JPH10115673A - 磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出装置Info
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- JPH10115673A JPH10115673A JP29111396A JP29111396A JPH10115673A JP H10115673 A JPH10115673 A JP H10115673A JP 29111396 A JP29111396 A JP 29111396A JP 29111396 A JP29111396 A JP 29111396A JP H10115673 A JPH10115673 A JP H10115673A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精度であって低コストで、しかも外部衝撃
に強い磁気検出装置を提供すること。 【解決手段】 互いに直交する複数の外部磁界検出素子
１１１と、前記外部磁界検出素子を駆動して前記外部磁
界検出素子からの信号を検出する駆動検出回路１２ａ
と、前記駆動検出回路からの信号に基づいて、複数の回
転軸の角度を演算し出力する演算出力回路１２ｂとを設
ける。
に強い磁気検出装置を提供すること。 【解決手段】 互いに直交する複数の外部磁界検出素子
１１１と、前記外部磁界検出素子を駆動して前記外部磁
界検出素子からの信号を検出する駆動検出回路１２ａ
と、前記駆動検出回路からの信号に基づいて、複数の回
転軸の角度を演算し出力する演算出力回路１２ｂとを設
ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、物体の運動検出
や姿勢制御を行う際に使用する磁気検出装置に関するも
のである。
や姿勢制御を行う際に使用する磁気検出装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気検出装置としては、例えば圧
電振動型磁気検出装置が知られている。これは振動して
いる物体に回転を加えることにより、その振動方向に対
して直角方向に発生する角速度に応じた力、いわゆるコ
リオリの力を利用したものである。
電振動型磁気検出装置が知られている。これは振動して
いる物体に回転を加えることにより、その振動方向に対
して直角方向に発生する角速度に応じた力、いわゆるコ
リオリの力を利用したものである。
【０００３】即ち、この圧電振動型磁気検出装置は、回
転が加わっていない状態では、振動子に貼り合わされて
いる励振用圧電セラミックスによって一方向に励振す
る。この励振状態の振動子の中心軸に回転が加わると、
励振方向に対して直角方向にコリオリの力が発生する。
そして、このコリオリの力を検出用圧電セラミックスに
よって検出することにより、磁気を検出するものであ
る。
転が加わっていない状態では、振動子に貼り合わされて
いる励振用圧電セラミックスによって一方向に励振す
る。この励振状態の振動子の中心軸に回転が加わると、
励振方向に対して直角方向にコリオリの力が発生する。
そして、このコリオリの力を検出用圧電セラミックスに
よって検出することにより、磁気を検出するものであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の圧電振動型磁気検出装置は、振動子や圧電素子
の形状のバラツキ、振動子と圧電素子との接着位置のバ
ラツキ等によって特性がかなり変化してしまうことか
ら、これらを高精度で管理する必要が生じ、高精度で低
コストな装置とすることが困難であるという問題があっ
た。また、圧電素子等のセラミックスを用いていること
から、外部衝撃に弱いという問題があった。
た従来の圧電振動型磁気検出装置は、振動子や圧電素子
の形状のバラツキ、振動子と圧電素子との接着位置のバ
ラツキ等によって特性がかなり変化してしまうことか
ら、これらを高精度で管理する必要が生じ、高精度で低
コストな装置とすることが困難であるという問題があっ
た。また、圧電素子等のセラミックスを用いていること
から、外部衝撃に弱いという問題があった。
【０００５】この発明は、以上の点に鑑み、高精度であ
って低コストで、しかも外部衝撃に強い磁気検出装置を
提供することを目的としている。
って低コストで、しかも外部衝撃に強い磁気検出装置を
提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、この発明に
よれば、互いに直交する複数の外部磁界検出素子と、前
記外部磁界検出素子を駆動して前記外部磁界検出素子か
らの信号を検出する駆動検出回路と、前記駆動検出回路
からの信号に基づいて、複数の回転軸の角度を演算し出
力する演算出力回路とを備えることにより達成される。
よれば、互いに直交する複数の外部磁界検出素子と、前
記外部磁界検出素子を駆動して前記外部磁界検出素子か
らの信号を検出する駆動検出回路と、前記駆動検出回路
からの信号に基づいて、複数の回転軸の角度を演算し出
力する演算出力回路とを備えることにより達成される。
【０００７】上記構成によれば、検出媒体として外部磁
界を利用しており、被検出物体と外部磁界との相対的な
角度変化を演算し出力することができる。
界を利用しており、被検出物体と外部磁界との相対的な
角度変化を演算し出力することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を添付図を参照しながら詳細に説明する。尚、以下に述
ベる実施形態は、この発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、この発
明の範囲は、以下の説明において特にこの発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの形態に限られるもので
はない。
を添付図を参照しながら詳細に説明する。尚、以下に述
ベる実施形態は、この発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、この発
明の範囲は、以下の説明において特にこの発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの形態に限られるもので
はない。
【０００９】図１は、この発明による磁気検出装置の実
施形態を示す概略ブロック図であり、図２は、その詳細
例を示す概略ブロック図である。この磁気検出装置１０
は、外部磁界検出素子で成る磁気検出部１１及びこの磁
気検出部１１を駆動して角度を演算する駆動検出・演算
出力回路１２を備えている。
施形態を示す概略ブロック図であり、図２は、その詳細
例を示す概略ブロック図である。この磁気検出装置１０
は、外部磁界検出素子で成る磁気検出部１１及びこの磁
気検出部１１を駆動して角度を演算する駆動検出・演算
出力回路１２を備えている。
【００１０】磁気検出部１１を構成する外部磁界検出素
子１１１は、例えば、マグネットインピーダンス（Ｍ
Ｉ）素子や磁気抵抗素子等が用いられ、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ
軸に平行に３つ配置されることにより３次元的な回転を
検出することができるようになっている。
子１１１は、例えば、マグネットインピーダンス（Ｍ
Ｉ）素子や磁気抵抗素子等が用いられ、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ
軸に平行に３つ配置されることにより３次元的な回転を
検出することができるようになっている。
【００１１】駆動検出・演算出力回路１２は、波形検出
回路１２１、Ｖｒｅｆ１２２、ＯＳＣ（発振回路）１２
３、加算回路１２４及び加算駆動回路１２５から成る駆
動検出回路１２ａ並びにワンチップマイクロプロセッサ
１２６から成る演算出力回路１２ｂが備えられており、
磁気検出部１１を構成する外部磁界検出素子１１１を駆
動して外部磁界検出素子１１１からの信号により角度を
演算することができるようになっている。
回路１２１、Ｖｒｅｆ１２２、ＯＳＣ（発振回路）１２
３、加算回路１２４及び加算駆動回路１２５から成る駆
動検出回路１２ａ並びにワンチップマイクロプロセッサ
１２６から成る演算出力回路１２ｂが備えられており、
磁気検出部１１を構成する外部磁界検出素子１１１を駆
動して外部磁界検出素子１１１からの信号により角度を
演算することができるようになっている。
【００１２】このような構成において、その動作例を説
明する。先ず、ＯＳＣ（発振回路）１２３の発振信号
が、加算回路１２４を介して加算駆動回路１２５に入力
されると、加算駆動回路１２５の駆動信号が、外部磁界
検出素子１１１に出力されて外部磁界検出素子１１１が
駆動される。
明する。先ず、ＯＳＣ（発振回路）１２３の発振信号
が、加算回路１２４を介して加算駆動回路１２５に入力
されると、加算駆動回路１２５の駆動信号が、外部磁界
検出素子１１１に出力されて外部磁界検出素子１１１が
駆動される。
【００１３】ここで、ＯＳＣ（発振回路）１２３からの
発振信号は、ＭＩ素子を用いた外部磁界検出素子１１１
のインピーダンスを検出するための交流信号である。こ
の外部磁界検出素子１１１の外部磁界Ｈに対するインピ
ーダンスを電圧Ｖとして検出したとき、検出されるイン
ピーダンス（電圧Ｖ）は、図３（Ａ）で示すように変化
する。
発振信号は、ＭＩ素子を用いた外部磁界検出素子１１１
のインピーダンスを検出するための交流信号である。こ
の外部磁界検出素子１１１の外部磁界Ｈに対するインピ
ーダンスを電圧Ｖとして検出したとき、検出されるイン
ピーダンス（電圧Ｖ）は、図３（Ａ）で示すように変化
する。
【００１４】なぜならば、外部磁界検出素子１１１に同
図（Ｂ）に示すような外部磁界Ｈｅが加わると、その外
部磁界Ｈｅと外部磁界検出素子１１１との成す角θのｃ
ｏｓ成分に相当する影響を外部磁界検出素子１１１は受
けることとなる。この影響により、検出されるインピー
ダンス（電圧Ｖ）は変化するのである。
図（Ｂ）に示すような外部磁界Ｈｅが加わると、その外
部磁界Ｈｅと外部磁界検出素子１１１との成す角θのｃ
ｏｓ成分に相当する影響を外部磁界検出素子１１１は受
けることとなる。この影響により、検出されるインピー
ダンス（電圧Ｖ）は変化するのである。
【００１５】よって、外部磁界検出素子１１１で検出さ
れたＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の外部磁界の信号が、波形検出回
路１２１に入力されてその波形が検出され、検出電圧Ｖ
ｏがワンチップマイクロプロセッサ１２６のＡ／Ｄ変換
部に入力される。
れたＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の外部磁界の信号が、波形検出回
路１２１に入力されてその波形が検出され、検出電圧Ｖ
ｏがワンチップマイクロプロセッサ１２６のＡ／Ｄ変換
部に入力される。
【００１６】ところで、図３（Ａ）で示されるように、
インピーダンス（電圧Ｖ）は、外部磁界Ｈの大きさが０
のときに最大値となり、外部磁界Ｈの大きさが所定値ま
で大きくなる間は略最大値を保ち、外部磁界Ｈの大きさ
がその所定値を越えて大きくなると急に小さくなり、外
部磁界Ｈの大きさが更に大きくなるにつれて緩やかに小
さくなるという特性がある。
インピーダンス（電圧Ｖ）は、外部磁界Ｈの大きさが０
のときに最大値となり、外部磁界Ｈの大きさが所定値ま
で大きくなる間は略最大値を保ち、外部磁界Ｈの大きさ
がその所定値を越えて大きくなると急に小さくなり、外
部磁界Ｈの大きさが更に大きくなるにつれて緩やかに小
さくなるという特性がある。
【００１７】従って、地磁気程度の小さな外部磁界が加
わっても、インピーダンス（電圧Ｖ）は十分に変化しな
いので、その外部磁界を検出することは不可能となる。
即ち、例えば外部磁界Ｈｅｃｏｓθが加わると、波形検
出回路１２１からの検出電圧Ｖｏはａに示すように変化
する。この変化は、図からも明らかなように、リニアリ
ティが良好でないため、高精度な磁界検出は難しい。
わっても、インピーダンス（電圧Ｖ）は十分に変化しな
いので、その外部磁界を検出することは不可能となる。
即ち、例えば外部磁界Ｈｅｃｏｓθが加わると、波形検
出回路１２１からの検出電圧Ｖｏはａに示すように変化
する。この変化は、図からも明らかなように、リニアリ
ティが良好でないため、高精度な磁界検出は難しい。
【００１８】そこで、上記特性の急変する部分にオフセ
ット磁界を与えることにより、地磁気程度の小さな外部
磁界を検出することが可能となる。即ち、ｂに示すよう
に外部磁界Ｈｅｃｏｓθに対し向きが反対で大きさが等
しい内部磁界Ｈｉを与えて外部磁界Ｈｅｃｏｓθをキャ
ンセルすることにより、検出電圧Ｖｏはｃに示すように
変化する。
ット磁界を与えることにより、地磁気程度の小さな外部
磁界を検出することが可能となる。即ち、ｂに示すよう
に外部磁界Ｈｅｃｏｓθに対し向きが反対で大きさが等
しい内部磁界Ｈｉを与えて外部磁界Ｈｅｃｏｓθをキャ
ンセルすることにより、検出電圧Ｖｏはｃに示すように
変化する。
【００１９】よって、ワンチップマイクロプロセッサ１
２６のＡ／Ｄ変換部にて、検出電圧ＶｏがＶｒｅｆ１２
２からの参照電圧Ｖｒｅｆと比較され、Ｖｏ＝Ｖｒｅｆ
となるように外部磁界キャンセル用電圧ＶｄがＤ／Ａ変
換部から出力され、内部磁界が与えられる。
２６のＡ／Ｄ変換部にて、検出電圧ＶｏがＶｒｅｆ１２
２からの参照電圧Ｖｒｅｆと比較され、Ｖｏ＝Ｖｒｅｆ
となるように外部磁界キャンセル用電圧ＶｄがＤ／Ａ変
換部から出力され、内部磁界が与えられる。
【００２０】この外部磁界キャンセル用電圧Ｖｄから、
Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の角度が演算されてＸＹＺ角度情報と
して外部に出力される。尚、このＶｒｅｆ１２２からの
参照電圧Ｖｒｅｆは、高精度とするためにワンチップマ
イクロプロセッサ１２６に加えられる既定電圧である。
Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の角度が演算されてＸＹＺ角度情報と
して外部に出力される。尚、このＶｒｅｆ１２２からの
参照電圧Ｖｒｅｆは、高精度とするためにワンチップマ
イクロプロセッサ１２６に加えられる既定電圧である。
【００２１】ここで、ワンチップマイクロプロセッサ１
２６のＡ／Ｄ変換部にて、検出電圧ＶｏがＶｒｅｆ１２
２からの参照電圧Ｖｒｅｆと比較されたとき、Ｖｏ＜Ｖ
ｒｅｆの場合は、Ｄ／Ａ変換部から出力される外部磁界
キャンセル用電圧Ｖｄが増加され、外部磁界検出素子１
１１に加わる内部磁界も増加される。
２６のＡ／Ｄ変換部にて、検出電圧ＶｏがＶｒｅｆ１２
２からの参照電圧Ｖｒｅｆと比較されたとき、Ｖｏ＜Ｖ
ｒｅｆの場合は、Ｄ／Ａ変換部から出力される外部磁界
キャンセル用電圧Ｖｄが増加され、外部磁界検出素子１
１１に加わる内部磁界も増加される。
【００２２】この内部磁界の増加により、検出電圧Ｖｏ
も増加される。この制御は徐徐に行われ、Ｖｏ＝Ｖｒｅ
ｆとなるまで外部磁界キャンセル用電圧Ｖｄは増加され
る。このときの外部磁界キャンセル用電圧Ｖｄの増加分
が、外部磁界に比例する。従って、外部磁界をキャンセ
ルさせるように発生させた外部磁界キャンセル用電圧Ｖ
ｄにより、外部磁界を知ることができる。
も増加される。この制御は徐徐に行われ、Ｖｏ＝Ｖｒｅ
ｆとなるまで外部磁界キャンセル用電圧Ｖｄは増加され
る。このときの外部磁界キャンセル用電圧Ｖｄの増加分
が、外部磁界に比例する。従って、外部磁界をキャンセ
ルさせるように発生させた外部磁界キャンセル用電圧Ｖ
ｄにより、外部磁界を知ることができる。
【００２３】一方、ワンチップマイクロプロセッサ１２
６のＡ／Ｄ変換部にて、検出電圧ＶｏがＶｒｅｆ１２２
からの参照電圧Ｖｒｅｆと比較されたとき、Ｖｏ＞Ｖｒ
ｅｆの場合は、Ｄ／Ａ変換部から出力される外部磁界キ
ャンセル用電圧Ｖｄが減少され、外部磁界検出素子１１
１に加わる内部磁界も減少される。
６のＡ／Ｄ変換部にて、検出電圧ＶｏがＶｒｅｆ１２２
からの参照電圧Ｖｒｅｆと比較されたとき、Ｖｏ＞Ｖｒ
ｅｆの場合は、Ｄ／Ａ変換部から出力される外部磁界キ
ャンセル用電圧Ｖｄが減少され、外部磁界検出素子１１
１に加わる内部磁界も減少される。
【００２４】この内部磁界の減少により、検出電圧Ｖｏ
も減少される。この制御は徐徐に行われ、Ｖｏ＝Ｖｒｅ
ｆとなるまで外部磁界キャンセル用電圧Ｖｄは減少され
る。このときの外部磁界キャンセル用電圧Ｖｄの減少分
が、外部磁界に比例する。従って、外部磁界をキャンセ
ルさせるように発生させた外部磁界キャンセル用電圧Ｖ
ｄにより、外部磁界を知ることができる。尚、このとき
の外部磁界の方向は、Ｖｏ＜Ｖｒｅｆのときとは逆方向
となる。
も減少される。この制御は徐徐に行われ、Ｖｏ＝Ｖｒｅ
ｆとなるまで外部磁界キャンセル用電圧Ｖｄは減少され
る。このときの外部磁界キャンセル用電圧Ｖｄの減少分
が、外部磁界に比例する。従って、外部磁界をキャンセ
ルさせるように発生させた外部磁界キャンセル用電圧Ｖ
ｄにより、外部磁界を知ることができる。尚、このとき
の外部磁界の方向は、Ｖｏ＜Ｖｒｅｆのときとは逆方向
となる。
【００２５】そして、加算回路１２４にて、ＯＳＣ（発
振回路）１２３からの発振信号から、ワンチップマイク
ロプロセッサ１２６のＤ／Ａ変換部からの外部磁界キャ
ンセル用電圧Ｖｄが減算されて加算駆動回路１２５に入
力され、上述した処理が繰り返される。
振回路）１２３からの発振信号から、ワンチップマイク
ロプロセッサ１２６のＤ／Ａ変換部からの外部磁界キャ
ンセル用電圧Ｖｄが減算されて加算駆動回路１２５に入
力され、上述した処理が繰り返される。
【００２６】以上述べた方法は、インピーダンス（電圧
Ｖ）の変化を磁界変化として検出するのではなく、あく
までも外部磁界をキャンセルするための内部磁界の大き
さにより検出するので、非常にリニアリティの良好な磁
界検出を可能とする。また、リニアリティのある外部磁
界検出素子を必要とせずに高精度な磁界検出が可能とな
る。
Ｖ）の変化を磁界変化として検出するのではなく、あく
までも外部磁界をキャンセルするための内部磁界の大き
さにより検出するので、非常にリニアリティの良好な磁
界検出を可能とする。また、リニアリティのある外部磁
界検出素子を必要とせずに高精度な磁界検出が可能とな
る。
【００２７】以上のように、外部磁界検出素子１１１を
３つ組み合わせることにより、各外部磁界検出素子１１
１が構成する平面が３つできるので、３軸の回転を求め
ることができる。
３つ組み合わせることにより、各外部磁界検出素子１１
１が構成する平面が３つできるので、３軸の回転を求め
ることができる。
【００２８】また、ワンチップマイクロプロセッサ１２
６を用いているので、演算プログラム等により角度を容
易に演算することができる。そして、演算結果の出力と
して、例えぱパラレル出力とすることにより、他のデジ
タル素子とのインターフェースを容易にすることができ
る。また、シリアル出力とすることにより、少信号線で
デジタル素子とのインターフェースを容易にすることが
できる。
６を用いているので、演算プログラム等により角度を容
易に演算することができる。そして、演算結果の出力と
して、例えぱパラレル出力とすることにより、他のデジ
タル素子とのインターフェースを容易にすることができ
る。また、シリアル出力とすることにより、少信号線で
デジタル素子とのインターフェースを容易にすることが
できる。
【００２９】また、ＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ
Ｍｏｄｕｌｅ）出力とすることにより、この出力を後段
で、あるいは内蔵した積分回路等により平滑化するだけ
で、例えば角度出力に応じたアナログ電圧を得ることが
できる。さらに、上述の各出力形態を併装することによ
り、多様なデバイスとのインターフェースを容易にし、
回路設計の自由度を高めることができる。
Ｍｏｄｕｌｅ）出力とすることにより、この出力を後段
で、あるいは内蔵した積分回路等により平滑化するだけ
で、例えば角度出力に応じたアナログ電圧を得ることが
できる。さらに、上述の各出力形態を併装することによ
り、多様なデバイスとのインターフェースを容易にし、
回路設計の自由度を高めることができる。
【００３０】尚、外部磁界検出素子１１１は、軸の回転
を外部磁界を検出することによって求めることができる
ものであれば良く、例えばフラックスゲート型等の方式
を用いたものでも良い。また、外部磁界検出素子１１１
を２つ組み合わせることにより、各外部磁界検出素子が
構成する平面に対して直角な軸の回転を求めてこの軸周
りの角度を求めることができる。さらに、外部磁界検出
素子１１１は、３つ以上の複数でも良く、それらの検出
結果を総合して適切に演算することによって、知りたい
回転軸に対応した角度を求めることができる。
を外部磁界を検出することによって求めることができる
ものであれば良く、例えばフラックスゲート型等の方式
を用いたものでも良い。また、外部磁界検出素子１１１
を２つ組み合わせることにより、各外部磁界検出素子が
構成する平面に対して直角な軸の回転を求めてこの軸周
りの角度を求めることができる。さらに、外部磁界検出
素子１１１は、３つ以上の複数でも良く、それらの検出
結果を総合して適切に演算することによって、知りたい
回転軸に対応した角度を求めることができる。
【００３１】上述した外部磁界検出素子で成る磁気検出
部１１及びこの磁気検出部１１を駆動して角速度を演算
する駆動検出・演算出力回路１２に、駆動検出・演算出
力回路１２からの信号に基づいて物体の位置を検出する
位置検出手段を加えることにより、例えばナビゲーショ
ンシステム等に使用可能な位置認識装置を構成すること
が可能である。
部１１及びこの磁気検出部１１を駆動して角速度を演算
する駆動検出・演算出力回路１２に、駆動検出・演算出
力回路１２からの信号に基づいて物体の位置を検出する
位置検出手段を加えることにより、例えばナビゲーショ
ンシステム等に使用可能な位置認識装置を構成すること
が可能である。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれぱ、
形状等のバラツキ等の高精度な管理を必要とせずに、高
精度でかつ低コストの装置を提供することができ、ま
た、セラミックス等を用いていないので、外部衝撃に対
して強い装置とすることができる。
形状等のバラツキ等の高精度な管理を必要とせずに、高
精度でかつ低コストの装置を提供することができ、ま
た、セラミックス等を用いていないので、外部衝撃に対
して強い装置とすることができる。
【図１】この発明による磁気検出装置の実施形態を示す
概略ブロック図。
概略ブロック図。
【図２】図１に示す磁気検出装置の詳細例を示す概略ブ
ロック図。
ロック図。
【図３】図１に示す磁気検出装置の動作波形例を示す
図。
図。
１０・・・磁気検出装置、１１・・・磁気検出部、１２
・・・駆動検出・演算出力回路、１１１・・・外部磁界
検出素子、１２１・・・波形検出回路、１２２・・・Ｖ
ｒｅｆ、１２３・・・ＯＳＣ（発振回路）、１２４・・
・加算回路、１２５・・・加算駆動回路、１２６・・・
マイクロプロセッサ、１２ａ・・・駆動検出回路、１２
ｂ・・・演算出力回路
・・・駆動検出・演算出力回路、１１１・・・外部磁界
検出素子、１２１・・・波形検出回路、１２２・・・Ｖ
ｒｅｆ、１２３・・・ＯＳＣ（発振回路）、１２４・・
・加算回路、１２５・・・加算駆動回路、１２６・・・
マイクロプロセッサ、１２ａ・・・駆動検出回路、１２
ｂ・・・演算出力回路
Claims (8)
- 【請求項１】 互いに直交する複数の外部磁界検出素子
と、 前記外部磁界検出素子を駆動して前記外部磁界検出素子
からの信号を検出する駆動検出回路と、 前記駆動検出回路からの信号に基づいて、複数の回転軸
の角度を演算し出力する演算出力回路とを備えたことを
特徴とする磁気検出装置。 - 【請求項２】 前記外部磁界検出素子が、コイルを巻回
したマグネットインピーダンス素子である請求項１に記
載の磁気検出装置。 - 【請求項３】 外部磁界を相殺するように前記外部磁界
検出素子に内部磁界を与え、前記内部磁界を発生させる
ための信号の大きさを基に前記外部磁界の大きさを検出
するようにした請求項１に記載の磁気検出装置。 - 【請求項４】 前記演算出力回路の出力が、パラレル出
力である請求項１に記載の角速度検出装置。 - 【請求項５】 前記演算出力回路の出力が、シリアル出
力である請求項１に記載の角速度検出装置。 - 【請求項６】 前記演算出力回路の出力が、ＰＷＭ出力
である請求項１に記載の角速度検出装置。 - 【請求項７】 互いに直交する複数の外部磁界検出素子
と、 前記外部磁界検出素子を駆動して前記外部磁界検出素子
からの信号を検出する駆動検出回路と、 前記駆動検出回路からの信号に基づいて、前記外部磁界
検出素子に加わる外部磁界の方向及び複数の回転軸の角
度を演算し出力する演算出力回路とを備えたことを特徴
とする磁気検出装置。 - 【請求項８】 物体の位置を認識する位置認識装置であ
って、 互いに直交する複数の外部磁界検出素子と、 前記外部磁界検出素子を駆動して前記外部磁界検出素子
からの信号を検出する駆動検出回路と、 前記駆動検出回路からの信号に基づいて、複数の回転軸
の角度を演算し出力する演算出力回路と、 前記演算出力回路からの信号に基づいて、物体の位置を
検出する位置検出手段とを備えたことを特徴とする位置
認識装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29111396A JPH10115673A (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 磁気検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29111396A JPH10115673A (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 磁気検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10115673A true JPH10115673A (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17764632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29111396A Pending JPH10115673A (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 磁気検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10115673A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6614165B1 (en) | 1997-11-06 | 2003-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phosphor material for plasma display panel, a plasma display panel and a method for producing a plasma display panel |
-
1996
- 1996-10-14 JP JP29111396A patent/JPH10115673A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6614165B1 (en) | 1997-11-06 | 2003-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phosphor material for plasma display panel, a plasma display panel and a method for producing a plasma display panel |
| US6667574B2 (en) | 1997-11-06 | 2003-12-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phosphor material, phosphor material powder, plasma display panel, and method of producing the same |
| US6833672B2 (en) | 1997-11-06 | 2004-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel and a method for producing a plasma display panel |
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