JPH04117645A - Magneto-optical recording medium - Google Patents

Magneto-optical recording medium

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JPH04117645A
JPH04117645A JP27385390A JP27385390A JPH04117645A JP H04117645 A JPH04117645 A JP H04117645A JP 27385390 A JP27385390 A JP 27385390A JP 27385390 A JP27385390 A JP 27385390A JP H04117645 A JPH04117645 A JP H04117645A
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magnetic
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Kazuhiko Hayashi
一彦 林
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Abstract

PURPOSE:To allow overwriting by thinly inserting an exchange bonding strength control layer between respective magnetic layers constituting magneto-optical recording films. CONSTITUTION:The 1st to 3rd magnetic layers 3 to 5 are successively formed on a substrate 1. The 2nd magnetic layer 4 is formed of a film of <=3 Q expressed by formula Q=Hk/4piMs (where Hk denotes an anisotropic magnetic field and Ms denotes satd. magnetization). Namely, the magnetic layer 4 having weak perpendicular magnetic anisotropy, when inserted between the two layers 3 and 5, acts to smoothly connect the magnetization of the 1st layer 3 and the 3rd layer 5 and, therefore, the energy by the exchange interaction between the two layers 3 and 5 is decreased and the existence of such magnetization state as to anti-parallelly magnetize the two layers 3, 5 is allowed. The stable and good overwriting is possible in this way.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、磁性
層間の磁気的結合力が良好に制御された多層膜よりなる
光磁気記録媒体に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a magneto-optical recording medium, and more particularly to a magneto-optical recording medium comprising a multilayer film in which the magnetic coupling force between magnetic layers is well controlled.

(従来の技術) 近年、初期補助磁界と磁性多層膜を用いることにより、
情報の重ね書きを可能にする光磁気記録方式が注目され
ている。この方式は、 (a)記録媒体として、垂直異方性を有する第1層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第2層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、(b)前記
記録媒体を移動させること、(c)初期補助磁界を印加
することによって、記録前に前記記録補助層の磁化のみ
を上向きまたは下向きのいずれか一方に揃えておくこと
、 (d)レーザビームを前記記録媒体に照射すること、(
e)前記レーザビームの強度を記録すべき2値化情報に
従って、パルス状に変調すること、 (O前記レーザビームを照射した前記記録媒体部分に記
録磁界を印加すること、 (g)前記パルス状に変調したレーザビームの強度が高
レベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化を
有するビットのいずれか一方のビットを形成させ、レー
ザビームの強度が低レベルの時に他方のビットを形成さ
せること、 からなることを特徴とする重ね書き(オーバライド)可
能な記録方法である(例えば特開昭62−175948
号公報参照)。
(Prior art) In recent years, by using an initial auxiliary magnetic field and a magnetic multilayer film,
Magneto-optical recording methods that enable overwriting of information are attracting attention. (a) As a recording medium, a multilayer magneto-optical recording medium is used, in which the first layer having perpendicular anisotropy serves as a recording/reproducing layer, and the second layer having perpendicular anisotropy serves as a recording auxiliary layer. , (b) moving the recording medium; (c) aligning only the magnetization of the recording auxiliary layer either upward or downward before recording by applying an initial auxiliary magnetic field; (d) ) irradiating the recording medium with a laser beam; (
e) modulating the intensity of the laser beam in a pulsed manner according to the binary information to be recorded; (O applying a recording magnetic field to the portion of the recording medium irradiated with the laser beam; Forming one of the bits having upward magnetization and the bit having downward magnetization when the intensity of the laser beam modulated by the laser beam is at a high level, and forming the other bit when the intensity of the laser beam is at a low level; This is an overridable recording method characterized by
(see publication).

オーバライド可能な2層膜媒体のM−Hループは、環境
温度において、第2図に示すようなものでなければなら
ない。
The M-H loop of the overridable bilayer media should be as shown in FIG. 2 at ambient temperature.

例えば、第1磁性層の磁化と第2磁性層の磁化が反対方
向の時にエネルギー的に安定なアンチパラレルタイプの
2層媒体において、第2図に示すようなM−Hループが
得られる条件は、 Hc2−σw / 2M52t2 > 0Hc2;記録
補助層の保磁力 Ms2 ;記録補助層の飽和磁化 L2:記録補助層の膜厚 σW:単位面積当たりの界面磁壁エネルギーを満たすこ
とであるが、2層間の交換結合力が強すぎるとσ7が大
きくなりすぎるため、上式を満たさなくなり、M−Hル
ープは第3図に示したようなループになってしまう。
For example, in an anti-parallel type two-layer medium that is energetically stable when the magnetization of the first magnetic layer and the magnetization of the second magnetic layer are in opposite directions, the conditions for obtaining the M-H loop as shown in Figure 2 are: , Hc2-σw / 2M52t2 >0Hc2; Coercive force Ms2 of the recording auxiliary layer; Saturation magnetization L2 of the recording auxiliary layer: Film thickness of the recording auxiliary layer σW: Satisfying the interfacial domain wall energy per unit area, but the If the exchange coupling force is too strong, σ7 becomes too large, so that the above equation is no longer satisfied, and the M-H loop becomes a loop as shown in FIG.

第2図のようなM−Hループを得るためには、記録層と
記録補助層の間の交換結合力を弱めることが必要である
。交換力を弱める方法としては、2層間にGdFeCo
層を挾む方法が知られている(K、 Aratanie
t、 al、、 5PIE Vol、 1078. p
、 258.0ptical Data Storag
eMeeting、 1989)。
In order to obtain the M-H loop as shown in FIG. 2, it is necessary to weaken the exchange coupling force between the recording layer and the recording auxiliary layer. One way to weaken the exchange force is to add GdFeCo between the two layers.
A method of sandwiching layers is known (K, Aratanie
t, al,, 5PIE Vol, 1078. p
, 258.0ptical Data Storag
eMeeting, 1989).

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、2層間の交換結合力を調節するために用
いられていたGdFeCo制御層は垂直異方性の大きな
膜なので、2層間の結合力を十分弱めることができなか
ったり、2層間の結合力を弱めるには2層間にかなり厚
く制御層を挟む必要があった。このため安定に良好なオ
ーバライド特性を実現できなかった。
(Problem to be solved by the invention) However, since the GdFeCo control layer used to adjust the exchange coupling force between the two layers is a film with large vertical anisotropy, it is not possible to sufficiently weaken the coupling force between the two layers. In some cases, it was necessary to sandwich a fairly thick control layer between the two layers in order to weaken the bonding force between the two layers. For this reason, it was not possible to stably achieve good override characteristics.

本発明の目的は、光磁気記録膜を構成している各磁性層
間に交換結合力制御層を薄く挟むことにより、交換結合
力が適当な値になり、その結果、オーバライドができる
ような光磁気記録媒体を提供することにある。
The purpose of the present invention is to provide a magneto-optical recording film in which the exchange coupling force can be adjusted to an appropriate value by sandwiching a thin exchange coupling force control layer between each magnetic layer constituting the magneto-optical recording film, and as a result, the magneto-optical recording layer can be overridden. The goal is to provide recording media.

(課題を解決するための手段) 本発明は、基板上に記録膜が形成され、レーザ光によっ
て情報の記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体におい
て、基板上には第1.第2および第3の磁性層が順次形
成され、該第2の磁性層は、下記式[I)で表されるQ
; Q=Hk/4πMs・・・(■) (式中、Hkは異方性磁界、M5は飽和磁化を示す)が
3以下の膜で形成されていることを特徴とする光磁気記
録媒体である。
(Means for Solving the Problems) The present invention provides a magneto-optical recording medium in which a recording film is formed on a substrate, and information is recorded, reproduced, and erased using laser light. A second and a third magnetic layer are sequentially formed, and the second magnetic layer has a Q represented by the following formula [I].
; Q=Hk/4πMs...(■) (In the formula, Hk indicates an anisotropic magnetic field and M5 indicates saturation magnetization) is a magneto-optical recording medium characterized by being formed of a film having a value of 3 or less. be.

本発明において、第2の磁性層としては、例えばNdD
yFeCo合金、NdTbFeCo合金、NdGdFe
Co合金、DyGdFeCo合金、NdGdFe合金、
DyGdFe合金、NdFeCo合金、TbFeCo合
金膜、GdTbTeCo合金膜、DyFeCo合金膜、
GdDyFeCo合金膜、DyTbFeC。
In the present invention, as the second magnetic layer, for example, NdD
yFeCo alloy, NdTbFeCo alloy, NdGdFe
Co alloy, DyGdFeCo alloy, NdGdFe alloy,
DyGdFe alloy, NdFeCo alloy, TbFeCo alloy film, GdTbTeCo alloy film, DyFeCo alloy film,
GdDyFeCo alloy film, DyTbFeC.

合金膜等が挙げられる。Examples include alloy films.

(作用ン 2層膜のM−Hループが、第3図に示すような1段階の
反転磁界を持つループになるのは、1層目の磁化と2層
目の磁化が反平行になる磁化状態、即ち第4図(a)お
よび(b)の磁化状態において、2層間の交換相互作用
によるエネルギーが太きいため、このような磁化状態が
存在できないからである。この2層間に垂直磁気異方性
の微弱な磁性層を挟むと、この層は第5図(a)および
(b)のように、1層目と2層目の磁化をスムーズにつ
なぐ働きをするので、2層間の交換相互作用によるエネ
ルギーが減少し、1層目と2層目の磁化が反平行になる
ような磁化状態が存在できるようになり、M−Hループ
は第2図に示すような2段階の反転磁界を持つループに
なる。
(The reason why the M-H loop of a two-layer film becomes a loop with a one-step reversal magnetic field as shown in Figure 3 is because the magnetization of the first layer and the magnetization of the second layer are antiparallel. This is because in the magnetized states shown in Figures 4(a) and (b), such a magnetized state cannot exist because the energy due to the exchange interaction between the two layers is large.There is no perpendicular magnetic difference between these two layers. When a weakly oriented magnetic layer is sandwiched between the layers, this layer acts to smoothly connect the magnetization of the first and second layers, as shown in Figures 5(a) and (b), so there is no exchange between the two layers. The energy due to the interaction decreases, and a magnetization state in which the magnetizations of the first and second layers become antiparallel can exist, and the M-H loop forms a two-stage reversal magnetic field as shown in Figure 2. becomes a loop with .

(実施例) 次に本発明の実施例について、図面を参照して詳細に説
明する。
(Example) Next, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例である光磁気記録媒体の部
分断面図である。媒体構成は、基板1/スペ一サ層21
第1の磁性層3/第2の磁性層4/第3の磁性層51保
護層6である。
FIG. 1 is a partial sectional view of a magneto-optical recording medium which is an embodiment of the present invention. The medium configuration is substrate 1/spacer layer 21.
First magnetic layer 3/second magnetic layer 4/third magnetic layer 51 protective layer 6.

ここで、基板1としては、ポリカーボネート樹脂、エポ
キシ樹脂またはガラス等を用いた基板を使用する。基板
はグループ付きでもグループ無しでも構わない。ガラス
の上に紫外線硬化樹脂等でグループを形成させたもので
もよい。スペーサ層2および保護層6としては、珪素の
窒化物、珪素の酸化物、タンタルの酸化物、アルミニウ
ムの窒化物、アルミニウムの酸化物等が使用できる。ま
た、第1の磁性層3および第3の磁性層5は希土類と遷
移金属の組み合わせからなるアモルファス合金薄膜であ
、る。この場合、希土類としては、例えばTb、Gd、
Dy、Nd、Ho等の中から単独または複数の元素、遷
移金属としてはFe、Co、Ni等の中から単独または
複数の元素を用いる。また、少量のTi、Mo等を添加
することも可能である。
Here, as the substrate 1, a substrate made of polycarbonate resin, epoxy resin, glass, or the like is used. The board can be with or without groups. Groups may be formed on glass using ultraviolet curing resin or the like. As the spacer layer 2 and the protective layer 6, silicon nitride, silicon oxide, tantalum oxide, aluminum nitride, aluminum oxide, etc. can be used. Further, the first magnetic layer 3 and the third magnetic layer 5 are amorphous alloy thin films made of a combination of rare earth elements and transition metals. In this case, the rare earths include, for example, Tb, Gd,
As the transition metal, one or more elements are used from among Dy, Nd, Ho, etc., and one or more elements from Fe, Co, Ni, etc. are used as the transition metal. It is also possible to add a small amount of Ti, Mo, etc.

(1]記録層および補助層の膜厚が180人および60
0人の場合 はじめに、ポリカーボネート(グループ付き)基板/窒
化珪素(800Å)/TbFeCo合金(180人)l
GdTbFeCo合金(600人)l窒化珪素(800
人)という膜構成の媒体を作成した。成膜はすべてRF
マグネトロンスパッタ装置の連続スパッタによる。Tb
FeCo層およびGdTbFeCo層の単層における緒
特性を第1表に示した。
(1) Film thickness of recording layer and auxiliary layer is 180 and 60
In the case of 0 people, polycarbonate (with group) substrate / silicon nitride (800 Å) / TbFeCo alloy (180 people) l
GdTbFeCo alloy (600) Silicon nitride (800
We created a medium with a membrane structure called ``person''. All film formation is done by RF
By continuous sputtering using a magnetron sputtering device. Tb
Table 1 shows the characteristics of the monolayer FeCo layer and GdTbFeCo layer.

この媒体のカーループは、第3図に示すようなループと
なった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層
間の磁気的結合力が強ずぎるためである。この媒体は、
オーバライドができなかった。
The car loop of this medium was as shown in FIG. This is because the magnetic coupling force between the TbFeCo alloy layer and the GdTbFeCo alloy layer is too strong. This medium is
Override was not possible.

(1)中間層にNdDyFeCoを用いる場合ポリカー
ボネート(グループ付き)基板/窒化珪素(800人)
 / TbFeCo合金(180人) / NdDyF
eCo合金(60人)/ GdTbFeCo合金(60
0人)l窒化珪素(800人)という膜構成で媒体を作
成した。NdDyFeCo層の単層での緒特性は第2表
に示すとおりである。
(1) When using NdDyFeCo for the intermediate layer Polycarbonate (with group) substrate/Silicon nitride (800 people)
/ TbFeCo alloy (180 people) / NdDyF
eCo alloy (60 people) / GdTbFeCo alloy (60 people)
A medium was created with a film configuration of 0) l silicon nitride (800). The characteristics of a single NdDyFeCo layer are shown in Table 2.

この媒体のカーループは、第2図に示すようなループに
なった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層
間の磁気的結合力がNdDyFeCo中間層により弱め
られたためである。このときのTbFeCo層およびG
dTbFeCo層の反転磁界は、それぞれ30kOeお
よび0.5kOeであった。
The car loop of this medium was as shown in FIG. This is because the magnetic coupling force between the TbFeCo alloy layer and the GdTbFeCo alloy layer was weakened by the NdDyFeCo intermediate layer. At this time, the TbFeCo layer and G
The switching fields of the dTbFeCo layer were 30 kOe and 0.5 kOe, respectively.

次にこの媒体に対し、 た。Next, for this medium, Ta.

オーバライ ドを実施し まず、線速度11.3m/s、記録周波数3.7MHz
、DuTy比50%、初期補助磁界2.9kOe、記録
磁界3000e、低レベルのレーザビームのパワー4.
0mW、高レベルのレーザビームのパワー13.0mW
の条件で記録し、再生したところ、C/N52dBが得
られた。
First, the override was performed, the linear velocity was 11.3 m/s, and the recording frequency was 3.7 MHz.
, DuTy ratio 50%, initial auxiliary magnetic field 2.9 kOe, recording magnetic field 3000e, low level laser beam power 4.
0mW, high level laser beam power 13.0mW
When recorded and played back under these conditions, a C/N of 52 dB was obtained.

この上に、線速度11.3m/s、記録周波数7.4M
Hz、DuTy比50%、初期補助磁界2.9KOe、
記録磁界3000e−1低レベルのレーザビームのパワ
ー4.OmW高レベルのレーザビームのパワー13.0
mWの条件でオーバライドしたところ、46dBの再生
信号が得られた。エラー発生率は10−5から10−6
であった。このとき3.7MHzの信号(前の情報)は
全く現れなかった。
On top of this, the linear velocity is 11.3 m/s, and the recording frequency is 7.4 M.
Hz, DuTy ratio 50%, initial auxiliary magnetic field 2.9KOe,
Recording magnetic field 3000e-1 Low level laser beam power 4. OmW high level laser beam power 13.0
When overriding was performed under the mW condition, a reproduced signal of 46 dB was obtained. Error rate is 10-5 to 10-6
Met. At this time, the 3.7 MHz signal (previous information) did not appear at all.

(2)中間層にNdTbFeCoを用いる場合ポリカー
ボネート(グループ付き)基板/窒化珪素(800人)
 / TbFeCo合金(180人) / NdTbF
eCo合金(70人)lGdTbFeCo合金(600
人)l窒化珪素(800人)という膜構成で媒体を作成
した。NdTbFeCo層の単層での緒特性は第3表に
示すとおりである。
(2) When using NdTbFeCo for the intermediate layer Polycarbonate (with group) substrate/Silicon nitride (800 people)
/ TbFeCo alloy (180 people) / NdTbF
eCo alloy (70 people) lGdTbFeCo alloy (600 people)
A medium was created with a film configuration of silicon nitride (800). The characteristics of a single NdTbFeCo layer are shown in Table 3.

この媒体のカーループは、第2図に示すようなループに
なった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層
間の磁気的結合力がNdTbFeCo中間層により弱め
られたためである。このときのTbFeCo層およびG
dTbFeCo層の反転磁界は、それぞれ32kOeお
よび0.7kOeであった。
The car loop of this medium was as shown in FIG. This is because the magnetic coupling force between the TbFeCo alloy layer and the GdTbFeCo alloy layer was weakened by the NdTbFeCo intermediate layer. At this time, the TbFeCo layer and G
The switching fields of the dTbFeCo layer were 32 kOe and 0.7 kOe, respectively.

次にこの媒体に対し、オーバライドを実施した。Next, an override was performed on this medium.

まず、線速度11.3m/s、記録周波数3.7MHz
、DuTY比50%、初期補助磁界2.9kOe、記録
磁界3000e、低レベルのレーザビームのパワー4.
0mW、高レベルのレーザビームのパワー13.0mW
の条件で記録し、再生したところ、C/N52dBが得
られた。
First, linear velocity 11.3 m/s, recording frequency 3.7 MHz
, DuTY ratio 50%, initial auxiliary magnetic field 2.9 kOe, recording magnetic field 3000e, low level laser beam power 4.
0mW, high level laser beam power 13.0mW
When recorded and played back under these conditions, a C/N of 52 dB was obtained.

この上に、線速度11.3m/s、記録周波数7.4M
Hz、DuTy比50%、初期補助磁界2.9kOe、
記録磁界3000e、低レベルのレーザビームのパワー
4.0mW。
On top of this, the linear velocity is 11.3 m/s, and the recording frequency is 7.4 M.
Hz, DuTy ratio 50%, initial auxiliary magnetic field 2.9 kOe,
Recording magnetic field 3000e, low level laser beam power 4.0mW.

高レベルのレーザビームのパワー13.0mWの条件で
オーバライドしたところ、44dBの再生信号が得られ
た。−エラー発生率はIG−4から1o−5であった。
When overriding was performed under the condition of a high-level laser beam power of 13.0 mW, a reproduced signal of 44 dB was obtained. - The error rate was IG-4 to 1o-5.

このとき3.7MHzの信号(前の情報)は全く現れな
かった。
At this time, the 3.7 MHz signal (previous information) did not appear at all.

(3)中間層にNdGdFeCoを用いる場合ポリカー
ボネート(グループ付き)基板/窒化珪素(800人)
 / TbFeCo合金(180人)/ NdGdFe
Co合金(50人)lGdTbFeCo合金(600人
)/窒化珪素(800人)という膜構成で媒体を作成し
た。NdGdFeCo層の単層での諸特性は第4表に示
すとおりである。
(3) When using NdGdFeCo for the intermediate layer Polycarbonate (with group) substrate/Silicon nitride (800 people)
/ TbFeCo alloy (180 people) / NdGdFe
Media were created with a film configuration of Co alloy (50 people), lGdTbFeCo alloy (600 people)/silicon nitride (800 people). The properties of the single NdGdFeCo layer are shown in Table 4.

この媒体のカーループは、第2図に示すようなループに
なった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層
間の磁気的結合力がNdGdFeCo中間層により弱め
られたためである。このときのTbFeCo層およびG
dTbFeCo層の反転磁界は、 0.5kOeであった。
The car loop of this medium was as shown in FIG. This is because the magnetic coupling force between the TbFeCo alloy layer and the GdTbFeCo alloy layer was weakened by the NdGdFeCo intermediate layer. At this time, the TbFeCo layer and G
The switching field of the dTbFeCo layer was 0.5 kOe.

それぞれ29kOeおよび 次にこの媒体に対し、オーバライドを実施した。29kOe and Next, an override was performed on this medium.

まず、線速度11.3m/s、記録周波数3.7MHz
、DuTy比50%、初期補助磁界2.9kOe、記録
磁界3000e、低レベルのレーザビームのパワー4.
0mW、高レベルのレーザビームのパワー13.0mW
の条件で記録し、再生したところ、C/N52dBが得
られた。
First, linear velocity 11.3 m/s, recording frequency 3.7 MHz
, DuTy ratio 50%, initial auxiliary magnetic field 2.9 kOe, recording magnetic field 3000e, low level laser beam power 4.
0mW, high level laser beam power 13.0mW
When recorded and played back under these conditions, a C/N of 52 dB was obtained.

この上に、線速度11.3m/s、記録周波数7.4M
Hz、DuTy比50%、初期補助磁界2.9kOe、
記録磁界3000e、低レベルのレーザビームのパワー
4.0mW。
On top of this, the linear velocity is 11.3 m/s, and the recording frequency is 7.4 M.
Hz, DuTy ratio 50%, initial auxiliary magnetic field 2.9 kOe,
Recording magnetic field 3000e, low level laser beam power 4.0mW.

高レベルのレーザビームのパワー13.0mWの条件で
オーバライドしたところ、47dBの再生信号が得られ
た。エラー発生率は10−5から10−6であった。こ
のとき3.7MHzの信号(前の情報)は全く現れなか
った。
When overriding was performed under the condition of a high-level laser beam power of 13.0 mW, a reproduced signal of 47 dB was obtained. The error rate was 10-5 to 10-6. At this time, the 3.7 MHz signal (previous information) did not appear at all.

(4)中間層にDyGdFeCoを用いる場合ポリカー
ボネート(グループ付き)基板l窒化珪素(800人)
/TbFeCo合金(180人)/DyGdFeCo合
金(80人)lGdTbFeCo合金(600人)/窒
化珪素(800人)という膜構成で媒体を作成した。D
yGdFeCo層の単層での諸特性は第5表に示すとお
りである。
(4) When using DyGdFeCo for the intermediate layer Polycarbonate (with group) substrate l Silicon nitride (800 people)
/TbFeCo alloy (180 people)/DyGdFeCo alloy (80 people) IGdTbFeCo alloy (600 people)/Silicon nitride (800 people) A medium was created with a film configuration. D
Various properties of the single layer yGdFeCo layer are shown in Table 5.

この媒体のカーループは、第2図に示すようなループに
なった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層
間の磁気的結合力がDyGdFeCo中間層により弱め
られたためである。このときTbFeCo層およびGd
TbFeCo層の反転磁界は、それぞれ37kOeおよ
び第5表 次にこの媒体に対し、オーバライドを実施した。
The car loop of this medium was as shown in FIG. This is because the magnetic coupling force between the TbFeCo alloy layer and the GdTbFeCo alloy layer was weakened by the DyGdFeCo intermediate layer. At this time, the TbFeCo layer and Gd
The reversal magnetic field of the TbFeCo layer was 37 kOe, respectively.

まず、線速度11.3m/s、記録周波数3.7MHz
、Du、Ty被50%、初期補助磁界2.9kOe、記
録磁界3000e、低レベルのレーザビームのパワー4
.0mW、高レベルのレーザビームのパワー13.0m
Wの条件で記録し、再生したところ、C/N51dBが
得られた。
First, linear velocity 11.3 m/s, recording frequency 3.7 MHz
, Du, Ty coverage 50%, initial auxiliary magnetic field 2.9 kOe, recording magnetic field 3000e, low level laser beam power 4
.. 0mW, high level laser beam power 13.0m
When recording and reproducing under W conditions, a C/N of 51 dB was obtained.

この上に、線速度11.3m/s、記録周波数7.4M
Hz、DuTy比50%、初期補助磁界2.9kOe、
記録磁界3000e、低レベルのレーザビームのパワー
4.0mW、高レベルのレーザビームのパワー13.0
mWの条件でオーバライドしたところ、45dBの再生
信号が得られた。エラー発生率は10−5から10−6
であった。このとき3.7MHzの信号(前の情報)は
全く現れなかった。
On top of this, the linear velocity is 11.3 m/s, and the recording frequency is 7.4 M.
Hz, DuTy ratio 50%, initial auxiliary magnetic field 2.9 kOe,
Recording magnetic field 3000e, low level laser beam power 4.0mW, high level laser beam power 13.0
When overriding was performed under mW conditions, a reproduced signal of 45 dB was obtained. Error rate is 10-5 to 10-6
Met. At this time, the 3.7 MHz signal (previous information) did not appear at all.

(5)中間層にNdGdFeを用いる場合ポリカーボネ
ート(グループ付き)基板/窒化珪素(800人) /
 TbFeCo合金(180入) / NdGdFe合
金(45人)lGdTbFeCo合金(600人)l窒
化珪素(800人)という膜構成で媒体を作成した。N
dGdFe層の単層での諸特性は第6表に示すとおりで
ある。
(5) When using NdGdFe in the intermediate layer Polycarbonate (with group) substrate / Silicon nitride (800 people) /
A medium was created with a film configuration of TbFeCo alloy (180 pieces)/NdGdFe alloy (45 pieces), GdTbFeCo alloy (600 pieces), and silicon nitride (800 pieces). N
The characteristics of the single dGdFe layer are shown in Table 6.

この媒体のカーループは、第2図に示すようなループに
なった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層
間の磁気的結合力がNdGdFe中間層により弱められ
たためである。このときのTbFeCo層およびGdT
bFeCo層の反転磁界は、それぞれ30kOeおよび
第6表 次にこの媒体に対し、オーバライドを実施した。
The car loop of this medium was as shown in FIG. This is because the magnetic coupling force between the TbFeCo alloy layer and the GdTbFeCo alloy layer was weakened by the NdGdFe intermediate layer. The TbFeCo layer and GdT at this time
The reversal field of the bFeCo layer was 30 kOe, respectively.

まず、線速度11.3m/s、記録周波数3.7MHz
、DuTy比50%、初期補助磁界2.9kOe、記録
磁界3000e、低レベルのレーザビームのパワー4.
0mW、高レベルのレーザビームのパワー13.0mW
の条件で記録し、再生したところ、C/N52dBが得
られた。
First, linear velocity 11.3 m/s, recording frequency 3.7 MHz
, DuTy ratio 50%, initial auxiliary magnetic field 2.9 kOe, recording magnetic field 3000e, low level laser beam power 4.
0mW, high level laser beam power 13.0mW
When recorded and played back under these conditions, a C/N of 52 dB was obtained.

この上に、線速度11.3rn/s、記録周波数7.4
MHz、DuTy比50%、初期補助磁界2.9kOe
、記録磁界3000e、低レベルのレーザビームのパワ
ー4.0mW、高レベルのレーザビームのパワー13.
0mWの条件でオーバライドしたところ、46dBの再
生信号が得られた。エラー発生率は10−5から10−
6であった。このとき3.7MHzの信号(前の情報)
は全く現われなかった。
On top of this, the linear velocity is 11.3 rn/s, and the recording frequency is 7.4
MHz, DuTy ratio 50%, initial auxiliary magnetic field 2.9kOe
, recording magnetic field 3000e, low level laser beam power 4.0 mW, high level laser beam power 13.
When overriding was performed under the condition of 0 mW, a reproduced signal of 46 dB was obtained. Error rate is 10-5 to 10-
It was 6. At this time, the 3.7MHz signal (previous information)
did not appear at all.

(6)中間層にDyGdFeを用いる場合ポリカーボネ
ート(グループ付き)基板l窒化珪素(800人) /
 TbFeCo合金(180人) / DyGdFe合
金(70人)lGdTbFeCo合金(600人)l窒
化珪素(800人)という膜構成で媒体を作成した。D
yGdFe層の単層での諸特性は第7表に示すとおりで
ある。
(6) When using DyGdFe in the intermediate layer Polycarbonate (with group) substrate l Silicon nitride (800 people) /
A medium was created with a film configuration of TbFeCo alloy (180 people)/DyGdFe alloy (70 people), GdTbFeCo alloy (600 people), and silicon nitride (800 people). D
The properties of the single yGdFe layer are shown in Table 7.

この媒体のカーループは、第2図に示すようなループに
なった。TbFeCo合金層とGdTbFeCo合金層
間の磁気的結合力がNdGdFe中間層により弱められ
たためである。このときのTbFeCo層およびGdT
bFeCo層の反転磁界は、それぞれ27kOeおよび
次にこの媒体に対し、オーバライドを実施した。
The car loop of this medium was as shown in FIG. This is because the magnetic coupling force between the TbFeCo alloy layer and the GdTbFeCo alloy layer was weakened by the NdGdFe intermediate layer. The TbFeCo layer and GdT at this time
The reversal field of the bFeCo layer was 27 kOe and then an override was performed for this medium.

まず、線速度11.3m/s、記録周波数3.7MHz
、DuTy比50%、初期補助磁界2.9kOe、記録
磁界3000e、低レベルのレーザビームのパワー4.
0mW、高レベルのレーザビームのパワー13.0mW
の条件で記録し、再生したところ、C/N52dBが得
られた。
First, linear velocity 11.3 m/s, recording frequency 3.7 MHz
, DuTy ratio 50%, initial auxiliary magnetic field 2.9 kOe, recording magnetic field 3000e, low level laser beam power 4.
0mW, high level laser beam power 13.0mW
When recorded and played back under these conditions, a C/N of 52 dB was obtained.

この上に、線速度11.3m/s、記録周波数7.4M
Hz、DuTy比50%、初期補助磁界2.9kOe、
記録磁界3000e、低レベルのレーザビームのパワー
4.0mW、高レベルのレーザビームのパワー13.0
mWの条件でオーバライドしたところ、45dBの再生
信号が得られた。エラー発生率は1σ5から10−6で
あった。このとき3.7MHzの信号(前の情報)は全
く現われなかった。
On top of this, the linear velocity is 11.3 m/s, and the recording frequency is 7.4 M.
Hz, DuTy ratio 50%, initial auxiliary magnetic field 2.9 kOe,
Recording magnetic field 3000e, low level laser beam power 4.0mW, high level laser beam power 13.0
When overriding was performed under mW conditions, a reproduced signal of 45 dB was obtained. The error rate was 1σ5 to 10−6. At this time, the 3.7 MHz signal (previous information) did not appear at all.

なお、Qが3以上の磁性膜を中間層に用いて3層膜を作
成したところ、得られたディスクはC/Nが低い、周波
数特性が悪いなどの症状があり、良好なオーバライド特
性は得られなかった。
When a three-layer film was created using a magnetic film with a Q of 3 or more as an intermediate layer, the resulting disk had symptoms such as low C/N and poor frequency characteristics, and good override characteristics were not achieved. I couldn't.

(2)記録層および補助層の膜厚が共に1000人の場
合 ポリカーボネート(グループ付き)基板/窒化珪素(8
00人)/TbFe合金(1000人)/TbFeC0
TbFeCo合金)l窒化珪素(800人)という膜構
成の媒体を作製した。成膜はすべてRFマグネトロンス
パッタ装置の連続スパッタによる。TbFe層およびT
bFeCo層の単層における諸特性を第1表に示した。
(2) When the film thickness of both the recording layer and the auxiliary layer is 1000, polycarbonate (with groups) substrate/silicon nitride (8
00 people) / TbFe alloy (1000 people) / TbFeC0
A medium with a film structure of TbFeCo alloy) l silicon nitride (800 people) was fabricated. All films were formed by continuous sputtering using an RF magnetron sputtering device. TbFe layer and T
Table 1 shows various properties of the single bFeCo layer.

この媒体のカーループは、第3図に示すような1段階し
か反転磁界を持たないループとなった。
The Kerr loop of this medium was a loop having only one level of reversal magnetic field as shown in FIG.

TbFe合金層とTbFeCo合金層間の磁気的結合力
が強すぎるためである。
This is because the magnetic coupling force between the TbFe alloy layer and the TbFeCo alloy layer is too strong.

(1)中間層にNdFeCoを用いる場合衣に、ポリカ
ーボネート(グループ付き)基板l窒化珪素(800人
) / TbFe合金(1000人) / NdFeC
o合金(50人) / TbFeCo合金(1000人
)l窒化珪素(800人)という膜構成で媒体を作製し
た。NdFeCo層の単層での諸特性は第2表に示すと
おりである。
(1) When using NdFeCo for the intermediate layer: Polycarbonate (with group) substrate Silicon nitride (800 layers) / TbFe alloy (1000 layers) / NdFeC
A medium was prepared with a film configuration of o alloy (50 people)/TbFeCo alloy (1000 people) l silicon nitride (800 people). The properties of the single NdFeCo layer are shown in Table 2.

この媒体のカーループは、第2図に示すような2段階の
反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTb
FeCo合金層間の磁気的結合力がNdFeCo中間層
により弱められたためである。このときのTbFe層お
よびTbFeCo層の反転磁界は、それぞれ8.2kO
eおよび4.7kOeであった。
The Kerr loop of this medium became a loop with a two-stage reversal magnetic field as shown in FIG. TbFe alloy layer and Tb
This is because the magnetic coupling force between the FeCo alloy layers was weakened by the NdFeCo intermediate layer. At this time, the reversal magnetic fields of the TbFe layer and TbFeCo layer are each 8.2 kO.
e and 4.7 kOe.

(2)中間層にTbFeCoを用いる場合衣に、ポリカ
ーボネート(グループ付き)基板l窒化珪素(800人
) / TbFe合金(1000人)/ TbFeCo
合金(80人)/TbFeCo合金(1000人)l窒
化珪素(800人)という膜構成で媒体を作製した。第
2層目のTbFeCo層の単層での諸特性は第3表に示
すとおりである。
(2) When using TbFeCo for the intermediate layer: Polycarbonate (with group) substrate l Silicon nitride (800 layers) / TbFe alloy (1000 layers) / TbFeCo
A medium was prepared with a film configuration of alloy (80 people)/TbFeCo alloy (1000 people) and silicon nitride (800 people). The properties of the second TbFeCo layer as a single layer are shown in Table 3.

この媒体のカーループは、第2図に示すような2段階の
反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTb
FeCo合金層間の磁気的結合力がTbFeCo中間層
により弱められたためである。このときのTbFe層お
よび第3層目のTbFeCo層の反転磁界は、それぞれ
6.8kOeおよび5.5kOeであった。
The Kerr loop of this medium became a loop with a two-stage reversal magnetic field as shown in FIG. TbFe alloy layer and Tb
This is because the magnetic coupling force between the FeCo alloy layers was weakened by the TbFeCo intermediate layer. The switching magnetic fields of the TbFe layer and the third TbFeCo layer at this time were 6.8 kOe and 5.5 kOe, respectively.

第3表 (3)中間層にGdTbFeCoを用いる場合衣に、ポ
リカーボネート(グループ付き)基板l窒化珪素(80
0人)/TbFe合金(1000人)/ GdTbFe
Co合金(100人) / TbFeCo合金(100
0人)l窒化珪素(800人)という膜構成で媒体を作
製した。GdTbFeCo層の単層での緒特性は第4表
に示すとおりである。
Table 3 (3) When GdTbFeCo is used for the intermediate layer, polycarbonate (with groups) substrate l silicon nitride (80
0 people) / TbFe alloy (1000 people) / GdTbFe
Co alloy (100 people) / TbFeCo alloy (100 people)
A medium was fabricated with a film configuration of 0) l silicon nitride (800). The characteristics of a single GdTbFeCo layer are shown in Table 4.

この媒体のカーループは、第2図に示すような2段階の
反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTb
FeCo合金層間の磁気的結合力がGdTbFeC。
The Kerr loop of this medium became a loop with a two-stage reversal magnetic field as shown in FIG. TbFe alloy layer and Tb
The magnetic coupling force between the FeCo alloy layers is GdTbFeC.

中間層により弱められたためである。このときのTbF
e層およびTbFeCo層の反転磁界は、それぞれ8.
0kOeおよび4.7kOeであった。
This is because it was weakened by the middle class. TbF at this time
The reversal magnetic field of the e layer and the TbFeCo layer is 8.
They were 0 kOe and 4.7 kOe.

第4表 (4)中間層にDyFeCoを用いる場合衣に、ポリカ
ーボネート(グループ付き)基板l窒化珪素(800人
)/TbFe合金(1000人)/DyFeCo合金(
120人)/ TbFeCo合金(1000人)l窒化
珪素(800人)という膜構成で媒体を作製した。Dy
FeCo層の単層での緒特性は第5表に示すとおりであ
る。
Table 4 (4) When DyFeCo is used for the intermediate layer: Polycarbonate (with groups) substrate l Silicon nitride (800 people) / TbFe alloy (1000 people) / DyFeCo alloy (
A medium was prepared with a film configuration of 120 people)/TbFeCo alloy (1000 people) and silicon nitride (800 people). Dy
The characteristics of a single FeCo layer are shown in Table 5.

この媒体のカーループは、第2図に示すような2段階の
反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTb
FeCo合金層間の磁気的結合力がDyFeCo層によ
り弱められたためである。このときのTbFe層および
TbFeCo層の反転磁界は、それぞれ7.2kOeお
よび5.3kOeであった。
The Kerr loop of this medium became a loop with a two-stage reversal magnetic field as shown in FIG. TbFe alloy layer and Tb
This is because the magnetic coupling force between the FeCo alloy layers was weakened by the DyFeCo layer. The switching magnetic fields of the TbFe layer and TbFeCo layer at this time were 7.2 kOe and 5.3 kOe, respectively.

第5表 (5)中間層にGdDyFeCoを用いる場合衣に、ポ
リカーボネート(グループ付き)基板l窒化珪素(80
0人)/TbFe合金(1000人)/GdDyFeC
o合金(150人)/TbFeCo合金(1000人)
l窒化珪素(800人)という膜構成で媒体を作製した
。GdDyFeCo層の単層での緒特性は第6表に示す
とおりである。
Table 5 (5) When GdDyFeCo is used for the intermediate layer, polycarbonate (with groups) substrate l silicon nitride (80
0 people) / TbFe alloy (1000 people) / GdDyFeC
o alloy (150 people) / TbFeCo alloy (1000 people)
A medium was fabricated with a film configuration of 1 silicon nitride (800 layers). The characteristics of a single GdDyFeCo layer are shown in Table 6.

この媒体のカーループは、第2図に示すような2段階の
反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTb
FeCo合金層間の磁気的結合力がGdDyFeC。
The Kerr loop of this medium became a loop with a two-stage reversal magnetic field as shown in FIG. TbFe alloy layer and Tb
The magnetic coupling force between the FeCo alloy layers is GdDyFeC.

層により弱められたためである。このときのTbFe層
およびTbFeCo層の反転磁界は、それぞれ7.8k
Oeおよび5.2kOeであった。
This is because it was weakened by the layers. At this time, the reversal magnetic fields of the TbFe layer and TbFeCo layer are each 7.8 k.
Oe and 5.2 kOe.

第6表 (6)中間層にDyTbFeCoを用いる場合衣に、ポ
リカーボネート(グループ付き)基板l窒化珪素(80
0人)/TbFe合金(1000人)/DyTbFeC
o合金(130人)/TbFeCo合金(1000人)
l窒化珪素(800人)という膜構成で媒体を作製した
。DyTbFeCo層の単層での緒特性は第7表に示す
とおりである。
Table 6 (6) When DyTbFeCo is used for the intermediate layer, polycarbonate (with groups) substrate l silicon nitride (80
0 people) / TbFe alloy (1000 people) / DyTbFeC
o alloy (130 people) / TbFeCo alloy (1000 people)
A medium was fabricated with a film configuration of 1 silicon nitride (800 layers). The characteristics of a single DyTbFeCo layer are shown in Table 7.

この媒体のカーループは、第2図に示すような2段階の
反転磁界を持つループになった。TbFe合金層とTb
FeCo合金層間の磁気的結合力がDyTbFeC。
The Kerr loop of this medium became a loop with a two-stage reversal magnetic field as shown in FIG. TbFe alloy layer and Tb
The magnetic coupling force between the FeCo alloy layers is DyTbFeC.

層により弱められたためである。このときのTbFe層
およびTbFeCo層の反転磁界は、それぞれ7.0k
Oeおよび5.4kOeであった。
This is because it was weakened by the layers. At this time, the switching magnetic fields of the TbFe layer and TbFeCo layer are each 7.0k.
Oe and 5.4 kOe.

第7表 なお、Qが3を超える磁性膜を中間層に用いて3層膜を
作製したところ、M−Hループは第3図に示すような一
段階の反転磁界しか持たないループになった。
Table 7 Note that when a three-layer film was fabricated using a magnetic film with Q greater than 3 as the intermediate layer, the M-H loop became a loop with only one level of reversal magnetic field as shown in Figure 3. .

(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば磁性層間の磁気的
結合力を調整することが可能になる。
(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, it is possible to adjust the magnetic coupling force between magnetic layers.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の部分断面図、第2図は本発
明の光磁気記録媒体の一例によるM−Hループを示す特
性図、第3図は従来例による光磁気記録媒体の一例のM
−Hループを示す特性図、第4図および第5図は本発明
の詳細な説明するための説明図である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a characteristic diagram showing an M-H loop in an example of the magneto-optical recording medium of the present invention, and FIG. 3 is a diagram of a conventional magneto-optical recording medium. An example of M
The characteristic diagram showing the -H loop, FIGS. 4 and 5 are explanatory diagrams for explaining the present invention in detail.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基板上に記録膜が形成され、レーザ光によって情
報の記録、再生、消去を行う光磁気記録媒体において、
基板上には第1、第2および第3の磁性層が順次形成さ
れ、該第2の磁性層は、 下記式〔 I 〕で表されるQ; Q=H_k/4πM_S・・・( I ) (式中、H_kは異方性磁界、M_Sは飽和磁化を示す
)が3以下の膜で形成されていることを特徴とする光磁
気記録媒体。
(1) In magneto-optical recording media in which a recording film is formed on a substrate and information is recorded, reproduced, and erased using laser light,
First, second, and third magnetic layers are sequentially formed on the substrate, and the second magnetic layer has Q represented by the following formula [I]; Q=H_k/4πM_S...(I) (In the formula, H_k represents an anisotropic magnetic field and M_S represents a saturation magnetization.) A magneto-optical recording medium characterized in that it is formed of a film having a value of 3 or less.
JP27385390A 1989-10-25 1990-10-12 Magneto-optical recording medium Expired - Lifetime JP2621630B2 (en)

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JP27597789 1989-10-25
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JP1-275977 1990-06-13

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0591684U (en) * 1992-05-19 1993-12-14 株式会社ニッショー Pericardial drain catheter
JPH0636367A (en) * 1992-07-20 1994-02-10 Mitsubishi Electric Corp Magneto-optical recording medium

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JPH0636367A (en) * 1992-07-20 1994-02-10 Mitsubishi Electric Corp Magneto-optical recording medium

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