JPH10125964A

JPH10125964A - 熱電発電素子の製造方法

Info

Publication number: JPH10125964A
Application number: JP8277970A
Authority: JP
Inventors: Yumiko Sakamaki; 由美子酒巻; Hisato Hiraishi; 久人平石
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1996-10-21
Filing date: 1996-10-21
Publication date: 1998-05-15

Abstract

(57)【要約】【課題】メッキ法により得られた熱電材料の膜を積層
し、同じ積層厚の熱電発電素子を安定して得ることが可
能な熱電発電素子の製造方法を提供すること。【解決手段】表面あるいは全体が金属材料からなる基
板上に感光性樹脂１３を用いてパターンを形成する工程
と、基板を電極としてメッキ電解液中で電流を与えて、
メッキすることにより所定の膜厚のパターン化された熱
電材料１５の金属膜を得る工程と、ｐ型の熱電材料１５
の金属膜とｎ型の熱電材料１６の金属膜を交互に重ねる
工程と、それらの途中に誤差吸収層２１を挟み込み、所
定の積層厚まで研磨する工程と、それぞれのｎ型とｐ型
の熱電材料を金属膜で直列に配線する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は熱電発電素子の製
造方法に関するものであり、とくにメッキ膜を利用して
作製した場合の積層方向の厚さの制御に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】各種金属材料が電子部品に利用されてい
るが、年々微小化が進められている。その代表例とし
て、熱電発電素子が挙げられる。熱電発電素子はその両
端に温度差を与えることにより電圧を発生する。この電
圧を電気エネルギーとして利用しようとするのが熱電発
電である。

【０００３】熱電発電に用いる熱電発電素子は、構造が
簡単なため他の発電機に比べて微小化に有利なことや、
酸化還元電池のように消耗せず、電解液の漏洩の問題も
ないことから、腕時計のような携帯用電子機器への応用
が注目されている。

【０００４】熱電発電素子では、ｐ型半導体の熱電材料
とｎ型半導体の熱電材料の熱電対が直列に複数個配列し
ている。腕時計駆動に必要な１．５Ｖ以上の電圧を得る
ためには、性能指数が高いといわれるＢｉＴｅ系の熱電
対を用いても、２０００対以上が必要となる。

【０００５】また、腕時計内部の限られた空間に配置す
ることから、熱電発電素子はできる限り小さくすること
が必要である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】現在、熱電発電素子の
製造方法としては、バルク材を機械加工により切断し、
組み立てることにより行うのが一般的である。しかし、
機械加工では、微小な素子の加工には限りがあり、もろ
い材料であった場合、必要な形状に加工することは困難
である。

【０００７】こうした問題点を解決するために、熱電発
電素子として用いることが可能な熱電材料を被膜として
得る手段がある。その手段の１つとして、真空蒸着法が
挙げられる。しかしながら真空蒸着法は、膜厚１０μｍ
以上の膜を得ることは困難であり、機器を駆動すること
ができる電圧を得ることは不可能である。

【０００８】そのほか、被膜として熱電材料を得る方法
として、メッキ法が行われている。このメッキ法によれ
ば、熱電発電素子として用いるのに充分な厚膜の状態で
得ることが可能である。

【０００９】しかし、ある限られた空間の中で、熱電発
電素子として用いるに充分な起電力を得るためには、熱
電対が多数対必要である。そのためには、微細化と同時
に、メッキ膜を多数段積層する必要がある。５０μｍ幅
で５０μｍごとに存在するとすれば、ｐ型とｎ型の２段
で、１ｃｍ中に１００対存在し、先に挙げたＢｉＴｅ系
で２０００対必要なら、４０段もの積層が必要である。
１ｃｍの長さのものを２個、２ｃｍ分用意するとして
も、２０段の積層が必要である。

【００１０】ここまで多数段積層する場合、接着層の厚
さのばらつきによる積層方向の誤差を制御する必要があ
る。２０段積層する場合には、１段の誤差が５μｍで
も、最終段には１００μｍの誤差になっている可能性が
あり、作製した素子の大きさにばらつきが生じることに
なり、腕時計など限られた小さな空間に格納する場合に
は問題となる。また、積層後に断面上でｐ型とｎ型の熱
電材料を交互に直列に接続する工程では、金属材料から
なるスリット板等をマスクとして用いることが簡便であ
る。しかし、熱電材料の存在位置が各段、作製した熱電
発電素子の個体ごとに異なると、同一のスリット板を使
用することができず、生産性が悪い。

【００１１】また、後工程で、１つ１つの素子端面をｐ
型、ｎ型と直列に接続する必要がある。この配線は、ス
リットのあいた金属板をマスクとして用い、真空蒸着法
などの金属膜により行う。この際、積層方向の誤差が大
きくなると、素子とスリットの位置にズレが生じ、マス
ク蒸着が困難になる。

【００１２】さらに、完成した熱電発電素子の大きさが
異なることにもなり、微小な電子機器に組み込む場合に
生産性が悪い。

【００１３】〔発明の目的〕そこで上記課題を解決し
て、本発明の目的は、メッキ法により得られた熱電材料
の膜を積層し、同じ積層厚の熱電発電素子を安定して得
ることが可能な熱電発電素子の製造方法を提供すること
である。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の熱電発電素子の製造方法においては、下
記に説明する手段を採用する。

【００１５】表面あるいは全体が金属材料からなる基板
上に感光性樹脂を用いてパターンを形成する工程と、基
板を電極としてメッキ電解液中で電流を与えて、メッキ
することにより所定の膜厚のパターン化された熱電材料
の膜を得る工程と、ｐ型の熱電材料の膜とｎ型の熱電材
料の膜を交互に重ねる工程と、それらの途中に誤差吸収
層を挟み込み、所定の積層厚まで研磨する工程と、ｐ型
の熱電材料とｎ型の熱電材料を金属膜で直列に配線する
ことを特徴とする。

【００１６】〔作用〕ｐ型とｎ型の熱電材料のメッキ膜
を積層する工程で、誤差吸収層を挟まずに行うと、接着
層の誤差が反映されて、多段積層すると、誤差は積算さ
れる。そのため、熱電材料の存在位置が熱電発電素子個
体ごとに異なり、その後工程で、スリット板をマスクと
して用いた金属膜による配線接続が、不可能になる。ま
た、完成した熱電発電素子の大きさも異なることにな
り、電子機器への組み込みが困難になる。

【００１７】しかしながら誤差吸収層を挟み込むことに
より、本発明の熱電発電素子の製造方法においては、多
段積層しても、積層方向の誤差が積算されることがなく
なるので、各段の熱電材料の存在位置も熱段発電素子ご
とに異なることもなくなり、同一のスリット板をマスク
として使用し、金属膜による配線接続が可能となる。ま
た、完成した熱電発電素子の大きさも均一になり、電子
機器への組み込みも容易になる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の熱電
発電素子の製造方法における最適な実施形態を説明す
る。

【００１９】図１に示すように、メッキ電極用基板１１
としてチタン基板を使用し、ヘキサメチルジシラザン溶
液をスピンコートし、１００℃にて乾燥させ、密着力強
化層を形成する。密着力強化層により、メッキ電極用基
板１１は親油性となり、感光性樹脂が密着しやすくな
る。その後、全面に感光性樹脂１３を形成する。この感
光性樹脂１３には膜厚５０μｍの感光性ドライフィルム
を用い、ロールコーターを用いて形成する。

【００２０】その後、感光性樹脂１３である感光性ドラ
イフィルムを、フォトマスクを用いて光照射する露光処
理と、未露光部のみを溶解除去するという現像処理との
フォトリソグラフィー技術を用いて、図１のようにスト
ライプ状にパターンを形成する。このとき、使用するフ
ォトマスクのストライプのパターンの幅は５０μｍであ
り、メッキ電極用基板１１上の感光性樹脂１３の開口部
は５０μｍであるものとする。なお、後工程の積層で用
いる、十文字をアライメントマークとしてフォトマスク
に設け、未露光部として溶解除去する。パターン化後の
感光性樹脂１３の平面パターン形状は、図４の平面図に
示す。

【００２１】つぎに、メッキ電極用基板１１の表面を、
０．５％フッ酸溶液によりエッチング処理する。この処
理では、ヘキサメチルジシラザンで形成した密着強化層
により、親水性から親油性に変わった感光性樹脂１３の
開口部内のメッキ電極用基板１１表面を再度親水性に戻
し、次工程であるメッキ工程において、メッキ液の流れ
込みを促進する。さらに、メッキ電極用基板１１に形成
された感光性樹脂１３の表面を親水性に変え、メッキを
促進させる。

【００２２】つぎに図２に示すように、感光性樹脂１３
の開口部内のメッキ電極用基板１１上に、メッキ法によ
りｐ型熱電材料１５であるアンチモンからなる金属膜を
形成する。このときのメッキ電解液には、Ｓｂ2 Ｏ3 を
含む硫酸溶液を用いる。そして、メッキ電極用基板１１
をカソードとして使用し、アノードにはＳｂ電極を用い
る。電流密度３．４ｍＡ／ｃｍ²で、膜厚５０μｍにな
るまで、４時間与え続ける。この間、メッキ槽の温度
は、５０℃を保つ。

【００２３】ここで、膜厚が５０μｍに過不足が生じた
場合でも、感光性樹脂１３と金属膜１５との高さの差
は、後工程で表面に熱硬化性樹脂を接着層として塗布す
る際に吸収される。しかし金属膜の膜厚が５０μｍより
も大きく下回る場合には、充分な起電力が得られない。
また、膜厚が５０μｍ以上の場合には、感光性樹脂１３
によってパターン形成され絶縁された、隣同士のｐ型熱
電材料１５が、導通する可能性がある。したがって、ｐ
型熱電材料１５の金属膜の膜厚は、感光性樹脂の膜厚と
同じにすることが望ましい。

【００２４】ｐ型熱電材料１５であるアンチモンの膜
を、５０μｍ幅寸法のストライプを、５０μｍの厚さ
で、１００μｍピッチ寸法で得ることができる。同様の
方法で、計１０枚のチタン基板にアンチモン膜を得る。

【００２５】同様な処理工程を行うことによって、ｎ型
熱電材料１６であるビスマスからなる金属膜も得ること
ができる。このｎ型熱電材料１６を形成する方法を以下
に説明する。

【００２６】アンチモン膜を得た場合と同様の方法で、
メッキ電極用基板１１表面にストライプ状のパターンお
よびアライメントマークを形成し、エッチング処理を行
う。

【００２７】アンチモン膜を得る方法と異なる処理工程
は、メッキ工程である。図３に示すように、感光性樹脂
１３の開口部内のメッキ電極用基板１１上にメッキ法に
よってｎ型熱電材料１６であるビスマスからなる金属膜
を形成する。ここで電流密度１．４ｍＡ／ｃｍ²で、膜
厚５０μｍになるまで、７時間与え続ける。この間、メ
ッキ槽の温度は５０℃に保つ。

【００２８】膜厚を感光性樹脂１３と同じ５０μｍにす
ることが望ましいわけは、ｎ型熱電材料１５の場合と同
様である。

【００２９】以上、ｎ型熱電材料１６であるビスマスの
膜を、５０μｍ幅のストライプを、５０μｍの厚さで、
１００μｍピッチ寸法で得ることができる。同様の方法
で、計１０枚の基板にビスマス膜を得る。

【００３０】さきに得たアンチモン膜付きのメッキ電極
用基板１１のうちの１枚で、図５のように、ｐ型熱電材
料１５と感光性樹脂１３との上に熱硬化性樹脂をスクリ
ーン印刷により塗布し、３００μｍ厚のガラス基板から
なる絶縁性基板１９を置き、２Ｋｇ／ｃｍ² で加圧す
る。その後、１５０℃で３０分加熱し、熱硬化性樹脂か
らなる接着層１７を形成する。塗布する熱硬化性樹脂の
量と加える圧力で、接着層１７は５０μｍ程度になるよ
う調整する。

【００３１】これを２．５％フッ酸溶液に３時間浸し、
メッキ電極用基板１１を溶解除去する。このとき、絶縁
性基板１９の溶解を防ぐため、表面と側面に高分子シー
トを貼って、保護する。図６のようにｐ型熱電材料１５
と感光性樹脂１３の膜が絶縁性基板１９に転写され、積
層の第一段目となる。

【００３２】つづいて、ビスマス膜付きのメッキ電極用
基板１１の内の１枚で、ｎ型熱電材料１６と感光性樹脂
１３の上に熱硬化性樹脂をスクリーン印刷により塗布す
る。図７のように一段目のアンチモンからなるｐ型熱電
材料１５とビスマスからなるｎ型熱電材料１６の位置合
わせを行う。

【００３３】位置合わせは、マスクアライナーを転用す
る。積層の第１段目となるガラス基板からなる絶縁性基
板１９の高分子シートを剥がし、絶縁性基板１９をマス
ク側に固定する。積層の２段目となる、熱硬化性樹脂を
塗布したビスマス膜付きのメッキ電極用基板１１をマス
クアライナーのウエハーステージ側に固定する。ガラス
基板からなる絶縁性基板１９越しに、積層の第１段目の
ｐ型熱電材料１５の金属膜からなるアライメントマーク
と、第２段目のｎ型熱電材料１６の金属膜からなるアラ
イメントマークを顕微鏡で観察して、合わせる。マーク
合わせは、図４における２つのマークで同時に行う。

【００３４】位置合わせ終了後、積層の第１段目を塗布
した熱硬化性樹脂の上に図６のように重ね、２Ｋｇ／ｃ
ｍ² で加圧し、１５０℃で３０分熱処理し、接着層１７
を形成する。塗布する熱硬化性樹脂の量と加える圧力
は、第１段目と同様にし、接着層１７の厚さが同じにな
るようにする。

【００３５】つぎに第２段目に積層したメッキ電極用基
板１１を溶解除去する。溶解は、第一段目のときと同様
の方法で行う。図６に示すように、絶縁性基板１９にｐ
型の熱電材料１５と感光性樹脂１３からなる層と、ｎ型
の熱電材料１６と感光性樹脂１３からなる層の２段が積
層される。

【００３６】続いて、アンチモンからなるｐ型の熱電材
料１５を第３段目として積層する。第２段目と同様の方
法で行うが、熱電材料の位置合わせは、第１段目をガラ
ス基板からなる絶縁性基板１９越しにアライメントマー
クと第３段目のアライメントマークを観察しながら、位
置を決める。

【００３７】以下、以上の説明と同様の方法で、第４段
目まで積層し、各段積層後、メッキ電極用基板１１を溶
解除去する。奇数段にはアンチモンからなるｐ型の熱電
材料１５の膜を、偶数段にはビスマスからなるｎ型の熱
電材料１６の膜を積層する。熱電材料の位置合わせは、
各段とも第１段目と行い、熱電材料の位置のズレが、積
層が進むとともに積算されるのを防ぐ。

【００３８】第４段目を積層しメッキ電極用基板１１を
溶解後、図７のように５０μｍ以上の厚さで、熱硬化性
樹脂を塗布する。１５０℃で３０分処理し、樹脂からな
る第１の誤差吸収層２１を形成する。硬化後、ガラス基
板からなる絶縁性基板１９を基板面に水平に研磨用ラッ
プ板にワックス等で固定し、絶縁性基板１９と第１の誤
差吸収層１７間の厚さｒが、あらかじめ設定した厚さ８
００μｍになるまで、耐水性研磨紙により研磨する。

【００３９】引き続き、図８に示すように、第２段目と
同様に、第５段目として、アンチモンからなるｐ型の熱
電材料１５の膜を積層する。熱電材料の位置合わせは、
第１段目と行い、メッキ電極用基板１１の溶解除去を行
う。以下、同様にして、積層とメッキ電極用基板１１の
溶解除去を第８段目まで行う。奇数段にはアンチモンか
らなるｐ型の熱電材料１５の膜を、偶数段にはビスマス
からなるｎ型の熱電材料１６の膜を積層する。

【００４０】第１の誤差吸収層を形成したのと同様の方
法で、樹脂からなる第２の誤差吸収層２１を形成する。
ガラス基板からなる絶縁性基板１９と第２の誤差吸収層
２１間の厚さｓが、あらかじめ設定した厚さ１２５０μ
ｍになるまで、第１の誤差吸収層と同様に耐水性研磨紙
により研磨する。

【００４１】引き続き、第２段目と同様に、第９段目と
して、アンチモンからなるｐ型の熱電材料１５の膜を積
層する。熱電材料の位置合わせは、第１段目と行い、メ
ッキ電極用基板１１の溶解除去を行う。以下、同様にし
て、積層とメッキ電極用基板１１の溶解除去を第１２段
目まで行う。奇数段にはアンチモンからなるｐ型の熱電
材料１５の膜を、偶数段にはビスマスからなるｎ型の熱
電材料１６の膜を積層する。

【００４２】第１の誤差吸収層を形成したのと同様の方
法で、樹脂からなる第３の誤差吸収層２１を形成する。
ガラス基板からなる絶縁性基板１９と第３の誤差吸収層
２１間の厚さｔが、あらかじめ設定した厚さ１７００μ
ｍになるまで、第１の誤差吸収層と同様に耐水性研磨紙
により研磨する。

【００４３】引き続き、第２段目と同様に、第１３段目
として、アンチモンからなるｐ型の熱電材料１５の膜を
積層する。熱電材料の位置合わせは、第１段目と行い、
メッキ電極用基板１１の溶解除去を行う。以下、同様に
して、積層とメッキ電極用基板１１の溶解除去を第１６
段目まで行う。奇数段にはアンチモンからなるｐ型の熱
電材料１５の膜を、偶数段にはビスマスからなるｎ型の
熱電材料１６の膜を積層する。

【００４４】第１の誤差吸収層を形成したのと同様の方
法で、樹脂からなる第４の誤差吸収層２１を形成する。
ガラス基板からなる絶縁性基板１９と第４の誤差吸収層
２１間の厚さｕが、あらかじめ設定した厚さ２１５０μ
ｍになるまで、第１の誤差吸収層と同様に耐水性研磨紙
により研磨する。

【００４５】引き続き、第２段目と同様に、第１７段目
として、アンチモンからなるｐ型の熱電材料１５の膜を
積層する。熱電材料の位置合わせは、第１段目と行い、
メッキ電極用基板１１の溶解除去を行う。以下、同様に
して、積層とメッキ電極用基板１１の溶解除去を第２０
段目まで行う。奇数段にはアンチモンからなるｐ型の熱
電材料１５の膜を、偶数段にはビスマスからなるｎ型の
熱電材料１６の膜を積層する。

【００４６】２０段目に積層したビスマスからなるｎ型
の熱電材料１６と感光性樹脂１３の上に熱硬化性樹脂を
スクリーン印刷により塗布し、３００μｍ厚のガラス基
板からなる絶縁性基板１９を置き、２Ｋｇ／ｃｍ² で加
圧する。その後、１５０℃で３０分加熱し、接着層１７
を形成する。塗布する熱硬化性樹脂の量と加える圧力
で、接着層１７は５０μｍ程度になるよう調整し、図９
に示す積層物を得ることができる。

【００４７】以上により、それぞれ接着層を挟んだ、ｐ
型の熱電材料１５とｎ型の熱電材料１６を交互に１０段
ずつ２０段の積層物を、一定の厚さｖ＝２．９ｍｍで作
製することができる。

【００４８】この積層物を図１０に示すように、感光性
樹脂１３のストライプの垂直方向ｊに１ｃｍ、水平方向
ｋに３ｍｍの大きさに切断する。感光性樹脂１３のスト
ライプの垂直方向の１ｃｍ間には１００本の熱電材料が
５０×５０×３０００μｍの角柱として存在し、積層物
の厚さ方向に２０段で、１０００対の熱電素子が存在す
ることになる。

【００４９】図１１において切断した熱電発電素子の端
面Ａ、もう片側の端面Ｂを、耐水性研磨紙、さらに３μ
ｍのダイヤモンド粉、続いて１μｍのダイヤモンド粉に
よるバフ研磨で、表面を平滑にし、熱電材料の金属面を
露出させる。

【００５０】これを断面上で、ｐ型の熱電材料１５とｎ
型の熱電材料１６とを直列に接続する。図１１の断面Ａ
における接続を図８で示すと、ｐ型の熱電材料１５ａと
ｎ型の熱電材料１６ａ、１５ｂと１６ｂ、１５ｃと１６
ｃ、１５ｄと１６ｄ、１５ｅと１６ｅ、１５ｆと１６ｆ
をそれぞれ接続する。すなわち、１段目のｐ型熱電材料
１５と、ｘ軸方向の同位置にある２段目のｎ型熱電材料
１６とをそれぞれ接続する。同様に３段目以降も、奇数
段のｐ型熱電材料１５と偶数段のｎ型熱電材料１６を接
続する。

【００５１】片側の断面Ｂにおける接続状態を図８で示
すと、ｐ型の熱電材料１５ａとｎ型の熱電材料１６ｂ、
１５ｂと１６ｃ、１５ｅと１６ｄ、１５ｆと１６ｅ、１
６ａと１５ｄ、１６ｆと１５ｉを接続する。すなわち１
段目のｐ型の熱電材料１５ａと、１つ右にずれた位置の
２段目のｎ型の熱電材料１６とを接続する。３段目のｐ
型の熱電材料１５は、１つ左にずれた位置の４段目のｎ
型の熱電材料１６と接続する。ｘ軸方向に同位置にある
２段目と３段目の左端、４段目と５段目の右端の熱電材
料は、接続する。

【００５２】同様に、同じ規則で、２０段目まで、断面
Ａ、Ｂとも接続する。断面Ｂの１段目および２０段目
で、配線用の金属膜で接続されていない熱電材料は、他
の回路への引き出しとして用いる。

【００５３】接続は、マスクを用いたクロムと金の蒸着
で行う。接続する位置がスリットになっている金属板を
マスクとして用い、５×１０^-5Ｔｏｒｒ以下の条件で、
クロムを１００ｎｍ、金を５００ｎｍの厚さを蒸着す
る。積層途中に、誤差吸収層を挟んだことにより、熱電
材料の存在する位置も積層方向に大きくずれることがな
い。そのため、同一のスリット板によりマスク蒸着が可
能である。

【００５４】この接続により、ｐ型の熱電材料とｎ型の
熱電材料が直列に１０００対が接続される。

【００５５】以上の製造方法によれば、１０×３×２．
９ｍｍの熱電発電素子を得ることができる。２０段の積
層の厚さも安定して２．９ｍｍで得ることができる。ｐ
型とｎ型の熱電材料を２０００対得るためには、この熱
電発電素子を２個用意し、さらに直列に接続する。

【００５６】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
製造方法によれば、フォトリソグラフィー技術とメッキ
法により得られた感光性樹脂の膜厚と同じストライプ状
パターン幅、同じ膜厚の金属膜を多数段積層し、その途
中に誤差吸収層を設けることにより、安定した大きさの
熱電発電素子を得ることができる。また、熱電材料の存
在する位置も大きくずれることがないため、配線接続を
マスクを用いた金属膜で行うことができる。腕時計など
への微小な機器への組み込みも可能である。

【００５７】本発明の製造方法により、腕時計などの携
帯用電子機器へ温度差発電を利用できるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における熱電発電素子の製
造方法を示す断面図である。

【図２】本発明の実施の形態における熱電発電素子の製
造方法を示す断面図である。

【図３】本発明の実施の形態における熱電発電素子の製
造方法を示す断面図である。

【図４】本発明の実施の形態における熱電発電素子の製
造方法を示す平面図である。

【図５】本発明の実施の形態における熱電発電素子の製
造方法を示す断面図である。

【図６】本発明の実施の形態における熱電発電素子の製
造方法を示す断面図である。

【図７】本発明の実施の形態における熱電発電素子の製
造方法を示す断面図である。

【図８】本発明の実施の形態における熱電発電素子の製
造方法を示す断面図である。

【図９】本発明の実施の形態における熱電発電素子の製
造方法を示す断面図である。

【図１０】本発明の実施の形態における熱電発電素子の
製造方法を示す断面図である。

【図１１】本発明の実施の形態における熱電発電素子の
製造方法を示す斜視図である。

【図１２】本発明の実施の形態における熱電発電素子の
製造方法を示す斜視図である。

【符号の説明】

１１メッキ電極用基板１３感光性樹脂１５ｐ型の熱電材料１６ｎ型の熱電材料１７接着層１９絶縁性基板２１誤差吸収層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面あるいは全体が金属材料からなる基
板上に感光性樹脂を用いてパターンを形成する工程と、
基板を電極としてメッキ電解液中で電流を与えて、メッ
キすることにより所定の膜厚のパターン化された熱電材
料の金属膜を得る工程と、ｐ型の熱電材料の金属膜とｎ
型の熱電材料の金属膜を交互に重ねる工程と、それらの
途中に誤差吸収層を挟み込み、所定の積層厚まで研磨す
る工程と、ｐ型の熱電材料とｎ型の熱電材料を金属膜で
直列に配線することを特徴とする熱電発電素子の製造方
法。
【請求項２】金属材料からなる基板上に感光性樹脂を
用いてパターンを形成する工程と、基板を電極としてメ
ッキ電解液中で電流を与えて、メッキすることにより所
定の膜厚のパターン化された熱電材料の金属膜を得る工
程と、ｐ型の熱電材料の金属膜とｎ型の熱電材料の金属
膜を交互に重ね、金属材料からなる基板を溶解する工程
と、それらの途中に誤差吸収層を挟み込み、所定の積層
厚まで研磨する工程と、ｐ型の熱電材料とｎ型の熱電材
料を金属膜で直列に配線することを特徴とする熱電発電
素子の製造方法。