JPH10130839A - Thin film forming device and method for driving shutter to be used for this device - Google Patents

Thin film forming device and method for driving shutter to be used for this device

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JPH10130839A
JPH10130839A JP29087396A JP29087396A JPH10130839A JP H10130839 A JPH10130839 A JP H10130839A JP 29087396 A JP29087396 A JP 29087396A JP 29087396 A JP29087396 A JP 29087396A JP H10130839 A JPH10130839 A JP H10130839A
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JP
Japan
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shutter
opening
rotation
rotary
molecular beam
Prior art date
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Application number
JP29087396A
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Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Morizaki
仁史 森崎
Mikio Watanabe
幹夫 渡辺
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Canon Anelva Corp
Original Assignee
Anelva Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To ensure the formation of uniform thin films on a substrate surface and decrease the deposition of film forming materials depositing on the inside wall of the chamber of a device, the rotating mechanism of a substrate supporting body, etc., by forming a shutter as a rotary type shutter consisting of a columnar body having an aperture penetrating in a direction orthogonal with the revolving shaft of this columnar body. SOLUTION: The shutter disposed between the molecular beam source 10 and substrate supporting body 16 of, for example, a molecular beam epitaxy device is formed as the rotary type shutter 12 consisting of the columnar body 12a having the aperture 12b. The aperture 12b is disposed to penetrate the columnar body 12a in the direction orthogonal with the revolving shaft 14 of the columnar body 12a. The shutter revolving shaft 14 is connected to the rotary type shutter 12 and is connected to a rotational driving means, by which the rotation of the rotary type shutter 12 is made possible. At the time of opening and closing the rotary type shutter 12, the substrate supporting body 16 is rotated and when this body comes to a prescribed position, this position is detected and is synchronized with the rotating angle of the substrate supporting body 16 to rotate the rotary type shutter 12 from the close state to the open state or opposite thereof.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する分野】この発明は、薄膜形成装置及びこ
の装置に用いるシャッタの駆動方法に関するものであ
る。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a thin film forming apparatus and a method of driving a shutter used in the apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、薄膜形成装置として、分子線エピ
タキシ(MBE)装置が用いられている。この分子線エ
ピタキシ(MBE)装置に使用されるシャッタを開閉す
る駆動方法としては、代表的なものとして次の3つの開
閉方法がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, a molecular beam epitaxy (MBE) apparatus has been used as a thin film forming apparatus. As a driving method for opening and closing a shutter used in the molecular beam epitaxy (MBE) apparatus, there are three typical opening and closing methods.

【0003】第1の開閉方法は、分子線源と回転式の基
板支持体との間に設置した円盤形のシャッタを用いてこ
のシャッタのシャッタ面に対し垂直に設けられた開閉軸
を中心に所定の回転角で水平方向に回転運動させてシャ
ッタを開閉する方法である。第2の開閉方法は、円盤形
のシャッタを用いてこのシャッタのシャッタ面内に設け
られた開閉軸を直線方向に往復運動させてシャッタを開
閉する方法である。第3の開閉方法は、円盤形のシャッ
タを用いてシャッタを煽ぐように動かして上下方向に開
閉する方法である。
A first opening / closing method uses a disk-shaped shutter installed between a molecular beam source and a rotary substrate support, and uses an opening / closing axis provided perpendicular to the shutter surface of the shutter as a center. This is a method of opening and closing a shutter by rotating horizontally at a predetermined rotation angle. The second opening / closing method is a method of using a disk-shaped shutter to open / close the shutter by reciprocating an opening / closing axis provided in the shutter surface of the shutter in a linear direction. A third opening / closing method is a method in which a disk-shaped shutter is used to move the shutter to open and close in the vertical direction.

【0004】上述した第3の開閉方法により基板面上に
薄膜を形成する場合、まず、基板を搭載している基板支
持体を回転させ、然る後、シャッタが基板支持体の所定
の位置にきたとき、シャッタを上下方向へ開閉してから
分子線を発生させて基板支持体上に搭載した基板面上に
成膜を行う。
When a thin film is formed on a substrate surface by the third opening / closing method described above, first, the substrate support on which the substrate is mounted is rotated, and then the shutter is moved to a predetermined position on the substrate support. When it comes, the shutter is opened and closed in the vertical direction, and then a molecular beam is generated to form a film on the surface of the substrate mounted on the substrate support.

【0005】上述した第1、第2及び第3のシャッタ開
閉方法での、シャッタ開閉動作による分子線の変動分布
を見ると、上記第1から第3までの開閉方法では、シャ
ッタが遮蔽(閉)位置から開放(開)位置まで移動する
期間において、分子線は、最初に分子線源の周辺部から
分子線が発生し、続いて、シャッタが分子線源の中心部
まで移動した時点で基板面の約半分の領域に分子線が分
布する。
Looking at the variation distribution of the molecular beam due to the shutter opening / closing operation in the above-described first, second and third shutter opening / closing methods, the first to third opening / closing methods show that the shutter is closed (closed). ) During the period from the position to the open (open) position, the molecular beam is first generated from the periphery of the molecular beam source, and then the substrate is moved when the shutter moves to the center of the molecular beam source. Molecular beams are distributed in about half the area of the surface.

【0006】更に、シャッタが開放された時点では、分
子線が基板面の全領域に一様に分布するようになる。一
方、シャッタを閉じる場合は、分子線は上述した閉位置
から開位置まで移動の丁度逆の変動分布になる。
Further, when the shutter is opened, the molecular beam is uniformly distributed over the entire area of the substrate surface. On the other hand, when the shutter is closed, the molecular beam has a fluctuation distribution just opposite to the movement from the closed position to the open position.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
MBE装置のシャッタ開閉方法は、以下に述べるような
問題点がある。
However, the conventional method of opening and closing the shutter of the MBE apparatus has the following problems.

【0008】基板面上に形成される成膜層が数原子層
から単原子層になった場合、シャッタの開閉移動による
往復運動時間が短くなる。このため、シャッタの開状態
から閉状態まで移動する間の成膜期間も短くなる。この
ように成膜期間が短くなると、従来のシャッタ開閉方法
では、シャッタが分子線源の中心部まで移動しないと基
板面上に成膜を開始しないため、シャッタ開閉時間の短
縮による分子線の変動が増大して膜特性を悪化させる。
When the film formation layer formed on the substrate surface is changed from a few atomic layers to a monoatomic layer, the reciprocating movement time due to the opening and closing movement of the shutter is shortened. For this reason, a film formation period during which the shutter moves from the open state to the closed state is also shortened. When the film formation period is shortened in this manner, in the conventional shutter opening / closing method, film formation does not start on the substrate surface unless the shutter moves to the center of the molecular beam source. Increase to deteriorate the film properties.

【0009】また、シャッタを開放したときには、分
子線が拡散するため、基板以外の周辺部分、例えば基板
支持体の回転機構部やチャンバの上部壁面等に成膜物質
が付着して蓄積される。このように、成膜物質が基板周
辺に付着すると、不要ガスが成膜物質に付着してチャン
バ中の圧力を上昇させたり、成膜付着物が剥離して中に
不純物(コンタミネーション)となって混入したりし
て、成膜環境を悪化させると共に、チャンバ内の清掃作
業に時間と手間がかかるし、シャッタのクリーニング保
守期間が短い。
When the shutter is opened, the molecular beam is diffused, so that the film-forming substance adheres and accumulates on the peripheral portion other than the substrate, for example, on the rotation mechanism of the substrate support or on the upper wall surface of the chamber. As described above, when the film-forming substance adheres to the periphery of the substrate, an unnecessary gas adheres to the film-forming substance and raises the pressure in the chamber, or the film-deposited substance peels and becomes an impurity (contamination) therein. And deteriorates the film formation environment, the time and labor required for cleaning the inside of the chamber, and the cleaning maintenance period of the shutter is short.

【0010】また、成膜時に基板支持体を回転させる
場合、従来は基板支持体の所定位置とシャッタの開放開
始位置とを同期させていたが、シャッタの遮蔽位置はシ
ャッタの駆動部の動作時間によって決まるため、基板支
持体の最初の位置とは必ずしも一致しない。このよう
に、シャッタの遮蔽位置と基板支持体の所定位置が一致
してないと、シャッタの開放時と遮蔽時の分子線強度分
布が異なるため基板面に対する分子線の強度分布が不均
一となるので、優れた成膜層が得られなくなる。
When the substrate support is rotated during film formation, a predetermined position of the substrate support and the opening start position of the shutter are conventionally synchronized. However, the shielding position of the shutter is determined by the operating time of the shutter drive unit. And does not always coincide with the initial position of the substrate support. As described above, if the shutter blocking position does not coincide with the predetermined position of the substrate support, the molecular beam intensity distributions when the shutter is opened and when the shutter is closed are different, so that the molecular beam intensity distribution on the substrate surface becomes non-uniform. Therefore, an excellent film formation layer cannot be obtained.

【0011】そこで、上記の問題を解決するために優れ
た薄膜を形成できる薄膜形成装置及びこの装置に用いる
シャッタの駆動方法の出現が望まれていた。
Therefore, in order to solve the above-mentioned problems, the appearance of a thin film forming apparatus capable of forming an excellent thin film and a method of driving a shutter used in this apparatus have been desired.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】このため、第一発明の薄
膜形成装置によれば、分子線源あるいはスパッタソース
源と回転式の基板支持体との間に、シャッタを具え、こ
のシャッタを開閉して基板支持体上に搭載した基板面上
に薄膜を形成する薄膜形成装置において、シャッタを、
開口部を有する柱状体からなる回転式シャッタとし、開
口部は当該柱状体の回転軸と直交する方向に柱状体を貫
通させて設けてあることを特徴とする。
Therefore, according to the thin film forming apparatus of the first invention, a shutter is provided between a molecular beam source or a sputter source and a rotary substrate support, and the shutter is opened and closed. A thin film forming apparatus for forming a thin film on a substrate surface mounted on a substrate support,
The rotary shutter includes a columnar body having an opening, and the opening is provided so as to penetrate the columnar body in a direction orthogonal to a rotation axis of the columnar body.

【0013】この第一発明では、柱状体の回転式シャッ
タに柱状体の貫通する開口部を具えているので、この回
転式シャッタを所定の回転角度だけ回転させることによ
り、閉(遮蔽)状態から開(開放)状態又は開状態から
閉状態へと順次に移行させることができる。すなわち、
回転シャッタの回転角度が0度では、遮蔽状態になって
おり、回転式シャッタの回転角度が90度になると開放
状態となり、更に回転式シャッタの回転角が180度に
なると遮蔽状態になる。このように、回転式シャッタ
を、閉状態から開状態へ回転させることにより、例えは
分子線源を用いた場合、シャッタ開口部内に分子線が通
過する開口(空隙穴)が生じるので、分子線はこの開口
の中心部、すなわち分子線源の中心部から発生するよう
になる。このため、分子線は、回転式シャッタの開口の
大きさが小さい場合でも、基板面上の全体にわたって分
子線が分布することになるので、従来に比べ、基板面上
に均一な薄膜を形成することができる。
According to the first aspect of the invention, since the columnar rotary shutter is provided with an opening through which the columnar body penetrates, the rotary shutter is rotated by a predetermined rotation angle so that the closed (shielded) state is obtained. The state can be sequentially shifted from an open (open) state or an open state to a closed state. That is,
When the rotation angle of the rotary shutter is 0 degrees, the rotary shutter is in the blocking state. When the rotation angle of the rotary shutter reaches 90 degrees, the shutter is opened, and when the rotation angle of the rotary shutter reaches 180 degrees, the blocking state occurs. As described above, by rotating the rotary shutter from the closed state to the open state, for example, when a molecular beam source is used, an opening (gap hole) through which the molecular beam passes is generated in the shutter opening. Is generated from the center of the opening, that is, the center of the molecular beam source. For this reason, even when the size of the opening of the rotary shutter is small, the molecular beam is distributed over the entire surface of the substrate, so that a uniform thin film is formed on the substrate surface as compared with the related art. be able to.

【0014】また、回転式シャッタが開状態のときは、
分子線は回転式シャッタの開口部内を通過することにな
るので、分子線拡散によって飛散する成膜物質が回転シ
ャッタの開口部以外のシャッタ遮蔽面によって遮ぎられ
るため、基板の領域以外に飛散する分子線は制限され
る。したがって、薄膜形成装置のチャンバ内壁や基板支
持体の回転機構部等に付着する成膜物質の付着量を低減
できる。このため、チャンバ内の清掃作業が極めて容易
となる。
When the rotary shutter is open,
Since the molecular beam passes through the opening of the rotary shutter, the film-forming substance scattered by molecular beam diffusion is blocked by a shutter shielding surface other than the opening of the rotary shutter, and thus scatters outside the region of the substrate. Molecular beams are limited. Therefore, it is possible to reduce the amount of the film-forming substance that adheres to the inner wall of the chamber of the thin film forming apparatus, the rotation mechanism of the substrate support, or the like. For this reason, the cleaning operation inside the chamber becomes extremely easy.

【0015】また、回転式シャッタを時計回りの方向へ
180度回転させることにより、回転式シャッタの遮蔽
面は丁度反転した面となる。このため、回転式シャッタ
の一方又は双方の遮蔽面に付着される付着物質は、同一
面に付着される従来の単板シャッタに比べて実質的に約
1/2になる。したがって、この発明では、シャッタク
リニーングの保守期間を従来に比べ、約2倍に延長する
ことができる。
Further, by rotating the rotary shutter 180 degrees clockwise, the shielding surface of the rotary shutter becomes a face just inverted. For this reason, the amount of substances adhered to one or both shielding surfaces of the rotary shutter is substantially reduced to about 比 べ compared to a conventional single-plate shutter adhered to the same surface. Therefore, according to the present invention, the maintenance period of shutter cleaning can be extended about twice as compared with the related art.

【0016】また、この発明では、好ましくは基板支持
体と回転式シャッタとを同期させて回転させるための回
転駆動制御装置を具えているのが好適である。
In the present invention, it is preferable that a rotation drive control device for rotating the substrate support and the rotary shutter in synchronization with each other is provided.

【0017】このように、基板支持体及び回転式シャッ
タを同期させて回転させるための回転駆動制御装置を具
えているので、基板支持体の所定の位置と回転式シャッ
タの開閉動作とを同期させて当該回転式シャッタを開閉
動作させることができる。すなわち、基板支持体の所定
の位置と回転式シャッタが閉から開へ移動するときの開
始位置、及び基板支持体の所定の位置と回転式シャッタ
が開から閉へ移動するときの終了位置を常に同じ位置に
することができる。このため、成膜開始時及び成膜終了
時の分子線の強度分布が従来に比べ、均一となり、した
がって、基板面上に均一な成膜層を形成することができ
る。
As described above, since the rotary drive control device for rotating the substrate support and the rotary shutter in synchronization is provided, the predetermined position of the substrate support and the opening / closing operation of the rotary shutter are synchronized. Thus, the rotary shutter can be opened and closed. That is, the predetermined position of the substrate support and the start position when the rotary shutter moves from closed to open, and the predetermined position of the substrate support and the end position when the rotary shutter moves from open to closed are always Can be in the same position. For this reason, the intensity distribution of molecular beams at the start of film formation and at the end of film formation is more uniform than before, and thus a uniform film formation layer can be formed on the substrate surface.

【0018】また、第二発明では、分子線源あるいはス
パッタソース源と回転式の基板支持体との間に設けられ
たシャッタを駆動するに当たり、シャッタを、開口部を
有する柱状体からなる回転式シャッタとし、開口部は該
柱状体の回転軸と直交する方向に該柱状体を貫通させて
設け、この回転式シャッタを開閉するときは、基板支持
体を回転させ、この基板支持体が所定の位置にきたと
き、この位置を検出して基板支持体の回転角と同期させ
て回転式シャッタを、閉状態から開状態又は開状態から
閉状態へ回転させることを特徴とする。
According to the second aspect of the present invention, when driving a shutter provided between a molecular beam source or a sputter source and a rotary substrate support, the shutter is formed by a rotary type having a column having an opening. A shutter is provided, and an opening is provided so as to penetrate the columnar body in a direction perpendicular to the rotation axis of the columnar body. When the rotary shutter is opened and closed, the substrate supporter is rotated, and the substrate supporter is moved to a predetermined position. When the position reaches the position, the position is detected and the rotary shutter is rotated from the closed state to the open state or from the open state to the closed state in synchronization with the rotation angle of the substrate support.

【0019】このように、基板支持体の所定位置と回転
式シャッタの開閉動作位置とを同期させて基板支持体及
び回転式シャッタを回転させるため、成膜開始時と成膜
終了時の基板支持体の所定位置と回転式シャッタの開閉
動作位置とを同一の位置にすることができる。基板支持
体の所定位置及び回転式シャッタの開閉動作位置を、成
膜開始時及び成膜終了時に同一の位置にすることによ
り、例えば分子線源を用いた場合、分子線の強度変動が
成膜開始時と成膜終了時とでは丁度逆変動となるので、
互いに分子線強度の変動が相殺されて基板面上に均一な
薄膜を形成することができる。
As described above, the substrate support and the rotary shutter are rotated in synchronization with the predetermined position of the substrate support and the opening / closing operation position of the rotary shutter. The predetermined position of the body and the opening / closing operation position of the rotary shutter can be set to the same position. By setting the predetermined position of the substrate support and the opening / closing operation position of the rotary shutter at the same position at the start of film formation and at the end of film formation, for example, when a molecular beam source is used, fluctuations in the intensity of molecular beams cause film formation. Since the fluctuations are just opposite between the start and the end of film formation,
Fluctuations in molecular beam intensity are mutually offset, and a uniform thin film can be formed on the substrate surface.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、図を参照して、第一発明の
薄膜形成装置及び第二発明の装置の駆動方法の実施の形
態につき説明する。なお、ここでは、薄膜形成装置とし
て、特に、分子線エピタキシ(MBE)装置及び低圧力
放電カソードを有する薄膜形成装置を用いた例につき説
明する。図1、図2及び図3は、この発明が理解できる
程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関係を概略的
に示してあるにすぎない。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view showing a thin film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention; Here, an example using a thin film forming apparatus having a molecular beam epitaxy (MBE) apparatus and a low-pressure discharge cathode will be particularly described as the thin film forming apparatus. FIGS. 1, 2 and 3 merely show the shapes, sizes and arrangements of the components so that the present invention can be understood.

【0021】[第1の実施の形態のMBE装置の主要構
成]図1を参照して、第1の実施の形態のMBE装置の
主要構成につき説明する。なお、図1は、MBE装置の
主要構成部を示す斜視図である。
[Main Configuration of MBE Apparatus of First Embodiment] The main configuration of the MBE apparatus of the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a perspective view showing main components of the MBE apparatus.

【0022】第1の実施の形態のMBE装置は、従来と
同じように分子線源10、基板支持体16及びこの基板
支持体16に連結された基板回転軸18を具えている。
この基板回転軸18は、回転駆動手段(図示せず)と接
続され基板支持体16を任意の回転速度で回転できるよ
うに構成されている。
The MBE apparatus according to the first embodiment includes a molecular beam source 10, a substrate support 16, and a substrate rotating shaft 18 connected to the substrate support 16, as in the prior art.
The substrate rotation shaft 18 is connected to a rotation driving means (not shown) so as to rotate the substrate support 16 at an arbitrary rotation speed.

【0023】また、分子線源(Kセルともいう)10に
は、その周囲にヒーター(図示せず)が巻き付けられて
おり、このヒーターを加熱してKセル10中に充填され
ている成膜材料を、溶融又は昇華して蒸発させ分子線2
0を発生させる。なお、図中、OはKセルの中心線を示
す。
A heater (not shown) is wound around the molecular beam source (also referred to as a K cell) 10, and the heater is heated to form a film filled in the K cell 10. The material is melted or sublimated to evaporate and molecular beam 2
Generates 0. In the drawing, O indicates the center line of the K cell.

【0024】この発明の第1の実施の形態では、Kセル
10と基板支持体16との間に設けたシャッタを開口部
12bを有する柱状体12aからなる回転式シャッタ1
2とする。開口部12bは柱状体12aの回転軸14と
直交する方向に柱状体12aを貫通して設けられている
(図1)。また、回転式シャッタ12には、シャッタ回
転軸14が連結されており、このシャッタ回転軸14を
回転駆動手段(図示せず)に接続して所定の回転速度で
回転式シャッタ12を回転させることができる。ここで
は、この回転式シャッタ12を円柱状の金属部材によっ
て構成し、分子線20の通過する部分には円筒状の開口
部12bが設けてある。
In the first embodiment of the present invention, the rotary shutter 1 comprising a columnar body 12a having an opening 12b is provided between the K cell 10 and the substrate support 16.
Let it be 2. The opening 12b is provided through the column 12a in a direction perpendicular to the rotation axis 14 of the column 12a (FIG. 1). A shutter rotation shaft 14 is connected to the rotary shutter 12, and the shutter rotation shaft 14 is connected to rotation driving means (not shown) to rotate the rotation shutter 12 at a predetermined rotation speed. Can be. Here, the rotary shutter 12 is formed of a cylindrical metal member, and a cylindrical opening 12b is provided in a portion where the molecular beam 20 passes.

【0025】また、回転式シャッタ12の開口部12b
の中心部11は、分子線源10の中心線O上に配置され
ている。
The opening 12b of the rotary shutter 12
Is disposed on the center line O of the molecular beam source 10.

【0026】また、この回転式シャッタ12は、シャッ
タ回転軸14を90度回転させることによって、開口部
12bが開(開放)状態から閉(遮蔽)状態に移行する
(詳細は後述する)。
In the rotary shutter 12, the opening 12b shifts from an open (open) state to a closed (shielded) state by rotating the shutter rotation shaft 14 by 90 degrees (details will be described later).

【0027】成膜時には、更に、シャッタ回転軸14を
90度回転させる。このシャッタ12の回転動作によっ
て開口部12bをKセル10に対面していない位置(遮
蔽状態)からKセル10に対面する位置(開放状態)に
移動させるので、Kセル10からの分子線20は、開口
部12bを通過して基板支持体16上に搭載した基板
(図示せず)面上に達してこの分子線20により成膜層
を形成することができる。
At the time of film formation, the shutter rotating shaft 14 is further rotated by 90 degrees. The opening 12b is moved from a position not facing the K cell 10 (shielded state) to a position facing the K cell 10 (open state) by the rotation of the shutter 12, so that the molecular beam 20 from the K cell 10 After reaching the surface of a substrate (not shown) mounted on the substrate support 16 through the opening 12b, a film formation layer can be formed by the molecular beam 20.

【0028】次に、図2の(A)〜(D)を参照して、
この発明の回転式シャッタを遮蔽状態から開放状態に回
転させたとき当該シャッタがどのように開口するかの様
子を説明する。図3の(A)、(B)、(C)及び
(D)は、回転式シャッタを遮蔽状態から開放状態へ回
転させたときの開口部の開口状態の移り変わりする様子
を模式的に描いた図である。なお、図2の(A)、
(B)、(C)及び(D)は、分子線源の中心部11
(Kセル10の中心線Oに対応する)の延長上の上部方
向から見た様子を示す。また、図中に描いた斜線は、断
面を表わすものではなく、構成成分を明確にするために
付した線である。
Next, referring to FIGS. 2A to 2D,
How the shutter is opened when the rotary shutter of the present invention is rotated from the closed state to the open state will be described. (A), (B), (C) and (D) of FIG. 3 schematically illustrate how the opening state of the opening changes when the rotary shutter is rotated from the closed state to the open state. FIG. In addition, (A) of FIG.
(B), (C) and (D) show the center 11 of the molecular beam source.
FIG. 6 shows a state as viewed from above in an extension of (corresponding to the center line O of the K cell 10). Also, the hatched lines drawn in the figure do not represent cross sections, but are lines added to clarify constituent components.

【0029】まず、回転式シャッタ12は、分子線の中
心部11の方向に対して遮蔽された状態でセットされる
(図2の(A))。今、仮に、図2の(A)の図で開口
部の右側の開口端をR及び左側の開口端をLで示すとす
る。
First, the rotary shutter 12 is set in a state where it is shielded from the direction of the center portion 11 of the molecular beam (FIG. 2A). Now, let us suppose that the opening end on the right side of the opening is indicated by R and the opening end on the left side is indicated by L in the diagram of FIG.

【0030】次に、シャッタ回転軸14を0度の閉状態
から時計方向(又は反時計方向)へ順次回転させていく
と、開口部12bの開口領域(図2の(B)の開口領域
I及び図2の(C)の開口領域II)が次第に大きくな
る。これら開口領域I及びIIは、それぞれ右側開口端
Rと左側開口端LとがKセル10の中心線Oを中心とし
た周辺領域で重なり合って形成されている。シャッタ回
転軸14の回転角が90度になると、開口端RとLとが
完全に重なって開口部12bは開状態になる(図2の
(D)の開口領域III)。
Next, when the shutter rotating shaft 14 is sequentially rotated clockwise (or counterclockwise) from the closed state of 0 degrees, the opening area of the opening 12b (the opening area I in FIG. And the opening area II) of FIG. 2C gradually increases. These opening regions I and II are formed such that a right opening end R and a left opening end L overlap in a peripheral region around the center line O of the K cell 10. When the rotation angle of the shutter rotation shaft 14 becomes 90 degrees, the opening ends R and L completely overlap, and the opening 12b is opened (the opening region III in FIG. 2D).

【0031】図2の(A)、(B)、(C)及び(D)
から理解できるように、この発明では回転式シャッタ1
2は、分子線源10の中心部11から開口していくの
で、回転式シャッタ12の開口部12bの開口領域が小
さくとも(図2の(B)の開口領域I)、分子線20は
この開口領域Iを通過して基板(図示せず)面の全体に
分布する。このため、従来のように単板シャッタが分子
線源10の中心部以上に開口しないと成膜を開始しない
のに対し、この発明では開口領域が現れた時点で分子線
が基板の全体に分布して成膜を開始するので、シャッタ
回転の初期の段階で基板面上に均一な薄膜を形成するこ
とができる。
FIGS. 2A, 2B, 2C and 2D
As can be understood from FIG.
2 is opened from the center part 11 of the molecular beam source 10, so that even if the opening area of the opening 12b of the rotary shutter 12 is small (the opening area I in FIG. 2B), the molecular beam 20 It passes through the opening region I and is distributed over the entire surface of the substrate (not shown). For this reason, unlike the conventional case, the film formation does not start unless the single-plate shutter is opened above the center of the molecular beam source 10, whereas in the present invention, the molecular beam is distributed over the entire substrate when the opening region appears. Thus, a uniform thin film can be formed on the substrate surface at the initial stage of the rotation of the shutter.

【0032】また、回転式シャッタ12が開口している
状態では、分子線20が回転式シャッタ12の開口部1
2bを通過するので、開口部12b以外に拡散する分子
線(図示せず)は、回転式シャッタ12の遮蔽面13に
よって遮蔽される。このため、この実施の形態では、基
板以外に飛散する分子線の拡散を制限することができ
る。このため、チャンバ(図示せず)内壁に成膜物質が
堆積して不要ガスとこの成膜物質とが反応して不純物を
形成したり、成膜物質が剥離したりして成膜環境を悪化
させることもなくなるため、チャンバの内壁を清浄にす
る作業が極めて容易となり、また、成膜特性を向上させ
ることが可能となる。
When the rotary shutter 12 is open, the molecular beam 20 is moved to the opening 1 of the rotary shutter 12.
Since the light passes through the second shutter 2 b, the molecular beam (not shown) diffusing to the area other than the opening 12 b is shielded by the shield surface 13 of the rotary shutter 12. Therefore, in this embodiment, diffusion of molecular beams scattered other than on the substrate can be restricted. For this reason, a film-forming substance is deposited on the inner wall of a chamber (not shown), and an unnecessary gas reacts with the film-forming substance to form impurities, or the film-forming substance is peeled off, thereby deteriorating the film-forming environment. Therefore, the operation of cleaning the inner wall of the chamber becomes extremely easy, and the film forming characteristics can be improved.

【0033】また、この発明では、回転シャッタ12が
90度回転する毎に分子線20が開放状態又は遮蔽状態
になるので、回転式シャッタ12の遮蔽面は180度の
回転により入れ替わり、新たな遮蔽面(図示ぜず)を呈
する。したがって、この発明では、従来の単板シャッタ
に比べて分子線の付着面積(遮蔽面積)が両面合わせて
約2倍となり、すなわち、単位面積当たりの遮蔽面に付
着する付着物質は、従来に比べ、約1/2となる。この
ため、回転式シャッタ12のクリーニング等の保守期間
を従来に比べ、約2倍に延長できる。
Further, in the present invention, the molecular beam 20 is opened or shielded each time the rotary shutter 12 rotates 90 degrees. Therefore, the shielding surface of the rotary shutter 12 is replaced by the rotation of 180 degrees, and a new shielding is performed. Surface (not shown). Therefore, according to the present invention, the adhesion area (shielding area) of the molecular beam is about twice as large as that of the conventional single-plate shutter on both sides. , About 2. Therefore, the maintenance period such as cleaning of the rotary shutter 12 can be extended about twice as long as the conventional one.

【0034】次に、図3を参照して、分子線源の代わり
にスパッタソース源を用いた実施の形態例につき説明す
る。図3は、スパッタソース源として低圧力放電カソー
ドを用いた構成例を示す斜視図である。
Next, an embodiment using a sputter source instead of a molecular beam source will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a perspective view showing a configuration example using a low-pressure discharge cathode as a sputter source.

【0035】この実施の形態では、スパッタソース源と
して低圧力放電カソード22を用いる。この低圧力放電
カソード22は、カソード部、当該カソード部上に搭載
されたターゲット及びカソード部の上部に配置されたア
ノード部(いずれも図示せず)によって構成されてい
る。この低圧力放電カソード22のカソード部に高周波
電圧を印加して、任意好適なガス雰囲気中でスパッタリ
ングを行うことにより低圧力放電カソード22から原子
あるいは分子が発生する。この原子あるいは分子を、上
記の回転式シャッタ12の開口部12bを通過させて基
板支持体16の上面に搭載された基板(図示せず)の上
面に成膜を行う。なお、スパッタソース源を用いた場合
も回転式シャッタ12を開閉する方法は上記の分子線源
のときと全く同様なので、ここではその説明を省略す
る。
In this embodiment, a low pressure discharge cathode 22 is used as a sputter source. The low-pressure discharge cathode 22 includes a cathode unit, a target mounted on the cathode unit, and an anode unit (none is shown) disposed above the cathode unit. By applying a high frequency voltage to the cathode portion of the low pressure discharge cathode 22 and performing sputtering in any suitable gas atmosphere, atoms or molecules are generated from the low pressure discharge cathode 22. The atoms or molecules are passed through the opening 12b of the rotary shutter 12 to form a film on the upper surface of a substrate (not shown) mounted on the upper surface of the substrate support 16. Note that the method of opening and closing the rotary shutter 12 in the case of using a sputter source is exactly the same as in the case of the molecular beam source described above, and a description thereof will be omitted here.

【0036】[第2の実施の形態のMBE装置の主要構
成]次に、図4を参照して、第2の実施の形態のMBE
装置の主要構成につき説明する。第2の実施の形態は、
上記第1の実施の形態のMBE装置に回転駆動制御装置
を付加した例である。
[Main Configuration of MBE Apparatus According to Second Embodiment] Next, referring to FIG. 4, the MBE apparatus according to the second embodiment will be described.
The main configuration of the device will be described. In the second embodiment,
This is an example in which a rotation drive control device is added to the MBE device of the first embodiment.

【0037】この発明の回転駆動制御装置100は、回
転角検出手段102、回転制御手段106及び回転駆動
手段108によって構成されている。また、回転角検出
手段102は、位置検出器103及び位置検出回路10
4により構成されている。
The rotation drive control device 100 of the present invention comprises a rotation angle detection means 102, a rotation control means 106, and a rotation drive means 108. Further, the rotation angle detecting means 102 includes a position detector 103 and a position detecting circuit 10.
4.

【0038】基板回転軸18には、従来と同様な回転駆
動手段200が接続されており、基板支持体16を任意
の回転速度で回転させることができる。
The substrate rotation shaft 18 is connected to a rotation driving means 200 similar to the conventional one, and can rotate the substrate support 16 at an arbitrary rotation speed.

【0039】基板支持体16を回転させるための回転駆
動手段200は、大気中での回転を真空中の回転に伝達
するための回転伝達機構(図示せず)とモーター(図示
せず)とによって構成されている。
The rotation driving means 200 for rotating the substrate support 16 is driven by a rotation transmission mechanism (not shown) for transmitting rotation in the atmosphere to rotation in a vacuum and a motor (not shown). It is configured.

【0040】この発明の回転角検出手段102は、回転
角に応じて電圧変化を検出する位置検出器(例えばポテ
ンショメータ)103と位置検出回路104とによって
構成されている。なお、このポテンショメータの代わり
に回転角に応じてパルス信号を出力するエンコーダー等
の位置検出器を用いても良い。
The rotation angle detecting means 102 of the present invention comprises a position detector (for example, a potentiometer) 103 for detecting a voltage change according to the rotation angle and a position detection circuit 104. Note that a position detector such as an encoder that outputs a pulse signal according to the rotation angle may be used instead of the potentiometer.

【0041】また、回転制御手段106は、演算処理部
(図示せず)を具えており、回転角検出手段102の位
置信号及び回転角出力信号を制御信号に変換してこの制
御信号を回転駆動手段108に出力させるものである。
The rotation control means 106 includes an arithmetic processing unit (not shown), converts the position signal and the rotation angle output signal of the rotation angle detection means 102 into control signals, and converts the control signals into rotation driving signals. This is output by the means 108.

【0042】また、回転駆動手段108は、大気中での
回転を真空中の回転に伝達するための回転伝達機構(図
示せず)とモーター(図示せず)とによって構成されて
いる。
The rotation driving means 108 includes a rotation transmission mechanism (not shown) for transmitting rotation in the atmosphere to rotation in a vacuum, and a motor (not shown).

【0043】[第2の実施の形態のシャッタの駆動方
法]次に、図4及び図5を参照して、第2の実施の形態
のシャッタの駆動方法につき説明する。なお、図4は、
第2の実施の形態のMBE装置の構成を示す斜視図及び
回転シャッタを駆動させるための回転駆動制御装置のブ
ロック図を示す。また、図5は、基板支持体回転角とシ
ャッタ開閉の動作の関係を説明するための図であり、横
軸に基板支持体回転角(度)を取り、縦軸に回転式シャ
ッタの開閉状態を取って示す。以下、この第二発明のM
BE装置のシャッタ駆動方法につき、図4及び図5を参
照して詳細に説明する。
[Method of Driving Shutter of Second Embodiment] Next, a method of driving a shutter of the second embodiment will be described with reference to FIGS. In addition, FIG.
FIG. 3 shows a perspective view illustrating a configuration of an MBE device according to a second embodiment and a block diagram of a rotation drive control device for driving a rotary shutter. FIG. 5 is a diagram for explaining the relationship between the rotation angle of the substrate support and the operation of opening and closing the shutter. The horizontal axis indicates the rotation angle (degree) of the substrate support, and the vertical axis indicates the open / closed state of the rotary shutter. Take and show. Hereinafter, the M of the second invention
The shutter driving method of the BE device will be described in detail with reference to FIGS.

【0044】まず、回転式シャッタ12の開口部12b
を遮蔽状態にセットする。その後、回転駆動手段200
のモーター(図示せず)を駆動させて基板回転軸18を
回転させる。このとき、基板回転軸18に連結されてい
る基板支持体16も同時に回転する。
First, the opening 12b of the rotary shutter 12
Is set to the shielded state. Then, the rotation driving means 200
The motor (not shown) is driven to rotate the substrate rotation shaft 18. At this time, the substrate support 16 connected to the substrate rotation shaft 18 also rotates at the same time.

【0045】次に、回転角検出手段102、例えばポテ
ンショメータ103を用いて回転角に応じた電圧を出力
させ基板支持体16の所定位置Sを検出する。
Next, a predetermined position S of the substrate support 16 is detected by outputting a voltage corresponding to the rotation angle by using the rotation angle detecting means 102, for example, a potentiometer 103.

【0046】回転制御手段106では、回転角検出手段
102の位置信号及び回転角出力信号を制御信号、例え
ばオン・オフ信号に変換して回転駆動手段108に出力
する。このようにして、回転駆動手段108をオン・オ
フ制御することにより、回転式シャッタ12を回転させ
たり、停止させたりすることができる。
The rotation control means 106 converts the position signal and the rotation angle output signal of the rotation angle detection means 102 into control signals, for example, on / off signals, and outputs them to the rotation drive means 108. In this manner, by turning on / off the rotation driving unit 108, the rotary shutter 12 can be rotated or stopped.

【0047】図5からも理解できるように、基板支持体
16の所定位置Sを、例えば一回転(360度)回転さ
せて元の位置にきたときの所定位置Sを回転検出手段1
02によって検出し、この所定位置Sに同期させて回転
式シャッタ12を回転させる。このとき、回転式シャッ
タ12を90度回転させれば開放状態になるので、基板
支持体16の所定位置Sも時計回りの方向に90度、す
なわち駆動を開始する前の基板支持体16の所定位置か
らの回転角度でいうと450度((360+90)度)
だけ回転移動する(図4の符号Sの位置)。
As can be understood from FIG. 5, the predetermined position S of the substrate support 16 is, for example, rotated once (360 degrees) to return to the original position.
02, and the rotary shutter 12 is rotated in synchronization with the predetermined position S. At this time, if the rotary shutter 12 is rotated by 90 degrees, the substrate is in the open state. Therefore, the predetermined position S of the substrate support 16 is also 90 degrees clockwise, that is, the predetermined position S of the substrate support 16 before starting driving. 450 degrees in terms of rotation angle from the position ((360 + 90) degrees)
(The position S in FIG. 4).

【0048】その後、回転式シャッタ12を停止させ、
基板支持体16を回転させながら基板面上に分子線を発
生させて成膜を行う。
Thereafter, the rotary shutter 12 is stopped,
A film is formed by generating a molecular beam on the substrate surface while rotating the substrate support 16.

【0049】次に、成膜を終了するときは、基板支持体
16の所定位置Sを360N+S(但し、Nは回転数と
する)(度)、すなわち、ここでは、360N+90
(度)の位置で回転式シャッタ12の開口部12bを遮
蔽状態となるように回転式シャッタ12を回転移動させ
る。
Next, when the film formation is completed, the predetermined position S of the substrate support 16 is set to 360N + S (where N is the number of rotations) (degrees), that is, 360N + 90 here.
At the position of (degree), the rotary shutter 12 is rotationally moved so that the opening 12b of the rotary shutter 12 is closed.

【0050】このように、この発明では、回転式シャッ
タ12の開閉動作において、開状態での基板支持体16
の所定位置と閉状態での基板支持体16の所定位置とを
常に同じ位置になるように駆動させているため、シャッ
タ開閉に伴う分子線強度の変動は開状態時と閉状態時と
が丁度逆の変動となり、回転式シャッタ12の開閉によ
る分子線強度の変動を相殺させることができる。したが
って、この発明では、従来のシャッタ開閉動作に比べ、
分子線の変動が均一となり、したがって、基板面上に優
れた成膜層を形成することができる。
As described above, according to the present invention, when the rotary shutter 12 is opened and closed, the substrate support 16 in the open state is opened.
And the predetermined position of the substrate support 16 in the closed state are always driven to the same position. Therefore, the fluctuation of the molecular beam intensity due to the opening and closing of the shutter is exactly the same between the open state and the closed state. The fluctuation is opposite, and the fluctuation of the molecular beam intensity due to the opening and closing of the rotary shutter 12 can be offset. Therefore, in the present invention, compared with the conventional shutter opening / closing operation,
The variation of the molecular beam becomes uniform, so that an excellent film-forming layer can be formed on the substrate surface.

【0051】[0051]

【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の薄膜形成装置及びこの装置に用いるシャッタの駆
動方法によれば、回転式シャッタの開口に伴い分子線は
開口領域の中心部、すなわち分子線源の中心部から発生
するので、回転式シャッタをわずかに回転するだけで基
板面への分子線の強度分布が均一となる。したがって、
単原子層を形成する場合、シャッタの開状態から閉状態
までの成膜時間が短くても、回転式シャッタの開閉によ
る分子線強度の変動が軽減されるので、基板面上に優れ
た成膜層を形成することができる。
As is apparent from the above description, according to the thin film forming apparatus of the present invention and the method of driving the shutter used in the apparatus, the molecular beam is moved to the center of the opening area, that is, the opening of the rotary shutter. Since it is generated from the center of the molecular beam source, the intensity distribution of the molecular beam on the substrate surface becomes uniform by slightly rotating the rotary shutter. Therefore,
When a monoatomic layer is formed, even if the film formation time from the open state to the closed state of the shutter is short, fluctuations in molecular beam intensity due to opening and closing of the rotary shutter are reduced, so that excellent film formation on the substrate surface is achieved. Layers can be formed.

【0052】また、成膜時には、分子線は回転式シャッ
タの開口部を通過して成膜が行われるため、分子線の拡
散による成膜物質の飛散が抑制され基板以外の領域に付
着する成膜物質を低減することができる。このため、保
守作業が簡単になり、生産性も向上する。
Further, at the time of film formation, since the molecular beam passes through the opening of the rotary shutter to form the film, scattering of the film-forming substance due to diffusion of the molecular beam is suppressed, and the molecular beam adheres to an area other than the substrate. Film materials can be reduced. For this reason, maintenance work is simplified and productivity is improved.

【0053】また、回転式シャッタを回転させて遮蔽状
態にすることにより、遮蔽面が従来に比べ、約2倍にな
るので、一方または双方の遮蔽面に付着する成膜物質を
実質的に約1/2に低減することができる。このため、
回転式シャッタの保守期間を従来より延長することがで
きる。
Further, by rotating the rotary shutter to the shielding state, the shielding surface is about twice as large as the conventional one, so that the film-forming substance adhering to one or both shielding surfaces is substantially reduced. It can be reduced to 1/2. For this reason,
The maintenance period of the rotary shutter can be extended more than before.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1の実施の形態の分子線エピタキシ(MB
E)装置の主要構成を説明するための供する斜視図であ
る。
FIG. 1 shows a molecular beam epitaxy (MB) according to a first embodiment.
E) It is a perspective view provided for explaining the main configuration of the device.

【図2】(A)〜(D)は、第1の実施の形態のMBE
装置のシャッタ動作を説明するための図である。
FIGS. 2A to 2D show MBE according to the first embodiment;
FIG. 4 is a diagram for explaining a shutter operation of the device.

【図3】第1の実施の形態の低圧力放電カソードを用い
た装置の主要構成を説明するために供する斜視図であ
る。
FIG. 3 is a perspective view for explaining a main configuration of an apparatus using a low-pressure discharge cathode according to the first embodiment.

【図4】第2の実施の形態の分子線エピタキシ(MB
E)装置の主要構成を説明するための供する斜視図であ
る。
FIG. 4 shows a molecular beam epitaxy (MB) according to a second embodiment.
E) It is a perspective view provided for explaining the main configuration of the device.

【図5】基板支持体回転角とシャッタ開閉動作の関係を
説明するための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining a relationship between a substrate support member rotation angle and a shutter opening / closing operation.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:分子線源 11:分子線源の中心部 12:回転式シャッタ 13:遮蔽面 14:シャッタ回転軸 16:基板支持体 18:基板回転軸 20:分子線 22:スパッタソース源 24:原子あるいは分子 100:回転駆動制御装置 102:回転角検出手段 103:位置検出器 104:位置検出回路 106:回転制御手段 108:回転駆動手段 10: Molecular beam source 11: Center part of molecular beam source 12: Rotary shutter 13: Shielding surface 14: Shutter rotation axis 16: Substrate support 18: Substrate rotation axis 20: Molecular beam 22: Sputter source source 24: Atomic or Molecule 100: rotation drive control device 102: rotation angle detection means 103: position detector 104: position detection circuit 106: rotation control means 108: rotation drive means

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 分子線源あるいはスパッタソース源と回
転式の基板支持体との間に、シャッタを具え、該シャッ
タを開閉して前記基板支持体上に搭載した基板面上に薄
膜を形成する薄膜形成装置において、 前記シャッタを、開口部を有する柱状体からなる回転式
シャッタとし、前記開口部は、該柱状体の回転軸と直交
する方向に該柱状体を貫通させて設けてあることを特徴
とする薄膜形成装置。
1. A shutter is provided between a molecular beam source or a sputter source and a rotary substrate support, and the shutter is opened and closed to form a thin film on a substrate surface mounted on the substrate support. In the thin film forming apparatus, the shutter may be a rotary shutter including a column having an opening, and the opening may be provided to penetrate the column in a direction orthogonal to a rotation axis of the column. Characteristic thin film forming equipment.
【請求項2】 請求項1に記載の薄膜形成装置におい
て、前記基板支持体と前記回転式シャッタとを同期させ
て回転させるための回転駆動制御装置を具えていること
を特徴とする薄膜形成装置。
2. The thin film forming apparatus according to claim 1, further comprising a rotation drive control device for rotating the substrate support and the rotary shutter in synchronization with each other. .
【請求項3】 請求項2に記載の薄膜形成装置におい
て、前記回転駆動制御装置は、回転する前記基板支持体
の所定位置を検出するための回転角検出手段と、該回転
角検出手段の位置信号を制御信号に変換して回転式シャ
ッタを制御するための回転制御手段と、該回転制御手段
からの制御信号を入力して前記回転式シャッタを回転制
御するための回転駆動手段とを具えていることを特徴と
する薄膜形成装置。
3. The thin film forming apparatus according to claim 2, wherein the rotation drive control device includes a rotation angle detection unit for detecting a predetermined position of the rotating substrate support, and a position of the rotation angle detection unit. Rotation control means for converting a signal into a control signal to control the rotary shutter, and rotation drive means for receiving a control signal from the rotation control means and controlling the rotation of the rotary shutter. A thin film forming apparatus.
【請求項4】 分子線源あるいはスパッタソース源と回
転式の基板支持体との間に設けられたシャッタを駆動す
るに当たり、 前記シャッタを、開口部を有する柱状体からなる回転式
シャッタとし、前記開口部は該柱状体の回転軸と直交す
る方向に該柱状体を貫通させて設け、 該回転式シャッタを開閉するときは、前記基板支持体を
回転させ、該基板支持体が所定の位置にきたとき、該位
置を検出して前記基板支持体の回転角と同期させて前記
回転式シャッタを、閉状態から開状態又は開状態から閉
状態へ回転させることを特徴とする薄膜形成装置に用い
るシャッタの駆動方法。
4. When driving a shutter provided between a molecular beam source or a sputter source source and a rotary substrate support, the shutter is a rotary shutter composed of a columnar body having an opening, The opening is provided so as to penetrate the columnar body in a direction orthogonal to the rotation axis of the columnar body. When the rotary shutter is opened and closed, the substrate supporter is rotated and the substrate supporter is positioned at a predetermined position. Detecting the position and rotating the rotary shutter from a closed state to an open state or from an open state to a closed state in synchronization with the rotation angle of the substrate support; How to drive the shutter.
【請求項5】 請求項4に記載のシャッタの駆動方法に
おいて、成膜開始時には、前記基板支持体の所定位置を
前記回転式シャッタの遮蔽位置に同期させて前記回転式
シャッタを回転させ、成膜終了時には、前記基板支持体
の所定位置を前記回転式シャッタの開放位置に同期させ
て前記回転式シャッタを回転させることを特徴とする薄
膜形成装置に用いるシャッタの駆動方法。
5. The method of driving a shutter according to claim 4, wherein at the start of film formation, the rotary shutter is rotated by synchronizing a predetermined position of the substrate support with a shielding position of the rotary shutter. A method of driving a shutter for use in a thin film forming apparatus, comprising: synchronizing a predetermined position of the substrate supporter with an opening position of the rotary shutter when the film is completed, and rotating the rotary shutter.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006124778A (en) * 2004-10-28 2006-05-18 Shincron:Kk Thin film deposition system and thin film deposition method
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