JPH10106920A - プロキシミティ露光方法 - Google Patents
プロキシミティ露光方法Info
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- JPH10106920A JPH10106920A JP8255847A JP25584796A JPH10106920A JP H10106920 A JPH10106920 A JP H10106920A JP 8255847 A JP8255847 A JP 8255847A JP 25584796 A JP25584796 A JP 25584796A JP H10106920 A JPH10106920 A JP H10106920A
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- mask
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- gas
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
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- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 平行出しが容易でガス置換を短時間で行うこ
とができ、マスクたわみ補正を容易に行うことができる
プロキシミティ露光方法を提供すること。 【解決手段】 マスクＭが上方に配置された密閉容器６
内にワークＷを搬入して、密閉容器６内に配置されたワ
ークステージ２上に載置・固定する。ワークＷ搬入後、
密閉容器６内の空気を排気しながら不活性ガスを導入
し、密閉空間内の酸素を不活性ガスに置換して密閉空間
内の酸素を所定量以下する。ガス置換後、ガス導入口４
ａからガスを導入しながら、流量調整弁８で排気量を調
整し、密閉容器６内の圧力をマスクＭがたわまない加圧
状態に設定する。次に、マスクＷとワークＷの間隙設定
を行い、マスクＭとワークＷの位置合わせを行ったの
ち、マスクＭを介してワークに光を照射しワークＷを露
光する。
とができ、マスクたわみ補正を容易に行うことができる
プロキシミティ露光方法を提供すること。 【解決手段】 マスクＭが上方に配置された密閉容器６
内にワークＷを搬入して、密閉容器６内に配置されたワ
ークステージ２上に載置・固定する。ワークＷ搬入後、
密閉容器６内の空気を排気しながら不活性ガスを導入
し、密閉空間内の酸素を不活性ガスに置換して密閉空間
内の酸素を所定量以下する。ガス置換後、ガス導入口４
ａからガスを導入しながら、流量調整弁８で排気量を調
整し、密閉容器６内の圧力をマスクＭがたわまない加圧
状態に設定する。次に、マスクＷとワークＷの間隙設定
を行い、マスクＭとワークＷの位置合わせを行ったの
ち、マスクＭを介してワークに光を照射しワークＷを露
光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクを通した光
をワークに照射して露光するプロキシミティ露光方法に
関し、さらに詳細には、マスクのたわみを補正すること
ができるプロキシミティ露光方法に関するものである。
をワークに照射して露光するプロキシミティ露光方法に
関し、さらに詳細には、マスクのたわみを補正すること
ができるプロキシミティ露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や液晶画面や、一枚の基板の
上に多種多数の電気素子を製作して一つのモジュールに
するマルチチップ・モジュール等、ミクロンサイズの加
工が必要である様々の電気部品の製作工程に露光工程が
用いられている。上記露光工程における露光方式の一つ
にプロキシミティ露光方式がある。プロキシミティ露光
方式は、密着露光方式に比べ、マスクとワークが接触し
ないためにマスクに汚れが付きにくく、マスクが長寿命
であるという利点を持つ。
上に多種多数の電気素子を製作して一つのモジュールに
するマルチチップ・モジュール等、ミクロンサイズの加
工が必要である様々の電気部品の製作工程に露光工程が
用いられている。上記露光工程における露光方式の一つ
にプロキシミティ露光方式がある。プロキシミティ露光
方式は、密着露光方式に比べ、マスクとワークが接触し
ないためにマスクに汚れが付きにくく、マスクが長寿命
であるという利点を持つ。
【０００３】図２は従来のプロキシミティ露光装置の構
成の一例を示す図である。同図において、１はマスクス
テージ、２はワークステージであり、マスクステージ１
上にはマスクＭが載置・固定され、ワークステージ２上
にはワークＷが載置・固定される。ワークステージ２は
球面座２１を備えており、ワークステージ２の上部２ａ
は球面座２１に沿って移動可能である。また、上記ワー
クステージ２はその上部２ａと下部２ｂの相対位置を保
持する保持手段（図示せず）を備えており、後述するよ
うに、ワークＷの全面をマスクＭに接触させたのち、上
記保持手段により、ワークステージ２の上部２ａと下部
２ｂの相対位置を保持することにより、マスクＭとワー
クＷを平行に設定することができる。
成の一例を示す図である。同図において、１はマスクス
テージ、２はワークステージであり、マスクステージ１
上にはマスクＭが載置・固定され、ワークステージ２上
にはワークＷが載置・固定される。ワークステージ２は
球面座２１を備えており、ワークステージ２の上部２ａ
は球面座２１に沿って移動可能である。また、上記ワー
クステージ２はその上部２ａと下部２ｂの相対位置を保
持する保持手段（図示せず）を備えており、後述するよ
うに、ワークＷの全面をマスクＭに接触させたのち、上
記保持手段により、ワークステージ２の上部２ａと下部
２ｂの相対位置を保持することにより、マスクＭとワー
クＷを平行に設定することができる。
【０００４】３はシール部材であり、シール部材３はワ
ークステージ２の全周に設けられており、ワークステー
ジ２を上昇させることにより、シール部材３とマスクス
テージ１とワークステージ２の間の空間を密閉空間とす
ることができる。４ａはガス導入口、４ｂは排気口であ
り、上記シール部材３によりマスクステージ１とワーク
ステージ２の間の空間を密閉したのち、上記排気口４ｂ
から上記密閉空間内の空気を排出しながら、ガス導入口
４ａから不活性ガスを導入し、上記密閉空間中の空気を
不活性ガスに置換する。これは、露光時の雰囲気中に酸
素があると、レジストの重合反応が阻害されるためであ
る。
ークステージ２の全周に設けられており、ワークステー
ジ２を上昇させることにより、シール部材３とマスクス
テージ１とワークステージ２の間の空間を密閉空間とす
ることができる。４ａはガス導入口、４ｂは排気口であ
り、上記シール部材３によりマスクステージ１とワーク
ステージ２の間の空間を密閉したのち、上記排気口４ｂ
から上記密閉空間内の空気を排出しながら、ガス導入口
４ａから不活性ガスを導入し、上記密閉空間中の空気を
不活性ガスに置換する。これは、露光時の雰囲気中に酸
素があると、レジストの重合反応が阻害されるためであ
る。
【０００５】５はＸＹＺθステージであり、図示しない
駆動機構により駆動され、ワークステージ２を前記した
ようにＸ，Ｙ，Ｚ，θ方向（Ｘ方向はワークステージ面
に平行な方向、Ｙ軸はワークステージ面に平行でＸ方向
に直交する方向、Ｚ方向はＸ，Ｙ方向に直交する方向、
θはＺ軸回りの回転）に移動させる。ＡＭはアライメン
ト顕微鏡であり、アライメント顕微鏡ＡＭにより、マス
クＭに印されたマスクアライメントマークＭＡＭとワー
クＷに印されたワークアライメントマークＷＡＭを観察
し、マスクＭとワークＷの位置合わせを行う。
駆動機構により駆動され、ワークステージ２を前記した
ようにＸ，Ｙ，Ｚ，θ方向（Ｘ方向はワークステージ面
に平行な方向、Ｙ軸はワークステージ面に平行でＸ方向
に直交する方向、Ｚ方向はＸ，Ｙ方向に直交する方向、
θはＺ軸回りの回転）に移動させる。ＡＭはアライメン
ト顕微鏡であり、アライメント顕微鏡ＡＭにより、マス
クＭに印されたマスクアライメントマークＭＡＭとワー
クＷに印されたワークアライメントマークＷＡＭを観察
し、マスクＭとワークＷの位置合わせを行う。
【０００６】次に、上記プロキシミティ露光装置による
ワークの露光処理について説明する。まず、マスクＭを
マスクステージ１の所定の位置に載置し、図示しない真
空吸着機構により固定する。次に、図示しないワークス
テージ移動機構により、ワークステージ２を下方に移動
させ（Ｚ方向に移動）ワークＷをワークステージ２に載
置し、図示しない真空吸着機構等により固定する。
ワークの露光処理について説明する。まず、マスクＭを
マスクステージ１の所定の位置に載置し、図示しない真
空吸着機構により固定する。次に、図示しないワークス
テージ移動機構により、ワークステージ２を下方に移動
させ（Ｚ方向に移動）ワークＷをワークステージ２に載
置し、図示しない真空吸着機構等により固定する。
【０００７】ついで、ＸＹＺθステージ５によりワーク
ステージ２を上昇させて（Ｚ方向に移動）、ワークステ
ージ２をマスクステージ１に接近させ、シール部材３に
より密閉空間を作る。そして、上記密閉空間内の酸素が
所定量以下となるまで、排気口４ｂから密閉空間内の空
気を排出しながらガス導入口４ａから不活性ガスを導入
し、酸素を不活性ガスに置換する。置換終了後、さらに
ワークステージ２を上昇させる。これにより、ワークス
テージ２の上部２ａが球面座３に沿って移動し、マスク
Ｍの全面がワークＷと接触しマスクＭとワークＷの傾き
が一致する。この時点で、前記した保持手段（図示せ
ず）によりワークステージ２の上部２ａと下部２ｂの相
対位置を保持し、ワークステージ２を所定量下降させ
る。これにより、マスクＭとワークＷは平行にかつその
間隙が一定に設定される（この操作を、以下「平行出
し」という）。
ステージ２を上昇させて（Ｚ方向に移動）、ワークステ
ージ２をマスクステージ１に接近させ、シール部材３に
より密閉空間を作る。そして、上記密閉空間内の酸素が
所定量以下となるまで、排気口４ｂから密閉空間内の空
気を排出しながらガス導入口４ａから不活性ガスを導入
し、酸素を不活性ガスに置換する。置換終了後、さらに
ワークステージ２を上昇させる。これにより、ワークス
テージ２の上部２ａが球面座３に沿って移動し、マスク
Ｍの全面がワークＷと接触しマスクＭとワークＷの傾き
が一致する。この時点で、前記した保持手段（図示せ
ず）によりワークステージ２の上部２ａと下部２ｂの相
対位置を保持し、ワークステージ２を所定量下降させ
る。これにより、マスクＭとワークＷは平行にかつその
間隙が一定に設定される（この操作を、以下「平行出
し」という）。
【０００８】ワークＷとマスクＭの間隔が一定値に設定
されると、アライメント顕微鏡ＡＭを所定位置に挿入
し、アライメント顕微鏡ＡＭによりマスクＭとワークＷ
に記されたアライメントマークを観察し、ＸＹＺθステ
ージ５によりワークステージ１２をＸＹθ方向に移動さ
せ、マスクＭ上に印されたマスクアライメントマークＭ
ＡＭとワークＷ上に印されたワークアライメントマーク
ＷＡＭを一致させる。マスクＭとワークＷの位置合わせ
が終わると、アライメント顕微鏡ＡＭを退避させ、図示
しない光照射部より平行光をマスクＭ上に照射し、ワー
クＷを露光する。
されると、アライメント顕微鏡ＡＭを所定位置に挿入
し、アライメント顕微鏡ＡＭによりマスクＭとワークＷ
に記されたアライメントマークを観察し、ＸＹＺθステ
ージ５によりワークステージ１２をＸＹθ方向に移動さ
せ、マスクＭ上に印されたマスクアライメントマークＭ
ＡＭとワークＷ上に印されたワークアライメントマーク
ＷＡＭを一致させる。マスクＭとワークＷの位置合わせ
が終わると、アライメント顕微鏡ＡＭを退避させ、図示
しない光照射部より平行光をマスクＭ上に照射し、ワー
クＷを露光する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の技術に
は次のような問題がある。 （１）マスクＭとワークＷの距離ｄを大きくするとガス
の置換時間を短くすることができる。しかしながら、上
記距離ｄを大きくするには、シール部材３を長くしなけ
ばならない。このため、ワークステージ２を上昇させて
平行出しを行うとき、シール材３によりワークステージ
２に大きな力が加わる。ワークステージ２がシール材３
から受ける力は均一でないため、平行出しが難しくな
る。逆に、上記距離ｄが小さいと、ワークステージ２が
シール材３から受ける力は小さくなり、平行出しは容易
になるがガスの置換時間が長くなる。
は次のような問題がある。 （１）マスクＭとワークＷの距離ｄを大きくするとガス
の置換時間を短くすることができる。しかしながら、上
記距離ｄを大きくするには、シール部材３を長くしなけ
ばならない。このため、ワークステージ２を上昇させて
平行出しを行うとき、シール材３によりワークステージ
２に大きな力が加わる。ワークステージ２がシール材３
から受ける力は均一でないため、平行出しが難しくな
る。逆に、上記距離ｄが小さいと、ワークステージ２が
シール材３から受ける力は小さくなり、平行出しは容易
になるがガスの置換時間が長くなる。
【００１０】（２）液晶基板を露光する場合など、近年
ワークサイズが大型化し、それに応じてマスクサイズも
大きくなってきている。このため、マスクが自重でたわ
み、マスクとワークとの距離がワーク周辺部と中央部と
で異なり、高い露光精度が得られないといった問題が生
じた。このため、従来においては、マスクＭをマスクス
テージ１の下側に配置するとともに、マスクステージ１
の上側にダミーガラス板を設け、マスクＭと上記ダミー
ガラス板から構成される閉空間を減圧してマスクＭのた
わみを補正することが試みられていた。
ワークサイズが大型化し、それに応じてマスクサイズも
大きくなってきている。このため、マスクが自重でたわ
み、マスクとワークとの距離がワーク周辺部と中央部と
で異なり、高い露光精度が得られないといった問題が生
じた。このため、従来においては、マスクＭをマスクス
テージ１の下側に配置するとともに、マスクステージ１
の上側にダミーガラス板を設け、マスクＭと上記ダミー
ガラス板から構成される閉空間を減圧してマスクＭのた
わみを補正することが試みられていた。
【００１１】しかしながら、上記方法は、ダミーガラス
として、紫外光を透過させる例えば石英ガラス等を使用
する必要があり高価になる。また、ワークＷとアライメ
ント顕微鏡ＡＭの間に、上記ダミーガラスとマスクステ
ージ１とマスクＭが介在することとなり、ワークＷとア
ライメント顕微鏡ＡＭの距離が大きくなる。通常、アラ
イメント顕微鏡の作動距離は５〜１０ｍｍ程度である
が、上記のようにダミーガラスを用いると、アライメン
ト顕微鏡として、長作動距離（例えば４０ｍｍ〜５０ｍ
ｍ）ものが必要となり、そのためのアライメント顕微鏡
を設計する必要が生じ、アライメント顕微鏡が高価とな
る。
として、紫外光を透過させる例えば石英ガラス等を使用
する必要があり高価になる。また、ワークＷとアライメ
ント顕微鏡ＡＭの間に、上記ダミーガラスとマスクステ
ージ１とマスクＭが介在することとなり、ワークＷとア
ライメント顕微鏡ＡＭの距離が大きくなる。通常、アラ
イメント顕微鏡の作動距離は５〜１０ｍｍ程度である
が、上記のようにダミーガラスを用いると、アライメン
ト顕微鏡として、長作動距離（例えば４０ｍｍ〜５０ｍ
ｍ）ものが必要となり、そのためのアライメント顕微鏡
を設計する必要が生じ、アライメント顕微鏡が高価とな
る。
【００１２】本発明は上記した従来技術の問題点を解決
するためになされたものであって、その目的とするとこ
ろは、平行出しが容易でガス置換を短時間で行うことが
でき、また、マスクたわみ補正を容易に行うことができ
るプロキシミティ露光方法を提供することである。
するためになされたものであって、その目的とするとこ
ろは、平行出しが容易でガス置換を短時間で行うことが
でき、また、マスクたわみ補正を容易に行うことができ
るプロキシミティ露光方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明においては、次の
ようにして上記課題を解決する。 (1) マスクが上方に配置された密閉容器内にワークを搬
入して、密閉容器内に配置されたワークステージ上に載
置・固定する。 (2) ワーク搬入後、密閉容器内の空気を排気しながら不
活性ガスを密閉容器内に導入し、密閉空間内の酸素を不
活性ガスに置換することにより、密閉空間内の酸素を所
定量以下する。 (3) 上記置換後、密閉容器内の圧力をマスクがたわまな
い加圧状態に設定する。(4) マスクとワークの間隙設定
を行い、マスクとワークの位置合わせを行ったのち、マ
スクを介してワークに光を照射する。
ようにして上記課題を解決する。 (1) マスクが上方に配置された密閉容器内にワークを搬
入して、密閉容器内に配置されたワークステージ上に載
置・固定する。 (2) ワーク搬入後、密閉容器内の空気を排気しながら不
活性ガスを密閉容器内に導入し、密閉空間内の酸素を不
活性ガスに置換することにより、密閉空間内の酸素を所
定量以下する。 (3) 上記置換後、密閉容器内の圧力をマスクがたわまな
い加圧状態に設定する。(4) マスクとワークの間隙設定
を行い、マスクとワークの位置合わせを行ったのち、マ
スクを介してワークに光を照射する。
【００１４】本発明においては、上記のように、密閉容
器により密閉空間を形成しており、シール材を用いない
ので、マスクとワークの平行出しを容易に行うことがで
きる。また、ガス置換時にマスクとワーク間の距離を大
きくとることができるので、ガス置換時間を短くするこ
とができる。さらに、密閉容器内の圧力を加圧状態にす
ることによりマスクたわみ補正を行っているので、高価
なダミーガラスを用いることなくマスクのたわみ補正を
行うことができ、また、アライメント顕微鏡の作動距離
を長くする必要がないので、装置の価格を低廉化するこ
とができる。またさらに、ワークステージを密閉容器内
に設置しているので、外部からゴミ等が侵入するのを防
止することができる。
器により密閉空間を形成しており、シール材を用いない
ので、マスクとワークの平行出しを容易に行うことがで
きる。また、ガス置換時にマスクとワーク間の距離を大
きくとることができるので、ガス置換時間を短くするこ
とができる。さらに、密閉容器内の圧力を加圧状態にす
ることによりマスクたわみ補正を行っているので、高価
なダミーガラスを用いることなくマスクのたわみ補正を
行うことができ、また、アライメント顕微鏡の作動距離
を長くする必要がないので、装置の価格を低廉化するこ
とができる。またさらに、ワークステージを密閉容器内
に設置しているので、外部からゴミ等が侵入するのを防
止することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施例のプロキシ
ミティ露光装置の構成を示す図である。同図において、
１はマスクステージ、２はワークステージであり、マス
クステージ１上にはマスクＭが載置・固定され、ワーク
ステージ２上にはワークＷが載置・固定される。ワーク
ステージ２は球面座２１を備えており、ワークステージ
２の上部２ａは球面座２１に沿って移動可能である。ま
た、上記ワークステージ２はその上部２ａと下部２ｂの
相対位置を固定する固定手段（図示せず）を備えてお
り、前記したように、ワークＷの全面をマスクＭに接触
させたのち、上記固定手段により、ワークステージ２の
上部２ａと下部２ｂの相対位置を固定することにより、
マスクＭとワークＷを平行に設定することができる。
ミティ露光装置の構成を示す図である。同図において、
１はマスクステージ、２はワークステージであり、マス
クステージ１上にはマスクＭが載置・固定され、ワーク
ステージ２上にはワークＷが載置・固定される。ワーク
ステージ２は球面座２１を備えており、ワークステージ
２の上部２ａは球面座２１に沿って移動可能である。ま
た、上記ワークステージ２はその上部２ａと下部２ｂの
相対位置を固定する固定手段（図示せず）を備えてお
り、前記したように、ワークＷの全面をマスクＭに接触
させたのち、上記固定手段により、ワークステージ２の
上部２ａと下部２ｂの相対位置を固定することにより、
マスクＭとワークＷを平行に設定することができる。
【００１６】５はＸＹＺθステージであり、図示しない
駆動機構により駆動され、ワークステージ２を前記した
ようにＸ，Ｙ，Ｚ，θ方向に移動させる。６は密閉容器
であり、上記ワークステージ２、ＸＹＺθステージ５は
密閉容器６内に配置される。密閉容器６の上部に上記マ
スクステージ２が設けられており、密閉容器６とマスク
ステージ２で密閉空間（以下これをチャンバという）を
形成する。
駆動機構により駆動され、ワークステージ２を前記した
ようにＸ，Ｙ，Ｚ，θ方向に移動させる。６は密閉容器
であり、上記ワークステージ２、ＸＹＺθステージ５は
密閉容器６内に配置される。密閉容器６の上部に上記マ
スクステージ２が設けられており、密閉容器６とマスク
ステージ２で密閉空間（以下これをチャンバという）を
形成する。
【００１７】７はシャッタ、７ａはシャッタ駆動機構で
あり、ワークＷを上記密閉容器６内に搬入する際、上記
シャッタ駆動機構７ａを駆動してシャッタ７を開き、ワ
ーク搬送用フィンガー１０等によりワークＷを密閉容器
６内に搬入し、ワークステージ２上に載置・固定する。
８は流量調整弁、４ａ，４ｂはそれぞれガス導入口、排
気口であり、前記したガス置換時、ガス導入口４ａから
不活性ガスを導入するとともに、内部の空気を流量調整
弁８を介して排気口４ｂから排出する。
あり、ワークＷを上記密閉容器６内に搬入する際、上記
シャッタ駆動機構７ａを駆動してシャッタ７を開き、ワ
ーク搬送用フィンガー１０等によりワークＷを密閉容器
６内に搬入し、ワークステージ２上に載置・固定する。
８は流量調整弁、４ａ，４ｂはそれぞれガス導入口、排
気口であり、前記したガス置換時、ガス導入口４ａから
不活性ガスを導入するとともに、内部の空気を流量調整
弁８を介して排気口４ｂから排出する。
【００１８】また、後述するように、マスクＭのたわみ
を補正するため、不活性ガス導入後、ガス導入口４ａか
ら不活性ガスを導入しながら流量調整弁８により排出ガ
スの排出量を調整し、チャンバ内の圧力をマスクＭがた
わまない程度の加圧状態とする。９は圧力計であり、圧
力計９により圧力を計測し、チャンバ内の圧力を所望の
値に調整する。ＡＭは前記したアライメント顕微鏡であ
る。
を補正するため、不活性ガス導入後、ガス導入口４ａか
ら不活性ガスを導入しながら流量調整弁８により排出ガ
スの排出量を調整し、チャンバ内の圧力をマスクＭがた
わまない程度の加圧状態とする。９は圧力計であり、圧
力計９により圧力を計測し、チャンバ内の圧力を所望の
値に調整する。ＡＭは前記したアライメント顕微鏡であ
る。
【００１９】次に、図１により本実施例におけるプロキ
シミティ露光処理について説明する。 (a) マスクＭをマスクステージ２の所定の位置に載置
し、図示しない真空吸着機構により固定する。 (b) シャッタ駆動機構７ａによりシャッタ７を開き、Ｘ
ＹＺθステージ５によりワークステージ２を下方に移動
させる。ついで、シャッタ駆動機構７ａによりシャッタ
７を開き、ワーク搬送用フィンガー１０等によりワーク
Ｗを密閉容器６内に搬入し、ワークステージ２に載置・
固定する。
シミティ露光処理について説明する。 (a) マスクＭをマスクステージ２の所定の位置に載置
し、図示しない真空吸着機構により固定する。 (b) シャッタ駆動機構７ａによりシャッタ７を開き、Ｘ
ＹＺθステージ５によりワークステージ２を下方に移動
させる。ついで、シャッタ駆動機構７ａによりシャッタ
７を開き、ワーク搬送用フィンガー１０等によりワーク
Ｗを密閉容器６内に搬入し、ワークステージ２に載置・
固定する。
【００２０】(c) シャッタ７を閉じ、流量調整弁８を全
開状態とし、チャンバ内の酸素が所定量以下となるま
で、排気口４ｂから密閉空間内の空気を排出しながらガ
ス導入口４ａから不活性ガスを導入し、酸素を不活性ガ
スに置換する。 (d) 上記不活性ガスの置換終了後、ガス導入口４ａから
不活性ガスを導入しながら、流量調整弁８によりガス排
出量を調整し、チャンバ内の圧力がマスクＭがたわまな
い程度の加圧状態となるようにする。この圧力は圧力計
９により確認することができる。 (e) ＸＹＺθステージ５により、ワークステージ２を上
昇させワークＷをマスクＭに接触させたのち更にワーク
ステージ２を上昇させる。これにより、ワークステージ
２の上部２ａが球面座２１に沿って移動し、マスクＭの
全面がワークＷと接触しマスクＭとワークＷの傾きが一
致する。
開状態とし、チャンバ内の酸素が所定量以下となるま
で、排気口４ｂから密閉空間内の空気を排出しながらガ
ス導入口４ａから不活性ガスを導入し、酸素を不活性ガ
スに置換する。 (d) 上記不活性ガスの置換終了後、ガス導入口４ａから
不活性ガスを導入しながら、流量調整弁８によりガス排
出量を調整し、チャンバ内の圧力がマスクＭがたわまな
い程度の加圧状態となるようにする。この圧力は圧力計
９により確認することができる。 (e) ＸＹＺθステージ５により、ワークステージ２を上
昇させワークＷをマスクＭに接触させたのち更にワーク
ステージ２を上昇させる。これにより、ワークステージ
２の上部２ａが球面座２１に沿って移動し、マスクＭの
全面がワークＷと接触しマスクＭとワークＷの傾きが一
致する。
【００２１】(f) 前記した保持手段（図示せず）により
ワークステージ２の上部２ａと下部２ｂの相対位置を保
持し、ワークステージ２を所定量下降させる。これによ
り、マスクＭとワークＷは平行にかつその間隙が一定に
設定される。 (g) ワークＷとマスクＭの間隔が一定値に設定される
と、アライメント顕微鏡ＡＭを所定位置に挿入し、アラ
イメント顕微鏡ＡＭによりマスクＭとワークＷに記され
たマスクアライメントマークＭＡＭ、ワークアライメン
トマークＷＡＭを観察し、ＸＹＺθステージ５によりワ
ークステージ１２をＸＹθ方向に移動させ、マスクＭ上
に印されたマスクアライメントマークＭＡＭとワークＷ
上に印されたワークアライメントマークＷＡＭを一致さ
せる。 (h) マスクＭとワークＷの位置合わせが終わると、アラ
イメント顕微鏡を退避させ、図示しない光照射部より平
行光をマスクＭ上に照射しワークＷを露光する。
ワークステージ２の上部２ａと下部２ｂの相対位置を保
持し、ワークステージ２を所定量下降させる。これによ
り、マスクＭとワークＷは平行にかつその間隙が一定に
設定される。 (g) ワークＷとマスクＭの間隔が一定値に設定される
と、アライメント顕微鏡ＡＭを所定位置に挿入し、アラ
イメント顕微鏡ＡＭによりマスクＭとワークＷに記され
たマスクアライメントマークＭＡＭ、ワークアライメン
トマークＷＡＭを観察し、ＸＹＺθステージ５によりワ
ークステージ１２をＸＹθ方向に移動させ、マスクＭ上
に印されたマスクアライメントマークＭＡＭとワークＷ
上に印されたワークアライメントマークＷＡＭを一致さ
せる。 (h) マスクＭとワークＷの位置合わせが終わると、アラ
イメント顕微鏡を退避させ、図示しない光照射部より平
行光をマスクＭ上に照射しワークＷを露光する。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
以下の効果を得ることができる。 （１）密閉容器により密閉空間を形成しており、シール
材を用いていないので、マスクとワークの平行出しを容
易に行うことができる。 （２）シール材を用いていないので、ガス置換時にマス
クとワーク間の距離を大きくとることができ、ガス置換
時間を短くすることができる。 （３）密閉容器内の圧力を加圧状態にすることによりマ
スクたわみ補正を行っているので、高価なダミーガラス
を用いることなくマスクのたわみ補正を行うことがで
き、また、アライメント顕微鏡の作動距離を長くする必
要がないので、装置の価格を低廉化することができる。 （４）ワークステージを密閉容器内に設置しているの
で、外部からゴミ等が侵入するのを防止することができ
る。
以下の効果を得ることができる。 （１）密閉容器により密閉空間を形成しており、シール
材を用いていないので、マスクとワークの平行出しを容
易に行うことができる。 （２）シール材を用いていないので、ガス置換時にマス
クとワーク間の距離を大きくとることができ、ガス置換
時間を短くすることができる。 （３）密閉容器内の圧力を加圧状態にすることによりマ
スクたわみ補正を行っているので、高価なダミーガラス
を用いることなくマスクのたわみ補正を行うことがで
き、また、アライメント顕微鏡の作動距離を長くする必
要がないので、装置の価格を低廉化することができる。 （４）ワークステージを密閉容器内に設置しているの
で、外部からゴミ等が侵入するのを防止することができ
る。
【図１】本発明の実施例を示す図である。
【図２】従来例を示す図である。
１ マスクステージ ２ ワークステージ ４ａ ガス導入口 ４ｂ 排気口 ５ ＸＹＺθステージ ６ 密閉容器 ７ シャッタ ７ａ シャッタ駆動機構 ８ 流量調整弁 ９ 圧力計 １０ ワーク搬送用フィンガー ２１ 球面座 ＡＭ アライメント顕微鏡 Ｍ マスク Ｗ ワーク
Claims (1)
- 【請求項１】 マスクが上方に配置された密閉容器内に
ワークを搬入して、密閉容器内に配置されたワークステ
ージ上に載置・固定し、 ワーク搬入後、密閉容器内の空気を排気しながら不活性
ガスを密閉容器内に導入し、密閉空間内の酸素を不活性
ガスに置換することにより、密閉空間内の酸素を所定量
以下とし、 上記置換後、密閉容器内の圧力をマスクがたわまない加
圧状態に設定し、 マスクとワークの間隙設定を行い、マスクとワークの位
置合わせを行ったのち、マスクを介してワークに光を照
射することを特徴とするプロキシミティ露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8255847A JPH10106920A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | プロキシミティ露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8255847A JPH10106920A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | プロキシミティ露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10106920A true JPH10106920A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17284425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8255847A Pending JPH10106920A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | プロキシミティ露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10106920A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006156507A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 感光性樹脂が塗布された基板の露光方法 |
| JP2006350192A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Ono Sokki Co Ltd | 露光機の整合装置及び露光機の整合方法 |
| JP2006350315A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-12-28 | Ushio Inc | 露光装置 |
| KR100859404B1 (ko) * | 2004-08-26 | 2008-09-22 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 광조사 장치 |
| JP2009151324A (ja) * | 2009-02-02 | 2009-07-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光装置 |
| JP2010527441A (ja) * | 2007-05-09 | 2010-08-12 | ナノインク インコーポレーティッド | 小型ナノファブリケーション装置 |
| CN103048886A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-04-17 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | 球形气动找平机构 |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP8255847A patent/JPH10106920A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100859404B1 (ko) * | 2004-08-26 | 2008-09-22 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 광조사 장치 |
| JP2006156507A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 感光性樹脂が塗布された基板の露光方法 |
| JP4622482B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2011-02-02 | パナソニック電工株式会社 | 感光性樹脂が塗布された基板の露光方法 |
| JP2006350315A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-12-28 | Ushio Inc | 露光装置 |
| JP2006350192A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Ono Sokki Co Ltd | 露光機の整合装置及び露光機の整合方法 |
| JP2010527441A (ja) * | 2007-05-09 | 2010-08-12 | ナノインク インコーポレーティッド | 小型ナノファブリケーション装置 |
| JP2009151324A (ja) * | 2009-02-02 | 2009-07-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光装置 |
| CN103048886A (zh) * | 2012-11-22 | 2013-04-17 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | 球形气动找平机构 |
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