JPH10154320A - 磁気カード及びその記録方法 - Google Patents

磁気カード及びその記録方法

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JPH10154320A
JPH10154320A JP8325993A JP32599396A JPH10154320A JP H10154320 A JPH10154320 A JP H10154320A JP 8325993 A JP8325993 A JP 8325993A JP 32599396 A JP32599396 A JP 32599396A JP H10154320 A JPH10154320 A JP H10154320A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
organic polymer
substrate
magnetic card
information
Prior art date
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Pending
Application number
JP8325993A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Yamaya
孝志 山家
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokin Corp filed Critical Tokin Corp
Priority to JP8325993A priority Critical patent/JPH10154320A/ja
Publication of JPH10154320A publication Critical patent/JPH10154320A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録した磁気情報を上書きし書き換える等の
変造の防止に優れた磁気カード及びその記録方法を提供
すること。 【解決手段】 基体3上に、長手方向に垂直な方向に、
溝を設け、この溝に基体3の軟化温度より10℃以上低
い融点を有する高分子化合物からなる有機高分子層2を
設け、この有機高分子層2上に、基体3の軟化温度より
10℃以上低い融点を有する有機高分子化合物と磁性粉
末からなる磁性層1を設け、使用後、有機高分子化合物
を融点以上に加熱し、磁性粉末の一部または全部を、有
機高分子層2に移動させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気カード及びそ
の記録方法に関し、特に、上書きし書き換える等の変造
を防止する機能を有する磁気カード及びその記録方法に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】乗車券、テレフォンカードあるいはプリ
ペイドカード等の金券として利用されている磁気カード
類は、利用するごとに所定の装置で、磁性層に残金等の
所定の情報を書き換えることにより、使用されている。
【0003】これらの磁気カードには、変造防止策とし
て、磁性層に保護層を設ける、あるいは、磁性層を多層
にする等の工夫が施されている。
【0004】ところが、磁気カードの普及と共に、磁気
カードの情報を再生、記録する装置技術も発達し、記録
した情報を容易に読み取り、さらには、情報を書き込む
ことまで可能となった。具体的には、磁気カードの使用
ごとに、新しい情報を含む全情報が、旧情報の上に上書
きされる形で書き換えられるため、情報を記録、再生す
る装置があれば、容易に情報の書き換えが行える。この
ことにより、近年磁気カードの変造が増加してきた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を鑑み、検討を進めた結果なされたものであり、記録し
た磁気情報を上書きし書き換える等の変造の防止に優れ
た磁気カード及びその記録方法を提供することを目的と
する。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、基体の主面内
の一部あるいは全面に、該基体の軟化温度より10℃以
上低い融点を有する有機高分子化合物からなる有機高分
子層が設けられ、該有機高分子層上に、前記基体の軟化
温度より10℃以上低い融点を有する有機高分子化合物
と磁性粉末からなる磁性層が設けられていることを特徴
とする磁気カードである。
【0007】また、本発明は、基体上に、長手方向に垂
直な方向に、溝が設けられ、該溝に、前記基体の軟化温
度より10℃以上低い融点を有する有機高分子化合物か
らなる有機高分子層が設けられ、該有機高分子層上に、
前記基体の軟化温度より10℃以上低い融点を有する有
機高分子化合物と磁性粉末からなる磁性層が設けられて
いることを特徴とする磁気カードである。
【0008】また、本発明は、前記有機高分子化合物を
融点以上に加熱し、前記磁性粉末の一部または全部を、
前記有機高分子層に移動させることを特徴とする上記磁
気カードの記録方法である。
【0009】本発明の磁気カードにおいては、全面が一
定以上の記録密度を有しているため、磁気ヘッドでの記
録と消去ができ、読み取りと書き込みに関し、加熱する
以前どおりの使用が可能である。
【0010】しかし、加熱された有機高分子層上の磁性
層は、記録密度が低くなっているため、出力信号には、
この有機高分子層の形状に応じた信号の強弱が重畳され
ることになる。この信号の強弱を認識することにより、
そのカードの使用状況を確認することが可能となる。
【0011】軟化温度は、一般に昇温速度、重合度によ
り異なる。例えば、ポリイミドの軟化温度は、490〜
500℃であり、磁性層を構成する有機高分子化合物及
び磁性層と基体との間に設ける有機高分子層の有機高分
子化合物の融点は、基体の軟化温度よりも、少なくとも
10℃以上、低いことが望ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態を図
1、図2を参照して説明する。
【0013】図1は、本発明の第1の実施の形態におけ
る磁気カードの断面図及び出力信号を示す図であり、図
1(a)は断面図、図1(b)は出力信号を示す図であ
る。図2は、本発明の第1の実施の形態における磁気カ
ードのレーザを照射した後の状態を示す断面図及び出力
信号を示す図であり、図2(a)は断面図、図2(b)
は出力信号を示す図である。
【0014】40重量部のサマリウム−コバルト系磁性
粉末を、60重量部のパラフィンと100重量部のポリ
エチレングリコールに混合し、磁性塗料を作製した。
【0015】次に、図1に示すように、基体3に深さ3
0μm、幅0.5mmで長手方向に垂直な方向に溝を複
数設け、この溝に有機高分子層2としてパラフィンを塗
工し平滑な表面とした。
【0016】さらにこの上に、上記のように作製した磁
性塗料を、塗布厚さ30μmになるように塗工を行い、
その後、乾燥し、磁性層1を形成した。
【0017】次に、磁気ヘッド(発生磁界5kG)を用
いて、長手方向にFM方式で記録を行った。これを磁気
カードリーダを用いて記録した情報を読み取ったとこ
ろ、全情報を読み取ることができた。
【0018】次に、情報記録部分の一部を、レーザを照
射することにより200℃に加熱し、磁気カードリーダ
を用いて記録情報を読み取ったところ、レーザを照射し
た部分の情報と、レーザを照射していない部分の情報を
読み取ることができた。しかし、図2に示すように、レ
ーザを照射した部分の磁性層1においては、有機高分子
層2上の磁性粉末の密度が低くなっているため、低電圧
信号がパルス状に発生した。そのため、使用状況の情報
として認識することができた。
【0019】次に、本発明の第2の実施の形態を図3、
図4を参照して説明する。
【0020】図3は、本発明の第2の実施の形態におけ
る磁気カードの断面図及び出力信号を示す図であり、図
3(a)は断面図、図3(b)は出力信号を示す図であ
る。図4は、本発明の第2の実施の形態における磁気カ
ードのレーザを照射した後の状態を示す断面図及び出力
信号を示す図であり、図4(a)は断面図、図4(b)
は出力信号を示す図である。
【0021】40重量部のサマリウム−コバルト系磁性
粉末を、60重量部のパラフィンと100重量部のポリ
エチレングリコールに混合し、磁性塗料を作製した。
【0022】次に、図3に示すように、基体3の全面
に、有機高分子層2としてパラフィンを塗工し平滑な表
面とした。
【0023】さらにこの上に、上記のように作製した磁
性塗料を、塗布厚さ30μmになるように塗工を行い、
その後、乾燥し、磁性層1を形成した。
【0024】次に、磁気ヘッド(発生磁界5kG)を用
いて、長手方向にFM方式で記録を行った。これを磁気
カードリーダを用いて記録した情報を読み取ったとこ
ろ、全情報を読み取ることができた。
【0025】次に、情報記録部分の一部を、レーザを照
射することにより200℃に加熱し、磁気カードリーダ
を用いて記録情報を読み取ったところ、レーザを照射し
た部分の情報と、レーザを照射していない部分の情報を
読み取ることができた。しかし、図4に示すように、レ
ーザを照射した部分(加熱部4)の磁性層1において
は、有機高分子層2上の磁性粉末の密度が低くなってい
るため、信号全体が低レベルとなった。そのため、使用
状況の情報として認識することができた。
【0026】なお、本実施の形態では、磁性層と有機高
分子層の有機高分子化合物には、同じ化合物を用いた
が、基体の軟化温度より少なくとも10℃以上低い融点
を有し、かつ、レーザによる加熱温度で液体になる化合
物であれば、異なる化合物を用いても差し支えない。
【0027】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明によれば、記録
した磁気情報を上書きし書き換える等の変造の防止に優
れた磁気カード及びその記録方法を提供することが可能
となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態における磁気カード
の断面図及び出力信号を示す図。図1(a)は、断面
図。図1(b)は、出力信号を示す図。
【図2】本発明の第1の実施の形態における磁気カード
のレーザを照射した後の状態を示す断面図及び出力信号
を示す図。図2(a)は断面図。図2(b)は出力信号
を示す図。
【図3】本発明の第2の実施の形態における磁気カード
の断面図及び出力信号を示す図。図3(a)は断面図。
図3(b)は出力信号を示す図。
【図4】本発明の第2の実施の形態における磁気カード
のレーザを照射した後の状態を示す断面図及び出力信号
を示す図。図4(a)は断面図。図4(b)は出力信号
を示す図。
【符号の説明】
1 磁性層 2 有機高分子層 3 基体 4 加熱部
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G11B 5/702 G06K 19/00 B

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基体の主面内の一部あるいは全面に、該
    基体の軟化温度より10℃以上低い融点を有する有機高
    分子化合物からなる有機高分子層が設けられ、該有機高
    分子層上に、前記基体の軟化温度より10℃以上低い融
    点を有する有機高分子化合物と磁性粉末からなる磁性層
    が設けられていることを特徴とする磁気カード。
  2. 【請求項2】 基体上に、長手方向に垂直な方向に、溝
    が設けられ、該溝に、前記基体の軟化温度より10℃以
    上低い融点を有する有機高分子化合物からなる有機高分
    子層が設けられ、該有機高分子層上に、前記基体の軟化
    温度より10℃以上低い融点を有する有機高分子化合物
    と磁性粉末からなる磁性層が設けられていることを特徴
    とする磁気カード。
  3. 【請求項3】 前記有機高分子化合物を融点以上に加熱
    し、前記磁性粉末の一部または全部を、前記有機高分子
    層に移動させることを特徴とする請求項1または2記載
    の磁気カードの記録方法。
JP8325993A 1996-11-20 1996-11-20 磁気カード及びその記録方法 Pending JPH10154320A (ja)

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