-ethyl-4-methylimidazole as a curing accelerator, and N, N- as a solvent
Dimethylformamide was used in an amount of 25 parts by weight.

【0051】(比較例2)比較例1で用いた接着剤と同
様の接着剤を用いたこと以外は実施例2と同様にして、
評価用半導体パッケージを得た。
Comparative Example 2 The procedure of Example 2 was repeated except that the same adhesive as that used in Comparative Example 1 was used.
An evaluation semiconductor package was obtained.

【0052】(評価、結果)実施例1,2及び比較例
1,2で得られた半導体パッケージについて、接着強
度、気泡非残存性及び樹脂非流出性を評価した。
(Evaluation and Results) The semiconductor packages obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 were evaluated for adhesive strength, non-residual air bubbles, and non-outflow of resin.

【0053】接着強度の評価方法は、121℃、2気
圧、相対湿度100%のプレッシャークッカーテストを
200時間行った後、第2基板に形成した幅5mmの導
体回路と接着剤の硬化物の間を、90度方向に50mm
/分の速度で引き剥がし、その引き剥がし強さを測定し
た。
The adhesive strength was evaluated by conducting a pressure cooker test at 121 ° C., 2 atm, and 100% relative humidity for 200 hours, and then conducting a test between the conductive circuit having a width of 5 mm formed on the second substrate and the cured adhesive. In the 90 degree direction
The film was peeled off at a speed of / min, and the peel strength was measured.

【0054】また、気泡非残存性の評価方法は、得られ
た半導体パッケージの第1基板の部分と接着剤の部分を
削り取って、第2基板に形成した導体回路を露出した
後、第2基板に形成した導体回路のうち、接着剤で接着
した部分の導体回路間に気泡が残存しているかを目視で
評価し、気泡が無いものを◎とし、気泡がわずかに残存
しているものを○とし、気泡が多数残存しているものを
×とした。
The method for evaluating non-residual bubbles is as follows. After the first semiconductor substrate portion and the adhesive portion of the obtained semiconductor package are scraped off to expose the conductive circuit formed on the second substrate, Of the conductor circuits formed in the above, it was visually evaluated whether or not bubbles remained between the conductor circuits of the portion bonded with the adhesive, and those having no bubbles were marked with ◎, and those with slight bubbles remaining were marked with ○. And the one in which a large number of air bubbles remained was evaluated as x.

【0055】また、樹脂非流出性の評価方法としては、
得られた半導体パッケージの半導体素子配置部内に露出
する導体回路の部分に流出した樹脂の長さを10倍の拡
大鏡で評価し、200μm以下のものを○とし、200
μmを越えているものを×とした。
As a method for evaluating the resin non-leaching property,
The length of the resin flowing out to the portion of the conductor circuit exposed in the semiconductor element arrangement portion of the obtained semiconductor package was evaluated with a 10-fold magnifying glass.
Those exceeding μm were marked as x.

【0056】結果は、表1に示すように、実施例1は比
較例1と比較して、及び実施例2は比較例2と比較して
吸湿後の接着強度が優れていることが確認された。ま
た、各実施例は各比較例と同様に、気泡非残存性及び樹
脂非流出性が優れていることが確認された。
As shown in Table 1, it was confirmed that Example 1 was superior to Comparative Example 1 and Example 2 was superior to Comparative Example 2 in adhesive strength after moisture absorption. Was. In addition, it was confirmed that each of the examples was excellent in non-residual air bubbles and non-outflow of resin, similarly to each comparative example.

【0057】[0057]

【表1】 [Table 1]

【0058】[0058]

【発明の効果】本発明に係る半導体パッケージは、エポ
キシ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂
の硬化剤及び過酸化物を含有する接着剤で接着するた
め、エポキシ樹脂系の接着剤の特性である、気泡非残存
性及び樹脂非流出性が優れる特性を損なうことなしに、
吸湿後の接着強度が優れた半導体パッケージとなる。
The semiconductor package according to the present invention is characterized by the properties of an epoxy resin-based adhesive because the semiconductor package is bonded with an adhesive containing an epoxy resin, a polyphenylene ether resin, a curing agent for the epoxy resin, and a peroxide. Without impairing the properties of excellent non-residual air bubbles and non-outflow properties of resin,
A semiconductor package having excellent adhesive strength after moisture absorption is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る半導体パッケージの一実施の形態
の、製造方法を示す工程図である。
FIG. 1 is a process chart showing a manufacturing method of an embodiment of a semiconductor package according to the present invention.

【図2】従来の半導体パッケージを示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a conventional semiconductor package.

【図3】従来の半導体パッケージを説明する要部斜視図
である。
FIG. 3 is a perspective view of a main part for explaining a conventional semiconductor package.

【図4】従来の半導体装置を説明する断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a conventional semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半導体パッケージ 11,11a,11b 基板 12a,12b 導体回路 13 基板開口部 15 接着剤 16 接着剤開口部 17 半導体素子配置部 18 電極 19 スルホール金属層 20 端子 21 半導体素子 22 ボンディングワイヤー 23 封止材 32,32a,32b ボンディングパット DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor package 11, 11a, 11b Substrate 12a, 12b Conductor circuit 13 Substrate opening 15 Adhesive 16 Adhesive opening 17 Semiconductor element arrangement part 18 Electrode 19 Through hole metal layer 20 Terminal 21 Semiconductor element 22 Bonding wire 23 Sealing material 32 , 32a, 32b Bonding pad

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 その中の少なくとも1枚には導体回路
(12b)を形成している複数枚の有機系基板(11
a,11b)を、その各基板(11a,11b)の間に
シート状のエポキシ樹脂系接着剤(15)を介在させ
て、導体回路(12b)が露出している凹状の半導体素
子配置部(17)を所定の位置に形成しながら積層、接
着して製造する半導体パッケージにおいて、 接着剤(15)が、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエー
テル樹脂、エポキシ樹脂の硬化剤及び過酸化物を含有す
ることを特徴とする半導体パッケージ。
At least one of the plurality of organic substrates (11) forming a conductor circuit (12b) is provided.
a, 11b) with a sheet-like epoxy resin-based adhesive (15) interposed between the substrates (11a, 11b) to form a concave semiconductor element arrangement part () in which the conductor circuit (12b) is exposed. A semiconductor package manufactured by laminating and bonding while forming 17) in a predetermined position, wherein the adhesive (15) contains an epoxy resin, a polyphenylene ether resin, a curing agent for the epoxy resin, and a peroxide. Semiconductor package.
【請求項2】 ポリフェニレンエーテル樹脂の数平均分
子量が、1000〜2000であることを特徴とする請
求項1記載の半導体パッケージ。
2. The semiconductor package according to claim 1, wherein the polyphenylene ether resin has a number average molecular weight of 1,000 to 2,000.
【請求項3】 接着剤(15)に含有するエポキシ樹
脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、エポキシ樹脂の硬化
剤及び過酸化物が、ガラスクロスに含浸されていること
を特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体パッケ
ージ。
3. The glass cloth is impregnated with an epoxy resin, a polyphenylene ether resin, a curing agent for the epoxy resin, and a peroxide contained in the adhesive (15). The semiconductor package as described.
JP31405396A 1996-11-25 1996-11-25 Semiconductor package Pending JPH10154771A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31405396A JPH10154771A (en) 1996-11-25 1996-11-25 Semiconductor package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31405396A JPH10154771A (en) 1996-11-25 1996-11-25 Semiconductor package

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10154771A true JPH10154771A (en) 1998-06-09

Family

ID=18048662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31405396A Pending JPH10154771A (en) 1996-11-25 1996-11-25 Semiconductor package

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10154771A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100357657B1 (en) * 1998-09-22 2002-10-25 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 A multi-level electronic package and method for making same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100357657B1 (en) * 1998-09-22 2002-10-25 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 A multi-level electronic package and method for making same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6060150A (en) Sheet for a thermal conductive substrate, a method for manufacturing the same, a thermal conductive substrate using the sheet and a method for manufacturing the same
WO1999059205A1 (en) Semiconductor plastic package and method for producing printed wiring board
KR20110059784A (en) Laminate, circuit board and semiconductor device
JPH09298369A (en) Multilayer wiring board and its manufacture
JP3944795B2 (en) Multilayer wiring board
JPH10154772A (en) Semiconductor package
JPH10154771A (en) Semiconductor package
JPH1140950A (en) Multilayered wiring board
JP3570148B2 (en) Epoxy resin composition, prepreg and laminate
JP4747619B2 (en) Coverlay film and flexible wiring board
JPH1154922A (en) Manufacturing inner layer circuit-contg. laminate board
JPH10154879A (en) Semiconductor package
JP4123544B2 (en) Circuit board
JP2001152108A (en) Insulating adhesive film multi-layer printed-wiring board using the same and its manufacturing method
JPH1167964A (en) Manufacture of semiconductor package
JP3343330B2 (en) Method for producing insulating varnish, insulating varnish obtained by this method, and multilayer printed wiring board using this insulating varnish
JPH02252294A (en) Manufacture of multilayer board
JP3932635B2 (en) Insulating varnish and multilayer printed wiring board using the same
JP4123543B2 (en) Circuit board
JP2000236041A (en) Printed wiring board for chip-scale package superior in solder ball adhesion
JPH10326952A (en) Wiring board and material therefor
JP2005353783A (en) Conductive paste composition for multilayer wiring board
TW202332585A (en) Metal clad substrate
JP2001081214A (en) Resin composition for impegnating nonwoven fabric made of aramid fiber, prepreg, insulating layer and metal clad laminated board
JP3838390B2 (en) Method for manufacturing insulating varnish and multilayer printed wiring board using the insulating varnish