JPH1013102A - 高周波透過窓構体およびその製造方法 - Google Patents
高周波透過窓構体およびその製造方法Info
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- JPH1013102A JPH1013102A JP15988896A JP15988896A JPH1013102A JP H1013102 A JPH1013102 A JP H1013102A JP 15988896 A JP15988896 A JP 15988896A JP 15988896 A JP15988896 A JP 15988896A JP H1013102 A JPH1013102 A JP H1013102A
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- JP
- Japan
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- transmission window
- transmissive window
- carbon
- waveguide
- frequency
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 透過窓からの２次電子放出が少ない高周波透
過窓構体およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 導波管１１、１３の管内を遮断するよう
に配置される誘電体セラミックス製の透過窓１２ａを具
備した高周波透過窓構体１２において、透過窓１２ａの
表面から所定深さに炭素注入領域１２ｃが形成されてい
る。
過窓構体およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 導波管１１、１３の管内を遮断するよう
に配置される誘電体セラミックス製の透過窓１２ａを具
備した高周波透過窓構体１２において、透過窓１２ａの
表面から所定深さに炭素注入領域１２ｃが形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、クライストロン等
のマイクロ波管に使用される高周波透過窓構体、および
その製造方法に関する。
のマイクロ波管に使用される高周波透過窓構体、および
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】クライストロンや進行波管、ジャイロト
ロンなどのマイクロ波管は、その出力部に接続される導
波管内部を真空に保持するために、高周波透過窓構体が
利用されている。高周波透過窓構体は、マイクロ波が透
過できるように誘電体セラミックス製の透過窓が設けら
れ、その透過窓部分が導波管の管内を遮断するように配
置される。
ロンなどのマイクロ波管は、その出力部に接続される導
波管内部を真空に保持するために、高周波透過窓構体が
利用されている。高周波透過窓構体は、マイクロ波が透
過できるように誘電体セラミックス製の透過窓が設けら
れ、その透過窓部分が導波管の管内を遮断するように配
置される。
【０００３】例えば、クライストロンは、大型加速器の
高周波電力源として、あるいは、核融合炉のプラズマ加
熱用の高周波源として用いられている。クライストロン
の場合、高周波透過窓構体を構成する透過窓の材料に
は、誘電体損失が小さく気密が容易なアルミナが使用さ
れている。しかし、透過窓にアルミナを使用した場合、
大電力が透過した際にアルミナの温度が局所的に上昇す
る性質がある。そして、温度上昇によって、クラックが
発生したり、ピンホールが発生したりする。
高周波電力源として、あるいは、核融合炉のプラズマ加
熱用の高周波源として用いられている。クライストロン
の場合、高周波透過窓構体を構成する透過窓の材料に
は、誘電体損失が小さく気密が容易なアルミナが使用さ
れている。しかし、透過窓にアルミナを使用した場合、
大電力が透過した際にアルミナの温度が局所的に上昇す
る性質がある。そして、温度上昇によって、クラックが
発生したり、ピンホールが発生したりする。
【０００４】アルミナの温度上昇は、アルミナ自身の誘
電体損失、マルチパクタ放電で生じる電子の衝突、ある
いは、主ビームのホッピング電子の衝突などが原因と考
えられている。このようなアルミナの温度上昇を抑制す
るために、従来、透過窓のアルミナ表面に窒化チタンを
塗布する方法が実用化されている。
電体損失、マルチパクタ放電で生じる電子の衝突、ある
いは、主ビームのホッピング電子の衝突などが原因と考
えられている。このようなアルミナの温度上昇を抑制す
るために、従来、透過窓のアルミナ表面に窒化チタンを
塗布する方法が実用化されている。
【０００５】ここで、透過窓のアルミナ表面に窒化チタ
ンを塗布した従来の高周波透過窓構体について図３を参
照して説明する。符号３１は、マイクロ波管例えばクラ
イストロン（図示せず）の出力部に接続された導波管
で、導波管３１は高周波透過窓構体３２を介して出力側
の導波管３３に接続されている。高周波透過窓構体３２
は、板状のアルミナセラミックスで形成された透過窓３
２ａや、透過窓３２ａを冷却する冷却用水路３２ｂなど
から構成され、冷却用水路３２ｂはその上下で冷却水の
出入管３４に連結されている。そして、透過窓３２ａの
図の左右両面には窒化チタン膜３２ｃが形成されてい
る。なお、クライストロンに接続された導波管３１内は
真空に保持され、出力側の導波管３３内は真空もしくは
絶縁ガスが封入されている。
ンを塗布した従来の高周波透過窓構体について図３を参
照して説明する。符号３１は、マイクロ波管例えばクラ
イストロン（図示せず）の出力部に接続された導波管
で、導波管３１は高周波透過窓構体３２を介して出力側
の導波管３３に接続されている。高周波透過窓構体３２
は、板状のアルミナセラミックスで形成された透過窓３
２ａや、透過窓３２ａを冷却する冷却用水路３２ｂなど
から構成され、冷却用水路３２ｂはその上下で冷却水の
出入管３４に連結されている。そして、透過窓３２ａの
図の左右両面には窒化チタン膜３２ｃが形成されてい
る。なお、クライストロンに接続された導波管３１内は
真空に保持され、出力側の導波管３３内は真空もしくは
絶縁ガスが封入されている。
【０００６】上記した構成の高周波透過窓構体３２は、
その動作時において、クライストロンの電子銃から発生
した散乱電子、あるいは、散乱電子の衝突で透過窓３２
ａから発生した２次電子が、透過窓３２ａに繰り返し衝
突し透過窓３２ａの温度が上昇する。このような透過窓
３２ａの温度上昇を小さくするために、透過窓３２ａの
表面に窒化チタン膜３２ｃが形成され、あるいは、冷却
用水路３２ｂを流れる冷却水によって冷却されている。
その動作時において、クライストロンの電子銃から発生
した散乱電子、あるいは、散乱電子の衝突で透過窓３２
ａから発生した２次電子が、透過窓３２ａに繰り返し衝
突し透過窓３２ａの温度が上昇する。このような透過窓
３２ａの温度上昇を小さくするために、透過窓３２ａの
表面に窒化チタン膜３２ｃが形成され、あるいは、冷却
用水路３２ｂを流れる冷却水によって冷却されている。
【０００７】透過窓３２ａの表面に形成される窒化チタ
ン膜３２ｃは、アルミナセラミックスの２次電子放出係
数を小さくする特性をもっており、マルチパクタ放電の
発生を抑え、温度上昇を小さくしている。ここで、窒化
チタン膜３２ｃが形成されたアルミナセラミックスの２
次電子放出係数について図４で説明する。
ン膜３２ｃは、アルミナセラミックスの２次電子放出係
数を小さくする特性をもっており、マルチパクタ放電の
発生を抑え、温度上昇を小さくしている。ここで、窒化
チタン膜３２ｃが形成されたアルミナセラミックスの２
次電子放出係数について図４で説明する。
【０００８】図４の縦軸は２次電子放出係数δを示し、
横軸は電子エネルギー（単位：ＫｅＶ）を示し、２次電
子放出係数が○印や●印で示されている。これらの特性
は、アルミナセラミックスの表面に窒化チタン膜を６０
オングストロームの厚さに形成した例で、○印は焼成し
ない場合、●印は焼成した場合である。図の特性から分
かるように、１次電子エネルギーが１ＫｅＶ以下では２
次電子放出係数δは１よりも大きいが、１次電子エネル
ギーがほぼ２．５ＫｅＶ以上になると２次電子放出係数
δは１よりも小さくなっている。
横軸は電子エネルギー（単位：ＫｅＶ）を示し、２次電
子放出係数が○印や●印で示されている。これらの特性
は、アルミナセラミックスの表面に窒化チタン膜を６０
オングストロームの厚さに形成した例で、○印は焼成し
ない場合、●印は焼成した場合である。図の特性から分
かるように、１次電子エネルギーが１ＫｅＶ以下では２
次電子放出係数δは１よりも大きいが、１次電子エネル
ギーがほぼ２．５ＫｅＶ以上になると２次電子放出係数
δは１よりも小さくなっている。
【０００９】ところで、Ｓバンドのパルスクライストロ
ンでは、高周波出力が３０ＭＷの場合、アルミナセラミ
ックスの表面に衝突する電子エネルギーは最大１０Ｋｅ
Ｖ程度と見られている。この電子エネルギーでは２次電
子放出係数δは１よりも小さい。したがって、マルチパ
クタ放電は起こりにくい。
ンでは、高周波出力が３０ＭＷの場合、アルミナセラミ
ックスの表面に衝突する電子エネルギーは最大１０Ｋｅ
Ｖ程度と見られている。この電子エネルギーでは２次電
子放出係数δは１よりも小さい。したがって、マルチパ
クタ放電は起こりにくい。
【００１０】なお、大電力クライストロンは、通常、数
１０ＭＷの出力で使用される。このため、出力領域では
δは１以下となる。しかし、大電力クライストロンを動
作させる際、出力は所定の値まで一気に上がらず徐々に
上げる方法が取られる。このため、数ＭＷの出力領域に
おいてδ＞１となる。したがって、出力を上げていく過
程でマルチパクタ放電が発生することがある。
１０ＭＷの出力で使用される。このため、出力領域では
δは１以下となる。しかし、大電力クライストロンを動
作させる際、出力は所定の値まで一気に上がらず徐々に
上げる方法が取られる。このため、数ＭＷの出力領域に
おいてδ＞１となる。したがって、出力を上げていく過
程でマルチパクタ放電が発生することがある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波透過窓構
体は、透過窓の表面に窒化チタン膜を形成し、透過窓で
発生する２次電子を少なくしている。しかし、チタンは
ゲッタなどに用いられる材料ということもあり、透過窓
の表面に形成された窒化チタン膜が大気に晒されると、
吸収や吸着、内部拡散などによって窒化チタン膜中に酸
素が取り込まれ酸化物が形成される。酸化物は、導電体
である窒化チタン膜に比べ２次電子放出係数が大きい。
このため、窒化チタン膜による２次電子抑制の効果が低
下し、透過窓の温度上昇が避けられない。
体は、透過窓の表面に窒化チタン膜を形成し、透過窓で
発生する２次電子を少なくしている。しかし、チタンは
ゲッタなどに用いられる材料ということもあり、透過窓
の表面に形成された窒化チタン膜が大気に晒されると、
吸収や吸着、内部拡散などによって窒化チタン膜中に酸
素が取り込まれ酸化物が形成される。酸化物は、導電体
である窒化チタン膜に比べ２次電子放出係数が大きい。
このため、窒化チタン膜による２次電子抑制の効果が低
下し、透過窓の温度上昇が避けられない。
【００１２】この発明は、透過窓からの２次電子放出が
少ない高周波透過窓構体およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
少ない高周波透過窓構体およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明は、導波管の管
内を遮断するように配置される誘電体セラミックス製の
透過窓を具備した高周波透過窓構体において、前記透過
窓の表面から所定の深さまで炭素が所定濃度分布で注入
されていることを特徴としている。
内を遮断するように配置される誘電体セラミックス製の
透過窓を具備した高周波透過窓構体において、前記透過
窓の表面から所定の深さまで炭素が所定濃度分布で注入
されていることを特徴としている。
【００１４】また、この発明の高周波透過窓構体の製造
方法は、導波管の管内を遮断するように配置される誘電
体セラミックス製の透過窓の表面から所定の深さまで炭
素イオンを所定濃度分布で注入する工程と、炭素イオン
が注入された前記透過窓を真空中または不活性ガス雰囲
気中で加熱処理する工程とからなっている。
方法は、導波管の管内を遮断するように配置される誘電
体セラミックス製の透過窓の表面から所定の深さまで炭
素イオンを所定濃度分布で注入する工程と、炭素イオン
が注入された前記透過窓を真空中または不活性ガス雰囲
気中で加熱処理する工程とからなっている。
【００１５】また、透過窓表面から所定の深さまでの炭
素イオンの注入がイオン打込み技術またはイオンプレー
ティング技術で行われている。
素イオンの注入がイオン打込み技術またはイオンプレー
ティング技術で行われている。
【００１６】上記した構成によれば、透過窓を構成する
誘電体セラミックス、例えばアルミナセラミックスの表
面から所定の深さまで所定濃度分布で炭素が注入されて
いる。このような炭素の注入によって、透過窓の２次電
子放出を少なくでき、マルチパクタ放電などを抑制し、
透過窓の温度上昇を低くできる。したがって、透過窓の
クラック発生や溶融によるピンホールの発生を防止でき
る。また、誘電体セラミックス表面に所定の深さまで炭
素イオンなどを所定濃度分布で注入する構成であるため
密着強度が強く、塗布法や蒸着法で形成した場合のよう
な被膜の剥離、あるいは被膜からのガス放出が少なくな
る。
誘電体セラミックス、例えばアルミナセラミックスの表
面から所定の深さまで所定濃度分布で炭素が注入されて
いる。このような炭素の注入によって、透過窓の２次電
子放出を少なくでき、マルチパクタ放電などを抑制し、
透過窓の温度上昇を低くできる。したがって、透過窓の
クラック発生や溶融によるピンホールの発生を防止でき
る。また、誘電体セラミックス表面に所定の深さまで炭
素イオンなどを所定濃度分布で注入する構成であるため
密着強度が強く、塗布法や蒸着法で形成した場合のよう
な被膜の剥離、あるいは被膜からのガス放出が少なくな
る。
【００１７】また、透過窓の誘電体セラミックス表面に
所定の深さまで炭素イオン注入した後、これを真空中あ
るいは非酸化性雰囲気中で加熱処理している。この場
合、加熱処理によって、イオン打ち込みなどで生じた透
過窓表面における結晶の損傷を回復できる。
所定の深さまで炭素イオン注入した後、これを真空中あ
るいは非酸化性雰囲気中で加熱処理している。この場
合、加熱処理によって、イオン打ち込みなどで生じた透
過窓表面における結晶の損傷を回復できる。
【００１８】また、炭素イオンの注入をイオン打込み技
術やイオンプレーティング技術を用いた場合、透過窓の
表面から所定の深さまで所定濃度分布での炭素イオンの
注入を容易に実現できる。
術やイオンプレーティング技術を用いた場合、透過窓の
表面から所定の深さまで所定濃度分布での炭素イオンの
注入を容易に実現できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態について図
１を参照して説明する。符号１１は、マイクロ波管例え
ばクライストロン（図示せず）の出力部に接続された導
波管で、導波管１１は高周波透過窓構体１２を介して出
力側の導波管１３に接続されている。高周波透過窓構体
１２は、誘電体セラミックス例えばアルミナセラミック
スで形成された透過窓１２ａや、透過窓１２ａを冷却す
る冷却用水路１２ｂなどから構成され、また、冷却用水
路１２ｂはその上下で冷却水の出入管１４に連結されて
いる。そして、高周波透過窓構体１２を構成する透過窓
１２ａの左右の表面から所定の深さまで、あるいは表面
の近傍に、イオン打込み法などで炭素イオンが所定濃度
分布で注入された炭素注入領域１２ｃが形成されてい
る。なお、クライストロンに接続された導波管１１内は
真空で、出力側の導波管１３内は真空もしくは絶縁ガス
が封入されている。
１を参照して説明する。符号１１は、マイクロ波管例え
ばクライストロン（図示せず）の出力部に接続された導
波管で、導波管１１は高周波透過窓構体１２を介して出
力側の導波管１３に接続されている。高周波透過窓構体
１２は、誘電体セラミックス例えばアルミナセラミック
スで形成された透過窓１２ａや、透過窓１２ａを冷却す
る冷却用水路１２ｂなどから構成され、また、冷却用水
路１２ｂはその上下で冷却水の出入管１４に連結されて
いる。そして、高周波透過窓構体１２を構成する透過窓
１２ａの左右の表面から所定の深さまで、あるいは表面
の近傍に、イオン打込み法などで炭素イオンが所定濃度
分布で注入された炭素注入領域１２ｃが形成されてい
る。なお、クライストロンに接続された導波管１１内は
真空で、出力側の導波管１３内は真空もしくは絶縁ガス
が封入されている。
【００２０】ここで、透過窓１２ａの表面から所定の深
さまで、あるいは表面の近傍に炭素注入領域１２ｃを、
イオン打込み法で形成する方法について説明する。炭素
注入領域１２ｃを形成する炭素イオンは、例えば、二酸
化炭素を放電させ酸素イオンと炭素イオンに分離し、こ
れらのイオンを質量分離器に導入して取り出される。そ
して、炭素イオンを加速管で所定のエネルギーまで加速
し、１０9 〜１０13（原子／ｃｍ2 ）の範囲で透過窓１
２ａを構成するアルミナセラミックス表面に打ち込む。
その後、炭素イオンを打ち込んだアルミナセラミックス
を加熱処理する。この場合、加熱処理は、真空中または
アルゴンのような不活性ガスの雰囲気中で行ない、加熱
する温度や時間は、それぞれ３５０〜５５０℃、１０〜
６０分の範囲に設定する。なお、加熱処理した場合、イ
オン打ち込みで生じたアルミナセラミックス表面の結晶
の損傷を回復できる。
さまで、あるいは表面の近傍に炭素注入領域１２ｃを、
イオン打込み法で形成する方法について説明する。炭素
注入領域１２ｃを形成する炭素イオンは、例えば、二酸
化炭素を放電させ酸素イオンと炭素イオンに分離し、こ
れらのイオンを質量分離器に導入して取り出される。そ
して、炭素イオンを加速管で所定のエネルギーまで加速
し、１０9 〜１０13（原子／ｃｍ2 ）の範囲で透過窓１
２ａを構成するアルミナセラミックス表面に打ち込む。
その後、炭素イオンを打ち込んだアルミナセラミックス
を加熱処理する。この場合、加熱処理は、真空中または
アルゴンのような不活性ガスの雰囲気中で行ない、加熱
する温度や時間は、それぞれ３５０〜５５０℃、１０〜
６０分の範囲に設定する。なお、加熱処理した場合、イ
オン打ち込みで生じたアルミナセラミックス表面の結晶
の損傷を回復できる。
【００２１】上記したように透過窓１２ａの表面から所
定の深さに炭素注入領域１２ｃを形成することによっ
て、透過窓１２ａの２次電子放出係数が小さくなるが、
ここで、カーボン膜の２次電子放出係数について図２を
参照して説明する。図２の縦軸は２次電子放出係数δを
示し、横軸は１次電子エネルギー（単位：Ｖ）を示して
いる。特性（ａ）は表面が滑らかな場合、特性（ｂ）は
表面がすすけた状態の場合、そして、特性（ｃ）は１１
５０℃でガス出しした場合である。これらの特性で示さ
れるように、カーボン膜によって低エネルギーから高エ
ネルギーに亘って２次電子放出係数δはδ＜１となって
いる。したがって、低電子エネルギー（Ｖ＝２ＫｅＶ以
下）領域でのアルミナ透過窓の２次電子放出係数δを低
減できる。なお、カーボン膜はもろく、うまく成膜しな
いとすす状になり、密着強度が極端に弱くなる性質があ
る。しかし、この発明の場合は、アルミナセラミックス
表面に例えばイオン打ち込み法で炭素注入領域を形成し
ている。この方法は、制御性がよく、密着強度も強くな
る。また、炭素は耐熱性に優れているので、真空中での
熱処理も問題がなく、排気工程で蒸発するようなことも
ない。
定の深さに炭素注入領域１２ｃを形成することによっ
て、透過窓１２ａの２次電子放出係数が小さくなるが、
ここで、カーボン膜の２次電子放出係数について図２を
参照して説明する。図２の縦軸は２次電子放出係数δを
示し、横軸は１次電子エネルギー（単位：Ｖ）を示して
いる。特性（ａ）は表面が滑らかな場合、特性（ｂ）は
表面がすすけた状態の場合、そして、特性（ｃ）は１１
５０℃でガス出しした場合である。これらの特性で示さ
れるように、カーボン膜によって低エネルギーから高エ
ネルギーに亘って２次電子放出係数δはδ＜１となって
いる。したがって、低電子エネルギー（Ｖ＝２ＫｅＶ以
下）領域でのアルミナ透過窓の２次電子放出係数δを低
減できる。なお、カーボン膜はもろく、うまく成膜しな
いとすす状になり、密着強度が極端に弱くなる性質があ
る。しかし、この発明の場合は、アルミナセラミックス
表面に例えばイオン打ち込み法で炭素注入領域を形成し
ている。この方法は、制御性がよく、密着強度も強くな
る。また、炭素は耐熱性に優れているので、真空中での
熱処理も問題がなく、排気工程で蒸発するようなことも
ない。
【００２２】また、上記した実施の形態では炭素注入領
域の形成をイオン打込み技術でおこなっている。しか
し、イオン打込み技術に限らず、例えば、アルミナセラ
ミックス表面に炭素イオンを低エネルギーで付着させ、
加熱処理して所定の深さまで浸透させるイオンプレーテ
ィング技術を用いることもできる。
域の形成をイオン打込み技術でおこなっている。しか
し、イオン打込み技術に限らず、例えば、アルミナセラ
ミックス表面に炭素イオンを低エネルギーで付着させ、
加熱処理して所定の深さまで浸透させるイオンプレーテ
ィング技術を用いることもできる。
【００２３】
【発明の効果】この発明によれば、透過窓からの２次電
子放出の少ない高周波透過窓構体およびその製造方法を
実現できる。
子放出の少ない高周波透過窓構体およびその製造方法を
実現できる。
【図１】この発明の実施形態に係わる高周波透過窓構体
を示す縦断面図である。
を示す縦断面図である。
【図２】この発明の実施形態を説明する特性図である。
【図３】従来の高周波透過窓構体を示す縦断面図であ
る。
る。
【図４】従来例を説明する特性図である。
１１、１３…導波管 １２…高周波透過窓構体 １２ａ…透過窓 １２ｂ…冷却用水路 １２ｃ…炭素注入領域 １４…出入管
Claims (3)
- 【請求項１】 導波管の管内を遮断するように配置され
る誘電体セラミックス製の透過窓を具備した高周波透過
窓構体において、前記透過窓の表面から所定の深さまで
炭素が所定濃度分布で注入されていることを特徴とする
高周波透過窓構体。 - 【請求項２】 導波管の管内を遮断するように配置され
る誘電体セラミックス製の透過窓の表面から所定の深さ
まで炭素イオンを所定濃度分布で注入する工程と、炭素
イオンが注入された前記透過窓を真空中または不活性ガ
ス雰囲気中で加熱処理する工程とからなる高周波透過窓
構体の製造方法。 - 【請求項３】 透過窓表面から所定の深さまでの炭素イ
オンの注入がイオン打込み技術またはイオンプレーティ
ング技術で行われることを特徴とする請求項２記載の高
周波透過窓構体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15988896A JPH1013102A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 高周波透過窓構体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15988896A JPH1013102A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 高周波透過窓構体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1013102A true JPH1013102A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15703377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15988896A Pending JPH1013102A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 高周波透過窓構体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1013102A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009193896A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子加速装置 |
| JP2010186756A (ja) * | 2010-05-20 | 2010-08-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子加速装置 |
| CN113422178A (zh) * | 2021-05-24 | 2021-09-21 | 中国原子能科学研究院 | 一种波导窗 |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP15988896A patent/JPH1013102A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009193896A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子加速装置 |
| JP4576437B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2010-11-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子加速装置 |
| US8067907B2 (en) | 2008-02-18 | 2011-11-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle accelerator |
| US8659243B2 (en) | 2008-02-18 | 2014-02-25 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle accelerator |
| JP2010186756A (ja) * | 2010-05-20 | 2010-08-26 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子加速装置 |
| JP4691610B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2011-06-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡 |
| CN113422178A (zh) * | 2021-05-24 | 2021-09-21 | 中国原子能科学研究院 | 一种波导窗 |
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