JPH10106057A - Magneto-optical recording medium - Google Patents

Magneto-optical recording medium

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Publication number
JPH10106057A
JPH10106057A JP8271918A JP27191896A JPH10106057A JP H10106057 A JPH10106057 A JP H10106057A JP 8271918 A JP8271918 A JP 8271918A JP 27191896 A JP27191896 A JP 27191896A JP H10106057 A JPH10106057 A JP H10106057A
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JP
Japan
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magnetic
film
thin film
magnetic thin
rare earth
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Application number
JP8271918A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Tabata
正浩 田畑
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Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
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Publication date
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Priority to DE69727874T priority patent/DE69727874T2/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magneto-optical recording medium which is easily produced and in which the recording characteristic or optical modulation direct overwriting is improved. SOLUTION: The magneto-optical recording medium 1 is constituted by successively laminating at least magnetic thin films 4 to 6. The magnetic thin films 4, 6 are composed of an amorphous films consisting of rare earth-3d transition metals having perpendicular magnetic anisotropy and are magnetically bonded via a magnetic thin film 5. The magnetic tin film 5 is composed or rare earth metals-dominant (RE-rich) film which is small in exchange energy with rare earth-3d transition metals by adding Bi (bismuth) and Sn(tin) and has magnetic anisotropy in the intrasurface direction at a temp. of at least 100 deg.C or above and controlls the magnetical bonding state of the magnetic tin films 4, 6.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光等の光
を照射することにより情報の記録再生を行う光磁気記録
媒体に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording medium for recording and reproducing information by irradiating light such as laser light.

【0002】[0002]

【従来の技術】光磁気相互作用によって情報マーク(磁
区)の読み出しを行う記録媒体に対する情報の記録方法
においては、垂直磁化膜の磁性薄膜を有する記録媒体に
対し、その磁化の方向を膜面に垂直な一方向に予め揃え
るいわゆる初期化を施しておき、この磁化方向と反対向
きの垂直磁化を有する磁区を、レーザー光照射等の局部
加熱により形成することによって、2値化された情報マ
ークとして情報を記録保存している。かかる記録方法に
おいては、情報の書き換えに先立って、記録された情報
の消去(あるいは初期化)の過程、即ちイニシャライズ
のための時間を要し、情報の高転送レートでの記録を実
現できない。
2. Description of the Related Art In a method of recording information on a recording medium in which information marks (magnetic domains) are read out by magneto-optical interaction, a recording medium having a magnetic thin film of a perpendicular magnetization film has its magnetization direction directed to the film surface. A so-called initialization is performed in advance so as to be aligned in one perpendicular direction, and a magnetic domain having perpendicular magnetization in the opposite direction to this magnetization direction is formed by local heating such as laser light irradiation, thereby forming a binary information mark. Records and saves information. In such a recording method, a process of erasing (or initializing) the recorded information, that is, a time for initialization is required prior to rewriting of the information, and recording of the information at a high transfer rate cannot be realized.

【0003】そこでこの問題に対処すべく、このような
独立のイニシャライズ過程の時間が不要となる重ね書
き、いわゆるオーバーライト方式による記録方法が種々
提案され、実現されている。これら種々のオーバーライ
ト方式による記録方法の中で将来の高密度化のための磁
気超解像技術との融合技術として有望視されているもの
に光変調ダイレクトオーバーライト技術がある。これ
は、レーザー光等による媒体の加熱温度を切替制御する
のみで容易に書き換え、即ちオーバーライトが可能とな
る。この光変調ダイレクトオーバーライトを実現するた
めの記録媒体基本技術として、特開昭62−17594
8号公報に開示されているものがある。
To cope with this problem, various recording methods using overwriting, that is, a so-called overwrite method, in which the time for such an independent initialization process is not required, have been proposed and realized. Among these various overwrite recording methods, a light modulation direct overwrite technique is promising as a fusion technique with a magnetic super-resolution technique for higher density in the future. This can be easily rewritten, that is, overwritten, simply by switching and controlling the heating temperature of the medium by laser light or the like. Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-17594 discloses a basic technology of a recording medium for realizing the light modulation direct overwrite.
No. 8 discloses a technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 8 (1999) -86.

【0004】即ち、この提案で開示されている光磁気記
録方法は、第1及び第2の希土類−遷移金属磁性薄膜の
積層構造による記録媒体を用い、所要の第1の外部磁界
印加の下に第2の磁性薄膜の副格子磁化の反転が生じな
い温度で、かつ第1の磁性薄膜のキュリー温度Tc 以上
の温度T1 に加熱する第1の昇温状態と、温度T1 以上
でかつ第2の磁性薄膜の副格子磁化を反転させるに充分
な第2の温度T2 に加熱する第2の昇温状態とを、記録
する情報”0”,”1”に対応させて変調し、冷却過程
で、第1及び第2の磁性薄膜の交換相互作用による交換
結合力により、第1の磁性薄膜の副格子磁化の向きを第
2の磁性薄膜の副格子磁化の向きに揃えて、情報”
0”,”1”の記録マーク(磁区)を第1の磁性薄膜に
形成すると共に、第2の外部磁界によって、室温で第2
の磁性薄膜の副格子磁化のみ一方向に反転するようにし
て、ダイレクトオーバーライトが可能となるようにする
もので、それに使用される光磁気記録媒体は、上記の状
態を実現し得るように作成された垂直磁気二層膜によっ
て提供されるものである。図15は室温から記録温度に
おける光磁気記録媒体の磁化状態を説明するための図で
ある。
In other words, the magneto-optical recording method disclosed in this proposal uses a recording medium having a laminated structure of first and second rare earth-transition metal magnetic thin films, and applies a required first external magnetic field. first and Atsushi Nobori heating at a temperature inversion does not occur in the sublattice magnetization of the second magnetic thin film, and the Curie temperature T c above the temperature T 1 of the first magnetic thin film, and at a temperature above T 1 The second temperature rising state of heating to a second temperature T 2 sufficient to reverse the sublattice magnetization of the second magnetic thin film is modulated in accordance with information “0” and “1” to be recorded, During the cooling process, the direction of the sublattice magnetization of the first magnetic thin film is aligned with the direction of the sublattice magnetization of the second magnetic thin film by the exchange coupling force due to the exchange interaction between the first and second magnetic thin films, and "
Recording marks (magnetic domains) of 0 "and" 1 "are formed on the first magnetic thin film, and the second external magnetic field is used to form the second recording mark at room temperature.
Only the sub-lattice magnetization of the magnetic thin film is inverted in one direction to enable direct overwriting. The magneto-optical recording medium used for this is made to realize the above-mentioned state. Provided by a perpendicular magnetic two-layered film. FIG. 15 is a diagram for explaining the magnetization state of the magneto-optical recording medium from room temperature to the recording temperature.

【0005】この光磁気記録媒体において、その積層さ
れた第1の磁性薄膜と第2の磁性薄膜の界面には、交換
エネルギーが働いており、このため室温の状態B(図1
5)では、界面磁壁が生成する。このときの界面磁壁エ
ネルギーσw は、 Hwi=σw /2Msii ・・・・・・・・・・・・・・(1) 但し、Hwi: i層が隣接した磁性層から受ける実効的バ
イアス磁界 Msi: i番目の磁性層の飽和磁化 hi : i番目の磁性層の膜厚 とあらわされ、 σw =約2{(A1 1 1/2 +(A2 2 1/2 } ・・(2) 但し、A1 :第1の磁性薄膜の交換スティフネス定数 A2 :第2の磁性薄膜の交換スティフネス定数 K1 :第1の磁性薄膜の実効的異方性定数 K2 :第2の磁性薄膜の実効的異方性定数 であると考えられる。
In this magneto-optical recording medium, an exchange energy acts on the interface between the laminated first magnetic thin film and second magnetic thin film.
In 5), an interface domain wall is generated. Interface wall energy sigma w in this case, H wi = σ w / 2M si h i ·············· (1) where, H wi: a magnetic layer i-layer adjacent effective bias field M si receive: saturation magnetization of the i-th magnetic layer h i: represented a thickness of i-th magnetic layer, sigma w = about 2 {(a 1 K 1) 1/2 + (a 2 K 2 ) 1/2 } (2) where A 1 : exchange stiffness constant of the first magnetic thin film A 2 : exchange stiffness constant of the second magnetic thin film K 1 : effective difference of the first magnetic thin film It is considered that the anisotropic constant K 2 is an effective anisotropic constant of the second magnetic thin film.

【0006】そして、オーバーライトのための条件は、
室温において状態Bから状態Aへの移行が生じないよう
にするために、次の条件を満たすことが必要である。 Hc1>Hw1=σw /2Ms11 ・・・・・・・・・・・(3) 但し、Hc1:第1の磁性薄膜の保磁力 Hw1:第1の磁性薄膜が隣接した磁性層から受ける実効
的バイアス磁界 Ms1:第1の磁性薄膜の飽和磁化 h1 :第1の磁性薄膜の膜厚
The conditions for overwriting are as follows:
In order to prevent the transition from the state B to the state A at room temperature, the following conditions must be satisfied. H c1 > H w1 = σ w / 2M s1 h 1 (3) where H c1 : coercive force of the first magnetic thin film H w1 : the first magnetic thin film is adjacent Effective magnetic field received from the applied magnetic layer M s1 : saturation magnetization of the first magnetic thin film h 1 : film thickness of the first magnetic thin film

【0007】また、室温において状態Bから状態Eへの
移行が生じないようにするためには、次の条件を満たす
ことが必要である。 Hc2>Hw2=σw /2Ms22 ・・・・・・・・・・・(4) 但し、Hc2:第2の磁性薄膜の保磁力 Hw2:第2の磁性薄膜が隣接した磁性層から受ける実効
的バイアス磁界 Ms2:第2の磁性薄膜の飽和磁化 h2 :第2の磁性薄膜の膜厚
In order to prevent the transition from the state B to the state E at room temperature, the following conditions must be satisfied. H c2 > H w2 = σ w / 2M s2 h 2 (4) where H c2 : coercive force of the second magnetic thin film H w2 : the second magnetic thin film is adjacent Effective magnetic field M s2 : Saturation magnetization of the second magnetic thin film h 2 : Thickness of the second magnetic thin film

【0008】さらにまた、状態Eにおいて、第1の磁性
薄膜が外部初期化補助磁界Hini によって反転してしま
うことがないようにするためには、次の条件を満たすこ
とが必要である。 Hc1±Hw1>Hini ・・・・・・・・・・・・・・・・(5) ここで左辺の±は、第1の磁性薄膜が希土類優勢膜であ
り、第2の磁性薄膜が遷移金属優勢薄膜である(また
は、その逆の)場合(即ちアンチパラレル結合である場
合)は、”+”となり、第1及び第2の磁性薄膜が共に
遷移金属(あるいは、共に希土類金属)優勢膜である場
合(即ちパラレル結合である場合)は、”−”となる。
Further, in order to prevent the first magnetic thin film from being inverted by the external initialization auxiliary magnetic field H ini in the state E, the following condition must be satisfied. H c1 ± H w1 > H ini (5) Here, ± on the left side indicates that the first magnetic thin film is a rare-earth dominant film and the second magnetic thin film is If the thin film is a transition metal dominant thin film (or vice versa) (ie, anti-parallel coupling), it becomes “+”, and the first and second magnetic thin films are both transition metal (or both rare earth metal). ) When the film is a dominant film (that is, in the case of parallel coupling), “−” is displayed.

【0009】他方、状態Eから状態Bへの移行を可能と
するためには、次の条件を満たすことが必要である。 Hc2+Hw2<Hini ・・・・・・・・・・・・・・・・(6)
On the other hand, in order to enable the transition from the state E to the state B, the following conditions must be satisfied. H c2 + H w2 <H ini (6)

【0010】さらに、昇温状態が第1の磁性薄膜のキュ
リー温度Tc1近傍において、状態Cから状態Aへの移
行、即ち第1の磁性薄膜の磁化の向きが第2の磁性薄膜
の磁化の向きに揃えられるためには、次の条件を満たす
ことが必要である。 Hw1>Hc1+Hex ・・・・・・・・・・・・・・・・・(7) 但し、Hex:記録外部磁界
Further, when the temperature rise state is near the Curie temperature Tc1 of the first magnetic thin film, the transition from the state C to the state A, that is, the magnetization direction of the first magnetic thin film is changed to the magnetization direction of the second magnetic thin film. In order to be aligned, the following conditions must be satisfied. H w1 > H c1 + H ex (7) where H ex is the recording external magnetic field

【0011】さらにまた、状態Cから状態Eへの移行が
生じないようにするために、次の条件を満たすことが必
要である。 Hc2−Hw2>Hex ・・・・・・・・・・・・・・・・・(8)
Further, in order to prevent the transition from the state C to the state E, it is necessary to satisfy the following condition. H c2 −H w2 > H ex・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ (8)

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】以上より明らかなよう
に、室温においては、上記(3)及び(4)式を満足す
るために界面磁壁エネルギーσw は、小さいほうが望ま
しく、第1の磁性薄膜の磁化の向きが第2の磁性薄膜の
磁化の向きに揃う温度近傍では、交換相互作用を強く働
かせるために、界面磁壁エネルギーσw は、上記(7)
及び(8)式を満たす状態で、ある程度の大きさ、即ち
室温でのσw の大きさが変化しないか、あるいは、変化
したとしても、その減少度合いが少ない状態を保持して
いる必要がある。しかしながら、これらを全てを満足す
る状態を、第1及び第2の磁性薄膜の保磁力、飽和磁
化、膜厚の制御のみで実現することは極めて困難であっ
た。
As is apparent from the above, at room temperature, the interface domain wall energy σ w is desirably small in order to satisfy the above equations (3) and (4). In the vicinity of the temperature at which the direction of magnetization of the second magnetic thin film is aligned with the direction of magnetization of the second magnetic thin film, the interface domain wall energy σ w is set to the value (7) in order to strongly exert the exchange interaction.
It is necessary to maintain a state where the magnitude, that is, the magnitude of σ w at room temperature, does not change, or even if it does change, the degree of decrease is small, while satisfying the expression (8). . However, it has been extremely difficult to achieve a state satisfying all of these factors only by controlling the coercive force, saturation magnetization, and film thickness of the first and second magnetic thin films.

【0013】本発明は、前記した第1及び第2の磁性薄
膜間の交換相互作用による交換結合力によって発生する
磁気特性を制御する希土類金属優勢膜である第3の磁性
薄膜を、第1及び第2の磁性薄膜の中間に設け、かつ、
その磁性膜の組成制御又は他の金属元素の添加を行うる
ことにより、特性の優れた媒体作成を容易ならしめるの
みならず、記録特性の向上、さらには、交換結合多層膜
全般における有効な制御層を備えた光磁気記録媒体を提
供することを目的とする。
According to the present invention, there is provided a third magnetic thin film which is a rare earth metal dominant film for controlling magnetic characteristics generated by an exchange coupling force due to an exchange interaction between the first and second magnetic thin films. Provided in the middle of the second magnetic thin film, and
By controlling the composition of the magnetic film or adding another metal element, not only is it easy to prepare a medium having excellent characteristics, but also the recording characteristics are improved, and furthermore, the effective control of the exchange-coupled multilayer film in general is effective. It is an object to provide a magneto-optical recording medium provided with a layer.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は下記する(1),(2)の構成の光磁
気記録媒体を提供する。
To solve the above-mentioned problems, the present invention provides a magneto-optical recording medium having the following constitutions (1) and (2).

【0015】(1) 図1に示すように、少なくとも、
第1、第2、第3の磁性薄膜4〜6が順次積層された光
磁気記録媒体1であって、前記第1及び第3の磁性薄膜
4,6は,垂直磁気異方性を有する希土類−3d遷移金
属から成るアモルファス薄膜から構成され,かつ前記第
2の磁性薄膜5を介して磁気的に結合しており,前記第
2の磁性薄膜5は,前記希土類−3d遷移金属との交換
エネルギーが小さくかつ100℃以上で面内方向に磁気
異方性を有する希土類金属優勢(RE−rich)膜か
ら構成されることを特徴とする光磁気記録媒体1。
(1) As shown in FIG.
1. A magneto-optical recording medium 1 in which first, second, and third magnetic thin films 4 to 6 are sequentially stacked, wherein the first and third magnetic thin films 4, 6 are rare earth elements having perpendicular magnetic anisotropy. -3d transition metal, and is magnetically coupled through the second magnetic thin film 5, the second magnetic thin film 5 has an exchange energy with the rare earth-3d transition metal. 1. A magneto-optical recording medium 1 comprising a rare-earth-metal-dominant (RE-rich) film having a small thickness and having magnetic anisotropy in the in-plane direction at 100 ° C. or higher.

【0016】(2) 前記第2の磁性薄膜5は、室温で
面内ないしは垂直方向に磁気異方性をもつアモルファス
薄膜で、希土類にGd(ガドリニウム)を、3d遷移金
属にFe(鉄)またはFeCo(鉄・コバルト合金)を
用い、さらに他の金属元素としてBi(ビスマス)、S
n(スズ)を添加することにより、希土類と3d遷移金
属との間に働く交換エネルギーを小さくしたことを特徴
とする上記した(1)記載の光磁気記録媒体。
(2) The second magnetic thin film 5 is an amorphous thin film having in-plane or vertical magnetic anisotropy at room temperature, wherein Gd (gadolinium) is used as a rare earth element and Fe (iron) or 3D transition metal is used as a 3d transition metal. FeCo (iron-cobalt alloy) is used, and Bi (bismuth), S
The magneto-optical recording medium according to the above (1), wherein the exchange energy acting between the rare earth and the 3d transition metal is reduced by adding n (tin).

【0017】[0017]

【発明の実施の態様】以下、本発明の光磁気記録媒体を
[実施例1]、[実施例2]の順に、図1〜図14に沿
って説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a magneto-optical recording medium of the present invention will be described in the order of [Embodiment 1] and [Embodiment 2] with reference to FIGS.

【0018】[実施例1]本発明の光磁気記録媒体1
は、図1に示すように、ガラス板またはポリカーボネイ
ト等の光透過性基板2上(同図中ではその下面)に、保
護膜または多重干渉膜となる透明な誘電体膜3を介して
第1から第3の磁性薄膜を、真空中で例えば連続スパッ
タリング等により順次積層した三層磁性膜(第1、第
2、第3の磁性薄膜)4,5,6を形成し、さらにこの
第3の磁性薄膜6上(同図中ではその下面)に非磁性金
属膜あるいは誘電体膜より成る保護膜7を形成してなる
ものである。レーザー光等の照射は光透過性基板2側か
ら行われる。第1及び第3の磁性薄膜4,6は希土類−
3d遷移金属から成るアモルファス薄膜でかつ垂直磁気
異方性を有している。第2の磁性薄膜5は希土類−3d
遷移金属との交換エネルギーが小さくかつ少なくとも1
00℃以上で面内方向に磁気異方性を有する希土類金属
優勢(RE−rich)膜から成る。
Embodiment 1 Magneto-optical recording medium 1 of the present invention
As shown in FIG. 1, a first film is formed on a light transmitting substrate 2 such as a glass plate or a polycarbonate (the lower surface in FIG. 1) via a transparent dielectric film 3 serving as a protective film or a multiple interference film. To form three-layer magnetic films (first, second, and third magnetic thin films) 4, 5, and 6 in which a third magnetic thin film is sequentially laminated in vacuum, for example, by continuous sputtering or the like. A protective film 7 made of a non-magnetic metal film or a dielectric film is formed on a magnetic thin film 6 (the lower surface in the figure). Irradiation with laser light or the like is performed from the light transmitting substrate 2 side. The first and third magnetic thin films 4 and 6 are rare earth-
It is an amorphous thin film made of a 3d transition metal and has perpendicular magnetic anisotropy. The second magnetic thin film 5 is a rare earth-3d
Low exchange energy with transition metal and at least 1
It is composed of a rare earth metal predominant (RE-rich) film having magnetic anisotropy in the in-plane direction at a temperature of 00 ° C. or more.

【0019】第1の磁性薄膜4は、例えばTbFe(テ
ルビウム・鉄合金)またはTbFeCo(テルビウム・
鉄・コバルト合金)によって構成する。第3の磁性薄膜
6は、例えばDyFeCo(ディスプロシウム・鉄・コ
バルト合金)によって構成する。
The first magnetic thin film 4 is made of, for example, TbFe (terbium-iron alloy) or TbFeCo (terbium-iron
(Cobalt alloy). The third magnetic thin film 6 is made of, for example, DyFeCo (dysprosium-iron-cobalt alloy).

【0020】中間層である第2の磁性薄膜5は、希土類
金属優勢の例えばGdFe(ガドリニウム・鉄合金)ま
たはGdFeCo(ガドリニウム・鉄・コバルト合金)
の薄膜によって構成する。具体的には、Gdx (Fe
1-y Coy 1-x において、 0.32≦x ≦0.50, 0≦y ≦0.3 (x ,y
は原子含有量比) の組成で、GdFeCoをベースに他の金属Bi(ビス
マス),Sn(スズ)といった元素を添加することによ
り、希土類と3d遷移金属の交換エネルギーを小さくし
たものによって構成する。
The second magnetic thin film 5 as an intermediate layer is made of a rare earth metal predominant, for example, GdFe (gadolinium-iron alloy) or GdFeCo (gadolinium-iron-cobalt alloy).
It consists of a thin film. Specifically, Gd x (Fe
1-y Co y ) In 1-x , 0.32 ≦ x ≦ 0.50, 0 ≦ y ≦ 0.3 (x, y
Is the atomic content ratio), and is formed by reducing the exchange energy between the rare earth and the 3d transition metal by adding other metal elements such as Bi (bismuth) and Sn (tin) based on GdFeCo.

【0021】以下、本発明で重要となる界面磁壁エネル
ギーの温度特性とその有効な制御方法について述べる。
The temperature characteristics of the interface domain wall energy, which is important in the present invention, and its effective control method will be described below.

【0022】図2は光磁気記録媒体1を構成する各層
(第1の磁性薄膜4〜第3の磁性薄膜6)の磁化の温度
特性、実効的異方性(Ku−2πMs2 )の温度特性を
それぞれ実測して分子場理論のパラメータを決定し計算
した界面磁壁エネルギーの温度依存性を、第2の磁性層
5に希土類金属優勢(RE−rich)膜を用いた場合
と遷移金属優勢(TM−rich)膜を用いた場合とで
比較したグラフである。
FIG. 2 shows the temperature characteristics of the magnetization and the temperature characteristics of the effective anisotropy (Ku-2πMs 2 ) of each layer (the first magnetic thin film 4 to the third magnetic thin film 6) constituting the magneto-optical recording medium 1. Are measured to determine the parameters of the molecular field theory, and the calculated temperature dependence of the interface domain wall energy is compared with the case where a rare earth metal dominant (RE-rich) film is used for the second magnetic layer 5 and the case where the transition metal dominates (TM). -Rich) is a graph comparing with the case using a membrane.

【0023】図2中、「Interface wall
energy」(単位:erg/cm2 )は界面磁壁
エネルギー、「Temperature」(単位:K)
は絶対温度をそれぞれ示している。
In FIG. 2, "Interface wall"
“energy” (unit: erg / cm 2 ) is the interface domain wall energy, “Temperature” (unit: K)
Indicates an absolute temperature.

【0024】また、図2中、細線で示す「σB of 3
rd Layer(DyfeCo)」はDyFeCo膜
を用いた第3の磁性薄膜6のブロッホ磁壁エネルギーの
温度依存性、細線で示す「σB of 1st Laye
r(TbFe)」はTbFe膜を用いた第1の磁性薄膜
4のブロッホ磁壁エネルギーの温度依存性、太線で示す
「RE−rich 2nd Layer」は希土類金属
優勢(RE−rich)膜を第2の磁性薄膜5として用
いた場合の界面磁壁エネルギーの温度依存性、そして、
太線で示す「TM−rich 2nd Layer」は
遷移金属優勢(TM−rich)膜を第2の磁性薄膜5
として用いた場合の界面磁壁エネルギーの温度依存性を
それぞれ示している。
In FIG. 2, “σ B of 3” indicated by a thin line
“rd Layer (DyfeCo)” is the temperature dependence of the Bloch domain wall energy of the third magnetic thin film 6 using a DyFeCo film, and “σ B of 1st Layer” indicated by a thin line.
“r (TbFe)” is the temperature dependence of the Bloch domain wall energy of the first magnetic thin film 4 using a TbFe film, and “RE-rich 2nd Layer” shown by a thick line is a rare earth metal dominant (RE-rich) film. Temperature dependence of interface domain wall energy when used as magnetic thin film 5, and
“TM-rich 2nd Layer” indicated by a thick line indicates that the transition metal dominant (TM-rich) film is the second magnetic thin film 5.
3 shows the temperature dependence of the interface domain wall energy when used as.

【0025】図2中、室温における、「RE−rich
2nd Layer」、「TM−rich 2nd
Layer」の各界面磁壁エネルギーは、上述した
(5),(6)式を考慮した値で、どちらの場合も約
1.2erg/cm2 であるが、温度上昇に伴って、そ
の減少度合いに差が生じているのが分かる。
In FIG. 2, "RE-rich" at room temperature was used.
2nd Layer "," TM-rich 2nd
The interfacial domain wall energy of “Layer” is a value in consideration of the above equations (5) and (6), and is about 1.2 erg / cm 2 in both cases. It can be seen that there is a difference.

【0026】図3は光磁気記録媒体1を構成する第2の
磁性層5の磁化の温度依存性を、希土類金優勢(RE−
rich)膜のGdFeと遷移金属優勢(TM−ric
h)膜のGdFe比較したグラフである。
FIG. 3 shows the temperature dependence of the magnetization of the second magnetic layer 5 constituting the magneto-optical recording medium 1 by the rare-earth gold dominance (RE-
rich) GdFe and transition metal dominant (TM-ric)
h) A graph comparing GdFe of the film.

【0027】図3中、「Magnetization」
(単位:emu/cm3 )は磁化、「GdFe(TM−
rich)」は遷移金属優勢膜のGdFeの磁化の温度
依存性、「GdFe(RE−rich)」は希土類金属
優勢膜のGdFeの磁化の温度依存性をそれぞれ示して
いる。
In FIG. 3, "Magnetization"
(Unit: emu / cm 3 ) is magnetization, “GdFe (TM−
“rich” indicates the temperature dependence of the magnetization of GdFe of the transition metal dominant film, and “GdFe (RE-rich)” indicates the temperature dependence of the magnetization of GdFe of the rare earth metal dominant film.

【0028】図4は光磁気記録媒体1を構成する第2の
磁性層5の実効的異方性(Ku−2πMs2 )の温度依
存性を、希土類金属優勢(RE−rich)膜のGdF
eと遷移金属優勢(TM−rich)膜のGdFeとで
比較したグラフである。
FIG. 4 shows the temperature dependence of the effective anisotropy (Ku-2πMs 2 ) of the second magnetic layer 5 constituting the magneto-optical recording medium 1 by using the GdF of the rare-earth metal dominant (RE-rich) film.
7 is a graph comparing e with GdFe of a transition metal dominant (TM-rich) film.

【0029】図4中、「Ku」(単位:105 erg/
cm3 )は真の異方性、「Ku−2πMs2 」(単位:
105 erg/cm3 )は実効的異方性、「Ku of
GdFe(RE−rich)」は希土類金属優勢(R
E−rich)のGdFeのの真の異方性の温度依存
性、「Ku of GdFe(TM−rich)」は遷
移金属優勢(TM−rich)膜のGdFeの真の異方
性の温度依存性、「Ku−2πMs2 of GdFe
(RE−rich)」は希土類金属優勢(RE−ric
h)膜のGdFeの実効的異方性の温度依存性、そし
て、「Ku−2πMs2 of GdFe(TM−ric
h)」は遷移金属優勢(TM−rich)膜のGdFe
の実効的異方性の温度依存性をそれぞれ示している。
In FIG. 4, “Ku” (unit: 10 5 erg /
cm 3 ) is the true anisotropy, “Ku−2πMs 2 ” (unit:
10 5 erg / cm 3 ) is the effective anisotropy, “Ku of
GdFe (RE-rich) ”is a rare earth metal dominant (R
E-rich) The temperature dependence of the true anisotropy of GdFe, "Ku of GdFe (TM-rich)" is the temperature dependence of the true anisotropy of GdFe of the transition metal dominant (TM-rich) film. , "Ku-2πMs 2 of GdFe
(RE-rich) ”is rare earth metal dominant (RE-ric)
h) Temperature dependence of the effective anisotropy of GdFe of the film, and “Ku-2πMs 2 of GdFe (TM-ric
h) "is the transition metal dominant (TM-rich) film GdFe
Respectively show the temperature dependence of the effective anisotropy of.

【0030】さて、図2には、「TM−rich 2n
d Layer」の界面磁壁エネルギーは「RE−ri
ch 2nd Layer」の界面磁壁エネルギーに比
べ、温度上昇に伴って急激に低下していることが示され
ている。
FIG. 2 shows "TM-rich 2n".
The interface domain wall energy of “d Layer” is “RE-ri
The graph shows that the temperature sharply decreases with an increase in temperature as compared with the interface domain wall energy of “ch 2nd Layer”.

【0031】また、図3には、「GdFe(RE−ri
ch)」の磁化の温度変化は「GdFe(TM−ric
h)」の磁化の温度変化よりも急激に減少することが示
されている(「GdFe(TM−rich)」の方が上
に凸)。
FIG. 3 shows “GdFe (RE-ri)
ch)) changes in temperature of the magnetization of “GdFe (TM-ric)
h) ”shows that the magnetization decreases more rapidly than the temperature change (“ GdFe (TM-rich) ”protrudes upward).

【0032】さらに、図4には、「Ku−2πMs2
f GdFe(RE−rich)」の実効的異方性の温
度変化は「Ku−2πMs2 of GdFe(TM−r
ich)」の実効的異方性の温度変化よりも急激に増加
することが示されている(「Ku−2πMs2 of G
dFe(TM−rich)」の方が下に凸)。
Further, FIG. 4 shows "Ku-2πMs 2 o
The temperature change of the effective anisotropy of “f GdFe (RE-rich)” is “Ku−2πMs 2 of GdFe (TM-r
ich) ”, the effective anisotropy increases more rapidly than the temperature change (“ Ku−2πMs 2 of G ”).
dFe (TM-rich) "protrudes downward).

【0033】一方、第1の磁性薄膜4から第2の磁性薄
膜5への磁気転写は、上述した(7),(8)式より、
温度上昇に伴って界面磁壁エネルギーの減少度合いがよ
り少ないことが望ましいわけである。この条件に好適な
ものとしては、図2に示す「RE−rich 2nd
Layer」の特性である。従って、希土類金属優勢
(RE−rich)膜のGdFeの第2の磁性薄膜5と
して用いた場合の磁気転写は、遷移金属優勢(TM−r
ich)膜のGdFeを第2の磁性薄膜5として用いた
場合の磁気転写よりも良好に行うことができると言え
る。
On the other hand, the magnetic transfer from the first magnetic thin film 4 to the second magnetic thin film 5 is based on the above equations (7) and (8).
It is desirable that the degree of reduction of the interface domain wall energy with a rise in temperature is smaller. Preferable for this condition is “RE-rich 2nd” shown in FIG.
Layer "characteristics. Therefore, the magnetic transfer when the rare earth metal dominant (RE-rich) film is used as the second magnetic thin film 5 of GdFe is a transition metal dominant (TM-r).
ich) It can be said that the transfer can be performed better than the magnetic transfer when the GdFe film is used as the second magnetic thin film 5.

【0034】図5は図2で示した光磁気記録媒体1を構
成しTbFe膜を用いた第1の磁性薄膜4及びDyFe
Co膜を用いた第3の磁性薄膜6の保磁力Hcの温度変
化を示したグラフである。
FIG. 5 shows the magneto-optical recording medium 1 shown in FIG. 2 and a first magnetic thin film 4 using a TbFe film and a DyFe film.
6 is a graph showing a temperature change of a coercive force Hc of a third magnetic thin film 6 using a Co film.

【0035】図5中、「Coercivity Hc」
(単位:kOe)は保磁力、「1st Layer(T
bFe)」はTbFe膜を用いた第1の磁性薄膜4の保
磁力、「3rd Layer(DyfeCo)」はDy
FeCo膜を用いた第3の磁性薄膜6の保磁力をそれぞ
れ示している。
In FIG. 5, "Coercity Hc"
(Unit: kOe) is the coercive force and “1st Layer (T
bFe) is the coercive force of the first magnetic thin film 4 using a TbFe film, and “3rd Layer (DyfeCo)” is Dy
The coercive force of the third magnetic thin film 6 using the FeCo film is shown.

【0036】図5に示すように、保磁力Hcの温度に対
する大小関係より、DyFeCo膜を用いた第3の磁性
層6からTbFe膜を用いた第1の磁性層4への磁気転
写が起こり得る温度範囲は、370K〜420Kである
ことが分かる。この転写温度領域での界面磁壁磁壁エネ
ルギーの安定性を議論するために、上記転写温度領域の
中央値395Kにおける三層磁性膜(第1、第2、第3
の磁性薄膜)4,5,6を有する光磁気記録媒体1の内
部での副格子磁化の反転状態を図6及び図7に示す。
As shown in FIG. 5, magnetic transfer from the third magnetic layer 6 using the DyFeCo film to the first magnetic layer 4 using the TbFe film may occur due to the magnitude relationship between the coercive force Hc and the temperature. It can be seen that the temperature range is 370K to 420K. In order to discuss the stability of the interface domain wall domain wall energy in this transfer temperature range, a three-layer magnetic film (first, second, and third layers) at a median value of 395 K in the transfer temperature range was used.
FIGS. 6 and 7 show the reversal state of the sublattice magnetization in the magneto-optical recording medium 1 having the magnetic thin films 4, 5, and 6.

【0037】図6は遷移金属優勢(TM−rich)膜
のGdFeを第2の磁性層5として用いた場合のGd組
成(Gdx Fe1-x )に対する光磁気記録媒体1の副格
子磁化の反転状態を示すグラフである。
FIG. 6 shows the relationship between the Gd composition (Gd x Fe 1 -x ) and the sublattice magnetization of the magneto-optical recording medium 1 when GdFe of the transition metal dominant (TM-rich) film is used as the second magnetic layer 5. It is a graph which shows an inversion state.

【0038】図6中、「Angle of rate
earth moment」(単位:deg)は磁化反
転角度、x軸は三層磁性膜の領域(各層の膜厚)をそれ
ぞれ示している。「TbFe」はTbFeにより構成さ
れた第1の磁性層4の領域(厚み)、「GdFe」はG
dFeにより構成された第2の磁性層5の領域、「Dy
FeCo」はDyFeCoにより構成された第3の磁性
薄膜6の領域をそれぞれ示している。第2の磁性層5で
ある「GdFe」の厚さは150オングストローム。
「x=0.15」、「x=0.18」、「x=0.1
9」、「x=0.203」、「x=0.21」、「x=
0.24」はそれぞれ遷移金属優勢(TM−rich)
膜のGdFeを第2の磁性層5として用いた場合のGd
組成(GdxFe1-x )における原子含有量比x を示
す。
In FIG. 6, "Angle of rate"
The “earth moment” (unit: deg) indicates the magnetization reversal angle, and the x-axis indicates the region (thickness of each layer) of the three-layer magnetic film. “TbFe” is the region (thickness) of the first magnetic layer 4 made of TbFe, and “GdFe” is G
The region of the second magnetic layer 5 composed of dFe, “Dy
“FeCo” indicates a region of the third magnetic thin film 6 made of DyFeCo. The thickness of “GdFe” as the second magnetic layer 5 is 150 Å.
“X = 0.15”, “x = 0.18”, “x = 0.15”
9 "," x = 0.203 "," x = 0.21 "," x =
0.24 ”indicates transition metal dominance (TM-rich)
Gd when GdFe of the film is used as the second magnetic layer 5
The atomic content ratio x in the composition (Gd x Fe 1-x ) is shown.

【0039】図7は希土類金属優勢(RE−rich)
膜のGdFeを第2の磁性層5として用いた場合のGd
組成(Gdx Fe1-x )に対する光磁気記録媒体1の副
格子磁化の反転状態を示すグラフである。
FIG. 7 shows rare earth metal dominance (RE-rich).
Gd when GdFe of the film is used as the second magnetic layer 5
5 is a graph showing the reversal state of the sublattice magnetization of the magneto-optical recording medium 1 with respect to the composition (Gd x Fe 1-x ).

【0040】図7中、「x=0.27」、「x=0.3
15」、「x=0.33」、「x=0.36」、「x=
0.39」、「x=0.41」はそれぞれ希土類金属優
勢(RE−rich)膜のGdFeを第2の磁性層5と
して用いた場合のGd組成(Gdx Fe1-x )における
原子含有量比x を示す。
In FIG. 7, "x = 0.27", "x = 0.3
15 "," x = 0.33 "," x = 0.36 "," x =
“0.39” and “x = 0.41” indicate the atomic content in the Gd composition (Gd x Fe 1-x ) when GdFe of the rare-earth metal dominant (RE-rich) film is used as the second magnetic layer 5. Shows quantitative ratio x.

【0041】上記した図6、図7において、磁化反転角
度は、光磁気記録媒体1の薄膜面内磁化方向を0度と
し、薄膜垂直磁化方向を+90°、逆向きの薄膜垂直磁
化方向を−90°で表示している。磁化反転が第2の磁
性層5内で大きく起こることで、界面磁壁エネルギーの
大部分が第2の磁性層5内に存在し安定になると考えら
れる。
6 and 7, the magnetization reversal angle is such that the in-plane magnetization direction of the thin film of the magneto-optical recording medium 1 is 0 °, the perpendicular magnetization direction of the thin film is + 90 °, and the perpendicular magnetization direction of the opposite thin film is −. Displayed at 90 °. It is considered that when the magnetization reversal occurs largely in the second magnetic layer 5, most of the interface domain wall energy exists in the second magnetic layer 5 and becomes stable.

【0042】図6においては、第2の磁性層5の補償組
成(室温で保磁力Hcが無限大となる組成)に近い24
at.%(同図中、x=0.24)のGd組成を用いた
第2の磁性層5を有する光磁気記録媒体1の場合、大き
く磁化反転する領域が第2の磁性層5から第1の磁性層
4(同図中、「GdFe」から「TbFe」)側にシフ
トし、界面磁壁エネルギーが第1の磁性層4側へしみだ
していると考えられる。
In FIG. 6, 24 is close to the compensating composition of the second magnetic layer 5 (composition at which the coercive force Hc becomes infinite at room temperature).
at. % (X = 0.24 in the figure) of the magneto-optical recording medium 1 having the second magnetic layer 5 using the Gd composition, the region where the magnetization is largely reversed is shifted from the second magnetic layer 5 to the first magnetic layer. It is considered that the magnetic field shifts toward the magnetic layer 4 (from “GdFe” to “TbFe” in the figure) and the interface domain wall energy seeps toward the first magnetic layer 4.

【0043】同様に、図7においても、第2の磁性層5
の補償組成に近い27at.%(同図中、x=0.2
7)のGd組成を用いた第2の磁性層5を有する光磁気
記録媒体1の場合、大きく磁化反転する領域が第2の磁
性層5から第1の磁性層4(同図中、「GdFe」から
「TbFe」)側にシフトし、界面磁壁エネルギーが第
1の磁性層4側へしみだしていると考えられる。
Similarly, in FIG. 7, the second magnetic layer 5
27 at. % (X = 0.2 in FIG.
7), in the case of the magneto-optical recording medium 1 having the second magnetic layer 5 using the Gd composition, the region where the magnetization is largely reversed is changed from the second magnetic layer 5 to the first magnetic layer 4 ("GdFe" in FIG. ) To the “TbFe”) side, and it is considered that the interface domain wall energy is seeping out to the first magnetic layer 4 side.

【0044】図8はTbFeを用いた第1の磁性薄膜4
と遷移金属優勢(TM−rich)膜のGdFeを用い
た第2の磁性層5とDyFeCoを用いた第3の磁性薄
膜6とを備えた光磁気記録媒体1において、第2の磁性
層5を構成するGd組成(Gdx Fe1-x )の原子含有
量比x を変化させた場合の界面磁壁エネルギーの温度依
存性をそれぞれ比較したグラフである。
FIG. 8 shows a first magnetic thin film 4 using TbFe.
And a second magnetic layer 5 using GdFe of a transition metal dominant (TM-rich) film and a third magnetic thin film 6 using DyFeCo. It is the graph which compared the temperature dependence of the interface magnetic wall energy at the time of changing the atomic content ratio x of the Gd composition (Gd x Fe 1-x ).

【0045】図8中、「Gd.15 Fe.85 」は第2の磁
性層5のGd組成(Gdx Fe1-x)における原子含有
量比x をx=0.15とした場合、以下同様に、「Gd.18
.82 」はx=0.18、「Gd.19 Fe.81 」はx=0.19、
「Gd.21 Fe.79 」はx=0.21、「Gd.24 Fe.76
はx=0.24とした場合をそれぞれ示す。
In FIG. 8, “Gd .15 Fe .85 ” is the same as follows when the atomic content ratio x in the Gd composition (Gd x Fe 1 -x ) of the second magnetic layer 5 is x = 0.15. , "Gd .18 F
e .82 "is x = 0.18," Gd .19 Fe .81 "is x = 0.19,
"Gd .21 Fe .79" is x = 0.21, "Gd .24 Fe .76"
Indicates the case where x = 0.24.

【0046】図9はTbFeを用いた第1の磁性薄膜4
と希土類金属優勢(RE−rich)膜のGdFeを用
いた第2の磁性層5とDyFeCoを用いた第3の磁性
薄膜6とを備えた光磁気記録媒体1において、第2の磁
性層5を構成するGd組成(Gdx Fe1-x )の原子含
有量比x を変化させた場合の界面磁壁エネルギーの温度
依存性をそれぞれ比較したグラフである。
FIG. 9 shows a first magnetic thin film 4 using TbFe.
And a second magnetic layer 5 using GdFe of a rare-earth metal predominant (RE-rich) film and a third magnetic thin film 6 using DyFeCo. It is the graph which compared the temperature dependence of the interface magnetic wall energy at the time of changing the atomic content ratio x of the Gd composition (Gd x Fe 1-x ).

【0047】図9中、「Gd.27 Fe.73 」は第2の磁
性層5のGd組成(Gdx Fe1-x)における原子含有
量比x をx=0.27とした場合、以下同様に、「Gd.30
.30 」はx=0.30、「Gd.33 Fe.67 」はx=0.33、
「Gd.36 Fe.36 」はx=0.36、「Gd.39 Fe.61
はx=0.39、「Gd.41 Fe.41 」はx=0.41とした場合を
それぞれ示す。
In FIG. 9, “Gd .27 Fe .73 ” is the same as follows when the atomic content ratio x in the Gd composition (Gd x Fe 1 -x ) of the second magnetic layer 5 is x = 0.27. , "Gd .30 F
e .30 "is x = 0.30," Gd .33 Fe .67 "is x = 0.33,
"Gd .36 Fe .36" is x = 0.36, "Gd .39 Fe .61"
Respectively are x = 0.39, "Gd .41 Fe .41" as the case of the x = 0.41.

【0048】図8、図9中、2種類の組成(x=0.2
4及びx=0.27)の第2の磁性層5を用いた光磁気
記録媒体1では、こうした組成を持たない第2の磁性層
5を用いた光磁気記録媒体と異なり,どちらの組成の場
合も、界面磁壁エネルギーが温度395Kで第1の磁性
薄膜4のブロッホ磁壁エネルギーに重なっていることが
分かる。
8 and 9, two types of compositions (x = 0.2
4 and x = 0.27), the magneto-optical recording medium 1 using the second magnetic layer 5 does not have such a composition, unlike the magneto-optical recording medium using the second magnetic layer 5 having no such composition. Also in this case, it can be seen that the interface domain wall energy overlaps the Bloch domain wall energy of the first magnetic thin film 4 at a temperature of 395K.

【0049】即ち、図8に示す温度395Kにおいて、
第2の磁性層5を構成するGd組成「Gd.24
.76 」は第1の磁性薄膜4の「σB of 1st L
ayer(TbFe)」に重なっており、また、図9に
示す温度395Kにおいて、第2の磁性層5を構成する
Gd組成「Gd.27 Fe.73 」は第1の磁性薄膜4の
「σB of 1st Layer(TbFe)」に重な
っていることで分かる。
That is, at a temperature of 395 K shown in FIG.
The Gd composition “Gd .24 F” constituting the second magnetic layer 5
e.76 ”is“ σ B of 1st L ”of the first magnetic thin film 4.
at the temperature of 395 K shown in FIG. 9, the Gd composition “Gd .27 Fe .73 ” constituting the second magnetic layer 5 is changed to “σ B ” of the first magnetic thin film 4. of 1st Layer (TbFe) ".

【0050】この結果,図8、図9に示す第2の磁性層
5の補償組成に近い「Gd.24 Fe.76 」、「Gd.27
Fe.73 」のGd組成を用いた第2の磁性層5を有する
光磁気記録媒体1の場合、大きく磁化反転する領域が第
1の磁性層4の「σB of1st Layer(TbF
e)」側にシフトし,界面磁壁エネルギーが第1の磁性
層4側へしみだしていると考えられる。磁壁エネルギー
σw は,上述した(2)式の如くに、 σw =約2{(A1 1 1/2 +(A2 2 1/2 } ・・(2) 但し、A1 :第1の磁性薄膜の交換スティフネス定数 A2 :第2の磁性薄膜の交換スティフネス定数 K1 :第1の磁性薄膜の実効的異方性定数 K2 :第2の磁性薄膜の実効的異方性定数 で表すことができるため,AK積の小さい側に界面磁壁
はシフトすると考えられる。従って、第2の磁性層5の
垂直磁気異方性エネルギーを下げることで,界面磁磁壁
は,安定することになる。
[0050] As a result, 8, close to the compensation composition of the second magnetic layer 5 shown in FIG. 9 "Gd .24 Fe .76", "Gd .27
For the magneto-optical recording medium 1 having a second magnetic layer 5 using a Gd composition of Fe .73 "region of increasing magnetization reversal of the first magnetic layer 4" σ B of1st Layer (TbF
e) ”, it is considered that the interface domain wall energy is seeping out to the first magnetic layer 4 side. The domain wall energy σ w is given by σ w = approximately 2K (A 1 K 1 ) 1/2 + (A 2 K 2 ) 1/2 } (2) as in the above equation (2). 1 : Exchange stiffness constant of the first magnetic thin film A 2 : Exchange stiffness constant of the second magnetic thin film K 1 : Effective anisotropic constant of the first magnetic thin film K 2 : Effective difference of the second magnetic thin film Since it can be expressed by the isotropic constant, it is considered that the interface domain wall shifts to the side where the AK product is smaller. Therefore, by reducing the perpendicular magnetic anisotropy energy of the second magnetic layer 5, the interface domain wall becomes stable.

【0051】図10は希土類金属優勢(RE−ric
h)膜のGdFeを第2の磁性層5として用た場合のG
d組成に対する実効的異方性の温度依存性を示したグラ
フである。
FIG. 10 shows that rare earth metal dominates (RE-ric
h) G when the film GdFe is used as the second magnetic layer 5
5 is a graph showing the temperature dependence of effective anisotropy with respect to d composition.

【0052】図10中、「x=0.27」、「x=0.
30」、「x=0.316」、「x=0.3」、「x=
0.36」、「x=0.39」、「x=0.41」はそ
れぞれ希土類金属勢(RE−rich)膜のGdFeを
第2の磁性層5として用いた場合のGd組成(Gdx
1-x )における原子含有量比x を示す。
In FIG. 10, "x = 0.27", "x = 0.
30, "x = 0.316", "x = 0.3", "x =
“0.36”, “x = 0.39”, and “x = 0.41” respectively indicate the Gd composition (Gd x ) when GdFe of the rare earth metal (RE-rich) film is used as the second magnetic layer 5. F
e 1-x ) represents the atomic content ratio x.

【0053】図10から明らかなように、磁気転写が行
われ得る温度領域で第2の磁性層5の異方エネルギーが
負となる,即ち第2の磁性層5が面内磁気異方性を持つ
組成領域は,Gd成が約32at.%以上である。この
組成領域では,界面磁壁の大部分は第2の磁性層5内に
存在し安定することになる。
As is apparent from FIG. 10, the anisotropic energy of the second magnetic layer 5 becomes negative in a temperature range where magnetic transfer can be performed, that is, the second magnetic layer 5 has in-plane magnetic anisotropy. The composition region having a Gd composition of about 32 at. % Or more. In this composition region, most of the interface domain wall exists in the second magnetic layer 5 and becomes stable.

【0054】以上より,希土類−3d遷移金属から成る
アモルファス薄膜で,垂直磁気異方性を有する第1及び
第3の薄膜が,第2の磁性薄膜を挟んで成膜された記録
薄膜媒体において,第1及び第3の磁性層が第2の磁性
層を介して,順次磁気的に結合して積層されており,そ
の結合状態を制御することを目的とした第2の磁性薄膜
は,希土類金属優勢(RE−rich)膜で,希土類と
3d遷移金属の交換エネルギーが小さく,少なくとも1
00℃以上で面内方向に磁気異方性を有する膜となって
いることが記録特性改善に有効であると言える。
As described above, in the recording thin film medium in which the first and third thin films having perpendicular magnetic anisotropy, which are amorphous thin films made of a rare earth-3d transition metal, are formed with the second magnetic thin film interposed therebetween, The first and third magnetic layers are sequentially magnetically coupled and laminated via the second magnetic layer, and the second magnetic thin film for controlling the coupling state is made of a rare earth metal. The dominant (RE-rich) film has a small exchange energy between rare earth and 3d transition metal,
It can be said that a film having magnetic anisotropy in the in-plane direction at 00 ° C. or more is effective for improving the recording characteristics.

【0055】[実施例2]上述した本発明の実施例1の
如く、界面磁壁エネルギーの温度特性は、中間層(第2
の磁性層5)の磁化の温度特性及び実効的異方性の温度
特性に大きく依存するものである。従って、これら磁化
及び実効的異方性を制御することで、界面磁壁エネルギ
ーの温度特性をさらに向上させることが可能となる。
[Embodiment 2] As in Embodiment 1 of the present invention described above, the temperature characteristic of the interface domain wall energy is
This greatly depends on the temperature characteristics of the magnetization of the magnetic layer 5) and the temperature characteristics of the effective anisotropy. Therefore, by controlling the magnetization and the effective anisotropy, the temperature characteristics of the interface domain wall energy can be further improved.

【0056】分子場理論における希土類と3d遷移金属
の間に働く交換エネルギー、即ち、GdFe中間層では
Gd−Fe間の交換エネルギーを制御することが、上記
温度特性制御に対して有効である。中間層にBi,Sn
といった元素を添加すると補償温度が下がり、希土類と
遷移金属の間に働く交換エネルギーを下げることが可能
である。
Controlling the exchange energy acting between the rare earth and the 3d transition metal in the molecular field theory, that is, the exchange energy between Gd-Fe in the GdFe intermediate layer, is effective in controlling the temperature characteristics. Bi, Sn in the middle layer
Addition of such an element lowers the compensation temperature and can reduce the exchange energy acting between the rare earth and the transition metal.

【0057】図11は光磁気記録媒体1を構成する第2
の磁性層5における磁化の温度依存性を、第2の磁性層
5に希土類金属優勢(RE−rich)膜のGdFeを
用いた場合と遷移金属優勢(TM−rich)膜のGd
Feを用いた場合とを比較したグラフである。
FIG. 11 shows a second example of the magneto-optical recording medium 1.
The temperature dependence of the magnetization in the magnetic layer 5 is determined by comparing the case where the rare earth metal dominant (RE-rich) film GdFe is used for the second magnetic layer 5 with the transition metal dominant (TM-rich) film GdFe.
It is the graph which compared the case where Fe was used.

【0058】図11中、「GdFe(J GdFe =−1.
7×10-15 erg」は希土類金属優勢膜のGdFeを用
いた第2の磁性層5におけるGd−Fe間の交換エネル
ギーを、−1.7×10-15 ergとした場合の磁化の
温度依存性、「GdFe(JGdFe =−1.2×10
-15 erg」は希土類金属優勢膜のGdFeを用いた第2
の磁性層5におけるGd−Fe間の交換エネルギーを−
1.2×10-15 ergとした場合の磁化の温度依存性
をそれぞれ示している。
In FIG. 11, "GdFe (J GdFe = -1.
“7 × 10 −15 erg” indicates the temperature dependence of magnetization when the exchange energy between Gd and Fe in the second magnetic layer 5 using GdFe of the rare earth metal dominant film is set to −1.7 × 10 −15 erg. , “GdFe (J GdFe = −1.2 × 10
-15 erg "is the second rare earth metal dominant film using GdFe.
The exchange energy between Gd-Fe in the magnetic layer 5 of FIG.
The graph shows the temperature dependence of the magnetization at 1.2 × 10 −15 erg.

【0059】図12は光磁気記録媒体1を構成する第2
の磁性層5における異方性の温度依存性を第2の磁性層
5に希土類金属優勢(RE−rich)膜のGdFeを
用いた場合と希土と3d遷移金属の間に働く交換エネル
ギーを下げた希土類金属優勢(RE−rich)膜のG
dFeを用いた場合とで比較したグラフである。
FIG. 12 shows a second example of the magneto-optical recording medium 1.
The temperature dependency of the anisotropy in the magnetic layer 5 is reduced by reducing the exchange energy acting between the rare earth and the 3d transition metal when the rare earth metal dominant (RE-rich) film GdFe is used for the second magnetic layer 5. Of rare earth metal predominant (RE-rich) film
It is the graph which compared with the case where dFe was used.

【0060】図12中、「Ku of GdFe(J
GdFe=−1.7×10-15 erg)」は希土類金属優勢
(RE−rich)膜のGdFeを用いた第2の磁性薄
膜5におけるGd−Fe間の交換エネルギーを−1.7
×10-15 ergとした場合の真の異方性の温度依存
性、「Ku of GdFe(JGdFe=−1.2×10
-15erg)」は希土類金属優勢(RE−rich)膜のG
dFeを用いた第2の磁性薄膜5におけるGd−Fe間
の交換エネルギーを−1.2×10-15 ergとした場
合の真の異方性の温度依存性、「Ku−2πMs2
f GdFe(JGdFe=−1.2×10-15 erg)」は希
土類金属優勢(RE−rich)膜のGdFeを用いた
第2の磁性薄膜5におけるGd−Fe間の交換エネルギ
ーを−1.2×10-15 ergとした場合の実効的異方
性の温度依存性、そして、「Ku−2πMs2 of
GdFe(JGdFe=−1.7×10-15 erg)」は希土類
金属優勢(RE−rich)膜のGdFeを用いた第2
の磁性薄膜5におけるGd−Fe間の交換エネルギーを
−1.7×10-15 ergとした場合の実効的異方性の
温度依存性それぞれ示している。
In FIG. 12, “Ku of GdFe (J
“GdFe = −1.7 × 10 −15 erg)” means that the exchange energy between Gd—Fe in the second magnetic thin film 5 using the rare earth metal dominant (RE-rich) film GdFe is −1.7.
The temperature dependence of the true anisotropy when × 10 −15 erg, “Ku of GdFe (J GdFe = −1.2 × 10
-15 erg) is the rare earth metal predominant (RE-rich) film G
Temperature dependence of true anisotropy when the exchange energy between Gd-Fe in the second magnetic thin film 5 using dFe is -1.2 × 10 −15 erg, “Ku−2πMs 2 o”
“f GdFe (J GdFe = −1.2 × 10 −15 erg)” means that the exchange energy between Gd—Fe in the second magnetic thin film 5 using GdFe of the rare earth metal dominant (RE-rich) film is −1. Temperature dependence of effective anisotropy at 2 × 10 −15 erg, and “Ku−2πMs 2 of
GdFe (J GdFe = −1.7 × 10 −15 erg) ”is the second rare earth metal dominant (RE-rich) film using GdFe.
Temperature dependence of the effective anisotropy when the exchange energy between Gd-Fe in the magnetic thin film 5 is -1.7 × 10 −15 erg.

【0061】図11、図12は、Gd−Fe間の交換エ
ネルギーを−1.7×10-15 ergから−1.2×1
-15 ergに下げた場合の磁化及び異方性の温度特性
を示したものであり、上述した図3及び図4と比較する
と分かるように、磁化及び実効的異方性が大きく変動し
ている。Gd−Fe間の交換エネルギーを下げた場合で
は、磁化が温度上昇に対してほぼ直線的に減少し、その
結果、実効的異方性が上に凸なカーブを描き、急激に増
大している。
FIGS. 11 and 12 show that the exchange energy between Gd and Fe is changed from -1.7 × 10 -15 erg to -1.2 × 1.
The graph shows the temperature characteristics of magnetization and anisotropy when the temperature is reduced to 0 -15 erg. As can be seen from comparison with FIGS. 3 and 4 described above, the magnetization and effective anisotropy vary greatly. I have. When the exchange energy between Gd-Fe is reduced, the magnetization decreases almost linearly with the temperature rise, and as a result, the effective anisotropy draws a convex curve and increases sharply. .

【0062】図13は界面磁壁エネルギーの温度依存性
を、図2の比較で用いた中間層である第2磁性層5に希
土類金属優勢(RE−rich)膜を用いた場合と中間
層である第2の磁層5に,希土類と3d遷移金属の間に
働く交換エネルギーを下げた希土類金属優勢(RE−r
ich)膜を用いた場合とで比較したグラフである。
FIG. 13 shows the temperature dependence of the interface domain wall energy in the case where a rare earth metal dominant (RE-rich) film is used for the second magnetic layer 5 which is the intermediate layer used in the comparison of FIG. The second magnetic layer 5 has a rare-earth metal dominant (RE-r) with a reduced exchange energy acting between the rare earth and the 3d transition metal.
ich) is a graph comparing with the case of using a film.

【0063】図13中、「2nd Layer(JGdFe
=−1.7×10-15 erg)」は希土類金属優勢(RE−
rich)膜を用いた第2の磁性薄膜5においてGd−
Fe間の交換エネルギーを−1.7×10-15 ergと
した場合の界面磁壁エネルギーの温度依存性、「2nd
Layer(JGdFe=−1.2×10-15 erg)」は希
土類優勢(RE−rich)膜を用いた第2の磁性薄膜
5においてGd−Fe間の交換エネルギーを−1.2×
10-15 ergとした場合の界面磁壁エネルギーの温度
依存性をそれぞれ示している。
In FIG. 13, “2nd Layer (J GdFe
= −1.7 × 10 −15 erg) ”means rare earth metal dominant (RE−
rich) in the second magnetic thin film 5 using the film.
Temperature dependence of the interface domain wall energy when the exchange energy between Fe is -1.7 × 10 -15 erg, "2nd
“Layer (J GdFe = −1.2 × 10 −15 erg)” indicates that the exchange energy between Gd—Fe in the second magnetic thin film 5 using the rare-earth dominant (RE-rich) film is −1.2 ×.
The temperature dependence of the interface domain wall energy at 10 −15 erg is shown.

【0064】図13から明らかなように、希土類金属と
3d遷移金属の間に働く交換エネルギーを下げた中間層
(第2の磁性薄膜5)を用いた媒体では、温度上昇に伴
う界面磁壁エネルギーの減少度合いが、さらに緩やかに
なることが分かる。その結果、磁化の転写性は、さらに
向上することになる。
As is apparent from FIG. 13, in the medium using the intermediate layer (second magnetic thin film 5) having a reduced exchange energy acting between the rare earth metal and the 3d transition metal, the interface domain wall energy accompanying the temperature rise is reduced. It can be seen that the degree of decrease becomes more moderate. As a result, the transferability of the magnetization is further improved.

【0065】磁化の転写性の差は、上述した(7)式よ
り、(Hc1−Hw1c1:第1の磁性薄膜の保磁力、H
w1:第1の磁性薄膜が隣接した磁性層から受ける実効的
バイアス磁界)により判断できるといえるが、(Hc1
w1)が負でかつその絶対値が大きい方が転写性が良い
ことになる。
From the above equation (7), the difference in the transferability of the magnetization is expressed by (H c1 −H w1 H c1 : the coercive force of the first magnetic thin film, H
w1: Although the first magnetic thin film can be said to be determined by the effective bias magnetic field) received from the magnetic layer adjacent, (H c1 -
Hw1 ) is negative and the absolute value is large, the better the transferability.

【0066】上述した図2の比較で用いた2種類の媒体
の(Hc1−Hw1)と希土類と3d遷移金属の間に働く交換
エネルギーを下げた中間層を用いた媒体の(Hc1
w1)の温度変化を比較したのが図14である。
The (H c1 −H w1 ) of the two types of media used in the comparison of FIG. 2 and the (H c1 − of the medium using the intermediate layer with a reduced exchange energy acting between the rare earth and the 3d transition metal are used.
FIG. 14 compares the temperature changes of H w1 ).

【0067】図14中、「Hc1−Hw1」(単位:kO
e)は第1の磁性薄膜の保磁力Hc1から第1の磁性薄膜
が隣接した磁性層から受ける実効的バイアス磁界Hw1
減算した値、「TM−rich 2nd Layer
(JGdFe=−1.7×10-15 erg)」は遷移金属優勢
(TM−rich)膜を第2の磁性薄膜5に用いた媒体
においてGd−Fe間の交換エネルギーを−1.7×1
-15 ergとした場合の(Hc1−Hw1)、「RE−r
ich 2nd Layer(JGdFe=−1.7×10
-15 erg)」は希土類金属優勢(RE−rich)膜を第
2の磁性薄膜5に用いた媒体においてGd−Fe間の交
換エネルギーを−1.7×10-15 ergとした場合の
(Hc1−Hw1)、そして、「RE−rich 2nd
Layer(JGdFe=−1.2×10-15 erg)」は希土
類金属優勢(RE−rich)膜を第2の磁性薄膜5に
用いた媒体においてGd−Fe間の交換エネルギーを−
1.2×10-15 ergとした場合の(Hc1−Hw1)を
それぞれ示している。
In FIG. 14, “H c1 −H w1 ” (unit: kO
e) is a value obtained by subtracting the effective bias magnetic field H w1 that the first magnetic thin film receives from the adjacent magnetic layer from the coercive force H c1 of the first magnetic thin film, “TM-rich 2nd Layer”
(J GdFe = −1.7 × 10 −15 erg) ”means that the exchange energy between Gd—Fe in a medium using a transition metal dominant (TM-rich) film as the second magnetic thin film 5 is −1.7 ×. 1
When (H c1 −H w1 ) is set to 0 -15 erg, “RE-r
ich 2nd Layer (J GdFe = −1.7 × 10
-15 erg) when the exchange energy between Gd and Fe is -1.7 × 10 -15 erg in a medium using a rare earth metal predominant (RE-rich) film as the second magnetic thin film 5. c1 −H w1 ) and “RE-rich 2nd
“Layer (J GdFe = −1.2 × 10 −15 erg)” indicates that the exchange energy between Gd—Fe in a medium using a rare-earth metal dominant (RE-rich) film as the second magnetic thin film 5 −
(H c1 −H w1 ) in the case of 1.2 × 10 −15 erg is shown.

【0068】図14から明らかなように、中間層である
第2の磁性層5に遷移金属優勢(TM−rich)膜を
用いた場合より希土類金属優勢(RE−rich)膜を
用いた場合、さらに交換エネルギーを下げた中間層を用
いた媒体の順で(Hc1−Hw1)が低下しているので、こ
の順で、磁化の転写性が向上すると言える。
As is apparent from FIG. 14, when the transition metal dominant (TM-rich) film is used for the second magnetic layer 5 as the intermediate layer, the rare earth metal dominant (RE-rich) film is used. Since (H c1 −H w1 ) decreases in the order of the medium using the intermediate layer with further reduced exchange energy, it can be said that the transferability of magnetization is improved in this order.

【0069】以上より、第2の磁性層5に用いた希土類
金属優勢(RE−rich)膜は、室温で面内ないしは
垂直方向に磁気異方性をもつアモルファス薄膜で、希土
類にGdを、3d遷移金属にFeまたはFeCoを用
い、さらに他の金属Bi、Snといった元素を添加する
ことにより、希土類と3d遷移金属の間に働く交換エネ
ルギーを小さくした膜であることが記録特性改善に有効
であると言える。
As described above, the rare earth metal predominant (RE-rich) film used for the second magnetic layer 5 is an amorphous thin film having magnetic anisotropy in a plane or in a vertical direction at room temperature. By using Fe or FeCo as the transition metal, and further adding elements such as Bi and Sn, a film in which the exchange energy acting between the rare earth and the 3d transition metal is reduced is effective for improving the recording characteristics. It can be said.

【0070】[0070]

【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、界面磁壁
エネルギーを制御する第2の磁性薄膜を第1と第3の磁
性薄膜の中間に設け、その第2の磁性薄膜を少なくとも
高温領域で面内磁気異方性を有する希土類金属優勢組成
とし、Bi,Snといった金属を添加し、ある程度の膜
厚を有する膜とすることで、室温近傍での界面磁壁エネ
ルギーを抑え,温度T1 近傍での磁壁エネルギーを大き
く保つ効果を得ることがでる。これによって、室温での
磁壁の安定化をはかり,かつ,温度T1 近傍で記録磁区
の転写の安定性を高めることが可能となる。また、本発
明は、情報の重ね書きダイレクトオーバーライトの特性
向上を実現することのできる媒体を提供するものにとど
まらず、将来の高密度化のための磁気超解像磁性多層膜
技術に於ける交換結合制御磁性層を改良・制御する上で
も利用可能で、交換結合多層膜による磁気記録・再生機
能の多様化・改良に必須な技術を提供することができ
る。
As described above, according to the present invention, the second magnetic thin film for controlling the interface domain wall energy is provided between the first and third magnetic thin films, and the second magnetic thin film is formed at least in the high temperature region. , A rare earth metal dominant composition having in-plane magnetic anisotropy by adding metals such as Bi and Sn to form a film having a certain film thickness, thereby suppressing the interface magnetic wall energy near room temperature and reducing the temperature near T 1. The effect of keeping the domain wall energy large can be obtained. Thus, work to stabilize the magnetic domain wall at room temperature, and it is possible to improve the stability of the transfer of the recording magnetic domain at temperatures T 1 neighborhood. Further, the present invention is not limited to providing a medium capable of realizing the improvement of the characteristics of the information overwriting direct overwrite, and also relates to a magnetic super-resolution magnetic multilayer film technology for high density in the future. The present invention can be used for improving and controlling the exchange coupling control magnetic layer, and can provide a technique essential for diversifying and improving the magnetic recording / reproducing function by the exchange coupling multilayer film.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の光磁気記録媒体の構造を示す図であ
る。
FIG. 1 is a diagram showing a structure of a magneto-optical recording medium of the present invention.

【図2】光磁気記録媒体を構成する第1の磁性薄膜〜第
3の磁性薄膜の磁化の温度特性、実効的異方性の温度特
性をそれぞれ実測して分子場理論のパラメータを決定し
計算した界面磁壁エネルギーの温度依存性を、第2の磁
性層に希土類金属優勢膜を用いた場合と遷移金属優勢膜
を用いた場合とで比較したグラフである。
FIG. 2 is a graph showing the relationship between a temperature characteristic of magnetization and a temperature characteristic of effective anisotropy of a first magnetic thin film to a third magnetic thin film constituting a magneto-optical recording medium, and determining and calculating parameters of molecular field theory. 7 is a graph comparing the temperature dependence of the interface domain wall energy between a case where a rare earth metal dominant film is used as a second magnetic layer and a case where a transition metal dominant film is used as a second magnetic layer.

【図3】光磁気記録媒体を構成する第2の磁性層におけ
る磁化の温度依存性を、第2の磁性層希土類金属優勢膜
のGdFeを用いた場合と遷移金属優勢膜のGdFeを
用いた場合とを比較したグラフである。
FIG. 3 shows the temperature dependence of the magnetization in the second magnetic layer constituting the magneto-optical recording medium when the GdFe of the rare earth metal dominant film of the second magnetic layer and the GdFe of the transition metal dominant film are used. It is the graph which compared with FIG.

【図4】光磁気記録媒体を構成する第2の磁性層におけ
る異方性の温度依存性を、第2の磁性に希土類金属優勢
膜のGdFeを用いた場合と遷移金属優勢膜のGdFe
を用いた場合で比較したグラフである。
FIG. 4 shows the temperature dependence of the anisotropy in the second magnetic layer constituting the magneto-optical recording medium, when the GdFe of the rare earth metal dominant film is used for the second magnetism and the GdFe of the transition metal dominant film.
Fig. 6 is a graph for comparison in the case of using.

【図5】図2で示した光磁気記録媒体を構成しTbFe
膜を用いた第1の磁性薄膜及びDyFeCo膜を用いた
第3の磁性薄膜の保磁力Hcの温度変化を示したグラフ
である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of the magneto-optical recording medium shown in FIG.
5 is a graph showing a temperature change of coercive force Hc of a first magnetic thin film using a film and a third magnetic thin film using a DyFeCo film.

【図6】遷移金属優勢膜のGdFeを第2の磁性層に用
いた場合のGd組成(Gdx Fe1-x )に対する光磁気
記録媒体の副格子磁化の反転状態を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing the inversion state of the sublattice magnetization of the magneto-optical recording medium with respect to the Gd composition (Gd x Fe 1-x ) when GdFe of the transition metal dominant film is used for the second magnetic layer.

【図7】希土類金属優勢膜のGdFeを第2の磁性層に
用いた場合のGd組成(GdxFe1-x )に対する光磁
気記録媒体の副格子磁化の反転状態を示すグラフであ
る。
FIG. 7 is a graph showing the inversion state of the sublattice magnetization of the magneto-optical recording medium with respect to the Gd composition (Gd x Fe 1-x ) when GdFe of the rare earth metal dominant film is used for the second magnetic layer.

【図8】TbFeを用いた第1の磁性薄膜と遷移金属優
勢膜のGdFeを用いた第2の磁性層とDyFeCoを
用いた第3の磁性薄膜とを備えた光磁気記録媒体におい
て、第2の磁性層を構成するGd組成(Gdx
1-x )の原子含有量比x を変化させた場合の界面磁壁
エネルギーの温度依存性をそれぞれ比較したグラフであ
る。
FIG. 8 shows a magneto-optical recording medium including a first magnetic thin film using TbFe, a second magnetic layer using GdFe as a transition metal dominant film, and a third magnetic thin film using DyFeCo; Composition of the magnetic layer (Gd x F
5 is a graph comparing the temperature dependence of the interface domain wall energy when the atomic content ratio x of e 1-x ) is changed.

【図9】TbFeを用いた第1の磁性薄膜と希土類金属
優勢膜のGdFeを用いた第2の磁性層とDyFeCo
を用いた第3の磁性薄膜とを備えた光磁気記録媒体にお
いて、第2の磁性層を構成するGd組成(Gdx Fe
1-x )の原子含有量比x を変化させた場合の界面磁壁エ
ネルギーの温度依存性をそれぞれ比較したグラフであ
る。
FIG. 9 shows a first magnetic thin film using TbFe, a second magnetic layer using GdFe of a rare earth metal predominant film, and DyFeCo.
In a magneto-optical recording medium provided with a third magnetic thin film using a magnetic material, a Gd composition (Gd x Fe
6 is a graph comparing the temperature dependence of the interface domain wall energy when the atomic content ratio x of 1-x ) is changed.

【図10】希土類金属優勢(RE−rich)膜のGd
Feを第2の磁性層5として用いた場合Gd組成に対す
る実効的異方性の温度依存性を示したグラフである。
FIG. 10 Gd of rare earth metal predominant (RE-rich) film
6 is a graph showing the temperature dependence of the effective anisotropy with respect to the Gd composition when Fe is used as the second magnetic layer 5.

【図11】光磁気記録媒体を構成する第2の磁性層にお
ける磁化の温度依存性を、第2の磁性層希土類金属優勢
(RE−rich)膜のGdFeを用いた場合と希土類
金属と3d遷移属の間に働く交換エネルギーを下げた希
土類金属優勢(RE−rich)膜のGdFeを用いた
場合とで比較したグラフである。
FIG. 11 shows the temperature dependence of the magnetization in the second magnetic layer constituting the magneto-optical recording medium, in the case where GdFe of the rare earth metal dominant (RE-rich) film of the second magnetic layer is used, and in the case where the rare earth metal is 3d transition. FIG. 9 is a graph comparing a case where GdFe of a rare earth metal predominant (RE-rich) film with a lower exchange energy acting between metal groups is used.

【図12】光磁気記録媒体を構成する第2の磁性層にお
ける異方性の温度依存性を、第2の磁性に希土類金属優
勢膜のGdFeを用いた場合と希土類金属と3d遷移金
属の間に働く交エネルギーを下げた希土類金属優勢膜の
GdFeを用いた場合とで比較したグラフである。
FIG. 12 shows the temperature dependence of the anisotropy in the second magnetic layer constituting the magneto-optical recording medium, when the GdFe of the rare earth metal dominant film is used for the second magnetism and between the rare earth metal and the 3d transition metal. 7 is a graph comparing with the case where GdFe of the rare earth metal dominant film having a lower exchange energy acting on GdFe is used.

【図13】界面磁壁エネルギーの温度依存性を、図2の
比較で用いた中間層である第2の磁性層に希土類金属優
勢(RE−rich)膜を用いた場合と中間層である第
2の磁性層5に,希土類と3d遷移金属の間に働く交換
エネルギーを下げた希土類金属優勢(RE−ich)膜
を用いた場合とで比較したグラフである。
FIG. 13 shows the temperature dependency of the interface domain wall energy between the case where a rare earth metal dominant (RE-rich) film is used for the second magnetic layer which is the intermediate layer used in the comparison of FIG. 7 is a graph comparing a case where a rare earth metal dominant (RE-ich) film having a reduced exchange energy acting between a rare earth and a 3d transition metal is used for the magnetic layer 5 of FIG.

【図14】図2の比較で用いた2種類の光磁気記録媒体
の(Hc1−Hw1)と希土類と3d遷移金属の間に働く交
換エネルギーを下げた第2の磁性層を用いた光磁気記録
媒体の(Hc1−Hw1)の温度変化を比較したグラフであ
る。
FIG. 14 shows the light using the second magnetic layer of the two types of magneto-optical recording media used in the comparison of FIG. 2, in which the exchange energy between the (H c1 −H w1 ), the rare earth and the 3d transition metal is reduced. 4 is a graph comparing temperature changes of (H c1 −H w1 ) of a magnetic recording medium.

【図15】室温から記録温度における光磁気記録媒体の
磁化状態(パラレル結合の場合)を説明るための図であ
る。
FIG. 15 is a diagram for explaining a magnetization state (in the case of parallel coupling) of a magneto-optical recording medium from room temperature to a recording temperature.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 光磁気記録媒体 2 透明基板 3 誘電体膜 4〜6 第1の磁性薄膜〜第3の磁性薄膜 7 保護膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Magneto-optical recording medium 2 Transparent substrate 3 Dielectric film 4-6 First magnetic thin film-Third magnetic thin film 7 Protective film

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも、第1、第2、第3の磁性薄膜
が順次積層された光磁気記録媒体であって、 前記第1及び第3の磁性薄膜は、垂直磁気異方性を有す
る希土類−3d遷移金属から成るアモルファス薄膜から
構成され、かつ前記第2の磁性薄膜を介して磁気的に結
合しており、 前記第2の磁性薄膜は、前記希土類−3d遷移金属との
交換エネルギーが小さくかつ100℃以上で面内方向に
磁気異方性を有する希土類金属優勢(RE−rich)
膜から構成されることを特徴とする光磁気記録媒体。
1. A magneto-optical recording medium in which at least first, second, and third magnetic thin films are sequentially laminated, wherein the first and third magnetic thin films are rare-earth elements having perpendicular magnetic anisotropy. -3d transition metal, and is magnetically coupled via the second magnetic thin film. The second magnetic thin film has a small exchange energy with the rare earth-3d transition metal. Rare earth metal having magnetic anisotropy in the in-plane direction at 100 ° C. or more (RE-rich)
A magneto-optical recording medium comprising a film.
【請求項2】前記第2の磁性薄膜は、室温で面内ないし
は垂直方向に磁気異方性をもつアモルファス薄膜で、希
土類にGd(ガドリニウム)を、3d遷移金属にFe
(鉄)またはFeCo(鉄・コバルト合金)を用い、さ
らに他の金属元素としてBi(ビスマス)、Sn(ス
ズ)を添加することにより、希土類と3d遷移金属との
間に働く交換エネルギーを小さくしたことを特徴とする
請求項1記載の光磁気記録媒体。
2. The second magnetic thin film is an amorphous thin film having in-plane or vertical magnetic anisotropy at room temperature, wherein Gd (gadolinium) is used as a rare earth element and Fe is used as a 3d transition metal.
By using (iron) or FeCo (iron-cobalt alloy) and further adding Bi (bismuth) and Sn (tin) as other metal elements, the exchange energy acting between the rare earth and the 3d transition metal was reduced. 2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein:
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