JPH10154770A - Manufacture of ceramic package - Google Patents
Manufacture of ceramic packageInfo
- Publication number
- JPH10154770A JPH10154770A JP35197697A JP35197697A JPH10154770A JP H10154770 A JPH10154770 A JP H10154770A JP 35197697 A JP35197697 A JP 35197697A JP 35197697 A JP35197697 A JP 35197697A JP H10154770 A JPH10154770 A JP H10154770A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ceramic
- aln
- oxide layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/15165—Monolayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化アルミニウム
を用いたセラミックスパッケージの製造方法に関する。The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic package using aluminum nitride.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体装置に半導体集積回路素子
を組み込むための気密容器として、セラミックス基板と
セラミックスキャップとを低融点ガラスにより接着し、
気密封止してなるセラミックスパッケージが用いられて
いる。この種のパッケージでは、セラミックス基板材料
として通常アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）が使用されており、
このＡｌ2 Ｏ3 でも放熱の点で一応十分である。しか
し、最近の集積回路の集積度の向上に伴い１チップの発
熱量が大きくなると、Ａｌ2 Ｏ3 では放熱が不十分とな
ることが懸念されており、放熱性の向上手段が要望され
ている。そこで本発明者らは、高熱伝導用として熱伝導
性により優れた窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を使用して
パッケージを作成することを検討した。2. Description of the Related Art Conventionally, as a hermetic container for incorporating a semiconductor integrated circuit element into a semiconductor device, a ceramic substrate and a ceramic cap are bonded with a low-melting glass.
A ceramic package hermetically sealed is used. In this type of package, alumina (Al 2 O 3 ) is usually used as a ceramic substrate material.
This Al 2 O 3 is also sufficient in terms of heat radiation. However, if the amount of heat generated from one chip increases with the recent increase in the degree of integration of integrated circuits, there is a concern that Al 2 O 3 may not be sufficiently dissipated, and there is a need for a means for improving heat dissipation. . Therefore, the present inventors have studied the creation of a package using aluminum nitride (AlN) having higher thermal conductivity for high thermal conductivity.
【０００３】しかしながら、ＡｌＮを用いると、次のよ
うな問題を招くことになる。即ち、一般にＡｌＮはガラ
ス、金属、セラミックス他の物質のぬれ性が悪く、強固
に接合できない。できたとしてもセラミックスパッケー
ジの封止に関して、溶着の際、ガラス中に気泡が生じそ
の気密性が損なわれたり接合強度が弱くなることがあ
り、特にＡｌＮはＡｌ2 Ｏ3 に比べてガラスとの接合強
度が弱い。このため、セラミックス基板とセラミックス
キャップやリードフレームとの接着強度が不十分とな
り、気密性および強度の低下を招く恐れがある。However, the use of AlN causes the following problem. That is, AlN generally has poor wettability of glass, metal, ceramics and other substances, and cannot be firmly joined. Even if it is possible, in sealing the ceramic package, air bubbles may be generated in the glass at the time of welding and the airtightness may be impaired or the bonding strength may be weakened. In particular, AlN has a higher bonding strength with glass than Al 2 O 3 . Low bonding strength. For this reason, the adhesive strength between the ceramic substrate and the ceramic cap or the lead frame becomes insufficient, and there is a possibility that the airtightness and the strength are reduced.
【０００４】また、ＡｌＮは酸化液、メッキ液などの薬
品に表面が侵されやすく、このためパッケージ製作時に
重量低下、重量増大や寸法変化を引き起こすなどの問題
を招くことになる。In addition, AlN is easily attacked on the surface by chemicals such as an oxidizing solution and a plating solution, which causes problems such as a decrease in weight, an increase in weight, and a change in dimensions when manufacturing a package.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、セラ
ミックス基板っ材料として窒化アルミニウムを用いた場
合にも該窒化アルミニウム基板とセラミックスキャップ
及びリードフレームとの接着強度を十分強くすることが
でき、半導体集積回路のパッケージに好適するセラミッ
クスパッケージの製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to make it possible to sufficiently increase the bonding strength between an aluminum nitride substrate, a ceramic cap and a lead frame even when aluminum nitride is used as a ceramic substrate material. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a ceramic package suitable for a package of a semiconductor integrated circuit.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本願第１の発明は、窒化
アルミニウムからなりその上面に半導体チップが載置さ
れるセラミックス基板の表面を酸化処理してＡｌ
2 Ｏ3 、ＡｌＮ−Ａｌ2 Ｏ3、及び３Ｙ2 Ｏ3 ・５Ａｌ
2 Ｏ3 からなる酸化層を形成する工程と、次いで前記基
板上の酸化層上にガラス層を被着する工程と、次いで上
記ガラス層を介してセラミックスキャップを前記基板上
の酸化層に接着する工程とを含むセラミックスパッケー
ジの製造方法である。According to a first aspect of the present invention, a surface of a ceramic substrate which is made of aluminum nitride and on which a semiconductor chip is mounted is oxidized to form an aluminum substrate.
2 O 3 , AlN—Al 2 O 3 , and 3Y 2 O 3 .5Al
Forming an oxide layer of 2 O 3 , then applying a glass layer on the oxide layer on the substrate, and then bonding the ceramic cap to the oxide layer on the substrate via the glass layer And a method for manufacturing a ceramic package.
【０００７】本願第２の発明は、前記半導体チップは、
前記基板のキャビティ上に印刷された導体ペーストを焼
成してなる導体膜上にマウントされる前記第１の発明に
記載のセラミックスパッケージの製造方法である。According to a second aspect of the present invention, the semiconductor chip comprises:
The method of manufacturing a ceramic package according to the first aspect, wherein the ceramic package is mounted on a conductive film formed by firing a conductive paste printed on a cavity of the substrate.
【０００８】本願第３の発明は、前記導体ペーストの焼
成と、前記酸化層の形成とを、所定の熱処理工程により
同時に行う前記第１の発明に記載のセラミックスパッケ
ージの製造方法である。A third invention of the present application is the method for producing a ceramic package according to the first invention, wherein the firing of the conductor paste and the formation of the oxide layer are simultaneously performed by a predetermined heat treatment step.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明の骨子は、窒化アルミニウ
ムからなるセラミックス基板の表面に酸化層を形成する
ことにより、基板とガラス層との接合強度を高めること
にある。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The gist of the present invention is to increase the bonding strength between a substrate and a glass layer by forming an oxide layer on the surface of a ceramic substrate made of aluminum nitride.
【００１０】ＡｌＮを酸化するとその表面に薄い酸化膜
（Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ−Ａｌ2 Ｏ3、及び３Ｙ2 Ｏ3 ・
５Ａｌ2 Ｏ3 ）が形成されるが、なかでもＡｌ2 Ｏ3 は
下地ＡｌＮ基板と強い結合状態にある。したがって、Ａ
ｌＮからなるセラミックス基板の表面を酸化することに
より、該基板とガラス層との接合強度を向上させること
ができ、これにより基板とキャップとの接着強度を十分
大きくすることが可能となる。なお、表面酸化によりＡ
ｌＮ基板の熱伝導率が低下することが考えられる、数μ
ｍの薄い酸化膜であれば、基体となる板の厚さが通常
１．５ｍｍ以上あって両者の比は１．５μｍ／１．５ｍ
ｍ×１０-4もあるため、熱伝導率の低下はほとんど無い
ことが本発明者らの実験によって確認されている。When AlN is oxidized, a thin oxide film (Al 2 O 3 , AlN-Al 2 O 3 , and 3Y 2 O 3.
5Al 2 O 3 ) is formed, of which Al 2 O 3 is in a strong bond with the underlying AlN substrate. Therefore, A
By oxidizing the surface of the 1N ceramic substrate, the bonding strength between the substrate and the glass layer can be improved, and thereby the bonding strength between the substrate and the cap can be sufficiently increased. In addition, A
It is considered that the thermal conductivity of the 1N substrate is reduced,
m, the thickness of the base plate is usually 1.5 mm or more, and the ratio between the two is 1.5 μm / 1.5 m.
Since it is m × 10 −4, it has been confirmed by experiments of the present inventors that there is almost no decrease in thermal conductivity.
【００１１】本発明はこのような点に着目してなされた
もので、セラミックス基板として窒化アルミニウムを用
いたセラミックスパッケージにおいて、前記基板のセラ
ミックスキャップとのガラス接着に供される部分及び必
要な場合に金属リードフレームの固定部分に、表面酸化
により酸化膜を形成するようにしたセラミックパッケー
ジの製造方法である。The present invention has been made in view of such a point. In a ceramic package using aluminum nitride as a ceramic substrate, a portion of the substrate to be used for glass bonding with a ceramic cap and a case where necessary. This is a method of manufacturing a ceramic package in which an oxide film is formed on a fixed portion of a metal lead frame by surface oxidation.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、本発明の詳細を図面を用いて説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１３】図１（ａ）〜（ｆ）は本発明の一実施例に
係るセラミックスパッケージ製造工程を示す断面図であ
る。まず、図１（ａ）に示す如くＡｌＮからなるセラミ
ックス基板１１のキャビティ上に導体ペースト１２を印
刷する。ここで、導体ペースト１２としては、例えばＡ
ｇ−Ｐｄペースト（ＥＳＬ社製Ｎｏ．９６０１）を用い
た。FIGS. 1A to 1F are cross-sectional views showing steps of manufacturing a ceramic package according to an embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 1A, a conductive paste 12 is printed on a cavity of a ceramic substrate 11 made of AlN. Here, as the conductor paste 12, for example, A
g-Pd paste (No. 9601 manufactured by ESL) was used.
【００１４】次いで、空気中、温度９３０°Ｃ、保持時
間１０分で熱処理し上記導体ペースト１２を焼成する。
この時、上記熱処理工程により、導体ペースト１２の焼
成と同時に図１（ｂ）に示す如くセラミックス基板１１
の表面を酸化し酸化層１３を形成する。酸化層１３はＡ
ｌ2 Ｏ3 で、その厚さは５μｍ程度とした。Next, heat treatment is performed in air at a temperature of 930 ° C. for a holding time of 10 minutes, so that the conductive paste 12 is fired.
At this time, the ceramic substrate 11 is baked by the heat treatment step at the same time as the firing of the conductive paste 12 as shown in FIG.
Is oxidized to form an oxide layer 13. The oxide layer 13 is made of A
The thickness was about 5 μm with l 2 O 3 .
【００１５】次いで、図１（ｃ）に示す如く基板上面の
酸化層１３上に被着層としてのガラス層１４を被着す
る。ここで、ガラス層１４はＡｌＮ基板１１自体でなく
酸化層１３と接することになるので、接続する焼成にお
いて、ガラス層１４とＡｌＮ基板１１との接合強度を大
きく（ガラスとＡｌ2 Ｏ3 との接合強度と同程度に）す
ることが可能となる。ここで、Ａｌ2 Ｏ3 は基体となる
ＡｌＮから連続的に連なって生成されているために（段
階的にＡｌ2 Ｏ3 化しているために）、両者の接合強度
は一般にガラス−Ａｌ2 Ｏ3 接合よりも強固である。Next, as shown in FIG. 1 (c), a glass layer 14 is deposited as a deposition layer on the oxide layer 13 on the upper surface of the substrate. Here, since the glass layer 14 comes into contact with the oxide layer 13 instead of the AlN substrate 11 itself, the bonding strength between the glass layer 14 and the AlN substrate 11 is increased in the sintering to be connected (between the glass and the Al 2 O 3 ). Joint strength). Here, (because it is turned into stepwise Al 2 O 3) Al 2 O 3 in order to have been produced continuous continuously from AlN serving as the substrate, the bonding strength between them is generally glass -Al 2 O Stronger than 3 joints.
【００１６】次いで、図１（ｄ）に示す如く、ガラス層
１４上に複数のリードフレーム１５を形成した。その
後、図１（ｅ）ｎ示す如く前記導体ペースト１２を焼成
してなる導体層１２’上に半導体チップ１６を実装し、
続いてチップ１６とリードフレーム１５との接続をボン
ディングワイヤ１７にて行った。なお、この状態におけ
る平面図を図２に示す。Next, as shown in FIG. 1D, a plurality of lead frames 15 were formed on the glass layer 14. Thereafter, as shown in FIG. 1E, the semiconductor chip 16 is mounted on the conductor layer 12 ′ obtained by firing the conductor paste 12,
Subsequently, the connection between the chip 16 and the lead frame 15 was made by the bonding wire 17. FIG. 2 shows a plan view in this state.
【００１７】次いで、図１（ｆ）に示す如く、ガラス層
１８を下面に被着したＡｌ2 Ｏ3 からなるセラミックス
キャップ１９を上記ガラス層１８が前記ガラス層１４と
接するように配置する。この状態で、基板１１及びキャ
ップ１９を自重圧接し、ガラス層１４、１８を焼成する
ことにより、基板１１とキャップ１９との接着を行っ
た。Next, as shown in FIG. 1 (f), a ceramic cap 19 made of Al 2 O 3 having a glass layer 18 adhered to the lower surface is arranged so that the glass layer 18 is in contact with the glass layer 14. In this state, the substrate 11 and the cap 19 were pressed under their own weights, and the glass layers 14 and 18 were baked to bond the substrate 11 and the cap 19.
【００１８】かくして形成されたセラミックスパッケー
ジにおいては、ＡｌＮ基板１１が酸化層１３を介してガ
ラス層１４と接することになるので、基板１１とキャッ
プ１９との接触強度を十分大きいものとのすることがで
きる。また、該パッケージの熱抵抗を調べた結果、次頁
の表１乃至３に示す如き熱抵抗値[ °Ｃ／Ｗ] が得られ
た。In the ceramic package thus formed, since the AlN substrate 11 comes into contact with the glass layer 14 via the oxide layer 13, the contact strength between the substrate 11 and the cap 19 must be sufficiently large. it can. Further, as a result of examining the thermal resistance of the package, thermal resistance values [° C./W] as shown in Tables 1 to 3 on the next page were obtained.
【００１９】[0019]
【表 １】 [Table 1]
【００２０】[0020]
【表 ２】 [Table 2]
【００２１】[0021]
【表 ３】 表１乃至３かｒ明らかなように、ＡｌＮを用いたセラミ
ックスパッケージの方が従来のＡｌ2 Ｏ3 を用いたいも
のより、自然対流で１４％、強制対流で２７％、ヒート
シンク付きのもので28％優れていることが分かる。ここ
で、基板１１の表面を酸化することにより熱伝導率の低
下が考えられるが、上記表からはこの低下は殆ど認めら
れない。これは、半導体チップ１６からの熱拡散に最も
寄与する前記導体層１２’の下面において、ＡｌＮ基板
１１表面に形成される酸化層が他の部分より薄くなって
いるからであると推定される。また、酸化層１３はＡｌ
2Ｏ3 が主体であるが、基板１１としてＡｌＮを用いた
ものはＡｌ2 Ｏ3 を用いたものより、全体としての熱抵
抗が小さくなることは明らかである。[Table 3] As is clear from Tables 1 to 3, the ceramic package using AlN is 14% in natural convection, 27% in forced convection, and 28% in a package with a heat sink, compared to the conventional package using Al 2 O 3. %. Here, the oxidation of the surface of the substrate 11 may decrease the thermal conductivity, but from the above table, this decrease is hardly recognized. This is presumably because the oxide layer formed on the surface of the AlN substrate 11 is thinner on the lower surface of the conductor layer 12 'which contributes most to the thermal diffusion from the semiconductor chip 16 than other portions. The oxide layer 13 is made of Al
2 O 3 is mainly, but those using AlN as the substrate 11 than those using Al 2 O 3, it is clear that the thermal resistance of the whole decreases.
【００２２】このように本実施例によれば、ＡｌＮをセ
ラミックス基板１１として用いることにより、Ａｌ2 Ｏ
3 を用いた場合より熱抵抗を１０〜３０％小さくするこ
とができる。また、ＡｌＮ基板１１の表面を酸化するこ
とにより、基板１１とガラス層１４との接合強度を高め
ることができ、これにより基板１１とリードフレーム１
５及びセラミックスキャップ１９との接着強度を十分大
きくすることができる。また、ＡｌＮ基板１１の酸化処
理を前記導体ペースト１２の焼成と同時に行っているの
で、酸化処理のために工程が増大することはなく、従来
工程と同様に容易に実施することができる。As described above, according to the present embodiment, by using AlN as the ceramic substrate 11, Al 2 O
The thermal resistance can be reduced by 10 to 30% as compared with the case where 3 is used. In addition, by oxidizing the surface of the AlN substrate 11, the bonding strength between the substrate 11 and the glass layer 14 can be increased, whereby the substrate 11 and the lead frame 1 can be oxidized.
5 and the ceramics 19 can have sufficiently high adhesive strength. In addition, since the AlN substrate 11 is oxidized at the same time as the conductor paste 12 is baked, the number of steps for the oxidizing process does not increase, and the AlN substrate 11 can be easily implemented as in the conventional process.
【００２３】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。例えば、ＡｌＮ基板表面に形成する酸
化層の厚さ及び酸化の方法は、仕様に応じて適宜決めれ
ばよい。さらに、熱酸化の場合酸化層の形成のための熱
処理温度も適宜変更可能である。また、セラミックスキ
ャップとしてはＡｌ2 Ｏ3 の代わりにＡｌＮ、ムライ
ト、その他各種のセラミックス材料を用いることが可能
である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。The present invention is not limited to the embodiment described above. For example, the thickness of the oxide layer formed on the AlN substrate surface and the method of oxidation may be appropriately determined according to the specifications. Further, in the case of thermal oxidation, the heat treatment temperature for forming an oxide layer can be appropriately changed. As the ceramic cap, AlN, mullite, or other various ceramic materials can be used instead of Al 2 O 3 . In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
【００２４】[0024]
【発明の効果】本発明によれば、ＡｌＮをセラミックス
基板材料として用いているので、Ａｌ2 Ｏ3 を用いた場
合に比して、３０％程度熱抵抗を小さくすることができ
る。このため、内部に実装すべき半導体チップの発熱量
が大きくなっても十分に対処できるものを製造すること
ができる。また、ＡｌＮ基板の表面を酸化するので、基
板とガラス層との接合強度を十分高くすることができ、
これによりＡｌＮ基板とセラミックスキャップ若しくは
リードフレームとの接合強度を十分大きくすることがで
きる。このため、Ａｌ2 Ｏ3 基板を用いた場合と同様
に、十分な気密封止若しくはリード強度を実現すること
が可能である。また、半導体チップを導体ペーストを焼
成してなる導体層上にマウントする場合、上記ペースト
の焼成とＡｌＮ基板の酸化とを同時に行うようにすれ
ば、工程の増加を招くことなく容易に実現することが可
能である。According to the present invention, since AlN is used as the ceramic substrate material, the thermal resistance can be reduced by about 30% as compared with the case where Al 2 O 3 is used. Therefore, it is possible to manufacture a semiconductor chip which can sufficiently cope with a large amount of heat generated by a semiconductor chip to be mounted inside. Further, since the surface of the AlN substrate is oxidized, the bonding strength between the substrate and the glass layer can be sufficiently increased,
Thereby, the bonding strength between the AlN substrate and the ceramic cap or the lead frame can be sufficiently increased. Therefore, as in the case of using the Al 2 O 3 substrate, it is possible to realize sufficient hermetic sealing or lead strength. Further, when the semiconductor chip is mounted on a conductor layer formed by firing a conductive paste, if the firing of the paste and the oxidation of the AlN substrate are performed simultaneously, the process can be easily realized without increasing the number of steps. Is possible.
【図１】 （ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例に係る
セラミックスパッケージ製造工程を示す断面図である。FIGS. 1A to 1F are cross-sectional views showing a ceramic package manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
【図２】 図１（ｅ）に示す状態を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the state shown in FIG.
１１・・・ＡｌＮ基板（セラミックス基板）、 １２・
・・導体ペースト、 １２’・・・導体層、 １３・・
・酸化層 １４，１８・・・ガラス層、 １５・・・リ
ードフレーム、 １６・・・半導体チップ、 １７・・
・ボンディングワイヤ、 １９・・・セラミックスキャ
ップ11 ... AlN substrate (ceramic substrate)
..Conductor paste, 12 '... conductor layer, 13 ...
・ Oxide layer 14, 18 ・ ・ ・ Glass layer, 15 ・ ・ ・ Lead frame, 16 ・ ・ ・ Semiconductor chip, 17 ・ ・
・ Bonding wire, 19 ・ ・ ・ Ceramic cap
Claims (3)
導体チップが載置されるセラミックス基板の表面を酸化
処理してＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ−Ａｌ2 Ｏ3 、及び３Ｙ2
Ｏ3 ・５Ａｌ2 ＯＡ3 からなる酸化層を形成する工程
と、次いで前記基板上の酸化層上にガラス層を被着する
工程と、次いで上記ガラス層を介してセラミックスキャ
ップを前記基板上の酸化層に接着する工程とを含むこと
を特徴とするセラミックスパッケージの製造方法。1. A ceramic substrate made of aluminum nitride, on which a semiconductor chip is mounted, is oxidized to form Al 2 O 3 , AlN—Al 2 O 3 , and 3Y 2.
Forming an oxide layer made of O 3 · 5Al 2 OA 3 , then applying a glass layer on the oxide layer on the substrate, and then attaching the ceramic cap on the substrate via the glass layer. Adhering to a layer.
ティ上に印刷された導体ペーストを焼成してなる導体膜
上にマウントされることを特徴とする請求項１に記載の
セラミックスパッケージの製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the semiconductor chip is mounted on a conductive film formed by firing a conductive paste printed on a cavity of the substrate.
の形成とを、所定の熱処理工程により同時に行うことを
特徴とする請求項１記載のセラミックスパッケージの製
造方法。3. The method for manufacturing a ceramic package according to claim 1, wherein the firing of the conductive paste and the formation of the oxide layer are simultaneously performed by a predetermined heat treatment step.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35197697A JPH10154770A (en) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | Manufacture of ceramic package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35197697A JPH10154770A (en) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | Manufacture of ceramic package |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60009772A Division JPH0770634B2 (en) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | Ceramics package and method for producing the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10154770A true JPH10154770A (en) | 1998-06-09 |
Family
ID=18420923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35197697A Pending JPH10154770A (en) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | Manufacture of ceramic package |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10154770A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6630727B1 (en) * | 1998-03-03 | 2003-10-07 | Infineon Technologies Ag | Modularly expandable multi-layered semiconductor component |
| US8368291B2 (en) | 2010-08-18 | 2013-02-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Radiant heat substrate and method for manufacturing the radiant heat substrate, and luminous element package with the radiant heat substrate |
| JP5302689B2 (en) * | 2006-11-27 | 2013-10-02 | 株式会社トクヤマ | Manufacturing method of aluminum nitride joined body |
-
1997
- 1997-12-08 JP JP35197697A patent/JPH10154770A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6630727B1 (en) * | 1998-03-03 | 2003-10-07 | Infineon Technologies Ag | Modularly expandable multi-layered semiconductor component |
| JP5302689B2 (en) * | 2006-11-27 | 2013-10-02 | 株式会社トクヤマ | Manufacturing method of aluminum nitride joined body |
| US8368291B2 (en) | 2010-08-18 | 2013-02-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Radiant heat substrate and method for manufacturing the radiant heat substrate, and luminous element package with the radiant heat substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10249564B2 (en) | Electronic component mounting substrate, electronic device, and electronic module | |
| JPH05218229A (en) | Ceramic circuit board | |
| US20190273036A1 (en) | Wiring board, electronic device, and electronic module | |
| JPH0613726A (en) | Ceramic circuit substrate | |
| JPH10154770A (en) | Manufacture of ceramic package | |
| JPH0590444A (en) | Ceramic circuit board | |
| JP3706606B2 (en) | Package for storing semiconductor elements | |
| JPH0770634B2 (en) | Ceramics package and method for producing the same | |
| JP3695706B2 (en) | Semiconductor package | |
| JP2000340715A (en) | Wiring board for mounting semiconductor element and semiconductor device using the same | |
| JPH03196664A (en) | Package for semiconductor device | |
| US20240347417A1 (en) | Device comprising a ceramic substrate and method for producing same | |
| JP2002043701A (en) | Multiple ceramic wiring board and ceramic wiring board | |
| JP2005252121A (en) | Package for storing semiconductor element and method for manufacturing the same | |
| JP2792636B2 (en) | Package for storing semiconductor elements | |
| JP2514911Y2 (en) | Package for storing semiconductor devices | |
| JPH0745962Y2 (en) | Package for storing semiconductor devices | |
| JP3752447B2 (en) | Package for storing semiconductor elements | |
| JP2003332479A (en) | Package for containing semiconductor element and its manufacturing process | |
| JP6258768B2 (en) | Wiring board and electronic device | |
| JP2783735B2 (en) | Package for storing semiconductor elements | |
| JP2670208B2 (en) | Package for storing semiconductor elements | |
| JPH08153827A (en) | Package for semiconductor and semiconductor part using the same | |
| JP3297579B2 (en) | Package for storing semiconductor elements | |
| JP2548964Y2 (en) | Package for storing semiconductor elements |