JPH10140299A - 残留磁束密度の低いけい素鋼板 - Google Patents
残留磁束密度の低いけい素鋼板Info
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- JPH10140299A JPH10140299A JP8309955A JP30995596A JPH10140299A JP H10140299 A JPH10140299 A JP H10140299A JP 8309955 A JP8309955 A JP 8309955A JP 30995596 A JP30995596 A JP 30995596A JP H10140299 A JPH10140299 A JP H10140299A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ギャップを設けることなく、偏磁を抑えること
ができる残留磁束密度の低いけい素鋼板、およびこれに
加えて鉄損が低い、あるいは飽和磁束密度が高いけい素
鋼板を提供すること。 【解決手段】けい素鋼板において、Ｓｉを平均で７ｗｔ
％以下含有し、板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ
濃度の最大と最小の差ΔＳｉが０．５ｗｔ％以上とす
る。また、さらにΔＳｉを５．５ｗｔ％以上とする。ま
たは、さらにＳｉを３．５ｗｔ％以下にとする。また
は、さらにΔＳｉを０．５〜５．５ｗｔ％とする。
ができる残留磁束密度の低いけい素鋼板、およびこれに
加えて鉄損が低い、あるいは飽和磁束密度が高いけい素
鋼板を提供すること。 【解決手段】けい素鋼板において、Ｓｉを平均で７ｗｔ
％以下含有し、板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ
濃度の最大と最小の差ΔＳｉが０．５ｗｔ％以上とす
る。また、さらにΔＳｉを５．５ｗｔ％以上とする。ま
たは、さらにＳｉを３．５ｗｔ％以下にとする。また
は、さらにΔＳｉを０．５〜５．５ｗｔ％とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、偏磁による突入電
流が問題となる配電、電力、産業機器用トランスや直流
検出センサー、変成器（ＣＴ）などの鉄心として用いら
れる残留磁束密度の低いけい素鋼板に関する。
流が問題となる配電、電力、産業機器用トランスや直流
検出センサー、変成器（ＣＴ）などの鉄心として用いら
れる残留磁束密度の低いけい素鋼板に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、配電トランス等には磁束密度を高
く設計することができ、鉄損を低く抑えられることから
方向性けい素鋼板が使用されているが、残留磁束密度が
高いために偏磁という問題を生じる。この偏磁は、ビル
ディングやインバーター電源が多く使用されるような環
境における配電トランスにおいて、停電や電源再投入時
に場合によっては磁束が飽和するために過電流が流れ、
配電系統の電源機器の破損のみならず、他の電力系統へ
重大な被害を及ぼすことがある。したがって、このよう
な配電トランスにおいては、偏磁を避けるために磁路に
ギャップを設けて残留磁束密度を下げるように設計す
る。
く設計することができ、鉄損を低く抑えられることから
方向性けい素鋼板が使用されているが、残留磁束密度が
高いために偏磁という問題を生じる。この偏磁は、ビル
ディングやインバーター電源が多く使用されるような環
境における配電トランスにおいて、停電や電源再投入時
に場合によっては磁束が飽和するために過電流が流れ、
配電系統の電源機器の破損のみならず、他の電力系統へ
重大な被害を及ぼすことがある。したがって、このよう
な配電トランスにおいては、偏磁を避けるために磁路に
ギャップを設けて残留磁束密度を下げるように設計す
る。
【０００３】このため、本来方向性けい素鋼板の持つ高
磁束密度特性を生かせず、トランスは大型化を余儀なく
されている。また、ギャップを設けることにより、ギャ
ップ部において鉄損の増加も生じる。
磁束密度特性を生かせず、トランスは大型化を余儀なく
されている。また、ギャップを設けることにより、ギャ
ップ部において鉄損の増加も生じる。
【０００４】一方、直流電流検出センサーは、磁路にギ
ャップを形成し、そのギャップを横切る磁束をセンサー
により検出するが、この直流電流検出センサーにおいて
も前記配電トランスと同様の問題が生じる。すなわち、
鉄心の残留磁束密度が大きいことから、高電流から低電
流へ下げる場合において電流を検出しようとしても、鉄
心の残留磁気によってセンサーとしての機能を果たすこ
とができなくなる。
ャップを形成し、そのギャップを横切る磁束をセンサー
により検出するが、この直流電流検出センサーにおいて
も前記配電トランスと同様の問題が生じる。すなわち、
鉄心の残留磁束密度が大きいことから、高電流から低電
流へ下げる場合において電流を検出しようとしても、鉄
心の残留磁気によってセンサーとしての機能を果たすこ
とができなくなる。
【０００５】また、電力用、送電用の変成器（ＣＴ）に
ついても雷によって大電流が流れた際の偏磁による送電
線の断線評価の誤診を防ぐために、意図的にカットを入
れて使用するケースがある。
ついても雷によって大電流が流れた際の偏磁による送電
線の断線評価の誤診を防ぐために、意図的にカットを入
れて使用するケースがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、ギャップを設けることな
く、偏磁を抑えることができる残留磁束密度の低いけい
素鋼板を提供することを目的とする。また、これに加え
て鉄損が低い、あるいは飽和磁束密度が高いけい素鋼板
を提供することを目的とする。
鑑みてなされたものであって、ギャップを設けることな
く、偏磁を抑えることができる残留磁束密度の低いけい
素鋼板を提供することを目的とする。また、これに加え
て鉄損が低い、あるいは飽和磁束密度が高いけい素鋼板
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、けい素鋼板におい
て平均Ｓｉ濃度を規定し、かつ厚さ方向に一定のＳｉの
濃度勾配を形成することにより、鉄損を増加させること
なく残留磁束密度を著しくを低くすることができること
を見出した。また、Ｓｉ濃度およびＳｉの濃度勾配をさ
らに規定することにより、さらに一層残留磁束密度が低
くなること、鉄損が低くなること、あるいは飽和磁束密
度が高くなることを見出した。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、けい素鋼板におい
て平均Ｓｉ濃度を規定し、かつ厚さ方向に一定のＳｉの
濃度勾配を形成することにより、鉄損を増加させること
なく残留磁束密度を著しくを低くすることができること
を見出した。また、Ｓｉ濃度およびＳｉの濃度勾配をさ
らに規定することにより、さらに一層残留磁束密度が低
くなること、鉄損が低くなること、あるいは飽和磁束密
度が高くなることを見出した。
【０００８】本発明は、このような知見に基づいて完成
されたものであって、第１に、Ｓｉを平均で７ｗｔ％以
下含有し、板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度
の最大と最小の差が０．５ｗｔ％以上であることを特徴
とする残留磁束密度の低いけい素鋼板を提供するもので
ある。
されたものであって、第１に、Ｓｉを平均で７ｗｔ％以
下含有し、板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度
の最大と最小の差が０．５ｗｔ％以上であることを特徴
とする残留磁束密度の低いけい素鋼板を提供するもので
ある。
【０００９】第２に、Ｓｉを平均で７ｗｔ％以下含有
し、板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大
と最小の差が５．５ｗｔ％以上であることを特徴とする
残留磁束密度の低いけい素鋼板を提供するものである。
し、板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大
と最小の差が５．５ｗｔ％以上であることを特徴とする
残留磁束密度の低いけい素鋼板を提供するものである。
【００１０】第３に、Ｓｉを平均で３．５ｗｔ％以下含
有し、板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最
大と最小の差が０．５ｗｔ％以上であることを特徴とす
る飽和磁束密度が高く残留磁束密度の低いけい素鋼板を
提供するものである。
有し、板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最
大と最小の差が０．５ｗｔ％以上であることを特徴とす
る飽和磁束密度が高く残留磁束密度の低いけい素鋼板を
提供するものである。
【００１１】第４に、Ｓｉを平均で７ｗｔ％以下含有
し、板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大
と最小の差が０．５〜５．５ｗｔ％以上であることを特
徴とする鉄損が低く残留磁束密度の低いけい素鋼板を提
供するものである。
し、板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大
と最小の差が０．５〜５．５ｗｔ％以上であることを特
徴とする鉄損が低く残留磁束密度の低いけい素鋼板を提
供するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明に係るけい素鋼板は、基本的には上述した
ように、Ｓｉを平均で７ｗｔ％以下含有し、板厚方向に
Ｓｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の差が
０．５ｗｔ％以上である。
する。本発明に係るけい素鋼板は、基本的には上述した
ように、Ｓｉを平均で７ｗｔ％以下含有し、板厚方向に
Ｓｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の差が
０．５ｗｔ％以上である。
【００１３】板厚方向にＳｉの濃度勾配を形成した場合
の残留磁束密度（Ｂｒ）の値を図１に示す。ここでは、
板厚０．３ｍｍの圧延法にて製造された鋼板に対し、１
２００℃のＳｉＣｌ4 雰囲気中で浸珪処理を行い、その
後１２００℃のＮ2 雰囲気中で拡散処理を行って種々の
Ｓｉ量およびＳｉの濃度勾配を形成したサンプルを用い
た。図１は、横軸に平均Ｓｉ量をとり、縦軸にＳｉ濃度
の最大値と最小値との差ΔＳｉをとって、各点における
最大磁化Ｂｍ＝１．４Ｔまで励磁したときの直流ＢＨ曲
線の残留磁束密度Ｂｒを示す図である。なおΔＳｉはサ
ンプルの断面についてＥＰＭＡ（電子プローブマイクロ
アナライザ）で分析した結果である。
の残留磁束密度（Ｂｒ）の値を図１に示す。ここでは、
板厚０．３ｍｍの圧延法にて製造された鋼板に対し、１
２００℃のＳｉＣｌ4 雰囲気中で浸珪処理を行い、その
後１２００℃のＮ2 雰囲気中で拡散処理を行って種々の
Ｓｉ量およびＳｉの濃度勾配を形成したサンプルを用い
た。図１は、横軸に平均Ｓｉ量をとり、縦軸にＳｉ濃度
の最大値と最小値との差ΔＳｉをとって、各点における
最大磁化Ｂｍ＝１．４Ｔまで励磁したときの直流ＢＨ曲
線の残留磁束密度Ｂｒを示す図である。なおΔＳｉはサ
ンプルの断面についてＥＰＭＡ（電子プローブマイクロ
アナライザ）で分析した結果である。
【００１４】この図から、Ｓｉの濃度勾配を形成し、Δ
Ｓｉが増加すると残留磁束密度は単調に低下することが
わかる。そして、ΔＳｉを０．５％以上とすれば、十分
に低い残留磁束密度が得られることがわかる。ΔＳｉを
増加させると残留磁束密度が低下する原因は完全には解
明されていないが、Ｓｉの添加とともに格子定数が小さ
くなることから、Ｓｉの濃度勾配を形成することにより
板内に張力が発生するためと推定される。
Ｓｉが増加すると残留磁束密度は単調に低下することが
わかる。そして、ΔＳｉを０．５％以上とすれば、十分
に低い残留磁束密度が得られることがわかる。ΔＳｉを
増加させると残留磁束密度が低下する原因は完全には解
明されていないが、Ｓｉの添加とともに格子定数が小さ
くなることから、Ｓｉの濃度勾配を形成することにより
板内に張力が発生するためと推定される。
【００１５】したがって、本発明では、Ｓｉの濃度勾配
を形成し、Ｓｉ濃度の最大値と最小値との差ΔＳｉが
０．５ｗｔ％以上であることを要件としている。さらに
は、ΔＳｉが０．７ｗｔ％以上であることが好ましい。
を形成し、Ｓｉ濃度の最大値と最小値との差ΔＳｉが
０．５ｗｔ％以上であることを要件としている。さらに
は、ΔＳｉが０．７ｗｔ％以上であることが好ましい。
【００１６】また、図１からわかるように、ΔＳｉが
５．５ｗｔ％以上であれば、０．１Ｔ以下の極めて低い
残留磁束密度を得ることができる。したがって、本発明
では極めて残留磁束密度が低くなるための要件として、
ΔＳｉが５．５ｗｔ％以上であることを規定している。
なお、この場合において、板厚方向のＳｉ濃度を測定す
る方法は特に限定されないが、ＥＰＭＡなどのＸ線マイ
クロアナライザーで測定することが好適である。
５．５ｗｔ％以上であれば、０．１Ｔ以下の極めて低い
残留磁束密度を得ることができる。したがって、本発明
では極めて残留磁束密度が低くなるための要件として、
ΔＳｉが５．５ｗｔ％以上であることを規定している。
なお、この場合において、板厚方向のＳｉ濃度を測定す
る方法は特に限定されないが、ＥＰＭＡなどのＸ線マイ
クロアナライザーで測定することが好適である。
【００１７】このように鋼板の厚さ方向にＳｉの濃度勾
配をつけること自体は、特開昭６２−２２７０３３号か
ら２２７０３６号まで、特開昭６２−２２７０７７号、
および特開平４−２４６１５７号の各公報に開示されて
いる。しかし、これらの目的は、浸珪処理法で高けい素
鋼板を製造する際に、拡散処理時間を短くするため、途
中で拡散処理を中断することにあり、その結果としてＳ
ｉの濃度勾配が形成されるのであり積極的にＳｉの濃度
勾配を形成するという思想は含まれていない。これらに
おいて拡散処理を中断する時間は鉄損が劣化しない範囲
で決められている。鉄損は種々の要因で決定されるが、
これを低下させるためには残留磁束密度を高くすること
が必要であり、上記各公報の技術は残留磁束密度があま
り低下しない範囲で、Ｓｉの濃度勾配の許容値を求めた
ものであるといえる。これに対して本発明は残留磁束密
度を低下させるために積極的にＳｉの濃度勾配を形成し
たものであり、上記各公報の技術とはＳｉの濃度勾配の
意味合いが全く異なる。
配をつけること自体は、特開昭６２−２２７０３３号か
ら２２７０３６号まで、特開昭６２−２２７０７７号、
および特開平４−２４６１５７号の各公報に開示されて
いる。しかし、これらの目的は、浸珪処理法で高けい素
鋼板を製造する際に、拡散処理時間を短くするため、途
中で拡散処理を中断することにあり、その結果としてＳ
ｉの濃度勾配が形成されるのであり積極的にＳｉの濃度
勾配を形成するという思想は含まれていない。これらに
おいて拡散処理を中断する時間は鉄損が劣化しない範囲
で決められている。鉄損は種々の要因で決定されるが、
これを低下させるためには残留磁束密度を高くすること
が必要であり、上記各公報の技術は残留磁束密度があま
り低下しない範囲で、Ｓｉの濃度勾配の許容値を求めた
ものであるといえる。これに対して本発明は残留磁束密
度を低下させるために積極的にＳｉの濃度勾配を形成し
たものであり、上記各公報の技術とはＳｉの濃度勾配の
意味合いが全く異なる。
【００１８】偏磁による突入電流は、残留磁束密度以外
に飽和磁束密度とも関係し、飽和磁束密度が高いほど突
入電流は小さくなる。したがって、板厚方向に濃度勾配
を形成して残留磁束密度を低下させても、飽和磁束密度
が低下したのでは、十分な効果が得られない。図２に示
すように、飽和磁束密度は添加される平均Ｓｉ量に逆比
例するため、Ｓｉ量が多すぎると好ましくない。また、
平均Ｓｉ濃度が７％を超えると加工性が悪くなり、打ち
抜き製が極めて劣化する。したがって、本発明ではこの
ような観点から、Ｓｉ濃度を平均で７ｗｔ％とすること
を要件としている。
に飽和磁束密度とも関係し、飽和磁束密度が高いほど突
入電流は小さくなる。したがって、板厚方向に濃度勾配
を形成して残留磁束密度を低下させても、飽和磁束密度
が低下したのでは、十分な効果が得られない。図２に示
すように、飽和磁束密度は添加される平均Ｓｉ量に逆比
例するため、Ｓｉ量が多すぎると好ましくない。また、
平均Ｓｉ濃度が７％を超えると加工性が悪くなり、打ち
抜き製が極めて劣化する。したがって、本発明ではこの
ような観点から、Ｓｉ濃度を平均で７ｗｔ％とすること
を要件としている。
【００１９】また、このようにＳｉ量が少なくなるほど
飽和磁束密度が高くなり、特にＳｉ量が３．５ｗｔ％以
下となると飽和磁束密度が２．０Ｔ以上と極めて高い値
が得られる。したがって、本発明では、残留磁束密度を
低く維持したまま、飽和磁束密度を特に高くする条件と
して、Ｓｉを３．５ｗｔ％以下含有し、板厚方向にＳｉ
の濃度勾配を有し、濃度の最大と最小の差が０．５ｗｔ
％以上であることを規定している。なお、本発明でいう
平均Ｓｉ濃度は化学分析により得られる。
飽和磁束密度が高くなり、特にＳｉ量が３．５ｗｔ％以
下となると飽和磁束密度が２．０Ｔ以上と極めて高い値
が得られる。したがって、本発明では、残留磁束密度を
低く維持したまま、飽和磁束密度を特に高くする条件と
して、Ｓｉを３．５ｗｔ％以下含有し、板厚方向にＳｉ
の濃度勾配を有し、濃度の最大と最小の差が０．５ｗｔ
％以上であることを規定している。なお、本発明でいう
平均Ｓｉ濃度は化学分析により得られる。
【００２０】本発明におけるＳｉの濃度勾配は、厚さ方
向中央部が高くても低くても構わず、厚さ方向に勾配が
存在しさえすればよい。また、一方の表面から反対側の
表面にかけて連続的に濃度勾配を持つものも含まれる。
このような濃度勾配を形成するための方法は特に限定さ
れないが、上述したようにＳｉＣｌ4 雰囲気中で浸珪処
理し、さらに拡散処理を施す方法を採用することが好ま
しい。
向中央部が高くても低くても構わず、厚さ方向に勾配が
存在しさえすればよい。また、一方の表面から反対側の
表面にかけて連続的に濃度勾配を持つものも含まれる。
このような濃度勾配を形成するための方法は特に限定さ
れないが、上述したようにＳｉＣｌ4 雰囲気中で浸珪処
理し、さらに拡散処理を施す方法を採用することが好ま
しい。
【００２１】このような本発明のけい素鋼板のヒステリ
シス曲線の特徴として最大磁束密度Ｂｍに対する残留磁
束密度Ｂｒの比であるＢｒ／ＢｍにＢｍ依存性があるこ
とが挙げられる。すなわち、Ｂｍが高くなるにつれてＢ
ｒは飽和していくためにＢｍが高くなるほどＢｒ／Ｂｍ
が低下してくる。このため、実用上磁束密度を高く設定
することができるという利点がある。
シス曲線の特徴として最大磁束密度Ｂｍに対する残留磁
束密度Ｂｒの比であるＢｒ／ＢｍにＢｍ依存性があるこ
とが挙げられる。すなわち、Ｂｍが高くなるにつれてＢ
ｒは飽和していくためにＢｍが高くなるほどＢｒ／Ｂｍ
が低下してくる。このため、実用上磁束密度を高く設定
することができるという利点がある。
【００２２】次に、鉄損について説明する。図３には、
図１で用いた鋼板について、交流５０Ｈｚ、Ｂｍ＝１．
２Ｔでの鉄損値Ｗ12/50を測定した結果を示す。この図
から、Ｓｉを７ｗｔ％以下含有し、板厚方向にＳｉの濃
度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の差が０．５ｗｔ
％以上であるという本発明の基本的要件を満たすことに
より、残留磁束密度が低くなるのみならず、鉄損も低い
実用的なけい素鋼板が得られることがわかる。
図１で用いた鋼板について、交流５０Ｈｚ、Ｂｍ＝１．
２Ｔでの鉄損値Ｗ12/50を測定した結果を示す。この図
から、Ｓｉを７ｗｔ％以下含有し、板厚方向にＳｉの濃
度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の差が０．５ｗｔ
％以上であるという本発明の基本的要件を満たすことに
より、残留磁束密度が低くなるのみならず、鉄損も低い
実用的なけい素鋼板が得られることがわかる。
【００２３】また、図３から、ΔＳｉが０．５〜５．５
ｗｔ％の範囲で、Ｗ12/50が２．０Ｗ／ｋｇ以下と極め
て低い鉄損値となることがわかる。したがって、本発明
では、残留磁束密度を低く維持したまま、鉄損を特に低
くする条件として、Ｓｉを平均で７ｗｔ％以下含有し、
板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、濃度の最大と最小の
差が０．５〜５．５ｗｔ％以上であることを規定してい
る。
ｗｔ％の範囲で、Ｗ12/50が２．０Ｗ／ｋｇ以下と極め
て低い鉄損値となることがわかる。したがって、本発明
では、残留磁束密度を低く維持したまま、鉄損を特に低
くする条件として、Ｓｉを平均で７ｗｔ％以下含有し、
板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、濃度の最大と最小の
差が０．５〜５．５ｗｔ％以上であることを規定してい
る。
【００２４】なお、本発明において、Ｓｉ以外の元素は
特に規定されず、他の元素は通常のけい素鋼板に含有さ
れる量であれば許容される。
特に規定されず、他の元素は通常のけい素鋼板に含有さ
れる量であれば許容される。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。表
１の組成を有する板厚０．３ｍｍの鋼板を圧延法にて作
製し、ＳｉＣｌ4 雰囲気中１２００℃で浸珪処理を施し
て鋼板表面にＳｉ濃化層を形成し、引き続いて、Ｎ2 雰
囲気中１２００℃で拡散処理を施して、鋼板板厚方向に
Ｓｉ濃度勾配を有するけい素鋼板を作製した。
１の組成を有する板厚０．３ｍｍの鋼板を圧延法にて作
製し、ＳｉＣｌ4 雰囲気中１２００℃で浸珪処理を施し
て鋼板表面にＳｉ濃化層を形成し、引き続いて、Ｎ2 雰
囲気中１２００℃で拡散処理を施して、鋼板板厚方向に
Ｓｉ濃度勾配を有するけい素鋼板を作製した。
【００２６】
【表１】
【００２７】なお、作製した試料の平均Ｓｉ濃度は湿式
分析、板厚方向のＳｉ濃度の最大値と最小値との差ΔＳ
ｉはＥＰＭＡで分析した。表１の鋼板Ａを用いた場合は
平均Ｓｉ濃度が０．４〜３．０ｗｔ％、鋼板Ｂを用いた
場合は平均Ｓｉ濃度が３．５〜６．８ｗｔ％の試料を作
製することができた。Ｓｉ以外の元素の量は、浸珪処理
の前後でほとんど変化しなかった。
分析、板厚方向のＳｉ濃度の最大値と最小値との差ΔＳ
ｉはＥＰＭＡで分析した。表１の鋼板Ａを用いた場合は
平均Ｓｉ濃度が０．４〜３．０ｗｔ％、鋼板Ｂを用いた
場合は平均Ｓｉ濃度が３．５〜６．８ｗｔ％の試料を作
製することができた。Ｓｉ以外の元素の量は、浸珪処理
の前後でほとんど変化しなかった。
【００２８】このようにして作製した鋼板から外径３１
ｍｍ、内径１９ｍｍのリング試料を採取し、直流ＢＨ曲
線および５０Ｈｚ交流磁気特性を測定した。図１に最大
磁化Ｂｍ＝１．４Ｔまで励磁したときの直流ＢＨ曲線の
残留磁束密度Ｂｒの値を示す。図１に示すように、本実
施例のＳｉ濃度において板厚方向にＳｉ濃度勾配を形成
し、ΔＳｉを０．５ｗｔ％以上とすることにより残留磁
束密度Ｂｒの低いけい素鋼板が得られることが確認され
た。さらにΔＳｉを５．５ｗｔ％以上とすることで０．
１Ｔ以下という極めて低いＢｒが実現された。また、平
均Ｓｉ濃度と飽和磁束密度の関係は図２に示すようにな
り、この図に示すように、平均Ｓｉ濃度３．５ｗｔ％以
下においては、飽和磁束密度が２．０Ｔ以上と極めて高
い値を示した。
ｍｍ、内径１９ｍｍのリング試料を採取し、直流ＢＨ曲
線および５０Ｈｚ交流磁気特性を測定した。図１に最大
磁化Ｂｍ＝１．４Ｔまで励磁したときの直流ＢＨ曲線の
残留磁束密度Ｂｒの値を示す。図１に示すように、本実
施例のＳｉ濃度において板厚方向にＳｉ濃度勾配を形成
し、ΔＳｉを０．５ｗｔ％以上とすることにより残留磁
束密度Ｂｒの低いけい素鋼板が得られることが確認され
た。さらにΔＳｉを５．５ｗｔ％以上とすることで０．
１Ｔ以下という極めて低いＢｒが実現された。また、平
均Ｓｉ濃度と飽和磁束密度の関係は図２に示すようにな
り、この図に示すように、平均Ｓｉ濃度３．５ｗｔ％以
下においては、飽和磁束密度が２．０Ｔ以上と極めて高
い値を示した。
【００２９】図３に交流５０Ｈｚ、Ｂｍ＝１．２Ｔでの
鉄損値Ｗ12／50を示す。図３に示すように、本実施例の
Ｓｉ濃度において板厚方向にΔＳｉを０．５ｗｔ％以上
となるようなＳｉ濃度勾配を形成することにより、残留
磁束密度が低く、かつ鉄損も低い実用的なけい素鋼板が
得られることが確認された。さらにΔＳｉが０．５〜
５．５ｗｔ％の範囲において、Ｗ12／50が２．０Ｗ／ｋ
ｇ以下という極めて低い鉄損が実現された。
鉄損値Ｗ12／50を示す。図３に示すように、本実施例の
Ｓｉ濃度において板厚方向にΔＳｉを０．５ｗｔ％以上
となるようなＳｉ濃度勾配を形成することにより、残留
磁束密度が低く、かつ鉄損も低い実用的なけい素鋼板が
得られることが確認された。さらにΔＳｉが０．５〜
５．５ｗｔ％の範囲において、Ｗ12／50が２．０Ｗ／ｋ
ｇ以下という極めて低い鉄損が実現された。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ギャップを設けることなく、偏磁を抑えることができる
残留磁束密度の低いけい素鋼板を得ることができる。ま
た、これに加えてさらに鉄損が低い、あるいは飽和磁束
密度が高いけい素鋼板を得ることができる。
ギャップを設けることなく、偏磁を抑えることができる
残留磁束密度の低いけい素鋼板を得ることができる。ま
た、これに加えてさらに鉄損が低い、あるいは飽和磁束
密度が高いけい素鋼板を得ることができる。
【図１】種々のＳｉ濃度およびΔＳｉにおける、最大磁
化Ｂｍ＝１．４Ｔまで励磁したときの直流ＢＨ曲線の残
留磁束密度Ｂｒを示す図。
化Ｂｍ＝１．４Ｔまで励磁したときの直流ＢＨ曲線の残
留磁束密度Ｂｒを示す図。
【図２】平均Ｓｉ濃度と飽和磁束密度との関係を示す
図。
図。
【図３】種々のＳｉ濃度およびΔＳｉにおける、交流５
０Ｈｚ、Ｂｍ＝１．２Ｔでの鉄損値Ｗ12/50を示す図。
０Ｈｚ、Ｂｍ＝１．２Ｔでの鉄損値Ｗ12/50を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笠井 勝司 東京都千代田区丸の内一丁目１番２号 日 本鋼管株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｓｉを平均で７ｗｔ％以下含有し、板厚
方向にＳｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の
差が０．５ｗｔ％以上であることを特徴とする残留磁束
密度の低いけい素鋼板。 - 【請求項２】 Ｓｉを平均で７ｗｔ％以下含有し、板厚
方向にＳｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の
差が５．５ｗｔ％以上であることを特徴とする残留磁束
密度の低いけい素鋼板。 - 【請求項３】 Ｓｉを平均で３．５ｗｔ％以下含有し、
板厚方向にＳｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最
小の差が０．５ｗｔ％以上であることを特徴とする飽和
磁束密度が高く残留磁束密度の低いけい素鋼板。 - 【請求項４】 Ｓｉを平均で７ｗｔ％以下含有し、板厚
方向にＳｉの濃度勾配を有し、Ｓｉ濃度の最大と最小の
差が０．５〜５．５ｗｔ％以上であることを特徴とする
鉄損が低く残留磁束密度の低いけい素鋼板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30995596A JP4056102B2 (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 残留磁束密度の低いけい素鋼板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30995596A JP4056102B2 (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 残留磁束密度の低いけい素鋼板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10140299A true JPH10140299A (ja) | 1998-05-26 |
| JP4056102B2 JP4056102B2 (ja) | 2008-03-05 |
Family
ID=17999373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30995596A Expired - Fee Related JP4056102B2 (ja) | 1996-11-07 | 1996-11-07 | 残留磁束密度の低いけい素鋼板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4056102B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6527876B2 (en) | 1998-03-12 | 2003-03-04 | Nkk Corporation | Silicon steel sheet and method for producing the same |
| JP2011256463A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-12-22 | Nippon Steel Corp | Ｆｅ系金属板 |
| JP2012251191A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Jfe Steel Corp | 電磁鋼板およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-11-07 JP JP30995596A patent/JP4056102B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6527876B2 (en) | 1998-03-12 | 2003-03-04 | Nkk Corporation | Silicon steel sheet and method for producing the same |
| JP2011256463A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-12-22 | Nippon Steel Corp | Ｆｅ系金属板 |
| US8911565B2 (en) | 2009-10-28 | 2014-12-16 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Fe-based metal plate and method of manufacturing the same |
| US9679687B2 (en) | 2009-10-28 | 2017-06-13 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Fe-based metal plate and method of manufacturing the same |
| JP2012251191A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Jfe Steel Corp | 電磁鋼板およびその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4056102B2 (ja) | 2008-03-05 |
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