JPH10153704A - Optical absorbing body, and optical equipment using the same - Google Patents
Optical absorbing body, and optical equipment using the sameInfo
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- JPH10153704A JPH10153704A JP9253823A JP25382397A JPH10153704A JP H10153704 A JPH10153704 A JP H10153704A JP 9253823 A JP9253823 A JP 9253823A JP 25382397 A JP25382397 A JP 25382397A JP H10153704 A JPH10153704 A JP H10153704A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に設けら
れ、基板に向かう光を遮蔽しつつ、基板からの反射光を
低減する光吸収体であって、光ディスク、カメラ、ビデ
オムービー、顕微鏡、内視鏡、デンタルスコープ、各種
光通信機器、各種画像表示装置、レーザープリンタ等の
光学機器に有用な光吸収体に関するものであり、また、
この光吸収体を用いた各種光学機器に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light absorber provided on a substrate, which shields light directed to the substrate and reduces reflected light from the substrate. Endoscopes, dental scopes, various optical communication devices, various image display devices, relates to light absorbers useful for optical devices such as laser printers,
The present invention relates to various optical devices using the light absorber.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、透明基板上に遮光のために形成さ
れる膜としては、例えば特開平６−２２２３５４号公報
に記載されたものが知られている。図１６はこの遮光膜
の構成を示す断面図である。図１６に示したように、こ
の遮光膜は、基板１６３の主面上に可視光領域で実質的
に透明な酸化クロム膜１６２と可視光領域で実質的に不
透明なクロム膜１６１をこの順に積層形成し、酸化クロ
ム膜１６２の膜厚を５０〜７５ｎｍとして各膜（酸化ク
ロム膜１６２，クロム膜１６１）からの反射光が干渉す
るようにしたもので、これによって遮光と低光反射化の
両立できるとされている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a film formed on a transparent substrate for shielding light, for example, a film described in JP-A-6-222354 is known. FIG. 16 is a cross-sectional view showing the configuration of the light-shielding film. As shown in FIG. 16, the light-shielding film has a chromium oxide film 162 substantially transparent in the visible light region and a chromium film 161 substantially opaque in the visible light region laminated on the main surface of the substrate 163 in this order. The chromium oxide film 162 is formed to have a thickness of 50 to 75 nm so that light reflected from each film (the chromium oxide film 162 and the chromium film 161) interferes with each other. It is possible.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかるに特開平６−２
２２３５４号公報に記載されている遮光膜によれば、低
反射化について一定の効果は得られるものの、残存反射
率が約６．５％存在する。この程度の光反射率は、光デ
ィスク用光ピックアップ、ビデオムービー用色分解プリ
ズム、イメージセンサ、レンズ等の前記各種光学機器に
用いられる光デバイスへの応用を考えた場合に十分では
なく、より低い光反射率（以下、単に「反射率」とも称
す。）を有する光吸収体が要望されている。SUMMARY OF THE INVENTION However, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-2
According to the light-shielding film described in Japanese Patent No. 22354, although a certain effect can be obtained for lowering the reflection, the residual reflectance is about 6.5%. This degree of light reflectance is not sufficient when considering application to optical devices used in the above-mentioned various optical devices such as optical pickups for optical discs, color separation prisms for video movies, image sensors, lenses, and the like. There is a demand for a light absorber having a reflectance (hereinafter, also simply referred to as “reflectance”).
【０００４】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たものであり、遮光性を有するとともに、従来に比して
反射率を低減させた光吸収体およびこの光吸収体を用い
た光学機器を提供することを目的とする。[0004] The present invention has been made in view of such problems, and has a light-shielding property and a light absorber having a lower reflectance than conventional light absorbers and an optical apparatus using the light absorber. The purpose is to provide.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するべ
く、本発明の光吸収体は、入射光を遮蔽するための遮光
層と、この遮光層よりも前記入射光の入射側に形成され
た光吸収層と、この光吸収層と前記遮光層との間に形成
された透明層とを含む多層膜を基板上に形成したことを
特徴とする。このような構成とすることにより、遮光層
による反射光は、光吸収層により吸収されて減衰される
こととなり、遮光性を有し、反射率が低減された光吸収
体とすることができる。In order to achieve the above object, a light absorber of the present invention has a light shielding layer for shielding incident light, and a light shielding layer formed on the incident side of the incident light with respect to the light shielding layer. A multilayer film including a light absorbing layer and a transparent layer formed between the light absorbing layer and the light shielding layer is formed on a substrate. With such a configuration, light reflected by the light-shielding layer is absorbed and attenuated by the light-absorbing layer, so that a light-absorbing body having light-shielding properties and reduced reflectance can be obtained.
【０００６】本発明の光吸収体においては、前記光吸収
層が、屈折率と吸収係数との積が２以上となる物質によ
り構成されていることが好ましい。光吸収層自体による
反射を抑制しつつ、遮光層からの反射光を効果的に吸収
することができるからである。In the light absorber of the present invention, it is preferable that the light absorbing layer is made of a substance having a product of a refractive index and an absorption coefficient of 2 or more. This is because it is possible to effectively absorb the reflected light from the light-shielding layer while suppressing the reflection by the light-absorbing layer itself.
【０００７】一般に、屈折率ｎ0の媒体から、屈折率
ｎ1、吸収係数ｋ1の吸収媒体に光が入射する場合の反射
Ｒは、下記式により与えられる。Generally, the reflection R when light is incident from a medium having a refractive index n 0 to an absorption medium having a refractive index n 1 and an absorption coefficient k 1 is given by the following equation.
【０００８】Ｒ＝（(n0−n1)×(n0−n1)＋k1×k1）／
（(n0＋n1)×(n0＋n1)＋k1×k1） この式によると、反射を小さくするためには、例えば吸
収係数ｋ1は小さいほうが好ましいことになるが、本発
明の光吸収体においては、膜構成材料の吸収性も利用し
て無反射効果を発現させるため、吸収係数ｋ1を小さく
し過ぎることは好ましくない。屈折率ｎ1についても同
様に大きくなり過ぎても小さくなり過ぎても好ましくな
い。本発明者は、前記光吸収層を構成する物質に好まし
い屈折率ｎ、吸収係数ｋを種々実験すること等により検
討した結果、屈折率ｎと吸収係数ｋとの積（以下、単に
「ｎｋ値」とも称す。）が２以上であることが好ましい
ことを見出した。R = ((n 0 −n 1 ) × (n 0 −n 1 ) + k 1 × k 1 ) /
((N 0 + n 1 ) × (n 0 + n 1 ) + k 1 × k 1 ) According to this equation, it is preferable to reduce the absorption coefficient k 1 , for example, in order to reduce the reflection. in light absorber, since the absorbent layer constituent material to express an anti-reflection effect by utilizing, it is not preferable to excessively reduce the absorption coefficient k 1. Similarly, it is not preferable that the refractive index n 1 is too large or too small. The inventor of the present invention has conducted various experiments on the preferable refractive index n and the absorption coefficient k for the material constituting the light absorbing layer, and as a result, has found that the product of the refractive index n and the absorption coefficient k (hereinafter simply referred to as “nk value”) Is also preferably 2 or more.
【０００９】例えば、ｎ＝０．１２（波長０．５６μ
ｍ）、ｋ＝３．４５であるＡｇ（ｎｋ値＝０．４）によ
り前記光吸収層を構成すると、吸収効果は大きいが屈折
率が低く反射が高くなり過ぎて好ましい結果が得られな
かった。また、ｎ＝４．０４、ｋ＝０．０３の結晶Ｓｉ
（ｎｋ値＝０．１２）により前記光吸収層を構成する
と、反射率は低下するものの吸収効果が小さくなり過ぎ
て好ましい結果が得られなかった。しかし、ｎ＝０．８
２６、ｋ＝２．６のＣｕ（ｎｋ値＝２．１）により前記
光吸収層を構成すると、反射率が５％以下にまで低減し
た光吸収体を構成することが可能であった。For example, n = 0.12 (wavelength 0.56 μm)
When the light absorbing layer was composed of Ag (nk value = 0.4) where m) and k = 3.45, a favorable result was not obtained because the absorption effect was large but the refractive index was low and the reflection was too high. . Also, crystalline Si with n = 4.04 and k = 0.03
When the light-absorbing layer was constituted by (nk value = 0.12), the reflectance was reduced, but the absorption effect was too small to obtain a favorable result. However, n = 0.8
26, when the light absorbing layer was made of Cu (nk value = 2.1) with k = 2.6, it was possible to form a light absorber whose reflectance was reduced to 5% or less.
【００１０】ｎｋ値が２以上となる材料としては、具体
的には、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，アモルファス
Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｇｅ，ＷＳｉ2，Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｔａ，
ＴｉＷ，Ｃｏ，ＳｉＧｅ，ＴｉＳｉ2，ＣｒＳｉ2，Ｍｏ
Ｓｉ2，ＦｅＳｉ2，ＣｏＳｉ 2，ＮｉＳｉ2，ＣｒＮおよ
びＭｏ2Ｎ等が挙げられる。従って、前記光吸収層は、
前記に例示した物質から選ばれる少なくとも１つの物質
から構成されることが好ましい。ｎｋ値はさらに高いこ
とが好ましい。具体的には、ｎｋ値は５以上であること
が好ましく、このような材料としては、ＣｒおよびＮｉ
が挙げられる。Ｎｉ（ｎ＝１．８，ｋ＝３．３３，ｎｋ
値＝６）を前記光吸収層に用いることにより、反射率が
３％以下の光吸収体とすることができ、Ｃｒ（ｎ＝３．
１８（波長０．５６μｍ），ｋ＝４．４１，ｎｋ値＝１
４）を第２の光吸収体として用いた場合に至っては、反
射率が１％以下の光吸収体とすることが可能となる。As a material having an nk value of 2 or more,
Specifically, Cu, Cr, Mo, Fe, Ni, amorphous
Si, SiC, Ge, WSiTwo, Ti, TiN, Ta,
TiW, Co, SiGe, TiSiTwo, CrSiTwo, Mo
SiTwo, FeSiTwo, CoSi Two, NiSiTwo, CrN and
And MoTwoN and the like. Therefore, the light absorbing layer is
At least one substance selected from the substances exemplified above
Preferably. nk value is higher
Is preferred. Specifically, the nk value must be 5 or more
Preferably, such materials include Cr and Ni.
Is mentioned. Ni (n = 1.8, k = 3.33, nk
By using the value = 6) for the light absorbing layer, the reflectance becomes
3% or less of a light absorber, and Cr (n = 3.
18 (wavelength 0.56 μm), k = 4.41, nk value = 1
When 4) is used as the second light absorber,
A light absorber having an emissivity of 1% or less can be obtained.
【００１１】また、前記光吸収体においては、前記光吸
収層の厚さが３ｎｍ〜２０ｎｍであることが好ましい。
３ｎｍ以上とすることにより、遮光層からの反射光の吸
収を確保できる。かかる観点からは、厚さを４ｎｍ以上
とすることがさらに好ましい。一方、２０ｎｍ以下とす
ることにより、光吸収層自体の反射光が強くなることを
防止できる。かかる観点からは、厚さを１０ｎｍ以下と
することがさらに好ましい。このように、光吸収層は、
遮光層からの反射光を吸収するに十分な程度に厚く、か
つ光吸収層自体からの反射を実質的には防止できる程度
に薄いことが好ましい。In the light absorber, the light absorbing layer preferably has a thickness of 3 nm to 20 nm.
When the thickness is 3 nm or more, absorption of light reflected from the light-shielding layer can be secured. From such a viewpoint, the thickness is more preferably set to 4 nm or more. On the other hand, by setting the thickness to 20 nm or less, it is possible to prevent reflected light from the light absorbing layer itself from becoming strong. From such a viewpoint, the thickness is more preferably set to 10 nm or less. Thus, the light absorbing layer
It is preferable that the thickness is large enough to absorb the reflected light from the light shielding layer and thin enough to substantially prevent reflection from the light absorbing layer itself.
【００１２】また、前記光吸収体においては、前記透明
層が、屈折率が２．０以下の物質から構成されているこ
とが好ましい。透明層は、例えば、Ａｌ2Ｏ3，Ｔｉ
Ｏ2，Ｔａ2Ｏ5，ＺｒＯ2等から構成されていてもよい
が、光吸収体の反射を低減させるためには、屈折率が
１．５以下であることがさらに好ましく、かかる観点か
らはＳｉＯ2およびＭｇＦ2から選ばれる少なくとも１つ
の物質により構成されていることが好ましい。また、透
明層は、厚さが６８ｎｍ〜１４７ｎｍであることが好ま
しい。このように、透明層を適切に選択することによ
り、積層体中での光の干渉を利用して反射率をさらに低
減させることができる。すなわち、本発明の光吸収体に
おいては、前記多層膜を透過する透過光と、前記多層膜
中の各層界面からの反射光とが関与する光干渉効果によ
り、前記入射光の反射をさらに減衰させることが好まし
い。In the light absorber, the transparent layer is preferably made of a substance having a refractive index of 2.0 or less. The transparent layer is made of, for example, Al 2 O 3 , Ti
It may be composed of O 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2 or the like, but in order to reduce the reflection of the light absorber, the refractive index is more preferably 1.5 or less, and from such a viewpoint, It is preferable that it is composed of at least one substance selected from SiO 2 and MgF 2 . Further, the transparent layer preferably has a thickness of 68 nm to 147 nm. As described above, by appropriately selecting the transparent layer, the reflectance can be further reduced by utilizing the interference of light in the laminate. That is, in the light absorber of the present invention, the reflection of the incident light is further attenuated by the light interference effect in which the transmitted light transmitted through the multilayer film and the reflected light from the interface of each layer in the multilayer film are involved. Is preferred.
【００１３】また、前記遮光層は、実質的に入射光を遮
蔽する層であることが好ましく、具体的には、Ｃｕ，Ｃ
ｒ，Ｍｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，アモルファスＳｉ，ＳｉＣ，Ｇ
ｅ，ＷＳｉ，Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｔａ，ＴｉＷ，Ｃｏ，Ｓｉ
Ｇｅ，ＴｉＳｉ2，ＣｒＳｉ2，ＭｏＳｉ2，ＦｅＳｉ2，
ＣｏＳｉ2，ＮｉＳｉ2，ＣｒＮおよびＭｏ2Ｎから選ば
れる少なくとも１つの物質から構成されていることが好
ましい。また、遮光層の厚さは、４０ｎｍ〜２００ｎｍ
であることが好ましい。４０ｎｍ以上とすることにより
遮光性を十分に確保することができるからであり、２０
０ｎｍ以下とすることにより光吸収体全体の厚さの不必
要な増大による製造の非効率化を防止できるからであ
る。Preferably, the light-shielding layer is a layer that substantially blocks incident light.
r, Mo, Fe, Ni, amorphous Si, SiC, G
e, WSi, Ti, TiN, Ta, TiW, Co, Si
Ge, TiSi 2 , CrSi 2 , MoSi 2 , FeSi 2 ,
It is preferable to be made of at least one substance selected from CoSi 2 , NiSi 2 , CrN and Mo 2 N. Further, the thickness of the light shielding layer is 40 nm to 200 nm.
It is preferred that When the thickness is 40 nm or more, sufficient light-shielding properties can be ensured.
This is because by setting the thickness to 0 nm or less, inefficiency in production due to unnecessary increase in the thickness of the entire light absorber can be prevented.
【００１４】また、前記光吸収体においては、前記多層
膜が、前記入射側の最外層にも透明層を含むことが好ま
しい。反射率の低減に効果があるからである。この透明
層も、前述の透明層に好ましく用い得る物質により構成
し、前述の透明層に好ましい厚さとすることが好まし
い。In the light absorber, it is preferable that the multilayer film includes a transparent layer also as an outermost layer on the incident side. This is because it is effective in reducing the reflectance. This transparent layer is also preferably made of a substance which can be preferably used for the above-mentioned transparent layer, and preferably has a thickness which is preferable for the above-mentioned transparent layer.
【００１５】前述のように、本発明の光吸収体は、入射
光の反射率を、可視光反射率により表示して、５％以
下、さらに好ましくは３％以下、最も好ましくは１％以
下にまで低減させることができる。この低減された可視
光反射率を得るためには、遮光層の光入射側に、透明層
と光吸収層とを配置しておく必要がある。遮光層の両側
に透明層と光吸収層とを配置すれば、光吸収体の両側か
ら入射する光線について反射率を低減させることが可能
となる。また、可視光透過率についても、主として遮光
層による遮蔽により、実質的に透明な基板を用いても、
１％以下、さらには実質的に０％とすることもできる。
本発明の光吸収体は、光学機器における不要光を低減さ
せるに十分低い反射率および透過率を有し得るものであ
る。なお、本発明の光吸収体は、可視光域に限られるこ
となく他の領域においても使用し得るものであって、例
えば、波長０．７μｍ〜１２μｍの赤外領域においても
有用である。As described above, the light absorber of the present invention has a reflectance of 5% or less, more preferably 3% or less, and most preferably 1% or less, when the reflectance of incident light is represented by visible light reflectance. Can be reduced. In order to obtain this reduced visible light reflectance, it is necessary to arrange a transparent layer and a light absorbing layer on the light incident side of the light shielding layer. By disposing the transparent layer and the light absorbing layer on both sides of the light shielding layer, it is possible to reduce the reflectance of light rays incident from both sides of the light absorber. Also, regarding the visible light transmittance, even when using a substantially transparent substrate, mainly by shielding by a light shielding layer,
It can be set to 1% or less, or substantially 0%.
The light absorber of the present invention can have a reflectance and a transmittance that are low enough to reduce unnecessary light in an optical device. The light absorber of the present invention is not limited to the visible light region but can be used in other regions. For example, the light absorber is useful in an infrared region having a wavelength of 0.7 μm to 12 μm.
【００１６】本発明の光吸収体の別の構成は、透明層と
光吸収層とを交互に各２層以上積層して、前記光吸収層
により入射光を実質的に遮蔽するとともに、前記光吸収
層による入射光の反射を、この光吸収層よりも前記入射
光の入射側にある光吸収層による吸収により低減させ、
かつ、前記入射側に最も近い光吸収層を、屈折率と吸収
係数との積が２以上である物質により構成した厚さ３〜
２０ｎｍの層とする多層膜を基板上に形成したものであ
る。このような構成とすることによっても、遮光性を有
し、反射率が低減された光吸収体とすることができる。In another configuration of the light absorber of the present invention, two or more transparent layers and two or more light absorbing layers are alternately laminated, and the incident light is substantially blocked by the light absorbing layer. The reflection of incident light by the absorption layer is reduced by absorption by the light absorption layer on the incident side of the incident light from the light absorption layer,
Further, the light absorption layer closest to the incident side is formed of a substance having a product of a refractive index and an absorption coefficient of 2 or more, and has a thickness of 3 to 3.
A multilayer film having a thickness of 20 nm is formed on a substrate. With such a configuration, a light absorber having a light-shielding property and a reduced reflectance can be obtained.
【００１７】本発明の光吸収体のさらに別の構成は、入
射光を遮蔽するための遮光層と、この遮光層よりも前記
入射光の入射側に配置された、透明層と光吸収層とをこ
の順に（２ｎ＋１）層（ｎは１以上の整数；好ましくは
ｎは１〜５の整数；さらに好ましくはｎ＝１または２）
だけ積層した積層膜とを含み、前記遮光層による入射光
の反射を前記光吸収層における吸収と前記積層膜中にお
ける光干渉効果とにより減衰させることにより、前記入
射光の反射率を低減させることとしたものである。この
ような構成とすることによっても、遮光性を有し、反射
率が低減された光吸収体とすることができる。Still another configuration of the light absorber according to the present invention includes a light-shielding layer for shielding incident light, and a transparent layer and a light-absorbing layer which are disposed on the incident side of the incident light with respect to the light-shielding layer. In this order, a (2n + 1) layer (n is an integer of 1 or more; preferably n is an integer of 1 to 5; more preferably n = 1 or 2)
Reducing the reflectance of the incident light by attenuating the reflection of the incident light by the light shielding layer by the absorption in the light absorbing layer and the light interference effect in the laminated film. It is what it was. With such a configuration, a light absorber having a light-shielding property and a reduced reflectance can be obtained.
【００１８】これら別の構成においても、前記に説明し
た例により、さらに好ましい光吸収体とすることができ
る。[0018] In these other configurations, a more preferable light absorber can be obtained by the above-described example.
【００１９】本発明の光学機器は、以上に説明した光吸
収体を備えたものであって、特に限定されるものではな
いが、例えば、光ディスク、カメラ、ビデオムービー、
顕微鏡、内視鏡、デンタルスコープ、各種光通信機器、
各種画像表示装置、レーザープリンタ等である。これら
の装置に備えられる光ディスク用光ピックアップ、ビデ
オムービー用色分解プリズム、ＣＣＤ、イメージセン
サ、各種レンズ、各種光通信デバイス、カラーフィルタ
ー等の光デバイスの性能向上に本発明の光吸収体は有用
である。すなわち、前記光学機器においては、光が透過
または反射する光部品を備え、この光部品に到達する不
要な光を前記光吸収体により低減することが好ましく、
また、前記光吸収体と前記光部品とが基板を同一にする
コンパクトな構成とすることがさらに好ましい。The optical apparatus according to the present invention includes the above-described light absorber, and is not particularly limited. For example, an optical disk, a camera, a video movie,
Microscopes, endoscopes, dental scopes, various optical communication devices,
Various image display devices, laser printers and the like. The light absorber of the present invention is useful for improving the performance of optical devices such as optical pickups for optical disks, color separation prisms for video movies, CCDs, image sensors, various lenses, various optical communication devices, and color filters provided in these devices. is there. That is, the optical device includes an optical component through which light is transmitted or reflected, and it is preferable that unnecessary light reaching the optical component be reduced by the light absorber,
Further, it is more preferable that the light absorber and the optical component have a compact configuration in which the substrate is the same.
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】本発明の光吸収体の態様として
は、例えば、基板上に遮光層を形成し、この遮光層上
に、透明層と光吸収層との積層膜を形成した態様を挙げ
ることができる。また、別の態様としては、基板上に透
明層と光吸収層との積層膜を形成し、この積層膜上に遮
光層を形成し、この遮光層上に透明層と光吸収層体との
積層膜を形成した態様を挙げることができる。後者の態
様は、基板側から基板を透過して膜中に入射する光につ
いても低反射効果を得ることができるようにしたもので
ある。以下に、本発明の光吸収体の実施態様の例を図面
を参照しながら説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As an embodiment of the light absorber of the present invention, for example, an embodiment in which a light-shielding layer is formed on a substrate and a laminated film of a transparent layer and a light-absorbing layer is formed on the light-shielding layer. Can be mentioned. Further, as another aspect, a laminated film of a transparent layer and a light absorbing layer is formed on a substrate, a light shielding layer is formed on the laminated film, and a transparent layer and a light absorbing layer body are formed on the light shielding layer. An embodiment in which a laminated film is formed can be given. The latter mode is such that a low reflection effect can be obtained even for light that passes through the substrate from the substrate side and enters the film. Hereinafter, examples of embodiments of the light absorber of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２１】（第１の実施形態）本発明の光吸収体の構
成の例を、図１を参照しながら説明する。この光吸収体
は、基板１１上に、実質的に入射光を遮蔽する第１の光
吸収層（遮光層）１２、厚さが６８ｎｍ〜１４７ｎｍの
透明層１３、厚さが３〜２０ｎｍであって屈折率と吸収
係数との積が２以上となる物質により構成されている第
２の光吸収層（部分吸光層）１４、および厚さが６８ｎ
ｍ〜１４７ｎｍの透明層１５を、この順に形成した構成
を有する。遮光層１２は、好ましくは厚さ４０ｎｍ〜２
００ｎｍのＣｒ等からなる層である。透明層１３、１５
は、好ましくは屈折率が２．０以下、さらに好ましくは
屈折率が１．５以下の層であり、具体的にはＳｉＯ2お
よびＭｇＦ2から選ばれる少なくとも１つの物質からな
る層であることが好ましい。部分吸光層１４は、前述の
ように最も好ましくはＣｒからなる層である。(First Embodiment) An example of the structure of a light absorber according to the present invention will be described with reference to FIG. This light absorber has a first light absorbing layer (light shielding layer) 12 for substantially blocking incident light, a transparent layer 13 having a thickness of 68 to 147 nm, and a thickness of 3 to 20 nm on a substrate 11. Light absorbing layer (partial light absorbing layer) 14 made of a substance having a product of a refractive index and an absorption coefficient of 2 or more, and a thickness of 68 n
It has a configuration in which transparent layers 15 of m to 147 nm are formed in this order. The light shielding layer 12 preferably has a thickness of 40 nm to 2 nm.
It is a layer made of 00 nm Cr or the like. Transparent layers 13, 15
Is preferably a layer having a refractive index of 2.0 or less, more preferably a refractive index of 1.5 or less, and more specifically a layer made of at least one substance selected from SiO 2 and MgF 2. preferable. The partial light absorbing layer 14 is most preferably a layer made of Cr as described above.
【００２２】この好ましい構成は、異なる屈折率の物質
間における光の挙動（反射、屈折、吸収）に基づいた計
算と実験の結果により得られたものである。この構成例
において、遮光層１２の厚さが４０ｎｍより小さい場合
には、遮光層１２の外側から基板へ入射しようとする光
を遮断する効果が低下して光吸収体全体の遮光性が低下
する傾向を示す。また、部分吸光層１４の厚さが２０ｎ
ｍより大きい場合には、それ自体の表面で反射する光の
反射率が増大して光吸収体全体の反射率が増大する。一
方、この層の厚さが３ｎｍより小さい場合には、遮光層
１２からの反射光を十分に吸収できなくなって光吸収体
全体の反射率が増大する傾向を示すこととなる。また、
透明層１３、１５の厚さが６８〜１４７ｎｍの範囲から
外れて小さくまたは大きくなると、各層界面から反射す
る多重反射光の位相の不揃いの程度が大きくなって、積
層構造膜中での光の多重干渉による反射率低減効果が減
少し、光吸収体全体の反射率が増大する傾向を示すこと
となる。This preferred configuration is obtained by calculation and experiment based on the behavior of light (reflection, refraction, absorption) between substances having different refractive indices. In this configuration example, if the thickness of the light-shielding layer 12 is smaller than 40 nm, the effect of blocking light from entering the substrate from outside the light-shielding layer 12 is reduced, and the light-shielding properties of the entire light absorber is reduced. Show the trend. Further, the thickness of the partial light absorbing layer 14 is 20 n
When it is larger than m, the reflectance of light reflected on its own surface increases, and the reflectance of the entire light absorber increases. On the other hand, when the thickness of this layer is smaller than 3 nm, the light reflected from the light shielding layer 12 cannot be sufficiently absorbed, and the reflectance of the entire light absorber tends to increase. Also,
When the thicknesses of the transparent layers 13 and 15 deviate from the range of 68 to 147 nm and become small or large, the degree of irregularity of the phase of the multiple reflected light reflected from each layer interface becomes large, and the multiplexing of light in the multilayer structure film is performed. The effect of reducing the reflectance due to interference decreases, and the reflectance of the entire light absorber tends to increase.
【００２３】（第２の実施形態）本発明の光吸収体の構
成の別の例を、図６を参照しながら説明する。この光吸
収体は、基板６１上に、厚さが６８ｎｍ〜１４７ｎｍの
透明層６２、厚さが３〜２０ｎｍであって屈折率と吸収
係数との積が２以上となる物質により構成されている第
１の光吸収層（部分吸光層）６３、厚さが６８ｎｍ〜１
４７ｎｍの透明層６４、実質的に入射光を遮蔽する第２
の光吸収層（遮光層）６５、厚さが６８ｎｍ〜１４７ｎ
ｍの透明層６６、厚さが３〜２０ｎｍであって屈折率と
吸収係数との積が２以上となる物質により構成されてい
る第３の光吸収層（部分吸光層）６７、および厚さが６
８ｎｍ〜１４７ｎｍの透明層６８を、この順に形成した
構成を有する。この構成例においても、遮光層６５は、
好ましくは厚さ４０ｎｍ〜２００ｎｍのＣｒ等からなる
層である。透明層６２、６４、６６、６８は、好ましく
は屈折率が２．０以下、さらに好ましくは屈折率が１．
５以下の層であり、具体的には、ＳｉＯ2およびＭｇＦ2
から選ばれる少なくとも１つの物質からなる層であるこ
とが好ましい。部分吸光層６３、６７は、最も好ましく
はＣｒからなる層である。この構成における各層の作用
や厚さ限定の理由は前述の構成例と同様であるが、この
構成例においては、透明基板６１と遮光層６５との間に
形成された透明層６２／部分吸光層６３／透明層６４か
らなる積層膜により、透明基板６１側からの入射光につ
いても、十分な遮光性と小さい反射率が示されることと
なる。(Second Embodiment) Another example of the structure of the light absorber of the present invention will be described with reference to FIG. This light absorber is composed of a transparent layer 62 having a thickness of 68 nm to 147 nm on a substrate 61 and a substance having a thickness of 3 to 20 nm and a product of a refractive index and an absorption coefficient being 2 or more. First light absorbing layer (partial light absorbing layer) 63, having a thickness of 68 nm to 1
47 nm transparent layer 64, a second layer that substantially blocks incident light
Light-absorbing layer (light-shielding layer) 65 with a thickness of 68 nm to 147 n
m, a third light absorbing layer (partially absorbing layer) 67 made of a substance having a thickness of 3 to 20 nm and a product of a refractive index and an absorption coefficient being 2 or more, and a thickness of Is 6
It has a configuration in which a transparent layer 68 of 8 nm to 147 nm is formed in this order. Also in this configuration example, the light shielding layer 65
It is preferably a layer made of Cr or the like having a thickness of 40 nm to 200 nm. The transparent layers 62, 64, 66, 68 preferably have a refractive index of 2.0 or less, and more preferably have a refractive index of 1.
5 or less, specifically, SiO 2 and MgF 2
The layer is preferably made of at least one substance selected from the group consisting of: The partial light absorbing layers 63 and 67 are most preferably made of Cr. The function of each layer and the reason for limiting the thickness in this configuration are the same as those in the above-described configuration example. However, in this configuration example, the transparent layer 62 formed between the transparent substrate 61 and the light-shielding layer 65 / the partial absorption layer Due to the laminated film composed of the 63 / transparent layer 64, a sufficient light-shielding property and a small reflectance are exhibited even for incident light from the transparent substrate 61 side.
【００２４】なお、前記実施形態に示した前記光吸収体
においては、各透明膜の厚さが実質的に同一であること
が好ましい。この好ましい例によれば、複数の実質的に
透明な膜を互いに同一の成膜条件により成膜できるの
で、製造時の工程管理が容易となる。In the light absorber shown in the embodiment, it is preferable that the thickness of each transparent film is substantially the same. According to this preferred example, since a plurality of substantially transparent films can be formed under the same film forming conditions, the process management during manufacturing becomes easy.
【００２５】また、前記いずれの構成による光吸収体に
おいても、最上層（最外側層）としてさらに反射防止膜
を付加しても構わない。反射防止膜としては、従来から
公知の使用することができるが、Ａｌ2Ｏ3膜、ＴｉＯ2
膜、ＭｇＦ2膜およびＳｉＯ2膜から選ばれるいずれかの
膜または２以上の膜からなる積層膜が好ましい。Further, in the light absorber having any of the above structures, an antireflection film may be further added as an uppermost layer (outermost layer). The antireflection film can be conventionally known uses, Al 2 O 3 film, TiO 2
A film selected from a film, an MgF 2 film, and a SiO 2 film, or a laminated film including two or more films is preferable.
【００２６】また、前記光吸収体を構成する各層は、特
に限られるものではないが、例えば、各種蒸着法、ＣＶ
Ｄ法、スパッタリング法等の従来から公知の成膜方法に
より作製することができる。また、前記基板としても、
特に限られることなく、各種ガラス、セラミックス、金
属、プラスチック等からなる基板を用いることができ
る。The layers constituting the light absorber are not particularly limited, but may be, for example, various vapor deposition methods, CV
It can be manufactured by a conventionally known film forming method such as a method D or a sputtering method. Also, as the substrate,
There is no particular limitation, and substrates made of various types of glass, ceramics, metals, plastics, and the like can be used.
【００２７】（第３の実施形態）図１１は本発明の光吸
収体を用いた光ディスク装置の概略を示す図である。半
導体レーザー１１１から出射した光はビームスプリッタ
１１２を通過し、反射素子１１３で反射され、レンズ１
１４を通過して光ディスク基板１１５上に集光する。集
光した光は反射し再びレンズ１１４、反射素子１１３を
介してビームスプリッタ１１２に到達し、光検出器１１
６に導かれ信号が検出される。(Third Embodiment) FIG. 11 is a view schematically showing an optical disk apparatus using the light absorber of the present invention. Light emitted from the semiconductor laser 111 passes through the beam splitter 112, is reflected by the reflection element 113, and is
The light passes through 14 and is focused on the optical disk substrate 115. The condensed light is reflected and reaches the beam splitter 112 again via the lens 114 and the reflection element 113, and the photodetector 11
6 and a signal is detected.
【００２８】しかし、半導体レーザー１１１から出射し
た光は、図１１にも示されているように発散しながら出
射するため、光の一部はビームスプリッタ１１２の表面
で反射して光検出器に到達し信号検出に大きな影響を及
ぼす。However, since the light emitted from the semiconductor laser 111 is emitted while diverging as shown in FIG. 11, a part of the light is reflected on the surface of the beam splitter 112 and reaches the photodetector. This has a great effect on signal detection.
【００２９】また、反射素子１１３に到達した光の一部
は表面を通過し、裏面へ到達し一部反射するが、反射し
た光は、表面を通過して最終的に光検出器に到達する。
これも前述と同様光検出器１１６で検出する信号のＳ／
Ｎを悪くする原因となり、このようなノイズ光はゼロで
あるのが求められている。A part of the light reaching the reflection element 113 passes through the front surface, reaches the back surface, and is partially reflected. The reflected light passes through the front surface and finally reaches the photodetector. .
This is also the same as described above, in which the S /
It is required that such noise light becomes zero, which causes N to deteriorate.
【００３０】ノイズ光をなくすために、反射防止膜をビ
ームスプリッタ１１２の表面や反射素子１１３の裏面に
コートして反射光を抑制する方法が考えられるが、従来
の反射防止膜では反射光は抑制されるものの、残存する
反射光が光ディスク装置内に存在するその他の光学素子
や、その他の機械部品に照射され迷光等になって再び光
検出器でノイズとして検出されてしまう。In order to eliminate noise light, a method of suppressing the reflected light by coating an antireflection film on the front surface of the beam splitter 112 or the back surface of the reflection element 113 can be considered. However, the conventional antireflection film suppresses the reflected light. However, the remaining reflected light is radiated to other optical elements and other mechanical components existing in the optical disk device to become stray light and the like, and is again detected as noise by the photodetector.
【００３１】本発明の光吸収体をビームスプリッタ１１
２上の被膜１１７や反射素子上の被膜１１８として設け
ることにより、迷光が抑制された極めて有用な光ディス
ク装置を実現することができる。The light absorber of the present invention is used as a beam splitter 11
By providing the film 117 on the reflective element 2 and the film 118 on the reflective element, it is possible to realize an extremely useful optical disk device in which stray light is suppressed.
【００３２】（第４の実施形態）図１２に本発明の光吸
収体を備えたＣＣＤの概略図を示す。(Fourth Embodiment) FIG. 12 is a schematic view of a CCD provided with a light absorber of the present invention.
【００３３】１２１が画像情報光１２６の光量を検出す
るフォトディテクター、１２２が検出した信号を伝送す
るためのポリシリコン、１２３がポリシリコンに画像情
報光１２６が照射されないように光を遮断するための金
属膜、１２４がフォトディテクター等を保護するための
ＳｉＮからなる保護膜、１２５が光吸収体である。Reference numeral 121 denotes a photodetector for detecting the amount of the image information light 126, polysilicon for transmitting the signal detected by 122, and 123 for blocking light so that the image information light 126 is not irradiated to the polysilicon. A metal film, 124 is a protective film made of SiN for protecting a photodetector or the like, and 125 is a light absorber.
【００３４】光吸収体１２５が無い場合、画像情報光１
２６の多くは、フォトディテクター１２１に到達する
が、一部は金属膜１２３に到達する。一般に金属層１２
３はアルミニウム等の高反射率物質で実現されているた
め、金属膜１２３に到達した光の多くは反射する。反射
した光は迷光となってその一部は、他の画素のフォトデ
ィテクター等に到達する。このノイズ光は画像として非
常に問題となりできるだけ少なくすることが求められて
いる。When there is no light absorber 125, the image information light 1
Most of 26 reach the photodetector 121, but part of the 26 reaches the metal film 123. Generally metal layer 12
3 is realized by a high reflectivity material such as aluminum, so that most of the light reaching the metal film 123 is reflected. The reflected light becomes stray light, and a part of the light reaches a photodetector or the like of another pixel. This noise light is very problematic as an image, and is required to be reduced as much as possible.
【００３５】そこで保護膜１２４上に本発明の光吸収体
１２５を備えたＣＣＤの構造とする。保護膜の上に形成
するので、既存のプロセスをそのまま流用できるという
製造上のメリットも生じる。このような構成とすると、
光吸収体により反射光量が著しく低減できるため、ノイ
ズ光の少ない極めて高品位のＣＣＤが実現できる。Therefore, a CCD structure having the light absorber 125 of the present invention on the protective film 124 is adopted. Since it is formed on the protective film, there is also an advantage in manufacturing that an existing process can be used as it is. With such a configuration,
Since the amount of reflected light can be significantly reduced by the light absorber, an extremely high quality CCD with less noise light can be realized.
【００３６】また、図１３に示したように、光吸収体１
２５を形成する代わりに、図１２の金属膜１２３を本発
明の光吸収体に置き換えてもよい。すなわち、金属膜１
２３を、遮光層１３１、透明層１３２、光吸収層１３３
および透明層１３４からなる積層膜に置換する。このよ
うな構造を用いることで、ポリシリコンへの遮光性を満
足するとともに、入射した光をほとんど吸収し、反射光
をほとんど発生しないという本発明の光吸収体の特徴が
活かされる。この実施態様においては、１３３の材料と
しては、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ等のシリサイドまたは窒化物
材料を用いることが好ましい。これらの物質は、例えば
スパッタリング法により形成される。また、１３２、１
３４の透明層は、前述の透明層に好ましい物質の他、例
えば、ＳｉＯＮ、ＳｉＮを用いることも好ましい。これ
らの物質は、例えばＣＶＤ法で形成される。Further, as shown in FIG.
Instead of forming 25, the metal film 123 of FIG. 12 may be replaced with the light absorber of the present invention. That is, the metal film 1
23, the light shielding layer 131, the transparent layer 132, and the light absorbing layer 133
And a laminated film composed of the transparent layer 134. By using such a structure, the characteristics of the light absorber of the present invention, which satisfies the light-shielding property to polysilicon, absorbs almost all incident light, and hardly generates reflected light, are utilized. In this embodiment, it is preferable to use a silicide or nitride material such as Mo, Ti, and Ta as the material of 133. These substances are formed by, for example, a sputtering method. 132, 1
For the transparent layer 34, it is also preferable to use, for example, SiON or SiN, in addition to the above-mentioned preferable materials for the transparent layer. These substances are formed by, for example, a CVD method.
【００３７】また、図１４に示したように、図１２の金
属膜１２３を第２の実施形態と同様の膜構造（透明層１
４０、光吸収層１４１、透明層１４２、遮光層１４３、
透明層１４４、光吸収層１４５、透明層１４６）にして
も、光吸収体の上下両方向から入射する光を吸収して、
不要な反射光を抑制するという効果が発生する。図１３
の構造と比べ、透明層１４０を伝わってきた光吸収体の
下側方向から入射してくる光も本構造では吸収できるた
め、さらに性能を向上させることができる。As shown in FIG. 14, the metal film 123 of FIG. 12 has the same film structure (transparent layer 1) as that of the second embodiment.
40, light absorbing layer 141, transparent layer 142, light shielding layer 143,
The transparent layer 144, the light absorbing layer 145, and the transparent layer 146) also absorb light incident from both the upper and lower directions of the light absorber, and
This produces an effect of suppressing unnecessary reflected light. FIG.
Compared to the structure of the above, light incident from the lower side of the light absorber transmitted through the transparent layer 140 can be absorbed by the present structure, so that the performance can be further improved.
【００３８】（第５の実施形態）図１５に本発明の光吸
収体を備えた、例えば液晶表示装置等の表示装置に応用
され得る、カラーフィルター付き基板の断面図を示す。
これは液晶セルから出た光にカラーフィルターの吸収性
を利用してカラー化を行う素子であるが、液晶セルから
出射した光のうち、カラーフィルターを通らない余分の
光をカットしたり、また照明光などの外部光が反射して
コントラストが低下しないように、カラーフィルターの
境界部分に用いるものである。(Fifth Embodiment) FIG. 15 is a cross-sectional view of a substrate with a color filter provided with the light absorber of the present invention and applicable to a display device such as a liquid crystal display device.
This is an element that colorizes the light emitted from the liquid crystal cell by using the absorbency of the color filter.However, of the light emitted from the liquid crystal cell, extra light that does not pass through the color filter is cut, or It is used at the boundary of a color filter so that external light such as illumination light is reflected and the contrast is not reduced.
【００３９】図１５において、１５１が基板、１５２〜
１５４が赤、緑、青のカラーフィルター、１５５が保護
膜、１５６が液晶駆動電極用の透明導電膜、１５７が光
吸収体である。In FIG. 15, 151 is a substrate, 152 to 152.
154 is a red, green, and blue color filter, 155 is a protective film, 156 is a transparent conductive film for a liquid crystal drive electrode, and 157 is a light absorber.
【００４０】本発明の光吸収体１５７は、基板１５１上
に形成したが、カラーフィルター１５２、１５３、１５
４上であっても構わない。Although the light absorber 157 of the present invention is formed on the substrate 151, the color filters 152, 153, 15
4 on.
【００４１】本発明の光吸収体を用いることにより、液
晶セルからの光を遮断できるとともに、例えば部屋の照
明光が光吸収体で反射して、表示装置の鑑賞者の眼に入
ることを防ぐため、有用である。本発明の光吸収体は、
液晶表示装置に限られることなく、画像表示装置全般に
有用である。By using the light absorber of the present invention, it is possible to block light from the liquid crystal cell and also to prevent, for example, room illumination light from being reflected by the light absorber and entering the viewer's eyes of the display device. Because it is useful. The light absorber of the present invention,
The present invention is not limited to a liquid crystal display device but is useful for all image display devices.
【００４２】[0042]
（実施例１）図１と同様の断面構成を有する光吸収体を
作製した。本実施例では、基板１１として光学ガラスで
あるＢＳＣ７（ＨＯＹＡ（株）製；商品名）を、遮光層
１２および光吸収層１４としてクロム膜を、透明層１
３，１５として二酸化珪素膜を使用した。表１に、この
光吸収体を構成する各層の物質と膜厚（光学的膜厚）を
実際の積層順に示す。なお、クロム膜および二酸化珪素
膜は、いずれもＥＢ（Electron Beam）蒸着法を用いて
成膜した。Example 1 A light absorber having the same cross-sectional structure as that of FIG. 1 was manufactured. In the present embodiment, BSC7 (manufactured by HOYA Corporation; trade name), which is an optical glass, is used as the substrate 11, a chromium film is used as the light-shielding layer 12 and the light absorbing layer 14, and the transparent layer 1 is used.
Silicon dioxide films were used as 3 and 15. Table 1 shows the materials and film thicknesses (optical film thicknesses) of the respective layers constituting the light absorber in the actual stacking order. Each of the chromium film and the silicon dioxide film was formed using an EB (Electron Beam) evaporation method.
【００４３】[0043]
【表１】 [Table 1]
【００４４】第１層のクロム膜１２は、主に基板上方の
外部空間から基板へ入射しようとする光を遮断する機能
を有する膜であって、厚さを４０ｎｍとすることによ
り、外部空間から基板へ入射しようとする光を実質的に
ほとんど遮蔽している（基板に到達する光を実質的に０
にしている。）。また、第３層のクロム膜１４は、主に
第１層のクロム膜１２で反射した反射光が遮光膜の外へ
出てしまうのを抑制する機能を有する膜であって、厚さ
を５ｎｍとすることにより、それ自体は光を余り反射す
ることなく膜中への吸収が大きくなるようにし、第１層
のクロム膜の表面で反射された光がこれに効果的に吸収
されるようにしている。そして、クロム膜間の層１３お
よび最外側の層１５として、実質的に透明な厚さ１１３
ｎｍの二酸化珪素膜を設けることにより、各層を透過す
る透過光と隣接する層界面における反射光とが多重干渉
して、膜全体からの反射光が十分に低減されるようにし
ている。なお、２層の二酸化珪素膜を同一の膜厚にした
のは、光吸収体の製造工程において、二酸化珪素膜の成
膜条件を同一として光吸収体の製造時における工程管理
等を容易にするためである。The chromium film 12 of the first layer is a film having a function of mainly blocking light that is going to enter the substrate from the external space above the substrate. Substantially shields light that is going to enter the substrate (substantially zero light reaching the substrate).
I have to. ). The third-layer chromium film 14 is a film having a function of mainly preventing the light reflected by the first-layer chromium film 12 from going out of the light-shielding film, and has a thickness of 5 nm. By doing so, the absorption of light into the film itself is increased without reflecting much light, and the light reflected on the surface of the chromium film of the first layer is effectively absorbed by this. ing. Then, as the layer 13 between the chromium films and the outermost layer 15, a substantially transparent thickness 113 is formed.
By providing a silicon dioxide film having a thickness of nm, the transmitted light passing through each layer and the reflected light at the interface between adjacent layers undergo multiple interference, so that the reflected light from the entire film is sufficiently reduced. The reason why the two silicon dioxide films are made to have the same thickness is that, in the manufacturing process of the light absorber, the film formation conditions of the silicon dioxide film are made the same, and the process management and the like during the manufacturing of the light absorber are facilitated. That's why.
【００４５】図２および図３は、この光吸収体のそれぞ
れ光線透過率の波長特性と反射率の波長特性を示した図
である。なお、これらの特性は、図１における最外層で
ある透明層１５の上方からこの透明層１５表面に入射角
度が０°で入射する光について測定されたものである。FIGS. 2 and 3 are graphs showing the wavelength characteristics of the light transmittance and the wavelength characteristics of the reflectance of the light absorber, respectively. These characteristics are measured for light incident on the surface of the transparent layer 15 from above the outermost transparent layer 15 in FIG. 1 at an incident angle of 0 °.
【００４６】図２および図３により、本実施例で作製し
た光吸収体は透過率および反射率（可視光透過率および
可視光反射率）がともに１％以下であり、従来知られて
いる光吸収体に比べて極めて良好な光学特性を示すこと
がわかる。As shown in FIGS. 2 and 3, the light absorber produced in this embodiment has a transmittance and a reflectance (visible light transmittance and visible light reflectance) of 1% or less, respectively. It can be seen that it shows extremely good optical characteristics as compared with the absorber.
【００４７】図４および図５は、この光吸収体の光の入
射角度に対する透過率特性と反射率特性をそれぞれ示し
たものである（可視光透過率および可視光反射率）。こ
れらの図から、かかる光吸収体は特定の入射角度で入射
する光に対してのみ良好な光学特性を示すだけでなく、
種々の入射角度で入射する光に対しても良好な光学特性
を示すものであることがわかる。この光吸収体は、図５
に示したように、０°〜６０°という広範囲の入射角の
範囲について、反射率が約５％以下となっている。この
ような性質は、各種の光デバイスにおける光吸収体とし
て使用するにあたり極めて有用な特徴である。FIGS. 4 and 5 show transmittance characteristics and reflectance characteristics of the light absorber with respect to the incident angle of light, respectively (visible light transmittance and visible light reflectance). From these figures, it can be seen that such a light absorber not only shows good optical characteristics only for light incident at a specific incident angle,
It can be seen that it shows good optical characteristics even for light incident at various angles of incidence. This light absorber is shown in FIG.
As shown in the above, the reflectance is about 5% or less over a wide range of incident angles from 0 ° to 60 °. Such a property is a very useful feature when used as a light absorber in various optical devices.
【００４８】第１層のクロム膜１２の膜厚を、他層の厚
さを前記と同じ厚さに固定した状態で、４０ｎｍ以上に
しても同様の結果を得ることができた。一方、第１層の
クロム膜１２の厚さを４０ｎｍより小さくしていくと光
吸収体全体における光の透過率が上昇する傾向を示し
た。このことから、第１層のクロム膜１２の膜厚は４０
ｎｍ以上が好ましく、光吸収体全体の厚さおよび製造コ
スト等を考慮すると、第１層のクロム膜１２の膜厚は４
０〜２００ｎｍがさらに好ましいことが確認された。Similar results were obtained when the thickness of the first layer of chromium film 12 was fixed at 40 nm or more in a state where the thickness of the other layers was fixed at the same thickness as described above. On the other hand, when the thickness of the chromium film 12 of the first layer was made smaller than 40 nm, the light transmittance of the entire light absorber tended to increase. From this, the thickness of the first chromium film 12 is 40
The thickness of the first layer chromium film 12 is preferably 4 nm or more in consideration of the overall thickness of the light absorber, the manufacturing cost, and the like.
It has been confirmed that 0 to 200 nm is more preferable.
【００４９】第３層のクロム膜１４の膜厚を、他層の厚
さを前記と同じ厚さに固定した状態で、４〜１０ｎｍの
範囲としても同様の結果を得ることができた。一方、第
３層のクロム膜１４の厚さを１０ｎｍより大きくする
と、これによる光吸収体に入射する光に対する反射率が
上昇して、光吸収体全体における反射率が増大する傾向
を示し、４ｎｍより小さくすると、第１層のクロム膜１
２からの反射光を吸収する効果が低下して、光吸収体全
体における光の反射率が増大する傾向を示した。このこ
とから、第３層のクロム膜１４の膜厚は４〜１０ｎｍに
するのが好ましいことが確認された。Similar results could be obtained by setting the thickness of the third chromium film 14 in the range of 4 to 10 nm with the thickness of the other layers fixed at the same thickness as described above. On the other hand, when the thickness of the chromium film 14 of the third layer is larger than 10 nm, the reflectance for light incident on the light absorber increases, and the reflectance of the entire light absorber tends to increase. If it is smaller, the first layer chromium film 1
The effect of absorbing the reflected light from Sample No. 2 decreased, and the light reflectance of the entire light absorber tended to increase. From this, it was confirmed that the thickness of the third layer chromium film 14 is preferably 4 to 10 nm.
【００５０】また、第２層の二酸化珪素膜１３および第
４層の二酸化珪素膜１５の厚さを、他の層の厚さを前記
と同じ厚さに固定して、これら第２層の二酸化珪素膜１
３および第４層の二酸化珪素膜１５の厚さを６８〜１４
７ｎｍの範囲内で変更しても同様の結果を得ることがで
きた。一方、これらの二酸化珪素膜１３、１５の厚さを
１４７ｎｍより大きくした場合、または６８ｎｍより小
さくした場合は共に反射率が大きくなる結果となった。
このことから、第２層の二酸化珪素膜１３および第４層
の二酸化珪素膜１５の厚さを６８〜１４７ｎｍの範囲に
するのが好ましいことが確認された。Further, the thickness of the second silicon dioxide film 13 and the fourth silicon dioxide film 15 is fixed to the same thickness as the other layers, and the thickness of the second silicon dioxide film 13 and the fourth silicon dioxide film 15 is fixed. Silicon film 1
The thickness of the third and fourth silicon dioxide films 15 is set to 68 to 14
A similar result could be obtained even when changed within the range of 7 nm. On the other hand, when the thickness of each of the silicon dioxide films 13 and 15 was larger than 147 nm or smaller than 68 nm, the result was that the reflectance increased.
From this, it was confirmed that it is preferable to set the thickness of the second layer silicon dioxide film 13 and the fourth layer silicon dioxide film 15 in the range of 68 to 147 nm.
【００５１】また、二酸化珪素膜１３、１５をフッ化マ
グネシウム膜に変更し、その膜厚を６８〜１４７ｎｍの
範囲内で変更したところ、前記と同様の好ましい結果が
得られた。なお、フッ化マグネシウム膜以外にアルミナ
等の他の透明誘電体物質からなる膜についても検討した
ところ、その効果の程度は二酸化珪素膜やフッ化マグネ
シウム膜を用いた光吸収体の場合よりも小さいが、前述
の従来の光吸収体よりも良好な光学特性が得られた。When the silicon dioxide films 13 and 15 were changed to magnesium fluoride films and the film thickness was changed within the range of 68 to 147 nm, the same preferable results as described above were obtained. In addition, when a film made of another transparent dielectric material such as alumina was also examined in addition to the magnesium fluoride film, the degree of the effect was smaller than that of the light absorber using the silicon dioxide film or the magnesium fluoride film. However, better optical characteristics were obtained than the conventional light absorber described above.
【００５２】（実施例２）図６と同様の断面構成を有す
る光吸収体を作製した。本実施例では、実施例１と同
様、基板６１として光学ガラスであるＢＳＣ７（ＨＯＹ
Ａ（株）製，商品名）を、遮光膜６５および光吸収膜６
２、６７としてクロム膜を、透明膜６２、６４、６６、
６８として二酸化珪素膜を使用し、クロム膜および二酸
化珪素膜は、いずれもＥＢ蒸着法を用いて成膜した。Example 2 A light absorber having the same sectional structure as that of FIG. 6 was manufactured. In this embodiment, similarly to the first embodiment, the substrate 61 is made of BSC7 (HOY) which is an optical glass.
A (trade name) manufactured by A. Co., Ltd.
A chromium film as 2, 67, a transparent film 62, 64, 66,
A silicon dioxide film was used as 68, and both the chromium film and the silicon dioxide film were formed by using the EB evaporation method.
【００５３】実施例１による光吸収体は、図１における
基板上方の空間から基板へ入射しようとする光、すなわ
ち、基板の光吸収体を設けた側の空間から基板へ入射し
ようとする光を遮光し、かつ、光吸収体による光の反射
率を低減化する光吸収体であるが、実施例２による光吸
収体は、さらに、基板下方の空間から基板へ入射しよう
とする光、すなわち、基板の光吸収体を設けていない側
の空間から基板を透過して光吸収体へ入射する光を遮光
し、かつ、基板の下方へ反射する光の反射率を低減化す
る光吸収体である。各層の膜厚（光学膜厚）を表２に示
す。The light absorber according to the first embodiment emits light that is to enter the substrate from the space above the substrate in FIG. 1, that is, light that is to enter the substrate from the space on the side of the substrate where the light absorber is provided. It is a light absorber that shields light and reduces the reflectance of light by the light absorber. The light absorber according to the second embodiment further includes light that is to enter the substrate from a space below the substrate, that is, A light absorber that blocks light that passes through the substrate and enters the light absorber from the space on the side of the substrate where the light absorber is not provided, and that reduces the reflectance of light reflected downward from the substrate. . Table 2 shows the film thickness (optical film thickness) of each layer.
【００５４】[0054]
【表２】 [Table 2]
【００５５】この光吸収体では、第４層のクロム膜６
５、第５層の二酸化珪素膜６６、第６層のクロム膜６
７、および第７層の二酸化珪素膜６８からなる積層膜が
実施例１の積層膜と実質的に同一の積層構成を有し、こ
の積層膜によって基板６１の上方から基板へ入射しよう
とする光が遮光され、かつ、光吸収体による基板６１の
上方への光の反射率が低減される。さらに、第４層のク
ロム膜６５、第３層の二酸化珪素膜６４、第２層のクロ
ム膜６３、および第１層の二酸化珪素膜６２からなる第
４層より下の積層膜も実施例１の積層膜と実質的に同一
の積層構成を有し、この積層膜によって基板６１の下方
から入射する光が遮光され、かつ、光吸収体による基板
６１の下方への光の反射率が低減される。In this light absorber, the fourth chromium film 6
5, a fifth layer silicon dioxide film 66, a sixth layer chromium film 6
7 and the laminated film composed of the silicon dioxide film 68 of the seventh layer has substantially the same laminated structure as the laminated film of the first embodiment. Are shielded, and the reflectance of light above the substrate 61 by the light absorber is reduced. Further, a laminated film lower than the fourth layer including the fourth layer chromium film 65, the third layer silicon dioxide film 64, the second layer chromium film 63, and the first layer silicon dioxide film 62 is also used in the first embodiment. Having substantially the same lamination structure as that of the laminated film, the light incident from below the substrate 61 is shielded by this laminated film, and the reflectance of the light below the substrate 61 by the light absorber is reduced. You.
【００５６】図７，図８はこの光吸収体の基板の上方か
ら基板へ入射する光に対する透過率の波長特性と反射率
の波長特性を示した図である。なお、これら特性は、図
６における第８層の二酸化珪素膜６８表面に入射角度が
０°で入射する光について測定されたものである。これ
らの図から、かかる光吸収体は基板の上方からの光に対
するその透過率および反射率がともに１％以下という極
めて良好な光学特性を示すことがわかる。また、図９、
図１０は、この光吸収体の基板の下方から基板へ入射す
る光に対する透過率の波長特性と反射率の波長特性を示
した図である。なお、これら特性は、基板６１表面に入
射角度が０°で入射する光について測定されたものであ
る。これらの図から、かかる光吸収体は基板の下方から
の光に対してもその透過率および反射率が十分に小さい
良好な光学特性を示すことがわかる。FIGS. 7 and 8 are graphs showing the wavelength characteristic of the transmittance and the wavelength characteristic of the reflectance of the light absorber for light incident on the substrate from above the substrate. These characteristics are measured for light incident on the surface of the eighth silicon dioxide film 68 in FIG. 6 at an incident angle of 0 °. From these figures, it can be seen that such a light absorber exhibits extremely good optical characteristics, with both its transmittance and reflectance for light from above the substrate being 1% or less. Also, FIG.
FIG. 10 is a diagram showing a wavelength characteristic of a transmittance and a wavelength characteristic of a reflectance of the light absorber for light incident on the substrate from below the substrate. These characteristics are measured for light incident on the surface of the substrate 61 at an incident angle of 0 °. From these figures, it can be seen that such a light absorber exhibits good optical characteristics with sufficiently low transmittance and reflectance even for light from below the substrate.
【００５７】なお、本実施例による光吸収体についても
実施例１による光吸収体と同様に各層の厚さを変更して
その光学特性を調べたが、実施例１による光吸収体のそ
れと同様の結果が得られた。すなわち、いずれの二酸化
珪素膜６２，６４，６６，６８についても好ましい厚さ
は６８〜１４７ｎｍであり、第４層のクロム膜６５の好
ましい厚さは４０〜２００ｎｍであり、第２層および第
６層のクロム膜６３、６７の好ましい厚さは４〜１０ｎ
ｍであった。また、実施例１による光吸収体と同様に、
二酸化珪素膜をフッ化マグネシウム膜に置換しても良好
な結果が得られ、アルミナ等の他の透明誘電体物質から
なる膜に置換した場合は、その効果の程度は二酸化珪素
膜やフッ化マグネシウム膜を用いた光吸収体の場合より
も小さいが、前記した従来の光吸収体よりも良好な光学
特性が得られた。The optical characteristics of the light absorber according to the present embodiment were examined by changing the thickness of each layer in the same manner as in the light absorber according to the first embodiment. Was obtained. That is, the preferred thickness of any of the silicon dioxide films 62, 64, 66, 68 is 68 to 147 nm, the preferred thickness of the fourth layer chromium film 65 is 40 to 200 nm, The preferred thickness of the chromium films 63 and 67 is 4 to 10 n
m. Further, similarly to the light absorber according to the first embodiment,
Good results can be obtained even if the silicon dioxide film is replaced with a magnesium fluoride film. If the film is replaced with a film made of another transparent dielectric material such as alumina, the effect is reduced to the extent of the silicon dioxide film or magnesium fluoride film. Although smaller than the light absorber using the film, better optical characteristics were obtained than the conventional light absorber described above.
【００５８】なお、前記実施例では４層構成の光吸収体
と７層構成の光吸収体について説明したが、本発明の技
術思想を逸脱しない範囲で他の層数の光吸収体を構成で
きることは言うまでもない。In the above embodiment, a light absorber having a four-layer structure and a light absorber having a seven-layer structure have been described. However, light absorbers having other numbers of layers can be formed without departing from the technical idea of the present invention. Needless to say.
【００５９】[0059]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
入射光を遮蔽するための遮光層と、この遮光層よりも前
記入射光の入射側に形成された光吸収層と、この光吸収
層と前記遮光層との間に形成された透明層とを含む多層
膜を基板上に形成したことを特徴とする光吸収体とする
ことにより、遮光性を有し、反射率が低減された光吸収
体とすることができる。As described above, according to the present invention,
A light-blocking layer for blocking incident light, a light-absorbing layer formed on the incident light-incident side of the light-blocking layer, and a transparent layer formed between the light-absorbing layer and the light-blocking layer. By forming a light absorber characterized in that a multilayer film including the same is formed on a substrate, a light absorber having light-shielding properties and reduced reflectance can be obtained.
【００６０】また、本発明によれば、透明層と光吸収層
とを交互に各２層以上積層して、前記光吸収層により入
射光を実質的に遮蔽するとともに、前記光吸収層による
入射光の反射を、この光吸収層よりも前記入射光の入射
側にある光吸収層による吸収により低減させ、かつ、前
記入射側に最も近い光吸収層を、屈折率と吸収係数との
積が２以上である物質により構成した厚さ３〜２０ｎｍ
の層とする多層膜を基板上に形成したことを特徴とする
光吸収体とすることにより、遮光性を有し、反射率が低
減された光吸収体とすることができる。Further, according to the present invention, two or more transparent layers and two or more light absorbing layers are alternately laminated, and the incident light is substantially blocked by the light absorbing layer and the incident light by the light absorbing layer is formed. Light reflection is reduced by absorption by the light absorbing layer on the incident side of the incident light with respect to the light absorbing layer, and the light absorbing layer closest to the incident side has a product of a refractive index and an absorption coefficient. 3 to 20 nm thick composed of two or more substances
By forming a light absorber characterized by forming a multilayer film as a layer on a substrate, a light absorber having a light-shielding property and a reduced reflectance can be obtained.
【００６１】また、本発明によれば、入射光を遮蔽する
ための遮光層と、この遮光層よりも前記入射光の入射側
に配置された、透明層と光吸収層とをこの順に（２ｎ＋
１）層（ｎは１以上の整数）だけ積層した積層膜とを含
み、前記遮光層による入射光の反射を前記光吸収層にお
ける吸収と前記積層膜中における光干渉効果とにより減
衰させることにより、前記入射光の反射率を低減したこ
とを特徴とする光吸収体とすることにより、遮光性を有
し、反射率が低減された光吸収体とすることができる。Further, according to the present invention, a light-shielding layer for shielding incident light, and a transparent layer and a light-absorbing layer, which are disposed on the incident side of the incident light with respect to the light-shielding layer, are arranged in this order (2n +
1) a laminated film in which only layers (n is an integer of 1 or more) are laminated, and the reflection of incident light by the light shielding layer is attenuated by absorption in the light absorbing layer and an optical interference effect in the laminated film. By using a light absorber characterized in that the reflectance of the incident light is reduced, a light absorber having a light shielding property and a reduced reflectance can be obtained.
【００６２】また、例えば、入射光と反射光の多重干渉
効果を利用する本発明の光吸収体の好ましい態様によれ
ば、さらに光学特性を良好にすることが可能となる。Further, for example, according to a preferred embodiment of the light absorber of the present invention utilizing the multiple interference effect between incident light and reflected light, it is possible to further improve the optical characteristics.
【００６３】本発明の光吸収体は、各種の光デバイスの
光吸収体として有効に利用できるものであって、各種光
学機器の性能向上に有利である。本発明の光吸収体は、
基本的に、広い範囲の入射角度で入射してくる光に対し
ても良好な光学特性を示すことから、各種光デバイスの
光吸収体として、広範かつ有効に利用できる。The light absorber of the present invention can be effectively used as a light absorber for various optical devices, and is advantageous for improving the performance of various optical devices. The light absorber of the present invention,
Basically, it shows good optical characteristics even for light incident at a wide range of incident angles, so that it can be widely and effectively used as a light absorber for various optical devices.
【図１】 本発明の光吸収体の構成の例を示す断面図で
ある。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a light absorber of the present invention.
【図２】 実施例１で作製した光吸収体の透過率の波長
依存特性を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the wavelength dependence of the transmittance of the light absorber produced in Example 1.
【図３】 実施例１で作製した光吸収体の反射率の波長
依存特性を示す図である。FIG. 3 is a graph showing the wavelength dependence of the reflectance of the light absorber produced in Example 1.
【図４】 実施例１で作製した光吸収体の透過率の入射
角依存特性を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the incident angle dependence of the transmittance of the light absorber produced in Example 1.
【図５】 実施例１で作製した光吸収体の反射率の入射
角依存特性を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the incident angle dependence of the reflectance of the light absorber produced in Example 1.
【図６】 本発明の光吸収体の構成の別の例を示す断面
図である。FIG. 6 is a sectional view showing another example of the configuration of the light absorber of the present invention.
【図７】 実施例２で作製した光吸収体の多層膜側から
の入射光についての透過率の波長依存特性を示す図であ
る。FIG. 7 is a graph showing the wavelength dependence of transmittance of incident light from the multilayer film side of the light absorber produced in Example 2.
【図８】 実施例２で作製した光吸収体の多層膜側から
の入射光についての反射率の波長依存特性を示す図であ
る。FIG. 8 is a graph showing the wavelength dependence of the reflectance of the light absorber produced in Example 2 for incident light from the multilayer film side.
【図９】 実施例２で作製した光吸収体の基板側からの
入射光についての透過率の波長依存特性を示す図であ
る。FIG. 9 is a diagram showing the wavelength dependence of the transmittance of incident light from the substrate side of the light absorber produced in Example 2.
【図１０】 実施例２で作製した光吸収体の基板側から
の入射光についての反射率の波長依存特性を示す図であ
る。FIG. 10 is a diagram showing the wavelength dependence of the reflectance of the light absorber produced in Example 2 for incident light from the substrate side.
【図１１】 本発明の光吸収体を備えた光ディスク装置
の例の概要を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an outline of an example of an optical disk device provided with the light absorber of the present invention.
【図１２】 本発明の光吸収体を備えたＣＣＤの例の概
要を示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating an outline of an example of a CCD including the light absorber of the present invention.
【図１３】 本発明の光吸収体を備えたＣＣＤの別の例
の概要を示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing an outline of another example of a CCD provided with the light absorber of the present invention.
【図１４】 本発明の光吸収体を備えたＣＣＤのさらに
別の例の概要を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing an outline of still another example of a CCD provided with the light absorber of the present invention.
【図１５】 本発明の光吸収体を備えたカラーフィルタ
ー付き基板の例の断面図である。FIG. 15 is a sectional view of an example of a substrate with a color filter provided with the light absorber of the present invention.
【図１６】 従来の光吸収体の構成の例を示す断面図で
ある。FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a conventional light absorber.
１１、６１ 基板 １２、６５ 遮光膜 １４、６３、６７ 光吸収膜 １３、１５、６２、６４、６６、６８ 透明膜 １１１ 半導体レーザー １１２ 光ビームスプリッタ １１３ 反射素子 １１４ レンズ １１５ 光ディスク １１６ 光検出器 １１７、１１８、１２５ 光吸収体 １２１ フォトディテクター １２２ ポリシリコン １２３ 金属膜 １２４ ＳｉＮ膜 １２６ 画像情報光 １６１ クロム膜 １６２ 酸化クロム膜 １６３ 基板 11, 61 substrate 12, 65 light shielding film 14, 63, 67 light absorbing film 13, 15, 62, 64, 66, 68 transparent film 111 semiconductor laser 112 light beam splitter 113 reflecting element 114 lens 115 optical disk 116 photodetector 117 118, 125 Light absorber 121 Photodetector 122 Polysilicon 123 Metal film 124 SiN film 126 Image information light 161 Chromium film 162 Chromium oxide film 163 Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 那須 昌吾 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 能智 紀台 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 深澤 利雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 栗山 俊寛 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 松田 祐二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Shogo Nasu 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Toshio Fukasawa 1006 Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 1006 Kadoma, Kazuma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Claims (20)
遮光層よりも前記入射光の入射側に形成された光吸収層
と、この光吸収層と前記遮光層との間に形成された透明
層とを含む多層膜を基板上に形成したことを特徴とする
光吸収体。1. A light-shielding layer for blocking incident light, a light-absorbing layer formed on the incident-light incident side of the light-shielding layer, and formed between the light-absorbing layer and the light-shielding layer. A light absorber characterized in that a multilayer film including a transparent layer formed on a substrate is formed.
積が２以上となる物質により構成されている請求項１に
記載の光吸収体。2. The light absorber according to claim 1, wherein the light absorption layer is made of a substance having a product of a refractive index and an absorption coefficient of 2 or more.
ｅ，Ｎｉ，アモルファスＳｉ，ＳｉＣ，Ｇｅ，ＷＳ
ｉ2，Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｔａ，ＴｉＷ，Ｃｏ，ＳｉＧｅ，
ＴｉＳｉ2，ＣｒＳｉ2，ＭｏＳｉ2，ＦｅＳｉ2，ＣｏＳ
ｉ2，ＮｉＳｉ2，ＣｒＮおよびＭｏ2Ｎから選ばれる少
なくとも１つの物質により構成されている請求項２に記
載の光吸収体。3. The light-absorbing layer is made of Cu, Cr, Mo, F
e, Ni, amorphous Si, SiC, Ge, WS
i 2 , Ti, TiN, Ta, TiW, Co, SiGe,
TiSi 2 , CrSi 2 , MoSi 2 , FeSi 2 , CoS
i 2, NiSi 2, CrN and Mo 2 at least one light-absorbing body according to claim 2, which is constituted by a material selected from N.
ｍである請求項１に記載の光吸収体。4. The light-absorbing layer has a thickness of 3 nm to 20 n.
The light absorber according to claim 1, wherein m is m.
質により構成されている請求項１に記載の光吸収体。5. The light absorber according to claim 1, wherein the transparent layer is made of a substance having a refractive index of 2.0 or less.
ら選ばれる少なくとも１つの物質により構成されている
請求項５に記載の光吸収体。6. The light absorber according to claim 5, wherein said transparent layer is made of at least one substance selected from SiO 2 and MgF 2 .
ｎｍである請求項１に記載の光吸収体。7. The transparent layer has a thickness of 68 nm to 147.
The light absorber according to claim 1, which has a nm.
層膜中の各層界面からの反射光とが関与する光干渉効果
により、前記入射光の反射をさらに減衰させる請求項１
に記載の光吸収体。8. The reflection of the incident light is further attenuated by an optical interference effect involving transmitted light transmitted through the multilayer film and reflected light from the interface of each layer in the multilayer film.
3. The light absorber according to 1.
ｅ，Ｎｉ，アモルファスＳｉ，ＳｉＣ，Ｇｅ，ＷＳｉ，
Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｔａ，ＴｉＷ，Ｃｏ，ＳｉＧｅ，ＴｉＳ
ｉ2，ＣｒＳｉ2，ＭｏＳｉ2，ＦｅＳｉ2，ＣｏＳｉ2，
ＮｉＳｉ2，ＣｒＮおよびＭｏ2Ｎから選ばれる少なくと
も１つの物質から構成されている請求項１に記載の光吸
収体。9. The light shielding layer is made of Cu, Cr, Mo, F
e, Ni, amorphous Si, SiC, Ge, WSi,
Ti, TiN, Ta, TiW, Co, SiGe, TiS
i 2 , CrSi 2 , MoSi 2 , FeSi 2 , CoSi 2 ,
Light absorber according to claim 1, NiSi 2, which is composed of at least one material selected from the CrN and Mo 2 N.
ある請求項１に記載の光吸収体。10. The light absorber according to claim 1, wherein the light-shielding layer has a thickness of 40 nm or more.
も透明層を備えた請求項１に記載の光吸収体。11. The light absorber according to claim 1, wherein the multilayer film has a transparent layer also as an outermost layer on the incident side.
光域において５％以下である請求項１に記載の光吸収
体。12. The light absorber according to claim 1, wherein a reflectance of the incident light is 5% or less in a visible light region.
光域において１％以下である請求項１に記載の光吸収
体。13. The light absorber according to claim 1, wherein a transmittance of the incident light is 1% or less in a visible light region.
上積層して、前記光吸収層により入射光を実質的に遮蔽
するとともに、前記光吸収層による入射光の反射を、こ
の光吸収層よりも前記入射光の入射側にある光吸収層に
よる吸収により低減させ、かつ、前記入射側に最も近い
光吸収層を、屈折率と吸収係数との積が２以上である物
質により構成した厚さ３〜２０ｎｍの層とする多層膜を
基板上に形成したことを特徴とする光吸収体。14. A transparent layer and a light absorbing layer are alternately laminated in two or more layers to substantially block incident light by the light absorbing layer and to reflect the incident light by the light absorbing layer. It is reduced by absorption by the light absorbing layer on the incident side of the incident light from the light absorbing layer, and the light absorbing layer closest to the incident side is made of a substance having a product of a refractive index and an absorption coefficient of 2 or more. A light absorber characterized in that a formed multilayer film having a thickness of 3 to 20 nm is formed on a substrate.
の遮光層よりも前記入射光の入射側に配置された、透明
層と光吸収層とをこの順に（２ｎ＋１）層だけ積層した
積層膜であって、前記遮光層による入射光の反射を前記
光吸収層における吸収と前記積層膜中における光干渉効
果とにより減衰させる積層膜とを基板上に形成したこと
を特徴とする光吸収体。ただし、ｎは１以上の整数であ
る。15. A laminate in which (2n + 1) layers of a light-shielding layer for shielding incident light and a transparent layer and a light-absorbing layer which are arranged on the incident side of the incident light with respect to the light-shielding layer are stacked in this order. A light-absorbing body, wherein a laminated film that attenuates the reflection of incident light by the light-shielding layer by absorption in the light-absorbing layer and an optical interference effect in the laminated film is formed on a substrate. . Here, n is an integer of 1 or more.
光層、厚さが６８ｎｍ〜１４７ｎｍの透明層、厚さが３
〜２０ｎｍであって屈折率と吸収係数との積が２以上と
なる物質により構成される光吸収層、および厚さが６８
ｎｍ〜１４７ｎｍの透明層を、この順に形成したことを
特徴とする光吸収体。16. A light-shielding layer for blocking incident light, a transparent layer having a thickness of 68 to 147 nm, and a thickness of 3 on a substrate.
A light absorption layer made of a substance having a product of the refractive index and the absorption coefficient of 2 to 20 nm, and a thickness of 68
A light absorber characterized in that a transparent layer having a thickness of nm to 147 nm is formed in this order.
７ｎｍの透明層、厚さが３〜２０ｎｍであって屈折率と
吸収係数との積が２以上となる物質により構成される光
吸収層、厚さが６８ｎｍ〜１４７ｎｍの透明層、入射光
を遮蔽するための遮光層、厚さが６８ｎｍ〜１４７ｎｍ
の透明層、厚さが３〜２０ｎｍであって屈折率と吸収係
数との積が２以上となる物質により構成される光吸収
層、および厚さが６８ｎｍ〜１４７ｎｍの透明層を、こ
の順に形成したことを特徴とする光吸収体。17. A transparent substrate having a thickness of 68 nm to 14 nm.
7 nm transparent layer, light absorbing layer composed of a substance having a thickness of 3 to 20 nm and a product of a refractive index and an absorption coefficient being 2 or more, a transparent layer having a thickness of 68 nm to 147 nm, shielding incident light Light shielding layer, the thickness is 68 nm to 147 nm
, A light absorbing layer composed of a substance having a thickness of 3 to 20 nm and a product of the refractive index and the absorption coefficient being 2 or more, and a transparent layer having a thickness of 68 nm to 147 nm are formed in this order. A light absorber characterized in that:
吸収体を備えた光学機器。18. An optical device comprising the light absorber according to claim 1.
え、この光部品に到達する不要な光を前記光吸収体によ
り低減する請求項１８に記載の光学機器。19. The optical apparatus according to claim 18, further comprising an optical component through which light is transmitted or reflected, and unnecessary light reaching the optical component is reduced by the light absorber.
同一にする請求項１９に記載の光学機器。20. The optical apparatus according to claim 19, wherein the light absorber and the optical component have the same substrate.
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