JPH1012722A - Semiconductor device - Google Patents
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- JPH1012722A JPH1012722A JP16621296A JP16621296A JPH1012722A JP H1012722 A JPH1012722 A JP H1012722A JP 16621296 A JP16621296 A JP 16621296A JP 16621296 A JP16621296 A JP 16621296A JP H1012722 A JPH1012722 A JP H1012722A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、高周波帯（数百
ＭＨｚ〜数百ＧＨｚ帯）で動作する半導体装置の配線に
関するものであり、特に、いわゆるエアブリッジ構造を
備えた交差配線を有する半導体装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring of a semiconductor device operating in a high frequency band (several hundred MHz to several hundred GHz band), and more particularly, to a semiconductor device having a so-called air bridge structure having cross wiring. It is about.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年の半導体装置の微細化、高集積化お
よび高速化に伴い、半導体装置に形成される配線の多層
化が進められている。かかる半導体装置の動作速度の向
上に伴い、半導体装置を構成する半導体素子間を結ぶ電
極配線の伝搬速度の遅延が問題となってきている。特に
半導体素子のパターンの微細化に伴って、半導体素子の
ゲート容量と多層配線間に設けた層間絶縁膜の層間容量
とが同程度になりつつあり、この層間容量に起因する伝
搬速度の遅延の問題が顕著になっている。最近では、上
記層間絶縁膜として、誘電率ε＝１の空気を用いた，い
わゆるエアブリッジ構造を備えたものが知られている。2. Description of the Related Art With the recent miniaturization, high integration, and high speed of semiconductor devices, multilayer wiring of semiconductor devices has been promoted. With the improvement in the operation speed of such a semiconductor device, a delay in the propagation speed of the electrode wiring connecting the semiconductor elements constituting the semiconductor device has become a problem. In particular, with the miniaturization of the pattern of the semiconductor element, the gate capacitance of the semiconductor element and the interlayer capacitance of the interlayer insulating film provided between the multi-layer wirings are becoming substantially the same, and the propagation speed delay caused by this interlayer capacitance is reduced. The problem is becoming more pronounced. Recently, a film having a so-called air bridge structure using air having a dielectric constant of ε = 1 has been known as the interlayer insulating film.
【０００３】図９は、エアブリッジ構造を備えた従来の
半導体装置の配線交差部における断面図を示す。この半
導体装置は、半導体基板４の上面に第１層配線３が形成
されており、第２層配線１は、この第１層配線３をまた
ぐように交差させて形成されたエアブリッジ構造を備え
たものである。このエアブリッジ構造では、第１層配線
３と第２層配線１とは誘電率ε＝１の空気が層間絶縁層
として構成されているため、層間容量が小さく、したが
って半導体装置の高速動作が可能となる。FIG. 9 is a sectional view of a conventional semiconductor device having an air bridge structure at a wiring intersection. In this semiconductor device, a first layer wiring 3 is formed on an upper surface of a semiconductor substrate 4, and a second layer wiring 1 has an air bridge structure formed so as to cross over the first layer wiring 3. It is a thing. In this air bridge structure, since the first-layer wiring 3 and the second-layer wiring 1 are formed with air having a dielectric constant of ε = 1 as the interlayer insulating layer, the interlayer capacitance is small, and therefore, the semiconductor device can operate at high speed. Becomes
【０００４】この図９に示される半導体装置の製造方法
としては、例えば、半導体基板４上に第１層配線３を形
成した後、第２層配線１を形成する箇所に、後工程で除
去可能な有機物膜を選択的に形成し、その上でこの有機
物膜の上に第２層配線１を形成する。そして、その後に
この有機物膜のみをドライエッチング法またはウエット
エッチング法により選択的に除去して、当該部分を空洞
化することにより、エアブリッジ構造を備えた半導体装
置が製造される。As a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 9, for example, after a first layer wiring 3 is formed on a semiconductor substrate 4, a portion where the second layer wiring 1 is formed can be removed in a later step. An organic material film is selectively formed, and then the second layer wiring 1 is formed on the organic material film. After that, only the organic film is selectively removed by dry etching or wet etching, and the portion is hollowed to manufacture a semiconductor device having an air bridge structure.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記の図９に示した従
来の半導体装置は、第２層配線１が第１層配線３との交
差部において半導体基板４と離れて空中に浮いた状態で
形成されている。そのため、この半導体装置は、機械的
振動あるいは熱的な影響などにより第２層配線１のエア
ブリッジがつぶれたり垂れ下がってきたりして、第１層
配線３と接触し電気的に短絡しやすいという問題点があ
った。In the conventional semiconductor device shown in FIG. 9, the second layer wiring 1 is separated from the semiconductor substrate 4 at the intersection with the first layer wiring 3 and floats in the air. Is formed. For this reason, this semiconductor device has a problem that the air bridge of the second layer wiring 1 is crushed or sags due to mechanical vibration or thermal influence, so that the air bridge easily comes into contact with the first layer wiring 3 and is easily short-circuited. There was a point.
【０００６】上記のように第２層配線がつぶれることに
よる第１層配線との電気的な短絡を防止するものとし
て、図１０（ａ）〜（ｅ）に示すような種々のエアブリ
ッジ構造を備えた半導体装置が提案されている。Various air bridge structures as shown in FIGS. 10 (a) to 10 (e) are used to prevent an electrical short circuit with the first layer wiring due to the collapse of the second layer wiring as described above. A semiconductor device having the same has been proposed.
【０００７】図１０（ａ）に示すものは、特開昭６１−
１３３６４５号公報に記載された半導体装置であり、こ
の半導体装置は、半導体基板上に交差配線を有し、該交
差部分およびその近傍の第１層配線２と第２層配線１と
が空間によって隔てられるとともに、交差部分近傍以外
の第２層配線１が絶縁層８上に配され、第２層配線１が
ほぼ平坦に形成されたものである。[0007] FIG.
The semiconductor device described in JP-A-133645 has a cross wiring on a semiconductor substrate, and a first layer wiring 2 and a second layer wiring 1 in and around the cross portion are separated by a space. At the same time, the second layer wiring 1 other than near the intersection is disposed on the insulating layer 8, and the second layer wiring 1 is formed substantially flat.
【０００８】図１０（ｂ）に示すものは、特開昭６３−
３００５４０号公報に記載された半導体装置であり、こ
の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上の凹
部内に形成される第１層配線２および前記第１層配線２
上を架橋交差する第２層配線１からなるエアブリッジ配
線を備えたものである。[0008] FIG.
300540, a semiconductor device, a semiconductor substrate, a first layer wiring 2 formed in a recess on the semiconductor substrate, and a first layer wiring 2
It is provided with an air bridge wiring composed of a second layer wiring 1 which crosses and crosses above.
【０００９】図１０（ｃ）に示すものは、特開昭６２−
６５３４６号公報に記載された半導体装置であり、この
半導体装置は、半導体基板に対向した一対のメサ形状面
と，対向した一対の逆メサ形状面とを有する凹部を有
し、第１層配線２はメサ形状面と凹部底面に沿って形成
され、第２層配線１は該第１層配線２と交差して基板の
主面上に形成されたものである。[0009] FIG.
No. 65346 discloses a semiconductor device having a concave portion having a pair of mesa-shaped surfaces facing a semiconductor substrate and a pair of inverted mesa-shaped surfaces facing each other. Are formed along the mesa-shaped surface and the bottom surface of the concave portion, and the second-layer wiring 1 is formed on the main surface of the substrate so as to cross the first-layer wiring 2.
【００１０】図１０（ｄ）に示すものは、特開昭６１−
４３４４８号公報に記載された半導体装置であり、この
半導体装置は、基板上に第１層配線２が形成されてお
り、第２層配線１は、基板上に形成された絶縁層８によ
り支えられて第１層配線２から空間的に隔てられるよう
に形成されたものである。FIG. 10 (d) shows a structure disclosed in
No. 43448, which is a semiconductor device in which a first layer wiring 2 is formed on a substrate, and the second layer wiring 1 is supported by an insulating layer 8 formed on the substrate. The first wiring 2 is formed so as to be spatially separated from the first wiring 2.
【００１１】図１０（ｅ）に示すものは、特開昭６０−
１６１６７５公報に記載された半導体装置であり、この
半導体装置は、基板上にソース電極２１，ゲート電極２
２，ドレイン電極２３が形成されており、ソース電極２
１上に厚メッキ９が形成され、該厚メッキ９上に架橋し
て第２層配線１が形成されたものである。The one shown in FIG.
161675 discloses a semiconductor device, which comprises a source electrode 21 and a gate electrode 2 on a substrate.
2, the drain electrode 23 is formed, and the source electrode 2
1, a thick plating 9 is formed, and a second layer wiring 1 is formed on the thick plating 9 by crosslinking.
【００１２】しかしながら、図１０（ａ）に示された半
導体装置は、第２層配線１のエアブリッジ構造を形成す
るためには第１層配線２の両側に絶縁層８を形成する必
要がある。また、同図（ｄ）（ｅ）に示される半導体装
置も同様に絶縁層８あるいは厚メッキ９を形成する工程
を追加する必要がある。また、図１０（ｂ）に示される
半導体装置や，同図（ｃ）に示された半導体装置は、エ
アブリッジ構造を形成する半導体基板の所定箇所に凹部
を形成する工程を追加する必要がある。したがって、こ
れらの半導体装置では、製造方法が複雑となりエアブリ
ッジ構造を簡単に作製することが困難であるという問題
点があった。However, in the semiconductor device shown in FIG. 10A, it is necessary to form insulating layers 8 on both sides of the first layer wiring 2 in order to form an air bridge structure of the second layer wiring 1. . Also, in the semiconductor device shown in FIGS. 3D and 3E, it is necessary to add a step of forming the insulating layer 8 or the thick plating 9 similarly. Further, in the semiconductor device shown in FIG. 10B and the semiconductor device shown in FIG. 10C, it is necessary to add a step of forming a concave portion at a predetermined position of a semiconductor substrate forming an air bridge structure. . Therefore, these semiconductor devices have a problem that the manufacturing method is complicated and it is difficult to easily manufacture the air bridge structure.
【００１３】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたものであり、第２層配線からなるエア
ブリッジを簡単に製造することができ、かつエアブリッ
ジの第２層配線と第１層配線がショートを起こさないよ
うな構造を備えた半導体装置を提供することを目的とす
るものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems. An air bridge composed of a second-layer wiring can be easily manufactured, and the second layer wiring of the air bridge can be easily manufactured. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device having a structure in which a first-layer wiring does not cause a short circuit.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置（請求項１）は、半導体基板上に形成された第１層配
線と、該第１層配線をまたいで形成された第２層配線と
を有するエアブリッジ構造を備え、上記第２層配線に
は、２０００オングストローム以上の厚みを有する金属
層からなる補強層が形成されてなることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a first layer wiring formed on a semiconductor substrate; and a second layer wiring formed across the first layer wiring. And a reinforcing layer formed of a metal layer having a thickness of 2000 Å or more.
【００１５】この発明に係る半導体装置（請求項２）
は、半導体基板上に形成された第１層配線と、該第１層
配線をまたいで形成された第２層配線とを有するエアブ
リッジ構造を備え、上記第２層配線には、絶縁体層から
なる補強層が形成されてなることを特徴とする。A semiconductor device according to the present invention (Claim 2)
Comprises an air bridge structure having a first layer wiring formed on a semiconductor substrate and a second layer wiring formed over the first layer wiring, wherein the second layer wiring includes an insulator layer Characterized in that a reinforcing layer made of
【００１６】この発明に係る半導体装置（請求項３）
は、半導体基板上に形成された第１層配線と、該第１層
配線をまたいで形成された第２層配線とを有するエアブ
リッジ構造を備え、上記第１層配線の上面には、絶縁体
層からなる保護層が形成されてなることを特徴とする。A semiconductor device according to the present invention (Claim 3)
Has an air bridge structure having a first layer wiring formed on a semiconductor substrate and a second layer wiring formed over the first layer wiring, and an upper surface of the first layer wiring has an insulating structure. A protective layer comprising a body layer is formed.
【００１７】この発明に係る半導体装置（請求項４）
は、半導体基板上に形成された第１層配線と、該第１層
配線をまたいで形成された第２層配線とを有するエアブ
リッジ構造を備え、上記第２層配線の立ち上がり部分に
は、該第２層配線を補強するための絶縁体層が形成され
てなることを特徴とする。A semiconductor device according to the present invention (Claim 4)
Has an air bridge structure having a first layer wiring formed on a semiconductor substrate and a second layer wiring formed over the first layer wiring, and a rising portion of the second layer wiring has An insulating layer for reinforcing the second-layer wiring is formed.
【００１８】この発明に係る半導体装置（請求項５）
は、上記の半導体装置（請求項１）において、上記第２
層配線には、絶縁体層からなる補強層が形成されてなる
ことを特徴とする。A semiconductor device according to the present invention (Claim 5)
Is the second semiconductor device (claim 1).
The layer wiring is characterized in that a reinforcing layer made of an insulator layer is formed.
【００１９】この発明に係る半導体装置（請求項６）
は、上記の半導体装置（請求項１）において、上記第１
層配線の上面には、絶縁体層からなる保護層が形成され
てなることを特徴とする。A semiconductor device according to the present invention (claim 6)
Is the first device in the semiconductor device (Claim 1).
On the upper surface of the layer wiring, a protective layer made of an insulator layer is formed.
【００２０】この発明に係る半導体装置（請求項７）
は、上記の半導体装置（請求項１）において、上記第２
層配線の立ち上がり部分には、該第２層配線を補強する
ための絶縁体層が形成されてなることを特徴とする。A semiconductor device according to the present invention (Claim 7)
Is the second semiconductor device (claim 1).
An insulating layer for reinforcing the second layer wiring is formed at a rising portion of the layer wiring.
【００２１】この発明に係る半導体装置（請求項８）
は、上記の半導体装置（請求項２）において、上記第１
層配線の上面には、絶縁体層からなる保護層が形成され
てなることを特徴とする。A semiconductor device according to the present invention (claim 8)
Is the first semiconductor device (claim 2).
On the upper surface of the layer wiring, a protective layer made of an insulator layer is formed.
【００２２】この発明に係る半導体装置（請求項９）
は、上記の半導体装置（請求項２）において、上記第２
層配線の立ち上がり部分には、該第２層配線を補強する
ための絶縁体層が形成されてなることを特徴とする。A semiconductor device according to the present invention (claim 9)
Is the second semiconductor device (claim 2).
An insulating layer for reinforcing the second layer wiring is formed at a rising portion of the layer wiring.
【００２３】この発明に係る半導体装置（請求項１０）
は、上記の半導体装置（請求項３）において、上記第２
層配線の立ち上がり部分には、該第２層配線を補強する
ための絶縁体層が形成されてなることを特徴とする。A semiconductor device according to the present invention (Claim 10)
Is the semiconductor device (claim 3), wherein the second
An insulating layer for reinforcing the second layer wiring is formed at a rising portion of the layer wiring.
【００２４】[0024]
実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１におけ
る半導体装置のエアブリッジ構造を示す斜視図である。
この実施の形態１における半導体装置は、図１に示すよ
うに、半導体基板上に形成された第１層配線３と、該第
１層配線３をまたいで形成された第２層配線（上層）１
とを有するエアブリッジ構造を備えており、該第２層配
線１の下には、厚みが２０００オングストローム以上の
金属層からなる補強層２が形成されてなるものである。Embodiment 1 FIG. FIG. 1 is a perspective view showing an air bridge structure of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 1, the semiconductor device according to the first embodiment includes a first layer wiring 3 formed on a semiconductor substrate and a second layer wiring (upper layer) formed over the first layer wiring 3. 1
And a reinforcing layer 2 made of a metal layer having a thickness of 2000 Å or more is formed below the second layer wiring 1.
【００２５】上記第１層配線３としては、例えば、金
（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などの低抵抗金属が使
用される。また、上記第２層配線１は、第１層配線３と
交差する部分において空間が形成されるように上方に突
出した湾曲形状に形成されている。この第２層配線１と
しては、例えば、金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）な
どの低抵抗金属が使用される。また、第２層配線１の下
に形成した補強層２としては、例えば、タングステン・
シリサイド（ＷＳｉ）やチタン（Ｔｉ）などの硬い金属
が使用される。As the first layer wiring 3, for example, a low resistance metal such as gold (Au) or aluminum (Al) is used. Further, the second layer wiring 1 is formed in a curved shape protruding upward so that a space is formed at a portion intersecting with the first layer wiring 3. As the second layer wiring 1, for example, a low-resistance metal such as gold (Au) or aluminum (Al) is used. As the reinforcing layer 2 formed below the second-layer wiring 1, for example, tungsten
Hard metals such as silicide (WSi) and titanium (Ti) are used.
【００２６】つぎに、上記の実施の形態１における半導
体装置の製造方法について説明する。図２は、実施の形
態１における半導体装置の製造工程を示す模式図であ
る。この実施の形態１の半導体装置は、つぎのようにし
て製造される。まず最初に、図２（ａ）に示すように、
半導体基板１０上に蒸着等によりアルミニウムなどの低
抵抗金属の膜を形成し、エッチングにより所望の形状に
パターニングして第１層配線３を形成する。そして、図
２（ｂ）に示すように、上記第１層配線３を形成した
後、第２層配線１を形成する箇所に後工程で除去可能な
有機物膜１２を選択的に形成する。この後、図２（ｃ）
に示すように、この有機物膜１２上に蒸着等によりタン
グステン・シリサイド（ＷＳｉ）などの硬い金属膜（補
強層）２を、その厚みが２０００オングストローム以上
となるように形成し、次いで、図２（ｄ）に示すよう
に、この硬い金属膜２上に蒸着等によりアルミニウムな
どの低抵抗金属の膜（第２層配線）１を形成する。この
後、エッチングによりこれらの金属膜１，２を所望の形
状にパターニングして、その下に金属層からなる補強層
２を備えた第２層配線１を形成する。そして、図２
（ｅ）に示すように、有機物膜１２を除去することによ
り、第１層配線３と第２層配線１との間に空間を有する
エアブリッジ構造の半導体装置が得られる。Next, a method of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment will be described. FIG. 2 is a schematic view illustrating a manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment. The semiconductor device of the first embodiment is manufactured as follows. First, as shown in FIG.
A low-resistance metal film such as aluminum is formed on the semiconductor substrate 10 by vapor deposition or the like, and is patterned into a desired shape by etching to form the first layer wiring 3. Then, as shown in FIG. 2B, after the first layer wiring 3 is formed, an organic film 12 that can be removed in a later step is selectively formed at a position where the second layer wiring 1 is to be formed. After this, FIG.
As shown in FIG. 2, a hard metal film (reinforcing layer) 2 such as tungsten silicide (WSi) is formed on the organic material film 12 by vapor deposition or the like so as to have a thickness of 2000 Å or more. As shown in d), a film (second-layer wiring) 1 of a low-resistance metal such as aluminum is formed on the hard metal film 2 by vapor deposition or the like. Thereafter, the metal films 1 and 2 are patterned into a desired shape by etching to form a second-layer wiring 1 provided with a reinforcing layer 2 made of a metal layer thereunder. And FIG.
As shown in (e), by removing the organic film 12, a semiconductor device having an air bridge structure having a space between the first layer wiring 3 and the second layer wiring 1 is obtained.
【００２７】この実施の形態１による半導体装置は、エ
アブリッジの第２層配線１の下には、厚みが２０００オ
ングストローム以上の金属層からなる補強層２が形成さ
れているので、第２層配線１のエアブリッジがつぶれに
くくなっている。そのため、この半導体装置によれば、
第１層配線３と第２層配線２のショートを防止すること
ができ、しかも第２層配線１からなるエアブリッジの作
製を簡単に行うことができる。In the semiconductor device according to the first embodiment, the reinforcing layer 2 made of a metal layer having a thickness of 2000 Å or more is formed under the second layer wiring 1 of the air bridge. 1 air bridge is hard to collapse. Therefore, according to this semiconductor device,
A short circuit between the first layer wiring 3 and the second layer wiring 2 can be prevented, and an air bridge composed of the second layer wiring 1 can be easily manufactured.
【００２８】なお、この実施の形態１の半導体装置で
は、金属層からなる補強層２は、第２層配線１の下に形
成したものであるが、第２層配線１の上に形成したもの
であってもよい。In the semiconductor device of the first embodiment, the reinforcing layer 2 made of a metal layer is formed below the second-layer wiring 1, but is formed on the second-layer wiring 1. It may be.
【００２９】実施の形態２．図３は、この発明の実施の
形態２における半導体装置のエアブリッジ構造を示す断
面図である。この実施の形態２における半導体装置は、
図３に示すように、半導体基板４上に形成された第１層
配線３と、該第１層配線３をまたいで形成された第２層
配線１とを有するエアブリッジ構造を備えており、該第
２層配線の下には、Ｓｉ3 Ｎ4 などの絶縁体層からなる
補強層２が形成されてなるものである。Embodiment 2 FIG. 3 is a sectional view showing an air bridge structure of the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention. The semiconductor device according to the second embodiment includes:
As shown in FIG. 3, an air bridge structure including a first layer wiring 3 formed on a semiconductor substrate 4 and a second layer wiring 1 formed over the first layer wiring 3 is provided. A reinforcing layer 2 made of an insulator layer such as Si 3 N 4 is formed below the second layer wiring.
【００３０】第１層配線３と第２層配線１の電気的な接
続は、図示していないが、補強層２にコンタクトホール
（スルーホール）を設け該コンタクトホールに所望の金
属層を形成することにより行われる。なお、第１層配線
３、第２層配線１としては、図１に示す実施の形態１の
ものと同様のものを使用することができる。Although the electrical connection between the first layer wiring 3 and the second layer wiring 1 is not shown, a contact hole (through hole) is provided in the reinforcing layer 2 and a desired metal layer is formed in the contact hole. This is done by: The first layer wiring 3 and the second layer wiring 1 may be the same as those of the first embodiment shown in FIG.
【００３１】また、この実施の形態２における半導体装
置は、有機物膜１２上に硬い金属膜に代えてＳｉ3 Ｎ4
などの絶縁体層（補強層）２を形成するようにし、そし
て、該絶縁層２には第１層配線３と第２層配線１とを電
気的に接続するためのコンタクトホールを形成すること
の他は、上記の実施の形態１の半導体装置の製造工程と
ほぼ同様の製造工程によって製造することができる。In the semiconductor device according to the second embodiment, the organic metal film 12 is replaced with a hard metal film instead of Si 3 N 4.
And a contact hole for electrically connecting the first layer wiring 3 and the second layer wiring 1 is formed in the insulating layer 2. Otherwise, the semiconductor device can be manufactured by substantially the same manufacturing process as that of the semiconductor device of the first embodiment.
【００３２】この実施の形態２における半導体装置は、
第２層配線１の下には、絶縁体層からなる補強層２が形
成されているので、第２層配線１のエアブリッジがつぶ
れにくくなっている。そのため、この半導体装置によれ
ば、第１層配線３と第２層配線１のショートを防止する
ことができ、しかも第２層配線１からなるエアブリッジ
の作製を簡単に行うことができる。The semiconductor device according to the second embodiment is
Since the reinforcing layer 2 made of an insulator layer is formed below the second-layer wiring 1, the air bridge of the second-layer wiring 1 is not easily broken. Therefore, according to this semiconductor device, a short circuit between the first layer wiring 3 and the second layer wiring 1 can be prevented, and an air bridge composed of the second layer wiring 1 can be easily manufactured.
【００３３】なお、この実施の形態２の半導体装置で
は、絶縁体層からなる補強層２は、第２層配線１の下に
形成したものであるが、第２層配線１の上に形成したも
のであってもよい。In the semiconductor device according to the second embodiment, the reinforcing layer 2 made of an insulator layer is formed below the second-layer wiring 1, but is formed on the second-layer wiring 1. It may be something.
【００３４】実施の形態３．図４は、この発明の実施の
形態３における半導体装置のエアブリッジ構造を示す断
面図である。この実施の形態３における半導体装置は、
図４に示すように、半導体基板４上に形成された第１層
配線３と、該第１層配線３をまたいで形成された第２層
配線１とを有するエアブリッジ構造を備えており、上記
第１層配線３の上面には、絶縁体層からなる保護層６が
形成されてなるものである。Embodiment 3 FIG. 4 is a sectional view showing an air bridge structure of the semiconductor device according to the third embodiment of the present invention. The semiconductor device according to the third embodiment includes:
As shown in FIG. 4, an air bridge structure having a first layer wiring 3 formed on a semiconductor substrate 4 and a second layer wiring 1 formed over the first layer wiring 3 is provided. On the upper surface of the first layer wiring 3, a protective layer 6 made of an insulator layer is formed.
【００３５】上記保護層６は、万一エアブリッジがつぶ
れても、第２層配線１と第１層配線３の間において両者
間に印加されている電圧に対して、充分絶縁し、かつ寿
命的にも問題がないような構造にされている。この保護
層６としては、例えば、ＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ4 など絶縁
体層を使用することができ、その厚みは、６０００オン
グストロームに形成されている。但し、この保護層６の
厚みは、５０００オングストローム以上あればよい。な
お、第１層配線３、第２層配線１としては、図１に示す
実施の形態１のものと同様のものを使用することができ
る。The protective layer 6 sufficiently insulates against the voltage applied between the second layer wiring 1 and the first layer wiring 3 even if the air bridge is crushed, and has a long life. The structure is such that there is no problem. As the protective layer 6, for example, an insulator layer such as SiO 2 or Si 3 N 4 can be used, and its thickness is formed to 6000 Å. However, the thickness of the protective layer 6 may be 5000 Å or more. The first layer wiring 3 and the second layer wiring 1 may be the same as those of the first embodiment shown in FIG.
【００３６】また、この実施の形態３における半導体装
置は、第１層配線３の形成後に厚みのある保護層６を形
成するようにし、有機物膜１２上には補強層２を形成し
ないようにすることの他は、上記の実施の形態１の半導
体装置の製造工程とほぼ同様の製造工程によって製造す
ることができる。但し、第１層配線３上の保護層６は、
最後の工程で第１層配線３の部分を異方性エッチングで
エッチバックしてエアブリッジとなる第２層配線１の下
部のみ選択的に保護層６を残すようにして形成してもよ
い。In the semiconductor device according to the third embodiment, the thick protective layer 6 is formed after the first-layer wiring 3 is formed, and the reinforcing layer 2 is not formed on the organic film 12. Except for this, the semiconductor device can be manufactured by substantially the same manufacturing process as that of the semiconductor device of the first embodiment. However, the protective layer 6 on the first layer wiring 3 is
In the last step, the portion of the first layer wiring 3 may be etched back by anisotropic etching to selectively leave the protective layer 6 only under the second layer wiring 1 serving as an air bridge.
【００３７】この実施の形態３における半導体装置は、
上記第１層配線３の上面には、ＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ4 な
どの絶縁体層からなる保護層６が形成されている。その
ため、この半導体装置によれば、万一エアブリッジがつ
ぶれて第２層配線１が垂れ下がってきても上記保護層６
により第１層配線１とのショートを確実に防止すること
ができ、しかも、第２層配線１からなるエアブリッジの
作製を簡単に行うことができる。The semiconductor device according to the third embodiment is
On the upper surface of the first layer wiring 3, a protective layer 6 made of an insulating layer such as SiO 2 or Si 3 N 4 is formed. Therefore, according to this semiconductor device, even if the air bridge is crushed and the second layer wiring 1 hangs down, the protection layer 6
As a result, a short circuit with the first layer wiring 1 can be reliably prevented, and an air bridge composed of the second layer wiring 1 can be easily manufactured.
【００３８】実施の形態４．図５は、この発明の実施の
形態４における半導体装置のエアブリッジ構造を示す断
面図である。この実施の形態４における半導体装置は、
図５に示すように、半導体基板４上に形成された第１層
配線３と、該第１層配線３をまたいで形成された第２層
配線１とを有するエアブリッジ構造を備えており、上記
第１層配線３の上面には、絶縁体層からなる保護層６が
形成され、さらに上記第１層配線３および上記保護層６
の上に絶縁膜７が形成されてなるものである。Embodiment 4 FIG. FIG. 5 is a sectional view showing an air bridge structure of a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention. The semiconductor device according to the fourth embodiment includes:
As shown in FIG. 5, an air bridge structure including a first layer wiring 3 formed on a semiconductor substrate 4 and a second layer wiring 1 formed over the first layer wiring 3 is provided. A protective layer 6 made of an insulator layer is formed on the upper surface of the first layer wiring 3, and further, the first layer wiring 3 and the protective layer 6
An insulating film 7 is formed on the substrate.
【００３９】上記絶縁膜７としては、例えば、ＳｉＯ2
膜やＳｉ3 Ｎ4 膜などが使用され、その厚みとしては、
５００オングストロームに形成されている。なお、第１
層配線３、第２層配線１としては、図１に示す実施の形
態１のものと同様のものを使用することができ、また、
保護層６は、図４に示す実施の形態４のものと同様のも
のを使用することができる。As the insulating film 7, for example, SiO 2
A film or a Si 3 N 4 film is used.
It is formed to 500 angstroms. The first
As the layer wiring 3 and the second layer wiring 1, the same wirings as those of the first embodiment shown in FIG. 1 can be used.
The same protective layer 6 as that of the fourth embodiment shown in FIG. 4 can be used.
【００４０】また、この実施の形態４における半導体装
置は、第１層配線３の形成後に厚みのある保護層６を形
成し、所望のパターン形状にエッチングした後、全面に
絶縁膜７を形成するようにし、また、有機物膜１２上に
は補強層２を形成しないようにすることの他は、上記の
実施の形態１の半導体装置の製造工程とほぼ同様の製造
工程によって製造することができる。In the semiconductor device according to the fourth embodiment, a protective layer 6 having a large thickness is formed after the formation of the first-layer wiring 3, and an insulating film 7 is formed on the entire surface after etching into a desired pattern shape. Otherwise, except that the reinforcing layer 2 is not formed on the organic material film 12, the semiconductor device can be manufactured by substantially the same manufacturing process as that of the semiconductor device of the first embodiment.
【００４１】この実施の形態４における半導体装置は、
上記第１層配線３の上面には、ＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ4 な
どの絶縁体層からなる保護層６が形成され、さらに第１
層配線３および保護層６の上には絶縁膜７が形成されて
いる。そのため、この半導体装置によれば、万一エアブ
リッジがつぶれて第２層配線１が垂れ下がってきても保
護層６および絶縁膜７により第１層配線３とのショート
を確実に防止することができ、しかも、第２層配線１か
らなるエアブリッジの作製を簡単に行うことができる。The semiconductor device according to the fourth embodiment is
On the upper surface of the first layer wiring 3, a protective layer 6 made of an insulator layer such as SiO 2 or Si 3 N 4 is formed.
An insulating film 7 is formed on the layer wiring 3 and the protective layer 6. Therefore, according to this semiconductor device, even if the air bridge is crushed and the second layer wiring 1 hangs down, the short circuit with the first layer wiring 3 can be reliably prevented by the protective layer 6 and the insulating film 7. In addition, the air bridge composed of the second-layer wiring 1 can be easily manufactured.
【００４２】実施の形態５．図６は、この発明の実施の
形態４における半導体装置のエアブリッジ構造を示す断
面図である。この実施の形態５における半導体装置は、
図６に示すように、半導体基板４上に形成された第１層
配線３と、該第１層配線３をまたいで形成された第２層
配線１とを有するエアブリッジ構造を備えており、上記
第２層配線１の立ち上がり部分には該第２層配線１を補
強するための絶縁体層５が形成されてなるものである。Embodiment 5 FIG. FIG. 6 is a sectional view showing an air bridge structure of a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention. The semiconductor device according to the fifth embodiment includes:
As shown in FIG. 6, an air bridge structure including a first layer wiring 3 formed on a semiconductor substrate 4 and a second layer wiring 1 formed across the first layer wiring 3 is provided. An insulating layer 5 for reinforcing the second layer wiring 1 is formed at the rising portion of the second layer wiring 1.
【００４３】上記絶縁体層５としては、例えば、ＳｉＯ
2 やＳｉ3 Ｎ4 などが使用される。なお、第１層配線
３、第２層配線１としては、図１に示す実施の形態１の
ものと同様のものを使用することができる。As the insulator layer 5, for example, SiO 2
2 or Si 3 N 4 is used. The first layer wiring 3 and the second layer wiring 1 may be the same as those of the first embodiment shown in FIG.
【００４４】また、この実施の形態５における半導体装
置は、第１層配線３の形成後に絶縁体層を形成し、第１
層配線３と第２層配線１とが交差する部分をエッチング
することにより絶縁体層５を形成するようにし、また、
有機物膜１２上には補強層２を形成しないようにするこ
との他は、上記の実施の形態１の半導体装置の製造工程
とほぼ同様の製造工程によって製造することができる。
また、第２層配線１の立ち上がり部分に形成される絶縁
体層５は、最後の工程で第１層配線３が配置される部分
を異方性エッチングでエッチバックして、エアブリッジ
となる第２層配線１の立ち上がり部分のみ選択的に絶縁
体層５を残すようにして形成してもよい。Further, in the semiconductor device according to the fifth embodiment, an insulator layer is formed after the formation of the first-layer wiring 3, and the first
The insulating layer 5 is formed by etching a portion where the layer wiring 3 and the second layer wiring 1 intersect,
Except that the reinforcing layer 2 is not formed on the organic film 12, the semiconductor device can be manufactured by substantially the same manufacturing process as that of the semiconductor device of the first embodiment.
The insulator layer 5 formed on the rising portion of the second-layer wiring 1 is etched back by anisotropic etching on the portion where the first-layer wiring 3 is arranged in the last step, and becomes the air bridge. The insulating layer 5 may be selectively left only at the rising portion of the two-layer wiring 1.
【００４５】この実施の形態５における半導体装置は、
第２層配線１の立ち上がり部分には該第２層配線１を補
強するための絶縁体層５が形成されているので、第２層
配線１のエアブリッジがつぶれにくくなっている。その
ため、この半導体装置によれば、第１層配線３と第２層
配線１のショートを防止することができる。The semiconductor device according to the fifth embodiment includes:
Since the insulator layer 5 for reinforcing the second-layer wiring 1 is formed at the rising portion of the second-layer wiring 1, the air bridge of the second-layer wiring 1 is hardly broken. Therefore, according to this semiconductor device, it is possible to prevent a short circuit between the first layer wiring 3 and the second layer wiring 1.
【００４６】実施の形態６．図７は、この発明の実施の
形態６における半導体装置のエアブリッジ構造を示す断
面図である。この実施の形態６における半導体装置は、
図７に示すように、半導体基板４上に形成された第１層
配線３と、該第１層配線３をまたいで形成された第２層
配線１とを有するエアブリッジ構造を備えており、上記
第２層配線１の立ち上がり部分には該第２層配線１を補
強するための絶縁体層５が形成され、また、第１層配線
３上には絶縁膜７が形成されてなるものである。Embodiment 6 FIG. FIG. 7 is a sectional view showing an air bridge structure of a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present invention. The semiconductor device according to the sixth embodiment includes:
As shown in FIG. 7, an air bridge structure having a first layer wiring 3 formed on a semiconductor substrate 4 and a second layer wiring 1 formed over the first layer wiring 3 is provided. An insulating layer 5 for reinforcing the second-layer wiring 1 is formed at a rising portion of the second-layer wiring 1, and an insulating film 7 is formed on the first-layer wiring 3. is there.
【００４７】なお、第１層配線３および第２層配線１と
しては図１に示す実施の形態１と同様のものが使用さ
れ、また、第１層配線３を覆う絶縁膜７としては図５に
示す実施の形態４と同様のものが使用され、さらには、
第２層配線１の立ち上がり部分に形成された絶縁体層５
としては図６に示す実施の形態５と同様のものが使用さ
れる。The first layer wiring 3 and the second layer wiring 1 are the same as those in the first embodiment shown in FIG. 1, and the insulating film 7 covering the first layer wiring 3 is shown in FIG. The same components as those of the fourth embodiment are used.
Insulator layer 5 formed on rising portion of second layer wiring 1
The same as that in the fifth embodiment shown in FIG. 6 is used.
【００４８】また、この実施の形態６における半導体装
置は、第１層配線３の形成後に絶縁膜７を全面に形成
し、この後絶縁体層を形成して第１層配線３と第２層配
線１とが交差する部分をエッチングすることにより絶縁
体層５を形成するようにし、また、有機物膜１２上には
補強層２を形成しないようにすることの他は、上記の実
施の形態１の半導体装置の製造工程とほぼ同様の製造工
程によって製造することができる。In the semiconductor device according to the sixth embodiment, the insulating film 7 is formed on the entire surface after the formation of the first-layer wiring 3, and thereafter, the insulating layer is formed to form the first-layer wiring 3 and the second-layer wiring. In the first embodiment, except that the insulator layer 5 is formed by etching a portion where the wiring 1 intersects, and the reinforcing layer 2 is not formed on the organic film 12. The semiconductor device can be manufactured by substantially the same manufacturing process as that of the semiconductor device.
【００４９】この実施の形態６における半導体装置は、
第２層配線１の立ち上がり部分には該第２層配線１を補
強するための絶縁体層５が形成され、また、上記第１層
配線３上には絶縁膜７が形成されているので、第２層配
線１のエアブリッジがつぶれにくくなっている。そのた
め、この半導体装置によれば、第１層配線３と第２層配
線１のショートを防止することができる。The semiconductor device according to the sixth embodiment is
An insulating layer 5 for reinforcing the second-layer wiring 1 is formed at the rising portion of the second-layer wiring 1, and an insulating film 7 is formed on the first-layer wiring 3. The air bridge of the second layer wiring 1 is not easily broken. Therefore, according to this semiconductor device, it is possible to prevent a short circuit between the first layer wiring 3 and the second layer wiring 1.
【００５０】実施の形態７．図８は、この発明の実施の
形態７における半導体装置のエアブリッジ構造を示す断
面図である。この実施の形態７における半導体装置は、
図８に示すように、半導体基板４上に形成された第１層
配線３と、該第１層配線３をまたいで形成された第２層
配線１とを有するエアブリッジ構造を備えており、上記
第２層配線１には２０００オングストローム以上の厚み
を有する金属層からなる補強層２が形成されており、ま
た、上記第２層配線１の立ち上がり部分には該第２層配
線１を補強するための絶縁体層５が形成されてなるもの
である。Embodiment 7 FIG. FIG. 8 is a sectional view showing an air bridge structure of a semiconductor device according to a seventh embodiment of the present invention. The semiconductor device according to the seventh embodiment includes:
As shown in FIG. 8, an air bridge structure having a first layer wiring 3 formed on a semiconductor substrate 4 and a second layer wiring 1 formed over the first layer wiring 3 is provided. A reinforcing layer 2 made of a metal layer having a thickness of 2000 Å or more is formed on the second-layer wiring 1, and the second-layer wiring 1 is reinforced at a rising portion of the second-layer wiring 1. The insulating layer 5 is formed.
【００５１】また、この実施の形態７における半導体装
置は、第１層配線３の形成後に絶縁体層を形成し、第１
層配線３と第２層配線１とが交差する部分をエッチング
することにより絶縁体層５を形成するようにすることの
他は、上記の実施の形態１の半導体装置の製造工程とほ
ぼ同様の製造工程によって製造することができる。ま
た、第２層配線１の立ち上がり部分に形成される絶縁体
層５は、最後の工程で第１層配線３が配置される部分を
異方性エッチングでエッチバックして、エアブリッジと
なる第２層配線１の立ち上がり部分のみ選択的に絶縁体
層５を残すようにして形成しても良い。Further, in the semiconductor device according to the seventh embodiment, an insulator layer is formed after the formation of the first-layer wiring 3, and the first
Except that the portion where the layer wiring 3 and the second layer wiring 1 intersect is etched to form the insulator layer 5, substantially the same as the manufacturing process of the semiconductor device of the first embodiment described above. It can be manufactured by a manufacturing process. The insulator layer 5 formed on the rising portion of the second-layer wiring 1 is etched back by anisotropic etching on the portion where the first-layer wiring 3 is arranged in the last step, and becomes the air bridge. The insulating layer 5 may be selectively left only at the rising portion of the two-layer wiring 1.
【００５２】この実施の形態７における半導体装置は、
第２層配線には２０００オングストローム以上の厚みを
有する金属層からなる補強層が形成されており、また、
上記第２層配線の立ち上がり部分には該第２層配線を補
強するための絶縁体層が形成されているので、第２層配
線のエアブリッジがつぶれにくくなっている。そのた
め、この半導体装置によれば、第１層配線と第２層配線
のショートを防止することができ、しかも第２層配線か
らなるエアブリッジの作製を簡単に行うことができる。The semiconductor device according to the seventh embodiment includes:
A reinforcing layer made of a metal layer having a thickness of 2000 Å or more is formed on the second layer wiring.
Since an insulating layer for reinforcing the second-layer wiring is formed at the rising portion of the second-layer wiring, the air bridge of the second-layer wiring is not easily broken. Therefore, according to this semiconductor device, a short circuit between the first layer wiring and the second layer wiring can be prevented, and an air bridge composed of the second layer wiring can be easily manufactured.
【００５３】なお、本発明は、上記の実施の形態に限定
されるものではなく、例えば、上記の実施の形態１の半
導体装置において、第２層配線１には実施の形態２で示
したような絶縁体層からなる補強層２を形成したもので
あってもよく、また、第１層配線３の上面には実施の形
態３で示したような絶縁体層からなる保護層６を形成し
たものであってもよい。The present invention is not limited to the above-described embodiment. For example, in the semiconductor device of the above-described first embodiment, the second-layer wiring 1 has the same structure as that of the second embodiment. The reinforcing layer 2 made of an insulating layer may be formed, and the protective layer 6 made of an insulating layer as shown in the third embodiment is formed on the upper surface of the first layer wiring 3. It may be something.
【００５４】また、上記の実施の形態２の半導体装置に
おいて、第１層配線３の上面には実施の形態３で示した
ような絶縁体層からなる保護層６を形成したものであっ
てもよく、また、第２層配線１の立ち上がり部分には実
施の形態５で示したような第２層配線１を補強するため
の絶縁体層５を形成したものであってよい。In the semiconductor device of the second embodiment, the protective layer 6 made of an insulator layer as shown in the third embodiment may be formed on the upper surface of the first layer wiring 3. In addition, an insulator layer 5 for reinforcing the second layer wiring 1 as described in the fifth embodiment may be formed at the rising portion of the second layer wiring 1.
【００５５】さらに、上記の実施の形態３の半導体装置
において、第２層配線１の立ち上がり部分には実施の形
態５で示したような第２層配線１を補強するための絶縁
体層５を形成したものであってよい。Further, in the semiconductor device of the third embodiment, the insulator layer 5 for reinforcing the second layer wiring 1 as shown in the fifth embodiment is provided at the rising portion of the second layer wiring 1. It may be formed.
【００５６】その他に本発明は、上記の実施の形態１〜
７の構成を適宜に組合せたものであってもよい。In addition, the present invention relates to the above-described first to third embodiments.
7 may be appropriately combined.
【００５７】[0057]
【発明の効果】この発明に係る半導体装置（請求項１）
によれば、半導体基板上に形成された第１層配線と、該
第１層配線をまたいで形成された第２層配線とを有する
エアブリッジ構造を備え、上記第２層配線には、２００
０オングストローム以上の厚みを有する金属層からなる
補強層が形成されてなるので、第２層配線のエアブリッ
ジがつぶれにくくなっており、そのため、第１層配線と
第２層配線のショートを防止することができ、しかも第
２層配線からなるエアブリッジの作製を簡単に行うこと
ができるという効果がある。The semiconductor device according to the present invention (Claim 1)
According to the present invention, there is provided an air bridge structure having a first-layer wiring formed on a semiconductor substrate and a second-layer wiring formed over the first-layer wiring.
Since the reinforcing layer made of a metal layer having a thickness of 0 angstrom or more is formed, the air bridge of the second layer wiring is not easily broken, thereby preventing a short circuit between the first layer wiring and the second layer wiring. In addition, there is an effect that the air bridge including the second layer wiring can be easily manufactured.
【００５８】この発明に係る半導体装置（請求項２）に
よれば、半導体基板上に形成された第１層配線と、該第
１層配線をまたいで形成された第２層配線とを有するエ
アブリッジ構造を備え、上記第２層配線には、絶縁体層
からなる補強層が形成されてなるので、第２層配線のエ
アブリッジがつぶれにくくなっており、そのため、第１
層配線と第２層配線のショートを防止することができ、
しかも第２層配線からなるエアブリッジの作製を簡単に
行うことができるという効果がある。According to the semiconductor device of the present invention, the air having the first layer wiring formed on the semiconductor substrate and the second layer wiring formed across the first layer wiring is provided. A bridge structure is provided, and a reinforcing layer made of an insulator layer is formed on the second-layer wiring, so that the air bridge of the second-layer wiring is not easily broken.
Short circuit between the layer wiring and the second layer wiring can be prevented,
Moreover, there is an effect that the air bridge composed of the second layer wiring can be easily manufactured.
【００５９】この発明に係る半導体装置（請求項３）に
よれば、半導体基板上に形成された第１層配線と、該第
１層配線をまたいで形成された第２層配線とを有するエ
アブリッジ構造を備え、上記第１層配線の上面には、絶
縁体層からなる保護層が形成されてなるので、万一エア
ブリッジがつぶれて第２層配線が垂れ下がってきても第
１層配線とのショートを確実に防止することができ、し
かも、第２層配線からなるエアブリッジの作製を簡単に
行うことができるという効果がある。According to the semiconductor device of the present invention (claim 3), the air having the first layer wiring formed on the semiconductor substrate and the second layer wiring formed over the first layer wiring. It has a bridge structure, and a protective layer made of an insulator layer is formed on the upper surface of the first layer wiring. Therefore, even if the air bridge is crushed and the second layer wiring hangs down, the first layer wiring is This has the effect that the short circuit can be reliably prevented and the air bridge composed of the second layer wiring can be easily manufactured.
【００６０】この発明に係る半導体装置（請求項４）に
よれば、半導体基板上に形成された第１層配線と、該第
１層配線をまたいで形成された第２層配線とを有するエ
アブリッジ構造を備え、上記第２層配線の立ち上がり部
分には、該第２層配線を補強するための絶縁体層が形成
されてなるので、第２層配線のエアブリッジがつぶれに
くくなっており、そのため、第１層配線と第２層配線の
ショートを防止することができるという効果がある。According to the semiconductor device of the present invention, the air having the first layer wiring formed on the semiconductor substrate and the second layer wiring formed over the first layer wiring is provided. A bridge structure is provided, and an insulating layer for reinforcing the second-layer wiring is formed at a rising portion of the second-layer wiring, so that an air bridge of the second-layer wiring is not easily collapsed. Therefore, there is an effect that a short circuit between the first layer wiring and the second layer wiring can be prevented.
【００６１】この発明に係る半導体装置（請求項５）に
よれば、上記の半導体装置（請求項１）において、上記
第２層配線には、絶縁体層からなる補強層が形成されて
なるので、第２層配線のエアブリッジがつぶれにくくな
っており、そのため第１層配線と第２層配線のショート
を防止することができ、しかも第２層配線からなるエア
ブリッジの作製を簡単に行うことができるという効果が
ある。According to the semiconductor device of the present invention (claim 5), in the above-described semiconductor device (claim 1), the second layer wiring is provided with a reinforcing layer made of an insulator layer. In addition, the air bridge of the second layer wiring is hardly broken, so that the short circuit between the first layer wiring and the second layer wiring can be prevented, and the air bridge composed of the second layer wiring can be easily manufactured. There is an effect that can be.
【００６２】この発明に係る半導体装置（請求項６）に
よれば、上記の半導体装置（請求項１）において、上記
第１層配線の上面には、絶縁体層からなる保護層が形成
されてなるので、万一エアブリッジがつぶれて第２層配
線が垂れ下がってきても第１層配線とのショートを防止
することができ、しかも第２層配線からなるエアブリッ
ジの作製を簡単に行うことができるという効果がある。According to the semiconductor device of the present invention (claim 6), in the above-described semiconductor device (claim 1), a protective layer made of an insulator layer is formed on an upper surface of the first layer wiring. Therefore, even if the air bridge is crushed and the second layer wiring hangs down, a short circuit with the first layer wiring can be prevented, and the air bridge composed of the second layer wiring can be easily manufactured. There is an effect that can be.
【００６３】この発明に係る半導体装置（請求項７）に
よれば、上記の半導体装置（請求項１）において、上記
第２層配線の立ち上がり部分には、該第２層配線を補強
するための絶縁体層が形成されてなるので、第２層配線
のエアブリッジがつぶれにくくなっており、そのため第
１層配線と第２層配線のショートを防止することができ
るという効果がある。According to the semiconductor device of the present invention (claim 7), in the above-mentioned semiconductor device (claim 1), a rising portion of the second layer wiring is provided at a rising portion for reinforcing the second layer wiring. Since the insulator layer is formed, the air bridge of the second-layer wiring is less likely to be crushed, so that there is an effect that a short circuit between the first-layer wiring and the second-layer wiring can be prevented.
【００６４】この発明に係る半導体装置（請求項８）に
よれば、上記の半導体装置（請求項２）において、上記
第１層配線の上面には、絶縁体層からなる保護層が形成
されてなるので、万一エアブリッジがつぶれて第２層配
線が垂れ下がってきても第１層配線とのショートを防止
することができ、しかも第２層配線からなるエアブリッ
ジの作製を簡単に行うことができるという効果がある。According to the semiconductor device of the present invention (claim 8), in the above-described semiconductor device (claim 2), a protective layer made of an insulator layer is formed on the upper surface of the first layer wiring. Therefore, even if the air bridge is crushed and the second layer wiring hangs down, a short circuit with the first layer wiring can be prevented, and the air bridge composed of the second layer wiring can be easily manufactured. There is an effect that can be.
【００６５】この発明に係る半導体装置（請求項９）に
よれば、上記の半導体装置（請求項２）において、上記
第２層配線の立ち上がり部分には、該第２層配線を補強
するための絶縁体層が形成されてなるので、第２層配線
のエアブリッジがつぶれにくくなっており、そのため第
１層配線と第２層配線のショートを防止することができ
るという効果がある。According to the semiconductor device of the present invention (claim 9), in the above-mentioned semiconductor device (claim 2), a rising portion of the second layer wiring is provided for reinforcing the second layer wiring. Since the insulator layer is formed, the air bridge of the second-layer wiring is less likely to be crushed, so that there is an effect that a short circuit between the first-layer wiring and the second-layer wiring can be prevented.
【００６６】この発明に係る半導体装置（請求項１０）
によれば、上記の半導体装置（請求項３）において、上
記第２層配線の立ち上がり部分には、該第２層配線を補
強するための絶縁体層が形成されてなるので、第２層配
線のエアブリッジがつぶれにくく、しかも万一エアブリ
ッジがつぶれて第２層配線が垂れ下がってきても第１層
配線上に保護層が形成されているため第１層配線と第２
層配線のショートを確実に防止することができるという
効果がある。A semiconductor device according to the present invention (Claim 10)
According to the semiconductor device, the insulator layer for reinforcing the second-layer wiring is formed at the rising portion of the second-layer wiring, so that the second-layer wiring is formed. Is difficult to collapse, and even if the air bridge collapses and the second layer wiring hangs down, the first layer wiring and the second layer wiring are formed because the protective layer is formed on the first layer wiring.
There is an effect that short circuit of the layer wiring can be surely prevented.
【図１】 この発明の実施の形態１における半導体装置
のエアブリッジ構造を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an air bridge structure of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 実施の形態１における半導体装置の製造工程
を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic view illustrating a manufacturing process of the semiconductor device according to the first embodiment;
【図３】 この発明の実施の形態２における半導体装置
のエアブリッジ構造を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing an air bridge structure of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention;
【図４】 この発明の実施の形態３における半導体装置
のエアブリッジ構造を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing an air bridge structure of a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention;
【図５】 この発明の実施の形態４における半導体装置
のエアブリッジ構造を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing an air bridge structure of a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図６】 この発明の実施の形態５における半導体装置
のエアブリッジ構造を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing an air bridge structure of a semiconductor device according to a fifth embodiment of the present invention.
【図７】 この発明の実施の形態６における半導体装置
のエアブリッジ構造を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing an air bridge structure of a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present invention.
【図８】 この発明の実施の形態７における半導体装置
のエアブリッジ構造を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing an air bridge structure of a semiconductor device according to a seventh embodiment of the present invention.
【図９】 従来の半導体装置のエアブリッジ構造を示す
断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating an air bridge structure of a conventional semiconductor device.
【図１０】 従来の他の半導体装置のエアブリッジ構造
を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing an air bridge structure of another conventional semiconductor device.
１ 上層（第２層配線）、２ 下層（補強層）、３ 第
１層配線 ４ 半導体基板、５ 絶縁体層、６ 絶縁層
（保護層）、７ 絶縁膜、８ 絶縁層、９ 厚メッキ、
１０ 半導体基板、１２ 有機物膜、２１ ソース電
極、２２ ゲート電極、２３ ドレイン電極。1 upper layer (second layer wiring), 2 lower layer (reinforcing layer), 3 first layer wiring 4 semiconductor substrate, 5 insulator layer, 6 insulating layer (protective layer), 7 insulating film, 8 insulating layer, 9 thick plating,
Reference Signs List 10 semiconductor substrate, 12 organic film, 21 source electrode, 22 gate electrode, 23 drain electrode.
Claims (10)
と、該第１層配線をまたいで形成された第２層配線とを
有するエアブリッジ構造を備え、 上記第２層配線には、２０００オングストローム以上の
厚みを有する金属層からなる補強層が形成されてなるこ
とを特徴とする半導体装置。An air bridge structure having a first layer wiring formed on a semiconductor substrate and a second layer wiring formed over the first layer wiring, wherein the second layer wiring includes: A semiconductor device comprising a reinforcing layer made of a metal layer having a thickness of 2000 Å or more.
と、該第１層配線をまたいで形成された第２層配線とを
有するエアブリッジ構造を備え、 上記第２層配線には、絶縁体層からなる補強層が形成さ
れてなることを特徴とする半導体装置。2. An air bridge structure having a first layer wiring formed on a semiconductor substrate and a second layer wiring formed over the first layer wiring, wherein the second layer wiring includes: A semiconductor device comprising a reinforcing layer formed of an insulator layer.
と、該第１層配線をまたいで形成された第２層配線とを
有するエアブリッジ構造を備え、 上記第１層配線の上面には、絶縁体層からなる保護層が
形成されてなることを特徴とする半導体装置。3. An air bridge structure having a first layer wiring formed on a semiconductor substrate and a second layer wiring formed over the first layer wiring, wherein an air bridge structure is provided on an upper surface of the first layer wiring. Is a semiconductor device comprising a protective layer made of an insulator layer.
と、該第１層配線をまたいで形成された第２層配線とを
有するエアブリッジ構造を備え、 上記第２層配線の立ち上がり部分には、該第２層配線を
補強するための絶縁体層が形成されてなることを特徴と
する半導体装置。4. An air bridge structure having a first layer wiring formed on a semiconductor substrate and a second layer wiring formed over the first layer wiring, wherein a rising portion of the second layer wiring is provided. Wherein an insulator layer for reinforcing the second layer wiring is formed.
れてなることを特徴とする半導体装置。5. The semiconductor device according to claim 1, wherein a reinforcement layer made of an insulator layer is formed on the second layer wiring.
形成されてなることを特徴とする半導体装置。6. The semiconductor device according to claim 1, wherein a protective layer made of an insulator layer is formed on an upper surface of said first layer wiring.
補強するための絶縁体層が形成されてなることを特徴と
する半導体装置。7. The semiconductor device according to claim 1, wherein an insulating layer for reinforcing said second layer wiring is formed at a rising portion of said second layer wiring. apparatus.
形成されてなることを特徴とする半導体装置。8. The semiconductor device according to claim 2, wherein a protective layer made of an insulator layer is formed on an upper surface of said first layer wiring.
補強するための絶縁体層が形成されてなることを特徴と
する半導体装置。9. The semiconductor device according to claim 2, wherein an insulating layer for reinforcing the second-layer wiring is formed at a rising portion of the second-layer wiring. apparatus.
て、 上記第２層配線の立ち上がり部分には、該第２層配線を
補強するための絶縁体層が形成されてなることを特徴と
する半導体装置。10. The semiconductor device according to claim 3, wherein an insulating layer for reinforcing said second layer wiring is formed at a rising portion of said second layer wiring. apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16621296A JPH1012722A (en) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16621296A JPH1012722A (en) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012722A true JPH1012722A (en) | 1998-01-16 |
Family
ID=15827188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16621296A Pending JPH1012722A (en) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012722A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1996
- 1996-06-26 JP JP16621296A patent/JPH1012722A/en active Pending
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