JPH10144470A - Manufacture of el display - Google Patents

Manufacture of el display

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JPH10144470A
JPH10144470A JP8294127A JP29412796A JPH10144470A JP H10144470 A JPH10144470 A JP H10144470A JP 8294127 A JP8294127 A JP 8294127A JP 29412796 A JP29412796 A JP 29412796A JP H10144470 A JPH10144470 A JP H10144470A
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JP
Japan
Prior art keywords
electrode
layer
electrode layer
upper electrode
sacrifice
Prior art date
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Pending
Application number
JP8294127A
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Japanese (ja)
Inventor
Kiyoshi Minoura
潔 箕浦
Takashi Hagiwara
孝 萩原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
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Filing date
Publication date
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Priority to JP8294127A priority Critical patent/JPH10144470A/en
Publication of JPH10144470A publication Critical patent/JPH10144470A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate failure, for instance, thinning, disconnection, etc., of an extraction electrode in etching by deterioration of an electrode layer, so that an EL display can be manufactured with good reproducibility. SOLUTION: An upper/lower part electrode 2, 6 having a plurality of electrodes is provided, an electrode layer covering an end part of a plurality of these electrodes is formed. Prior to forming this electrode layer, between each electrode in a plurality of the electrodes, a sacrifice part 16 crossing with a peripheral part of the electrode layer is left as provided. The electrode layer is laminated on this sacrifice part 16. Thereafter, the electrode layer is applied with patterning by etching, the sacrifice part 16 is removed, also a extraction electrode is formed. The sacrifice part 16 is removed by an etching fluid in the case of applying patterning to the electrode layer. Accordingly, a peripheral part of the electrode layer in an upper part of the sacrifice part 16 is separated therewith (lift off).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイデバ
イスに用いられるELディスプレイの製造方法に関す
る。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method for manufacturing an EL display used for a display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】図7(a)に、ELディスプレイの断面
図を示す。図7(a)に示すように、ELディスプレイ
は、ガラス基板1上に、データ電極としての下部電極
2、第1絶縁膜3、発光層4、第2絶縁膜5、走査電極
としての上部電極6が順に積層されている。そして、上
部電極6及び下部電極2の先端には、Ni等の取り出し
電極70が形成されている。
2. Description of the Related Art FIG. 7A is a sectional view of an EL display. As shown in FIG. 7A, an EL display has a glass substrate 1 on which a lower electrode 2 as a data electrode, a first insulating film 3, a light emitting layer 4, a second insulating film 5, and an upper electrode as a scanning electrode. 6 are sequentially stacked. At the tips of the upper electrode 6 and the lower electrode 2, an extraction electrode 70 of Ni or the like is formed.

【0003】この取り出し電極70は、図7(b)に示
されるように、複数の上部電極6や下部電極2の先端部
を覆った状態で成膜された電極層7を、各電極それぞれ
に分割するようにしてパターニング形成される。この
時、電極層7は、高温、真空状態にて、所定の成膜マス
クを用いて成膜される。
As shown in FIG. 7B, the extraction electrode 70 has an electrode layer 7 formed so as to cover the tips of a plurality of upper electrodes 6 and lower electrodes 2. It is patterned and formed so as to be divided. At this time, the electrode layer 7 is formed in a high temperature and vacuum state using a predetermined film forming mask.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電極層
7を成膜するに際し、電極層7より先に形成された各膜
に含まれている微量な水分が高温、真空状態で放出され
て、図8に示すように、成膜マスク8の開口部81の端
部に沿って、電極層7の外周部7aが酸化等して変質し
てしまう。
However, when the electrode layer 7 is formed, a small amount of water contained in each film formed before the electrode layer 7 is released at a high temperature and in a vacuum state. As shown in FIG. 8, along the edge of the opening 81 of the film forming mask 8, the outer peripheral portion 7a of the electrode layer 7 is deteriorated by oxidation or the like.

【0005】このため、変質した電極層7の外周部7a
は、エッチング時に十分に除去できず、図9に示すよう
に、エッチング残り(図面の斜線部分)が発生し、下部
電極2や上部電極6に短絡が生じる。また、変質した電
極層7の外周部7aは、エッチング時間を長くすること
により完全に除去することができるが、変質されていな
い電極層7がオーバエッチングされてしまい、図10に
示すように、取り出し電極70の細り、あるいは断線等
の不具合が生じる問題がある。
Therefore, the outer peripheral portion 7a of the deteriorated electrode layer 7 is formed.
Cannot be sufficiently removed at the time of etching, and as shown in FIG. 9, an unetched portion (a hatched portion in the drawing) occurs, and a short circuit occurs in the lower electrode 2 and the upper electrode 6. Further, the outer peripheral portion 7a of the altered electrode layer 7 can be completely removed by lengthening the etching time, but the unaltered electrode layer 7 is over-etched, and as shown in FIG. There is a problem that a drawback such as thinning of the extraction electrode 70 or disconnection occurs.

【0006】本発明は上記点に鑑みてなされたもので、
電極層7の変質によるエッチング時における不具合をな
くし、再現性よくELディスプレイが製造できるように
することを目的とする。
[0006] The present invention has been made in view of the above points,
An object of the present invention is to eliminate defects at the time of etching due to deterioration of the electrode layer 7 and to manufacture an EL display with good reproducibility.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、以下の技術的手段を採用する。請求項1に
記載の発明においては、下部電極(2)と上部電極
(6)のうち、少なくともいずれか一方は複数の電極を
有し、これら複数の電極の端部を覆う電極層(7)を形
成し、電極層(7)をパターニングして、取り出し電極
(70)を形成するELディスプレイの製造方法におい
て、複数の電極における各電極間に、電極層(7)の外
周部(7a)と交差する犠牲部(16)を設け、この犠
牲部(16)の上に電極層(7)を積層する。そして、
電極層(7)をエッチングによりパターニングして、犠
牲部(16)を除去すると共に取り出し電極(70)を
形成することを特徴とする。
The present invention employs the following technical means to achieve the above object. According to the first aspect of the present invention, at least one of the lower electrode (2) and the upper electrode (6) has a plurality of electrodes, and the electrode layer (7) covers the ends of the plurality of electrodes. Is formed, and the electrode layer (7) is patterned to form the extraction electrode (70). In an EL display manufacturing method, an outer peripheral portion (7a) of the electrode layer (7) is provided between each of a plurality of electrodes. An intersecting sacrificial portion (16) is provided, and an electrode layer (7) is laminated on the sacrificial portion (16). And
The electrode layer (7) is patterned by etching to remove the sacrifice portion (16) and form the extraction electrode (70).

【0008】具体的には、電極層(7)を、請求項2に
示すように、下部電極(2)の端部のみを覆うものと、
前記上部電極(6)の端部のみを覆うものとに区分して
形成することができる。ところで、犠牲部(16)は、
電極層(7)をパターニングする際のエッチングにより
除去される。従って、犠牲部(16)を、発光層(4)
側の電極層(7)の外周部(7a)と交差するように設
けると、電極層(7)をパターニングする際に、犠牲部
(16)が除去され、犠牲部(16)の上部の電極層
(7)の外周部(7a)が犠牲部(16)と共に剥がれ
る(リフトオフする)。
Specifically, the electrode layer (7) covers only the end of the lower electrode (2), and
The upper electrode (6) may be formed separately from the one that covers only the end of the upper electrode (6). By the way, the sacrifice part (16)
It is removed by etching when patterning the electrode layer (7). Therefore, the sacrificial portion (16) is changed to the light emitting layer (4).
When the electrode layer (7) is provided so as to intersect with the outer peripheral portion (7a), the sacrifice portion (16) is removed when the electrode layer (7) is patterned, and the electrode on the sacrifice portion (16) is removed. The outer peripheral portion (7a) of the layer (7) is peeled off (lifted off) together with the sacrificial portion (16).

【0009】これにより、電極層(7)の変質によるエ
ッチング時における不具合、例えば、取り出し電極(7
0)の細り、あるいは断線等の不具合をなくすことがで
き、再現性よく、ELディスプレイを製造することがで
きる。また、請求項3に示すように、犠牲部(16)の
寸法は、上部電極(6)又は下部電極(2)の長手方向
の長さ(16b)が1mm以上で、上部電極(6)又は
下部電極(2)の幅方向の長さ(16a)が10μm以
上であればよい。
As a result, defects at the time of etching due to deterioration of the electrode layer (7), for example, the extraction electrode (7)
It is possible to eliminate defects such as thinning of 0) or disconnection, and it is possible to manufacture an EL display with good reproducibility. In addition, the size of the sacrificial portion (16) is such that the length (16b) of the upper electrode (6) or the lower electrode (2) in the longitudinal direction is 1 mm or more and the upper electrode (6) or It is sufficient that the length (16a) of the lower electrode (2) in the width direction is 10 μm or more.

【0010】請求項4又は5に記載の発明においては、
犠牲部(16)は、発光層(4)又は上部電極(6)と
同一材料にて構成されており、犠牲部(16)を、発光
層(4)や上部電極(6)と共にパターニング形成する
ことを特徴とする。このように、犠牲部(16)を発光
層(4)や上部電極(6)と同一材料にて構成し、これ
らと共に、犠牲部(16)をパターニング形成すれば、
犠牲部(16)を形成するためにのみ必要とされる工程
を削減できるため、工程数の短縮化を図ることができ
る。
In the invention according to claim 4 or 5,
The sacrifice portion (16) is made of the same material as the light emitting layer (4) or the upper electrode (6), and the sacrifice portion (16) is formed by patterning together with the light emitting layer (4) and the upper electrode (6). It is characterized by the following. As described above, if the sacrifice portion (16) is made of the same material as the light emitting layer (4) and the upper electrode (6), and the sacrifice portion (16) is patterned and formed,
Since the number of steps required only to form the sacrificial portion (16) can be reduced, the number of steps can be reduced.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図1(a)に、上部電極6を形成し
た後におけるELディスプレイを示す。本図に示される
ように、上部電極6と下部電極2は、直交するストライ
プ状のパターンで形成されており、上部電極6と下部電
極2の各電極間が距離A、例えば、200μm等、数百
μm程度離れた間隔で形成されている。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. FIG. 1A shows the EL display after the upper electrode 6 is formed. As shown in the figure, the upper electrode 6 and the lower electrode 2 are formed in an orthogonal stripe pattern, and the distance between the upper electrode 6 and the lower electrode 2 is a distance A, for example, 200 μm or the like. They are formed at intervals of about 100 μm.

【0012】そして、これら上部電極6又は下部電極2
の各電極間に、犠牲膜16を形成している。この犠牲膜
16は、長方形形状で形成されており、上部電極6と同
一の材料で、上部電極6のパターニング時に同時に形成
される。図1(b)は、この犠牲部16の拡大図であ
る。図1(b)に示すように、犠牲部16の寸法は、成
膜マスクの寸法誤差や、後述する成膜マスク8とガラス
基板1との重ね合わせ誤差等を考慮して、電極の幅方向
の長さ16aが、10μm以上となるようにしており、
また、電極の長手方向の長さ16bが、1mm以上とな
るようにしている。
The upper electrode 6 or lower electrode 2
A sacrificial film 16 is formed between the electrodes. The sacrificial film 16 is formed in a rectangular shape, and is formed of the same material as the upper electrode 6 at the same time as the upper electrode 6 is patterned. FIG. 1B is an enlarged view of the sacrifice portion 16. As shown in FIG. 1B, the dimensions of the sacrifice portion 16 are determined in the width direction of the electrode in consideration of a dimensional error of the film forming mask, an overlay error between the film forming mask 8 and the glass substrate 1 described later, and the like. Has a length 16a of 10 μm or more,
Further, the length 16b of the electrode in the longitudinal direction is set to 1 mm or more.

【0013】次に、図1(a)に示す犠牲部16を形成
するまでの工程を説明する。ガラス基板1上にITO等
の透明導電膜である下部電極2を成膜する。その後、そ
の上面に下部絶縁層3、ZnS、Mn等から成る発光層
4、上部絶縁膜5を順にフォトリソグラフィ・エッチン
グによりパターニング形成する。そして、これらの上に
ZnO等からなる導電膜を形成し、この導電膜によって
上部電極6と犠牲部16を同時にフォトリソグラフィ・
エッチングによりパターニング形成する。
Next, steps required until a sacrifice portion 16 shown in FIG. 1A is formed will be described. A lower electrode 2 which is a transparent conductive film such as ITO is formed on a glass substrate 1. Thereafter, a lower insulating layer 3, a light emitting layer 4 made of ZnS, Mn, and the like, and an upper insulating film 5 are patterned and formed on the upper surface by photolithography and etching in this order. Then, a conductive film made of ZnO or the like is formed thereon, and the upper electrode 6 and the sacrificial portion 16 are simultaneously formed by photolithography using the conductive film.
Patterning is formed by etching.

【0014】次に、下部電極2及び上部電極6の先端
に、Ni等で形成された電極層7を成膜する。電極層7
の成膜は、蒸着法、あるいはスパッタリング法により行
うが、図2に示すように、任意の開口部81を設けた成
膜マスク8を用いて行い、例えば、上部電極6と下部電
極2とに分けて成膜する等選択的に行う。このとき、図
3に示すように、電極層7の外周部71のうち少なくと
も発光層4側の部分が、犠牲膜16に直交するようにす
る。
Next, an electrode layer 7 made of Ni or the like is formed on the tips of the lower electrode 2 and the upper electrode 6. Electrode layer 7
The film is formed by a vapor deposition method or a sputtering method. As shown in FIG. 2, the film is formed by using a film forming mask 8 provided with an arbitrary opening 81. It is performed selectively, such as forming a film separately. At this time, as shown in FIG. 3, at least a portion on the light emitting layer 4 side of the outer peripheral portion 71 of the electrode layer 7 is orthogonal to the sacrificial film 16.

【0015】なお、犠牲部16の寸法は上述のとおりで
あり、電極の幅方向の長さ16aは、上部電極6の各電
極間の間隔Aよりも小さく形成されている。このよう
に、犠牲部16の寸法を間隔Aより小さくするのは、上
部電極6形成時において各電極間における短絡チェック
を行うためであり、電極の幅方向の長さ16aを、間隔
Aと同等にした場合には、上部電極6の各電極が短絡し
てしまうため、上記寸法にしている。
The dimensions of the sacrificial portion 16 are as described above, and the length 16a of the electrode in the width direction is formed smaller than the interval A between the electrodes of the upper electrode 6. The reason why the size of the sacrifice portion 16 is made smaller than the interval A is to perform a short-circuit check between the electrodes when the upper electrode 6 is formed. In this case, each electrode of the upper electrode 6 is short-circuited.

【0016】その後、エッチング液として、硝酸を含ん
だ混合酸(例えば、硝酸、水、塩酸、酢酸、リン酸の混
合酸)や硫酸を含んだ混合酸等を使用して、フォトリソ
グラフィ・エッチングを行い、図4に示すように、取り
出し電極70をパターニング形成する。この時、犠牲部
16上にはフォトレジストは残さない状態でエッチング
を行う。
Thereafter, photolithographic etching is performed by using a mixed acid containing nitric acid (for example, a mixed acid of nitric acid, water, hydrochloric acid, acetic acid, and phosphoric acid) or a mixed acid containing sulfuric acid as an etchant. Then, as shown in FIG. 4, the extraction electrode 70 is formed by patterning. At this time, etching is performed without leaving a photoresist on the sacrificial portion 16.

【0017】ここで、電極層7を成膜するときに、電極
層7の外周部7aは、電極層7を形成する以前に形成さ
れた各膜2、3、4、5、6に含まれている微量な水分
により酸化等されて変質する。従って、フォトリソグラ
フィ・エッチングのときに、変質した電極層7の外周部
7aは、前記エッチング液でも容易にエッチングするこ
とはできない。
Here, when the electrode layer 7 is formed, the outer peripheral portion 7a of the electrode layer 7 is included in each of the films 2, 3, 4, 5, and 6 formed before the electrode layer 7 is formed. It is oxidized by a small amount of water and deteriorates. Therefore, at the time of photolithography etching, the outer peripheral portion 7a of the deteriorated electrode layer 7 cannot be easily etched even with the etching solution.

【0018】しかし、ZnO等により形成された犠牲部
16はフォトリソグラフィ・エッチングの際に容易に溶
けてしまうため、犠牲部16と直交した状態で形成され
た電極層7の外周部7aは、剥がれて(リフトオフ)し
まう。図5は、この剥がれる状態を示す観念図であり、
図5に示すように、フォトリソグラフィ・エッチングで
除去された上部にある電極層7の外周部7aが剥がれ、
その結果、図6に示すように、電極層7の外周部7aが
それぞれの電極が電気的に分離される。
However, since the sacrifice portion 16 formed of ZnO or the like is easily melted during photolithography etching, the outer peripheral portion 7a of the electrode layer 7 formed perpendicular to the sacrifice portion 16 is peeled off. (Lift off). FIG. 5 is a conceptual diagram showing this peeled state.
As shown in FIG. 5, the outer peripheral portion 7a of the upper electrode layer 7 removed by photolithography etching is peeled off,
As a result, as shown in FIG. 6, the respective electrodes of the outer peripheral portion 7a of the electrode layer 7 are electrically separated.

【0019】但し、図6に示すように、犠牲部16の線
幅が、下部電極2及び上部電極6の各電極間の間隔Aよ
り若干狭く形成されている為、エッチング後は、取り出
し電極70からはみ出して僅かに電極層7の外周部7a
が残ってしまうが、性能上なんら問題はない。このよう
に、酸化等により変質した電極層7の外周部7aのうち
の発光層4側を確実かつ容易に取り除くことができるた
め、この外周部7aが取り除けないことによって発生す
る下部電極2や上部電極6の短絡を防止でき、また、オ
ーバエッチングによる取り出し電極70の細りを防止で
きる。
However, as shown in FIG. 6, since the line width of the sacrifice portion 16 is formed to be slightly smaller than the distance A between the lower electrode 2 and the upper electrode 6, after the etching, the extraction electrode 70 is formed. The outer peripheral portion 7a of the electrode layer 7 slightly protruding from
Will remain, but there is no problem in performance. As described above, the light emitting layer 4 side of the outer peripheral portion 7a of the electrode layer 7 that has been deteriorated by oxidation or the like can be reliably and easily removed, so that the lower electrode 2 and the upper electrode 2 that are generated when the outer peripheral portion 7a cannot be removed are removed. Short-circuiting of the electrode 6 can be prevented, and thinning of the extraction electrode 70 due to over-etching can be prevented.

【0020】なお、この後、図示しないが上部電極6上
にガラス板を配設して、ガラス基板1等を所望の形状に
カットしたのち、各取り出し電極70と所定の外部配線
を半田付けしてELディスプレイは完成する。このと
き、酸化等により変質した電極層7の外周部7aのう
ち、発光層4から離れた部分はカットされるため、フォ
トリソグラフィ・エッチングのときに除去しなくても何
ら問題はない。
After that, although not shown, a glass plate is arranged on the upper electrode 6, the glass substrate 1 and the like are cut into a desired shape, and then each of the extraction electrodes 70 is soldered to a predetermined external wiring. The EL display is completed. At this time, the portion of the outer peripheral portion 7a of the electrode layer 7 that has been altered due to oxidation or the like is cut away from the light emitting layer 4, so that there is no problem if it is not removed during photolithography and etching.

【0021】なお、本実施形態においては、上部電極6
と共に、上部電極6の材料となるZnO等により犠牲部
16を形成しているが、犠牲部16の材質は、電極層7
をパターニングする際に用いるエッチング液に溶けやす
い物質であれば良い。例えば、発光層4を形成するとき
に、発光層4の材料となるZnS等により、犠牲部16
を形成しても良く、また、上部電極6や発光層4を形成
する工程において同時に形成せずに、犠牲部16のみを
別個の工程にて形成しても良い。
In this embodiment, the upper electrode 6
At the same time, the sacrificial portion 16 is formed of ZnO or the like which is a material of the upper electrode 6, and the material of the sacrificial portion 16 is
Any substance may be used as long as it is easily soluble in an etching solution used for patterning the substrate. For example, when the light emitting layer 4 is formed, the sacrificial portion 16 is made of ZnS or the like which is a material of the light emitting layer 4.
Alternatively, only the sacrifice portion 16 may be formed in a separate step without forming the upper electrode 6 and the light emitting layer 4 at the same time.

【0022】また、本実施形態では、マトリクス形のE
L装置に本発明を適用したものを示したが、例えば、上
部電極、下部電極のいずれか一方が共通電極となり、他
方が複数の電極とされる7セグメントELディスプレイ
等においても本発明を適用してもよい。
In this embodiment, the matrix type E
The present invention is applied to an L device. For example, the present invention is applied to a 7-segment EL display in which one of an upper electrode and a lower electrode is a common electrode and the other is a plurality of electrodes. You may.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態であって、(a)は、犠牲
部16を形成した後におけるELディスプレイの全体
図、(b)は、(a)の犠牲部16近傍の部分拡大図で
ある。
FIG. 1 is an embodiment of the present invention, wherein (a) is an overall view of an EL display after a sacrifice portion 16 is formed, and (b) is a partially enlarged view of the vicinity of the sacrifice portion 16 in (a). It is.

【図2】(a)は、成膜マスク8を配置したときのEL
ディスプレイの模式図、(b)は、(a)の断面図であ
る。
FIG. 2A is a view showing EL when a film forming mask 8 is arranged.
FIG. 2B is a schematic view of the display, and FIG. 2B is a cross-sectional view of FIG.

【図3】電極層7を形成した後における、上部電極6又
は下部電極2の先端部近傍の模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing the vicinity of the tip of an upper electrode 6 or a lower electrode 2 after an electrode layer 7 is formed.

【図4】取り出し電極70形成後におけるELディスプ
レイの全体図である。
FIG. 4 is an overall view of an EL display after formation of an extraction electrode 70;

【図5】フォトリソグラフィ・エッチングのときにおけ
る、上部電極6又は下部電極2の先端部近傍の模式図で
ある。
FIG. 5 is a schematic diagram of the vicinity of the tip of the upper electrode 6 or the lower electrode 2 during photolithography etching.

【図6】フォトリソグラフィ・エッチング後の上部電極
6又は下部電極2の先端部近傍の模式図である。
FIG. 6 is a schematic diagram of the vicinity of the tip of the upper electrode 6 or the lower electrode 2 after photolithography and etching.

【図7】従来において電極層7を形成した後におけるE
Lディスプレイの模式図である。
FIG. 7 shows a conventional E after forming an electrode layer 7;
It is a schematic diagram of an L display.

【図8】図7に示す電極層7を形成した際における説明
図である。
8 is an explanatory diagram when the electrode layer 7 shown in FIG. 7 is formed.

【図9】取り出し電極をパターニングした際の上部電極
6又は下部電極2の先端部近傍の模式図である。
FIG. 9 is a schematic view of the vicinity of the tip of the upper electrode 6 or the lower electrode 2 when the extraction electrode is patterned.

【図10】図9において、エッチング時間を延ばした際
の上部電極6又は下部電極2の先端部近傍の模式図であ
る。
FIG. 10 is a schematic diagram of the vicinity of the tip of the upper electrode 6 or the lower electrode 2 when the etching time is extended in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ガラス基板、2…下部電極、3…第1絶縁膜、4…
発光層、5…第2絶縁膜、6…上部電極、7…電極層、
7a…外周部、70…取り出し電極、16…犠牲部、1
6a…犠牲部の電極の幅方向の長さ、16b…犠牲部の
電極の長手方向の長さ、A…電極間の間隔。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass substrate, 2 ... Lower electrode, 3 ... 1st insulating film, 4 ...
Light emitting layer, 5: second insulating film, 6: upper electrode, 7: electrode layer,
7a: outer peripheral portion, 70: extraction electrode, 16: sacrificial portion, 1
6a: length of the sacrificial portion in the width direction of the electrode, 16b: length of the sacrificial portion in the longitudinal direction of the electrode, A: interval between the electrodes.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板(1)上に、下部電極(2)、下部
絶縁層(3)、発光層(4)、上部絶縁層(5)及び上
部電極(6)を順に積層し、前記下部電極(2)と前記
上部電極(6)のうち、少なくともいずれか一方は複数
の電極を有しており、これら複数の電極の端部を覆う電
極層(7)を形成した後、この電極層(7)をパターニ
ングして、前記複数の電極それぞれに外部との電気的導
通を取るための取り出し電極(70)を形成するELデ
ィスプレイの製造方法において、 前記複数の電極における各電極間に、前記電極層(7)
の外周部(7a)と交差する犠牲部(16)を設け、こ
の犠牲部(16)の上に電極層(7)を形成する工程
と、 前記電極層(7)をエッチングによりパターニングし
て、前記犠牲部(16)を除去すると共に前記取り出し
電極(70)を形成する工程とを有することを特徴とす
るELディスプレイの製造方法。
1. A lower electrode (2), a lower insulating layer (3), a light emitting layer (4), an upper insulating layer (5), and an upper electrode (6) are sequentially laminated on a substrate (1). At least one of the electrode (2) and the upper electrode (6) has a plurality of electrodes, and after forming an electrode layer (7) covering the ends of the plurality of electrodes, (7) A method for manufacturing an EL display, comprising patterning (7) and forming an extraction electrode (70) on each of the plurality of electrodes for establishing electrical continuity with the outside. Electrode layer (7)
Providing a sacrificial portion (16) intersecting the outer peripheral portion (7a) of the above, forming an electrode layer (7) on the sacrificial portion (16), and patterning the electrode layer (7) by etching. Removing the sacrificial portion (16) and forming the extraction electrode (70).
【請求項2】 前記電極層(7)は、前記下部電極
(2)の端部のみを覆うものと、前記上部電極(6)の
端部のみを覆うものとに分けて複数箇所に形成されるこ
とを特徴とする請求項1に記載のELディスプレイの製
造方法。
2. The electrode layer (7) is formed at a plurality of places separately into a layer that covers only an end of the lower electrode (2) and a layer that covers only an end of the upper electrode (6). The method for manufacturing an EL display according to claim 1, wherein:
【請求項3】 前記犠牲部(16)の寸法は、前記上部
電極(6)又は前記下部電極(2)の長手方向の長さ
(16b)が1mm以上であり、前記上部電極(6)又
は前記下部電極(2)の幅方向の長さ(16a)が10
μm以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載
のELディスプレイの製造方法。
3. The size of the sacrificial portion (16) is such that the longitudinal length (16b) of the upper electrode (6) or the lower electrode (2) is 1 mm or more, and the upper electrode (6) or The length (16a) of the lower electrode (2) in the width direction is 10
The method for manufacturing an EL display according to claim 1, wherein the thickness is at least μm.
【請求項4】 前記犠牲部(16)は、前記発光層
(4)と同一材料であり、前記犠牲部(16)を、前記
発光層(4)と共にパターニング形成することを特徴と
する請求項1乃至3のいずれか1つに記載のELディス
プレイの製造方法。
4. The sacrifice portion (16) is made of the same material as the light emitting layer (4), and the sacrifice portion (16) is formed by patterning together with the light emitting layer (4). 4. The method for manufacturing an EL display according to any one of items 1 to 3.
【請求項5】 前記犠牲部(16)は、前記上部電極
(6)と同一材料であり、前記犠牲部(16)を、前記
上部電極(6)と共にパターニング形成することを特徴
とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載のELディ
スプレイの製造方法。
5. The sacrifice portion (16) is made of the same material as the upper electrode (6), and the sacrifice portion (16) is formed by patterning with the upper electrode (6). 4. The method for manufacturing an EL display according to any one of items 1 to 3.
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