JPH10125976A - Photosensor and its photoconduction layer forming material - Google Patents

Photosensor and its photoconduction layer forming material

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JPH10125976A
JPH10125976A JP8282077A JP28207796A JPH10125976A JP H10125976 A JPH10125976 A JP H10125976A JP 8282077 A JP8282077 A JP 8282077A JP 28207796 A JP28207796 A JP 28207796A JP H10125976 A JPH10125976 A JP H10125976A
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JP
Japan
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optical sensor
information recording
group
recording medium
voltage
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Application number
JP8282077A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumio Shimada
文生 島田
Hiroyuki Nomori
弘之 野守
Shinichi Hikosaka
眞一 彦坂
Hironori Kamiyama
弘徳 上山
Daigo Aoki
大吾 青木
Manabu Yamamoto
学 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Konica Minolta Inc
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Publication date
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    • Y02E10/549Organic PV cells

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  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To supply a fixed performance stably by causing a photoconduction layer to contain a specific bisazo compound. SOLUTION: A photosensor containing a bisazo compound represented by formula I in formula I, X1 and X2 represent a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl radical, a substituted or unsubstituted alkoxy radical, a nitro radical, a cyano radical, a hydroxy radical or substituted or unsubstituted amino radical respectively, and at least one of X1 and X2 is a halogen atom. p and q represent integers of 0, 1, or 2 respectively, and do not become zero simultaneously. And when p and q are two, X1 and X2 may be the same or different radicals respectively. 'A' represents a radical represented by formula II. (In formula II, Ar represents an aromatic carbocyclic radical or aromatic complex cyclic radical having a fluoride hydrocarbon radical. Z represents a group of nonmetallic atoms necessary for forming a substituted or unsubstituted aromatic carbocyclic radical or aromatic complex cyclic radical. m and n represent integers of 0, 1 or 2 respectively. But m and n do not become zero simultaneously.} is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報を可視情報
または静電情報の形態で情報記録媒体へ記録することが
できる光センサー、及びその光導電層形成用材料に関す
る。
The present invention relates to an optical sensor capable of recording optical information in the form of visible information or electrostatic information on an information recording medium, and a material for forming a photoconductive layer thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】光情報を情報記録媒体に記録するため
に、前面に電極が設けられた光導電層からなる光センサ
ーと、該光センサーに対向し、後面に電極が設けられた
電荷保持層からなる情報記録媒体とを光軸上に配置し、
両電極間に電圧を印加しつつ露光し、入射光学像に応じ
て、電荷保持層に静電電荷を記録させ、その静電電荷を
トナー現像するかまたは電位読み取り装置により再生す
る方法は、例えば特開平1−290366号公報、特開
平1−289975号公報に記載されている。また、前
記方法における電荷保持層を加熱可塑性樹脂層とし、静
電電荷を熱可塑樹脂層表面に記録した後加熱し、熱可塑
性樹脂層表面にフロスト像を形成することにより記録さ
れた静電電荷を可視化する方法は、例えば特開平3−1
92288号公報により記載されている。
2. Description of the Related Art In order to record optical information on an information recording medium, an optical sensor comprising a photoconductive layer provided with an electrode on the front surface, and a charge holding layer provided on the rear surface with an electrode opposed to the optical sensor. And an information recording medium comprising on the optical axis,
A method of exposing while applying a voltage between both electrodes, recording an electrostatic charge on the charge holding layer according to the incident optical image, and developing the electrostatic charge with a toner or reproducing with a potential reading device, for example, It is described in JP-A-1-290366 and JP-A-1-289975. Further, the charge holding layer in the above method is a thermoplastic resin layer, the electrostatic charge is recorded on the surface of the thermoplastic resin layer, then heated, and the electrostatic charge recorded by forming a frost image on the surface of the thermoplastic resin layer. A method for visualizing is described in, for example, JP-A-3-1
No. 92288.

【0003】さらに、本出願人等は、前記情報記録媒体
における情報記録層を液晶−高分子複合体型液晶記録層
として、前記同様に電圧印加時に露光し、光センサーに
より形成される電界により液晶層を配向させて情報記録
を行い、情報記録の再生にあたっては透過光あるいは反
射光により可視情報として再生する情報記録再生方法
を、先に特願平4−3394号、特願平4−24722
号、特願平5−266646号として出願した。この情
報記録再生方法は偏向板を使用しなくとも記録された情
報を可視化できる。
Furthermore, the present applicants have disclosed that the information recording layer in the information recording medium is a liquid crystal-polymer composite type liquid crystal recording layer, which is exposed when a voltage is applied in the same manner as described above, and which is exposed to an electric field formed by an optical sensor. The information recording and reproducing method of reproducing information as visible information by transmitted light or reflected light when reproducing information is described in Japanese Patent Application Nos. Hei 4-3394 and Hei 4-24722.
And Japanese Patent Application No. 5-266646. This information recording / reproducing method can visualize recorded information without using a deflection plate.

【0004】本出願人は、上記の情報記録システムにお
いて、その光センサーを半導電性であり、増幅作用を有
するものとすることにより、情報記録媒体への情報記録
性能に優れるものとできることを見出し、先に特願平6
−6437号として出願したが、情報記録性能が安定
し、また、繰り返し使用に耐える光センサーの提供が求
められている。
[0004] The present applicant has found that in the above-mentioned information recording system, by making the optical sensor semiconductive and having an amplifying action, it is possible to improve the information recording performance on an information recording medium. First, Japanese Patent Application No. 6
Although the application was filed as Japanese Patent No. -6437, there is a demand for providing an optical sensor that has stable information recording performance and that can withstand repeated use.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、情報記録媒
体への情報形成に使用される光センサー、及びその光導
電層形成用材料であって、一定の性能を安定的に供給す
ることができ、耐用性に優れた光センサー、及びその光
導電層形成用材料の提供を課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an optical sensor used for forming information on an information recording medium and a material for forming a photoconductive layer thereof, which is capable of stably supplying a constant performance. An object of the present invention is to provide an optical sensor which can be manufactured and has excellent durability and a material for forming a photoconductive layer thereof.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の光センサ
ーは、少なくとも電極上に光導電層を有する光センサー
であって、少なくとも電極上に情報記録層を有する情報
記録媒体と対向配置され、両電極間に露光した状態で電
圧を印加するか、あるいは電圧を印加した状態で露光
し、情報記録媒体に電界又は電荷量により情報を形成す
ることが可能な光センサーにおいて、該光センサーにお
ける光導電層中に、下記一般式(1)で示されるビスア
ゾ化合物を含有することを特徴とする。
A first optical sensor according to the present invention is an optical sensor having a photoconductive layer on at least an electrode, and is disposed to face an information recording medium having at least an information recording layer on the electrode. In a light sensor capable of applying a voltage in a state of being exposed between both electrodes or exposing in a state of applying a voltage and forming information on an information recording medium by an electric field or a charge amount, The photoconductive layer contains a bisazo compound represented by the following general formula (1).

【0007】[0007]

【化7】 Embedded image

【0008】{式中、X1 及びX2 は、それぞれ、ハロ
ゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル基、置換若し
くは未置換のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ヒド
ロキシ基又は置換若しくは未置換のアミノ基を表わし、
1 及びX2 のうち少なくとも1つはハロゲン原子であ
る。
In the formula, X 1 and X 2 each represent a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group or a substituted or unsubstituted amino group; Represents a group,
At least one of X 1 and X 2 is a halogen atom.

【0009】pおよびqはそれぞれ0、1又は2の整数
を表わし、pおよびqは同時に0になることはなく、且
つ、pおよびqが2のときは、X1 及びX2 はそれぞれ
同一又は異なる基であってもよい。Aは下記一般式
(2)で表される基を表わす。
P and q each represent an integer of 0, 1 or 2; p and q are not simultaneously 0; and when p and q are 2, X 1 and X 2 are the same or It may be a different group. A represents a group represented by the following general formula (2).

【0010】[0010]

【化8】 Embedded image

【0011】(式中、Arはフッ素化炭化水素基を有す
る芳香族炭素環基又は芳香族複素環基を表わす。Zは置
換若しくは未置換の芳香族炭素環基又は芳香族複素環基
を形成するのに必要な非金属原子群を表わす。) m及びnはそれぞれ0、1又は2の整数を表わす。但
し、m及びnが同時に0となることはない。}。
(Wherein, Ar represents an aromatic carbocyclic group or an aromatic heterocyclic group having a fluorinated hydrocarbon group; Z represents a substituted or unsubstituted aromatic carbocyclic group or an aromatic heterocyclic group) M and n each represent an integer of 0, 1 or 2. However, m and n do not become 0 at the same time. }.

【0012】本発明の第2の光センサーは、少なくとも
電極上に光導電層を有する光センサーであって、少なく
とも電極上に情報記録層を有する情報記録媒体と対向配
置され、両電極間に露光した状態で電圧を印加するか、
あるいは電圧を印加した状態で露光し、情報記録媒体に
電界又は電荷量により情報を形成することが可能な光セ
ンサーにおいて、該光センサーにおける光導電層中に、
下記構造式(3)または構造式(4)のイミダゾールペ
リレン化合物を含有することを特徴とする。
A second optical sensor according to the present invention is an optical sensor having a photoconductive layer on at least an electrode, and is disposed so as to face an information recording medium having an information recording layer on at least the electrode. Voltage or apply
Alternatively, exposure is performed with a voltage applied, and in an optical sensor capable of forming information by an electric field or a charge amount on an information recording medium, in a photoconductive layer in the optical sensor,
It is characterized by containing an imidazole perylene compound represented by the following structural formula (3) or (4).

【0013】[0013]

【化9】 Embedded image

【0014】また、上記の本発明の光センサーは半導電
性であり、両電極間に露光した状態で電圧を印加する
か、あるいは電圧を印加した状態で露光すると、情報記
録媒体に露光に起因する電流以上に増幅された強度で情
報記録することができ、また、露光を終了した後も電圧
を印加し続けると導電性が徐々に減衰する挙動を示し、
引き続き情報記録媒体に情報記録を継続する作用を有す
ることを特徴とする。
The optical sensor of the present invention is semiconductive, and when a voltage is applied while exposing between both electrodes, or when an exposure is performed with a voltage applied, the information recording medium is exposed to light. It is possible to record information with an intensity that is greater than or equal to the current flowing, and also shows the behavior that the conductivity gradually decreases when the voltage is continuously applied even after the exposure is completed,
It has the function of continuing to record information on the information recording medium.

【0015】更に、上記の本発明の光センサーが、10
5 〜106 V/cmの電界強度の電圧印加時において、
未露光部での通過電流密度が10-4〜10-7A/cm2
であることを特徴とする。
Further, the above-mentioned optical sensor of the present invention is
When a voltage with an electric field strength of 5 to 10 6 V / cm is applied,
The passing current density in the unexposed area is 10 −4 to 10 −7 A / cm 2
It is characterized by being.

【0016】また、本発明の第1の光センサーにおける
光導電層形成用材料は、少なくとも電極上に光導電層を
有する光センサーと、少なくとも電極上に情報記録層を
有する情報記録媒体とが対向配置され、両電極間に、露
光した状態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印加し
た状態で露光し、情報記録媒体に電界又は電荷量により
情報を形成することが可能な光センサーにおける光導電
層形成用材料であって、上記一般式(1)で示されるビ
スアゾ化合物を含有することを特徴とする。
The photoconductive layer forming material in the first optical sensor of the present invention is such that an optical sensor having a photoconductive layer on at least an electrode and an information recording medium having an information recording layer on at least the electrode are opposed to each other. A photoconductive sensor in a photosensor that is arranged and applies a voltage between both electrodes in an exposed state, or can be exposed in a state where a voltage is applied to form information on an information recording medium by an electric field or a charge amount. A layer forming material, characterized by containing a bisazo compound represented by the general formula (1).

【0017】また、本発明の第2の光センサーにおける
光導電層形成用材料は、少なくとも電極上に光導電層を
有する光センサーと、少なくとも電極上に情報記録層を
有する情報記録媒体とが対向配置され、両電極間に、露
光した状態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印加し
た状態で露光し、情報記録媒体に電界又は電荷量により
情報を形成することが可能な光センサーにおける光導電
層形成用材料であって、上記構造式(3)または構造式
(4)のイミダゾールペリレン化合物を含有することを
特徴とする。
Further, in the photoconductive layer forming material in the second photosensor of the present invention, the photosensor having at least the photoconductive layer on the electrode and the information recording medium having the information recording layer on at least the electrode are opposed to each other. A photoconductive sensor in a photosensor that is arranged and applies a voltage between both electrodes in an exposed state, or can be exposed in a state where a voltage is applied to form information on an information recording medium by an electric field or a charge amount. A layer forming material, characterized by containing the imidazole perylene compound of the structural formula (3) or (4).

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明における光センサーは、電極上に光導電層を積層
してなり、この光導電層は単層型のものと電荷発生層及
び電荷輸送層を積層した積層型のものである。光導電層
は一般には光が照射されると照射部分で光誘起電荷キャ
リア(電子、正孔)が発生し、それらのキャリアが層幅
を移動することができる機能を有するものである。本発
明では後述する特定のアゾ化合物を、単層型の場合には
その光導電層中に、また、積層型の場合にはその電荷発
生層中に含有する光センサーとすることにより、光セン
サーへの光照射時において情報記録媒体に付与される電
界または電荷量が光照射に経時的に増幅され、また光照
射を終了した後でも電圧を印加し続けるとその増加した
導電性は徐々に減衰しながらも持続し、引き続き電界ま
たは電荷量を情報記録媒体に付与し続ける作用を有する
に至るものであり、一定の電気的特性を安定的に示すば
かりでなく、皮膜物性が良好で繰り返し使用による劣化
が少ない光センサーとできるものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The photosensor according to the present invention is formed by laminating a photoconductive layer on an electrode, and the photoconductive layer is a single layer type and a stacked type in which a charge generation layer and a charge transport layer are stacked. The photoconductive layer generally has a function of generating photo-induced charge carriers (electrons and holes) at an irradiated portion when irradiated with light, and allowing these carriers to move in a layer width. In the present invention, a specific azo compound described below is contained in the photoconductive layer in the case of a single-layer type, and in the charge generation layer in the case of a multilayer type, thereby providing an optical sensor. When light is applied to the information recording medium, the electric field or charge applied to the information recording medium is amplified over time with the light irradiation, and the increased conductivity gradually attenuates when voltage is applied even after the light irradiation is completed. While maintaining the electric field or the amount of electric charge to the information recording medium, not only stably exhibiting a certain electric property, but also having good film properties and repeated use. It can be an optical sensor with little deterioration.

【0019】本発明の光センサーにおける光誘起電流増
幅作用について説明する。増幅作用測定用光センサの光
導電層上に0.16cm2 の金電極を積層する。そし
て、この両電極間にITO電極を正極として直流の一定
電圧を印加すると共に、電圧印加開始後0.5秒後に基
板側から0.033秒間光照射し、測定時間中の光セン
サーにおける電流値の挙動を、光照射開始時(t=0)
から測定する。なお、照射光はキセノンランプ(浜松ホ
トニクス社製L2274)を光源に、グリーンフィルタ
ー(日本真空光学社製)により得られる緑色光を、20
ルックスの強度で照射した照射光強度を照度計(ミノル
タ社製)で測定し、使用したフィルターの特性を図5に
示す。
A description will be given of the photo-induced current amplifying action of the optical sensor according to the present invention. A gold electrode of 0.16 cm 2 is laminated on the photoconductive layer of the optical sensor for measuring an amplification effect. A constant DC voltage is applied between the two electrodes with the ITO electrode as a positive electrode, and 0.5 seconds after the start of the voltage application, light is irradiated from the substrate side for 0.033 seconds, and the current value of the optical sensor during the measurement time is measured. At the start of light irradiation (t = 0)
Measure from. The irradiation light was a green light obtained by a green filter (manufactured by Nippon Vacuum Optical Co., Ltd.) using a xenon lamp (L2274 manufactured by Hamamatsu Photonics) as a light source.
The intensity of irradiation light irradiated at the intensity of looks was measured with an illuminometer (manufactured by Minolta), and the characteristics of the filter used are shown in FIG.

【0020】この光強度で光照射した時、透明基材、I
TO膜の光透過率、フィルターの分光特性を考慮する
と、光導電層には4.2×1011個/cm2 秒のフォト
ンが入射する。そして、入射したフォトンが全て光キャ
リアに変換されると、理論的には光電流としては単位面
積当たり1.35×10-6A/cm2 の電流が発生す
る。ここで前記測定装置により測定する場合に、理論的
光電流に対して、光センサーで実際に発生した光誘起電
流の割合、すなわち、 見掛けの量子効率=(光センサーで実際に発生する光誘
起電流値/理論的光電流値) として、光センサーにおけるみかけの量子効率と定義す
る。また、光誘起電流とは、光照射部の電流値から光を
照射しない部分で流れる電流であるベース電流値を差し
引いたものであり、光照射中あるいは光照射後もベース
電流以上の光照射に起因する電流が流れるものをいい、
いわゆる光電流とは相違する。本発明の光センサーにお
ける光誘起電流増幅作用とは、このような光誘起電流の
挙動のことであると定義する。
When light is irradiated at this light intensity, the transparent substrate, I
Considering the light transmittance of the TO film and the spectral characteristics of the filter, 4.2 × 10 11 photons / cm 2 seconds enter the photoconductive layer. When all the incident photons are converted into optical carriers, a photocurrent of 1.35 × 10 −6 A / cm 2 per unit area is theoretically generated. Here, when measuring with the measuring device, the ratio of the photo-induced current actually generated in the optical sensor to the theoretical photo-current, that is, apparent quantum efficiency = (photo-induced current actually generated in the optical sensor) Value / theoretical photocurrent value) is defined as the apparent quantum efficiency of the optical sensor. The light-induced current is a value obtained by subtracting a base current value, which is a current flowing in a portion not irradiated with light, from a current value of a light irradiation portion. The current that flows due to
This is different from a so-called photocurrent. The photo-induced current amplification action in the photo-sensor of the present invention is defined as such a behavior of the photo-induced current.

【0021】本発明における光誘起電流増幅作用を有す
る光センサーと、光誘起電流増幅作用を有さない光セン
サー(以下、比較センサーという)とを前記測定装置で
の測定結果を使用して説明する。まず、比較センサーに
ついての測定結果の一例を図6に示す。図6において、
(m)線は前記理論値(1.35×10-6A/cm2
を示す参考線で、光照射を0.033秒間行い、光照射
後も電圧印加を継続した状態を示す。(n)線は比較セ
ンサーの実測線で光照射中の光電流の増加は小さく、そ
の値も理論値(1.35×10-6A/cm2 )を超え
ず、この比較センサーにおけるみかけの量子効率は最高
で約0.4までにしかならない。光照射中の量子効率の
変化を図7に示す。
An optical sensor having a photo-induced current amplifying action and an optical sensor having no photo-induced current amplifying action (hereinafter referred to as a comparative sensor) according to the present invention will be described with reference to the measurement results obtained by the measuring apparatus. . First, an example of the measurement result of the comparative sensor is shown in FIG. In FIG.
The (m) line is the theoretical value (1.35 × 10 −6 A / cm 2 ).
Indicates a state in which light irradiation was performed for 0.033 seconds and voltage application was continued after light irradiation. The line (n) is an actual measurement line of the comparative sensor, and the increase of the photocurrent during light irradiation is small, and the value does not exceed the theoretical value (1.35 × 10 −6 A / cm 2 ). The quantum efficiency is only up to about 0.4. FIG. 7 shows changes in quantum efficiency during light irradiation.

【0022】これに対して本発明の光センサーは一例と
して図8に示すように光照射時は光誘起電流が増加し
て、量子効率との関係を示す図9から明らかなように約
0.01秒で量子効率は1を超え、その後も量子効率は
増加を続けることがわかる。
On the other hand, in the optical sensor of the present invention, as shown in FIG. 8, as an example, the light-induced current increases upon irradiation with light, as shown in FIG. It can be seen that the quantum efficiency exceeds 1 at 01 seconds, and the quantum efficiency continues to increase thereafter.

【0023】また、比較センサーでは光照射終了後と同
時に光電流が急激に減衰するため、光照射後継続して電
圧印加しても光情報として有効な電流は得られない。こ
れに対して、本発明の光センサーにおいては、光照射後
も電圧印加を継続することにより光誘起電流が徐々に減
衰しながらも継続して流れ、引き続いて光誘起電流を取
り出すことができ、光情報を続けて得ることができる。
Further, in the comparative sensor, the photocurrent abruptly attenuates at the same time as the end of the light irradiation. Therefore, even if a voltage is continuously applied after the light irradiation, a current effective as optical information cannot be obtained. On the other hand, in the optical sensor of the present invention, by continuing the voltage application even after the light irradiation, the photoinduced current flows continuously while gradually attenuating, and the photoinduced current can be subsequently taken out. Optical information can be continuously obtained.

【0024】その詳細な理由は不明であるが、本発明の
光センサーにおいては、情報光の照射に伴い発生する光
誘起電荷キャリアのうちの全てが電圧印加状態において
光導電層の層幅方向に移動するわけでなく、光誘起電荷
キャリアの一部が光導電層中あるいは電極と光導電層の
界面に存在するトラップサイトにトラップされたような
状態となり、このトラップされた電荷は経時的に蓄積さ
れ、電圧印加した状態では露光により発生する光電流に
加えて、このトラップされた電荷により誘起される電極
からの注入電流が流れ、見かけの光誘起電流量を経時的
に増幅されるものと考えられる。ただし、この現象は電
極から電荷発生層への電荷キャリアの注入が適度になさ
れた場合生じるのであり、適度な注入が行われない場
合、すなわち、注入が少なすぎる場合や注入が多過ぎる
場合には増幅作用はほとんど見られない。
Although the detailed reason is unknown, in the optical sensor of the present invention, all of the photo-induced charge carriers generated by the irradiation of the information light are generated in the direction of the width of the photoconductive layer in a voltage applied state. Instead of moving, some of the photoinduced charge carriers are trapped in the trap sites existing in the photoconductive layer or at the interface between the electrode and the photoconductive layer, and the trapped charges accumulate over time. It is considered that in the state where a voltage is applied, in addition to the photocurrent generated by exposure, an injection current from the electrode induced by the trapped charges flows, and the apparent photoinduced current is amplified with time. Can be However, this phenomenon occurs when charge carriers are appropriately injected from the electrode to the charge generation layer, and when appropriate injection is not performed, that is, when injection is too small or injection is too large. There is almost no amplification effect.

【0025】本発明では、光導電層中に電荷発生剤を含
有する光センサーを用いることにより電極から電荷発生
層への電荷キャリアの注入が適度になされ、光誘起電流
増幅作用を有効に生じさせることができる。そして、電
圧を印加した状態を維持しつつ露光を終了する場合には
露光により生じる光キャリアはただちに減衰して消滅す
るが、トラップされた電荷の減衰は緩やかであるためト
ラップされた電荷により誘起される電極からの注入電流
は減衰しながらも充分な量が流れ、徐々に減衰が生じる
と推測される。この光誘起電流は本発明の光センサーに
おける光をトリガーとした電流増幅による効果であり、
通常の感光体で予想される入射した光に起因する光電流
以上の電流が流れるために情報記録媒体に対して効果的
な光情報供与を可能とするものである。
In the present invention, by using an optical sensor containing a charge generating agent in the photoconductive layer, charge carriers are appropriately injected from the electrode to the charge generating layer, and a photo-induced current amplifying action is effectively generated. be able to. When the exposure is completed while maintaining the voltage applied state, the photocarriers generated by the exposure are immediately attenuated and disappear, but the decay of the trapped charges is slow, so that the induced carriers are induced by the trapped charges. It is presumed that a sufficient amount of the injected current flows from the electrodes while attenuating, and the attenuation gradually occurs. This photo-induced current is an effect of current amplification triggered by light in the optical sensor of the present invention,
Since a current larger than a photocurrent caused by incident light expected from a normal photosensitive member flows, it is possible to effectively provide optical information to an information recording medium.

【0026】これに対して、一般の電子写真用で用いら
れている感光体素子は、暗抵抗率が1014〜1016Ω・
cmのものが用いられており、本発明の光センサーは電
子写真において、その目的を達することができず、ま
た、一般の電子写真用の暗抵抗率が大きな光導電層を有
する光センサーは、本発明の目的には使用することがで
きない。
On the other hand, a photosensitive element used for general electrophotography has a dark resistivity of 10 14 to 10 16 Ω ·
cm, the photosensor of the present invention cannot achieve its purpose in electrophotography, and a photosensor having a photoconductive layer having a large dark resistivity for general electrophotography is: It cannot be used for the purpose of the present invention.

【0027】また、光センサーの比抵抗ρ(Ω・cm)
と電流密度J(A/cm2 )の間には、光センサーの膜
厚をd、電極面積をS、及び印加電界強度をE(V/c
m)とすると、ρ=(E・d/J・S)×(S/d)=
E/J の関係式が成立するので、比抵抗ρ(Ω・c
m)は、印加電界強度と電流密度から求めることができ
るが、本発明の各実施例においては、電流密度によって
表現する。
The specific resistance ρ (Ω · cm) of the optical sensor
And the current density J (A / cm 2 ), the film thickness of the optical sensor is d, the electrode area is S, and the applied electric field strength is E (V / c).
m), ρ = (E · d / J · S) × (S / d) =
Since the relational expression of E / J holds, the specific resistance ρ (Ω · c
m) can be obtained from the applied electric field strength and the current density, and in each embodiment of the present invention, is expressed by the current density.

【0028】上記の一般式(1)で示される特定のビス
アゾ化合物や、構造式(3)、(4)で示されるイミダ
ゾールペリレン化合物を含有させた電子写真感光体が知
られている(特開平2−20877号、特開平7−26
1436号)が、本発明者らは、上述の如き光センサー
を改良すべく研究した結果、光導電層中に一般式(1)
で示される特定のビスアゾ化合物や構造式(3)、
(4)で示されるイミダゾールペリレン化合物を含有さ
せることにより、光センサーとしての特有の性能を安定
して発揮することを見出し、本発明に至った。
An electrophotographic photoreceptor containing a specific bisazo compound represented by the general formula (1) or an imidazole perylene compound represented by the structural formulas (3) and (4) is known (Japanese Patent Application Laid-open No. JP-A-2-20877, JP-A-7-26
No. 1436), the present inventors have studied to improve the optical sensor as described above, and as a result, the general formula (1)
A specific bisazo compound represented by the formula (3),
The inventor has found that the incorporation of the imidazole perylene compound represented by (4) stably exerts the specific performance as an optical sensor, leading to the present invention.

【0029】本発明の第1の光センサーにおける光導電
層中に含有させる前記一般式(1)で示されるビスアゾ
化合物は、好ましくは下記一般式(5)、(6)、
(7)、(8)で表される。
The bisazo compound represented by the general formula (1) contained in the photoconductive layer in the first optical sensor of the present invention is preferably represented by the following general formulas (5) and (6).
(7) and (8).

【0030】[0030]

【化10】 Embedded image

【0031】式中、X1a、X1b、X2a及びX2bは、それ
ぞれ水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のア
ルキル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、ニトロ
基、シアノ基、ヒドロキシ基又は置換若しくは未置換の
アミノ基を表わし、X1a、X1b、X2a及びX2bのうち、
少なくとも1つはハロゲン原子である。X1a、X1b、X
2a及びX2bは、それぞれ同一又は異なる基であってもよ
い。Ar′は前記一般式(1)におけるArと同義であ
る。Yは前記一般式(1)におけるZの置換基と同義で
ある。下記に本発明における前記一般式(1)で示され
るビスアゾ化合物の具体例について述べるが、本発明に
おけるビスアゾ化合物が限定されるものではない。
In the formula, X 1a , X 1b , X 2a and X 2b each represent a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a nitro group, a cyano group or a hydroxy group. Or a substituted or unsubstituted amino group, and among X 1a , X 1b , X 2a and X 2b ,
At least one is a halogen atom. X 1a , X 1b , X
2a and X 2b may be the same or different groups. Ar ′ has the same meaning as Ar in the general formula (1). Y has the same meaning as the substituent of Z in the general formula (1). Hereinafter, specific examples of the bisazo compound represented by the general formula (1) in the present invention will be described, but the bisazo compound in the present invention is not limited thereto.

【0032】具体的例示化合物Specific exemplified compounds

【0033】[0033]

【化11】 Embedded image

【0034】[0034]

【表1】 [Table 1]

【0035】[0035]

【表2】 [Table 2]

【0036】[0036]

【表3】 [Table 3]

【0037】[0037]

【表4】 [Table 4]

【0038】[0038]

【表5】 [Table 5]

【0039】[0039]

【表6】 [Table 6]

【0040】[0040]

【表7】 [Table 7]

【0041】[0041]

【表8】 [Table 8]

【0042】[0042]

【表9】 [Table 9]

【0043】[0043]

【表10】 [Table 10]

【0044】[0044]

【表11】 [Table 11]

【0045】[0045]

【表12】 [Table 12]

【0046】[0046]

【表13】 [Table 13]

【0047】[0047]

【表14】 [Table 14]

【0048】[0048]

【表15】 [Table 15]

【0049】[0049]

【表16】 [Table 16]

【0050】[0050]

【表17】 [Table 17]

【0051】[0051]

【表18】 [Table 18]

【0052】[0052]

【表19】 [Table 19]

【0053】本発明における一般式(1)で示されるビ
スアゾ化合物は、公知の方法により容易に合成でき、例
えば特開平2−20877号公報に記載されている。
The bisazo compound represented by the general formula (1) in the present invention can be easily synthesized by a known method, and is described, for example, in JP-A-2-20877.

【0054】次に、本発明の第1の光センサーについて
説明する。図1は積層型光センサーを説明するための断
面図であり、図中13は電極、14’は電荷発生層、1
4”は電荷輸送層、15は基板である。
Next, the first optical sensor of the present invention will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a stacked optical sensor, in which 13 is an electrode, 14 ′ is a charge generation layer,
4 "is a charge transport layer and 15 is a substrate.

【0055】電荷発生層14’は、上記の一般式(1)
で示されるビスアゾ化合物を適当な媒体中で微細粒子と
し、必要に応じてバインダーを加えた後、電極上に、例
えばブレードコーティング方法、ディップコーティング
法、スピンナーコーティング法、スライドコーティング
法、αコーティング法、キッスコーティング法、ロール
コーティング法等により塗布した後、乾燥して形成され
る。ビスアゾ化合物は、一次平均粒子径1μm以下、好
ましくは0.7μm以下、最適には0.5μm以下で分
散させるのが良い。
The charge generation layer 14 ′ is formed by the above general formula (1)
The bisazo compound represented by the fine particles in a suitable medium, after adding a binder as necessary, on the electrode, for example, blade coating method, dip coating method, spinner coating method, slide coating method, α coating method, After being applied by a kiss coating method, a roll coating method or the like, it is formed by drying. The bisazo compound is preferably dispersed with a primary average particle size of 1 μm or less, preferably 0.7 μm or less, and most preferably 0.5 μm or less.

【0056】バインダーとしては、特に限定はないが、
疎水性で誘電率が高く、絶縁性の高分子化合物が好まし
く、各種の熱可塑性または熱硬化性の合成樹脂が好適に
使用できる。例えばシリコーン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、またビニルホルマール樹脂、ビニルブチラール樹
脂などのビニルアセタール樹脂、スチレン樹脂、スチレ
ン−ブタジエン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、飽和または不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル
樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体樹脂等が挙げられ、単独または複数
のものを組み合わせて使用することができる。
The binder is not particularly limited.
A hydrophobic, high dielectric constant, insulating polymer compound is preferable, and various thermoplastic or thermosetting synthetic resins can be suitably used. For example, silicone resin, polycarbonate resin, vinyl acetal resin such as vinyl formal resin, vinyl butyral resin, styrene resin, styrene-butadiene copolymer resin, epoxy resin, acrylic resin, saturated or unsaturated polyester resin, methacrylic resin, vinyl chloride Resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride
A vinyl acetate copolymer resin and the like can be mentioned, and they can be used alone or in combination.

【0057】積層型光センサーにおける光導電層形成用
インキ組成物は、ビスアゾ化合物とバインダーの混合比
をビスアゾ化合物1重量部に対してバインダーを0.1
〜10重量部、好ましくは0.2〜1重量部の割合とす
るとよい。媒体としては、例えば、1,2−ジクロロエ
タン、1,1,2−トリクロロエタン、クロロベンゼ
ン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサ
ン、1,2,3−トリクロロプロパン、エチルセルソル
ブ、1,1,1,−トリクロロエタン、メチルエチルケ
トン、クロロホルム、トルエン、キシレンが例示され、
ボールミル分散、ディスパーザー分散、サンドミル分
散、三本ロール分散、超音波分散等により、固型分0.
2重量%〜20重量%、好ましくは1重量%〜5重量%
とされる。
In the ink composition for forming a photoconductive layer in the laminated optical sensor, the mixing ratio of the bisazo compound and the binder is such that the binder is added to 0.1 part by weight of the bisazo compound.
The ratio may be 10 to 10 parts by weight, preferably 0.2 to 1 part by weight. Examples of the medium include 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene, tetrahydrofuran, cyclohexanone, dioxane, 1,2,3-trichloropropane, ethylcellosolve, 1,1,1, -trichloroethane, Examples include methyl ethyl ketone, chloroform, toluene, xylene,
The solid content is reduced by ball mill dispersion, disperser dispersion, sand mill dispersion, three-roll dispersion, ultrasonic dispersion and the like.
2% to 20% by weight, preferably 1% to 5% by weight
It is said.

【0058】電荷発生層は、乾燥後膜厚として0.01
〜2μmであり、好ましくは0.1〜0.5μmとする
とよく、このような膜厚とすることによって良好な感度
と画質を示す。
The charge generation layer has a thickness of 0.01 after drying.
22 μm, and preferably 0.1-0.5 μm. With such a film thickness, good sensitivity and image quality are exhibited.

【0059】電荷輸送層14”は電荷輸送性物質を電荷
発生層で記載の適当な媒体中に分散あるいは溶解して電
荷発生層14’上に塗布し、乾燥することにより形成さ
れる。電荷輸送性物質が、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ルやポリグリシジルカルバゾールのようなそれ自身でバ
インダーの役割を果たすものを使用する場合を除き、バ
インダーを使用することが好ましい。電荷輸送性物質
は、電荷発生層で発生したキャリアの輸送特性の良い物
質であり、例えば、オキサジアゾール系、オキサゾール
系、トリアゾール系、チアゾール系、トリフェニルメタ
ン系、スチリル系、ピラゾロン系、ヒドラゾン系、芳香
族アミン系、カルバゾール系、ポリビニルカルバゾール
系、スチルベン系、エナミン系、アジン系、トリフェニ
ルアミン系、ブタジエン系、多環芳香族化合物系、スチ
ルベン二量体、ビフェニル系等があり、ホール輸送特性
の良い物質とすることが必要である。
The charge transporting layer 14 "is formed by dispersing or dissolving a charge transporting substance in a suitable medium described in the charge generating layer, coating the charge transporting substance on the charge generating layer 14 ', and drying. It is preferable to use a binder unless the charge-transporting substance is a substance such as poly-N-vinyl carbazole or polyglycidyl carbazole which plays a role of a binder by itself. It is a substance having good transport properties of carriers generated in, for example, oxadiazole, oxazole, triazole, thiazole, triphenylmethane, styryl, pyrazolone, hydrazone, aromatic amine, carbazole , Polyvinylcarbazole, Stilbene, Enamine, Azine, Triphenylamine, Butadier And a polycyclic aromatic compound, a stilbene dimer, a biphenyl, and the like, and it is necessary to use a substance having good hole transporting properties.

【0060】バインダーとしては前記した電荷発生層に
おけるバインダーと同様のもの、さらにポリアリレート
樹脂、フェノキシ樹脂が使用できるが、好ましくはスチ
レン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂である。バインダーは電荷輸送性物質1
重量部に対して0.1〜10重量部、好ましくは0.1
〜1重量部の割合で使用することが望ましい。
As the binder, those similar to the binder in the charge generation layer described above, and further, a polyarylate resin and a phenoxy resin can be used, and a styrene resin, a styrene-butadiene copolymer resin, and a polycarbonate resin are preferable. Binder is charge transporting substance 1
0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 10 parts by weight
It is desirable to use in a proportion of 1 part by weight.

【0061】電荷輸送層は乾燥後膜厚として1〜50μ
mであり、好ましくは3〜20μmとするとよく、これ
により良好な感度と画質が得られる。また、先に示した
電荷輸送性物質で蒸着法によって成膜可能なものは、バ
インダーを用いず、単独で成膜することもできる。
The charge transport layer has a thickness of 1 to 50 μm after drying.
m, preferably 3 to 20 μm, whereby good sensitivity and image quality can be obtained. In addition, any of the above-described charge transporting substances which can be formed into a film by an evaporation method can be formed alone without using a binder.

【0062】次に、単層型の光センサーについて説明す
る。図2は単層型光センサーを説明するための断面図で
あり、図中13は電極、14は光導電層、15は基板で
ある。単層の光導電層を形成するには、上述の電荷発生
層形成用の分散液に、上述の電荷輸送性物質を溶解ある
いは分散させて、電極上に同様に塗布すれば良い。電荷
輸送性物質は任意に選べるが、前述したようなそれ自身
バインダーとして役立つものを使用する場合は別とし
て、上記の積層型光センサーにおいて記載したバインダ
ーを用いることが好ましい。
Next, a single-layer type optical sensor will be described. FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the single-layer type optical sensor, in which 13 is an electrode, 14 is a photoconductive layer, and 15 is a substrate. In order to form a single-layer photoconductive layer, the above-described charge transporting substance may be dissolved or dispersed in the above-described dispersion for forming a charge generation layer, and may be similarly coated on an electrode. The charge-transporting substance can be arbitrarily selected, but it is preferable to use the binder described in the above-mentioned laminated optical sensor, except for using the substance which itself serves as a binder as described above.

【0063】単層型光センサーにおける光導電層形成用
インキ組成物は、ビスアゾ化合物とバインダーの混合比
を、ビスアゾ化合物1重量部に対してバインダーを0.
1重量部〜10重量部、好ましくは0.3重量部〜3重
量部の割合とするとよい。
In the ink composition for forming a photoconductive layer in a single-layer optical sensor, the mixing ratio of the bisazo compound and the binder was set such that the amount of the binder was 0.1 to 1 part by weight of the bisazo compound.
The ratio may be 1 to 10 parts by weight, preferably 0.3 to 3 parts by weight.

【0064】また、電荷輸送性物質は、一般式(1)で
示されるビスアゾ化合物1重量部に対して0.5重量部
〜10重量部、好ましくは1重量部〜3重量部使用する
とよく、電荷輸送性物質をバインダーとして機能させな
い場合には、ビスアゾ化合物と電荷輸送性物質の合計量
1重量部に対して、バインダーは0.1〜10重量部、
好ましくは0.1〜1重量部の割合で使用するとよい。
The charge transporting substance is used in an amount of 0.5 to 10 parts by weight, preferably 1 to 3 parts by weight, per 1 part by weight of the bisazo compound represented by the general formula (1). When the charge transporting substance is not allowed to function as a binder, the binder is 0.1 to 10 parts by weight with respect to 1 part by weight of the total amount of the bisazo compound and the charge transporting substance.
Preferably, it is used in a ratio of 0.1 to 1 part by weight.

【0065】インキ組成物における媒体としては、上記
の積層型光センサーにおいて記載した媒体が例示され、
同様の分散方法により、固型分0.2重量%〜20重量
%、好ましくは1重量%〜5重量%とされる。
As the medium in the ink composition, the medium described in the above-mentioned laminated optical sensor is exemplified.
By the same dispersing method, the solid content is adjusted to 0.2 to 20% by weight, preferably 1 to 5% by weight.

【0066】単層型光センサーにおける光導電層は、乾
燥後膜厚として5μm〜30μmであり、好ましくは1
0〜20μmとするとよく、これにより良好な感度と画
質が得られる。
The photoconductive layer in the single-layer type optical sensor has a thickness after drying of 5 μm to 30 μm, preferably 1 μm to 30 μm.
The thickness is preferably 0 to 20 μm, whereby good sensitivity and image quality can be obtained.

【0067】光センサーにおける電極13は、後述する
情報記録媒体が不透明であれば透明性を有することが必
要であるが、情報記録媒体が透明性を有する場合には透
明、不透明いずれでもよく、106 Ω・cm以下の比抵
抗を安定して与える材料、例えば金、白金、亜鉛、チタ
ン、銅、鉄、錫等の金属薄膜導電膜、酸化錫、酸化イン
ジウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化タングステン、酸
化バナジウム等の金属酸化物導電膜、四級アンモニウム
塩等の有機導電膜等を、単独あるいは二種類以上の複合
材料として用いることができる。中でも金属酸化物導電
体が好ましく、特に酸化インジウム錫(ITO)が好ま
しい。電極は蒸着、スパッタリング、CVD、塗布、め
っき、浸漬、電界重合等の方法により形成され、情報記
録層との間の全面、あるいは任意のパターンに合わせて
形成される。また、二種類以上の材料を積層して用いる
こともできる。
The electrode 13 in the optical sensor needs to be transparent if the information recording medium described later is opaque, but may be transparent or opaque if the information recording medium has transparency. Materials that stably provide a specific resistance of 6 Ω · cm or less, for example, metal thin film conductive films such as gold, platinum, zinc, titanium, copper, iron, and tin, tin oxide, indium oxide, zinc oxide, titanium oxide, and tungsten oxide A metal oxide conductive film such as vanadium oxide, an organic conductive film such as a quaternary ammonium salt, or the like can be used alone or as a composite material of two or more types. Among them, metal oxide conductors are preferable, and indium tin oxide (ITO) is particularly preferable. The electrode is formed by a method such as vapor deposition, sputtering, CVD, coating, plating, immersion, and electric field polymerization, and is formed on the entire surface between the information recording layer and an arbitrary pattern. Further, two or more kinds of materials can be stacked and used.

【0068】また、基板15は、後述する情報記録媒体
が不透明であれば透明性を有することが必要であが、情
報記録媒体は透明性を有する場合には透明、不透明いず
れでもよく、カード、フィルム、テープ、ディスク等の
形状を有し、光センサーを強度的に支持するものであ
る。光センサー自体が支持性を有する場合には設ける必
要がないが、光センサーを支持することができるある程
度の強度を有していれば、その材質、厚みは特に制限が
ない。例えば、可撓性のあるプラスチックフィルム、あ
るいはガラス、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポ
リメチルアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネー
ト等のプラスチックシート、カード等が使用される。
The substrate 15 needs to have transparency if the information recording medium described later is opaque. If the information recording medium has transparency, it may be either transparent or opaque. It has the shape of a film, tape, disk, or the like, and strongly supports the optical sensor. If the optical sensor itself has a supporting property, it is not necessary to provide it. However, the material and thickness are not particularly limited as long as the optical sensor has a certain strength capable of supporting the optical sensor. For example, a flexible plastic film, or a plastic sheet or card of glass, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, polyester, polycarbonate, or the like is used.

【0069】なお、基板の電極13が設けられる面の他
方の面には、電極13が透明であれば必要に応じて反射
防止効果を有する層を積層するか、また反射防止効果を
発現しうる膜厚に透明基板を調整するか、さらに両者を
組み合わせることにより反射防止性を付与するとよい。
If the electrode 13 is transparent, a layer having an anti-reflection effect can be laminated on the other surface of the substrate on which the electrode 13 is provided, or the anti-reflection effect can be exhibited, if necessary. It is advisable to provide an antireflection property by adjusting the thickness of the transparent substrate or by combining the two.

【0070】次に、本発明の第2の光センサーについて
説明する。本発明の第2の光センサーにおける光導電層
中に含有させる前記構造式(3)、(4)で示されるイ
ミダゾールペリレン化合物について説明する。
Next, the second optical sensor of the present invention will be described. The imidazole perylene compound represented by the structural formulas (3) and (4) to be contained in the photoconductive layer in the second optical sensor of the present invention will be described.

【0071】構造式(3)、(4)で示されるイミダゾ
ールペリレン化合物は、光導電層中においてCu−Kα
線に対するX線回折スペクトルの6.3±0.2°、1
2.4±0.2°、25.3±0.2°、27.1±
0.2°にピークを有する結晶であって、12.4±
0.2°のピーク強度が最大であると同時に同ピークの
半値幅が0.65°以上であり、かつ11.5±0.2
°に明瞭なピークを示さない状態で存在することが好ま
しい。
The imidazole perylene compounds represented by the structural formulas (3) and (4) can be used in a photoconductive layer in a Cu—Kα
6.3 ± 0.2 ° of X-ray diffraction spectrum with respect to X-ray, 1
2.4 ± 0.2 °, 25.3 ± 0.2 °, 27.1 ±
A crystal having a peak at 0.2 °, 12.4 ±
The peak intensity at 0.2 ° is the maximum, and at the same time, the half width of the peak is 0.65 ° or more, and 11.5 ± 0.2
It preferably exists without showing a clear peak at °.

【0072】イミダゾールペリレン化合物の結晶型につ
いては、J.Imag.,vol.33.P151-159(1989) に、α、γ、
ε、ρと呼ばれる4種のX線回折スペクトルが開示され
ている。基本的にα型とε型は類似の結晶構造である
が、ρ型はこれらと全く異なる結晶であることは明らか
である。本発明における結晶状態はこのρ型に基づいて
いる。このρ型結晶を有機溶媒中に分散微粒化する工程
で起こる状態の変化が感度特性に顕著な影響を及ぼす。
The crystal form of the imidazole perylene compound is described in J. Imag., Vol. 33, pp. 151-159 (1989).
Four types of X-ray diffraction spectra called ε and ρ are disclosed. Basically, α-type and ε-type have similar crystal structures, but it is clear that ρ-type is a completely different crystal. The crystal state in the present invention is based on this ρ type. The change in state that occurs in the step of dispersing and pulverizing the ρ-type crystal in an organic solvent has a significant effect on the sensitivity characteristics.

【0073】一般に高感度の光センサー特性を得るため
には、第1に電荷発生物質の微粒化された均一な塗布膜
を得ることが必要である。すなわち分散微粒化工程でま
ず重要となるのは電荷発生物質を微粒化することであ
る。
In general, in order to obtain high-sensitivity optical sensor characteristics, first, it is necessary to obtain a uniform coating film in which the charge generating substance is atomized. That is, the first important thing in the dispersion atomization step is to atomize the charge generating substance.

【0074】分散微粒化を行なうことにより結晶子サイ
ズがある大きさ以下になってくると、X線解決スペクト
ルにおいて回折ピークのブロードニングとピーク強度の
低下が起こる。イミダゾールペリレン化合物のρ型結晶
はCu−Kα線に対するX線回折スペクトルにおいて、
6.3±0.2°、12.4±0.2°、25.3±
0.2°、27.1±0.2°のピークが特徴である
が、この他に11.5±0.2°に固有のピークが存在
する。ρ型結晶を分散微粒化していくとピーク全体のブ
ロードニングを見ることができるか、特に本発明におい
て重要であるのは、12.4±0.2°のピークの半値
幅が0.65°以上になることであり、このようにブロ
ードニングした12.4±0.2°のピークによって1
1.5±0.2°のピークが埋もれてしまい、11.5
±0.2°の領域にピークが認められなくなる必要があ
る。ただし、12.4±0.2°のピークの半値幅が
1.5°を越えるとρ型結晶状態とはいえなくなる。
When the crystallite size becomes smaller than a certain size due to dispersion atomization, broadening of a diffraction peak and reduction in peak intensity occur in the X-ray resolution spectrum. The ρ-type crystal of the imidazole perylene compound has an X-ray diffraction spectrum for Cu-Kα ray,
6.3 ± 0.2 °, 12.4 ± 0.2 °, 25.3 ±
It is characterized by peaks at 0.2 ° and 27.1 ± 0.2 °, but there is also a unique peak at 11.5 ± 0.2 °. If the ρ-type crystal is dispersed and refined, broadening of the entire peak can be seen. Particularly important in the present invention is that the half width of the peak at 12.4 ± 0.2 ° is 0.65 °. The peak at 12.4 ± 0.2 ° broadened in this manner resulted in 1
The peak at 1.5 ± 0.2 ° is buried, and 11.5
It is necessary that the peak is not recognized in the range of ± 0.2 °. However, if the half width of the peak at 12.4 ± 0.2 ° exceeds 1.5 °, it cannot be said that the crystal is in a ρ-type crystal state.

【0075】また、本発明におけるイミダゾールペリレ
ン化合物の光センサー特性は、X線回折スペクトルにお
けるピークの相対強度によって特徴づけられる結晶状態
に依存する。該イミダゾールペリレン化合物は、合成し
た段階では6.3°付近のピーク強度か最大である場合
が多く、また昇華したものでは25〜28°のピーク強
度が最大になる場合と12.4°のピーク強度が最大と
なる場合がある。しかしこれらを有機溶媒中で分散微粒
化すると各ピークの相対強度は変化し、したがって光セ
ンサー特性が変化してくが、本発明における結晶はX線
回折スペクトルの12.4±0.2°のピーク強度が最
大となるようにすることにより特に優れた感度特性を得
ることができる。
The photosensor characteristics of the imidazole perylene compound according to the present invention depend on the crystal state characterized by the relative intensity of the peak in the X-ray diffraction spectrum. In many cases, the imidazole perylene compound has a peak intensity around 6.3 ° or a maximum at the stage of synthesis, and a sublimated compound has a peak intensity of 25 to 28 ° at a maximum and a peak at 12.4 °. The strength may be maximum. However, when these are dispersed and atomized in an organic solvent, the relative intensity of each peak changes, and thus the characteristics of the optical sensor change, but the crystal in the present invention has a peak at 12.4 ± 0.2 ° in the X-ray diffraction spectrum. By setting the strength to be the maximum, particularly excellent sensitivity characteristics can be obtained.

【0076】すなわち、本発明ではρ型結晶の12.4
±0.2°のピークの半値幅か0.65°以上であり、
かつ11.5±0.2°に明瞭なピークを示さない状態
まで微粒化したうえで、12.4±0.2°のピーク強
度が最大である状態が用いられる。
That is, in the present invention, 12.4 of the ρ-type crystal is used.
The half width of the peak of ± 0.2 ° or 0.65 ° or more,
In addition, a state where the peak intensity at 12.4 ± 0.2 ° is maximum after the particles are atomized to a state that does not show a clear peak at 11.5 ± 0.2 ° is used.

【0077】イミダゾールペリレン化合物のこのような
結晶状態を得るための方法は特に限定されないが、昇華
精製したイミダゾールペリレン化合物を硫酸を用いてア
シッドペースト処理(アモルファス化もしくは低結晶
化)し、これを親和性の高い有機溶媒中でポリマーバイ
ンダを介在させながら穏やかに分散することによって結
晶成長させながら目的の結晶状態にするものである。こ
の方法においては均一な微粒化が達成され、また機械的
衝撃が小さいために結晶欠陥の導入による特性低下が避
けられる。
The method for obtaining such a crystalline state of the imidazole perylene compound is not particularly limited. However, the imidazole perylene compound purified by sublimation is subjected to an acid paste treatment (amorphization or low crystallization) using sulfuric acid, and this is subjected to affinity. It is intended to form a desired crystal state while growing crystals by gentle dispersion in a highly volatile organic solvent with a polymer binder interposed. In this method, uniform atomization is achieved, and a reduction in characteristics due to the introduction of crystal defects can be avoided due to a small mechanical impact.

【0078】構造式(3)又は(4)のイミダゾールペ
リレン化合物は、ペリレン−3,4,9,10−テトラ
カルボン酸二無水物とo−フェニレンジアミンの脱水縮
合反応によって合成できる。合成されたイミダゾールペ
リレン化合物は不純物を除去するために昇華精製にかけ
られる。昇華操作は1回から5〜6回程度の範囲で繰り
返されるが、望ましくは2回以上の繰り返しを行なう方
かよい。昇華精製を行なわないで塗布液を調製した場合
は、本発明における結晶状態を得ることが難しい。昇華
して得られたイミダゾールペリレン化合物はX線回折ス
ペクトルにおいてシャープなピークパターンを示し、結
晶化度の高い状態であることが確認される。
The imidazole perylene compound of the structural formula (3) or (4) can be synthesized by a dehydration condensation reaction between perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride and o-phenylenediamine. The synthesized imidazole perylene compound is subjected to sublimation purification to remove impurities. The sublimation operation is repeated once to about 5 to 6 times, but it is preferable to repeat the sublimation two or more times. When a coating solution is prepared without performing sublimation purification, it is difficult to obtain the crystalline state in the present invention. The imidazole perylene compound obtained by sublimation shows a sharp peak pattern in the X-ray diffraction spectrum, confirming that the compound has a high crystallinity.

【0079】昇華精製して得られた高結晶化度のイミダ
ゾールペリレン化合物は、硫酸を用いたアシッドペース
ト処理を行なうことにより結晶化度の低い状態に変換さ
れる。すなわち濃硫酸に溶解した後、その溶液を水もし
くはメタノール等の貧溶媒にあけて析出させ、これ濾
過、乾燥して低結晶性の微粒子粉末を得るものである。
アシッドペースト処理後の低結晶粉末は、イミダゾール
ペリレン化合物に対する親和性の高い溶媒中で適当な分
散機を用いて分散処理が行なわれる。親和性の高い溶媒
としては炭素数4〜8のケトン系溶媒もしくは炭素数4
〜7の環状エーテル系溶媒もしくは炭素数2〜4のハロ
ゲン化炭化水素溶媒が有用である。中でも特に好ましい
溶媒として、メチルエチルケトン、メチルイソプロピル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、
テトラヒドロフラン、ジクロルエタン、トリクロルエタ
ンを挙げることができる。またこの分散処理においては
適当なバインダポリマーの存在によって良い結果を与え
ることができる。
The imidazole perylene compound having a high crystallinity obtained by sublimation purification is converted to a state with a low crystallinity by performing an acid paste treatment using sulfuric acid. That is, after dissolving in concentrated sulfuric acid, the solution is poured into a poor solvent such as water or methanol to cause precipitation, which is filtered and dried to obtain fine particles of low crystalline fine particles.
The low crystal powder after the acid paste treatment is subjected to a dispersion treatment in a solvent having a high affinity for the imidazole perylene compound by using a suitable disperser. Examples of the solvent having a high affinity include a ketone solvent having 4 to 8 carbon atoms or a solvent having 4 carbon atoms.
Use of a cyclic ether solvent of from 7 to 7 or a halogenated hydrocarbon solvent of from 2 to 4 carbon atoms is useful. Among them, particularly preferred solvents include methyl ethyl ketone, methyl isopropyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone,
Examples thereof include tetrahydrofuran, dichloroethane, and trichloroethane. In this dispersion treatment, good results can be obtained by the presence of an appropriate binder polymer.

【0080】特に望ましいバインダポリマーとしては、
ポリビニルブチラールやポリビニルホルマールなどのポ
リビニルアセタール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル系樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリ
ル樹脂及びメタクリル樹脂、アクリル及びメタクリル共
重合樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン共重合樹脂、ポ
リスチレン、スチレン共重合樹脂、フェノキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を挙げる
ことができる。
Particularly desirable binder polymers include:
Polyvinyl acetal resin such as polyvinyl butyral and polyvinyl formal, vinyl chloride-vinyl acetate resin, polyester resin, polycarbonate resin, acrylic resin and methacrylic resin, acrylic and methacrylic copolymer resin, silicone resin, silicone copolymer resin, polystyrene, styrene copolymer Examples thereof include a polymer resin, a phenoxy resin, a phenol resin, a urethane resin, and an epoxy resin.

【0081】このような方法で得られた分散塗布液にお
いて本発明における特定の結晶状態が実現される。この
方法においては昇華精製による高純度化が分散時の結晶
状態調整に重要となっており、さらにこれを硫酸による
アシッドペースト処理によってアモルファス化し、分散
処理の過程ではアモルファス状態(もしくは低結晶性の
状態)から特定の溶媒効果によって結晶成長させてお
り、このことによって本発明における特定の結晶状態を
安定して得られるものである。
In the dispersion coating liquid obtained by such a method, the specific crystalline state in the present invention is realized. In this method, high purification by sublimation purification is important for adjusting the crystal state during dispersion, and this is further made amorphous by acid paste treatment with sulfuric acid. In the process of dispersion treatment, the amorphous state (or low crystalline state) is obtained. ), The crystal is grown by a specific solvent effect, whereby a specific crystal state in the present invention can be stably obtained.

【0082】得られた分散塗布液を用いて光センサーが
作製される。光導電層中において本発明における結晶状
態が実現されているかどうかは光センサーから剥離した
イミダゾールペリレン化合物のX線回折スペクトルを測
定することで確認できる。また光導電層塗布の過程にお
いては結晶状態の変化は起きないので、分散塗布液から
溶媒を除去してX線回折スペクトルを測定しても確認と
なる。
An optical sensor is manufactured using the obtained dispersion coating solution. Whether or not the crystalline state of the present invention is realized in the photoconductive layer can be confirmed by measuring the X-ray diffraction spectrum of the imidazole perylene compound peeled from the optical sensor. Since the crystal state does not change in the process of coating the photoconductive layer, it can be confirmed by removing the solvent from the dispersion coating solution and measuring the X-ray diffraction spectrum.

【0083】これらのサンプルは、Cu−Kα線をX線
源とした粉末X線回折装置によって測定され、ブラック
角2θの関数として回折線強度分布が得られる。このと
き試料量が十分な場合にはピーク強度間の相対強度比は
試料量によって変化しないが、試料量が少なくなると低
角度側のピーク強度が相対的に大きくなる。したがって
測定においてはピーク強度比が試料量によって変化しな
い程度に十分な量の試料を用いなければならない。
These samples are measured by a powder X-ray diffractometer using Cu-Kα radiation as an X-ray source, and a diffraction line intensity distribution is obtained as a function of the black angle 2θ. At this time, if the sample amount is sufficient, the relative intensity ratio between the peak intensities does not change depending on the sample amount, but as the sample amount decreases, the peak intensity on the low angle side relatively increases. Therefore, in the measurement, a sufficient amount of the sample must be used so that the peak intensity ratio does not change with the sample amount.

【0084】ここでのピーク強度は、図10に示したよ
うにノイズを含んだベースラインレベルからの立ち上が
り点aとbを結ぶ線分と頂点cからおろした垂線との交
点dを起点としたときの頂点cまでの高さ(線分cdの
長さ)で定義されるものとする。またピークの半値幅は
点dを起点としてcd/2の高さの位置におけるピーク
値として定義される。
The peak intensity here is, as shown in FIG. 10, the starting point of the intersection d between the line segment connecting the rising points a and b from the baseline level including noise and the perpendicular drawn from the vertex c. It is defined by the height to the vertex c (the length of the line segment cd). The half width of the peak is defined as the peak value at a position at a height of cd / 2 from the point d.

【0085】本発明の第2の光センサーは、上述した第
1の光センサーにおける電荷発生層塗布液に代えて、上
記した結晶状態を調整した分散塗布液を使用することに
より、第1の光センサーと同様に積層型光センサー、単
層型光センサーを調製するとよい。
The second optical sensor of the present invention uses the dispersion coating liquid whose crystal state has been adjusted in place of the above-mentioned charge generation layer coating liquid in the first optical sensor, thereby providing the first light sensor. As in the case of the sensor, a stacked optical sensor and a single-layer optical sensor may be prepared.

【0086】次に、本発明の光センサーと組み合わせて
使用される情報記録媒体について説明する。情報記録媒
体としては、その情報記録層が液晶−高分子複合体(以
下LCPCと示す)とする場合が挙げられる。LCPC
は液晶相中に樹脂粒子が分散した構造を有しているが、
液晶材料は、スメクチック液晶、ネマチック液晶、コレ
ステリック液晶あるいはこれらの混合物を使用すること
ができる。液晶としては、その配向性を保持し、情報を
永続的に保持させる、いわゆるメモリー性の観点から、
スメクチック液晶を使用するのが好ましい。
Next, an information recording medium used in combination with the optical sensor of the present invention will be described. Examples of the information recording medium include a case where the information recording layer is a liquid crystal-polymer composite (hereinafter, referred to as LCPC). LCPC
Has a structure in which resin particles are dispersed in a liquid crystal phase,
As the liquid crystal material, a smectic liquid crystal, a nematic liquid crystal, a cholesteric liquid crystal, or a mixture thereof can be used. As a liquid crystal, from the viewpoint of so-called memory properties, it retains its orientation and retains information permanently.
It is preferred to use smectic liquid crystals.

【0087】スメクチック液晶としては、液晶性を呈す
る物質の末端基の炭素基が長いシアノビフェニル系、シ
アノターフェニル系、フェニルエステル系、さらにフッ
素系等のスメクチックA相を呈する液晶物質、強誘電性
液晶として用いられるスメクチックC相を呈する液晶物
質、あるいはスメクチックH、G、E、G相等を呈する
液晶物質等が挙げられる。
Examples of the smectic liquid crystal include a liquid crystal material exhibiting a smectic A phase such as a cyanobiphenyl-based, cyanoterphenyl-based, phenylester-based, and fluorine-based liquid crystal material having a long carbon group as a terminal group of a substance exhibiting liquid crystallinity. A liquid crystal substance exhibiting a smectic C phase used as a liquid crystal, a liquid crystal substance exhibiting a smectic H, G, E, G phase, or the like can be given.

【0088】樹脂粒子を形成する材料としては、例え
ば、紫外線硬化型樹脂であって、モノマー、オリゴマー
の状態で液晶材料と相溶性を有するもの、あるいはモノ
マー、オリゴマーの状態で液晶材料と共通の溶媒に相溶
性を有するものを好ましく使用できる。このような紫外
線硬化型樹脂としては、例えばアクリル酸エステル、メ
タクリル酸エステル等が挙げられる。その他、液晶材料
と共通の溶媒に相溶性を有する溶媒可溶性樹脂、例えば
アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポ
リスチレン樹脂、及びこれらを主体とした共重合体等、
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。
As a material for forming the resin particles, for example, a UV-curable resin which is compatible with the liquid crystal material in a monomer or oligomer state, or a solvent common to the liquid crystal material in a monomer or oligomer state The one having compatibility with is preferably used. Examples of such an ultraviolet-curable resin include acrylic acid esters and methacrylic acid esters. In addition, a solvent-soluble resin having compatibility with a common solvent with the liquid crystal material, for example, an acrylic resin, a methacrylic resin, a polyester resin, a polystyrene resin, and a copolymer containing these as a main component,
Epoxy resins, silicone resins and the like can be mentioned.

【0089】液晶材料と樹脂の使用割合は、液晶の含有
率が10重量%〜90重量%、好ましくは40重量%〜
80重量%となるように使用するとよく、90重量%を
超えると液晶のしみ出し等の現象が生じ、画像むらが生
じ好ましくない。
The content ratio of the liquid crystal material and the resin is such that the content of the liquid crystal is 10% by weight to 90% by weight, preferably 40% by weight.
The content is preferably used so as to be 80% by weight. If it exceeds 90% by weight, phenomena such as oozing out of liquid crystal occur, and image unevenness occurs, which is not preferable.

【0090】情報記録層の膜厚は解像性に影響を与える
ので、乾燥後膜厚0.1μm〜10μm、好ましくは3
μm〜8μmとするとよく、高解像性を維持しつつ、動
作電圧も低くすることができる。膜厚が薄すぎると、情
報記録部のコントラストが低く、また、厚すぎると動作
電圧が高くなるので好ましくない。
Since the thickness of the information recording layer affects the resolution, the thickness after drying is 0.1 μm to 10 μm, preferably 3 μm.
The operating voltage can be reduced while maintaining high resolution. If the film thickness is too small, the contrast of the information recording portion is low, and if it is too large, the operating voltage is undesirably high.

【0091】次に、この情報記録媒体と上述した光セン
サーとを使用した2つの情報記録装置について説明す
る。
Next, two information recording devices using this information recording medium and the above-described optical sensor will be described.

【0092】まず、第1の情報記録装置は、図3に示す
ように、情報記録媒体2は上述した光センサー1と、ポ
リイミドフィルムのような絶縁性樹脂フィルムスペーサ
ー19を使用し、2μm〜20μmの空隙を介して対向
配置されると共に、両電極13、13’を電圧源Vを介
して結線して情報記録装置とされる。この装置における
電極13、13’はいずれか一方、または両方が透明性
であればよい。
First, in the first information recording apparatus, as shown in FIG. 3, the information recording medium 2 uses the above-described optical sensor 1 and an insulating resin film spacer 19 such as a polyimide film, and has a thickness of 2 μm to 20 μm. And the electrodes 13 and 13 'are connected via a voltage source V to form an information recording device. One or both of the electrodes 13 and 13 'in this device may be transparent.

【0093】また、図4に示すような、第2の情報記録
装置としてもよい。図4は、その情報記録装置を断面図
により示す図であり、図中20は誘電体層であり、ま
た、図3と同一符号は同一内容を示す。
Further, a second information recording device as shown in FIG. 4 may be used. FIG. 4 is a cross-sectional view of the information recording apparatus. In the figure, reference numeral 20 denotes a dielectric layer, and the same reference numerals as those in FIG. 3 indicate the same contents.

【0094】この情報記録装置は、光センサー1と情報
記録媒体2とを、空隙を設けず、誘電体層20を介して
積層したものである。この情報記録装置は、光センサー
における光導電層が溶媒を使用して塗布形成される場合
に特に適している。即ち、光導電層上に情報記録層を直
接塗布形成すると、それらの相互作用により情報記録層
における液晶が溶出したり、また、情報記録層形成用の
溶媒により光導電材料が溶出することによる画像ムラが
生じたりするのを防止することができる。また、光セン
サーと情報記録媒体との一体化を可能とするものであ
る。
In this information recording device, the optical sensor 1 and the information recording medium 2 are stacked with no gap therebetween, with the dielectric layer 20 interposed therebetween. This information recording device is particularly suitable when the photoconductive layer in the optical sensor is formed by applying a solvent. That is, when the information recording layer is directly applied and formed on the photoconductive layer, the liquid crystal in the information recording layer elutes due to the interaction between them, and the image due to the elution of the photoconductive material by the solvent for forming the information recording layer. The occurrence of unevenness can be prevented. In addition, the optical sensor and the information recording medium can be integrated.

【0095】誘電体層20は、その形成にあたって、そ
の構成成分が光導電層形成材料、情報記録層形成材料に
いずれに対しても溶解性を有しないことが必要である。
また、導電性を有しないことが必要である。導電性を有
する場合には、空間電荷の拡散が生じ、解像度の劣化が
生じることから絶縁性が要求される。また、誘電体層は
液晶層に印加される分配電圧を印加させたり、或いは解
像性を悪化させるので、膜厚は薄い方が好ましく、2μ
m以下とするとよいが、薄くしすぎると経時的な相互作
用による画像ノイズの発生ばかりでなり、積層塗布する
際にピンホール等の欠陥による浸透の問題が生じる。ピ
ンホール等の欠陥による浸透性は積層塗布する材料の固
形分比率、溶媒の種類、粘度により異なるので、誘電体
層の膜厚は適宜設定されるが、少なくとも10μm以下
の膜厚とするとよく、好ましくは0.1〜3μmとする
とよい。また、各層に印加される電圧分配を考慮した場
合、薄膜化と共に誘電率の高い材料が好ましい。
In forming the dielectric layer 20, it is necessary that the constituent components have no solubility in any of the photoconductive layer forming material and the information recording layer forming material.
Further, it is necessary that the material does not have conductivity. In the case of having conductivity, the space charge is diffused and the resolution is deteriorated, so that the insulating property is required. Further, since the dielectric layer applies a distribution voltage applied to the liquid crystal layer or deteriorates the resolution, it is preferable that the film thickness is small,
m or less. However, if the thickness is too small, image noise due to the interaction with time is generated, and there is a problem of permeation due to defects such as pinholes during lamination coating. Since the permeability due to defects such as pinholes differs depending on the solid content ratio of the material to be laminated, the type of solvent, and the viscosity, the thickness of the dielectric layer is appropriately set, but it is preferable that the thickness be at least 10 μm or less. Preferably, the thickness is 0.1 to 3 μm. Further, in consideration of the distribution of the voltage applied to each layer, a material having a high dielectric constant as well as a thin film is preferable.

【0096】誘電体層を形成する材料としては、無機材
料ではSiO2 、TiO2 、CeO2 、Al2 3 、G
eO2 、Si3 4 、AlN、TiN、MgF2 、Zn
S、二酸化硅素と二酸化チタンの組合せ、硫化亜鉛と弗
化マグネシウムの組合せ、酸化アルミニウムとゲルマニ
ウムの組合せ等を使用し、蒸着法、スパッタリング法、
CVD法等により積層して形成するとよい。また、有機
溶剤に対して相溶性の少ない水溶性樹脂、例えばポリビ
ニルアルコール、水添ウレタン、水ガラス等の水溶液を
使用し、スピンコート法、ブレードコート法、ロールコ
ート法、ビードコート法、スライドコート法等により積
層してもよい。さらに、塗布可能なフッ素樹脂を使用し
てもよく、この場合にはフッ素系溶剤に溶解し、スピン
コート法により塗布するか、またブレードコート法、ロ
ールコート法、ビードコート法、スライドコート法等に
より積層してもよい。塗布可能なフッ素樹脂としては、
例えば特開平4−24722号公報等に開示されたフッ
素樹脂、さらに真空系で膜形成されるポリパラキシレン
等の有機材料を好ましく使用することができる。
As a material for forming the dielectric layer, inorganic materials such as SiO 2 , TiO 2 , CeO 2 , Al 2 O 3 , G
eO 2 , Si 3 N 4 , AlN, TiN, MgF 2 , Zn
S, using a combination of silicon dioxide and titanium dioxide, a combination of zinc sulfide and magnesium fluoride, a combination of aluminum oxide and germanium, etc.
It is preferable to form the layers by a CVD method or the like. In addition, a water-soluble resin having low compatibility with an organic solvent, for example, an aqueous solution of polyvinyl alcohol, hydrogenated urethane, water glass, or the like is used, and a spin coating method, a blade coating method, a roll coating method, a bead coating method, a slide coating method is used. It may be laminated by a method or the like. Further, a coatable fluororesin may be used. In this case, the resin is dissolved in a fluorine-based solvent and applied by a spin coat method, or a blade coat method, a roll coat method, a bead coat method, a slide coat method, or the like. May be laminated. As a fluorine resin that can be applied,
For example, an organic material such as polyparaxylene which is formed into a film by a vacuum system and a fluororesin disclosed in JP-A-4-24722 can be preferably used.

【0097】次に、本発明における情報記録方法につい
て説明する。
Next, an information recording method according to the present invention will be described.

【0098】図11は第1の情報記録装置における情報
記録方法を説明するための図である。第2の情報記録装
置においても同様である。図中11は情報記録層、13
は光センサーの電極、13’は情報記録媒体の電極、1
4は光導電層、21は光源、22は駆動機構を有するシ
ャッター、23は電源となるパルスジェネレーター、2
4は暗箱を示す。
FIG. 11 is a diagram for explaining an information recording method in the first information recording device. The same applies to the second information recording device. In the figure, 11 is an information recording layer, 13
Is the electrode of the optical sensor, 13 'is the electrode of the information recording medium, 1
4 is a photoconductive layer, 21 is a light source, 22 is a shutter having a driving mechanism, 23 is a pulse generator serving as a power supply, 2
4 indicates a dark box.

【0099】電極13、13’の間にパルスジェネレー
ター23により適当な電圧を印加しつつ、光源21から
情報光を入射させると、光が入射した部分の光導電層1
4で発生した光キャリアは両電極により形成される電界
により情報記録層11側の界面まで移動し、電圧の再分
配が行われ、電界又は電荷量に応じて情報記録層11に
おける液晶層が配向し、情報光のパターンに応じた記録
が行われる。
When information light is incident from the light source 21 while applying an appropriate voltage between the electrodes 13 and 13 ′ by the pulse generator 23, the photoconductive layer 1 in the portion where the light is incident is formed.
The photocarrier generated in step 4 moves to the interface on the information recording layer 11 side by the electric field formed by the two electrodes, redistributes the voltage, and the liquid crystal layer in the information recording layer 11 is oriented according to the electric field or the amount of charge. Then, recording according to the pattern of the information light is performed.

【0100】この情報記録方法においては、面状アナロ
グ記録が可能であり、液晶レベルでの記録が得られるの
で、高解像度の記録となり、また、露光パターンは液晶
相の配向により可視像化されて保持される。液晶の配向
により記録された情報は、目視による読取りが可能な可
視情報であるが、投影機により拡大して読み取ることが
でき、また、レーザースキャニング、或いはCCDを使
用して高精度で情報を読み取ることができる。
In this information recording method, planar analog recording is possible, and recording at the liquid crystal level is obtained, so that high-resolution recording is achieved, and the exposure pattern is visualized by the orientation of the liquid crystal phase. Is held. The information recorded by the orientation of the liquid crystal is visible information that can be read visually, but it can be read by enlarging it with a projector, and the information is read with high precision using laser scanning or CCD. be able to.

【0101】[0101]

【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。なお、以
下の実施例において「部」または「%」は各々重量部ま
たは重量%を示す。また、以下の実施例は本発明の内容
を制限するものではない。
Embodiments of the present invention will be described below. In the following examples, "parts" or "%" indicates parts by weight or% by weight, respectively. Further, the following embodiments do not limit the contents of the present invention.

【0102】(実施例1)…第1の光センサー 厚さ1.1mmのガラス基板上に形成された面積抵抗8
0Ω/□、膜厚100nmのITO膜を充分洗浄し、乾
燥した。
(Example 1) First light sensor Area resistance 8 formed on a glass substrate having a thickness of 1.1 mm
An ITO film having a thickness of 100 nm and a thickness of 0Ω / □ was sufficiently washed and dried.

【0103】このITO膜上に、開示化合物No.71
を3部とポリビニルブチラール樹脂1部とを、1,4−
ジオキサン98部、シクロヘキサノン98部と混合した
後、ボールミルを使用して80時間分散を行い、ビスア
ゾ化合物の粒径を、累積50%平均粒径〔日機装製「M
ICROTRAC2」により測定)が0.21μmのも
のとした。この溶液にクロラニル0.24部を1,4−
ジオキサン0.88部、シクロヘキサノン0.88部に
溶解したものを加え混合してインキとした。このインキ
をブレードコーターでコーティングし、風乾後100
℃、1時間乾燥して膜厚0.3μmの電荷発生層を積層
した。
On the ITO film, disclosed compound No. 71
To 1 part of polyvinyl butyral resin and 1,4-
After mixing with 98 parts of dioxane and 98 parts of cyclohexanone, the mixture was dispersed for 80 hours using a ball mill, and the particle size of the bisazo compound was determined by calculating the cumulative 50% average particle size [Nikkiso's “M
ICROTRAC2 ") was 0.21 μm. To this solution was added 0.24 part of chloranil in 1,4-
A solution dissolved in 0.88 part of dioxane and 0.88 part of cyclohexanone was added and mixed to obtain an ink. This ink is coated with a blade coater and air dried to 100
The resultant was dried at a temperature of 1 ° C. for 1 hour to form a charge generation layer having a thickness of 0.3 μm.

【0104】次に、この電荷発生層上に、p−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−N−フェニル−N−ベンジル
ヒドラゾン15部とポリカーボネート樹脂10部とを、
1,1,2−トリクロロエタン:ジクロロエタン=69
部:46部とからなる溶剤に均一に溶解して塗布液と
し、スピンナーにて500rpm、0.4秒でコーティ
ングした。コーティング後、塗膜の表面に皮膜が形成さ
れて、塗膜の表面が付着しなくなるまでの間、無風下で
放置し、レベリング乾燥を行った後、80℃、2時間乾
燥して電荷輸送層を積層し、膜厚10μmの光導電層を
有する光センサーを作製した。
Next, 15 parts of p-diethylaminobenzaldehyde-N-phenyl-N-benzylhydrazone and 10 parts of a polycarbonate resin were placed on the charge generation layer.
1,1,2-trichloroethane: dichloroethane = 69
Part: 46 parts, and uniformly dissolved in a solvent consisting of 46 parts to obtain a coating solution, which was coated with a spinner at 500 rpm for 0.4 seconds. After coating, the film is left on the surface of the coating film in a windless state until the surface of the coating film is not adhered to the surface of the coating film, and then dried at 80 ° C. for 2 hours. Were laminated to produce an optical sensor having a photoconductive layer having a thickness of 10 μm.

【0105】(光センサーの電気特性)得られた光セン
サーの電気特性を測定するために、光センサーにおける
電荷輸送層上に0.16cm2 、厚さ10nm、表面抵
抗1kΩ/□の金電極を蒸着して電極とし、測定用媒体
とし、図12に示す電流測定装置を構成した。
(Electrical Characteristics of Optical Sensor) In order to measure the electrical characteristics of the obtained optical sensor, a gold electrode having a thickness of 0.16 cm 2 , a thickness of 10 nm, and a surface resistance of 1 kΩ / □ was placed on the charge transport layer of the optical sensor. A current measuring device shown in FIG. 12 was formed by vapor deposition to form an electrode and a measurement medium.

【0106】図中、15は光センサー支持体、13は光
センサー電極、16は濃度勾配領域、14は光導電層、
30は金電極、31は光源、32はシャッター(コパル
(株)製 No.0電磁シャッター)、33はシャッタ
ー駆動機構、34はパルスジェネレーター(横河ヒュー
レットパッカード社製)、35はオシロスコープであ
る。
In the figure, 15 is a photosensor support, 13 is a photosensor electrode, 16 is a concentration gradient region, 14 is a photoconductive layer,
Reference numeral 30 denotes a gold electrode, 31 denotes a light source, 32 denotes a shutter (No. 0 electromagnetic shutter manufactured by Copal Corporation), 33 denotes a shutter drive mechanism, 34 denotes a pulse generator (manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard Company), and 35 denotes an oscilloscope.

【0107】この電流測定装置において、光センサーに
おける電極13を正、金電極を負として両電極間に15
0V(光センサーへの電界強度1.5×105 V/c
m)の直流電圧を印加するとともに、電圧印加開始後
0.5秒後にガラス基板側から0.033秒間光照射
し、光照射開始時間をt=0として、光センサーに流れ
る電流を測定した。照射光は、キセノンランプ(浜松ホ
トニクス社製L2274)を光源に、グリーンフィルタ
ー(日本真空光学社製)により得られる緑色光を、20
1uxの強度で照射した。照射光強度を照度計(ミノル
タ社製)で測定し、使用したフィルターの特性は図5に
示したものである。
In this current measuring device, the electrode 13 of the optical sensor is positive and the gold electrode is
0 V (1.5 × 10 5 V / c electric field strength to optical sensor)
m) was applied, and 0.5 seconds after the start of the voltage application, light irradiation was performed from the glass substrate side for 0.033 seconds, and the light irradiation start time was set to t = 0, and the current flowing through the optical sensor was measured. The irradiation light was a green light obtained by a green filter (manufactured by Nippon Vacuum Optical Co., Ltd.) using a xenon lamp (L2274 manufactured by Hamamatsu Photonics) as a light source.
Irradiation at 1 ux intensity. The irradiation light intensity was measured with an illuminometer (manufactured by Minolta), and the characteristics of the filter used are shown in FIG.

【0108】光照射の終了後も電圧印加を継続し、光照
射開始時間から0.15秒間電圧印加を継続した。その
間の電流の時間変化をオシロスコープにより測定した結
果を図13におけるA線で示す。また、B線は露光しな
いで電圧のみを印加した場合である。横軸は電圧印加時
間(秒)、縦軸は電流密度(A/cm2 )である。A線
で示されるように、電流値には2つの変曲点(a)
(b)が観測される。変曲点(a)から下の電流量は露
光量に応じた電流(光誘起電流)量であると考えられ
る。また、変曲点(b)は露光終了に伴う電流量の変化
点であり、露光を終了した未露光時でも電圧変化に応じ
た電流が持続して流れ、徐々に減衰していくことがわか
る。即ち、この図から本発明の光センサーは、露光時に
は光誘起電流が増加し続け、露光終了後も光誘起電流か
持続し、一定の時間を経て徐々に減衰していくことがわ
かる。この光センサーのベース電流密度(未露光部での
通過電流密度)の値は、5.5×10-6A/cm2 であ
った。
The voltage application was continued after the light irradiation was completed, and the voltage application was continued for 0.15 seconds from the light irradiation start time. The result of measuring the time change of the current during that time with an oscilloscope is shown by the line A in FIG. The line B is a case where only a voltage is applied without exposure. The horizontal axis represents the voltage application time (second), and the vertical axis represents the current density (A / cm 2 ). As shown by the line A, the current value has two inflection points (a).
(B) is observed. The amount of current below the inflection point (a) is considered to be a current (light-induced current) corresponding to the amount of exposure. Further, the inflection point (b) is a change point of the current amount following the end of the exposure, and it can be seen that the current according to the voltage change continuously flows and gradually attenuates even when the exposure is not performed yet. . That is, from this figure, it can be seen that, in the optical sensor of the present invention, the light-induced current continues to increase during exposure, continues after the exposure is completed, and gradually decreases after a certain period of time. The value of the base current density (passing current density in the unexposed portion) of this optical sensor was 5.5 × 10 −6 A / cm 2 .

【0109】本発明の光センサーは、105 〜106
/cmの電界強度の電圧印加時において、未露光部での
通過電流密度が10-4〜10-7A/cm2 であるとする
とよく、これにより、増幅作用が顕著で、情報記録性能
に優れる光センサーとなしうる。
The optical sensor of the present invention has a voltage of 10 5 to 10 6 V
When a voltage having an electric field strength of / cm is applied, the passing current density in the unexposed area is preferably 10 −4 to 10 −7 A / cm 2 , whereby the amplification effect is remarkable and the information recording performance is reduced. It can be an excellent light sensor.

【0110】(情報記録媒体の作製)厚さ1.1mmの
ガラス基板上に膜厚100nmのITO膜をスパッタリ
ングにより成膜し、電極を得た後、表面洗浄を行なっ
た。
(Preparation of Information Recording Medium) An ITO film having a thickness of 100 nm was formed on a glass substrate having a thickness of 1.1 mm by sputtering, and after obtaining electrodes, the surface was cleaned.

【0111】この電極上に、 ・多官能性モノマー(ジペンタエリストールヘキサアクリレート、日本化薬製、 D−310) ・・・ 40部、 ・光硬化開始剤(2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オ ン、チバガイギー社製、ダロキュア1173) ・・・ 2部、 ・液晶{スメクチック液晶(メルク社製、S−6)を90%、ネマチック液晶( メルク社製、E31LV)が10%含有} ・・・ 50部、 ・界面活性剤(住友スリーエム社製、フロラードFC−430)・・ 1部 をキシレン96部中に均一に溶解して得た塗布液を、5
0μmの間隔を設定したブレードコーターを用いて塗布
した後、47℃で3分間乾燥し、次いで47℃で2分間
減圧乾燥を行い、直ちに0.3J/cm2 の紫外線照射
によって塗布膜を硬化させ、膜厚6μmの情報記録層を
有する情報記録媒体を得た。
On this electrode: 40 parts of a polyfunctional monomer (dipentaerythrol hexaacrylate, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.): 40 parts photocuring initiator (2-hydroxy-2-methyl- 1-phenylpropane-1-one, Ciba-Geigy, Darocure 1173) ... 2 parts,-Liquid crystal: 90% of smectic liquid crystal (Merck, S-6), nematic liquid crystal (Merck, E31LV) 50% of a coating solution obtained by uniformly dissolving 1 part of a surfactant (Florad FC-430, manufactured by Sumitomo 3M Limited) in 96 parts of xylene.
After coating using a blade coater with an interval of 0 μm, the coating film was dried at 47 ° C. for 3 minutes, then dried under reduced pressure at 47 ° C. for 2 minutes, and immediately cured by irradiation with 0.3 J / cm 2 of ultraviolet light. Thus, an information recording medium having an information recording layer having a thickness of 6 μm was obtained.

【0112】情報記録層面を熱メタノールを用いて液晶
を抽出し、乾燥させた後、走査型電子顕微鏡(日立製作
所、S−800)で1000倍で内部構造を観察したと
ころ、層の表面は0.6μmの紫外線硬化型樹脂で覆わ
れ、層内部には連続層を成す液晶相中に、粒径0.1μ
mの樹脂粒子相が充填した構造を有していた。
After the liquid crystal was extracted from the surface of the information recording layer with hot methanol and dried, the internal structure was observed at 1000 times with a scanning electron microscope (S-800, Hitachi, Ltd.). 0.6 μm UV-curable resin, and inside the layer, a liquid crystal phase forming a continuous layer has a particle size of 0.1 μm.
m had a structure filled with a resin particle phase.

【0113】(情報記録方法及び記録特性)得られた光
センサと情報記録媒体とを図3に示すように組合せ、厚
さ10μmのポリイミドフィルムのスペーサーを介し
て、空気層を設けて対向させ、積層した。
(Information Recording Method and Recording Characteristics) The obtained optical sensor and the information recording medium were combined as shown in FIG. 3, and an air layer was provided and opposed via a 10 μm-thick polyimide film spacer. Laminated.

【0114】この積層体を図11に示すように撮像用カ
メラ(マミヤ社製RB67)に写真フィルムを代えて装
着し、光センサーと情報記録媒体の両電極間に750V
の直流電圧を0.04秒印加すると同時に、グレースケ
ール露光量2〜200ルックスで1/30秒間、光セン
サー側から投影露光した。露光後、情報記録媒体を取り
出した。透過光により情報記録媒体を観察したところ、
情報記録層にはグレースケールに応じた光透過部からな
る記録部が観察された。
As shown in FIG. 11, the laminated body was mounted on an imaging camera (RB67 manufactured by Mamiya Co.) instead of a photographic film, and 750 V was applied between both electrodes of the optical sensor and the information recording medium.
Was applied for 0.04 seconds, and at the same time, a projection exposure was performed from the optical sensor side for 1/30 seconds at a gray scale exposure of 2-200 lux. After the exposure, the information recording medium was taken out. When observing the information recording medium with transmitted light,
In the information recording layer, a recording portion composed of a light transmitting portion corresponding to a gray scale was observed.

【0115】次いで、情報記録媒体における記録情報
を、CCDラインセンサーを用いたイメージスキャナに
よって読み取り、その情報を昇華転写プリンタ(日本ビ
クター社製 SP−5500)を使用して情報出力した
結果、グレースケールに応じた階調性を有した良好な印
刷物が得られた。
Next, the information recorded on the information recording medium was read by an image scanner using a CCD line sensor, and the information was output using a sublimation transfer printer (SP-5500, manufactured by Victor Company of Japan). A good printed matter having a gradation property corresponding to the above was obtained.

【0116】また、プリズムとカラーフィルターによっ
てR、G、Bの3色に分解して同様にカラー画像を記録
したところ、記録された画像は良好で、カラー画像の記
録情報を同様に読み取って情報出力した結果、良好な印
刷物が得られた。
When a color image was similarly recorded after being separated into three colors of R, G and B by a prism and a color filter, the recorded image was good. As a result, a good printed matter was obtained.

【0117】(実施例2)実施例1で作製した光センサ
ーにおける光導電層上にポリビニルアルコール5重量部
(信越化学工業(株)製、AT、ケン化度97〜99
%)をイオン交換水95重量部中に溶解した塗布液を用
いて、これをスピンナーにて塗布を行い、膜厚1μmの
誘電体層を積層した。
(Example 2) 5 parts by weight of polyvinyl alcohol (AT, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., AT, saponification degree: 97 to 99) was formed on the photoconductive layer in the optical sensor manufactured in Example 1.
%) In 95 parts by weight of ion-exchanged water was applied by a spinner to form a 1 μm-thick dielectric layer.

【0118】次いで、この誘電体層上に、実施例1で示
した情報記録層の作製方法と同様に情報記録層を作製
し、さらにその情報記録層上にスパッタリングでITO
を20nm成膜することにより導電層を積層し、情報記
録媒体を作製した。
Then, an information recording layer was formed on this dielectric layer in the same manner as in the method for forming the information recording layer shown in Example 1, and the information recording layer was formed on the information recording layer by sputtering.
Was deposited to a thickness of 20 nm to form a conductive layer, thereby producing an information recording medium.

【0119】この情報記録媒体の両電極間に400Vの
直流電圧を印加すると同時に、実施例1同様にグレース
ケールを1/30秒間、光センサー側から投影露光し
た。電圧印加時間は0.05秒間とした。露光後、情報
記録媒体を取り出し、実施例1同様の情報出力装置によ
り読み取り及び出力を行ったところ、良好な印刷物がえ
られた。
At the same time as applying a DC voltage of 400 V between both electrodes of the information recording medium, the gray scale was projected and exposed from the optical sensor side for 1/30 second as in Example 1. The voltage application time was 0.05 seconds. After the exposure, the information recording medium was taken out and read and output by the same information output device as in Example 1. As a result, a good printed matter was obtained.

【0120】(実施例3) (光センサーの電気特性)実施例1で製造した光センサ
ーについて、その電気特性測定を100回繰り返した
が、1回目の電気特性結果と全く同じ電流密度の値が得
られ、本発明の光センサーは耐久性に優れることがわか
った。
(Example 3) (Electrical characteristics of optical sensor) The electric characteristics of the optical sensor manufactured in Example 1 were measured 100 times. As a result, it was found that the optical sensor of the present invention was excellent in durability.

【0121】(情報記録特性)上記の電気特性測定を1
00回繰り返した後の光センサーと情報記録媒体とを、
実施例1同様にして、図3に示すようにして、厚さ10
μmのポリイミドフィルムのスペーサーを介して空気層
を設けて対向させて積層した。
(Information Recording Characteristics)
The optical sensor and the information recording medium after repeating 00 times,
In the same manner as in Example 1, as shown in FIG.
An air layer was provided via a spacer of a polyimide film having a thickness of μm, and the layers were laminated to face each other.

【0122】この積層体を図11に示すように、撮像用
カメラ(マミヤ社製RB67)に写真フィルムを代えて
装着し、光センサーと情報記録媒体の両電極間に700
Vの直接電圧を0.04秒間印加すると同時に、グレー
スケール露光量が2〜200ルックスで1/30秒間、
光センサー側から投影露光した。露光後、情報記録媒体
を取り出した。透過光により情報記録媒体を観察したと
ころ、情報記録層には実施例1と同様のグレースケール
に応じた光透過部からなる記録部が観察された。次い
で、情報記録媒体における情報記録を、CCDラインセ
ンサーを用いたイメージスキャナによって読み取り、そ
の情報を昇華転写プリンタ(日本ビクター社製 SP−
5500)を使用して情報出力した結果、実施例1同様
のグレースケールに応じた階調性を有した良好な印刷物
が得られた。
As shown in FIG. 11, this laminated body was mounted on an imaging camera (RB67 manufactured by Mamiya) in place of a photographic film, and 700 mm was placed between the optical sensor and both electrodes of the information recording medium.
At the same time as applying a direct voltage of V for 0.04 seconds, the gray scale exposure amount is 2 to 200 lux for 1/30 seconds,
Projection exposure was performed from the light sensor side. After the exposure, the information recording medium was taken out. When the information recording medium was observed with the transmitted light, a recording portion including a light transmitting portion corresponding to a gray scale similar to that of Example 1 was observed in the information recording layer. Next, the information recorded on the information recording medium is read by an image scanner using a CCD line sensor, and the information is read by a sublimation transfer printer (SP- made by Victor Company of Japan, Ltd.).
5500), a good printed matter having the same gray scale gradation as in Example 1 was obtained.

【0123】また、プリズムとカラーフィルターによっ
てR、G、Bの3色に分解して同様にカラー画像を記録
したところ、実施例1同様に記録された画像は良好でカ
ラー画像の記録情報を同様に読み取って情報出力した結
果、良好な印刷物が得られた。
Further, when a color image was recorded similarly after being separated into three colors of R, G and B by a prism and a color filter, the recorded image was good as in Example 1, and the recorded information of the color image was similar. As a result, good printed matter was obtained.

【0124】(実施例4)…第2の光センサー (イミダゾールペリレン化合物の作製例)ペリレン−
3,4,9,10−テトラカルボン酸二無水物39.2
g、o−フェニレンジアミン32.4g、α−クロルナ
フタレン800mlを混合し、260℃で6時間反応さ
せた。放冷後、析出晶を濾取しメタノールで繰り返し洗
浄した。加熱乾燥して構造式(3)と(4)の混合物と
してのイミダゾールペリレン化合物(合成品)51.1
gを得た。そのX線回折スペクトルを図14に示した。
Example 4 Second optical sensor (Example of preparing imidazole perylene compound)
3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride 39.2
g, 32.4 g of o-phenylenediamine and 800 ml of α-chloronaphthalene were mixed and reacted at 260 ° C. for 6 hours. After cooling, the precipitated crystals were collected by filtration and washed repeatedly with methanol. Imidazole perylene compound (synthetic product) as a mixture of structural formulas (3) and (4) after drying by heating
g was obtained. The X-ray diffraction spectrum is shown in FIG.

【0125】得られたイミダゾールペリレン化合物を、
5×10-4〜5×10-3torrの圧力下において50
0℃の加熱条件下で昇華精製を行なった。揮発性の不純
物はシャッターを用いて除去した。得られた精製結晶は
もう一度同様の昇華精製を行なってさらに高純度化した
(昇華品)。そのX線回折スペクトルを図15に示し
た。
The obtained imidazole perylene compound was
Under a pressure of 5 × 10 -4 to 5 × 10 -3 torr, 50
Sublimation purification was performed under heating conditions of 0 ° C. Volatile impurities were removed using a shutter. The obtained purified crystal was subjected to the same sublimation purification again to further purify (sublimated product). FIG. 15 shows the X-ray diffraction spectrum.

【0126】得られた昇華品20gを600mlの濃硫
酸に溶解した液をグラスフィルターで濾過した後、12
00mlの純水中に滴下して析出させた。これを濾取し
純水で十分に洗浄してから乾燥させた(アシッドペース
ト処理品)。そのX線回折スペクトルを図16に示し
た。
A solution obtained by dissolving 20 g of the obtained sublimated product in 600 ml of concentrated sulfuric acid was filtered through a glass filter.
It was dropped into 00 ml of pure water to precipitate. This was collected by filtration, washed sufficiently with pure water, and then dried (acid paste treated product). The X-ray diffraction spectrum is shown in FIG.

【0127】(電荷発生層塗布液の調製)厚さ1.1m
mのガラス基板上に形成された面積抵抗80Ω/□、膜
厚100nmのITO膜を充分洗浄し、乾燥した。
(Preparation of charge generation layer coating solution) Thickness 1.1 m
An ITO film having a sheet resistance of 80 Ω / □ and a film thickness of 100 nm formed on a glass substrate having a thickness of 100 m was sufficiently washed and dried.

【0128】特開平7−261436号公報に記載さ
れ、上述のアシッドペースト処理品3部とポリビニルブ
チラール樹脂1部をメチルエチルケトン80mlと混
ぜ、ボールミルにより、80時間分散処理を行なった。
As described in JP-A-7-261436, 3 parts of the above-mentioned acid paste-treated product and 1 part of polyvinyl butyral resin were mixed with 80 ml of methyl ethyl ketone, and subjected to a dispersion treatment for 80 hours by a ball mill.

【0129】こうしな得られた分散液の一部を濃縮凝固
しX線回折スペクトルを測定した結果を図17に示し
た。図から12.4±0.2°のピーク強度が最大であ
り、半値幅が0.86°であり、また11.5±0.2
°に明瞭なピークを示さないことがわかる。
FIG. 17 shows the results of measuring the X-ray diffraction spectrum of a part of the obtained dispersion liquid by concentrating and coagulating it. From the figure, the peak intensity at 12.4 ± 0.2 ° is maximum, the half width is 0.86 °, and 11.5 ± 0.2
It turns out that a clear peak is not shown in °.

【0130】分散処理により、イミダゾールペリレン化
合物の粒径を、累積50%平均粒径〔日機装製「MIC
ROTRAC2」により測定)が0.21μmのものと
した分散塗布液を、ブレードコーターで上記のITO膜
上にコーティングし、風乾後、100℃、1時間乾燥し
て膜厚0.3μmの電荷発生層とした。
By the dispersion treatment, the particle size of the imidazole perylene compound was reduced to a cumulative 50% average particle size [“MIC” manufactured by Nikkiso Co., Ltd.
A dispersion coating solution having a particle size of 0.21 μm was coated on the ITO film with a blade coater, air-dried, and dried at 100 ° C. for 1 hour to form a 0.3 μm-thick charge generation layer. And

【0131】次に、この電荷発生層上に、p−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−N−フェニル−N−ベンジル
ヒドラゾン15部とポリカーボネート樹脂10部とを、
1,1,2−トリクロロエタン:ジクロロエタン=69
部:46部とからなる溶剤に均一に溶解して塗布液と
し、スピンナーにて500rpm、0.4秒でコーティ
ングした。コーティング後、塗膜の表面に皮膜が形成さ
れて、塗膜の表面が付着しなくなるまでの間、無風下で
放置し、レベリング乾燥を行った後、80℃、2時間乾
燥して電荷輸送層を積層し、膜厚10μmの光導電層を
有する光センサーを作製した。
Next, 15 parts of p-diethylaminobenzaldehyde-N-phenyl-N-benzylhydrazone and 10 parts of a polycarbonate resin were placed on the charge generation layer.
1,1,2-trichloroethane: dichloroethane = 69
Part: 46 parts, and uniformly dissolved in a solvent consisting of 46 parts to obtain a coating solution, which was coated with a spinner at 500 rpm for 0.4 seconds. After coating, the film is left on the surface of the coating film in a windless state until the surface of the coating film is not adhered to the surface of the coating film, and then dried at 80 ° C. for 2 hours. Were laminated to produce an optical sensor having a photoconductive layer having a thickness of 10 μm.

【0132】(光センサーの電気特性)得られた光セン
サーの電気特性を測定するために、上述の第1の光セン
サーと同様、図12に示す電流測定装置を使用し、同一
の測定条件で測定した結果を図18に示す。第2の光セ
ンサーは、第1の光センサーと同様の電気特性を示すこ
とがわかる。また、この光センサーのベース電流密度
(未露光部での通過電流密度)の値は、3.0×10-6
A/cm2 であった。
(Electrical Characteristics of Optical Sensor) In order to measure the electrical characteristics of the obtained optical sensor, a current measuring device shown in FIG. 12 was used under the same measurement conditions as in the case of the first optical sensor described above. FIG. 18 shows the measurement results. It can be seen that the second optical sensor has the same electrical characteristics as the first optical sensor. The value of the base current density (passing current density in the unexposed portion) of this optical sensor is 3.0 × 10 −6.
A / cm 2 .

【0133】本発明の光センサーは、105 〜106
/cmの電界強度の電圧印加時において、未露光部での
通過電流密度が10-4〜10-7A/cm2 であるとする
とよく、これにより、増幅作用が顕著で、情報記録性能
に優れる光センサーとなしうる。
The optical sensor of the present invention has a voltage of 10 5 to 10 6 V
When a voltage having an electric field strength of / cm is applied, the passing current density in the unexposed area is preferably 10 −4 to 10 −7 A / cm 2 , whereby the amplification effect is remarkable and the information recording performance is reduced. It can be an excellent light sensor.

【0134】上記で作製した光センサーを、実施例1で
作製した情報記録媒体と、実施例1と同様に組み合わせ
て情報記録装置とし、実施例1と同様の撮影を700V
の直流電圧を0.05秒印加すると同時に、グレースケ
ール露光量2〜200ルックスで1/30秒間、光セン
サー側から投影露光した。露光後、情報記録媒体を取り
出した。透過光により情報記録媒体を観察したところ、
情報記録層にはグレースケールに応じた光透過部からな
る記録部が観察された。
The optical sensor manufactured as described above is combined with the information recording medium manufactured in Example 1 in the same manner as in Example 1 to form an information recording apparatus.
Was applied from the optical sensor side for 1/30 second at a gray scale exposure of 2-200 lux. After the exposure, the information recording medium was taken out. When observing the information recording medium with transmitted light,
In the information recording layer, a recording portion composed of a light transmitting portion corresponding to a gray scale was observed.

【0135】次いで、情報記録媒体における記録情報
を、CCDラインセンサーを用いたイメージスキャナに
よって読み取り、その情報を昇華転写プリンタ(日本ビ
クター社製 SP−5500)を使用して情報出力した
結果、グレースケールに応じた階調性を有した良好な印
刷物が得られた。
Next, the information recorded on the information recording medium was read by an image scanner using a CCD line sensor, and the information was output using a sublimation transfer printer (SP-5500, manufactured by Victor Company of Japan). A good printed matter having a gradation property corresponding to the above was obtained.

【0136】また、プリズムとカラーフィルターによっ
てR、G、Bの3色に分解して同様にカラー画像を記録
したところ、記録された画像は良好で、カラー画像の記
録情報を同様に読み取って情報出力した結果、良好な印
刷物が得られた。
When a color image was recorded by separating the color into three colors of R, G, and B using a prism and a color filter, the recorded image was good. As a result, a good printed matter was obtained.

【0137】(実施例5)実施例4で作製した光センサ
ーを、実施例2と同様に誘電体層、情報記録層、導電層
を積層して情報記録媒体を作製した。
(Example 5) An information recording medium was manufactured by laminating a dielectric layer, an information recording layer, and a conductive layer on the optical sensor manufactured in Example 4 in the same manner as in Example 2.

【0138】この情報記録媒体の両電極間に350V、
0.05秒の直流電圧を印加し、実施例2と同様に撮
影、読取り、出力を行なったところ、良好な印刷物が得
られた。
A voltage of 350 V was applied between both electrodes of this information recording medium.
When a DC voltage of 0.05 second was applied and photographing, reading, and outputting were performed in the same manner as in Example 2, good printed matter was obtained.

【0139】[0139]

【発明の効果】本発明の光センサーは、光導電層中に特
定のビスアゾ化合物または特定の結晶構造を有するイミ
ダゾールペリレン化合物を含有させることにより、光セ
ンサー素子全体の導電性を適当な状態とすることができ
るため、液晶記録媒体の動作電圧及び範囲に見合った光
センサーを得ることができる。そのため、記録画像濃度
を一定の範囲内のものとすることができ、安定した光情
報の記録をすることが可能となる。すなわち、本発明に
おける光センサーは、高感度であるとともに、一定の電
気的特性を安定的に示すばかりでなく、皮膜物性が良好
で繰り返し使用による劣化が少ない光センサーとでき
る。
According to the photosensor of the present invention, a specific bisazo compound or an imidazole perylene compound having a specific crystal structure is contained in the photoconductive layer, so that the conductivity of the entire photosensor element is set to an appropriate state. Therefore, an optical sensor suitable for the operating voltage and range of the liquid crystal recording medium can be obtained. Therefore, the recording image density can be kept within a certain range, and stable recording of optical information can be performed. That is, the optical sensor according to the present invention can be an optical sensor having high sensitivity, stable electrical characteristics, good film properties, and little deterioration due to repeated use.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1又は第2の光センサーをそれぞ
れ説明するための断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view for describing a first or second optical sensor of the present invention.

【図2】 本発明の第1又は第2の光センサーにおける
それぞれ他の例を説明するための断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining another example of each of the first and second optical sensors of the present invention.

【図3】 本発明における第1の情報記録装置を説明す
る断面図である。
FIG. 3 is a sectional view illustrating a first information recording device according to the present invention.

【図4】 本発明における第2の情報記録装置を説明す
る断面図である。
FIG. 4 is a sectional view illustrating a second information recording device according to the present invention.

【図5】 本発明の第1又は第2の光センサーの光電流
増幅作用を説明するために使用した測定系におけるグリ
ーンフィルターの分光特性を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a spectral characteristic of a green filter in a measurement system used for explaining a photocurrent amplifying action of the first or second optical sensor of the present invention.

【図6】 比較センサーの光電流増幅作用の測定結果を
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a measurement result of a photocurrent amplifying action of a comparative sensor.

【図7】 比較センサーの光照射中における量子効率の
変化を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a change in quantum efficiency during light irradiation of a comparative sensor.

【図8】 本発明の光センサーにおける光電流増幅作用
を説明するための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining a photocurrent amplifying action in the optical sensor of the present invention.

【図9】 本発明の光センサーの光照射中における量子
効率の変化を説明するための図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining a change in quantum efficiency during light irradiation of the optical sensor of the present invention.

【図10】 X線回折ピークにおけるピーク強度、半値
幅の定義を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing definitions of a peak intensity and a half width at an X-ray diffraction peak.

【図11】 本発明における情報記録方法を説明するた
めの図である。
FIG. 11 is a diagram for explaining an information recording method according to the present invention.

【図12】 電流測定装置を説明するための図である。FIG. 12 is a diagram for explaining a current measuring device.

【図13】 本発明の第1の光センサーの電流測定結果
を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a current measurement result of the first optical sensor of the present invention.

【図14】 イミダゾールペリレン化合物(合成品)の
X線回折スペクトル。
FIG. 14 is an X-ray diffraction spectrum of an imidazole perylene compound (synthetic product).

【図15】 イミダゾールペリレン化合物(昇華品)の
X線回折スペクトル。
FIG. 15 is an X-ray diffraction spectrum of an imidazole perylene compound (sublimated product).

【図16】 イミダゾールペリレン化合物(アシッドペ
ースト処理品)のX線回折スペクトル。
FIG. 16 is an X-ray diffraction spectrum of an imidazole perylene compound (acid paste-treated product).

【図17】 実施例4におけるイミダゾールペリレン化
合物のX線回折スペクトル。
FIG. 17 is an X-ray diffraction spectrum of the imidazole perylene compound in Example 4.

【図18】 本発明の第2の光センサーの電流測定結果
を示す図である。
FIG. 18 is a diagram showing a current measurement result of the second optical sensor of the present invention.

【符号の説明】 1…光センサー、2…情報記録媒体、11…情報記録
層、13、13′…電極、14は光導電層、14′…電
荷発生層、14″…電荷輸送層、15…基板、19…ス
ペーサ、20…誘電体層、21…光源、22…駆動機構
を有するシャッター、23…パルスジェネレータ(電
源)、24…暗箱、30…金電極、31…光源、32…
シャッター、33…シャッター駆動機構、34…パルス
ジェネレーター、35…オシロスコープ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... optical sensor, 2 ... information recording medium, 11 ... information recording layer, 13, 13 '... electrode, 14 is photoconductive layer, 14' ... charge generation layer, 14 "... charge transport layer, 15 ... Substrate, 19 ... Spacer, 20 ... Dielectric layer, 21 ... Light source, 22 ... Shutter with drive mechanism, 23 ... Pulse generator (power supply), 24 ... Dark box, 30 ... Gold electrode, 31 ... Light source, 32 ...
Shutter, 33 ... Shutter drive mechanism, 34 ... Pulse generator, 35 ... Oscilloscope

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // G03G 15/05 (72)発明者 彦坂 眞一 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 上山 弘徳 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 青木 大吾 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 山本 学 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI // G03G 15/05 (72) Inventor Shinichi Hikosaka 1-1-1 Ichigaya Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo Inside Dai Nippon Printing Co., Ltd. (72) Inventor Hironori Ueyama 1-1-1, Ichigaya-Kaga-cho, Shinjuku-ku, Tokyo Inside Dai Nippon Printing Co., Ltd. (72) Inventor Daigo 1-1-1, Ichigaya-Kaga-cho, Shinjuku-ku, Tokyo Dai Nippon Printing stock Inside the company (72) Inventor Manabu Yamamoto 1-1-1 Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo Dai Nippon Printing Co., Ltd.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも電極上に光導電層を有する光
センサーであって、少なくとも電極上に情報記録層を有
する情報記録媒体と対向配置され、両電極間に露光した
状態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印加した状態
で露光し、情報記録媒体に電界又は電荷量により情報を
形成することが可能な光センサーにおいて、該光センサ
ーにおける光導電層中に、下記一般式(1)で示される
ビスアゾ化合物を含有することを特徴とする光センサ
ー。 【化1】 {式中、X1 及びX2 は、それぞれ、ハロゲン原子、置
換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換の
アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基又は
置換若しくは未置換のアミノ基を表わし、X1 及びX2
のうち少なくとも1つはハロゲン原子である。pおよび
qはそれぞれ0、1又は2の整数を表わし、pおよびq
は同時に0になることはなく、且つ、pおよびqが2の
ときは、X1 及びX2 はそれぞれ同一又は異なる基であ
ってもよい。Aは下記一般式(2)で表される基を表わ
す。 【化2】 (式中、Arはフッ素化炭化水素基を有する芳香族炭素
環基又は芳香族複素環基を表わす。Zは置換若しくは未
置換の芳香族炭素環基又は芳香族複素環基を形成するの
に必要な非金属原子群を表わす。) m及びnはそれぞれ0、1又は2の整数を表わす。但
し、m及びnが同時に0となることはない。}
1. An optical sensor having a photoconductive layer on at least an electrode, wherein the optical sensor is arranged to face an information recording medium having an information recording layer on at least the electrode, and a voltage is applied in a state where the voltage is exposed between both electrodes. Alternatively, in an optical sensor capable of forming information on an information recording medium by an electric field or a charge amount by exposing under an applied voltage, the photoconductive layer of the optical sensor is represented by the following general formula (1). An optical sensor comprising a bisazo compound. Embedded image In the formula, X 1 and X 2 each represent a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, or a substituted or unsubstituted amino group. , X 1 and X 2
At least one of them is a halogen atom. p and q each represent an integer of 0, 1 or 2;
Are not simultaneously 0, and when p and q are 2, X 1 and X 2 may be the same or different groups. A represents a group represented by the following general formula (2). Embedded image (In the formula, Ar represents an aromatic carbocyclic group or an aromatic heterocyclic group having a fluorinated hydrocarbon group. Z represents a substituted or unsubstituted aromatic carbocyclic group or an aromatic heterocyclic group. M and n each represent an integer of 0, 1 or 2. However, m and n do not become 0 at the same time. }
【請求項2】 少なくとも電極上に光導電層を有する光
センサーであって、少なくとも電極上に情報記録層を有
する情報記録媒体と対向配置され、両電極間に露光した
状態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印加した状態
で露光し、情報記録媒体に電界又は電荷量により情報を
形成することが可能な光センサーにおいて、該光センサ
ーにおける光導電層中に、下記構造式(3)または構造
式(4)のイミダゾールペリレン化合物を含有すること
を特徴とする光センサー。 【化3】
2. An optical sensor having a photoconductive layer on at least an electrode, wherein the optical sensor is disposed so as to face an information recording medium having an information recording layer on at least the electrode, and a voltage is applied in a state where light is exposed between both electrodes. Or an optical sensor capable of forming information on an information recording medium by an electric field or a charge amount by exposing under an applied voltage, wherein the photoconductive layer of the optical sensor has the following structural formula (3) or An optical sensor comprising the imidazole perylene compound of the formula (4). Embedded image
【請求項3】 光センサーが、半導電性であり、両電極
間に露光した状態で電圧を印加するか、あるいは電圧を
印加した状態で露光すると、情報記録媒体に露光に起因
する電流以上に増幅された強度で情報記録することがで
き、また、露光を終了した後も電圧を印加し続けると導
電性が徐々に減衰する挙動を示し、引き続き情報記録媒
体に情報記録を継続する作用を有することを特徴とする
請求項1または請求項2記載の光センサー。
3. The optical sensor is semi-conductive, and when a voltage is applied in a state where it is exposed between both electrodes, or when an exposure is performed in a state where a voltage is applied, an information recording medium is exposed to a current higher than a current caused by the exposure. It is possible to record information with the amplified intensity, and also shows a behavior that the conductivity gradually decreases when the voltage is continuously applied even after the exposure is completed, and has an effect of continuously recording information on the information recording medium. The optical sensor according to claim 1 or 2, wherein:
【請求項4】 光センサーへ105 〜106 V/cmの
電界強度の印加時において、未露光部での通過電流密度
が10-4〜10-7A/cm2 であることを特徴とする請
求項1〜請求項3のいずれか1つ記載の光センサー。
4. The method according to claim 1, wherein, when an electric field intensity of 10 5 to 10 6 V / cm is applied to the optical sensor, a passing current density in an unexposed portion is 10 -4 to 10 -7 A / cm 2. The optical sensor according to any one of claims 1 to 3, wherein
【請求項5】 少なくとも電極上に光導電層を有する光
センサーと、少なくとも電極上に情報記録層を有する情
報記録媒体とが対向配置され、両電極間に、露光した状
態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印加した状態で
露光し、情報記録媒体に電界又は電荷量により情報を形
成することが可能な光センサーにおける光導電層形成用
材料であって、下記一般式(1)で示されるビスアゾ化
合物を含有することを特徴とする光導電層形成用材料。 【化4】 {式中、X1 及びX2 は、それぞれ、ハロゲン原子、置
換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換の
アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基又は
置換若しくは未置換のアミノ基を表わし、X1 及びX2
のうち少なくとも1つはハロゲン原子である。pおよび
qはそれぞれ0、1又は2の整数を表わし、pおよびq
は同時に0になることはなく、且つ、pおよびqが2の
ときは、X1 及びX2 はそれぞれ同一又は異なる基であ
ってもよい。Aは下記一般式(2)で表される基を表わ
す。 【化5】 (式中、Arはフッ素化炭化水素基を有する芳香族炭素
環基又は芳香族複素環基を表わす。Zは置換若しくは未
置換の芳香族炭素環基又は芳香族複素環基を形成するの
に必要な非金属原子群を表わす。) m及びnはそれぞれ0、1又は2の整数を表わす。但
し、m及びnが同時に0となることはない。}
5. An optical sensor having a photoconductive layer on at least an electrode and an information recording medium having an information recording layer on at least an electrode are arranged opposite to each other, and a voltage is applied between both electrodes in an exposed state. Or a photoconductive layer forming material in a photosensor capable of forming information on an information recording medium by an electric field or a charge amount by exposing under an applied voltage, and represented by the following general formula (1) A material for forming a photoconductive layer, comprising a bisazo compound. Embedded image In the formula, X 1 and X 2 each represent a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a nitro group, a cyano group, a hydroxy group, or a substituted or unsubstituted amino group. , X 1 and X 2
At least one of them is a halogen atom. p and q each represent an integer of 0, 1 or 2;
Are not simultaneously 0, and when p and q are 2, X 1 and X 2 may be the same or different groups. A represents a group represented by the following general formula (2). Embedded image (In the formula, Ar represents an aromatic carbocyclic group or an aromatic heterocyclic group having a fluorinated hydrocarbon group. Z represents a substituted or unsubstituted aromatic carbocyclic group or an aromatic heterocyclic group. M and n each represent an integer of 0, 1 or 2. However, m and n do not become 0 at the same time. }
【請求項6】 少なくとも電極上に光導電層を有する光
センサーと、少なくとも電極上に情報記録層を有する情
報記録媒体とが対向配置され、両電極間に、露光した状
態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印加した状態で
露光し、情報記録媒体に電界又は電荷量により情報を形
成することが可能な光センサーにおける光導電層形成用
材料であって、下記構造式(3)または構造式(4)の
イミダゾールペリレン化合物を含有することを特徴とす
る光導電層形成用材料。 【化6】
6. An optical sensor having a photoconductive layer on at least an electrode and an information recording medium having an information recording layer on at least an electrode are arranged opposite to each other, and a voltage is applied between both electrodes in an exposed state. Or a material for forming a photoconductive layer in an optical sensor capable of forming information on an information recording medium by an electric field or a charge amount by exposing under an applied voltage, and having the following structural formula (3) or structural formula (4) A material for forming a photoconductive layer, comprising the imidazole perylene compound. Embedded image
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100391058B1 (en) * 1999-09-29 2003-07-16 가부시끼가이샤 도시바 Recording medium, recording apparatus and recording method

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