JPH10115671A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

Info

Publication number
JPH10115671A
JPH10115671A JP8269473A JP26947396A JPH10115671A JP H10115671 A JPH10115671 A JP H10115671A JP 8269473 A JP8269473 A JP 8269473A JP 26947396 A JP26947396 A JP 26947396A JP H10115671 A JPH10115671 A JP H10115671A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
measurement
internal circuit
semiconductor integrated
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8269473A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Hirayama
浩一 平山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP8269473A priority Critical patent/JPH10115671A/en
Publication of JPH10115671A publication Critical patent/JPH10115671A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor integrated circuit in which the characteristics of an element can be measured throughout the assembling work of the chip without increasing and external terminal dedicated for measurement by changing the state of a tri-level logic buffer circuit depending on a signal from an element measurement/internal circuit switching external terminal. SOLUTION: A tri-level logic buffer circuit 11b for internal circuit is disabled through a decoder 9 while a tri-level logic butter circuit 11a for measurement is enabled by signals from element measurement/internal circuit switching external terminals 5a, 5b. Consequently, signals can be communicated between an element characteristics measuring circuit 8 and the outside through the external terminals 5a, 5b and the characteristics of an element can be measured. Furthermore, when the tri-level logic butter circuit 11b for internal circuit is enabled and the tri-level logic buffer circuit 11a for measurement is disabled, signals can be communicated between an internal circuit 6 and the outside through the external terminals 5a, 5b while disabling transmission of signal between the measuring circuit 8 and the external terminals 5a, 5b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置、特にモールド等で半導体チップを組み立てた後に内
部回路を構成する素子(例えばトランジスタ等)の特性
を測定することができる半導体集積回路装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a semiconductor integrated circuit device capable of measuring characteristics of elements (for example, transistors) constituting an internal circuit after assembling a semiconductor chip with a mold or the like. .

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路装置として、内部回路を
構成するトランジスタ等の素子を測定するためだけのい
わばサンプルとなる素子を含んだ素子特性測定用回路
(TEG)を有するものがある。そして、そのような半
導体集積回路装置には、測定用回路をスクライブライン
となる部分に設けたものがある。このような半導体集積
回路装置は測定回路がスクライブラインに形成されてい
るので、測定用回路によって半導体集積回路装置の集積
度が低くなったり、半導体集積回路装置のチップサイズ
が大きくなったりしないという利点がある。
2. Description of the Related Art As a semiconductor integrated circuit device, there is a semiconductor integrated circuit device having an element characteristic measuring circuit (TEG) including an element serving as a sample only for measuring an element such as a transistor constituting an internal circuit. Some of such semiconductor integrated circuit devices have a measurement circuit provided in a portion serving as a scribe line. In such a semiconductor integrated circuit device, since the measurement circuit is formed on the scribe line, there is an advantage that the degree of integration of the semiconductor integrated circuit device is not reduced or the chip size of the semiconductor integrated circuit device is not increased by the measurement circuit. There is.

【0003】また、測定用回路を備えた半導体集積回路
装置には、測定専用の電極パッドを用い、それに探針を
立てて専用電極パッドを通じて測定用回路と外部の測定
回路との間で信号のやり取りをして測定をするようにし
たものもある。
In a semiconductor integrated circuit device having a measurement circuit, an electrode pad dedicated to measurement is used, a probe is set up, and a signal is transmitted between the measurement circuit and an external measurement circuit through the dedicated electrode pad. Some are designed to interact and measure.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、素子の特性
を測定するためのサンプルとなる測定用回路をスクライ
ブラインとなる部分に設けた半導体集積回路装置或いは
専用パッドを通じて測定用回路と外部との間で信号のや
り取りをする半導体集積回路装置は、ウェハ状態の時に
は内部回路を構成する素子の特性を測定することができ
るけれども、モールド等で組み立てた後は素子の特性を
測定することができない。
By the way, a measurement circuit serving as a sample for measuring the characteristics of the element is provided between a semiconductor integrated circuit device or a dedicated pad provided at a portion serving as a scribe line, and the measurement circuit is connected to the outside. Although a semiconductor integrated circuit device that exchanges signals with a semiconductor device can measure the characteristics of elements constituting an internal circuit when in a wafer state, it cannot measure the characteristics of the elements after being assembled with a mold or the like.

【0005】しかし、素子の特性は組立の前後で変化す
ることが少なくない。従って、ウェハ状態での素子の特
性測定と、組立後の状態での素子の特性測定とを行うよ
うにして、組立品のバーイン不良、市場不良等の素子特
性変動調査を行うようにする必要性が認識されるように
なってきた。しかるに、その必要性には応えていないの
が現状である。
[0005] However, the characteristics of the element often change before and after assembly. Therefore, it is necessary to measure the characteristics of the device in a wafer state and the characteristics of the device in an assembling state, and to conduct a device characteristic fluctuation investigation such as a burn-in defect and a market defect of an assembled product. Has come to be recognized. However, it is not currently responding to this need.

【0006】また、専用パッドを外部リードに接続し、
該外部リードを通じて測定用回路と外部との間で信号の
やり取りをするようにしても良いが、このような半導体
集積回路装置については、専用の外部リードを用いて測
定をするために、特性の測定項目分のピン数が増加する
という問題が生じる。
In addition, the dedicated pad is connected to an external lead,
Signals may be exchanged between the measurement circuit and the outside through the external leads. However, in such a semiconductor integrated circuit device, characteristics are measured in order to perform measurement using a dedicated external lead. There is a problem that the number of pins for the measurement items increases.

【0007】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、測定専用の外部端子を徒に増やすこ
となくチップ組立の前後を問わずトランジスタ等の素子
の特性を測定できる半導体集積回路装置を提供しようと
するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and it is possible to measure the characteristics of elements such as transistors before and after chip assembly without increasing the number of external terminals dedicated to measurement. It is intended to provide an integrated circuit device.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1の半導体集積回
路装置は、素子特性測定用回路と、外部端子と上記内部
回路との間に接続された内部回路用三値論理バッファ回
路と、該外部端子と上記素子特性測定回路との間に接続
された測定用三値論理バッファ回路と、素子測定・内部
回路切換外部端子と、該切換外部端子からの信号に応じ
て内部回路用三値論理バッファ回路がエーブル、測定用
三値論理バッファ回路がディスエーブルの通常状態にし
たり内部回路用三値論理バッファ回路がディスエーブ
ル、測定用三値論理バッファ回路がエーブルの測定状態
にしたりするデコーダと、を有することを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit device comprising: a circuit for measuring element characteristics; a ternary logic buffer circuit for an internal circuit connected between an external terminal and the internal circuit; A ternary logic buffer circuit for measurement connected between an external terminal and the element characteristic measuring circuit, an external terminal for element measurement / internal circuit switching, and a ternary logic for internal circuit in response to a signal from the external terminal for switching. A decoder in which the buffer circuit is enabled, the ternary logic buffer circuit for measurement is disabled, and the ternary logic buffer circuit for internal circuits is disabled, and the ternary logic buffer circuit for measurement is enabled, and a decoder, It is characterized by having.

【0009】従って、請求項1の半導体集積回路装置に
よれば、素子測定・内部回路切換外部端子からの信号に
より、デコーダを介して、内部回路用三値論理バッファ
回路がディスエーブル、測定用三値論理バッファ回路が
エーブルの測定状態にすることにより、外部端子を通じ
て素子特性測定用回路と外部を間で信号のやり取りをす
ることができ、且つ、本来の内部回路と外部端子との間
では信号の伝送ができない状態にできる。従って、素子
の特性測定ができる。
Therefore, according to the semiconductor integrated circuit device of the first aspect, the ternary logic buffer circuit for the internal circuit is disabled through the decoder from the signal from the element measurement / internal circuit switching external terminal via the decoder, and the signal for the measurement is output. When the value logic buffer circuit is set to the enable measurement state, signals can be exchanged between the element characteristic measurement circuit and the outside through the external terminal, and the signal between the original internal circuit and the external terminal can be transmitted. Can not be transmitted. Therefore, the characteristics of the element can be measured.

【0010】また、内部回路用三値論理バッファ回路が
エーブル、測定用三値論理バッファ回路がディスエーブ
ルの通常状態にすることにより、外部端子を通じて本来
の内部回路と外部との間で信号のやり取りをすることが
でき、且つ、測定用回路と外部端子との間では信号の伝
送ができない状態にできる。従って、本来の内部回路が
動作する状態にすることができる。
In addition, when the three-valued logic buffer circuit for the internal circuit is enabled and the three-valued logic buffer circuit for measurement is disabled, a signal is exchanged between the original internal circuit and the outside through the external terminal. , And no signal can be transmitted between the measurement circuit and the external terminal. Accordingly, a state in which the original internal circuit operates can be obtained.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示実施の形態に
従って詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments.

【0012】図1(A)乃至(C)は本発明半導体集積
回路装置の第1の実施の形態を示すもので、(A)は組
立が済んだ完成状態を示す平面図、(B)は半導体チッ
プを示す平面図、(C)は実施の形態の要部を示す回路
図である。
FIGS. 1A to 1C show a first embodiment of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention, wherein FIG. 1A is a plan view showing a completed assembled state, and FIG. FIG. 2C is a plan view showing a semiconductor chip, and FIG. 2C is a circuit diagram showing a main part of the embodiment.

【0013】図面において、1は半導体集積回路装置、
2は例えば樹脂からなるパッケージ、3は該パッケージ
2内に封止された半導体チップ、4、4、・・・は外部
リードで、そのうち4a、4bは素子特性測定用回路と
内部回路との間の切換のための外部リードである。5、
5、・・・は図示しないコネクトワイヤを介して該外部
リード4、4、・・・と接続された電極パッド(特許請
求の範囲の外部端子に該当)である。そのうち、5a、
5bは外部リード4a、4bと接続された電極パッドで
ある。
In the drawings, reference numeral 1 denotes a semiconductor integrated circuit device,
2 is a package made of, for example, resin, 3 is a semiconductor chip sealed in the package 2, 4, 4,... Are external leads, and 4a, 4b are between an element characteristic measuring circuit and an internal circuit. Is an external lead for switching. 5,
Are electrode pads (corresponding to external terminals in the claims) connected to the external leads 4, 4,... Via connect wires (not shown). Among them, 5a,
5b is an electrode pad connected to the external leads 4a and 4b.

【0014】6は内部回路、7は後述するデコーダ
(9)、バッファ回路群(10)が配置された領域、
8、8、8、8は素子特性測定用回路(TEG)であ
る。9はデコーダで、電極パッド5a、5bからの2ビ
ットの切換信号(素子特性測定用回路と内部回路との間
の切換をする信号)を受け、それに応じた4ビットの信
号を出力する。10は該4ビットの出力によりディスエ
ーブルかエーブルかの制御を受けるバッファ回路群で、
一対の三値論理回路12、12からなるバッファ回路1
1a、11a、・・・、11b、11b、・・・により
構成されている。
6 is an internal circuit, 7 is a region in which a decoder (9) and a buffer circuit group (10) described later are arranged,
Reference numerals 8, 8, 8, and 8 denote element characteristic measuring circuits (TEGs). Reference numeral 9 denotes a decoder which receives a 2-bit switching signal (a signal for switching between an element characteristic measuring circuit and an internal circuit) from the electrode pads 5a and 5b, and outputs a 4-bit signal according to the signal. Reference numeral 10 denotes a group of buffer circuits which are controlled to be disabled or enabled by the 4-bit output.
Buffer circuit 1 including a pair of ternary logic circuits 12 and 12
, 11b, 11b,...

【0015】各バッファ回路11aは、普通の電極パッ
ド(内部回路との間で信号のやり取り等をする電極パッ
ド)5と素子特性測定用回路8との間に介在し、各バッ
ファ回路11bは、普通の電極パッド5と内部回路6と
の間に介在する。そして、各バッファ回路11a、11
bは、それを構成する一対の3値論理回路12、12の
うちの一方12が電極パッド5から素子特性測定回路8
あるいは内部回路6への信号の伝達を許容したり禁止し
たりする役割を担い、他方12が素子特性測定回路8あ
るいは内部回路6から電極パッド5への信号の伝達を許
容したり禁止したりする役割を担う。
Each buffer circuit 11a is interposed between a normal electrode pad (electrode pad for exchanging signals with an internal circuit) 5 and a circuit 8 for measuring element characteristics. It is interposed between the ordinary electrode pad 5 and the internal circuit 6. Then, each of the buffer circuits 11a, 11
b denotes that one of a pair of ternary logic circuits 12 constituting the element characteristic measuring circuit 12
Alternatively, it has a role of permitting or prohibiting the transmission of a signal to the internal circuit 6, and the other 12 permits or prohibits the transmission of a signal from the element characteristic measuring circuit 8 or the internal circuit 6 to the electrode pad 5. Take a role.

【0016】次に回路動作について説明する。素子特性
の測定をするときは、外部端子4a、4bを通じてテス
トモードを指示する切換信号を入力する。すると、デコ
ーダ9はバッファ回路11a、11a、・・・をエーブ
ルに、バッファ回路11b、11b、・・・をディスエ
ーブルにする信号をバッファ回路群10に与える。その
結果、バッファ回路11aにより、電極パッド5、外部
リード4と、素子特性測定回路8との間で信号のやり取
りができる状態になる。それに対し、該電極パッド5、
外部リード4と、内部回路6との間では信号のやり取り
は不能である。なぜならば、バッファ回路11bはディ
スエーブルであり、それの三値論理回路12、12は入
力信号が「1」であろうと、「0」であろうと出力側は
ハイインピーダンスになるからである。しかして、支障
なく素子特性の測定ができる。
Next, the circuit operation will be described. When measuring the element characteristics, a switching signal for instructing the test mode is input through the external terminals 4a and 4b. Then, the decoder 9 supplies the buffer circuit group 10 with a signal for disabling the buffer circuits 11a, 11a,... And disabling the buffer circuits 11b, 11b,. As a result, the buffer circuit 11a enters a state where signals can be exchanged between the electrode pad 5, the external lead 4, and the element characteristic measuring circuit 8. On the other hand, the electrode pad 5,
Signals cannot be exchanged between the external lead 4 and the internal circuit 6. This is because the buffer circuit 11b is disabled, and its ternary logic circuit 12, 12 has a high impedance on the output side regardless of whether the input signal is "1" or "0". Thus, the device characteristics can be measured without any trouble.

【0017】素子特性の測定をせず、内部回路6を動作
させるときは、外部端子4a、4bを通じて通常モード
を指示する切換信号を入力する。すると、デコーダ9は
バッファ回路11b、11b、・・・をエーブルに、バ
ッファ回路11a、11a、・・・をディスエーブルに
する信号をバッファ回路群10に与える。その結果、バ
ッファ回路11bにより、電極パッド5、外部リード4
と、内部回路6との間で信号のやり取りができる状態に
なる。それに対し、該電極パッド5、外部リード4と、
素子特性測定回路8との間では信号のやり取りは不能で
ある。なぜならば、バッファ回路11aはディスエーブ
ルであり、それの三値論理回路12、12は入力信号が
「1」であろうと、「0」であろうと出力側はハイイン
ピーダンスになるからである。しかして、支障なく内部
回路6が動作し得る。
When the internal circuit 6 is operated without measuring the element characteristics, a switching signal for instructing the normal mode is input through the external terminals 4a and 4b. Then, the decoder 9 supplies a signal to the buffer circuit group 10 to enable the buffer circuits 11b, 11b,... And to disable the buffer circuits 11a, 11a,. As a result, the electrode pad 5, the external lead 4
Then, a signal can be exchanged with the internal circuit 6. On the other hand, the electrode pad 5, the external lead 4,
Signals cannot be exchanged with the element characteristic measuring circuit 8. This is because the buffer circuit 11a is disabled, and its ternary logic circuit 12, 12 has a high impedance on the output side regardless of whether the input signal is "1" or "0". Thus, the internal circuit 6 can operate without any trouble.

【0018】そして、半導体チップ組立後における測定
を可能ならしめるために必要な外部端子数(電極パッド
数、リードピン数)は切換信号を入力するための2個に
過ぎず、それ以外のデータのやり取りは本来の内部回路
6のための外部端子を使用することができる。従って、
徒に外部端子数を増やすことなく半導体チップ組立後の
素子特性の測定を可能にすることができる。
The number of external terminals (the number of electrode pads and the number of lead pins) required to enable measurement after assembling of the semiconductor chip is only two for inputting a switching signal, and other data is exchanged. Can use an external terminal for the original internal circuit 6. Therefore,
In addition, it is possible to measure the element characteristics after assembling the semiconductor chip without increasing the number of external terminals.

【0019】図2は図1に示した半導体集積回路装置の
変形例を示す半導体チップ3の平面図である。本半導体
集積回路装置は、素子特性測定回路8を領域7よりも内
側の空きスペースにも設けるようにしたものである。こ
のように配置を工夫することにより例えば配線遅延等の
影響を受けないようにすること等ができる。勿論、図
1、図2の半導体集積回路装置は飽くまでそれぞれ一例
に過ぎず、素子特性測定用回路等の配置、切換信号入力
用外部端子の配置等は図1、図2に示すようにするとい
う制約があるわけではなく、種々の態様で実施し得るも
のである。
FIG. 2 is a plan view of a semiconductor chip 3 showing a modification of the semiconductor integrated circuit device shown in FIG. In the present semiconductor integrated circuit device, the element characteristic measuring circuit 8 is provided also in an empty space inside the region 7. By devising the arrangement in this way, it is possible to prevent the influence of, for example, a wiring delay. Needless to say, the semiconductor integrated circuit devices shown in FIGS. 1 and 2 are merely examples to the extent that they are tired, and the arrangement of element characteristic measuring circuits and the like, the arrangement of switching signal input external terminals, and the like are as shown in FIGS. It is not limited and can be implemented in various ways.

【0020】[0020]

【発明の効果】請求項1の半導体集積回路装置によれ
ば、素子測定・内部回路切換端子からの信号により、デ
コーダを介して、内部回路用三値論理バッファ回路をデ
ィスエーブル、測定用三値論理バッファ回路をエーブル
にする測定状態にすることにより、外部端子を通じて素
子特性測定回路と外部との間で信号のやり取りをするこ
とができ、且つ、本来の内部回路と外部端子との間では
信号の伝送ができない状態にできる。従って、素子の特
性測定ができる。
According to the semiconductor integrated circuit device of the first aspect, the signal from the element measurement / internal circuit switching terminal disables the ternary logic buffer circuit for the internal circuit via the decoder and the ternary logic circuit for measurement. By setting the logic buffer circuit to a measurement state in which it is enabled, signals can be exchanged between the element characteristic measurement circuit and the outside through the external terminal, and the signal between the original internal circuit and the external terminal can be transmitted. Can not be transmitted. Therefore, the characteristics of the element can be measured.

【0021】また、内部回路用三値論理バッファ回路を
エーブル、測定用三値論理バッファ回路をディスエーブ
ルにする通常使用状態にすることにより、外部端子を通
じて本来の内部回路と外部との間で信号のやり取りをす
ることができ、且つ、測定用回路と外部端子との間では
信号の伝送ができない状態にできる。従って、本来の内
部回路が動作する状態にすることができる。
Also, by setting the ternary logic buffer circuit for the internal circuit to be enabled and the ternary logic buffer circuit for measurement to be disabled in a normal use state, a signal between the original internal circuit and the outside is provided through an external terminal. Can be exchanged, and no signal can be transmitted between the measurement circuit and the external terminal. Accordingly, a state in which the original internal circuit operates can be obtained.

【0022】そして、半導体チップ組立後における測定
を可能ならしめるために必要となる外部端子(電極パッ
ド、リードピン)は切換信号を入力するための外部端子
だけで、データ信号のやり取りは本来の内部回路6のた
めの外部端子を使用することができる。従って、徒に外
部端子数を増やすことなく半導体チップ組立後の素子特
性の測定を可能にすることができる。
The external terminals (electrode pads and lead pins) required for enabling measurement after assembling the semiconductor chip are only external terminals for inputting a switching signal, and exchange of data signals is performed by the internal circuit. External terminals for 6 can be used. Therefore, it is possible to measure the element characteristics after assembling the semiconductor chip without increasing the number of external terminals.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(A)乃至(C)は本発明半導体集積回路装置
の第1の実施の形態を示すもので、(A)は組立が済ん
だ完成状態を示す平面図、(B)は半導体チップを示す
平面図、(C)は実施の形態の要部を示す回路図であ
る。
FIGS. 1A to 1C show a first embodiment of a semiconductor integrated circuit device of the present invention, wherein FIG. 1A is a plan view showing a completed state after assembly, and FIG. FIG. 2C is a plan view showing a chip, and FIG. 2C is a circuit diagram showing a main part of the embodiment.

【図2】図1に示した半導体集積回路装置の変形例を示
す半導体チップの平面図である。
FIG. 2 is a plan view of a semiconductor chip showing a modification of the semiconductor integrated circuit device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・半導体集積回路装置、3・・・半導体チップ、
5、5a、5b・・・外部端子、6・・・内部回路、8
・・・素子特性測定用回路、9・・・デコーダ、11
a、11b・・・バッファ回路。
1 ... Semiconductor integrated circuit device, 3 ... Semiconductor chip,
5, 5a, 5b: external terminal, 6: internal circuit, 8
... Element characteristic measurement circuit, 9 ... Decoder, 11
a, 11b... Buffer circuits.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体集積回路装置の内部回路を構成す
る素子を測定するための素子特性測定用回路と、 外部端子と上記内部回路との間に接続された内部回路用
三値論理バッファ回路と、 上記外部端子と上記素子特性測定用回路との間に接続さ
れた測定用三値論理バッファ回路と、 素子測定・内部回路切換外部端子と、 上記素子測定・内部回路切換外部端子からの信号に応じ
て上記内部回路用三値論理バッファ回路がエーブル、測
定用三値論理バッファ回路がディスエーブルの通常状態
にしたり内部回路用三値論理バッファ回路がディスエー
ブル、測定用三値論理バッファ回路がエーブルの測定状
態にしたりするデコーダと、 を少なくとも有する半導体集積回路装置
An element characteristic measuring circuit for measuring an element constituting an internal circuit of a semiconductor integrated circuit device, an internal circuit ternary logic buffer circuit connected between an external terminal and the internal circuit. A ternary logic buffer circuit for measurement connected between the external terminal and the element characteristic measurement circuit, an element measurement / internal circuit switching external terminal, and a signal from the element measurement / internal circuit switching external terminal. Accordingly, the ternary logic buffer circuit for the internal circuit is enabled, the ternary logic buffer circuit for the measurement is disabled, the ternary logic buffer circuit for the internal circuit is disabled, and the ternary logic buffer circuit for the measurement is enabled. A semiconductor integrated circuit device having at least:
JP8269473A 1996-10-11 1996-10-11 Semiconductor integrated circuit Pending JPH10115671A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8269473A JPH10115671A (en) 1996-10-11 1996-10-11 Semiconductor integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8269473A JPH10115671A (en) 1996-10-11 1996-10-11 Semiconductor integrated circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10115671A true JPH10115671A (en) 1998-05-06

Family

ID=17472938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8269473A Pending JPH10115671A (en) 1996-10-11 1996-10-11 Semiconductor integrated circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10115671A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900006484B1 (en) Semiconductor intergroted circuit
US7466158B2 (en) Multilayer semiconductor device
EP0174224A1 (en) Chip on chip type integrated circuit device
US6356095B1 (en) Semiconductor integrated circuit
US6369599B1 (en) Circuit and a method for configuring pad connections in an integrated device
TW201727249A (en) Test device using switch switching connections between single signal channel and multiple pads
JPH10115671A (en) Semiconductor integrated circuit
US7564255B2 (en) Semiconductor integrated circuit for reducing number of contact pads to be probed in probe test
US11181589B2 (en) Semiconductor device
US6646952B2 (en) Semiconductor circuit and semiconductor device
US7071719B2 (en) Semiconductor device
JP2000022072A (en) Multichip module
JP3130769B2 (en) Semiconductor device
KR900000175B1 (en) Chip on chip semiconductor integrated circuit
JPH0568103B2 (en)
EP1227502A1 (en) Connection pad arrangements for electronic circuit comprising both functional logic and flash-EEPROM
JPH1082834A (en) Semiconductor integrated circuit
JPH02112777A (en) Semiconductor integrated circuit
KR20010028416A (en) Semiconductor input circuit comprising common pads
JP2003004808A (en) Semiconductor device and method of testing the same
KR20020045641A (en) Semiconductor device
JPH02105452A (en) Output circuit of semiconductor integrated circuit
KR100575888B1 (en) Semiconductor device having pad with change of use
JPH08184646A (en) Semiconductor integrated circuit
JPS58209135A (en) Semiconductor integrated circuit device