JPH09289346A - Optical sensor, photoconductive layer forming material therefor, and photoconductive layer forming ink composition therefor - Google Patents

Optical sensor, photoconductive layer forming material therefor, and photoconductive layer forming ink composition therefor

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JPH09289346A
JPH09289346A JP8098328A JP9832896A JPH09289346A JP H09289346 A JPH09289346 A JP H09289346A JP 8098328 A JP8098328 A JP 8098328A JP 9832896 A JP9832896 A JP 9832896A JP H09289346 A JPH09289346 A JP H09289346A
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JP
Japan
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group
information recording
optical sensor
substituted
photoconductive layer
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Application number
JP8098328A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaru Hasegawa
勝 長谷川
Toshio Kono
寿夫 河野
Osamu Suda
修 須田
Masanori Akata
正典 赤田
Hironori Kamiyama
弘徳 上山
Daigo Aoki
大吾 青木
Osamu Shimizu
治 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Dainichiseika Color and Chemicals Mfg Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Dainichiseika Color and Chemicals Mfg Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical sensor which enables stable supply of constant performance and has excellent durability, a photoconductive layer forming material therefor, and a photoconductive layer forming ink composition therefor. SOLUTION: An optical sensor having a photoconductive layer on an electrode and an information recording medium having an information recording layer on an electrode are arranged to face each other. The photoconductive layer is caused to contain an azo compound having an azo group coupled with a coupler residue expressed by the formula in a molecule. In the formula, X represents a condensation ring with a benzene ring, and Y represents a group with n being an integer of 0 to 4 selected from a halogen atom, cyano group, alkyl group and alkoxyl. R1 and R2 represent hydrogen, alkyl group, aromatic ring group and aromatic complex ring group. R1 and R2 may be the same or different, and may form a ring with a nitrogen atom.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報を可視情報
または静電情報の形態で情報記録媒体へ記録することが
できる光センサー、及びその光導電層形成用材料、光導
電層形成用インキ組成物に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical sensor capable of recording optical information in the form of visible information or electrostatic information on an information recording medium, a material for forming the photoconductive layer, and an ink for forming the photoconductive layer. It relates to a composition.

【0002】[0002]

【従来の技術】光情報を情報記録媒体に記録するため
に、前面に電極が設けられた光導電層からなる光センサ
ーと、該光センサーに対向し、後面に電極が設けられた
電荷保持層からなる情報記録媒体とを光軸上に配置し、
両電極間に電圧を印加しつつ露光し、入射光学像に応じ
て、電荷保持層に静電電荷を記録させ、その静電電荷を
トナー現像するかまたは電位読み取り装置により再生す
る方法は、例えば特開平1−290366号公報、特開
平1−289975号公報に記載されている。また、前
記方法における電荷保持層を加熱可塑性樹脂層とし、静
電電荷を熱可塑樹脂層表面に記録した後加熱し、熱可塑
性樹脂層表面にフロスト像を形成することにより記録さ
れた静電電荷を可視化する方法は、例えば特開平3−1
92288号公報により記載されている。
2. Description of the Related Art In order to record optical information on an information recording medium, a photosensor comprising a photoconductive layer having an electrode on the front surface and a charge holding layer having an electrode on the rear surface facing the photosensor. The information recording medium consisting of is arranged on the optical axis,
A method of exposing while applying a voltage between both electrodes, recording an electrostatic charge on the charge holding layer according to the incident optical image, and developing the electrostatic charge with a toner or reproducing with a potential reading device, for example, It is described in JP-A-1-290366 and JP-A-1-289975. Further, the charge holding layer in the above method is a thermoplastic resin layer, the electrostatic charge is recorded on the surface of the thermoplastic resin layer, then heated, and the electrostatic charge recorded by forming a frost image on the surface of the thermoplastic resin layer. A method for visualizing is described in, for example, JP-A-3-1
No. 92288.

【0003】さらに、本出願人等は、前記情報記録媒体
における情報記録層を液晶−高分子複合体型液晶記録層
として、前記同様に電圧印加時に露光し、光センサーに
より形成される電界により液晶層を配向させて情報記録
を行い、情報記録の再生にあたっては透過光あるいは反
射光により可視情報として再生する情報記録再生方法
を、先に特願平4−3394号、特願平4−24722
号、特願平5−266646号として出願した。この情
報記録再生方法は偏向板を使用しなくとも記録された情
報を可視化できる。
Furthermore, the present applicants have disclosed that the information recording layer in the information recording medium is a liquid crystal-polymer composite type liquid crystal recording layer, which is exposed when a voltage is applied in the same manner as described above, and which is exposed to an electric field formed by an optical sensor. The information recording and reproducing method of reproducing information as visible information by transmitted light or reflected light when reproducing information is described in Japanese Patent Application Nos. Hei 4-3394 and Hei 4-24722.
And Japanese Patent Application No. 5-266646. This information recording / reproducing method can visualize recorded information without using a deflection plate.

【0004】本出願人は、上記の情報記録システムにお
いて、その光センサーを半導電性であり、増幅作用を有
するものとすることにより、情報記録媒体への情報記録
性能に優れるものとできることを見出し、先に特願平6
−6437号として出願したが、情報記録性能が安定
し、また、繰り返し使用に耐える光センサーの提供が求
められている。
[0004] The present applicant has found that in the above-mentioned information recording system, by making the optical sensor semiconductive and having an amplifying action, it is possible to improve the information recording performance on an information recording medium. First, Japanese Patent Application No. 6
Although the application was filed as Japanese Patent No. -6437, there is a demand for providing an optical sensor that has stable information recording performance and that can withstand repeated use.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、情報記録媒
体への情報形成に使用される光センサー、及びその光導
電層形成用材料、光導電層形成用インキ組成物であっ
て、一定の性能を安定的に供給することができ、耐用性
に優れた光センサー、及びその光導電層形成用材料、光
導電層形成用インキ組成物の提供を課題とする。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention relates to an optical sensor used for forming information on an information recording medium, a material for forming the photoconductive layer, and an ink composition for forming the photoconductive layer. An object is to provide an optical sensor that can stably supply performance and is excellent in durability, a material for forming the photoconductive layer, and an ink composition for forming the photoconductive layer.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の光センサーは、
少なくとも電極上に光導電層を有する光センサーであっ
て、少なくとも電極上に情報記録層を有する情報記録媒
体と対向配置され、両電極間に露光した状態で電圧を印
加するか、あるいは電圧を印加した状態で露光し、情報
記録媒体に電界又は電荷量により情報を形成することが
可能な光センサーにおいて、該光センサーにおける光導
電層中に、下記一般式(1)で示されるカップラー残基
と結合したアゾ基を少なくとも一個分子中に有するアゾ
化合物を含有すること特徴とする。
The optical sensor of the present invention comprises:
An optical sensor having a photoconductive layer on at least an electrode, which is arranged to face an information recording medium having an information recording layer on at least an electrode, and a voltage is applied between both electrodes in an exposed state, or a voltage is applied. In a photosensor capable of forming information on the information recording medium by an electric field or an amount of electric charge, in a photoconductive layer of the photosensor, a coupler residue represented by the following general formula (1): It is characterized by containing an azo compound having at least one bound azo group in the molecule.

【0007】[0007]

【化5】 Embedded image

【0008】(式中、Xはベンゼン環と縮合して置換・
未置換の芳香族炭化水素環または置換・未置換の芳香族
複素環を形成するのに必要な原子群、Yは水素、ハロゲ
ン原子、シアノ基、置換・未置換のアルキル基、アルコ
キシ基より選択されるn=0〜4の整数の基である。ま
た、R1 、R2 は水素、置換・未置換のアルキル基、置
換・未置換の芳香族炭化水素環基あるいは置換・未置換
の芳香族複素環基を示す。ここで、R1 、R2 は同一で
あっても異なっていてもよく、また、窒素原子と共同し
て環を形成してもよい。) また、上記の本発明の光センサーは半導電性であり、両
電極間に露光した状態で電圧を印加するか、あるいは電
圧を印加した状態で露光すると、情報記録媒体に露光に
起因する電流以上に増幅された強度で情報記録すること
ができ、また、露光を終了した後も電圧を印加し続ける
と導電性が徐々に減衰する挙動を示し、引き続き情報記
録媒体に情報記録を継続する作用を有することを特徴と
する。
(In the formula, X is condensed with a benzene ring to be substituted.
Atom group necessary for forming an unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or a substituted / unsubstituted aromatic heterocycle, Y is selected from hydrogen, halogen atom, cyano group, substituted / unsubstituted alkyl group, and alkoxy group N is an integer group of 0 to 4. R 1 and R 2 represent hydrogen, a substituted / unsubstituted alkyl group, a substituted / unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group or a substituted / unsubstituted aromatic heterocyclic group. Here, R 1 and R 2 may be the same or different, and may form a ring in cooperation with the nitrogen atom. ) Further, the above-mentioned optical sensor of the present invention is semi-conductive, and when a voltage is applied between both electrodes in an exposed state, or when an exposure is performed while a voltage is applied, a current caused by the exposure to the information recording medium is generated. Information can be recorded with the intensity amplified as described above, and the behavior of gradually decreasing the conductivity when the voltage is continuously applied after the exposure is finished, and the function of continuing the information recording on the information recording medium It is characterized by having.

【0009】更に、上記の本発明の光センサーが、10
5 〜106 V/cmの電界強度の電圧印加時において、
未露光部での通過電流密度が10-4〜10-7A/cm2
であることを特徴とする。
Further, the above-mentioned optical sensor of the present invention is 10
When a voltage with an electric field strength of 5 to 10 6 V / cm is applied,
The passing current density in the unexposed area is 10 −4 to 10 −7 A / cm 2
It is characterized by being.

【0010】また、本発明の光センサーにおける光導電
層形成用材料は、少なくとも電極上に光導電層を有する
光センサーと、少なくとも電極上に情報記録層を有する
情報記録媒体とが対向配置され、両電極間に、露光した
状態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印加した状態
で露光し、情報記録媒体に電界又は電荷量により情報を
形成することが可能な光センサーにおける光導電層形成
用材料であって、上記一般式(1)で示されるカップラ
ー残基と結合したアゾ基を少なくとも一個分子中に有す
るアゾ化合物であることを特徴とする。
In the photoconductive layer forming material in the photosensor of the present invention, a photosensor having a photoconductive layer on at least an electrode and an information recording medium having an information recording layer on at least an electrode are arranged to face each other. For forming a photoconductive layer in an optical sensor capable of forming information on an information recording medium by applying an electric field or an electric charge to the information recording medium by applying a voltage in an exposed state between both electrodes A material, which is an azo compound having at least one azo group bonded to the coupler residue represented by the general formula (1) in the molecule.

【0011】本発明の光導電層形成用インキ組成物は、
少なくとも電極上に光導電層を有する光センサーと、少
なくとも電極上に情報記録層を有する情報記録媒体とが
対向配置され、両電極間に、露光した状態で電圧を印加
するか、あるいは電圧を印加した状態で露光し、情報記
録媒体に電界又は電荷量により情報を形成することが可
能な光センサーにおける光導電層形成用インキ組成物で
あって、上記の一般式(1)で示されるカップラー残基
と結合したアゾ基を少なくとも一個分子中に有するアゾ
化合物とバインダーとからなることを特徴とする。
The ink composition for forming a photoconductive layer of the present invention comprises
An optical sensor having a photoconductive layer on at least an electrode and an information recording medium having an information recording layer on at least an electrode are arranged to face each other, and a voltage is applied between both electrodes in an exposed state or a voltage is applied. An ink composition for forming a photoconductive layer in an optical sensor, which is capable of forming information on an information recording medium by an electric field or an electric charge when exposed to light in a state of being exposed, and is a coupler residue represented by the general formula (1). It is characterized by comprising an azo compound having at least one azo group bonded to a group in a molecule and a binder.

【0012】本発明の光導電層形成用インキ組成物は、
少なくとも電極上に電荷輸送層及び電荷発生層からなる
光導電層を有する光センサーと、少なくとも電極上に情
報記録層を有する情報記録媒体とが対向配置され、両電
極間に、露光した状態で電圧を印加するか、あるいは電
圧を印加した状態で露光し、情報記録媒体に電界又は電
荷量により情報を形成することが可能な光センサーにお
ける電荷発生層を形成するための光導電層形成用インキ
組成物であって、上記の一般式(1)で示されるカップ
ラー残基と結合したアゾ基を少なくとも一個分子中に有
するアゾ化合物とバインダーとからなることを特徴とす
る。
The ink composition for forming a photoconductive layer of the present invention comprises
An optical sensor having a photoconductive layer composed of a charge transport layer and a charge generation layer on at least an electrode and an information recording medium having an information recording layer on at least an electrode are arranged to face each other, and a voltage between both electrodes in an exposed state is a voltage. Ink composition for forming a photoconductive layer for forming a charge generation layer in an optical sensor capable of forming information on an information recording medium by an electric field or an amount of electric charge by exposing under an applied voltage or a voltage. It is characterized by comprising a binder and an azo compound having at least one azo group bonded to the coupler residue represented by the above general formula (1) in the molecule.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明における光センサーは、電極上に光導電層を積層
してなり、この光導電層は単層型のものと電荷発生層及
び電荷輸送層を積層した積層型のものである。光導電層
は一般には光が照射されると照射部分で光誘起電荷キャ
リア(電子、正孔)が発生し、それらのキャリアが層幅
を移動することができる機能を有するものである。本発
明では後述する特定のアゾ化合物を、単層型の場合には
その光導電層中に、また、積層型の場合にはその電荷発
生層中に含有する光センサーとすることにより、光セン
サーへの光照射時において情報記録媒体に付与される電
界または電荷量が光照射に経時的に増幅され、また光照
射を終了した後でも電圧を印加し続けるとその増加した
導電性は徐々に減衰しながらも持続し、引き続き電界ま
たは電荷量を情報記録媒体に付与し続ける作用を有する
に至るものであり、一定の電気的特性を安定的に示すば
かりでなく、皮膜物性が良好で繰り返し使用による劣化
が少ない光センサーとできるものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below.
The photosensor according to the present invention is formed by laminating a photoconductive layer on an electrode, and the photoconductive layer is a single layer type and a stacked type in which a charge generation layer and a charge transport layer are stacked. The photoconductive layer generally has a function of generating photo-induced charge carriers (electrons, holes) in the irradiated portion when irradiated with light and allowing the carriers to move in the layer width. In the present invention, a specific azo compound described below is contained in the photoconductive layer in the case of a single-layer type, and in the charge generation layer in the case of a multilayer type, thereby providing an optical sensor. When light is applied to the information recording medium, the electric field or charge applied to the information recording medium is amplified over time with the light irradiation, and the increased conductivity gradually attenuates when voltage is applied even after the light irradiation is completed. While maintaining the electric field or the amount of electric charge to the information recording medium, not only stably exhibiting a certain electric property, but also having good film properties and repeated use. It can be an optical sensor with little deterioration.

【0014】本発明の光センサーにおける光誘起電流増
幅作用について説明する。増幅作用測定用光センサの光
導電層上に0.16cm2 の金電極を積層する。そし
て、この両電極間にITO電極を正極として直流の一定
電圧を印加すると共に、電圧印加開始後0.5秒後に基
板側から0.033秒間光照射し、測定時間中の光セン
サーにおける電流値の挙動を、光照射開始時(t=0)
から測定する。なお、照射光はキセノンランプ(浜松ホ
トニクス社製L2274)を光源に、グリーンフィルタ
ー(日本真空光学社製)により得られる緑色光を、20
ルックスの強度で照射した照射光強度を照度計(ミノル
タ社製)で測定し、使用したフィルターの特性を図5に
示す。
The photo-induced current amplifying action in the optical sensor of the present invention will be described. A gold electrode of 0.16 cm 2 is laminated on the photoconductive layer of the optical sensor for measuring an amplification effect. A constant DC voltage is applied between the two electrodes with the ITO electrode as a positive electrode, and 0.5 seconds after the start of the voltage application, light is irradiated from the substrate side for 0.033 seconds, and the current value of the optical sensor during the measurement time is measured. At the start of light irradiation (t = 0)
Measure from. The irradiation light was a green light obtained by a green filter (manufactured by Nippon Vacuum Optical Co., Ltd.) using a xenon lamp (L2274 manufactured by Hamamatsu Photonics) as a light source.
The intensity of irradiation light irradiated at the intensity of looks was measured with an illuminometer (manufactured by Minolta), and the characteristics of the filter used are shown in FIG.

【0015】この光強度で光照射した時、透明基材、I
TO膜の光透過率、フィルターの分光特性を考慮する
と、光導電層には4.2×1011個/cm2 秒のフォト
ンが入射する。そして、入射したフォトンが全て光キャ
リアに変換されると、理論的には光電流としては単位面
積当たり1.35×10-6A/cm2 の電流が発生す
る。ここで前記測定装置により測定する場合に、理論的
光電流に対して、光センサーで実際に発生した光誘起電
流の割合、すなわち、 見掛けの量子効率=(光センサーで実際に発生する光誘
起電流値/理論的光電流値) として、光センサーにおけるみかけの量子効率と定義す
る。また、光誘起電流とは、光照射部の電流値から光を
照射しない部分で流れる電流であるベース電流値を差し
引いたものであり、光照射中あるいは光照射後もベース
電流以上の光照射に起因する電流が流れるものをいい、
いわゆる光電流とは相違する。本発明の光センサーにお
ける光誘起電流増幅作用とは、このような光誘起電流の
挙動のことであると定義する。
When irradiated with light at this light intensity, the transparent substrate, I
Considering the light transmittance of the TO film and the spectral characteristics of the filter, 4.2 × 10 11 photons / cm 2 seconds enter the photoconductive layer. When all the incident photons are converted into optical carriers, a photocurrent of 1.35 × 10 −6 A / cm 2 per unit area is theoretically generated. Here, when measuring with the measuring device, the ratio of the photo-induced current actually generated in the optical sensor to the theoretical photo-current, that is, apparent quantum efficiency = (photo-induced current actually generated in the optical sensor) Value / theoretical photocurrent value) is defined as the apparent quantum efficiency of the optical sensor. The light-induced current is a value obtained by subtracting a base current value, which is a current flowing in a portion not irradiated with light, from a current value of a light irradiation portion. The current that flows due to
This is different from a so-called photocurrent. The photo-induced current amplification action in the photo-sensor of the present invention is defined as such a behavior of the photo-induced current.

【0016】本発明における光誘起電流増幅作用を有す
る光センサーと、光誘起電流増幅作用を有さない光セン
サー(以下、比較センサーという)とを前記測定装置で
の測定結果を使用して説明する。まず、比較センサーに
ついての測定結果の一例を図6に示す。図6において、
(m)線は前記理論値(1.35×10-6A/cm2
を示す参考線で、光照射を0.033秒間行い、光照射
後も電圧印加を継続した状態を示す。(n)線は比較セ
ンサーの実測線で光照射中の光電流の増加は小さく、そ
の値も理論値(1.35×10-6A/cm2 )を超え
ず、この比較センサーにおけるみかけの量子効率は最高
で約0.4までにしかならない。光照射中の量子効率の
変化を図7に示す。
An optical sensor having a photo-induced current amplifying action and an optical sensor having no photo-induced current amplifying action (hereinafter referred to as a comparative sensor) according to the present invention will be described using the measurement results of the measuring device. . First, an example of the measurement result of the comparative sensor is shown in FIG. In FIG.
The (m) line is the theoretical value (1.35 × 10 −6 A / cm 2 ).
Indicates a state in which light irradiation was performed for 0.033 seconds and voltage application was continued after light irradiation. The line (n) is an actual measurement line of the comparative sensor, and the increase of the photocurrent during light irradiation is small, and the value does not exceed the theoretical value (1.35 × 10 −6 A / cm 2 ). The quantum efficiency is only up to about 0.4. FIG. 7 shows changes in quantum efficiency during light irradiation.

【0017】これに対して本発明の光センサーは一例と
して図8に示すように光照射時は光誘起電流が増加し
て、量子効率との関係を示す図9から明らかなように約
0.01秒で量子効率は1を超え、その後も量子効率は
増加を続けることがわかる。
On the other hand, in the photosensor of the present invention, as an example, as shown in FIG. 8, the photo-induced current increases at the time of light irradiation, and as is clear from FIG. It can be seen that the quantum efficiency exceeds 1 at 01 seconds and continues to increase thereafter.

【0018】また、比較センサーでは光照射終了後と同
時に光電流が急激に減衰するため、光照射後継続して電
圧印加しても光情報として有効な電流は得られない。こ
れに対して、本発明の光センサーにおいては、光照射後
も電圧印加を継続することにより光誘起電流が徐々に減
衰しながらも継続して流れ、引き続いて光誘起電流を取
り出すことができ、光情報を続けて得ることができる。
Further, in the comparative sensor, the photocurrent is rapidly attenuated at the same time after the light irradiation is completed, so that even if the voltage is continuously applied after the light irradiation, the effective current as the light information cannot be obtained. On the other hand, in the optical sensor of the present invention, by continuing the voltage application even after the light irradiation, the photoinduced current flows continuously while gradually attenuating, and the photoinduced current can be subsequently taken out. Optical information can be continuously obtained.

【0019】その詳細な理由は不明であるが、本発明の
光センサーにおいては、情報光の照射に伴い発生する光
誘起電荷キャリアのうちの全てが電圧印加状態において
光導電層の層幅方向に移動するわけでなく、光誘起電荷
キャリアの一部が光導電層中あるいは電極と光導電層の
界面に存在するトラップサイトにトラップされたような
状態となり、このトラップされた電荷は経時的に蓄積さ
れ、電圧印加した状態では露光により発生する光電流に
加えて、このトラップされた電荷により誘起される電極
からの注入電流が流れ、見かけの光誘起電流量を経時的
に増幅されるものと考えられる。ただし、この現象は電
極から電荷発生層への電荷キャリアの注入が適度になさ
れた場合生じるのであり、適度な注入が行われない場
合、すなわち、注入が少なすぎる場合や注入が多過ぎる
場合には増幅作用はほとんど見られない。
Although the detailed reason is not clear, in the photosensor of the present invention, all of the photoinduced charge carriers generated by the irradiation of the information light are applied in the layer width direction of the photoconductive layer in the voltage applied state. Instead of moving, some of the photo-induced charge carriers become trapped in trap sites existing in the photoconductive layer or at the interface between the electrode and photoconductive layer, and these trapped charges accumulate over time. In addition to the photocurrent generated by exposure when a voltage is applied, the injection current from the electrode induced by this trapped charge flows, and the apparent amount of photoinduced current is considered to be amplified over time. To be However, this phenomenon occurs when charge carriers are appropriately injected from the electrode to the charge generation layer, and when appropriate injection is not performed, that is, when injection is too small or injection is too large. There is almost no amplification effect.

【0020】本発明では、光導電層中に特定のアゾ化合
物を含有する光センサーを用いることにより電極から電
荷発生層への電荷キャリアの注入が適度になされ、光誘
起電流増幅作用が有効に生じることができる。そして、
電圧を印加した状態を維持しつつ露光を終了する場合に
は露光により生じる光キャリアはただちに減衰して消滅
するが、トラップされた電荷の減衰は緩やかであるため
トラップされた電荷により誘起される電極からの注入電
流は減衰しながらも充分な量が流れ、徐々に減衰が生じ
ると推測される。この光誘起電流は本発明の光センサー
における光をトリガーとした電流増幅による効果であ
り、通常の感光体で予想される入射した光に起因する光
電流以上の電流が流れるために情報記録媒体に対して効
果的な光情報供与を可能とするものである。
In the present invention, by using an optical sensor containing a specific azo compound in the photoconductive layer, injection of charge carriers from the electrode to the charge generation layer is appropriately performed, and a photoinduced current amplification effect is effectively produced. be able to. And
When the exposure is terminated while maintaining the voltage applied, the photocarriers generated by the exposure are immediately attenuated and disappear, but the decay of the trapped charges is gentle, so the electrode induced by the trapped charges is an electrode. It is speculated that a sufficient amount of the injection current from the device flows while it is attenuated, and the attenuation gradually occurs. This photo-induced current is an effect of current amplification triggered by light in the optical sensor of the present invention, and a current larger than the photocurrent caused by the incident light expected in a normal photoconductor flows in the information recording medium. On the other hand, it enables effective optical information provision.

【0021】これに対して、一般の電子写真用で用いら
れている感光体素子は、暗抵抗率が1014〜1016Ω・
cmのものが用いられており、本発明の光センサーは電
子写真において、その目的を達することができず、ま
た、一般の電子写真用の暗抵抗率が大きな光導電層を有
する光センサーは、本発明の目的には使用することがで
きない。
On the other hand, the photoconductor element used for general electrophotography has a dark resistivity of 10 14 to 10 16 Ω.
cm, the photosensor of the present invention cannot achieve its purpose in electrophotography, and a photosensor having a photoconductive layer having a large dark resistivity for general electrophotography is: It cannot be used for the purpose of the present invention.

【0022】また、光センサーの比抵抗ρ(Ω・cm)
と電流密度J(A/cm2 )の間には、光センサーの膜
厚をd、電極面積をS、及び印加電界強度をE(V/c
m)とすると、ρ=(E・d/J・S)×(S/d)=
E/J の関係式が成立するので、比抵抗ρ(Ω・c
m)は、印加電界強度と電流密度から求めることができ
るが、本発明の各実施例においては、電流密度によって
表現する。
Further, the specific resistance ρ (Ω · cm) of the optical sensor
And the current density J (A / cm 2 ), the film thickness of the optical sensor is d, the electrode area is S, and the applied electric field strength is E (V / c).
m), ρ = (E · d / J · S) × (S / d) =
Since the relational expression of E / J holds, the specific resistance ρ (Ω · c
m) can be obtained from the applied electric field strength and the current density, and in each embodiment of the present invention, is expressed by the current density.

【0023】本発明者らは、この種の光センサーを改良
すべく研究した結果、上記の一般式(1)で示される特
定カップラー基を有するアゾ化合物を含有させた電子写
真感光体は知られている(特開平1−177041号)
が、本発明の光センサーにおける光導電層中に含有させ
ることにより、光センサーとしての特有の性能を安定し
て発揮することを見出し、本発明に至った。
The present inventors have studied to improve this kind of optical sensor, and as a result, an electrophotographic photoreceptor containing an azo compound having a specific coupler group represented by the above general formula (1) is known. (Japanese Patent Laid-Open No. 1-177041)
However, the present invention has been found out that, by containing it in the photoconductive layer in the photosensor of the present invention, the unique performance as a photosensor can be stably exhibited.

【0024】一般式(1)で示されるカップラー残基と
結合したアゾ基を少なくとも一個分子中に有するアゾ化
合物のうち、特に好ましいのは下記一般式(2)で示さ
れるビスアゾ化合物、トリスアゾ化合物あるいはテトラ
キス化合物である。
Among the azo compounds having at least one azo group bonded to the coupler residue represented by the general formula (1) in the molecule, particularly preferred are bisazo compounds, trisazo compounds represented by the following general formula (2) or It is a tetrakis compound.

【0025】[0025]

【化6】 [Chemical 6]

【0026】式中、Aは m 価の基で(a)少なくとも
1個のベンゼン環を有する炭化水素、(b)少なくとも
2個のベンゼン環を有する含窒素炭化水素基、及び
(c)少なくとも2個のベンゼン環と少なくとも1個の
複素環を有する炭化水素基のうち、いずれか1つの基を
示し、m は1〜4の整数を示し、X、Y、R1 、R2
びnは一般式(1)と同じ意味である。
In the formula, A is an m-valent group (a) a hydrocarbon having at least one benzene ring, (b) a nitrogen-containing hydrocarbon group having at least two benzene rings, and (c) at least 2 Of one hydrocarbon group having at least one benzene ring and at least one heterocycle, m is an integer of 1 to 4, and X, Y, R 1 , R 2 and n are generally It has the same meaning as in formula (1).

【0027】上述の(a)及び(b)におけるベンゼン
環は、他の一つ以上のベンゼン環と縮合して縮合環を形
成しても良く、また(c)におけるベンゼン環は他の一
つ以上のベンゼン環もしくは複素環と縮合して縮合環を
形成してもよい。
The benzene ring in the above (a) and (b) may be condensed with one or more other benzene rings to form a condensed ring, and the benzene ring in (c) may be the other one. It may be condensed with the above benzene ring or heterocycle to form a condensed ring.

【0028】上述の(a)、(b)及び(c)における
それぞれの炭化水素基、含窒素炭化水素基、ベンゼン環
及び複素環はハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ
基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アシルアミ
ノ基、ニトロ基、シアノ基、あるいはヒドロキシ基等の
有機残基によって置換されることもできる。
The above-mentioned hydrocarbon group, nitrogen-containing hydrocarbon group, benzene ring and heterocycle in (a), (b) and (c) are a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylamino group and an arylamino group. It can also be substituted with an organic residue such as a group, an acylamino group, a nitro group, a cyano group, or a hydroxy group.

【0029】さらに具体的に説明すると、前記(a)、
(b)及び(c)の具体例は以下のとおりである。
More specifically, the above (a),
Specific examples of (b) and (c) are as follows.

【0030】(a)の例としては、As an example of (a),

【0031】[0031]

【化7】 Embedded image

【0032】等を挙げることができる。And the like.

【0033】(b)の例としては、As an example of (b),

【0034】[0034]

【化8】 Embedded image

【0035】等を挙げることができる。And the like.

【0036】(c)の例としては、As an example of (c),

【0037】[0037]

【化9】 Embedded image

【0038】等を挙げることができる。And the like.

【0039】本発明の光センサーは、上記一般式(2)
で表されるアゾ化合物の持つ優れたキャリア発生機能
を、光センサーの電荷発生性物質として利用することに
より、一定の電気的特性を安定的に示すばかりでなく、
皮膜物性が良好で、繰り返し使用による劣化が少ない光
センサーとできるものである。
The optical sensor of the present invention has the above general formula (2).
By utilizing the excellent carrier generating function of the azo compound represented by, as a charge generating substance of the optical sensor, not only can it stably show certain electric characteristics,
The optical sensor has good film properties and little deterioration due to repeated use.

【0040】一般式(2)で示されるアゾ化合物の具体
例を示すが、本発明におけるアゾ化合物はこれに限定さ
れるものではない。
Specific examples of the azo compound represented by the general formula (2) are shown below, but the azo compound in the present invention is not limited thereto.

【0041】一般式(2)で示されるアゾ化合物の具体
Specific examples of the azo compound represented by the general formula (2)

【0042】[0042]

【化10】 Embedded image

【0043】[0043]

【化11】 Embedded image

【0044】[0044]

【化12】 [Chemical 12]

【0045】[0045]

【化13】 Embedded image

【0046】[0046]

【化14】 Embedded image

【0047】[0047]

【化15】 Embedded image

【0048】[0048]

【化16】 Embedded image

【0049】[0049]

【化17】 Embedded image

【0050】[0050]

【化18】 Embedded image

【0051】[0051]

【化19】 Embedded image

【0052】[0052]

【化20】 Embedded image

【0053】[0053]

【化21】 [Chemical 21]

【0054】[0054]

【化22】 Embedded image

【0055】上記の化合物は公知の方法で合成でき、例
えば、出発原料化合物である一般式A−(NH2
m {式中、m は1〜4の整数、Aは一般式(2)と同じ
意味である。}で表されるアミンを常法によりジアゾ化
し、生じたジアゾニウム塩を前記一般式(1)のカップ
ラーとアルカリ存在下でカップリング反応させることに
より得られる。
The above compounds can be synthesized by known methods. For example, the compound of the general formula A- (NH 2 )
m {wherein m is an integer of 1 to 4 and A has the same meaning as in general formula (2). } By diazotizing the amine represented by the following formula and subjecting the resulting diazonium salt to a coupling reaction with the coupler of the general formula (1) in the presence of an alkali.

【0056】以下に合成例の一例を挙げる。一般式
(2)で示される他の構造を持つアゾ化合物も下記の合
成例に準じて合成できる。なお、以下の合成例は本発明
の内容を制限するものではない。
An example of the synthesis example will be described below. Azo compounds having another structure represented by the general formula (2) can also be synthesized according to the following synthesis examples. Note that the following synthesis examples do not limit the content of the present invention.

【0057】合成例(例示化合物No.1の場合) 3.3’−ジクロルベンジジン10.1重量部を、水2
00重量部と濃塩酸33重量部との混合溶液中に分散す
る。この分散液を0〜5℃に保ちつつ良く攪拌しながら
10%亜硝酸ナトリウム水溶液61重量部を10分間を
要して滴下した後、さらに15分間攪拌し、ジアゾニウ
ム塩溶液を得る。
Synthesis Example (In the case of Exemplified Compound No. 1) 10.1 parts by weight of 3.3'-dichlorobenzidine was added to water 2
Disperse in a mixed solution of 00 parts by weight and concentrated hydrochloric acid 33 parts by weight. 61 parts by weight of a 10% sodium nitrite aqueous solution was added dropwise over 10 minutes while maintaining good agitation of this dispersion while maintaining it at 0 to 5 ° C., followed by further stirring for 15 minutes to obtain a diazonium salt solution.

【0058】次に、下記構造式(3)のカップラー3
2.0重量部を2%水酸化ナトリウム水溶液700重量
部に溶解した後、冷却し、0〜5℃に保ちながら、この
溶液中に上記で得たジアゾニウム塩水溶液を15分間を
要して滴下した。
Next, the coupler 3 of the following structural formula (3)
After 2.0 parts by weight was dissolved in 700 parts by weight of a 2% aqueous sodium hydroxide solution, the solution was cooled and kept at 0 to 5 ° C., and the diazonium salt aqueous solution obtained above was dropped into this solution over 15 minutes. did.

【0059】[0059]

【化23】 Embedded image

【0060】滴下終了後、さらに2時間攪拌し、生じた
アゾ化合物を濾別、充分に水洗して例示化合物No.1
の粗生成物37.6重量部を得た。これをDMF、メタ
ノール、次いで水で順次洗浄、乾燥して精製物を得た。
After completion of the dropping, the mixture was stirred for additional 2 hours, the resulting azo compound was filtered off and washed thoroughly with water to prepare Exemplified Compound No. 1
37.6 parts by weight of a crude product of This was washed with DMF, methanol, and then with water in that order and dried to obtain a purified product.

【0061】本発明の光センサーについて説明する。図
1は積層型光センサーを説明するための断面図であり、
図中13は電極、14’は電荷発生層、14”は電荷輸
送層、15は基板である。
The optical sensor of the present invention will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining a stacked optical sensor,
In the figure, 13 is an electrode, 14 'is a charge generation layer, 14''is a charge transport layer, and 15 is a substrate.

【0062】電荷発生層14’は、上記の一般式(1)
で示されるアゾ化合物を適当な媒体中で微細粒子とし、
必要に応じてバインダーを加えた後、電極上に、例えば
ブレードコーティング方法、ディップコーティング法、
スピンナーコーティング法、スライドコーティング法、
αコーティング法、キッスコーティング法、ロールコー
ティング法等により塗布した後、乾燥して形成される。
アゾ化合物は、一次平均粒子径1μm以下、好ましくは
0.7μm以下、最適には0.5μm以下で分散させる
のが良い。
The charge generation layer 14 'has the above-mentioned general formula (1).
The azo compound represented by the fine particles in a suitable medium,
After adding a binder if necessary, on the electrode, for example, blade coating method, dip coating method,
Spinner coating method, slide coating method,
It is formed by applying after coating by an α coating method, a kiss coating method, a roll coating method, or the like.
The azo compound is preferably dispersed with a primary average particle size of 1 μm or less, preferably 0.7 μm or less, and most preferably 0.5 μm or less.

【0063】バインダーとしては、特に限定はないが、
疎水性で誘電率が高く、絶縁性の高分子化合物が好まし
く、各種の熱可塑性または熱硬化性の合成樹脂が好適に
使用できる。例えばシリコーン樹脂、ポリカーボネート
樹脂、またビニルホルマール樹脂、ビニルブチラール樹
脂などのビニルアセタール樹脂、スチレン樹脂、スチレ
ン−ブタジエン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、飽和または不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル
樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体樹脂等が挙げられ、単独または複数
のものを組み合わせて使用することができる。
The binder is not particularly limited,
A hydrophobic, high dielectric constant, insulating polymer compound is preferable, and various thermoplastic or thermosetting synthetic resins can be suitably used. For example, silicone resin, polycarbonate resin, vinyl acetal resin such as vinyl formal resin, vinyl butyral resin, styrene resin, styrene-butadiene copolymer resin, epoxy resin, acrylic resin, saturated or unsaturated polyester resin, methacrylic resin, vinyl chloride Resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride
A vinyl acetate copolymer resin and the like can be mentioned, and they can be used alone or in combination.

【0064】積層型光センサーにおける光導電層形成用
インキ組成物は、アゾ化合物とバインダーの混合比を、
アゾ化合物1重量部に対してバインダーを0.1〜10
重量部、好ましくは0.2〜1重量部の割合とするとよ
い。媒体としては、例えば、1,2−ジクロロエタン、
1,1,2−トリクロロエタン、クロロベンゼン、テト
ラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、1,
2,3−トリクロロプロパン、エチルセルソルブ、1,
1,1,−トリクロロエタン、メチルエチルケトン、ク
ロロホルム、トルエン、キシレンが例示され、ボールミ
ル分散、ディスパーザー分散、サンドミル分散、三本ロ
ール分散、超音波分散等により、固型分0.2重量%〜
20重量%、好ましくは1重量%〜5重量%とされる。
In the ink composition for forming a photoconductive layer in a laminated photosensor, the mixing ratio of the azo compound and the binder is
The binder is 0.1-10 with respect to 1 part by weight of the azo compound.
The weight ratio is preferably 0.2 to 1 part by weight. Examples of the medium include 1,2-dichloroethane,
1,1,2-trichloroethane, chlorobenzene, tetrahydrofuran, cyclohexanone, dioxane, 1,
2,3-trichloropropane, ethyl cellosolve, 1,
Examples include 1,1, -trichloroethane, methyl ethyl ketone, chloroform, toluene, and xylene, and solid content of 0.2% by weight by ball mill dispersion, disperser dispersion, sand mill dispersion, triple roll dispersion, ultrasonic dispersion, or the like.
It is set to 20% by weight, preferably 1% to 5% by weight.

【0065】電荷発生層は、乾燥後膜厚として0.01
〜2μmであり、好ましくは0.1〜0.5μmとする
とよく、このような膜厚とすることによって良好な感度
と画質を示す。
The charge generation layer has a film thickness of 0.01 after drying.
22 μm, and preferably 0.1-0.5 μm. With such a film thickness, good sensitivity and image quality are exhibited.

【0066】電荷輸送層14”は電荷輸送性物質を電荷
発生層で記載の適当な媒体中に分散あるいは溶解して電
荷発生層14’上に塗布し、乾燥することにより形成さ
れる。電荷輸送性物質が、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ルやポリグリシジルカルバゾールのようなそれ自身でバ
インダーの役割を果たすものを使用する場合を除き、バ
インダーを使用することが好ましい。電荷輸送性物質
は、電荷発生層で発生したキャリアの輸送特性の良い物
質であり、例えば、オキサジアゾール系、オキサゾール
系、トリアゾール系、チアゾール系、トリフェニルメタ
ン系、スチリル系、ピラゾロン系、ヒドラゾン系、芳香
族アミン系、カルバゾール系、ポリビニルカルバゾール
系、スチルベン系、エナミン系、アジン系、トリフェニ
ルアミン系、ブタジエン系、多環芳香族化合物系、スチ
ルベン二量体、ビフェニル系等があり、ホール輸送特性
の良い物質とすることが必要である。
The charge-transporting layer 14 "is formed by dispersing or dissolving a charge-transporting substance in a suitable medium described in the charge-generating layer, applying the charge-transporting material on the charge-generating layer 14 ', and drying. It is preferable to use a binder, unless the organic substance is a substance such as poly-N-vinylcarbazole or polyglycidylcarbazole which itself functions as a binder. Is a substance having a good transport property of the carrier generated in, for example, oxadiazole-based, oxazole-based, triazole-based, thiazole-based, triphenylmethane-based, styryl-based, pyrazolone-based, hydrazone-based, aromatic amine-based, carbazole-based , Polyvinylcarbazole type, stilbene type, enamine type, azine type, triphenylamine type, butadie And a polycyclic aromatic compound, a stilbene dimer, a biphenyl, and the like, and it is necessary to use a substance having good hole transporting properties.

【0067】バインダーとしては前記した電荷発生層に
おけるバインダーと同様のもの、さらにポリアリレート
樹脂、フェノキシ樹脂が使用できるが、好ましくはスチ
レン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂である。バインダーは電荷輸送性物質1
重量部に対して0.1〜10重量部、好ましくは0.1
〜1重量部の割合で使用することが望ましい。
As the binder, the same binders as those used in the charge generation layer described above, and polyarylate resin and phenoxy resin can be used, but styrene resin, styrene-butadiene copolymer resin and polycarbonate resin are preferable. Binder is charge transporting substance 1
0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.1
It is desirable to use at a ratio of 1 part by weight.

【0068】電荷輸送層は乾燥後膜厚として1〜50μ
mであり、好ましくは3〜20μmとするとよく、これ
により良好な感度と画質が得られる。また、先に示した
電荷輸送性物質で蒸着法によって成膜可能なものは、バ
インダーを用いず、単独で成膜することもできる。
The thickness of the charge transport layer after drying is 1 to 50 μm.
m, preferably 3 to 20 μm, whereby good sensitivity and image quality can be obtained. Further, the above-described charge transporting substance that can be formed into a film by the vapor deposition method can be formed into a film without using a binder.

【0069】次に、単層型の光センサーについて説明す
る。図2は単層型光センサーを説明するための断面図で
あり、図中13は電極、14は光導電層、15は基板で
ある。単層の光導電層を形成するには、上述の電荷発生
層形成用の分散液に、上述の電荷輸送性物質を溶解ある
いは分散させて、電極上に同様に塗布すれば良い。電荷
輸送性物質は任意に選べるが、前述したようなそれ自身
バインダーとして役立つものを使用する場合は別とし
て、上記の積層型光センサーにおいて記載したバインダ
ーを用いることが好ましい。
Next, a single-layer type optical sensor will be described. FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the single-layer type optical sensor, in which 13 is an electrode, 14 is a photoconductive layer, and 15 is a substrate. In order to form a single-layer photoconductive layer, the above-described charge transporting substance may be dissolved or dispersed in the above-described dispersion for forming a charge generation layer, and may be similarly coated on an electrode. The charge-transporting substance can be arbitrarily selected, but it is preferable to use the binder described in the above-mentioned laminated optical sensor, except for using the substance which itself serves as a binder as described above.

【0070】単層型光センサーにおける光導電層形成用
インキ組成物は、アゾ化合物とバインダーの混合比を、
アゾ化合物1重量部に対してバインダーを0.1重量部
〜10重量部、好ましくは0.3重量部〜3重量部の割
合とするとよい。
In the ink composition for forming the photoconductive layer in the single-layer type photosensor, the mixing ratio of the azo compound and the binder is
The binder may be used in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.3 to 3 parts by weight, based on 1 part by weight of the azo compound.

【0071】また、電荷輸送性物質は、一般式(1)で
示されるアゾ化合物1重量部に対して0.5重量部〜1
0重量部、好ましくは1重量部〜3重量部使用するとよ
く、電荷輸送性物質をバインダーとして機能させない場
合には、アゾ化合物と電荷輸送性物質の合計量1重量部
に対して、バインダーは0.1〜10重量部、好ましく
は0.1〜1重量部の割合で使用するとよい。
The charge-transporting substance is 0.5 parts by weight to 1 part by weight with respect to 1 part by weight of the azo compound represented by the general formula (1).
The binder may be used in an amount of 0 part by weight, preferably 1 part by weight to 3 parts by weight. When the charge transporting substance does not function as a binder, the binder is 0 parts by weight based on 1 part by weight of the total amount of the azo compound and the charge transporting substance. 1 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 1 part by weight.

【0072】インキ組成物における媒体としては、上記
の積層型光センサーにおいて記載した媒体が例示され、
同様の分散方法により、固型分0.2重量%〜20重量
%、好ましくは1重量%〜5重量%とされる。
Examples of the medium in the ink composition include the medium described in the above laminated photosensor,
By the same dispersing method, the solid content is adjusted to 0.2 to 20% by weight, preferably 1 to 5% by weight.

【0073】単層型光センサーにおける光導電層は、乾
燥後膜厚として5μm〜30μmであり、好ましくは1
0〜20μmとするとよく、これにより良好な感度と画
質が得られる。
The photoconductive layer in the single-layer type photosensor has a thickness after drying of 5 μm to 30 μm, preferably 1 μm.
The thickness is preferably 0 to 20 μm, whereby good sensitivity and image quality can be obtained.

【0074】光センサーにおける電極13は、後述する
情報記録媒体が不透明であれば透明性を有することが必
要であるが、情報記録媒体が透明性を有する場合には透
明、不透明いずれでもよく、106 Ω・cm以下の比抵
抗を安定して与える材料、例えば金、白金、亜鉛、チタ
ン、銅、鉄、錫等の金属薄膜導電膜、酸化錫、酸化イン
ジウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化タングステン、酸
化バナジウム等の金属酸化物導電膜、四級アンモニウム
塩等の有機導電膜等を、単独あるいは二種類以上の複合
材料として用いることができる。中でも金属酸化物導電
体が好ましく、特に酸化インジウム錫(ITO)が好ま
しい。電極は蒸着、スパッタリング、CVD、塗布、め
っき、浸漬、電界重合等の方法により形成され、情報記
録層との間の全面、あるいは任意のパターンに合わせて
形成される。また、二種類以上の材料を積層して用いる
こともできる。
The electrode 13 in the optical sensor is required to have transparency if the information recording medium described later is opaque, but if the information recording medium is transparent, it may be transparent or opaque. A material that stably gives a specific resistance of 6 Ω · cm or less, for example, a metal thin film conductive film of gold, platinum, zinc, titanium, copper, iron, tin, etc., tin oxide, indium oxide, zinc oxide, titanium oxide, tungsten oxide. , A metal oxide conductive film such as vanadium oxide, an organic conductive film such as a quaternary ammonium salt, or the like can be used alone or as a composite material of two or more kinds. Among them, metal oxide conductors are preferable, and indium tin oxide (ITO) is particularly preferable. The electrode is formed by a method such as vapor deposition, sputtering, CVD, coating, plating, immersion, and electric field polymerization, and is formed on the entire surface between the information recording layer and an arbitrary pattern. Further, two or more kinds of materials can be stacked and used.

【0075】また、基板15は、後述する情報記録媒体
が不透明であれば透明性を有することが必要であが、情
報記録媒体は透明性を有する場合には透明、不透明いず
れでもよく、カード、フィルム、テープ、ディスク等の
形状を有し、光センサーを強度的に支持するものであ
る。光センサー自体が支持性を有する場合には設ける必
要がないが、光センサーを支持することができるある程
度の強度を有していれば、その材質、厚みは特に制限が
ない。例えば、可撓性のあるプラスチックフィルム、あ
るいはガラス、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポ
リメチルアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネー
ト等のプラスチックシート、カード等が使用される。
The substrate 15 is required to have transparency if the information recording medium described later is opaque. However, if the information recording medium has transparency, it may be transparent or opaque. It has the shape of a film, tape, disk, etc. and strongly supports the optical sensor. If the optical sensor itself has a supporting property, it is not necessary to provide it. However, the material and thickness are not particularly limited as long as the optical sensor has a certain strength capable of supporting the optical sensor. For example, a flexible plastic film, or a plastic sheet or card of glass, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, polyester, polycarbonate, or the like is used.

【0076】なお、基板の電極13が設けられる面の他
方の面には、電極13が透明であれば必要に応じて反射
防止効果を有する層を積層するか、また反射防止効果を
発現しうる膜厚に透明基板を調整するか、さらに両者を
組み合わせることにより反射防止性を付与するとよい。
If the electrode 13 is transparent, a layer having an antireflection effect may be laminated on the other surface of the substrate on which the electrode 13 is provided, or an antireflection effect may be exhibited. The antireflection property may be imparted by adjusting the thickness of the transparent substrate or by combining the two.

【0077】次に、本発明の光センサーと組み合わせて
使用される情報記録媒体について説明する。情報記録媒
体としては、その情報記録層が液晶−高分子複合体(以
下LCPCと示す)とする場合が挙げられる。LCPC
は液晶相中に樹脂粒子が分散した構造を有しているが、
液晶材料は、スメクチック液晶、ネマチック液晶、コレ
ステリック液晶あるいはこれらの混合物を使用すること
ができる。液晶としては、その配向性を保持し、情報を
永続的に保持させる、いわゆるメモリー性の観点から、
スメクチック液晶を使用するのが好ましい。
Next, an information recording medium used in combination with the optical sensor of the present invention will be described. Examples of the information recording medium include a case where the information recording layer is a liquid crystal-polymer composite (hereinafter, referred to as LCPC). LCPC
Has a structure in which resin particles are dispersed in a liquid crystal phase,
As the liquid crystal material, a smectic liquid crystal, a nematic liquid crystal, a cholesteric liquid crystal, or a mixture thereof can be used. As a liquid crystal, from the viewpoint of so-called memory properties, it retains its orientation and retains information permanently.
It is preferred to use smectic liquid crystals.

【0078】スメクチック液晶としては、液晶性を呈す
る物質の末端基の炭素基が長いシアノビフェニル系、シ
アノターフェニル系、フェニルエステル系、さらにフッ
素系等のスメクチックA相を呈する液晶物質、強誘電性
液晶として用いられるスメクチックC相を呈する液晶物
質、あるいはスメクチックH、G、E、G相等を呈する
液晶物質等が挙げられる。
As the smectic liquid crystal, a liquid crystal substance exhibiting a smectic A phase such as a cyanobiphenyl type, a cyanoterphenyl type, a phenyl ester type having a long terminal carbon group of a substance exhibiting liquid crystallinity, a fluorine type or the like, a ferroelectric substance Examples thereof include a liquid crystal substance exhibiting a smectic C phase used as a liquid crystal, a liquid crystal substance exhibiting a smectic H, G, E, G phase and the like.

【0079】樹脂粒子を形成する材料としては、例え
ば、紫外線硬化型樹脂であって、モノマー、オリゴマー
の状態で液晶材料と相溶性を有するもの、あるいはモノ
マー、オリゴマーの状態で液晶材料と共通の溶媒に相溶
性を有するものを好ましく使用できる。このような紫外
線硬化型樹脂としては、例えばアクリル酸エステル、メ
タクリル酸エステル等が挙げられる。その他、液晶材料
と共通の溶媒に相溶性を有する溶媒可溶性樹脂、例えば
アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポ
リスチレン樹脂、及びこれらを主体とした共重合体等、
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。
The material for forming the resin particles is, for example, an ultraviolet curable resin which is compatible with the liquid crystal material in the monomer or oligomer state, or a solvent which is common to the liquid crystal material in the monomer or oligomer state. Those having compatibility with can be preferably used. Examples of such an ultraviolet-curable resin include acrylic acid esters and methacrylic acid esters. In addition, a solvent-soluble resin having compatibility with a common solvent with the liquid crystal material, for example, an acrylic resin, a methacrylic resin, a polyester resin, a polystyrene resin, and a copolymer containing these as a main component,
Epoxy resins, silicone resins and the like can be mentioned.

【0080】液晶材料と樹脂の使用割合は、液晶の含有
率が10重量%〜90重量%、好ましくは40重量%〜
80重量%となるように使用するとよく、90重量%を
超えると液晶のしみ出し等の現象が生じ、画像むらが生
じ好ましくない。
The ratio of the liquid crystal material to the resin used is such that the liquid crystal content is 10% by weight to 90% by weight, preferably 40% by weight.
The content is preferably used so as to be 80% by weight. If it exceeds 90% by weight, phenomena such as oozing out of liquid crystal occur, and image unevenness occurs, which is not preferable.

【0081】情報記録層の膜厚は解像性に影響を与える
ので、乾燥後膜厚0.1μm〜10μm、好ましくは3
μm〜8μmとするとよく、高解像性を維持しつつ、動
作電圧も低くすることができる。膜厚が薄すぎると、情
報記録部のコントラストが低く、また、厚すぎると動作
電圧が高くなるので好ましくない。
Since the film thickness of the information recording layer affects the resolution, the film thickness after drying is 0.1 μm to 10 μm, preferably 3 μm.
The operating voltage can be reduced while maintaining high resolution. If the film thickness is too small, the contrast of the information recording portion is low, and if it is too large, the operating voltage is undesirably high.

【0082】次に、この情報記録媒体と上述した光セン
サーとを使用した2つの情報記録装置について説明す
る。
Next, two information recording devices using this information recording medium and the above-mentioned optical sensor will be described.

【0083】まず、第1の情報記録装置は、図3に示す
ように、情報記録媒体2は上述した光センサー1と、ポ
リイミドフィルムのような絶縁性樹脂フィルムスペーサ
ー19を使用し、2μm〜20μmの空隙を介して対向
配置されると共に、両電極13、13’を電圧源Vを介
して結線して情報記録装置とされる。この装置における
電極13、13’はいずれか一方、または両方が透明性
であればよい。
First, in the first information recording apparatus, as shown in FIG. 3, the information recording medium 2 uses the above-mentioned optical sensor 1 and the insulating resin film spacer 19 such as a polyimide film, and has a thickness of 2 μm to 20 μm. The two electrodes 13 and 13 'are connected to each other via the voltage source V, and the information recording device is formed. One or both of the electrodes 13 and 13 'in this device may be transparent.

【0084】また、図4に示すような、第2の情報記録
装置としてもよい。図4は、その情報記録装置を断面図
により示す図であり、図中20は誘電体層であり、ま
た、図3と同一符号は同一内容を示す。
Further, a second information recording device as shown in FIG. 4 may be used. FIG. 4 is a cross-sectional view of the information recording apparatus. In the figure, reference numeral 20 denotes a dielectric layer, and the same reference numerals as those in FIG. 3 indicate the same contents.

【0085】この情報記録装置は、光センサー1と情報
記録媒体2とを、空隙を設けず、誘電体層20を介して
積層したものである。この情報記録装置は、光センサー
における光導電層が溶媒を使用して塗布形成される場合
に特に適している。即ち、光導電層上に情報記録層を直
接塗布形成すると、それらの相互作用により情報記録層
における液晶が溶出したり、また、情報記録層形成用の
溶媒により光導電材料が溶出することによる画像ムラが
生じたりするのを防止することができる。また、光セン
サーと情報記録媒体との一体化を可能とするものであ
る。
In this information recording device, the optical sensor 1 and the information recording medium 2 are laminated with the dielectric layer 20 interposed therebetween without providing a gap. This information recording device is particularly suitable when the photoconductive layer in the optical sensor is formed by applying a solvent. That is, when the information recording layer is directly applied and formed on the photoconductive layer, the liquid crystal in the information recording layer elutes due to the interaction between them, and the image due to the elution of the photoconductive material by the solvent for forming the information recording layer. The occurrence of unevenness can be prevented. In addition, the optical sensor and the information recording medium can be integrated.

【0086】誘電体層20は、その形成にあたって、そ
の構成成分が光導電層形成材料、情報記録層形成材料に
いずれに対しても溶解性を有しないことが必要である。
また、導電性を有しないことが必要である。導電性を有
する場合には、空間電荷の拡散が生じ、解像度の劣化が
生じることから絶縁性が要求される。また、誘電体層は
液晶層に印加される分配電圧を印加させたり、或いは解
像性を悪化させるので、膜厚は薄い方が好ましく、2μ
m以下とするとよいが、薄くしすぎると経時的な相互作
用による画像ノイズの発生ばかりでなり、積層塗布する
際にピンホール等の欠陥による浸透の問題が生じる。ピ
ンホール等の欠陥による浸透性は積層塗布する材料の固
形分比率、溶媒の種類、粘度により異なるので、誘電体
層の膜厚は適宜設定されるが、少なくとも10μm以下
の膜厚とするとよく、好ましくは0.1〜3μmとする
とよい。また、各層に印加される電圧分配を考慮した場
合、薄膜化と共に誘電率の高い材料が好ましい。
When forming the dielectric layer 20, it is necessary that its constituent components have no solubility in the photoconductive layer forming material and the information recording layer forming material.
Further, it is necessary that the material does not have conductivity. In the case of having conductivity, the space charge is diffused and the resolution is deteriorated, so that the insulating property is required. Further, since the dielectric layer applies a distribution voltage applied to the liquid crystal layer or deteriorates the resolution, it is preferable that the film thickness is small,
m or less. However, if the thickness is too small, image noise due to the interaction with time is generated, and there is a problem of permeation due to defects such as pinholes during lamination coating. Since the permeability due to defects such as pinholes differs depending on the solid content ratio of the material to be laminated, the type of solvent, and the viscosity, the thickness of the dielectric layer is appropriately set, but it is preferable that the thickness be at least 10 μm or less. Preferably, the thickness is 0.1 to 3 μm. Further, in consideration of the distribution of the voltage applied to each layer, a material having a high dielectric constant as well as a thin film is preferable.

【0087】誘電体層を形成する材料としては、無機材
料ではSiO2 、TiO2 、CeO2 、Al2 3 、G
eO2 、Si3 4 、AlN、TiN、MgF2 、Zn
S、二酸化硅素と二酸化チタンの組合せ、硫化亜鉛と弗
化マグネシウムの組合せ、酸化アルミニウムとゲルマニ
ウムの組合せ等を使用し、蒸着法、スパッタリング法、
CVD法等により積層して形成するとよい。また、有機
溶剤に対して相溶性の少ない水溶性樹脂、例えばポリビ
ニルアルコール、水添ウレタン、水ガラス等の水溶液を
使用し、スピンコート法、ブレードコート法、ロールコ
ート法、ビードコート法、スライドコート法等により積
層してもよい。さらに、塗布可能なフッ素樹脂を使用し
てもよく、この場合にはフッ素系溶剤に溶解し、スピン
コート法により塗布するか、またブレードコート法、ロ
ールコート法、ビードコート法、スライドコート法等に
より積層してもよい。塗布可能なフッ素樹脂としては、
例えば特開平4−24722号公報等に開示されたフッ
素樹脂、さらに真空系で膜形成されるポリパラキシレン
等の有機材料を好ましく使用することができる。
As a material for forming the dielectric layer, inorganic materials such as SiO 2 , TiO 2 , CeO 2 , Al 2 O 3 and G are used.
eO 2 , Si 3 N 4 , AlN, TiN, MgF 2 , Zn
S, using a combination of silicon dioxide and titanium dioxide, a combination of zinc sulfide and magnesium fluoride, a combination of aluminum oxide and germanium, etc.
It is preferable to form the layers by a CVD method or the like. In addition, a water-soluble resin having low compatibility with an organic solvent, for example, an aqueous solution of polyvinyl alcohol, hydrogenated urethane, water glass, or the like is used, and a spin coating method, a blade coating method, a roll coating method, a bead coating method, a slide coating method is used. It may be laminated by a method or the like. Further, a coatable fluororesin may be used. In this case, the resin is dissolved in a fluorine-based solvent and applied by a spin coat method, or a blade coat method, a roll coat method, a bead coat method, a slide coat method, or the like. May be laminated. As a fluorine resin that can be applied,
For example, an organic material such as polyparaxylene which is formed into a film by a vacuum system and a fluororesin disclosed in JP-A-4-24722 can be preferably used.

【0088】次に、本発明における情報記録方法につい
て説明する。
Next, the information recording method of the present invention will be described.

【0089】図10は第1の情報記録装置における情報
記録方法を説明するための図である。第2の情報記録装
置においても同様である。図中11は情報記録層、13
は光センサーの電極、13’は情報記録媒体の電極、1
4は光導電層、21は光源、22は駆動機構を有するシ
ャッター、23は電源となるパルスジェネレーター、2
4は暗箱を示す。
FIG. 10 is a diagram for explaining the information recording method in the first information recording apparatus. The same applies to the second information recording device. In the figure, 11 is an information recording layer, 13
Is the electrode of the optical sensor, 13 'is the electrode of the information recording medium, 1
4 is a photoconductive layer, 21 is a light source, 22 is a shutter having a driving mechanism, 23 is a pulse generator serving as a power supply, 2
4 indicates a dark box.

【0090】電極13、13’の間にパルスジェネレー
ター23により適当な電圧を印加しつつ、光源21から
情報光を入射させると、光が入射した部分の光導電層1
4で発生した光キャリアは両電極により形成される電界
により情報記録層11側の界面まで移動し、電圧の再分
配が行われ、電界又は電荷量に応じて情報記録層11に
おける液晶層が配向し、情報光のパターンに応じた記録
が行われる。
When information light is made incident from the light source 21 while applying an appropriate voltage by the pulse generator 23 between the electrodes 13 and 13 ', the photoconductive layer 1 at the portion where the light is made incident.
The photocarrier generated in step 4 moves to the interface on the information recording layer 11 side by the electric field formed by the two electrodes, redistributes the voltage, and the liquid crystal layer in the information recording layer 11 is oriented according to the electric field or the amount of charge. Then, recording according to the pattern of the information light is performed.

【0091】この情報記録方法においては、面状アナロ
グ記録が可能であり、液晶レベルでの記録が得られるの
で、高解像度の記録となり、また、露光パターンは液晶
相の配向により可視像化されて保持される。液晶の配向
により記録された情報は、目視による読取りが可能な可
視情報であるが、投影機により拡大して読み取ることが
でき、また、レーザースキャニング、或いはCCDを使
用して高精度で情報を読み取ることができる。
In this information recording method, planar analog recording is possible, and recording at the liquid crystal level can be obtained, so that high-resolution recording is achieved, and the exposure pattern is visualized by the orientation of the liquid crystal phase. Retained. The information recorded by the orientation of the liquid crystal is visible information that can be read visually, but it can be read by enlarging it with a projector, and the information is read with high precision using laser scanning or CCD. be able to.

【0092】[0092]

【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。なお、以
下の実施例において「部」または「%」は各々重量部ま
たは重量%を示す。また、以下の実施例は本発明の内容
を制限するものではない。
Embodiments of the present invention will be described below. In the following examples, "parts" or "%" indicates parts by weight or% by weight, respectively. Further, the following embodiments do not limit the contents of the present invention.

【0093】(実施例1)厚さ1.1mmのガラス基板
上に形成された面積抵抗80Ω/□、膜厚100nmの
ITO膜を充分洗浄し、乾燥した。
Example 1 An ITO film having a sheet resistance of 80 Ω / □ and a film thickness of 100 nm formed on a glass substrate having a thickness of 1.1 mm was thoroughly washed and dried.

【0094】このITO膜上に、下記構造を有する例示
アゾ化合物(1)
Exemplified azo compound (1) having the following structure on this ITO film

【0095】[0095]

【化24】 Embedded image

【0096】を3部とポリビニルホルマール樹脂1部と
を、1,4−ジオキサン98部、シクロヘキサノン98
部と混合した後、ペイントシェーカー及び超分散装置
(ナノマイザーLA31 ナノマイザー社製)を使用し
て充分に分散を行い、アゾ化合物を累積50%平均粒径
〔日機装製「MICROTRAC2」により測定)を
0.21μmとして分散塗布液とした後、ブレードコー
ターでコーティングし、風乾後、100℃、1時間乾燥
して膜厚0.3μmの電荷発生層を積層した。
3 parts and 1 part of polyvinyl formal resin, 98 parts of 1,4-dioxane and 98 parts of cyclohexanone.
After being mixed with 1 part, the mixture was sufficiently dispersed using a paint shaker and a super-dispersing device (Nanomizer LA31 manufactured by Nanomizer Co., Ltd.) to obtain a cumulative 50% average particle size (measured by "MICROTRAC2" manufactured by Nikkiso). A dispersion coating solution having a thickness of 21 μm was prepared, which was then coated with a blade coater, air-dried and then dried at 100 ° C. for 1 hour to form a charge generation layer having a thickness of 0.3 μm.

【0097】次に、この電荷発生層上に、p−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−N−フェニル−N−ベンジル
ヒドラゾン15部とポリカーボネート樹脂10部とを、
1,1,2−トリクロロエタン:ジクロロエタン=69
部:46部とからなる溶剤に均一に溶解して塗布液と
し、スピンナーにて500rpm、0.4秒でコーティ
ングした。コーティング後、塗膜の表面に皮膜が形成さ
れて、塗膜の表面が付着しなくなるまでの間、無風下で
放置し、レベリング乾燥を行った後、80℃、2時間乾
燥して電荷輸送層を積層し、膜厚10μmの光導電層を
有する光センサーを作製した。
Next, on this charge generation layer, 15 parts of p-diethylaminobenzaldehyde-N-phenyl-N-benzylhydrazone and 10 parts of a polycarbonate resin were added.
1,1,2-trichloroethane: dichloroethane = 69
Part: 46 parts, and uniformly dissolved in a solvent consisting of 46 parts to obtain a coating solution, which was coated with a spinner at 500 rpm for 0.4 seconds. After coating, the film is left on the surface of the coating film in a windless state until the surface of the coating film is not adhered to the surface of the coating film, and then dried at 80 ° C. for 2 hours. Were laminated to produce an optical sensor having a photoconductive layer having a thickness of 10 μm.

【0098】(光センサーの電気特性)得られた光セン
サーの電気特性を測定するために、光センサーにおける
電荷輸送層上に0.16cm2 、厚さ10nm、表面抵
抗1kΩ/□の金電極を蒸着して電極とし、測定用媒体
とし、図11に示すような電流測定装置を構成した。
[0098] To measure the resulting electric characteristics of the photoelectric sensor (electrical characteristics of the photoelectric sensor), 0.16 cm 2 on the charge transport layer in an optical sensor, a thickness of 10 nm, surface resistance 1 k [Omega / □ gold electrode A current measuring device as shown in FIG. 11 was constructed by vapor deposition to form an electrode and a medium for measurement.

【0099】図中、15は光センサー支持体、13は光
センサー電極、16は濃度勾配領域、14は光導電層、
30は金電極、31は光源、32はシャッター(コパル
(株)製 No.0電磁シャッター)、33はシャッタ
ー駆動機構、34はパルスジェネレーター(横河ヒュー
レットパッカード社製)、35はオシロスコープであ
る。
In the figure, 15 is a photosensor support, 13 is a photosensor electrode, 16 is a concentration gradient region, 14 is a photoconductive layer,
Reference numeral 30 is a gold electrode, 31 is a light source, 32 is a shutter (No. 0 electromagnetic shutter manufactured by Copal), 33 is a shutter drive mechanism, 34 is a pulse generator (manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard), and 35 is an oscilloscope.

【0100】この電流測定装置において、光センサーに
おける電極13を正、金電極を負として両電極間に15
0V(光センサーへの電界強度1.5×105 V/c
m)の直流電圧を印加するとともに、電圧印加開始後
0.5秒後にガラス基板側から0.033秒間光照射
し、光照射開始時間をt=0として、光センサーに流れ
る電流を測定した。照射光は、キセノンランプ(浜松ホ
トニクス社製L2274)を光源に、グリーンフィルタ
ー(日本真空光学社製)により得られる緑色光を、20
1uxの強度で照射した。照射光強度を照度計(ミノル
タ社製)で測定し、使用したフィルターの特性は図5に
示したものである。
In this current measuring device, the electrode 13 in the photosensor is positive and the gold electrode is negative, and the distance between both electrodes is 15
0 V (1.5 × 10 5 V / c electric field strength to optical sensor)
m) was applied, and 0.5 seconds after the start of the voltage application, light irradiation was performed from the glass substrate side for 0.033 seconds, and the light irradiation start time was set to t = 0, and the current flowing through the optical sensor was measured. The irradiation light was a green light obtained by a green filter (manufactured by Nippon Vacuum Optical Co., Ltd.) using a xenon lamp (L2274 manufactured by Hamamatsu Photonics) as a light source.
Irradiation at 1 ux intensity. The irradiation light intensity was measured with an illuminometer (manufactured by Minolta), and the characteristics of the filter used are shown in FIG.

【0101】光照射の終了後も電圧印加を継続し、光照
射開始時間から0.15秒間電圧印加を継続した。その
間の電流の時間変化をオシロスコープにより測定した結
果を図12におけるA線で示す。また、(B)線は露光
しないで電圧のみを印加した場合である。横軸は電圧印
加時間(秒)、縦軸は電流密度(A/cm2 )である。
A線で示されるように、本発明の光センサーにより、電
流値は2つの変曲点(a)(b)が観測される。変曲点
(a)から下の電流量は露光量に応じた電流(光誘起電
流)量であると考えられる。また、変曲点(b)は露光
終了に伴う電流量の変化点であり、露光を終了した未露
光時でも電圧変化に応じた電流が持続して流れ、徐々に
減衰していくことがわかる。即ち、この図から本発明の
光センサーは、露光時には光誘起電流が増加し続け、露
光終了後も光誘起電流か持続し、一定の時間を経て徐々
に減衰していくことがわかる。この光センサーのベース
電流密度(未露光部での通過電流密度)の値は、2.8
×10-6A/cm2 であった。
The voltage application was continued even after the light irradiation was completed, and the voltage application was continued for 0.15 seconds from the light irradiation start time. The result of measuring the change over time in the current with an oscilloscope is shown by line A in FIG. The line (B) is a case where only voltage is applied without exposure. The horizontal axis represents voltage application time (seconds), and the vertical axis represents current density (A / cm 2 ).
As shown by the line A, two inflection points (a) and (b) are observed in the current value by the optical sensor of the present invention. The amount of current below the inflection point (a) is considered to be a current (light-induced current) corresponding to the amount of exposure. Further, the inflection point (b) is a change point of the current amount following the end of the exposure, and it can be seen that the current according to the voltage change continuously flows and gradually attenuates even when the exposure is not performed yet. . That is, from this figure, it can be seen that, in the optical sensor of the present invention, the light-induced current continues to increase during exposure, continues after the exposure is completed, and gradually decreases after a certain period of time. The value of the base current density (passing current density in the unexposed portion) of this photosensor is 2.8.
It was × 10 -6 A / cm 2 .

【0102】本発明の光センサーは、105 〜106
/cmの電界強度の電圧印加時において、未露光部での
通過電流密度が10-4〜10-7A/cm2 であるとする
とよく、未露光部での通過電流密度が10-4〜10-7
/cm2 の範囲であると増幅作用が顕著で、情報記録性
能に優れる光センサーとなしうる。
The optical sensor of the present invention is 10 5 to 10 6 V
It is preferable that the passing current density in the unexposed portion is 10 −4 to 10 −7 A / cm 2 when a voltage with an electric field intensity of 10 / cm is applied, and the passing current density in the unexposed portion is 10 −4 to. 10 -7 A
In the range of / cm 2, the amplification effect is remarkable, and the optical sensor can be excellent in information recording performance.

【0103】(情報記録媒体の作製)厚さ1.1mmの
ガラス基板上に膜厚100nmのITO膜をスパッタリ
ングにより成膜し、電極を得た後、表面洗浄を行なっ
た。
(Production of Information Recording Medium) An ITO film having a thickness of 100 nm was formed by sputtering on a glass substrate having a thickness of 1.1 mm to obtain an electrode, and then the surface was washed.

【0104】この電極上に、 ・多官能性モノマー(ジペンタエリストールヘキサアクリレート、東亜合成化学 工業製、M−400) ・・・ 40部、 ・光硬化開始剤(2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オ ン、チバガイギー社製、グロキュア1173) ・・・ 2部、 ・液晶{スメクチック液晶(メルク社製、S−6)を90%、ネマチック液晶( メルク社製、E31LV)が10%含有} ・・・ 50部、 ・界面活性剤(住友スリーエム社製、フロラードFC−430)・・ 3部 をキシレン96部中に均一に溶解して得た塗布液を、5
0μmの間隔を設定したブレードコーターを用いて塗布
した後、47℃で3分間乾燥し、次いで47℃で2分間
減圧乾燥を行い、直ちに0.3J/cm2 の紫外線照射
によって塗布膜を硬化させ、膜厚6μmの情報記録層を
有する情報記録媒体を得た。
On this electrode, a polyfunctional monomer (dipentaerythritol hexaacrylate, manufactured by Toagosei Kagaku Kogyo, M-400) 40 parts, a photocuring initiator (2-hydroxy-2-methyl) -1-Phenylpropan-1-on, Ciba Geigy, Glocure 1173) ... 2 parts, liquid crystal {Smectic liquid crystal (Merck, S-6) 90%, nematic liquid crystal (Merck, E31LV) ) Is contained by 10%} ... 50 parts, -Surfactant (Sumitomo 3M, Fluorad FC-430)-3 parts are uniformly dissolved in 96 parts of xylene to obtain a coating solution of 5 parts.
After coating using a blade coater with an interval of 0 μm, the coating film was dried at 47 ° C. for 3 minutes, then dried under reduced pressure at 47 ° C. for 2 minutes, and immediately cured by irradiation with 0.3 J / cm 2 of ultraviolet light. Thus, an information recording medium having an information recording layer having a thickness of 6 μm was obtained.

【0105】情報記録層面を熱メタノールを用いて液晶
を抽出し、乾燥させた後、走査型電子顕微鏡(日立製作
所、S−800)で1000倍で内部構造を観察したと
ころ、層の表面は0.6μmの紫外線硬化型樹脂で覆わ
れ、層内部には連続層を成す液晶相中に、粒径0.1μ
mの樹脂粒子相が充填した構造を有していた。
After the liquid crystal was extracted from the information recording layer surface with hot methanol and dried, the internal structure was observed with a scanning electron microscope (Hitachi, S-800) at 1000 times. It is covered with a UV-curable resin of 0.6 μm and has a particle size of 0.1 μ in the liquid crystal phase forming a continuous layer inside the layer.
m had a structure filled with a resin particle phase.

【0106】(情報記録方法及び記録特性)得られた光
センサと情報記録媒体とを図3に示すように組合せ、厚
さ10μmのポリイミドフィルムのスペーサーを介し
て、空気層を設けて対向させ、積層した。
(Information recording method and recording characteristics) The obtained optical sensor and an information recording medium were combined as shown in FIG. 3, and an air layer was provided to face each other via a spacer of a polyimide film having a thickness of 10 μm, Laminated.

【0107】この積層体を図10に示すように撮像用カ
メラ(マミヤ社製RB67)に写真フィルムを代えて装
着し、光センサーと情報記録媒体の両電極間に700V
の直流電圧を0.04秒印加すると同時に、グレースケ
ール露光量2〜200ルックスで1/30秒間、光セン
サー側から投影露光した。露光後、情報記録媒体を取り
出した。透過光により情報記録媒体を観察したところ、
情報記録層にはグレースケールに応じた光透過部からな
る記録部が観察された。
This laminated body was mounted on an image pickup camera (RB67 manufactured by Mamiya Co., Ltd.) as shown in FIG. 10 with the photographic film replaced, and 700 V was applied between both electrodes of the optical sensor and the information recording medium.
Was applied for 0.04 seconds, and at the same time, a projection exposure was performed from the optical sensor side for 1/30 seconds at a gray scale exposure of 2-200 lux. After the exposure, the information recording medium was taken out. When observing the information recording medium with transmitted light,
In the information recording layer, a recording portion composed of a light transmitting portion corresponding to a gray scale was observed.

【0108】次いで、情報記録媒体における記録情報
を、CCDラインセンサーを用いたイメージスキャナに
よって読み取り、その情報を昇華転写プリンタ(日本ビ
クター社製 SP−5500)を使用して情報出力した
結果、グレースケールに応じた階調性を有した良好な印
刷物が得られた。
Then, the recorded information on the information recording medium was read by an image scanner using a CCD line sensor, and the information was output using a sublimation transfer printer (SP-5500 manufactured by Victor Company of Japan). As a result, a good printed matter having a gradation property corresponding to the above was obtained.

【0109】また、プリズムとカラーフィルターによっ
てR、G、Bの3色に分解して同様にカラー画像を記録
したところ、記録された画像は良好で、カラー画像の記
録情報を同様に読み取って情報出力した結果、良好な印
刷物が得られた。
Further, when a color image was recorded in the same manner by separating the three colors of R, G, and B with a prism and a color filter, the recorded image was good, and the recorded information of the color image was read in the same manner to obtain information. As a result of outputting, good printed matter was obtained.

【0110】(実施例2)実施例1で作製した光センサ
ーにおける光導電層上にポリビニルアルコール5重量部
(日本合成化学(株)製、AH−26、ケン化度97〜
99%)をイオン交換水95重量部中に溶解した塗布液
を用いて、これをスピンナーにて塗布を行い、膜厚1μ
mの誘電体層を積層した。
Example 2 5 parts by weight of polyvinyl alcohol (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., AH-26, saponification degree 97-) on the photoconductive layer in the optical sensor prepared in Example 1.
99%) was dissolved in 95 parts by weight of ion-exchanged water, and this was applied with a spinner to give a film thickness of 1 μm.
m dielectric layers were laminated.

【0111】次いで、この誘電体層上に、実施例1で示
した情報記録層の作製方法と同様に情報記録層を作製
し、さらにその情報記録層上にスパッタリングでITO
を20nm成膜することにより導電層を積層し、情報記
録媒体を作製した。
Then, an information recording layer was formed on this dielectric layer in the same manner as the method for forming the information recording layer shown in Example 1, and ITO was sputtered on the information recording layer.
Was deposited to a thickness of 20 nm to form a conductive layer, thereby producing an information recording medium.

【0112】この情報記録媒体の両電極間に700Vの
直流電圧を印加すると同時に、実施例1同様にグレース
ケールを1/30秒間、光センサー側から投影露光し
た。電圧印加時間は0.05秒間とした。露光後、情報
記録媒体を取り出し、実施例1同様の情報出力装置によ
り読み取り及び出力を行ったところ、良好な印刷物がえ
られた。
A DC voltage of 700 V was applied between both electrodes of this information recording medium, and at the same time, a gray scale was projected and exposed from the optical sensor side for 1/30 seconds as in Example 1. The voltage application time was 0.05 seconds. After the exposure, the information recording medium was taken out and read and output by the same information output device as in Example 1. As a result, a good printed matter was obtained.

【0113】(実施例3) (光センサーの電気特性)実施例1で製造した光センサ
ーについて、その電気特性測定を100回繰り返した
が、1回目の電気特性結果と全く同じ電流密度の値が得
られ、本発明の光センサーは耐久性に優れることがわか
った。
(Embodiment 3) (Electrical Characteristics of Optical Sensor) The electrical characteristics of the optical sensor manufactured in Example 1 were measured 100 times. It was found that the optical sensor of the present invention was excellent in durability.

【0114】(情報記録特性)上記の電気特性測定を1
00回繰り返した後の光センサーと情報記録媒体とを、
実施例1同様にして、図3に示すようにして、厚さ10
μmのポリイミドフィルムのスペーサーを介して空気層
を設けて対向させて積層した。
(Information recording characteristic) The above-mentioned electric characteristic measurement is performed 1
The optical sensor and the information recording medium after repeating 00 times,
In the same manner as in Example 1, as shown in FIG.
An air layer was provided via a spacer of a polyimide film having a thickness of μm, and the layers were laminated to face each other.

【0115】この積層体を図10に示すように、撮像用
カメラ(マミヤ社製RB67)に写真フィルムを代えて
装着し、光センサーと情報記録媒体の両電極間に700
Vの直接電圧を0.04秒間印加すると同時に、グレー
スケール露光量が2〜200ルックスで1/30秒間、
光センサー側から投影露光した。露光後、情報記録媒体
を取り出した。透過光により情報記録媒体を観察したと
ころ、情報記録層には実施例1と同様のグレースケール
に応じた光透過部からなる記録部が観察された。次い
で、情報記録媒体における情報記録を、CCDラインセ
ンサーを用いたイメージスキャナによって読み取り、そ
の情報を昇華転写プリンタ(日本ビクター社製 SP−
5500)を使用して情報出力した結果、実施例1同様
のグレースケールに応じた階調性を有した良好な印刷物
が得られた。
As shown in FIG. 10, this laminated body was mounted on an image pickup camera (RB67 manufactured by Mamiya Co., Ltd.) with the photographic film replaced, and a 700-mm film was placed between both electrodes of the optical sensor and the information recording medium.
At the same time as applying a direct voltage of V for 0.04 seconds, the gray scale exposure amount is 2 to 200 lux for 1/30 seconds,
Projection exposure was performed from the light sensor side. After the exposure, the information recording medium was taken out. When the information recording medium was observed with the transmitted light, a recording portion including a light transmitting portion corresponding to a gray scale similar to that of Example 1 was observed in the information recording layer. Next, the information recorded on the information recording medium is read by an image scanner using a CCD line sensor, and the information is read by a sublimation transfer printer (SP- made by Victor Company of Japan, Ltd.).
5500), a good printed matter having the same gray scale gradation as in Example 1 was obtained.

【0116】また、プリズムとカラーフィルターによっ
てR、G、Bの3色に分解して同様にカラー画像を記録
したところ、実施例1同様に記録された画像は良好でカ
ラー画像の記録情報を同様に読み取って情報出力した結
果、良好な印刷物が得られた。
When a color image was recorded in the same manner by decomposing it into three colors of R, G and B with a prism and a color filter, the image recorded in the same manner as in Example 1 was good and the recording information of the color image was the same. As a result of reading and outputting information, good printed matter was obtained.

【0117】[0117]

【発明の効果】本発明における光センサーは、光導電層
中にこの特定のアゾ化合物を含有する光センサーを用い
ることにより、光センサー素子全体の導電性を適当な状
態とすることができるため、液晶記録媒体の動作電圧及
び範囲に見合った光センサーを得ることができる。その
ため、記録画像濃度を一定の範囲内のものとすることが
でき、安定した光情報の記録をすることが可能となる。
すなわち、本発明における光センサーは、高感度である
とともに、一定の電気的特性を安定的に示すばかりでな
く、皮膜物性が良好で繰り返し使用による劣化が少ない
光センサーとできる。
In the photosensor of the present invention, by using the photosensor containing this specific azo compound in the photoconductive layer, the conductivity of the entire photosensor element can be brought to an appropriate state. It is possible to obtain an optical sensor suitable for the operating voltage and range of the liquid crystal recording medium. Therefore, the recording image density can be kept within a certain range, and stable recording of optical information can be performed.
That is, the optical sensor according to the present invention can be an optical sensor having high sensitivity, stable electrical characteristics, good film properties, and little deterioration due to repeated use.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の光センサーを説明する断面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an optical sensor of the present invention.

【図2】 本発明における他の光センサーを説明する断
面図である。
FIG. 2 is a sectional view illustrating another optical sensor according to the present invention.

【図3】 本発明における第1の情報記録装置を説明す
る断面図である。
FIG. 3 is a sectional view illustrating a first information recording device according to the present invention.

【図4】 本発明における第2の情報記録装置を説明す
る断面図である。
FIG. 4 is a sectional view illustrating a second information recording device according to the present invention.

【図5】 本発明の光センサーの光電流増幅作用を説明
するために使用した測定系におけるグリーンフィルター
の分光特性を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a spectral characteristic of a green filter in a measurement system used for explaining a photocurrent amplification action of the photosensor of the present invention.

【図6】 比較センサーの光電流増幅作用の測定結果を
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a measurement result of a photocurrent amplifying action of a comparative sensor.

【図7】 比較センサーの光照射中における量子効率の
変化を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a change in quantum efficiency during light irradiation of a comparative sensor.

【図8】 本発明の光センサーにおける光電流増幅作用
の測定結果を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing measurement results of photocurrent amplification action in the optical sensor of the present invention.

【図9】 本発明の光センサーの光照射中における量子
効率の変化を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing changes in quantum efficiency during light irradiation of the photosensor of the present invention.

【図10】 本発明の情報記録方法を説明するための図
である。
FIG. 10 is a diagram for explaining the information recording method of the present invention.

【図11】 電流測定装置を説明するための図である。FIG. 11 is a diagram for explaining a current measuring device.

【図12】 本発明の光センサーの電流測定結果を示す
図である。
FIG. 12 is a diagram showing current measurement results of the optical sensor of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…光センサー、2…情報記録媒体、11…情報記録
層、13、13′…電極、14は光導電層、14′…電
荷発生層、14″…電荷輸送層、15…基板、19…ス
ペーサ、20…誘電体層、21…光源、22…駆動機構
を有するシャッター、23…パルスジェネレータ(電
源)、24…暗箱、30…金電極、31…光源、32…
シャッター、33…シャッター駆動機構、34…パルス
ジェネレーター、35…オシロスコープ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical sensor, 2 ... Information recording medium, 11 ... Information recording layer, 13, 13 '... Electrode, 14 is a photoconductive layer, 14' ... Charge generating layer, 14 "... Charge transport layer, 15 ... Substrate, 19 ... Spacer, 20 ... Dielectric layer, 21 ... Light source, 22 ... Shutter having drive mechanism, 23 ... Pulse generator (power supply), 24 ... Dark box, 30 ... Gold electrode, 31 ... Light source, 32 ...
Shutter, 33 ... Shutter drive mechanism, 34 ... Pulse generator, 35 ... Oscilloscope

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03G 5/06 367 (72)発明者 須田 修 東京都中央区日本橋馬喰町一丁目7番6号 大日精化工業株式会社内 (72)発明者 赤田 正典 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 上山 弘徳 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 青木 大吾 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 清水 治 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Internal reference number FI Technical indication location G03G 5/06 367 (72) Inventor Osamu Suda 1-7-6 Nihonbashi-Bakurocho, Chuo-ku, Tokyo Large Within Nissei Kagaku Co., Ltd. (72) Inventor Masanori Akada 1-1-1, Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo Within Dai Nippon Printing Co., Ltd. (72) In-house Hironori Ueyama 1-1-1-1 Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo No. 1 in Dai Nippon Printing Co., Ltd. (72) Inventor Daigo Aoki 1-1-1, Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo No. 1 within Dai-Nippon Printing Co., Ltd. (72) Inventor Osamu Shimizu 1-chome, Ichigaya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo No. 1 in Dai Nippon Printing Co., Ltd.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも電極上に光導電層を有する光
センサーであって、少なくとも電極上に情報記録層を有
する情報記録媒体と対向配置され、両電極間に露光した
状態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印加した状態
で露光し、情報記録媒体に電界又は電荷量により情報を
形成することが可能な光センサーにおいて、該光センサ
ーにおける光導電層中に、下記一般式(1)で示される
カップラー残基と結合したアゾ基を少なくとも一個分子
中に有するアゾ化合物を含有すること特徴とする光セン
サー。 【化1】 (式中、Xはベンゼン環と縮合して置換・未置換の芳香
族炭化水素環または置換・未置換の芳香族複素環を形成
するのに必要な原子群、Yは水素、ハロゲン原子、シア
ノ基、置換・未置換のアルキル基、アルコキシ基より選
択されるn=0〜4の整数の基である。また、R1 、R
2 は水素、置換・未置換のアルキル基、置換・未置換の
芳香族炭化水素環基あるいは置換・未置換の芳香族複素
環基を示す。ここで、R1 、R2 は同一であっても異な
っていてもよく、また、窒素原子と共同して環を形成し
てもよい。)
1. An optical sensor having a photoconductive layer on at least an electrode, which is arranged to face an information recording medium having an information recording layer on at least an electrode, and a voltage is applied between both electrodes in an exposed state. Alternatively, in an optical sensor capable of forming information on an information recording medium by an electric field or an amount of electric charge by exposing under an applied voltage, a photoconductive layer of the optical sensor is represented by the following general formula (1). An optical sensor comprising an azo compound having at least one azo group bonded to a coupler residue in the molecule. Embedded image (In the formula, X is a group of atoms necessary for being condensed with a benzene ring to form a substituted / unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or a substituted / unsubstituted aromatic heterocycle, and Y is hydrogen, a halogen atom, or a cyano group. A group, a substituted / unsubstituted alkyl group, an alkoxy group, and an integer group of n = 0 to 4. Further, R 1 and R
2 represents hydrogen, a substituted / unsubstituted alkyl group, a substituted / unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group or a substituted / unsubstituted aromatic heterocyclic group. Here, R 1 and R 2 may be the same or different, and may form a ring in cooperation with the nitrogen atom. )
【請求項2】 光センサーが、半導電性であり、両電極
間に露光した状態で電圧を印加するか、あるいは電圧を
印加した状態で露光すると、情報記録媒体に露光に起因
する電流以上に増幅された強度で情報記録することがで
き、また、露光を終了した後も電圧を印加し続けると導
電性が徐々に減衰する挙動を示し、引き続き情報記録媒
体に情報記録を継続する作用を有することを特徴とする
請求項1記載の光センサー。
2. The light sensor is semi-conductive, and when a voltage is applied between both electrodes while being exposed, or when a light is exposed while a voltage is applied, the information recording medium is exposed to more than a current caused by the exposure. Information can be recorded with the amplified intensity, and the behavior is such that the conductivity gradually decreases when voltage is continuously applied after the exposure is completed, and it has the effect of continuing information recording on the information recording medium. The optical sensor according to claim 1, wherein:
【請求項3】 光センサーへ105 〜106 V/cmの
電界強度の印加時において、未露光部での通過電流密度
が10-4〜10-7A/cm2 であることを特徴とする請
求項1または請求項2記載の光センサー。
3. The passing current density in the unexposed portion is 10 −4 to 10 −7 A / cm 2 when an electric field strength of 10 5 to 10 6 V / cm is applied to the photosensor. The optical sensor according to claim 1 or 2.
【請求項4】 少なくとも電極上に光導電層を有する光
センサーと、少なくとも電極上に情報記録層を有する情
報記録媒体とが対向配置され、両電極間に、露光した状
態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印加した状態で
露光し、情報記録媒体に電界又は電荷量により情報を形
成することが可能な光センサーにおける光導電層形成用
材料であって、下記一般式(1)で示されるカップラー
残基と結合したアゾ基を少なくとも一個分子中に有する
アゾ化合物であることを特徴とする光センサーにおける
光導電層形成用材料。 【化2】 (式中、Xはベンゼン環と縮合して置換・未置換の芳香
族炭化水素環または置換・未置換の芳香族複素環を形成
するのに必要な原子群、Yは水素、ハロゲン原子、シア
ノ基、置換・未置換のアルキル基、アルコキシ基より選
択されるn=0〜4の整数の基である。また、R1 、R
2 は水素、置換・未置換のアルキル基、置換・未置換の
芳香族炭化水素環基あるいは置換・未置換の芳香族複素
環基を示す。ここで、R1 、R2 は同一であっても異な
っていてもよく、また、窒素原子と共同して環を形成し
てもよい。)
4. An optical sensor having a photoconductive layer on at least an electrode and an information recording medium having an information recording layer on at least the electrode are arranged to face each other, and a voltage is applied between both electrodes in an exposed state. Or a material for forming a photoconductive layer in an optical sensor capable of forming information on an information recording medium by an electric field or an amount of electric charge, which is represented by the following general formula (1). A material for forming a photoconductive layer in an optical sensor, which is an azo compound having at least one azo group bonded to a coupler residue in a molecule. Embedded image (In the formula, X is a group of atoms necessary for being condensed with a benzene ring to form a substituted / unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or a substituted / unsubstituted aromatic heterocycle, and Y is hydrogen, a halogen atom, or a cyano group. A group, a substituted / unsubstituted alkyl group, an alkoxy group, and an integer group of n = 0 to 4. Further, R 1 and R
2 represents hydrogen, a substituted / unsubstituted alkyl group, a substituted / unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group or a substituted / unsubstituted aromatic heterocyclic group. Here, R 1 and R 2 may be the same or different, and may form a ring in cooperation with the nitrogen atom. )
【請求項5】 少なくとも電極上に光導電層を有する光
センサーと、少なくとも電極上に情報記録層を有する情
報記録媒体とが対向配置され、両電極間に、露光した状
態で電圧を印加するか、あるいは電圧を印加した状態で
露光し、情報記録媒体に電界又は電荷量により情報を形
成することが可能な光センサーにおける光導電層形成用
インキ組成物であって、下記一般式(1)で示されるカ
ップラー残基と結合したアゾ基を少なくとも一個分子中
に有するアゾ化合物とバインダーからなることを特徴と
する光導電層形成用インキ組成物。 【化3】 (式中、Xはベンゼン環と縮合して置換・未置換の芳香
族炭化水素環または置換・未置換の芳香族複素環を形成
するのに必要な原子群、Yは水素、ハロゲン原子、シア
ノ基、置換・未置換のアルキル基、アルコキシ基より選
択されるn=0〜4の整数の基である。また、R1 、R
2 は水素、置換・未置換のアルキル基、置換・未置換の
芳香族炭化水素環基あるいは置換・未置換の芳香族複素
環基を示す。ここで、R1 、R2 は同一であっても異な
っていてもよく、また、窒素原子と共同して環を形成し
てもよい。)
5. An optical sensor having a photoconductive layer on at least an electrode and an information recording medium having an information recording layer on at least an electrode are arranged to face each other, and a voltage is applied between both electrodes in an exposed state. Or an ink composition for forming a photoconductive layer in an optical sensor capable of forming information on an information recording medium by an electric field or an amount of electric charge, which is exposed by applying a voltage, and is represented by the following general formula (1): An ink composition for forming a photoconductive layer, comprising an azo compound having at least one azo group bonded to the coupler residue shown in the molecule and a binder. Embedded image (In the formula, X is a group of atoms necessary for being condensed with a benzene ring to form a substituted / unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or a substituted / unsubstituted aromatic heterocycle, and Y is hydrogen, a halogen atom, or a cyano group. A group, a substituted / unsubstituted alkyl group, an alkoxy group, and an integer group of n = 0 to 4. Further, R 1 and R
2 represents hydrogen, a substituted / unsubstituted alkyl group, a substituted / unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group or a substituted / unsubstituted aromatic heterocyclic group. Here, R 1 and R 2 may be the same or different, and may form a ring in cooperation with the nitrogen atom. )
【請求項6】 少なくとも電極上に電荷輸送層及び電荷
発生層からなる光導電層を有する光センサーと、少なく
とも電極上に情報記録層を有する情報記録媒体とが対向
配置され、両電極間に、露光した状態で電圧を印加する
か、あるいは電圧を印加した状態で露光し、情報記録媒
体に電界又は電荷量により情報を形成することが可能な
光センサーにおける電荷発生層を形成するための光導電
層形成用インキ組成物であって、下記一般式(1)で示
されるカップラー残基と結合したアゾ基を少なくとも一
個分子中に有するアゾ化合物とバインダーとからなるこ
とを特徴とする光導電層形成用インキ組成物。 【化4】 (式中、Xはベンゼン環と縮合して置換・未置換の芳香
族炭化水素環または置換・未置換の芳香族複素環を形成
するのに必要な原子群、Yは水素、ハロゲン原子、シア
ノ基、置換・未置換のアルキル基、アルコキシ基より選
択されるn=0〜4の整数の基である。また、R1 、R
2 は水素、置換・未置換のアルキル基、置換・未置換の
芳香族炭化水素環基あるいは置換・未置換の芳香族複素
環基を示す。ここで、R1 、R2 は同一であっても異な
っていてもよく、また、窒素原子と共同して環を形成し
てもよい。)
6. An optical sensor having a photoconductive layer composed of a charge transport layer and a charge generation layer on at least an electrode, and an information recording medium having an information recording layer on at least the electrode are arranged to face each other, and between both electrodes, Photoconductivity for forming a charge generation layer in an optical sensor capable of forming information on an information recording medium by an electric field or an amount of electric charge by applying a voltage in an exposed state or by applying a voltage in an exposed state An ink composition for forming a layer, which comprises a binder and an azo compound having at least one azo group bonded to a coupler residue represented by the following general formula (1) in a molecule and a binder. Ink composition. Embedded image (In the formula, X is a group of atoms necessary for being condensed with a benzene ring to form a substituted / unsubstituted aromatic hydrocarbon ring or a substituted / unsubstituted aromatic heterocycle, and Y is hydrogen, a halogen atom, or a cyano group. A group, a substituted / unsubstituted alkyl group, an alkoxy group, and an integer group of n = 0 to 4. Further, R 1 and R
2 represents hydrogen, a substituted / unsubstituted alkyl group, a substituted / unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group or a substituted / unsubstituted aromatic heterocyclic group. Here, R 1 and R 2 may be the same or different, and may form a ring in cooperation with the nitrogen atom. )
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH11160896A (en) * 1997-11-28 1999-06-18 Dainippon Printing Co Ltd Optical sensor and information recorder

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH11160896A (en) * 1997-11-28 1999-06-18 Dainippon Printing Co Ltd Optical sensor and information recorder

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