JP2815034B2 - Method for manufacturing magneto-optical recording medium - Google Patents
Method for manufacturing magneto-optical recording mediumInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、磁気力−効果を利用し
てレーザー光により情報の記録・再生を行う光磁気記録
媒体の製造方法に関するものであり、とくに交換結合力
を利用した光磁気記録媒体の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a magneto-optical recording medium for recording / reproducing information by laser light utilizing a magnetic force-effect, and more particularly to a magneto-optical recording medium utilizing an exchange coupling force. The present invention relates to a method for manufacturing a recording medium.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、光磁気記録媒体の記録特性および
記録信号対雑音信号比特性の向上を目的として、光磁気
記録膜として交換結合力の働いた2層の光磁気膜を用い
たものが提案されている(特公平2−35371号公
報)。この光磁気記録媒体は低いキュリー温度を有する
高保磁力の光磁気層に小さな記録パワーで書込むことが
でき、この書込まれた記録マークが高いキュリー温度と
大きな磁気カー効果を有する低保磁力の光磁気層に転写
されるので、この転写された記録マークを読出すことに
より、磁気カー効果の大きな読出を行うことができると
いうものである。2. Description of the Related Art Conventionally, for the purpose of improving the recording characteristics and recording signal-to-noise signal ratio characteristics of a magneto-optical recording medium, a magneto-optical recording film using a two-layer magneto-optical film having an exchange coupling force has been used. It has been proposed (Japanese Patent Publication No. 2-35371). This magneto-optical recording medium can be written with a low recording power on a high coercivity magneto-optical layer having a low Curie temperature, and the written recording mark has a low Curie temperature and a low coercive force having a large magnetic Kerr effect. Since the data is transferred to the magneto-optical layer, by reading the transferred recording marks, it is possible to perform a read with a large magnetic Kerr effect.
【0003】一方、光磁気記録媒体への他の付加機能と
して書込済み情報の有無にかかわらず新たな情報をその
場で書込むことができるオーバーライト機能を付加した
いわゆるオーバーライト可能な光磁気記録媒体も提案さ
れている(例えば、特開平2−158939号公報)。
このオーバーライト可能な光磁気記録媒体は垂直磁化可
能な記録層と垂直磁化可能な補助層とを積層し、先行補
助磁界により記録層の磁化はそのままにして補助層の磁
化のみを書き込みの直前までに「A向き」に揃えるもの
である(層平面に対して磁化の向きが「上向き」又は
「下向き」の何れか一方を「A向き」とし、他方を「逆
A向き」と定義する)。そして、情報に従い高レベルと
低レベルとの間でパルス変調されたレーザー光が記録層
に照射された場合に、(1)高レベルのレーザー光によ
って、室温に戻った状態でいうと、補助層が「逆A向
き」の磁化であり、記録層がPタイプの場合には「逆A
向き」、Aタイプの場合には「A向き」の磁化を有する
記録マークが形成され、(2)低レベルのレーザー光に
よって、室温に戻った状態でいうと、補助層が「A向
き」の磁化であり、記録層がPタイプの場合には「A向
き」、Aタイプの場合には「逆A向き」の磁化を有する
記録マークが形成される。ここでPタイプとは、補助層
の鉄族遷移金属(TM)のスピンと希土類遷移金属(R
E)のスピンとが全体の磁化に対して優勢な方の金属と
記録層のそれとが同じである場合であり、Aタイプとは
異なる場合である。On the other hand, a so-called overwritable magneto-optical device having an overwrite function capable of writing new information on the spot, regardless of the presence or absence of written information, has been added as another additional function to the magneto-optical recording medium. A recording medium has also been proposed (for example, JP-A-2-158939).
This overwritable magneto-optical recording medium is formed by laminating a perpendicularly magnetizable recording layer and a perpendicularly magnetizable auxiliary layer. (The direction of magnetization is defined as “upward” or “downward” with respect to the layer plane, and the other is defined as “reverse A direction”). When the recording layer is irradiated with the laser light pulse-modulated between the high level and the low level according to the information, (1) when the room temperature is returned by the high level laser light, Is "inverse A direction" magnetization, and when the recording layer is a P type, "inverse A direction"
In the case of type A or A type, a recording mark having magnetization of direction A is formed. (2) When the temperature is returned to room temperature by a low-level laser beam, the auxiliary layer is When the recording layer is of a P type, a recording mark having a magnetization of “A direction” is formed, and when the recording layer is of an A type, a recording mark having a magnetization of “Reverse A direction” is formed. Here, the P type means the spin of the iron group transition metal (TM) of the auxiliary layer and the rare earth transition metal (R
The spin of E) is the case where the metal which is more dominant to the whole magnetization and that of the recording layer are the same, and is different from the A type.
【0004】又、先行補助磁界を必要としないオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体も提案されている(第13
回日本応用磁気学会学術講演概要集 講演番号23aC
−4(1989))。このオーバーライト可能な光磁気
記録媒体は上記記録層・補助層の上にさらにスイッチ層
・初期化層と積層し、初期化層の磁化は高レベルのレー
ザー光の照射によっても反転しないようにし、低レベル
のレーザー光照射のときに補助層の磁化が初期化層の磁
化にそろうようにし、高レベルのレーザー光照射のとき
には初期化層の磁化が補助層に影響を与えないようにス
イッチ層がふるまうようにしたものである。There has also been proposed a magneto-optical recording medium capable of overwriting that does not require a preceding auxiliary magnetic field (No. 13).
Of the Annual Meeting of the Japan Society of Applied Magnetics, Lecture No. 23aC
-4 (1989)). This overwritable magneto-optical recording medium is further laminated with a switch layer / initialization layer on the recording layer / auxiliary layer so that the magnetization of the initialization layer is not reversed even by irradiation with a high-level laser beam, The switch layer is arranged so that the magnetization of the auxiliary layer aligns with the magnetization of the initialization layer during low-level laser light irradiation, and the magnetization of the initialization layer does not affect the auxiliary layer during high-level laser light irradiation. It behaves.
【0005】本発明者らも、光磁気層2層の間にさらに
ネオジム(Nd)とガドリニウム(Gd)と鉄(Fe)
とコバルト(Co)とチタン(Ti)とを少なくとも含
む光磁気層を挿入することによって交換結合力を制御で
きる光磁気記録媒体を既に提案している。[0005] The present inventors have also disclosed that neodymium (Nd), gadolinium (Gd) and iron (Fe) are further provided between the two magneto-optical layers.
There has already been proposed a magneto-optical recording medium capable of controlling the exchange coupling force by inserting a magneto-optical layer containing at least cobalt, cobalt (Co) and titanium (Ti).
【0006】次に、従来の光磁気記録媒体の製造方法に
ついて、図面を用いて説明する。図9は従来の一例を説
明するための製造工程図、図10は図9に示す従来例を
用いて製造した光磁気記録媒体の概略断面図である。Next, a method for manufacturing a conventional magneto-optical recording medium will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is a manufacturing process diagram for explaining an example of the related art, and FIG. 10 is a schematic sectional view of a magneto-optical recording medium manufactured using the conventional example shown in FIG.
【0007】図10において、1は基板、20は透明干
渉層、301は第1の光磁気層、302は第2の光磁気
層(NdGdFeCoTi膜)、303は第3の光磁気
層、40は保護層、5は放熱層である。基板1としては
ポリカーボネト樹脂板等が用いられ、透明干渉層2とし
ては窒化シリコン等が用いられる。第1の光磁気層3と
してはTbFe等が用いられ、第3の光磁気層303と
してはGdTbFeCo等が用いられる。保護層40と
しては窒化シリコン、放熱層5の材料としてはAlTi
等が用いられる。このような光磁気記録媒体の各層の成
膜は通常スパッタ装置が用いられる。In FIG. 10, 1 is a substrate, 20 is a transparent interference layer, 301 is a first magneto-optical layer, 302 is a second magneto-optical layer (NdGdFeCoTi film), 303 is a third magneto-optical layer, and 40 is The protective layer 5 is a heat radiation layer. As the substrate 1, a polycarbonate resin plate or the like is used, and as the transparent interference layer 2, silicon nitride or the like is used. For the first magneto-optical layer 3, TbFe or the like is used, and for the third magneto-optical layer 303, GdTbFeCo or the like is used. Silicon nitride is used as the protection layer 40, and AlTi is used as the material of the heat radiation layer 5.
Are used. For forming each layer of such a magneto-optical recording medium, a sputtering apparatus is usually used.
【0008】従来の光磁気記録媒体の製造方法は、図9
に示すように、基板装着工程(a)で基板1をスパッタ
装置内に装着して、スパッタ装置真空排気工程(b)で
真空排気した後に、透明干渉層成膜工程(c)で透明干
渉層2を成膜し、次に第1の光磁気層成膜工程(d)で
第1の光磁気層301を成膜し、次に第2の光磁気層成
膜工程(e)で第2の光磁気層(NdGdFeCoT
i)302を成膜し、次に第3の光磁気層成膜工程
(g)で第3の光磁気層303を成膜し、次に保護層成
膜工程(j)で保護層40を成膜し、最後に放熱層成膜
工程(k)で放熱層5を成膜する。このようにして製造
された光磁気記録媒体をスパッタ装置から光磁気記録媒
体取出工程(l)で取り出すものである。FIG. 9 shows a conventional method of manufacturing a magneto-optical recording medium.
As shown in (a), after mounting the substrate 1 in the sputtering apparatus in the substrate mounting step (a) and evacuating it in the sputtering apparatus evacuation step (b), the transparent interference layer is formed in the transparent interference layer forming step (c). 2, a first magneto-optical layer 301 is formed in a first magneto-optical layer forming step (d), and a second magneto-optical layer is formed in a second magneto-optical layer forming step (e). Magneto-optical layer (NdGdFeCoT)
i) forming a film 302, then forming a third magneto-optical layer 303 in a third magneto-optical layer forming step (g), and then forming a protective layer 40 in a protective layer forming step (j) The heat radiation layer 5 is formed in a heat radiation layer forming step (k). The magneto-optical recording medium thus manufactured is taken out of the sputtering apparatus in the magneto-optical recording medium take-out step (l).
【0009】なお、透明干渉層2を成膜する前に基板1
と透明干渉層2との付着力を強めるために基板1の表面
を少しスパッタエッチングする場合もある。また、放熱
層5は省略する場合もある。Before forming the transparent interference layer 2, the substrate 1
In some cases, the surface of the substrate 1 is slightly sputter-etched in order to increase the adhesive force between the substrate 1 and the transparent interference layer 2. Further, the heat radiation layer 5 may be omitted in some cases.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな上述した従来の方法で製造した光磁気記録媒体は、
記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加して記録され
た情報を読み出す場合、(1)記録層がPタイプの場合
には、低レベルのレーザー光によって記録層に記録され
た「A向き」の磁化を有する記録マークが、「逆A向
き」の磁化を有する記録マークに書き換えられたり、
(2)記録層がAタイプの場合には、低レベルのレーザ
ー光によって記録層に記録された「逆A向き」の磁化を
有する記録マークが、「A向き」の磁化を有する記録マ
ークに書き換えられたり、さらには、記録磁界と同一向
きにバイアス磁界を印加して低レベルのレーザー光を照
射したとき、(1)記録層がPタイプの場合には、高レ
ベルのレーザー光によって記録層に記録された「逆A向
き」の磁化を有する記録マークが、「A向き」の磁化を
有する記録マークに書き換えることが困難になり、
(2)記録層がAタイプの場合には、高レベルのレーザ
ー光によって記録層に記録された「A向き」の磁化を有
する記録マークが、「逆A向き」の磁化を有する記録マ
ークに書き換えることが困難になるという問題があっ
た。However, such a magneto-optical recording medium manufactured by the above-described conventional method has the following problems.
When reading information recorded by applying a bias magnetic field in the same direction as the recording magnetic field, (1) when the recording layer is a P type, the “A direction” recorded on the recording layer by a low-level laser beam is used. The recording mark having the magnetization is rewritten to the recording mark having the magnetization of “reverse A direction”,
(2) When the recording layer is of the A type, the recording mark having the “reverse A direction” magnetization recorded on the recording layer by the low-level laser light is replaced with the recording mark having the “A direction” magnetization. When a low-level laser beam is applied by applying a bias magnetic field in the same direction as the recording magnetic field, (1) when the recording layer is a P-type, the high-level laser beam is applied to the recording layer. It becomes difficult to rewrite the recorded recording mark having the “reverse A direction” magnetization to the recording mark having the “A direction” magnetization,
(2) When the recording layer is of the A type, the recording mark having the “A direction” magnetization recorded on the recording layer by the high-level laser light is rewritten to the recording mark having the “reverse A direction” magnetization. There was a problem that it became difficult.
【0011】本発明者らは、これらの問題を解決すべく
鋭意検討した結果、これらの問題の原因は第1の光磁気
層と第3の光磁気層との相互作用が弱すぎるためである
ことを見出し、本発明に至った。The present inventors have conducted intensive studies to solve these problems, and as a result, the cause of these problems is that the interaction between the first and third magneto-optical layers is too weak. This led to the present invention.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
の製造方法は、基板上に透明干渉層と第1の光磁気層と
第2の光磁気層と第3の光磁気層とをこの順に少なくと
も設け、レーザ光を該基板を通して該第1の光磁気層に
集束して照射することにより情報の書込を行い、レーザ
ー光を該基板を通して該第1の光磁気層に集束して移動
させながら照射することにより情報の読出を行うように
した光磁気記録媒体であって、前記第1の光磁気層は鉄
族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質
合金でかつ少なくとも10℃以上50℃以下でフェリ磁
性を示す膜であり、前記第3の光磁気層は鉄族遷移金属
と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ
少なくとも10℃以上50℃以下でフェリ磁性を示す膜
であり、前記第2の光磁気層はネオジム(Nd)とガド
リニウム(Gd)と鉄(Fe)とコバルト(Co)とチ
タン(Ti)とを少なくとも含む非晶質合金の膜であ
り、前記第1の光磁気層と前記第2の光磁気層とは少な
くとも10℃以上50℃以下で交換結合しており、前記
第2の光磁気層と前記第3の光磁気層とは少なくとも1
0℃以上50℃以下で交換結合している光磁気記録媒体
の製造方法であって、前記第3の光磁気層は前記第2の
光磁気層の表面をスパッタエッチングして平坦化したの
ちに成膜することにより、前記第1の光磁気層と前記第
3の光磁気層との相互作用を強くすることを特徴として
いる。According to a method of manufacturing a magneto-optical recording medium of the present invention, a transparent interference layer, a first magneto-optical layer, a second magneto-optical layer, and a third magneto-optical layer are formed on a substrate. At least in this order, information is written by focusing and irradiating the first magneto-optical layer with the laser light through the substrate, and focusing the laser light on the first magneto-optical layer through the substrate. A magneto-optical recording medium for reading information by irradiating while moving, wherein the first magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and at least A film exhibiting ferrimagnetism at 10 ° C. or more and 50 ° C. or less, wherein the third magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and at least 10 ° C. or more and 50 ° C. or less. A film exhibiting magnetism, wherein the second The magneto-optical layer is a film of an amorphous alloy containing at least neodymium (Nd), gadolinium (Gd), iron (Fe), cobalt (Co), and titanium (Ti). The second magneto-optical layer is exchange-coupled to the second magneto-optical layer at a temperature of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less, and the second magneto-optical layer and the third magneto-optical layer
A method for manufacturing a magneto-optical recording medium which is exchange-coupled at 0 ° C. or more and 50 ° C. or less, wherein said third magneto-optical layer is formed by flattening a surface of said second magneto-optical layer by sputter etching. By forming a film, the interaction between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer is strengthened.
【0013】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第1の光磁気層と第2の光磁
気層と第3の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レ
ーザー光を該基板を通して該第1の光磁気層に集束して
照射することにより情報の書込を行い、レーザー光を該
基板を通して該第1の光磁気層に集束して移動させなが
ら照射することにより情報の読出を行うようにした光磁
気記録媒体であって、前記第1の光磁気層は鉄族遷移金
属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でか
つ少なくとも10℃以上50以下でフェリ磁性を示す垂
直磁化可能な膜であり、前記第3の光磁気層は鉄族遷移
金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金で
かつ少なくとも10℃以上50℃以下でフェリ磁性を示
す垂直磁化可能な膜であり、前記第2の光磁気層はネオ
ジム(Nd)とガドリニウム(Gd)と鉄(Fe)とコ
バルト(Co)とチタン(Ti)とを少なくとも含む非
晶質合金の膜であり、前記第1の光磁気層の磁化の向き
と前記第3の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対して
上向きまたは下向きの何れか一方を「A向き」とし、他
方を「逆A向き」とするとき、前記第1の光磁気層の磁
化はそのままで前記第3の光磁気層の磁化のみが書込の
直前までに先行補助磁界により「A向き」に揃えられ、
情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調され
たレーザー光が前記第1の光磁気層に照射された場合、
(1)前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第1の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として10℃以上50℃以下の温
度範囲で前記第3の光磁気層が「逆A向き」磁化であり
前記第1の光磁気層が「逆A向き」磁化を有する記録マ
ークが形成され、(2)前記変調されたレーザー光が低
レベルにあるとき、前記第1の光磁気層の温度は中間温
度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第3の光
磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作
用しても前記第3の光磁気層の残存磁化が作用すること
によるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって10
℃以上50℃以下の温度範囲に低下する過程で変調され
ない記録磁界が作用しても前記第3の光磁気層の残存磁
化が作用することにより、結果として10℃以上50℃
以下の温度範囲で前記第3の光磁気層が「A向き」磁化
であり、前記第1の光磁気層が「A向き」磁化を有する
記録マークが形成されるように、前記第2の光磁気層が
前記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層との相互作用
を制御するようなレーザー光の変調だけでオーバーライ
トが可能な光磁気記録媒体の製造方法であって、前記第
3の光磁気層は前記第2の光磁気層の表面をスパッタエ
ッチングして平坦化したのちに成膜することにより、前
記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層との相互作用を
強くすることを特徴としている。In the method of manufacturing a magneto-optical recording medium according to the present invention, at least a transparent interference layer, a first magneto-optical layer, a second magneto-optical layer, and a third magneto-optical layer are provided on a substrate in this order. Writing information by focusing and irradiating the laser beam on the first magneto-optical layer through the substrate, and irradiating the laser beam while focusing and moving the laser beam on the first magneto-optical layer through the substrate; The first magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and is at least 10 ° C. or higher. The third magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and has a ferrimagnetic property of at least 10 ° C. to 50 ° C. Showing perpendicular magnetization possible Wherein the second magneto-optical layer is an amorphous alloy film containing at least neodymium (Nd), gadolinium (Gd), iron (Fe), cobalt (Co), and titanium (Ti). Regarding the direction of magnetization of the first magneto-optical layer and the direction of magnetization of the third magneto-optical layer, one of an upward direction and a downward direction with respect to a layer plane is defined as “A direction”, and the other is defined as “reverse A direction”. At this time, only the magnetization of the third magneto-optical layer is aligned in the “A direction” by the preceding auxiliary magnetic field just before writing, while the magnetization of the first magneto-optical layer remains unchanged.
When a laser beam pulse-modulated between a high level and a low level according to information is applied to the first magneto-optical layer,
(1) When the modulated laser light is at a high level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to a high temperature, and an unmodulated recording magnetic field acts on the temperature, or the laser light is irradiated. As a result, the unmodulated recording magnetic field acts in the process of dropping to a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less, and as a result, the third magneto-optical layer becomes “inverse A” (2) when the modulated laser beam is at a low level, the first magneto-optical layer is formed with a recording mark having a "direction" magnetization and the first magneto-optical layer having a "reverse A direction" magnetization. Rises to an intermediate temperature, and in that temperature state, at least the magnetization of the third magneto-optical layer remains, and the residual magnetization of the third magneto-optical layer acts even when a non-modulated recording magnetic field acts. By or above Gone is the irradiation of the Za light 10
The residual magnetization of the third magneto-optical layer acts even when a recording magnetic field that is not modulated in the process of decreasing to a temperature range of not less than 50 ° C.
In the following temperature range, the second magneto-optical layer has the “A-direction” magnetization, and the first magneto-optical layer has a recording mark having the “A-direction” magnetization. A method for manufacturing a magneto-optical recording medium, wherein a magnetic layer can be overwritten only by modulating a laser beam so as to control an interaction between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer, The third magneto-optical layer is formed by flattening the surface of the second magneto-optical layer by sputter etching to form the third magneto-optical layer. It is characterized by enhancing the action.
【0014】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第1の光磁気層と第2の光磁
気層と第3の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レ
ーザー光を該基板を通して該第1の光磁気層に集束して
照射することにより情報の書込を行い、レーザー光を該
基板を通して該第1の光磁気層に集束して移動させなが
ら照射することにより情報の読出を行うようにした光磁
気記録媒体であって、前記第1の光磁気層は鉄族遷移金
属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でか
つ少なくとも10℃以上50℃以下でフェリ磁性を示す
垂直磁化可能な膜であり、前記第3の光磁気層は鉄族遷
移金属と希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金
でかつ少なくとも10℃以上50℃以下でフェリ磁性を
示す垂直磁化可能な膜であり、前記第2の光磁気層はネ
オジム(Nd)とガドリニウム(Gd)と鉄(Fe)と
コバルト(Co)とチタン(Ti)とを少なくとも含む
非晶質合金の膜であり、前記第1の光磁気層の磁化の向
きと前記第3の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対し
て上向きまたは下向きの何れか一方を「A向き」とし、
他方を「逆A向き」とするとき、前記第1の光磁気層の
磁化はそのままで前記第3の光磁気層の磁化のみが書込
の直前までに先行補助磁界により「A向き」に揃えら
れ、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第1の光磁気層に照射された場
合、(1)前記変調されたレーザー光が高レベルにある
とき、前記第1の光磁気層の温度は高温に上昇し、その
温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前
記レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃以下
の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作
用することにより、結果として10℃以上50℃以下の
温度範囲で前記第3の光磁気層が「逆A向き」磁化であ
り前記第1の光磁気層が「逆A向き」磁化を有する記録
マークが形成され、(2)前記変調されたレーザー光が
低レベルにあるとき、前記第1の光磁気層の温度は中間
温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第3の
光磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が
作用しても前記第3の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とによるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって1
0℃以上50℃以下の温度範囲に低下する過程で変調さ
れない記録磁界が作用しても前記第3の光磁気層の残存
磁化が作用することにより結果として10℃以上50℃
以下の温度範囲で前記第3の光磁気層が「A向き」磁化
であり、前記第1の光磁気層が「逆A向き」磁化を有す
る記録マークが形成されるように、前記第2の光磁気層
が前記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層との相互作
用を制御するようなレーザー光の変調だけでオーバーラ
イトが可能な光磁気記録媒体の製造方法であって、前記
第3の光磁気層は前記第2の光磁気層の表面をスパッタ
エッチングして平坦化したのちに成膜することにより、
前記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層との相互作用
を強くすることを特徴としている。In the method of manufacturing a magneto-optical recording medium according to the present invention, at least a transparent interference layer, a first magneto-optical layer, a second magneto-optical layer, and a third magneto-optical layer are provided on a substrate in this order. Writing information by focusing and irradiating the laser beam on the first magneto-optical layer through the substrate, and irradiating the laser beam while focusing and moving the laser beam on the first magneto-optical layer through the substrate; The first magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and is at least 10 ° C. or higher. The third magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron-group transition metal and a rare-earth transition metal, and has a ferrimagnetic property of at least 10 ° C. to 50 ° C. Permanent magnetizable indicating magnetism The second magneto-optical layer is an amorphous alloy film containing at least neodymium (Nd), gadolinium (Gd), iron (Fe), cobalt (Co), and titanium (Ti); The direction of the magnetization of the first magneto-optical layer and the direction of the magnetization of the third magneto-optical layer are either “A” or “up” with respect to the layer plane.
When the other is set to the "inverse A direction", only the magnetization of the third magneto-optical layer is aligned in the "A direction" by the preceding auxiliary magnetic field just before writing, while keeping the magnetization of the first magneto-optical layer unchanged. When the first magneto-optical layer is irradiated with laser light pulse-modulated between a high level and a low level according to information, (1) when the modulated laser light is at a high level, The temperature of the first magneto-optical layer rises to a high temperature, and a recording magnetic field that is not modulated in the temperature state acts on the first magneto-optical layer, or the temperature is reduced to a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less after the irradiation of the laser beam stops. When the unmodulated recording magnetic field acts, as a result, the third magneto-optical layer has a “reverse A direction” magnetization and the first magneto-optical layer has a “reverse A direction” in a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less. A recording mark having magnetization is formed, 2) When the modulated laser light is at a low level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to an intermediate temperature, and at that temperature, at least the magnetization of the third magneto-optical layer remains. Even if the unmodulated recording magnetic field acts, the residual magnetization of the third magneto-optical layer acts, or the laser beam is no longer irradiated, and
Even if a recording magnetic field which is not modulated in the process of decreasing to a temperature range of 0 ° C. or more and 50 ° C. or less acts, the residual magnetization of the third magneto-optical layer acts to result in 10 ° C. or more and 50 ° C.
In the following temperature range, the second magneto-optical layer has the “A-direction” magnetization, and the first magneto-optical layer has a recording mark having the “reverse A-direction” magnetization. A method of manufacturing a magneto-optical recording medium capable of overwriting only by modulating a laser beam such that the magneto-optical layer controls the interaction between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer, The third magneto-optical layer is formed by flattening the surface of the second magneto-optical layer by sputter etching, thereby forming a film.
It is characterized in that the interaction between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer is strengthened.
【0015】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第1の光磁気層と第2の光磁
気層と第3の光磁気層と第4の光磁気層とをこの順に少
なくとも設け、レーザー光を該基板を通して該第1の光
磁気層に集束して照射することにより情報の書込を行
い、レーザー光を該基板を通して該第1の光磁気層に集
束して移動させながら照射することにより情報の読出を
行うようにした光磁気記録媒体であって、前記第1の光
磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも
含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以上50℃以下
でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記第3
の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なく
とも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以上50℃
以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記
第4の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少
なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以上5
0℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、
前記第2の光磁気層はネオジム(Nd)とガドリニウム
(Gd)と鉄(Fe)とコバルト(Co)とチタン(T
i)とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
1の光磁気層の磁化の向きと前記第3の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「A向き」とし、他方を「逆A向き」とすると
き、情報に従い高いレベルと低レベルとの間でパルス変
調されたレーザー光が前記第1の光磁気層に照射された
場合、(1)前記変調されたレーザー光が高レベルにあ
るとき、前記第1の光磁気層の温度は高温に上昇し、そ
の温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、また
は前記レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃
以下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界
が作用することにより、結果として10℃以上50℃以
下の温度範囲で前記第3の光磁気層が「A向き」磁化で
あり、前記第1の光磁気層が「逆A向き」磁化であり、
前記第4の光磁気層の磁化の向きは不変で「A向き」で
ある記録マークが形成され、(2)前記変調されたレー
ザー光が低レベルにあるとき、前記第1の光磁気層の温
度は中間温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前
記第3の光磁気層の磁化は残存しており変調されない記
録磁界が作用しても前記第3の光磁気層の残存磁化が作
用することによるか、又は前記レーザー光の照射がなく
なって10℃以上50℃以下の温度範囲に低下する過程
で変調されない記録磁界が作用しても前記第3の光磁気
層の残存磁化が作用することにより結果として10℃以
上50℃以下の温度範囲で前記第3の光磁気層が「A向
き」磁化であり、前記第1の光磁気層が「A向き」磁化
であり、前記第4の光磁気層の磁化の向きは不変で「A
向き」である記録マークが形成されるように、前記第2
の光磁気層が前記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層
との相互作用を制御するような先行補助磁界がなくレー
ザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録
媒体の製造方法であって、前記第3の光磁気層は前記第
2の光磁気層の表面をスパッタエッチングして平坦化し
たのちに成膜することにより、前記第1の光磁気層と前
記第3の光磁気層との相互作用を強くすることを特徴と
している。Further, the method of manufacturing a magneto-optical recording medium according to the present invention is characterized in that a transparent interference layer, a first magneto-optical layer, a second magneto-optical layer, a third magneto-optical layer, and a fourth magneto-optical layer are formed on a substrate. Layers are provided at least in this order, and information is written by focusing and irradiating the laser beam to the first magneto-optical layer through the substrate, and writing the laser beam to the first magneto-optical layer through the substrate. A magneto-optical recording medium wherein information is read out by irradiating while focusing and moving, wherein the first magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal. A perpendicularly magnetizable film exhibiting ferrimagnetism at least at 10 ° C. or more and 50 ° C. or less,
Layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and is at least 10 ° C. or more and 50 ° C.
The fourth magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and is at least 10 ° C. or higher.
A perpendicularly magnetizable film exhibiting ferrimagnetism at 0 ° C. or lower,
The second magneto-optical layer is composed of neodymium (Nd), gadolinium (Gd), iron (Fe), cobalt (Co), and titanium (T
i) wherein the direction of magnetization of the first magneto-optical layer and the direction of magnetization of the third magneto-optical layer are either upward or downward with respect to the layer plane. When one is set to “A direction” and the other is set to “reverse A direction”, the first magneto-optical layer is irradiated with a laser beam pulse-modulated between a high level and a low level according to information. (1) When the modulated laser beam is at a high level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to a high temperature, and an unmodulated recording magnetic field acts at that temperature, or No more than 10 ℃ and no more than 50 ℃
When the recording magnetic field which is not modulated in the process of lowering to the following temperature range acts, as a result, the third magneto-optical layer has the “A direction” magnetization in the temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less, and Of the magneto-optical layer is "reverse A direction" magnetization,
A recording mark in which the direction of magnetization of the fourth magneto-optical layer is invariable and “A direction” is formed, and (2) when the modulated laser light is at a low level, The temperature rises to an intermediate temperature, and in that temperature state, at least the magnetization of the third magneto-optical layer remains, and the residual magnetization of the third magneto-optical layer operates even when a non-modulated recording magnetic field acts. Or the residual magnetization of the third magneto-optical layer acts even if a recording magnetic field that is not modulated in the process of decreasing to a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less after the irradiation of the laser beam is stopped. As a result, in the temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less, the third magneto-optical layer has “A-direction” magnetization, the first magneto-optical layer has “A-direction” magnetization, and the fourth magneto-optical layer has The direction of magnetization of the layer is invariable and "A
The second direction so that a recording mark having the “direction” is formed.
Of a magneto-optical recording medium capable of overwriting only by modulating a laser beam without a preceding auxiliary magnetic field such that the magneto-optical layer controls the interaction between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer. In a manufacturing method, the third magneto-optical layer is formed by flattening the surface of the second magneto-optical layer by sputter etching to form the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer. Is characterized in that the interaction with the magneto-optical layer is strengthened.
【0016】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第1の光磁気層と第2の光磁
気層と第3の光磁気層と第4の光磁気層とをこの順に少
なくとも設け、レーザー光を該基板を通して該第1の光
磁気層に集束して照射することにより情報の書込を行
い、レーザー光を該基板を通して該第1の光磁気層に集
束して移動させながら照射することにより情報の読出を
行うようにした光磁気記録媒体であって、前記第1の光
磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なくとも
含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以上50℃以下
でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記第3
の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少なく
とも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以上50℃
以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、前記
第4の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属とを少
なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以上5
0℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であり、
前記第2の光磁気層はネオジム(Nd)とガドリニウム
(Gd)と鉄(Fe)とコバルト(Co)とチタン(T
i)とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
1の光磁気層の磁化の向きと前記第3の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「A向き」とし、他方を「逆A向き」とすると
き、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第1の光磁気層に照射された場
合、(1)前記変調されたレーザー光が高レベルにある
とき、前記第1の光磁気層の温度は高温に上昇し、その
温度状態で変調されない記録磁界が作用するか、または
前記レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用することにより、結果として10℃以上50℃以下
の温度範囲で前記第3の光磁気層が「A向き」磁化であ
り、前記第1の光磁気層が「A向き」磁化であり、前記
第4の光磁気層の磁化の向きは不変で「A向き」である
記録マークが形成され、(2)前記変調されたレーザー
光が低レベルにあるとき、前記第1の光磁気層の温度は
中間温度に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第
3の光磁気層の磁化は残存しており変調されない記録磁
界が作用しても前記第3の光磁気層の残存磁化が作用す
ることによるか、又は前記レーザー光の照射がなくなっ
て10℃以上50℃以下の温度範囲に低下する過程で変
調されない記録磁界が作用しても前記第3の光磁気層の
残存磁化が作用することにより結果として10℃以上5
0℃以下の温度範囲で前記第3の光磁気層が「A向き」
磁化であり、前記第1の光磁気層が「逆A向き」磁化で
あり、前記第4の光磁気層の磁化の向きは不変で「A向
き」である記録マークが形成されるように、前記第2の
光磁気層が前記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層と
の相互作用を制御するような先行補助磁界がなくレーザ
ー光の変調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒
体の製造方法であって、前記第3の光磁気層は前記第2
の光磁気層の表面をスパッタエッチングして平坦化した
のちに成膜することにより、前記第1の光磁気層と前記
第3の光磁気層との相互作用を強くすることを特徴とし
ている。Further, the method of manufacturing a magneto-optical recording medium according to the present invention is characterized in that a transparent interference layer, a first magneto-optical layer, a second magneto-optical layer, a third magneto-optical layer, and a fourth magneto-optical layer are formed on a substrate. Layers are provided at least in this order, and information is written by focusing and irradiating the laser beam to the first magneto-optical layer through the substrate, and writing the laser beam to the first magneto-optical layer through the substrate. A magneto-optical recording medium wherein information is read out by irradiating while focusing and moving, wherein the first magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal. A perpendicularly magnetizable film exhibiting ferrimagnetism at least at 10 ° C. or more and 50 ° C. or less,
Layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and is at least 10 ° C. or more and 50 ° C.
The fourth magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and is at least 10 ° C. or higher.
A perpendicularly magnetizable film exhibiting ferrimagnetism at 0 ° C. or lower,
The second magneto-optical layer is composed of neodymium (Nd), gadolinium (Gd), iron (Fe), cobalt (Co), and titanium (T
i) wherein the direction of magnetization of the first magneto-optical layer and the direction of magnetization of the third magneto-optical layer are either upward or downward with respect to the layer plane. When one is set to the “A direction” and the other is set to the “reverse A direction”, the first magneto-optical layer is irradiated with laser light pulse-modulated between a high level and a low level according to information. (1) When the modulated laser beam is at a high level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to a high temperature, and an unmodulated recording magnetic field acts at that temperature, or The unmodulated recording magnetic field acts in the process of dropping to a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less after irradiation disappears, and as a result, the third magneto-optical layer becomes “A” in a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less. Orientation "magnetization, said first magneto-optical A recording mark is formed in which the layer has “A direction” magnetization, the magnetization direction of the fourth magneto-optical layer is invariable and “A direction” is formed, and (2) the modulated laser light is at a low level. At this time, the temperature of the first magneto-optical layer rises to an intermediate temperature, and in that temperature state, at least the magnetization of the third magneto-optical layer remains, and even if a non-modulated recording magnetic field acts on the third magneto-optical layer, Due to the residual magnetization of the magneto-optical layer acting, or even if a recording magnetic field that is not modulated acts during the process of decreasing the temperature range from 10 ° C. to 50 ° C. due to the elimination of the laser beam irradiation, the third light As a result of the residual magnetization of the magnetic layer acting, as a result,
In the temperature range of 0 ° C. or less, the third magneto-optical layer is “A-oriented”.
The first magneto-optical layer has a magnetization of “reverse A direction”, and the direction of magnetization of the fourth magneto-optical layer is invariable and a recording mark of “A direction” is formed. Magneto-optical that can be overwritten only by modulating laser light without a preceding auxiliary magnetic field in which the second magneto-optical layer controls the interaction between the first and third magneto-optical layers. A method of manufacturing a recording medium, wherein the third magneto-optical layer is
By forming a film after flattening the surface of the magneto-optical layer by sputter etching, the interaction between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer is strengthened.
【0017】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第1の光磁気層と第2の光磁
気層と第3の光磁気層と第4の光磁気層と第5の光磁気
層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を
通して該第1の光磁気層に集束して照射することにより
情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第1
の光磁気層に集束して移動させながら照射することによ
り情報の読出を行うようにした光磁気記録媒体であっ
て、前記第1の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金
属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10
℃以上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜
であり、前記第3の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷
移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも
10℃以上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能
な膜であり、前記第4の光磁気層は鉄族遷移金属と希土
類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なく
とも10℃以上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化
可能な膜であり、前記第5の光磁気層は鉄族遷移金属と
希土類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少
なくとも10℃以上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直
磁化可能な膜であり、前記第2の光磁気層はネオジム
(Nd)とガドリニウム(Gd)と鉄(Fe)とコバル
ト(Co)とチタン(Ti)とを少なくとも含む非晶質
合金の膜であり、前記第1の光磁気層の磁化の向きと前
記第3の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対して上向
きまたは下向きの何れか一方を「A向き」とし、他方を
「逆A向き」とするとき、情報に従い高レベルと低レベ
ルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第1の光
磁気層に照射された場合、(1)前記変調されたレーザ
ー光が高レベルにあるとき、前記第1の光磁気層の温度
は高温に上昇し、その温度状態で変調されない記録磁界
が作用するか、又は前記レーザー光の照射がなくなって
10℃以上50℃以下の温度範囲に低下する過程で変調
されない記録磁界が作用することにより、結果として1
0℃以上50℃以下の温度範囲で前記第1の光磁気層が
「逆A向き」磁化であり、前記第3の光磁気層の磁化は
前記第4の光磁気層のために前記第5の光磁気層の磁化
の影響を受けないで「A向き」磁化となり前記第5の光
磁気層の磁化の向きは不変で「A向き」である記録マー
クが形成され、(2)前記変調されたレーザー光が低レ
ベルにあるとき、前記第1の光磁気層の温度は中間温度
に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第3の光磁
気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作用
しても前記第3の光磁気層の残存磁化が作用することに
よるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって10℃
以上50℃以下の温度範囲に低下する過程で変調されな
い記録磁界が作用しても前記第3の光磁気層の残存磁化
が作用することにより、結果として10℃以上50℃以
下の温度範囲で前記第3の光磁気層が「A向き」磁化で
あり、前記第1の光磁気層が「A向き」磁化であり、前
記第5の光磁気層の磁化の向き不変で「A向き」である
記録マークが形成されるように、前記第2の光磁気層が
前記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層との相互作用
を制御するような先行補助磁界がなくレーザー光の変調
だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒体の製造方
法であって、前記第3の光磁気層は前記第2の光磁気層
の表面をスパッタエッチングして平坦化したのちに成膜
することにより、前記第1の光磁気層と前記第3の光磁
気層との相互作用を強くすることを特徴としている。Further, the method of manufacturing a magneto-optical recording medium according to the present invention is characterized in that a transparent interference layer, a first magneto-optical layer, a second magneto-optical layer, a third magneto-optical layer, and a fourth magneto-optical layer are formed on a substrate. A layer and a fifth magneto-optical layer are provided at least in this order, and information is written by focusing and irradiating the first magneto-optical layer with the laser light through the substrate, and writing the laser light through the substrate. First
A magneto-optical recording medium for reading information by irradiating while focusing and moving the magneto-optical layer, wherein the first magneto-optical layer comprises at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal. An amorphous alloy comprising at least 10
A film capable of perpendicular magnetization exhibiting ferrimagnetism at a temperature of at least 10 ° C. and at least 50 ° C., wherein the third magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal. The fourth magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal and has a ferrimagnetic property of at least 10 ° C. to 50 ° C. Wherein the fifth magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron-group transition metal and a rare-earth transition metal, and exhibits ferrimagnetism at least from 10 ° C. to 50 ° C. The second magneto-optical layer is an amorphous alloy film containing at least neodymium (Nd), gadolinium (Gd), iron (Fe), cobalt (Co), and titanium (Ti). ,Before Either the direction of magnetization of the first magneto-optical layer and the direction of magnetization of the third magneto-optical layer are “A direction”, one of which is upward or downward with respect to the layer plane, and the other is “inverse A direction”. When the first magneto-optical layer is irradiated with laser light pulse-modulated between a high level and a low level according to information, (1) when the modulated laser light is at a high level The temperature of the first magneto-optical layer rises to a high temperature, and an unmodulated recording magnetic field acts in that temperature state, or the temperature falls to a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less after the irradiation of the laser beam stops. The effect of the recording magnetic field which is not modulated in the process results in 1
In a temperature range of 0 ° C. or more and 50 ° C. or less, the first magneto-optical layer has “reverse A direction” magnetization, and the magnetization of the third magneto-optical layer is the fifth magneto-optical layer due to the fifth magneto-optical layer. (5) The recording mark becomes “A-direction” without being affected by the magnetization of the magneto-optical layer, and the direction of magnetization of the fifth magneto-optical layer is invariable and “A-direction” is formed. When the laser light is at a low level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to an intermediate temperature, and in that temperature state, at least the magnetization of the third magneto-optical layer remains and an unmodulated recording magnetic field is generated. The residual magnetization of the third magneto-optical layer acts even if it acts, or 10 ° C.
The residual magnetization of the third magneto-optical layer acts even when a recording magnetic field that is not modulated in the process of decreasing to a temperature range of not less than 50 ° C. or less acts as a result. The third magneto-optical layer has “A-direction” magnetization, the first magneto-optical layer has “A-direction” magnetization, and the magnetization direction of the fifth magneto-optical layer is invariable and “A-direction”. Modulation of laser light without a preceding auxiliary magnetic field such that the second magneto-optical layer controls the interaction between the first and third magneto-optical layers so that a recording mark is formed. A method of manufacturing a magneto-optical recording medium capable of overwriting only by using the method, wherein the third magneto-optical layer is formed by planarizing the surface of the second magneto-optical layer by sputter etching. Interaction between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer It is characterized in that strongly.
【0018】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板上に透明干渉層と第1の光磁気層と第2の光磁
気層と第3の光磁気層と第4の光磁気層と第5の光磁気
層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を
通して該第1の光磁気層に集束して照射することにより
情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第1
の光磁気層に集束して移動させながら照射することによ
り情報の読出を行うようにした光磁気記録媒体であっ
て、前記第1の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金
属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10
℃以上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜
であり、前記第4の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷
移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも
10℃以上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能
な膜であり、前記第5の光磁気層は鉄族遷移金属と希土
類遷移金属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なく
とも10℃以上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化
可能な膜であり、前記第2の光磁気層はネオジム(N
d)とガドリニウム(Gd)と鉄(Fe)とコバルト
(Co)とチタン(Ti)とを少なくとも含む非晶質合
金の膜であり、前記第1の光磁気層の磁化の向きと前記
第3の光磁気層の磁化の向きとを層平面に対して上向き
または下向きの何れか一方を「A向き」とし、他方を
「逆A向き」とするとき、情報に従い高レベルと低レベ
ルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第1の光
磁気層に照射された場合、(1)前記変調されたレーザ
ー光が高レベルにあるとき、前記第1の光磁気層の温度
は高温に上昇し、その温度状態で変調されない記録磁界
が作用するか、又は前記レーザー光の照射がなくなって
10℃以上50℃以下の温度範囲に低下する過程で変調
されない記録磁界が作用することにより、結果として1
0℃以上50℃以下の温度範囲で前記第1の光磁気層が
「逆A向き」磁化であり、前記第3の光磁気層の磁化は
前記第4の光磁気層のために前記第5の光磁気層の磁化
の影響を受けないで「A向き」磁化となり前記第5の光
磁気層の磁化の向きは不変で「A向き」である記録マー
クが形成され、(2)前記変調されたレーザー光が低レ
ベルにあるとき、前記第1の光磁気層の温度は中間温度
に上昇し、その温度状態では少なくとも前記第3の光磁
気層の磁化は残存しており変調されない記録磁界が作用
しても前記第3の光磁気層の残存磁化が作用することに
よるか、又は前記レーザー光の照射がなくなって10℃
以上50℃以下の温度範囲に低下する過程で変調されな
い記録磁界が作用しても前記第3の光磁気層の残存磁化
が作用することにより、結果として10℃以上50℃以
下の温度範囲で前記第3の光磁気層が「A向き」磁化で
あり、前記第1の光磁気層が「逆A向き」磁化であり、
前記第5の光磁気層の磁化の向き不変で「A向き」であ
る記録マークが形成されるように、前記第2の光磁気層
が前記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層との相互作
用を制御するような先行補助磁界がなくレーザー光の変
調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒体の製造
方法であって、前記第3の光磁気層は前記第2の光磁気
層の表面をスパッタエッチングして平坦化したのちに成
膜することにより、前記第1の光磁気層と前記第3の光
磁気層との相互作用を強くすることを特徴としている。Further, the method of manufacturing a magneto-optical recording medium according to the present invention is characterized in that a transparent interference layer, a first magneto-optical layer, a second magneto-optical layer, a third magneto-optical layer, and a fourth magneto-optical layer are formed on a substrate. A layer and a fifth magneto-optical layer are provided at least in this order, and information is written by focusing and irradiating the first magneto-optical layer with the laser light through the substrate, and writing the laser light through the substrate. First
A magneto-optical recording medium for reading information by irradiating while focusing and moving the magneto-optical layer, wherein the first magneto-optical layer comprises at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal. An amorphous alloy comprising at least 10
The fourth magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and is at least 10 ° C. to 50 ° C. The fifth magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and has a ferrimagnetic property at least at 10 ° C. or more and 50 ° C. or less. And the second magneto-optical layer is neodymium (N
d) a film of an amorphous alloy containing at least gadolinium (Gd), iron (Fe), cobalt (Co) and titanium (Ti), wherein the direction of magnetization of the first magneto-optical layer and the third When the direction of magnetization of the magneto-optical layer is upward or downward with respect to the layer plane, one of which is "A direction" and the other is "reverse A direction", the direction between the high level and the low level is determined according to the information. (1) When the modulated laser light is at a high level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to a high temperature. Then, a recording magnetic field that is not modulated in the temperature state acts, or a recording magnetic field that is not modulated acts in a process in which the irradiation of the laser beam stops and the temperature falls to a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less, and as a result, 1
In a temperature range of 0 ° C. or more and 50 ° C. or less, the first magneto-optical layer has “reverse A direction” magnetization, and the magnetization of the third magneto-optical layer is the fifth magneto-optical layer due to the fifth magneto-optical layer. (5) The recording mark becomes “A-direction” without being affected by the magnetization of the magneto-optical layer, and the direction of magnetization of the fifth magneto-optical layer is invariable and “A-direction” is formed. When the laser light is at a low level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to an intermediate temperature, and in that temperature state, at least the magnetization of the third magneto-optical layer remains and an unmodulated recording magnetic field is generated. The residual magnetization of the third magneto-optical layer acts even if it acts, or 10 ° C.
The residual magnetization of the third magneto-optical layer acts even when a recording magnetic field that is not modulated in the process of lowering to a temperature range of not less than 50 ° C. acts as a result. A third magneto-optical layer having an "A-direction" magnetization, the first magneto-optical layer having a "reverse A-direction" magnetization,
The second magneto-optical layer is formed of the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer so that a recording mark in which the direction of magnetization of the fifth magneto-optical layer is invariable and “A direction” is formed. A method for manufacturing a magneto-optical recording medium capable of overwriting only by modulating a laser beam without a preceding auxiliary magnetic field for controlling interaction with a layer, wherein the third magneto-optical layer includes the second magneto-optical layer. By forming the film after flattening the surface of the magnetic layer by sputter etching, the interaction between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer is enhanced.
【0019】[0019]
【実施例】本発明のオーバーライト可能な光磁気記録媒
体の実施例について、図面を参照して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the overwritable magneto-optical recording medium of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0020】図1は本発明の一実施例を説明するための
製造工程図であり、図2は図1に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。FIG. 1 is a manufacturing process diagram for explaining one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic sectional view of a magneto-optical recording medium manufactured by using the embodiment shown in FIG.
【0021】図2において、1は基板、2は透明干渉層
311はその上に成膜した第1の光磁気層、312はN
dGdFeCoTiの第2の光磁気層の膜を成膜した後
その表面を少しスパッタエッチングすることによりある
程度平坦化した第2の光磁気層、313はその上に成膜
した第3の光磁気層、41はその上に成膜した保護層、
5はその上に成膜した放熱層である。In FIG. 2, 1 is a substrate, 2 is a transparent interference layer 311, a first magneto-optical layer formed thereon, and 312 is N
After forming a second magneto-optical layer of dGdFeCoTi, the surface of the second magneto-optical layer is flattened to some extent by sputter etching, 313 is a third magneto-optical layer formed thereon, 41 is a protective layer formed thereon,
Reference numeral 5 denotes a heat radiation layer formed thereon.
【0022】本発明者らは、本発明の製造方法で製造し
た光磁気記録媒体が第3の光磁気層の成膜をNdGdF
eCoTiの第2の光磁気層の表面をスパッタエッチン
グすることにより平坦化した後に行うことにより、第1
の光磁気層と第3の光磁気層との相互作用が強くなると
いう現象を見い出し、本発明に至った。The present inventors have found that the magneto-optical recording medium manufactured by the manufacturing method of the present invention can form the third magneto-optical layer into NdGdF.
The first step is performed after the surface of the second magneto-optical layer of eCoTi is planarized by sputter etching.
The present inventors have found out that the interaction between the magneto-optical layer and the third magneto-optical layer becomes stronger, and have reached the present invention.
【0023】膜表面をスパッタエッチングすると、本発
明者らが行った実験の範囲では一般的に膜表面は平坦に
なるようである。この確認はレプリカ法により約20万
倍の透過型電子顕微鏡写真により行った。平坦になる理
由は、スパッタエッチングを行っているアルゴンガスの
膜表面への入射角度が垂直以外にも種々の角度をもって
いるためと思われる。When the film surface is sputter-etched, the film surface generally seems to be flat within the scope of the experiments performed by the present inventors. This was confirmed by a transmission electron microscope photograph of about 200,000 times by the replica method. It is considered that the reason why the surface becomes flat is that the angle of incidence of the argon gas being sputter-etched on the film surface has various angles other than vertical.
【0024】第2の光磁気層をスパッタエッチングする
ことにより平坦化した後に第3の光磁気層を成膜する場
合にスパッタエッチングしないときよりも第1の光磁気
層と第3の光磁気層との相互作用が強くなる理由は定か
ではないが、第3の光磁気層の膜成長時に下地の表面形
状によって誘導形成される磁気特性が異なるためと思わ
れる。When the third magneto-optical layer is formed after flattening the second magneto-optical layer by sputter etching, the first and third magneto-optical layers are formed more than when no sputter etching is performed. The reason for the strong interaction with is not clear, but it is considered that the magnetic properties induced and formed by the surface shape of the underlayer during the film growth of the third magneto-optical layer are different.
【0025】次に、本発明の実施例について、図面を参
照しながら具体的に説明する。Next, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
【0026】図1に示すように、基板装着工程(a)で
案内溝が形成されている直径130mm、厚さ1.20mm
のポリカーボネイト樹脂製の基板1をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装着真空排気工程(b)で5×10-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程(c)でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより800オングストロ
ーム厚の窒化シリコンの透明干渉層2を形成した。次
に、第1の光磁気層成膜工程(d)でTbFeTiター
ゲットをアルゴンガスによりスパッタすることにより2
00オングストローム厚のTbFeTiの非晶質の第1
の光磁気層311を形成した。次に第2の光磁気層成膜
工程(e)でNdGdFeCoTiターゲットをアルゴ
ンガスによりスパッタすることにより50オングストロ
ーム厚のNdGdFeCoTiの第2の光磁気層312
を形成した。次に第2の光磁気層スパッタエッチング工
程(f)でこの表面をアルゴンガスで10オングストロ
ーム程度スパッタエッチングして第2の光磁気層312
の表面を比較的平坦にした。次に第3の光磁気層成膜工
程(g)でGdTbFeCoTiターゲットをアルゴン
ガスによりスパッタすることにより600オングストロ
ーム厚のGdTbFeCoTiの非晶質の第3の光磁気
層313を形成した。次に保護層成膜工程(j)でシリ
コンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスにより反
応性スパッタすることにより800オングストローム厚
の窒化シリコンの保護層41を設けた。次に放熱層成膜
工程(k)でAlNiターゲットをアルゴンガスにより
スパッタすることにより400オングストローム厚のA
lNiの放熱層5を設け、図2のような構成にした。こ
のようにして製造された光磁気記録媒体は光磁気記録媒
体取出工程(l)でスパッタ装置の外に取り出される。
この光磁気記録媒体を3600rpm で回転させ、波長8
300オングストロームの半導体レーザー光を基板1を
通して第1の光磁気層311上でおよそφ1.4μm に
絞って照射した。半径30.0mmのところで記録周波数
2.12MHz の信号をデューティ比50%の3値の光変
調で高レベル記録パワー9mW、低レベル記録パワー4.
5mW、先行補助磁界6.5kOe 、記録磁界350エルス
テッドでオーバーライト記録した後、再生時に記録磁界
と同一方向に350エルステッドのバイアス磁界を印加
して再生しても、記録されていない状態の領域が記録さ
れた状態に変化することなく良好な再生特性を得られ、
また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加しながら
低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル記録パワ
ーによって記録された記録マークが低レベル記録パワー
によって記録されるべき記録マークに良好に書き換えら
れることが確認された。As shown in FIG. 1, the guide groove is formed in the substrate mounting step (a) in a diameter of 130 mm and a thickness of 1.20 mm.
The substrate 1 made of polycarbonate resin is mounted in a sputtering apparatus, and in the sputter mounting vacuum evacuation step (b), 5 × 10 −7 is used.
After evacuating to a pressure of Torr or less, a transparent interference layer 2 of 800 angstrom thick is formed by introducing a mixed gas of argon and nitrogen in the transparent interference layer forming step (c) and reactively sputtering the silicon target. did. Next, in the first magneto-optical layer forming step (d), a TbFeTi target is
The first amorphous of TbFeTi having a thickness of 00 Å
Was formed. Next, in a second magneto-optical layer forming step (e), an NdGdFeCoTi target is sputtered with argon gas to form a second magneto-optical layer 312 of 50 Å thick NdGdFeCoTi.
Was formed. Next, in a second magneto-optical layer sputter etching step (f), this surface is sputter-etched with argon gas for about 10 angstroms to form a second magneto-optical layer 312.
Was made relatively flat. Next, in the third magneto-optical layer forming step (g), a GdTbFeCoTi target was sputtered with an argon gas to form a 600 angstrom thick amorphous third magneto-optical layer 313 of GdTbFeCoTi. Next, in a protective layer forming step (j), a silicon target was reactively sputtered with a mixed gas of argon and nitrogen to provide a 800 angstrom thick silicon nitride protective layer 41. Next, in the heat radiation layer forming step (k), the AlNi target is sputtered with argon gas to form a 400 Å thick A.
A heat radiation layer 5 of 1Ni was provided, and the structure was as shown in FIG. The magneto-optical recording medium thus manufactured is taken out of the sputtering apparatus in the magneto-optical recording medium taking-out step (l).
This magneto-optical recording medium is rotated at 3600 rpm, and a wavelength of 8
A 300 angstrom semiconductor laser beam was irradiated through the substrate 1 on the first magneto-optical layer 311 to a diameter of about 1.4 μm. 3. At a radius of 30.0 mm, a high-level recording power of 9 mW and a low-level recording power of a signal having a recording frequency of 2.12 MHz by ternary light modulation with a duty ratio of 50%.
After performing overwrite recording with 5 mW, a preceding auxiliary magnetic field of 6.5 kOe, and a recording magnetic field of 350 Oersted, even when the data is reproduced by applying a bias magnetic field of 350 Oersted in the same direction as the recording magnetic field at the time of reproduction, the unrecorded area remains. Good reproduction characteristics can be obtained without changing to the recorded state,
When a low level recording power is applied while applying a bias magnetic field in the same direction as the recording magnetic field, a recording mark recorded with a high level recording power can be satisfactorily rewritten to a recording mark to be recorded with a low level recording power. Was confirmed.
【0027】比較のため、図9に示すような第2の光磁
気層302の表面をスパッタエッチングせずにその上に
第3の光磁気層303を形成して製造した光磁気記録媒
体について上記と同一方法で測定したところ、再生時に
記録磁界と同一方向に350エルステッドのバイアス磁
界を印加して再生すると、記録されていない状態の領域
が記録された状態に変化してしまい良好な再生特性が得
られず、また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加
しながら低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル
記録パワーによって記録された記録マークが低レベル記
録パワーによって記録されるべき記録マークに良好に書
き換えられなかった。For comparison, a magneto-optical recording medium manufactured by forming the third magneto-optical layer 303 on the surface of the second magneto-optical layer 302 without sputter etching as shown in FIG. As a result, when a bias field of 350 Oe is applied in the same direction as the recording magnetic field at the time of reproduction, the non-recorded area changes to the recorded state, and good reproduction characteristics are obtained. When a low-level recording power is applied while applying a bias magnetic field in the same direction as the recording magnetic field, a recording mark recorded with a high-level recording power is excellent in a recording mark to be recorded with a low-level recording power. Was not rewritten.
【0028】基板1としてはポリカーボネイト樹脂板、
フォトポリマーのついたガラス板、フォトポリマーのつ
いたアクリル樹脂板などを用いる。この基板1には、ト
ラッギング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成して
おくことが望ましい。As the substrate 1, a polycarbonate resin plate,
A glass plate with a photopolymer, an acrylic resin plate with a photopolymer, or the like is used. It is desirable that guide grooves and guide pits are formed on the substrate 1 for tracking servo.
【0029】透明干渉層2の材料としては窒化シリコ
ン、窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化
物との混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化
亜鉛と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物
との混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化
亜鉛と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金
属酸化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。
透明干渉層2は多層膜で形成してもかまわない。Examples of the material of the transparent interference layer 2 include silicon nitride, silicon nitride oxide, zinc sulfide, a mixture of zinc sulfide and metal oxide, a mixture of zinc sulfide and metal nitride, a mixture of zinc sulfide and metal carbide, A mixture of zinc sulfide and metal fluoride, a mixture of zinc sulfide and metal boride, a mixture of zinc sulfide and another metal sulfide, a multi-component metal oxide having a high refractive index, aluminum nitride, and sialon are desirable.
The transparent interference layer 2 may be formed by a multilayer film.
【0030】第1の光磁気層311の材料としては、G
dFeCo、GdFeCoTi、GdFeCoCr、G
dFeCoNi、GdFeCoNiCr、GdFeCo
Ta、GdFeCoNb、GdFeCoPt、GdTb
FeCo、GdTbFeCoTi、GdTbFeCoC
r、GdTbFeCoNi、GdTbFeCoNiC
r、GdTbFeCoTa、GdTbFeCoNb、G
dTbFeCoPt、GdDyFeCo、GdDyFe
CoTi、GdDyFeCoCr、GdDyFeCoN
i、GdDyFeCoNiCr、GdDyFeCoT
a、GdDyFeCoNb、GdDyFeCoPt、T
bFeCo、TbFeCoTi、TbFeCoCr、T
bFeCoNi、TbFeCoNiCr、TbFeCo
Ta、TbFeCoNb、TbFeCoPtが望まし
く、第2の光磁気層312の材料は、NdGdFeCo
Tiとし、第3の光磁気層313の材料としては、Tb
Fe、TbFeTi、TbFeCr、TbFeNi、T
bFeNiCr、TbFeTa、TbFeNb、TbF
ePt、TbFeCo、TbFeCoTi、TbFeC
oCr、TbFeCoNi、TbFeCoNiCr、T
bFeCoTa、TbFeCoNb、TbFeCoP
t、TbDyFeCo、TbDyFeCoTi、TbD
yFeCoCr、TbFeCoNi、TbDyFeCo
NiCr、TbDyFeCoTa、TbDyFeCoN
b、TbDyFeCoPtが望ましく、キュリー温度は
第3の光磁気層313のほうが高いようにする。The material of the first magneto-optical layer 311 is G
dFeCo, GdFeCoTi, GdFeCoCr, G
dFeCoNi, GdFeCoNiCr, GdFeCo
Ta, GdFeCoNb, GdFeCoPt, GdTb
FeCo, GdTbFeCoTi, GdTbFeCoC
r, GdTbFeCoNi, GdTbFeCoNiC
r, GdTbFeCoTa, GdTbFeCoNb, G
dTbFeCoPt, GdDyFeCo, GdDyFe
CoTi, GdDyFeCoCr, GdDyFeCoN
i, GdDyFeCoNiCr, GdDyFeCoT
a, GdDyFeCoNb, GdDyFeCoPt, T
bFeCo, TbFeCoTi, TbFeCoCr, T
bFeCoNi, TbFeCoNiCr, TbFeCo
Ta, TbFeCoNb, and TbFeCoPt are desirable, and the material of the second magneto-optical layer 312 is NdGdFeCo.
Ti, and the material of the third magneto-optical layer 313 is Tb
Fe, TbFeTi, TbFeCr, TbFeNi, T
bFeNiCr, TbFeTa, TbFeNb, TbF
ePt, TbFeCo, TbFeCoTi, TbFeC
oCr, TbFeCoNi, TbFeCoNiCr, T
bFeCoTa, TbFeCoNb, TbFeCoP
t, TbDyFeCo, TbDyFeCoTi, TbD
yFeCoCr, TbFeCoNi, TbDyFeCo
NiCr, TbDyFeCoTa, TbDyFeCoN
b, TbDyFeCoPt is desirable, and the Curie temperature is set higher in the third magneto-optical layer 313.
【0031】保護層41の材料としては窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層41は多層膜で形成してもかまわない。The material of the protective layer 41 is silicon nitride,
Silicon nitride oxide, zinc sulfide, mixture of zinc sulfide and metal oxide, mixture of zinc sulfide and metal nitride, mixture of zinc sulfide and metal carbide, mixture of zinc sulfide and metal fluoride, zinc sulfide and metal A mixture with boride, a mixture with zinc sulfide and another metal sulfide, a multi-component metal oxide having a high refractive index, aluminum nitride, and sialon are preferable. The protective layer 41 may be formed by a multilayer film.
【0032】放熱層5の材料としてはAl、AiTi、
AlNi、高熱伝導率の金属を含む合金が望ましい。放
熱層5を設けなければならない必然性はないが、設けた
ほうが記録パワーの余裕度が大きくなるので設けたほう
が望ましい。The material of the heat radiation layer 5 is Al, AiTi,
AlNi, an alloy containing a metal with high thermal conductivity is desirable. There is no necessity to provide the heat radiation layer 5, but it is preferable to provide the heat radiation layer because the margin of the recording power becomes large.
【0033】次に、本発明の他の実施例について、図面
を参照して説明する。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0034】図3は本発明の一実施例を説明するための
製造工程図であり、図4は図3に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。FIG. 3 is a manufacturing process diagram for explaining one embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a schematic sectional view of a magneto-optical recording medium manufactured by using the embodiment shown in FIG.
【0035】図4において、1は基板、2は透明干渉
層、321はその上に成膜した第1の光磁気層、322
はNdGdFeCoTiの第2の光磁気層の膜を成膜し
た後その表面を少しスパッタエッチングすることにより
ある程度平坦化した第2の光磁気層、323はその上に
成膜した第3の光磁気層、42はその上に成膜した保護
層、5はその上に成膜した放熱層である。In FIG. 4, 1 is a substrate, 2 is a transparent interference layer, 321 is a first magneto-optical layer formed thereon, 322
Is a second magneto-optical layer formed by forming a second magneto-optical layer of NdGdFeCoTi and then slightly sputter-etching the surface to a certain extent, and 323 is a third magneto-optical layer formed thereon. , 42 are a protective layer formed thereon and 5 is a heat dissipation layer formed thereon.
【0036】図4に示すように、基板装着工程(a)で
フォトポリマーによって案内溝が形成されている直径2
00mm、厚さ1.18mmのガラス製の基板1をスパッタ
装置内に装着し、スパッタ装着真空排気工程(b)で5
×10-7Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程
(c)でアルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコ
ンターゲットを反応性スパッタすることにより800オ
ングストローム厚の窒化シリコンの透明干渉層2を形成
した。次に第1の光磁気層成膜工程(d)でGeFeC
oターゲットをアルゴンガスによりスパッタすることに
より200オングストローム厚のGeFeCoの非晶質
の第1の光磁気層321を形成した。次に第2の光磁気
層成膜工程(e)でNdGdFeCoTiターゲットを
アルゴンガスによりスパッタすることにより50オング
ストローム厚のNdGdFeCoTiの第2の光磁気層
322を形成し、次に、第2の光磁気層スパッタエッチ
ング工程(f)でこの表面をアルゴンガスで10オング
ストローム程度スパッタエッチングして窒化シリコンの
第2の光磁気層322の表面を比較的平坦にした。次に
第3の光磁気層成膜工程(g)でTbFeTiターゲッ
トをアルゴンガスによりスパッタすることにより600
オングストローム厚のTbFeTiの非晶質の第3の光
磁気層323を形成した。次に保護層成膜工程(j)で
シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスによ
り反応性スパッタすることにより800オングストロー
ム厚の窒化シリコンの保護層42を設けた。次に放熱層
成膜工程(k)でAlTiターゲットをアルゴンガスに
よりスパッタすることにより400オングストローム厚
のAlTiの放熱層5を設け、図4のような構成にし
た。このようにして製造された光磁気記録媒体は光磁気
記録媒体取出工程(l)でスパッタ装置の外に取り出さ
れる。次にこの放熱層5の上にUV硬化樹脂の10μm
厚の貼合わせ保護膜を形成し、このような2枚ディスク
を、基板1が外側で各膜が内側になるようにホットメル
トで貼合わせた。このようにして作製した光磁気記録媒
体を3600rpmで回転させ、波長8300オングスト
ロームの半導体レーザー光を基板1を通して第1の光磁
気層321上でおよそφ1.4μm に絞って照射した。
半径87.5mmのところで記録周波数10MHz の信号を
デューティ比50%の2値の光変調で記録パワー9mW、
記録磁界400エルステッドで記録した後、再生時に記
録磁界と同一方向に400エルステッドのバイアス磁界
を印加して再生しても、記録されていない状態の領域が
記録された状態に変化することなく良好な再生特性を得
られることが確認された。As shown in FIG. 4, in the substrate mounting step (a), a guide groove having a diameter of 2
A glass substrate 1 having a thickness of 00 mm and a thickness of 1.18 mm was mounted in a sputtering apparatus, and a vacuum evacuation step (b) for mounting a spatter was performed.
After evacuating to a pressure of 10 -7 Torr or less, a transparent interference of 800 angstrom thick silicon nitride is performed by introducing a mixed gas of argon and nitrogen in the transparent interference layer forming step (c) and reactively sputtering the silicon target. Layer 2 was formed. Next, in the first magneto-optical layer forming step (d), GeFeC
The target was sputtered with argon gas to form a 200 Å thick GeFeCo amorphous first magneto-optical layer 321. Next, in a second magneto-optical layer forming step (e), an NdGdFeCoTi target is sputtered with argon gas to form a 50 angstrom thick second magneto-optical layer 322 of NdGdFeCoTi, and then the second magneto-optical layer is formed. In the layer sputter etching step (f), the surface was sputter-etched with argon gas for about 10 angstroms to make the surface of the second magneto-optical layer 322 made of silicon nitride relatively flat. Next, in a third magneto-optical layer film forming step (g), a TbFeTi target is
An amorphous third magneto-optical layer 323 of TbFeTi having a thickness of Å was formed. Next, in a protective layer forming step (j), a silicon target was reactively sputtered with a mixed gas of argon and nitrogen to provide a 800 angstrom thick silicon nitride protective layer 42. Next, in the heat radiation layer forming step (k), an AlTi heat radiation layer 5 having a thickness of 400 angstroms was provided by sputtering an AlTi target with argon gas, and the structure as shown in FIG. 4 was obtained. The magneto-optical recording medium thus manufactured is taken out of the sputtering apparatus in the magneto-optical recording medium taking-out step (l). Next, a UV curable resin of 10 μm
A thick bonding protective film was formed, and such two disks were bonded by hot melt so that the substrate 1 was on the outside and each film was on the inside. The thus produced magneto-optical recording medium was rotated at 3600 rpm, and a semiconductor laser beam having a wavelength of 8300 angstroms was irradiated onto the first magneto-optical layer 321 through the substrate 1 to a diameter of about 1.4 μm.
At a radius of 87.5 mm, a signal having a recording frequency of 10 MHz is subjected to binary optical modulation with a duty ratio of 50% to have a recording power of 9 mW,
After recording with a recording magnetic field of 400 Oersteds, even if a reproduction is performed by applying a bias magnetic field of 400 Oersteds in the same direction as the recording magnetic field at the time of reproduction, the unrecorded area does not change to the recorded state. It was confirmed that reproduction characteristics could be obtained.
【0037】第1の光磁気層321の材料としては、G
dFeCo、GdFeCoTi、GdFeCoCr、G
dFeCoNi、GdFeCoNiCr、GdFeCo
Ta、GdFeCoNb、GdFeCoPt、GdTb
FeCo、GdTbFeCoTi、GdTbFeCoC
r、GdTbFeCoNi、GdTbFeCoNiC
r、GdTbFeCoTa、GdTbFeCoNb、G
dTbFeCoPt、GdDyFeCo、GdDyFe
CoTi、GdDyFeCoCr、GdDyFeCoN
i、GdDyFeCoNiCr、GdDyFeCoT
a、GdDyFeCoNb、GdDyFeCoPt、T
bFeCo、TbFeCoTi、TbFeCoCr、T
bFeCoNi、TbFeCoNiCr、TbFeCo
Ta、TbFeCoNb、TbFeCoPtが望まし
く、第2の光磁気層322の材料は、NdGdFeCo
Tiとし、第3の光磁気層323の材料としては、Tb
Fe、TbFeTi、TbFeCr、TbFeNi、T
bFeNiCr、TbFeTa、TbFeNb、TbF
ePt、TbFeCo、TbFeCoTi、TbFeC
oCr、TbFeCoNi、TbFeCoNiCr、T
bFeCoTa、TbFeCoNb、TbFeCoP
t、TbDyFeCo、TbDyFeCoTi、TbD
yFeCoCr、TbFeCoNi、TbDyFeCo
NiCr、TbDyFeCoTa、TbDyFeCoN
b、TbDyFeCoPtが望ましく、キュリー温度は
第3の光磁気層323のほうが低いようにする。The material of the first magneto-optical layer 321 is G
dFeCo, GdFeCoTi, GdFeCoCr, G
dFeCoNi, GdFeCoNiCr, GdFeCo
Ta, GdFeCoNb, GdFeCoPt, GdTb
FeCo, GdTbFeCoTi, GdTbFeCoC
r, GdTbFeCoNi, GdTbFeCoNiC
r, GdTbFeCoTa, GdTbFeCoNb, G
dTbFeCoPt, GdDyFeCo, GdDyFe
CoTi, GdDyFeCoCr, GdDyFeCoN
i, GdDyFeCoNiCr, GdDyFeCoT
a, GdDyFeCoNb, GdDyFeCoPt, T
bFeCo, TbFeCoTi, TbFeCoCr, T
bFeCoNi, TbFeCoNiCr, TbFeCo
Ta, TbFeCoNb, and TbFeCoPt are desirable, and the material of the second magneto-optical layer 322 is NdGdFeCo.
Ti, and the material of the third magneto-optical layer 323 is Tb
Fe, TbFeTi, TbFeCr, TbFeNi, T
bFeNiCr, TbFeTa, TbFeNb, TbF
ePt, TbFeCo, TbFeCoTi, TbFeC
oCr, TbFeCoNi, TbFeCoNiCr, T
bFeCoTa, TbFeCoNb, TbFeCoP
t, TbDyFeCo, TbDyFeCoTi, TbD
yFeCoCr, TbFeCoNi, TbDyFeCo
NiCr, TbDyFeCoTa, TbDyFeCoN
b, TbDyFeCoPt is desirable, and the Curie temperature is set to be lower in the third magneto-optical layer 323.
【0038】保護層42の材料としては窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層42は多層膜で形成してもかまわない。The material of the protective layer 42 is silicon nitride,
Silicon nitride oxide, zinc sulfide, mixture of zinc sulfide and metal oxide, mixture of zinc sulfide and metal nitride, mixture of zinc sulfide and metal carbide, mixture of zinc sulfide and metal fluoride, zinc sulfide and metal A mixture with boride, a mixture with zinc sulfide and another metal sulfide, a multi-component metal oxide having a high refractive index, aluminum nitride, and sialon are preferable. The protective layer 42 may be formed by a multilayer film.
【0039】次に、本発明のオーバーライト可能な光磁
気記録媒体の他の実施例について、図面を参照して説明
する。Next, another embodiment of the overwritable magneto-optical recording medium of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0040】図5は本発明の一実施例を説明するための
製造工程図であり、図6は図5に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。FIG. 5 is a manufacturing process diagram for explaining one embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a schematic sectional view of a magneto-optical recording medium manufactured by using the embodiment shown in FIG.
【0041】図6において、1は基板、2は透明干渉
層、331はその上に成膜した第1の光磁気層、332
はNdGdFeCoTiの第2の光磁気層の膜を成膜し
た後その表面を少しスパッタエッチングすることにより
ある程度平坦化した第2の光磁気層、333はその上に
成膜した第3の光磁気層、334はその上に成膜した第
4の光磁気層、43はその上に成膜した保護層、5はそ
の上に成膜した放熱層である。In FIG. 6, 1 is a substrate, 2 is a transparent interference layer, 331 is a first magneto-optical layer formed thereon, 332
Is a second magneto-optical layer formed of a second magneto-optical layer of NdGdFeCoTi and then slightly sputter-etched on its surface to a certain extent, and 333 is a third magneto-optical layer formed thereon. Numeral 334 denotes a fourth magneto-optical layer formed thereon, 43 denotes a protective layer formed thereon, and 5 denotes a heat radiation layer formed thereon.
【0042】図5に示すように、基板装着工程(a)で
案内溝が形成されている直径130mm、厚さ1.20mm
のポリカーボネイト樹脂製の基板1をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装置真空排気工程(b)で5×10-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程(c)でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより800オングストロ
ーム厚のシリコンの透明干渉層2を形成した。次に第1
の光磁気層成膜工程(d)でTbFeTiターゲットを
アルゴンガスによりスパッタすることにより200オン
グストローム厚のTbFeTiの非晶質の第1の光磁気
層331を形成した。次に第2の光磁気層成膜工程
(e)でNdGdFeCoTiケーダットをアルゴンガ
スによりスパッタすることにより50オングストローム
厚のNdGdFeCoTiの第2の光磁気層332を形
成し、次に第2の光磁気層のスパッタエッチング工程
(f)でこの表面をアルゴンガスで10オングストロー
ム程度スパッタエッチングして第2の光磁気層332の
表面を比較的平坦にした。次に第3の光磁気層成膜工程
(g)でGdTbFeCoTiターゲットをアルゴンガ
スによりスパッタすることにより1000オングストロ
ーム厚のGdTbFeCoTiの非晶質の第3の光磁気
層333を形成した。次に第4の光磁気層成膜工程
(h)でTbCoTiターゲットをアルゴンによりスパ
ッタすることにより400オングストローム厚のGdT
bFeCoTiの非晶質の第3の光磁気層333を形成
した。次に保護層成膜工程(j)でシリコンターゲット
をアルゴンと窒素との混合ガスにより反応性スパッタす
ることにより800オングストローム厚の窒化シリコン
の保護層43を設けた。次に放熱層成膜工程(k)でA
lNiターゲットをアルゴンガスによりスパッタするこ
とにより400オングストローム厚のAlNiの放熱層
5を設け、図6のような構成にした。このようにして製
造された光磁気記録媒体は光磁気記録媒体取出工程
(l)でスパッタ装置の外に取り出される。この光磁気
記録媒体を3600rpm で回転させ、波長8300オン
グストロームの半導体レーザー光を基板1を通して第1
の光磁気層331上でおよそφ1.4μm に絞って照射
した。半径30.0mmのところで3値の光変調で、先行
補助磁界なしで、記録磁界350エルステッドでオーバ
ーライト記録した後、再生時に記録磁界と同一方向に3
50エルステッドのバイアス磁界を印加して再生して
も、記録されていない状態の領域が記録された状態に変
化することなく良好な再生特性を得られ、また記録磁界
と同一向きにバイアス磁界を印加しながら低レベル記録
パワーを照射したとき、高レベル記録パワーによって記
録された記録マークが低レベル記録パワーによって記録
されるべき記録マークに良好に書き換えられることが確
認された。As shown in FIG. 5, the guide groove is formed in the substrate mounting step (a) in a diameter of 130 mm and a thickness of 1.20 mm.
The substrate 1 made of polycarbonate resin is mounted in a sputtering apparatus, and the sputtering apparatus is evacuated to 5 × 10 −7 in the evacuation step (b) (b).
After evacuation to Torr or less, in a transparent interference layer forming step (c), a mixed gas of argon and nitrogen was introduced, and a silicon target was reactively sputtered to form a 800 nm thick silicon transparent interference layer 2. . Then the first
In the step (d) of forming a magneto-optical layer, a TbFeTi target was sputtered with argon gas to form an amorphous first magneto-optical layer 331 of TbFeTi having a thickness of 200 angstroms. Next, in a second magneto-optical layer forming step (e), a 50 angstrom thick second magneto-optical layer 332 of NdGdFeCoTi is formed by sputtering NdGdFeCoTi cadat with argon gas, and then the second magneto-optical layer is formed. In the sputter etching step (f), the surface was sputter-etched with argon gas for about 10 angstroms to make the surface of the second magneto-optical layer 332 relatively flat. Next, in a third magneto-optical layer forming step (g), a GdTbFeCoTi target was sputtered with argon gas to form a 1000 angstrom thick amorphous third magneto-optical layer 333 of GdTbFeCoTi. Next, in a fourth magneto-optical layer forming step (h), a TbCoTi target is sputtered with argon to form a 400 angstrom thick GdT.
An amorphous third magneto-optical layer 333 of bFeCoTi was formed. Next, in a protective layer forming step (j), a silicon target was reactively sputtered with a mixed gas of argon and nitrogen to provide a 800 angstrom thick silicon nitride protective layer 43. Next, in the heat radiation layer forming step (k), A
An AlNi heat dissipation layer 5 having a thickness of 400 angstroms was provided by sputtering the 1Ni target with argon gas, and the structure as shown in FIG. 6 was obtained. The magneto-optical recording medium thus manufactured is taken out of the sputtering apparatus in the magneto-optical recording medium taking-out step (l). The magneto-optical recording medium is rotated at 3600 rpm, and a semiconductor laser beam having a wavelength of 8300 Å is passed through the substrate 1 for the first time.
On the magneto-optical layer 331 of. After performing overwrite recording with a recording magnetic field of 350 Oersted without precedence auxiliary magnetic field by ternary light modulation at a radius of 30.0 mm, three-valued light is modulated in the same direction as the recording magnetic field during reproduction.
Even when a 50 Oersted bias magnetic field is applied for reproduction, good reproduction characteristics can be obtained without changing the unrecorded area to the recorded state, and the bias magnetic field is applied in the same direction as the recording magnetic field. While irradiating the recording medium with the low-level recording power, it was confirmed that the recording marks recorded with the high-level recording power could be satisfactorily rewritten to the recording marks to be recorded with the low-level recording power.
【0043】第1の光磁気層331の材料としては、G
dFeCo、GdFeCoTi、GdFeCoCr、G
dFeCoNi、GdFeCoNiCr、GdFeCo
Ta、GdFeCoNb、GdFeCoPt、GdTb
FeCo、CdTbFeCoTi、GdTbFeCoC
r、GdTbFeCoNi、GdTbFeCoNiC
r、GdTbFeCoTa、GdTbFeCoNb、G
dTbFeCoPt、GdDyFeCo、GdDyFe
CoTi、GdDyFeCoCr、GdDyFeCoN
i、GdDyFeCoNiCr、GdDyFeCoT
a、GdDyFeCoNb、GdDyFeCoPt、T
bFeCo、TbFeCoTi、TbFeCoCr、T
bFeCoNi、TbFeCoNiCr、TbFeCo
Ta、TbFeCoNb、TbFeCoPtが望まし
く、第2の光磁気層332の材料は、NdGdFeCo
Tiとし、第3の光磁気層333の材料としては、Tb
Fe、TbFeTi、TbFeCr、TbFeNi、T
bFeNiCr、TbFeTa、TbFeNb、TbF
ePt、TbFeCo、TbFeCoTi、TbFeC
oCr、TbFeCoNi、TbFeCoNiCr、T
bFeCoTa、TbFeCoNb、TbFeCoP
t、TbDyFeCo、TbDyFeCoTi、TbD
yFeCoCr、TbFeCoNi、TbDyFeCo
NiCr、TbDyFeCoTa、TbDyFeCoN
b、TbDyFeCoPtが望ましく、キュリー温度は
第3の光磁気層333のほうが高いようにする。The material of the first magneto-optical layer 331 is G
dFeCo, GdFeCoTi, GdFeCoCr, G
dFeCoNi, GdFeCoNiCr, GdFeCo
Ta, GdFeCoNb, GdFeCoPt, GdTb
FeCo, CdTbFeCoTi, GdTbFeCoC
r, GdTbFeCoNi, GdTbFeCoNiC
r, GdTbFeCoTa, GdTbFeCoNb, G
dTbFeCoPt, GdDyFeCo, GdDyFe
CoTi, GdDyFeCoCr, GdDyFeCoN
i, GdDyFeCoNiCr, GdDyFeCoT
a, GdDyFeCoNb, GdDyFeCoPt, T
bFeCo, TbFeCoTi, TbFeCoCr, T
bFeCoNi, TbFeCoNiCr, TbFeCo
Ta, TbFeCoNb, and TbFeCoPt are desirable, and the material of the second magneto-optical layer 332 is NdGdFeCo.
Ti, and the material of the third magneto-optical layer 333 is Tb
Fe, TbFeTi, TbFeCr, TbFeNi, T
bFeNiCr, TbFeTa, TbFeNb, TbF
ePt, TbFeCo, TbFeCoTi, TbFeC
oCr, TbFeCoNi, TbFeCoNiCr, T
bFeCoTa, TbFeCoNb, TbFeCoP
t, TbDyFeCo, TbDyFeCoTi, TbD
yFeCoCr, TbFeCoNi, TbDyFeCo
NiCr, TbDyFeCoTa, TbDyFeCoN
b, TbDyFeCoPt is desirable, and the Curie temperature is higher in the third magneto-optical layer 333.
【0044】第4の光磁気層334は、高レベルのレー
ザー光の照射によっても磁化が反転しないように第3の
光磁気層333よりもキュリー温度が高い膜とし、低レ
ベルのレーザー光の照射のときに補助層として働く第3
の光磁気層333の磁化が初期化層として働く第4の光
磁気層334の磁化に揃うようにし、高レベルのレーザ
ー光の照射のときには第4の光磁気層334の磁化が第
3の光磁気層333に影響を与えないような物性を選
ぶ。第4の光磁気層334の材料としては、GdTbF
eCo、GdTbFeCoTi、GdTbFeCoC
r、GdTbFeCoNi、GdTbFeCoTa、G
dTbFeCoNb、GdTbFeCoPt、GdTb
FeCoNiCr、TbFeCo、TbFeCoTi、
TbFeCoCr、TbFeCoNi、TbFeCoT
a、TbFeCoNb、TbFeCoPt、TbDyF
eCo、TbDyFeCoTi、TbDyFeCoN
b、TbCo、TbCoTi、TbCoCr、TbCo
Ni、TbCoTa、TbCoNb、TbCoPtが望
ましい。The fourth magneto-optical layer 334 is a film having a higher Curie temperature than that of the third magneto-optical layer 333 so that the magnetization is not reversed even by irradiation with a high-level laser beam, and is irradiated with a low-level laser beam. The third that works as an auxiliary layer at the time of
The magnetization of the fourth magneto-optical layer 334 is aligned with the magnetization of the fourth magneto-optical layer 334 that functions as an initialization layer. When a high-level laser beam is irradiated, the magnetization of the fourth magneto-optical layer 334 changes to the third light. A physical property that does not affect the magnetic layer 333 is selected. The material of the fourth magneto-optical layer 334 is GdTbF
eCo, GdTbFeCoTi, GdTbFeCoC
r, GdTbFeCoNi, GdTbFeCoTa, G
dTbFeCoNb, GdTbFeCoPt, GdTb
FeCoNiCr, TbFeCo, TbFeCoTi,
TbFeCoCr, TbFeCoNi, TbFeCoT
a, TbFeCoNb, TbFeCoPt, TbDyF
eCo, TbDyFeCoTi, TbDyFeCoN
b, TbCo, TbCoTi, TbCoCr, TbCo
Ni, TbCoTa, TbCoNb, and TbCoPt are desirable.
【0045】保護層43の材料としては窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層43は多層膜で形成してもかまわない。The material of the protective layer 43 is silicon nitride,
Silicon nitride oxide, zinc sulfide, mixture of zinc sulfide and metal oxide, mixture of zinc sulfide and metal nitride, mixture of zinc sulfide and metal carbide, mixture of zinc sulfide and metal fluoride, zinc sulfide and metal A mixture with boride, a mixture with zinc sulfide and another metal sulfide, a multi-component metal oxide having a high refractive index, aluminum nitride, and sialon are preferable. The protective layer 43 may be formed by a multilayer film.
【0046】次に、本発明のオーバーライト可能な光磁
気記録媒体の他の実施例について、図面を参照して説明
する。Next, another embodiment of the overwritable magneto-optical recording medium of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0047】図7は本発明の一実施例を説明するための
製造工程図であり、図8は図7に示す実施例を用いて製
造された光磁気記録媒体の概略断面図である。FIG. 7 is a manufacturing process diagram for explaining one embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a schematic sectional view of a magneto-optical recording medium manufactured by using the embodiment shown in FIG.
【0048】図8において、1は基板、2は透明干渉
層、341はその上に成膜した第1の光磁気層、342
はNdGdFeCoTiの第2の光磁気層の膜を成膜し
た後その表面を少しスパッタエッチングすることにより
ある程度平坦化した第2の光磁気層、343はその上に
成膜した第3の光磁気層、344はその上に成膜した第
4の光磁気層、345はその上に成膜した第5の光磁気
層、44はその上に成膜した保護層、5はその上に成膜
した放熱層である。In FIG. 8, 1 is a substrate, 2 is a transparent interference layer, 341 is a first magneto-optical layer formed thereon, 342
Is a second magneto-optical layer formed by forming a second magneto-optical layer of NdGdFeCoTi and then slightly sputter-etching the surface thereof to a certain extent, and 343 is a third magneto-optical layer formed thereon. 344 is a fourth magneto-optical layer formed thereon, 345 is a fifth magneto-optical layer formed thereon, 44 is a protective layer formed thereon, and 5 is formed thereon. It is a heat dissipation layer.
【0049】図7に示すように、基板装着工程(a)で
案内溝が形成されている直径130mm、厚さ1.20mm
のポリカーボネイト樹脂製の基板1をスパッタ装置内に
装着し、スパッタ装置真空排気工程(b)で5×10-7
Torr以下に真空排気後、透明干渉層成膜工程(c)でア
ルゴンと窒素との混合ガスを導入してシリコンターゲッ
トを反応性スパッタすることにより800オングストロ
ーム厚の窒化シリコンの透明干渉層2を形成した。次に
第1の光磁気層成膜工程(d)でTbFeTiターゲッ
トをアルゴンガスによりスパッタすることにより200
オングストローム厚のTbFeTiの非晶質の第1の光
磁気層341を形成した。次に第2の光磁気層成膜工程
(f)でNdGdFeCoTiターゲットをアルゴンガ
スによりスパッタすることにより50オングストローム
厚のNdGdFeCoTiの第2の光磁気層342を形
成した。次に第2の光磁気層スパッタエッチング工程
(f)でこの表面をアルゴンガスで10オングストロー
ム程度スパッタエッチングして第2の光磁気層342の
表面を比較的平坦にし、次に第3の光磁気層成膜工程
(g)でGdTbFeCoTiターゲットをアルゴンガ
スによりスパッタすることにより1400オングストロ
ーム厚のGdTbFeCoTiの非晶質の第3の光磁気
層343を形成した。次に第4の光磁気層成膜工程
(h)でTbFeTiターゲットをアルゴンによりスパ
ッタすることにより250オングストローム厚のTbF
eTiの非晶質の第4の光磁気層344を形成した。次
に第5の光磁気層成膜工程(i)でTbCoTiターゲ
ットをアルゴンによりスパッタすることにより400オ
ングストローム厚のTbCoTiの非晶質の第5の光磁
気層345を形成した。次に保護層成膜工程(j)でシ
リコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスにより
反応性スパッタすることにより800オングストローム
厚の窒化シリコンの保護層44を設けた。次に放熱層成
膜工程(k)でAlNiターゲットをアルゴンガスによ
りスパッタすることにより400オングストローム厚の
AlNiの放熱層5を設け、図8のような構成にした。
このようにして製造された光磁気記録媒体は光磁気記録
媒体取出工程(l)でスパッタ装置の外に取り出され
る。この光磁気記録媒体を3600rpm で回転させ、波
長8300オングストロームの半導体レーザー光を基板
1を通して第1の光磁気層341上でおよそφ1.4μ
m に絞って照射した。半径30.0mmのところで3値の
光変調で、先行補助磁界なしで、記録磁界350エルス
テッドでオーバーライト記録した後、再生時に記録磁界
と同一方向に350エルステッドのバイアス磁界を印加
して再生しても、記録されていない状態の領域が記録さ
れた状態に変化することなく良好な再生特性を得られ、
また記録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加しながら
低レベル記録パワーを照射したとき、高レベル記録パワ
ーによって記録された記録マークが低レベル記録パワー
によって記録されるべき記録マークに良好に書き換えら
れることが確認された。As shown in FIG. 7, in the substrate mounting step (a), a guide groove is formed and has a diameter of 130 mm and a thickness of 1.20 mm.
The substrate 1 made of polycarbonate resin is mounted in a sputtering apparatus, and the sputtering apparatus is evacuated to 5 × 10 −7 in the evacuation step (b) (b).
After evacuating to a pressure of Torr or less, a transparent interference layer 2 of 800 angstrom thick is formed by introducing a mixed gas of argon and nitrogen in the transparent interference layer forming step (c) and reactively sputtering the silicon target. did. Next, in a first magneto-optical layer forming step (d), a TbFeTi target is sputtered with an argon gas to form a target.
An amorphous first magneto-optical layer 341 of TbFeTi having a thickness of Å was formed. Next, in a second magneto-optical layer forming step (f), a NdGdFeCoTi target was sputtered with argon gas to form a second magneto-optical layer 342 of 50 Å thick NdGdFeCoTi. Next, in the second magneto-optical layer sputter etching step (f), the surface is sputter-etched with argon gas for about 10 angstroms to make the surface of the second magneto-optical layer 342 relatively flat, and then the third magneto-optical layer is formed. In the layer forming step (g), a GdTbFeCoTi target was sputtered with argon gas to form a GdTbFeCoTi amorphous third magneto-optical layer 343 having a thickness of 1400 angstroms. Next, in a fourth magneto-optical layer forming step (h), a TbFeTi target is sputtered with argon to form a 250 angstrom thick TbF.
An amorphous fourth magneto-optical layer 344 of eTi was formed. Next, in a fifth magneto-optical layer forming step (i), a TbCoTi amorphous fifth magneto-optical layer 345 having a thickness of 400 Å was formed by sputtering a TbCoTi target with argon. Next, in the protective layer forming step (j), a silicon target was reactively sputtered with a mixed gas of argon and nitrogen to provide a 800 angstrom thick silicon nitride protective layer 44. Next, in the heat radiation layer forming step (k), an AlNi heat radiation layer 5 having a thickness of 400 angstroms was provided by sputtering an AlNi target with argon gas, to obtain a configuration as shown in FIG.
The magneto-optical recording medium thus manufactured is taken out of the sputtering apparatus in the magneto-optical recording medium taking-out step (l). The magneto-optical recording medium is rotated at 3600 rpm, and a semiconductor laser beam having a wavelength of 8300 angstroms is applied to the first magneto-optical layer 341 through the substrate 1 to approximately φ1.4 μm.
m and irradiation. After performing overwrite recording with a recording magnetic field of 350 Oersted without precedence auxiliary magnetic field by ternary light modulation at a radius of 30.0 mm, reproduction is performed by applying a bias magnetic field of 350 Oersted in the same direction as the recording magnetic field during reproduction. Also, good reproduction characteristics can be obtained without changing the unrecorded area to the recorded state,
When a low level recording power is applied while applying a bias magnetic field in the same direction as the recording magnetic field, a recording mark recorded with a high level recording power can be satisfactorily rewritten to a recording mark to be recorded with a low level recording power. Was confirmed.
【0050】第1の光磁気層341の材料としては、G
dFeCo、GdFeCoTi、GdFeCoCr、G
dFeCoNi、GdFeCoNiCr、GdFeCo
Ta、GdFeCoNb、GdFeCoPt、GdTb
FeCo、CdTbFeCoTi、GdTbFeCoC
r、GdTbFeCoNi、GdTbFeCoNiC
r、GdTbFeCoTa、GdTbFeCoNb、G
dTbFeCoPt、GdDyFeCo、GdDyFe
CoTi、GdDyFeCoCr、GdDyFeCoN
i、GdDyFeCoNiCr、GdDyFeCoT
a、GdDyFeCoNb、GdDyFeCoPt、T
bFeCo、TbFeCoTi、TbFeCoCr、T
bFeCoNi、TbFeCoNiCr、TbFeCo
Ta、TbFeCoNb、TbFeCoPtが望まし
く、第2の光磁気層342の材料は、NdGdFeCo
Tiとし、第3の光磁気層343の材料としては、Tb
Fe、TbFeTi、TbFeCr、TbFeNi、T
bFeNiCr、TbFeTa、TbFeNb、TbF
ePt、TbFeCo、TbFeCoTi、TbFeC
oCr、TbFeCoNi、TbFeCoNiCr、T
bFeCoTa、TbFeCoNb、TbFeCoP
t、TbDyFeCo、TbDyFeCoTi、TbD
yFeCoCr、TbFeCoNi、TbDyFeCo
NiCr、TbDyFeCoTa、TbDyFeCoN
b、TbDyFeCoPtが望ましく、キュリー温度は
第3の光磁気層343のほうが高いようにする。The material of the first magneto-optical layer 341 is G
dFeCo, GdFeCoTi, GdFeCoCr, G
dFeCoNi, GdFeCoNiCr, GdFeCo
Ta, GdFeCoNb, GdFeCoPt, GdTb
FeCo, CdTbFeCoTi, GdTbFeCoC
r, GdTbFeCoNi, GdTbFeCoNiC
r, GdTbFeCoTa, GdTbFeCoNb, G
dTbFeCoPt, GdDyFeCo, GdDyFe
CoTi, GdDyFeCoCr, GdDyFeCoN
i, GdDyFeCoNiCr, GdDyFeCoT
a, GdDyFeCoNb, GdDyFeCoPt, T
bFeCo, TbFeCoTi, TbFeCoCr, T
bFeCoNi, TbFeCoNiCr, TbFeCo
Ta, TbFeCoNb, and TbFeCoPt are desirable, and the material of the second magneto-optical layer 342 is NdGdFeCo.
Ti, and the material of the third magneto-optical layer 343 is Tb
Fe, TbFeTi, TbFeCr, TbFeNi, T
bFeNiCr, TbFeTa, TbFeNb, TbF
ePt, TbFeCo, TbFeCoTi, TbFeC
oCr, TbFeCoNi, TbFeCoNiCr, T
bFeCoTa, TbFeCoNb, TbFeCoP
t, TbDyFeCo, TbDyFeCoTi, TbD
yFeCoCr, TbFeCoNi, TbDyFeCo
NiCr, TbDyFeCoTa, TbDyFeCoN
b, TbDyFeCoPt is desirable, and the Curie temperature is higher in the third magneto-optical layer 343.
【0051】第5の光磁気層345は、高レベルのレー
ザー光の照射によっても磁化が反転しないように第3の
光磁気層343よりもキュリー温度が高い膜とし、第4
の光磁気層344のキュリー温度は第1の光磁気層34
1、第3の光磁気層343、第5の光磁気層345のな
かで最も低い膜とする。低レベルのレーザー光の照射の
ときに補助層として働く第3の光磁気層343の磁化が
初期化層として働く第5の光磁気層345の磁化に揃う
ようにし、高レベルのレーザー光の照射のときには第5
の光磁気層345の磁化が第3の光磁気層343に影響
を与えないように第4の光磁気層344がふるまうよう
に、第4の光磁気層344と第5の光磁気層345の物
性を選ぶ。第4の光磁気層344の材料としては、Tb
Fe、TbFeTi、TbFeCr、TbFeNi、T
bFeTa、DyFeCo、DyFeCoTi、DyF
eCoNi、DyFeCoNb、TbFeCo、TbF
eCoTi、TbFeCoCr、TbFeCoNi、T
bFeCoTa、TbFeCoNb、TbFeCoP
t、TbDyFeCo、TbDyFeCoTi、TbD
yFeCoNbが望ましく、第5の光磁気層345の材
料としては、GdTbFeCo、GdTbFeCoT
i、GdTbFeCoCr、GdTbFeCoNi、G
dTbFeCoNiCr、GdTbFeCoTa、Tb
FeCo、TbFeCoTi、TbFeCoCr、Tb
FeCoPt、TbDyFeCo、TbDyFeCoT
i、TbDyFeCoCr、TbDyFeCoTa、T
bCo、TbCoTi、TbCoCr、TbCoNb、
TbCoPtが望ましい。The fifth magneto-optical layer 345 is a film having a higher Curie temperature than the third magneto-optical layer 343 so that the magnetization is not reversed even by irradiation with a high-level laser beam.
Curie temperature of the first magneto-optical layer 34
1, the lowest film among the third magneto-optical layer 343 and the fifth magneto-optical layer 345. When the low-level laser light is irradiated, the magnetization of the third magneto-optical layer 343 serving as the auxiliary layer is aligned with the magnetization of the fifth magneto-optical layer 345 serving as the initialization layer, and the high-level laser light is irradiated. When is the fifth
Of the fourth magneto-optical layer 344 and the fifth magneto-optical layer 345 so that the fourth magneto-optical layer 344 acts so that the magnetization of the first magneto-optical layer 345 does not affect the third magneto-optical layer 343. Choose physical properties. The material of the fourth magneto-optical layer 344 is Tb
Fe, TbFeTi, TbFeCr, TbFeNi, T
bFeTa, DyFeCo, DyFeCoTi, DyF
eCoNi, DyFeCoNb, TbFeCo, TbF
eCoTi, TbFeCoCr, TbFeCoNi, T
bFeCoTa, TbFeCoNb, TbFeCoP
t, TbDyFeCo, TbDyFeCoTi, TbD
yFeCoNb is desirable, and the material of the fifth magneto-optical layer 345 is GdTbFeCo, GdTbFeCoT
i, GdTbFeCoCr, GdTbFeCoNi, G
dTbFeCoNiCr, GdTbFeCoTa, Tb
FeCo, TbFeCoTi, TbFeCoCr, Tb
FeCoPt, TbDyFeCo, TbDyFeCoT
i, TbDyFeCoCr, TbDyFeCoTa, T
bCo, TbCoTi, TbCoCr, TbCoNb,
TbCoPt is desirable.
【0052】保護層44の材料としては窒化シリコン、
窒化酸化シリコン、硫化亜鉛、硫化亜鉛と金属酸化物と
の混合物、硫化亜鉛と金属窒化物との混合物、硫化亜鉛
と金属炭化物との混合物、硫化亜鉛と金属フッ化物との
混合物、硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物、硫化亜鉛
と他の金属硫化物との混合物、高屈折率の多元系金属酸
化物、窒化アルミニウム、サイアロンが望ましい。保護
層44は多層膜で形成してもかまわない。The material of the protective layer 44 is silicon nitride,
Silicon nitride oxide, zinc sulfide, mixture of zinc sulfide and metal oxide, mixture of zinc sulfide and metal nitride, mixture of zinc sulfide and metal carbide, mixture of zinc sulfide and metal fluoride, zinc sulfide and metal A mixture with boride, a mixture with zinc sulfide and another metal sulfide, a multi-component metal oxide having a high refractive index, aluminum nitride, and sialon are preferable. The protective layer 44 may be formed by a multilayer film.
【0053】[0053]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気記
録媒体の製造方法は、第2の光磁気層の表面をスパッタ
エッチングして平坦にすることと、第2の光磁気層とし
てNdGdFeCoTiを用いることにより、第1の光
磁気層と第3の光磁気層との相互作用が適度に強く、記
録磁界と同一向きにバイアス磁界を印加して記録された
情報を読み出す場合、記録されていない状態の領域が記
録された状態に変化することなく、また記録磁界と同一
向きにバイアス磁界を印加して低レベルのレーザー光を
照射したとき、高レベルのレーザー光によって記録され
た記録マークが低レベルのレーザー光によって記録され
るべき記録マークに良好に書き換えられる光磁気記録媒
体を製造することができる。As described above, the method of manufacturing a magneto-optical recording medium according to the present invention comprises flattening the surface of the second magneto-optical layer by sputter etching, and forming NdGdFeCoTi as the second magneto-optical layer. Is used, the interaction between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer is moderately strong, and when a bias magnetic field is applied in the same direction as the recording magnetic field to read the recorded information, the information is recorded. When a low-level laser beam is irradiated by applying a bias magnetic field in the same direction as the recording magnetic field without irradiating the recording mark with the high-level laser beam without changing the area in the absence state to the recorded state. It is possible to manufacture a magneto-optical recording medium in which a recording mark to be recorded by a low-level laser beam can be satisfactorily rewritten.
【図1】本発明の一実施例を説明するための製造工程図
である。FIG. 1 is a manufacturing process diagram for explaining an embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す実施例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of a magneto-optical recording medium manufactured by using the embodiment shown in FIG.
【図3】本発明の他の一実施例を説明するための製造工
程図である。FIG. 3 is a manufacturing process diagram for explaining another embodiment of the present invention.
【図4】図3に示す実施例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view of a magneto-optical recording medium manufactured using the embodiment shown in FIG.
【図5】本発明の他の一実施例を説明するための製造工
程図である。FIG. 5 is a manufacturing process diagram for explaining another embodiment of the present invention.
【図6】図5に示す実施例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。6 is a schematic sectional view of a magneto-optical recording medium manufactured by using the embodiment shown in FIG.
【図7】本発明の他の一実施例を説明するための製造工
程図である。FIG. 7 is a manufacturing process diagram for explaining another embodiment of the present invention.
【図8】図7に示す実施例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。8 is a schematic sectional view of a magneto-optical recording medium manufactured by using the embodiment shown in FIG.
【図9】従来の光磁気記録媒体の一実施例を説明するた
めの製造工程図である。FIG. 9 is a manufacturing process diagram for explaining one embodiment of a conventional magneto-optical recording medium.
【図10】図9に示す実施例を用いて製造された光磁気
記録媒体の概略断面図である。FIG. 10 is a schematic sectional view of a magneto-optical recording medium manufactured using the embodiment shown in FIG.
1 基板 2 透明干渉層 311,321,331,341,301 第1の光
磁気層 312,322,332,342,302 第2の光
磁気層 313,323,333,343,303 第3の光
磁気層 334,344 第4の光磁気層 345 第5の光磁気層 41,42,43,44,40 保護層 5 放熱層 (a) 基板装着工程 (b) スパッタ装置真空排気工程 (c) 透明干渉層成膜工程 (d) 第1の光磁気層 (e) NdGdFeCoTiの第2の光磁気層成膜
工程 (f) 第2の光磁気層スパッタエッチング工程 (g) 第3の光磁気層成膜工程 (h) 第4の光磁気層成膜工程 (i) 第5の光磁気層成膜工程 (j) 保護層成膜工程 (k) 放熱層成膜工程 (l) 光磁気記録媒体取出工程DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Transparent interference layer 311,321,331,341,301 First magneto-optical layer 312,322,332,342,302 Second magneto-optical layer 313,323,333,343,303 Third magneto-optical Layers 334, 344 Fourth magneto-optical layer 345 Fifth magneto-optical layer 41, 42, 43, 44, 40 Protective layer 5 Heat dissipation layer (a) Substrate mounting step (b) Sputtering apparatus vacuum evacuation step (c) Transparent interference Layer forming step (d) First magneto-optical layer (e) Second magneto-optical layer forming step of NdGdFeCoTi (f) Second magneto-optical layer sputter etching step (g) Third magneto-optical layer forming Step (h) Fourth magneto-optical layer forming step (i) Fifth magneto-optical layer forming step (j) Protective layer forming step (k) Heat radiating layer forming step (l) Magneto-optical recording medium take-out step
Claims (7)
第2の光磁気層と第3の光磁気層とをこの順に少なくと
も設け、レーザー光を該基板を通して該第1の光磁気層
に集束して照射することにより情報の書込を行い、レー
ザー光を該基板を通して該第1の光磁気層に集束して移
動させながら照射することにより情報の読出を行うよう
にした光磁気記録媒体であって、 前記第1の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す膜であり、 前記第3の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す膜であり、 前記第2の光磁気層はネオジム(Nd)とガドリニウム
(Gd)と鉄(Fe)とコバルト(Co)とチタン(T
i)とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
1の光磁気層と前記第2の光磁気層とは少なくとも10
℃以上50℃以下で交換結合しており、 前記第2の光磁気層と前記第3の光磁気層とは少なくと
も10℃以上50℃以下で交換結合している光磁気記録
媒体の製造方法において、 前記第3の光磁気層は前記第2の光磁気層の表面をスパ
ッタエッチングして平坦化したのち成膜することによ
り、前記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層との相互
作用を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。At least a transparent interference layer, a first magneto-optical layer, a second magneto-optical layer, and a third magneto-optical layer are provided on a substrate in this order, and laser light is transmitted through the substrate to the first light layer. Light for writing information by focusing and irradiating the magnetic layer, and reading information by irradiating the laser light while focusing and moving the laser light through the substrate to the first magneto-optical layer. A magnetic recording medium, wherein the first magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron-group transition metal and a rare-earth transition metal, and is a film exhibiting ferrimagnetism at least at 10 ° C or more and 50 ° C or less; The third magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron-group transition metal and a rare-earth transition metal, and is a film exhibiting ferrimagnetism at least from 10 ° C. to 50 ° C., and the second magneto-optical layer is neodymium. (Nd) and gadolinium (Gd ), Iron (Fe), cobalt (Co), and titanium (T
i), wherein the first magneto-optical layer and the second magneto-optical layer are at least 10
The second magneto-optical layer and the third magneto-optical layer are exchange-coupled at least at least 10 ° C. and no more than 50 ° C. The third magneto-optical layer is formed by flattening the surface of the second magneto-optical layer by sputter etching and forming a film. A method for manufacturing a magneto-optical recording medium, characterized by enhancing interaction.
第2の光磁気層と第3の光磁気層とをこの順に少なくと
も設け、レーザー光を該基板を通して該第1の光磁気層
に集束して照射することにより情報の書込を行い、レー
ザー光を該基板を通して該第1の光磁気層に集束して移
動させながら照射することにより情報の読出を行うよう
にした光磁気記録媒体であって、 前記第1の光磁気層は、鉄族遷移金属と希土類遷移金属
とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃
以上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜で
あり、 前記第3の光磁気層は、鉄族遷移金属と希土類遷移金属
とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃
以上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜で
あり、 前記第2の光磁気層は、ネオジム(Nd)とガドリニウ
ム(Gd)と鉄(Fe)とコバルト(Co)とチタン
(Ti)とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前
記第1の光磁気層の磁化の向きと前記第3の光磁気層の
磁化の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何
れか一方を「A向き」とし、他方を「逆A向き」とする
とき、前記第1の光磁気層の磁化はそのままで前記第3
の光磁気層の磁化のみが書込の直前までに先行補助磁界
により「A向き」に揃えられ、情報に従い高レベルと低
レベルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第1
の光磁気層に照射された場合、 (1)前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第1の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として10℃以上50℃以下の温
度範囲で前記第3の光磁気層が「逆A向き」磁化であり
前記第1の光磁気層が「逆A向き」を有する記録マーク
が形成され、 (2)前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第1の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第3の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
3の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、 又は前記レーザー光の照射がなくなって10℃以上50
℃以下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁
界が作用しても前記第3の光磁気層の残存磁化が作用す
ることにより、 結果として10℃以上50℃以下の温度範囲で前記第3
の光磁気層が「A向き」磁化であり、前記第1の光磁気
層が「A向き」磁化を有する記録マークが形成されるよ
うに、前記第2の光磁気層が前記第1の光磁気層と前記
第3の光磁気層との相互作用を制御するようなレーザー
光の変調だけでオーバーライトが可能な光磁気記録媒体
の製造方法において、 前記第3の光磁気層は前記第2の光磁気層の表面をスパ
ッタエッチングして平坦化したのちに成膜することによ
り、前記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層との相互
作用を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。2. A method according to claim 1, wherein at least a transparent interference layer, a first magneto-optical layer, a second magneto-optical layer, and a third magneto-optical layer are provided on the substrate in this order, and the first light is transmitted through the substrate. Light for writing information by focusing and irradiating the magnetic layer, and reading information by irradiating the laser light while focusing and moving the laser light through the substrate to the first magneto-optical layer. A magnetic recording medium, wherein the first magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and is at least 10 ° C.
A film capable of perpendicular magnetization exhibiting ferrimagnetism at a temperature of not less than 50 ° C. or less, and the third magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal and at least 10 ° C.
A film capable of perpendicular magnetization exhibiting ferrimagnetism at a temperature of 50 ° C. or less, and the second magneto-optical layer is composed of neodymium (Nd), gadolinium (Gd), iron (Fe), cobalt (Co), and titanium (Ti). Wherein the direction of magnetization of the first magneto-optical layer and the direction of magnetization of the third magneto-optical layer are either upward or downward with respect to the layer plane. Is set in the “A direction” and the other is set in the “reverse A direction”, the magnetization of the first magneto-optical layer is not changed and the third
Only the magnetization of the magneto-optical layer is aligned in the “A direction” by the preceding auxiliary magnetic field immediately before writing, and the laser light pulse-modulated between the high level and the low level in accordance with the information is the first laser beam.
(1) When the modulated laser beam is at a high level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to a high temperature, and a recording magnetic field that is not modulated at that temperature state is increased. Acts or the recording magnetic field that is not modulated in the process of decreasing to the temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less after the irradiation of the laser beam is removed, and as a result, the temperature is reduced to 10 ° C. or more and 50 ° C. or less. A third magneto-optical layer having a "reverse A direction" magnetization and a recording mark having the first magneto-optical layer having a "reverse A direction"; and (2) the modulated laser light is at a low level. At this time, the temperature of the first magneto-optical layer rises to an intermediate temperature, and in that temperature state, at least the magnetization of the third magneto-optical layer remains, and even if a non-modulated recording magnetic field acts on the third magneto-optical layer, The residual magnetization of the magneto-optical layer acts Either by Rukoto, or irradiation of the laser light is gone 10 ° C. to 50
The residual magnetization of the third magneto-optical layer acts even when a recording magnetic field that is not modulated in the process of lowering to a temperature range of 10 ° C. or less acts as a result.
The second magneto-optical layer is formed of the first magneto-optical layer so that a recording mark having the “A-directional” magnetization is formed in the first magneto-optical layer. In a method for manufacturing a magneto-optical recording medium capable of overwriting only by modulating a laser beam so as to control the interaction between a magnetic layer and the third magneto-optical layer, Forming a film after flattening the surface of the magneto-optical layer by sputter etching to enhance the interaction between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer. A method for manufacturing a magnetic recording medium.
第2の光磁気層と第3の光磁気層とをこの順に少なくと
も設け、レーザー光を該基板を通して該第1の光磁気層
に集束して照射することにより情報の書込を行い、レー
ザー光を該基板を通して該第1の光磁気層に集束して移
動させながら照射することにより情報の読出を行うよう
にした光磁気記録媒体であって、 前記第1の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第3の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第2の光磁気層はネオジム(Nd)とガドリニウム
(Gd)と鉄(Fe)とコバルト(Co)とチタン(T
i)とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
1の光磁気層の磁化の向きと前記第3の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「A向き」とし、他方を「逆A向き」とすると
き、前記第1の光磁気層の磁化はそのままで前記第3の
光磁気層の磁化のみが書込の直前までに先行補助磁界に
より「A向き」に揃えられ、情報に従い高レベルと低レ
ベルとの間でパルス変調されたレーザー光が前記第1の
光磁気層に照射された場合、 (1)前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第1の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として10℃以上50℃以下の温
度範囲で前記第3の光磁気層が「逆A向き」磁化であり
前記第1の光磁気層が「A向き」磁化を有する記録マー
クが形成され、 (2)前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第1の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第3の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
3の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第3の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより結果として10℃以上50℃以下の温度範囲で
前記第3の光磁気層が「A向き」磁化であり、前記第1
の光磁気層が「逆A向き」磁化を有する記録マークが形
成されるように、前記第2の光磁気層が前記第1の光磁
気層と前記第3の光磁気層との相互作用を制御するよう
なレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光磁
気記録媒体の製造方法において、 前記第3の光磁気層は前記第2の光磁気層の表面をスパ
ッタエッチングして平坦化したのちに成膜することによ
り、前記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層との相互
作用を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。3. A transparent interference layer, a first magneto-optical layer, a second magneto-optical layer, and a third magneto-optical layer are provided at least in this order on a substrate, and a laser beam is transmitted through the substrate to the first light layer. Light for writing information by focusing and irradiating the magnetic layer, and reading information by irradiating the laser light while focusing and moving the laser light through the substrate to the first magneto-optical layer. A magnetic recording medium, wherein the first magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and is a perpendicularly magnetizable film exhibiting ferrimagnetism at least at least 10 ° C. and not more than 50 ° C. Wherein the third magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron-group transition metal and a rare-earth transition metal and is a perpendicularly magnetizable film exhibiting ferrimagnetism at least at 10 ° C. or more and 50 ° C. or less, The second magneto-optical layer is neodymium (Nd), gadolinium (Gd), iron (Fe), cobalt (Co), and titanium (T
i) wherein the direction of magnetization of the first magneto-optical layer and the direction of magnetization of the third magneto-optical layer are either upward or downward with respect to the layer plane. When one is set to the “A direction” and the other is set to the “reverse A direction”, only the magnetization of the third magneto-optical layer precedes immediately before writing while the magnetization of the first magneto-optical layer remains unchanged. When the first magneto-optical layer is irradiated with a laser beam aligned in the “A direction” by an auxiliary magnetic field and pulse-modulated between a high level and a low level according to information, (1) the modulated laser When the light is at a high level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to a high temperature, and an unmodulated recording magnetic field acts on the temperature state, or the laser light irradiation stops and the temperature is 10 ° C. or more and 50 ° C. Recording magnetic field not modulated in the process of decreasing to the following temperature range As a result, in the temperature range from 10 ° C. to 50 ° C., the third magneto-optical layer has “reverse A-direction” magnetization and the first magneto-optical layer has “A-direction” magnetization. (2) when the modulated laser light is at a low level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to an intermediate temperature, at which temperature at least the third magneto-optical layer The magnetization remains due to the residual magnetization of the third magneto-optical layer acting even when a non-modulated recording magnetic field acts, or the temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less after the laser beam irradiation stops. The residual magnetization of the third magneto-optical layer acts even when a recording magnetic field that is not modulated in the process of lowering the magnetic field acts on the third magneto-optical layer. A direction ”magnetization, 1
The second magneto-optical layer interacts with the first and third magneto-optical layers such that a recording mark having a "reverse A direction" magnetization is formed in the magneto-optical layer of the second type. In a method of manufacturing a magneto-optical recording medium capable of overwriting only by controlling the modulation of a laser beam, the third magneto-optical layer is formed by flattening the surface of the second magneto-optical layer by sputter etching. A method of manufacturing a magneto-optical recording medium, characterized in that the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer have a stronger interaction by being formed on the first magneto-optical layer.
第2の光磁気層と第3の光磁気層と第4の光磁気層とを
この順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を通して
該第1の光磁気層に集束して照射することにより情報の
書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第1の光磁
気層に集束して移動させながら照射することにより情報
の読出を行うようにした光磁気記録媒体であって、 前記第1の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第3の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第4の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第2の光磁気層はネオジム(Nd)とガドリニウム
(Gd)と鉄(Fe)とコバルト(Co)とチタン(T
i)とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
1の光磁気層の磁化の向きと前記第3の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「A向き」とし、他方を「逆A向き」とすると
き、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第1の光磁気層に照射された場
合、 (1)前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第1の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、または前
記レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃以下
の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作
用することにより、結果として10℃以上50℃以下の
温度範囲で前記第3の光磁気層が「A向き」磁化であ
り、前記第1の光磁気層が「逆A向き」磁化であり、前
記第4の光磁気層の磁化の向きは不変で「A向き」であ
る記録マークが形成され、 (2)前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第1の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第3の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
3の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第3の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより結果として10℃以上50℃以下の温度範囲で
前記第3の光磁気層が「A向き」磁化であり、前記第1
の光磁気層が「A向き」磁化であり、前記第4の光磁気
層の磁化の向きは不変で「A向き」である記録マークが
形成されるように、 前記第2の光磁気層が前記第1の光磁気層と前記第3の
光磁気層との相互作用を制御するような先行補助磁界が
なくレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、 前記第3の光磁気層は前記第2の光磁気層の表面をスパ
ッタエッチングして平坦化したのちに成膜することによ
り、前記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層との相互
作用を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。4. A transparent interference layer, a first magneto-optical layer, a second magneto-optical layer, a third magneto-optical layer, and a fourth magneto-optical layer are provided at least in this order on a substrate, and laser light is applied to the substrate. The information is written by focusing and irradiating the first magneto-optical layer through the substrate, and irradiating the laser light while focusing and moving the laser light through the substrate to the first magneto-optical layer. A magneto-optical recording medium for performing reading, wherein the first magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal and has a ferrimagnetic property at least at 10 ° C or more and 50 ° C or less. Wherein the third magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and has a perpendicular magnetization exhibiting ferrimagnetism at least from 10 ° C. to 50 ° C. A possible film, said fourth light The magnetic layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and is a perpendicularly magnetizable film exhibiting ferrimagnetism at least from 10 ° C. to 50 ° C., and the second magneto-optical layer is neodymium. (Nd), gadolinium (Gd), iron (Fe), cobalt (Co), and titanium (T
i) wherein the direction of magnetization of the first magneto-optical layer and the direction of magnetization of the third magneto-optical layer are either upward or downward with respect to the layer plane. When one is set to the “A direction” and the other is set to the “reverse A direction”, the first magneto-optical layer is irradiated with laser light pulse-modulated between a high level and a low level according to information. (1) When the modulated laser beam is at a high level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to a high temperature, and an unmodulated recording magnetic field acts at that temperature, or The unmodulated recording magnetic field acts in the process of dropping to a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less after irradiation disappears, and as a result, the third magneto-optical layer becomes “A” in a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less. Orientation "magnetization, said first magneto-optical A recording mark in which the air layer has a “reverse A direction” magnetization, the magnetization direction of the fourth magneto-optical layer is invariable and the “A direction” is formed, and (2) the modulated laser light is at a low level. , The temperature of the first magneto-optical layer rises to an intermediate temperature, and at that temperature, at least the magnetization of the third magneto-optical layer remains, and even if a non-modulated recording magnetic field acts, The third magnetic field is not affected by the residual magnetization of the magneto-optical layer of No. 3 or the non-modulated recording magnetic field in the process of declining to a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less after the irradiation of the laser beam stops. As a result, the third magneto-optical layer has the “A direction” magnetization in a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less due to the action of the residual magnetization of the first magneto-optical layer.
The second magneto-optical layer is formed such that the magneto-optical layer of “No. A method of manufacturing a magneto-optical recording medium capable of overwriting only by modulating a laser beam without a preceding auxiliary magnetic field for controlling an interaction between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer, The third magneto-optical layer is formed by flattening the surface of the second magneto-optical layer by sputter etching to form the third magneto-optical layer. A method for manufacturing a magneto-optical recording medium, characterized by enhancing the action.
第2の光磁気層と第3の光磁気層と第4の光磁気層とを
この順に少なくとも設け、レーザー光を該基板を通して
該第1の光磁気層に集束して照射することにより情報の
書込を行い、レーザー光を該基板を通して該第1の光磁
気層に集束して移動させながら照射することにより情報
の読出を行うようにした光磁気記録媒体であって、 前記第1の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第3の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、前記第4の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金
属とを少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10
℃以上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜
であり、前記第2の光磁気層はネオジム(Nd)とガド
リニウム(Gd)と鉄(Fe)とコバルト(Co)とチ
タン(Ti)とを少なくとも含む非晶質合金の膜であ
り、 前記第1の光磁気層の磁化の向きと前記第3の光磁気層
の磁化の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの
何れか一方を「A向き」とし、他方を「逆A向き」とす
るとき、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス
変調されたレーザー光が前記第1の光磁気層に照射され
た場合、 (1)前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第1の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、または前
記レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃以下
の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作
用することにより、結果として10℃以上50℃以下の
温度範囲で前記第3の光磁気層が「A向き」磁化であ
り、前記第1の光磁気層が「A向き」磁化であり、前記
第4の光磁気層の磁化の向きは不変で「A向き」である
記録マークが形成され、 (2)前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第1の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第3の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
3の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第3の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより結果として10℃以上50℃以下の温度範囲で
前記第3の光磁気層が「A向き」磁化であり、前記第1
の光磁気層が「逆A向き」磁化であり、前記第4の光磁
気層の磁化の向きは不変で「A向き」である記録マーク
が形成されるように、 前記第2の光磁気層が前記第1の光磁気層と前記第3の
光磁気層との相互作用を制御するような先行補助磁界が
なくレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、 前記第3の光磁気層は前記第2光磁気層の表面をスパッ
タエッチングして平坦化したのちに成膜することによ
り、前記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層との相互
作用を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。5. A transparent interference layer, a first magneto-optical layer, a second magneto-optical layer, a third magneto-optical layer, and a fourth magneto-optical layer are provided at least in this order on a substrate, and a laser beam is emitted. The information is written by focusing and irradiating the first magneto-optical layer through the substrate, and irradiating the laser light while focusing and moving the laser light through the substrate to the first magneto-optical layer. A magneto-optical recording medium for performing reading, wherein the first magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal and has a ferrimagnetic property at least at 10 ° C or more and 50 ° C or less. Wherein the third magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and has a perpendicular magnetization exhibiting ferrimagnetism at least from 10 ° C. to 50 ° C. A possible film, said fourth light Air layer is an amorphous alloy comprising at least iron group transition metals and rare earth-transition metal and at least 10
A perpendicularly magnetizable film exhibiting ferrimagnetism at a temperature of not less than 50 ° C. and not more than 50 ° C., wherein the second magneto-optical layer is composed of neodymium (Nd), gadolinium (Gd), iron (Fe), cobalt (Co), and titanium (Ti) And a direction of magnetization of the first magneto-optical layer and the direction of magnetization of the third magneto-optical layer are either upward or downward with respect to the layer plane. When “A direction” is set to “A direction” and the other is set to “inverse A direction”, when the laser light pulse-modulated between the high level and the low level according to the information is irradiated on the first magneto-optical layer, 1) When the modulated laser light is at a high level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to a high temperature, and an unmodulated recording magnetic field acts at that temperature, or the laser light irradiation Temperature of 10 ℃ or more and 50 ℃ or less As a result, the third magneto-optical layer is "A-oriented" in the temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less due to the action of the recording magnetic field which is not modulated in the process of decreasing the temperature. A recording mark in which the layer has "A direction" magnetization and the magnetization direction of the fourth magneto-optical layer is invariable and "A direction" is formed, and (2) the modulated laser beam is at a low level. At this time, the temperature of the first magneto-optical layer rises to an intermediate temperature, and in that temperature state, at least the magnetization of the third magneto-optical layer remains, and even if a non-modulated recording magnetic field acts on the third magneto-optical layer, Due to the residual magnetization of the magneto-optical layer acting, or even if a recording magnetic field that is not modulated acts during the process of decreasing the temperature range from 10 ° C. to 50 ° C. due to the elimination of the laser beam irradiation, the third light The residual magnetization of the magnetic layer acts Ri is the result as the temperature range of 10 ° C. or higher 50 ° C. or less third magnetooptical layer "A direction" magnetization, the first
The second magneto-optical layer is formed such that the magneto-optical layer of the second magneto-optical layer has a "reverse A direction" magnetization, and the recording direction of the fourth magneto-optical layer is invariable and "A direction" is formed. A method of manufacturing a magneto-optical recording medium capable of overwriting only by modulating laser light without a preceding auxiliary magnetic field for controlling the interaction between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer, The third magneto-optical layer is formed by flattening the surface of the second magneto-optical layer by sputter etching to form a film between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer. A method for manufacturing a magneto-optical recording medium, characterized by enhancing the action.
第2の光磁気層と第3の光磁気層と第4の光磁気層と第
5の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光
を該基板を通して該第1の光磁気層に集束して照射する
ことにより情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通
して該第1の光磁気層に集束して移動させながら照射す
ることにより情報の読出を行うようにした光磁気記録媒
体であって、 前記第1の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第3の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第4の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第5の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第2の光磁気層はネオジム(Nd)とガドリニウム
(Gd)と鉄(Fe)とコバルト(Co)とチタン(T
i)とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
1の光磁気層の磁化の向きと前記第3の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「A向き」とし、他方を「逆A向き」とすると
き、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第1の光磁気層に照射された場
合、 (1)前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第1の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として10℃以上50℃以下の温
度範囲で前記第1の光磁気層が「逆A向き」磁化であ
り、前記第3の光磁気層の磁化は前記第4の光磁気層の
ために前記第5の光磁気層の磁化の影響を受けないで
「A向き」磁化となり前記第5の光磁気層の磁化の向き
は不変で「A向き」である記録マークが形成され、 (2)前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第1の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第3の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
3の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第3の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより、結果として10℃以上50℃以下の温度範囲
で前記第3の光磁気層が「A向き」磁化であり、前記第
1の光磁気層が「A向き」磁化であり、前記第5の光磁
気層の磁化の向きは不変で「A向き」である記録マーク
が形成されるように、 前記第2の光磁気層が前記第1の光磁気層と前記第3の
光磁気層との相互作用を制御するような先行補助磁界が
なくレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、 前記第3の光磁気層は前記第2の光磁気層の表面をスパ
ッタエッチングして平坦化したのちに成膜することによ
り、前記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層との相互
作用を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。6. A transparent interference layer, a first magneto-optical layer, a second magneto-optical layer, a third magneto-optical layer, a fourth magneto-optical layer, and a fifth magneto-optical layer are formed on a substrate in this order. At least provided, information writing is performed by focusing and irradiating the laser beam to the first magneto-optical layer through the substrate, and focusing and moving the laser beam to the first magneto-optical layer through the substrate. Wherein the first magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and is at least 10 ° C. A film capable of perpendicular magnetization exhibiting ferrimagnetism at a temperature of not less than 50 ° C. or less, and the third magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and at least 10 ° C. to 50 ° C. Perpendicularly magnetizable film showing ferrimagnetism The fourth magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron-group transition metal and a rare-earth transition metal, and is a perpendicularly magnetizable film exhibiting ferrimagnetism at least from 10 ° C. to 50 ° C .; The magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and is a perpendicularly magnetizable film exhibiting ferrimagnetism at least from 10 ° C. to 50 ° C .; Is neodymium (Nd), gadolinium (Gd), iron (Fe), cobalt (Co), and titanium (T
i) wherein the direction of magnetization of the first magneto-optical layer and the direction of magnetization of the third magneto-optical layer are either upward or downward with respect to the layer plane. When one is set to the “A direction” and the other is set to the “reverse A direction”, the first magneto-optical layer is irradiated with laser light pulse-modulated between a high level and a low level according to information. (1) When the modulated laser light is at a high level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to a high temperature, and an unmodulated recording magnetic field acts at that temperature, or The unmodulated recording magnetic field acts during the process of decreasing the temperature to a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less due to the elimination of the irradiation. A direction "magnetization, said third magneto-optical The magnetization of the air layer is "A direction" without being affected by the magnetization of the fifth magneto-optical layer because of the fourth magneto-optical layer, and the direction of the magnetization of the fifth magneto-optical layer is unchanged. (2) When the modulated laser light is at a low level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to an intermediate temperature, and in that temperature state, at least the The magnetization of the third magneto-optical layer remains at 10 ° C. due to the remaining magnetization of the third magneto-optical layer acting even when a non-modulated recording magnetic field acts, or the laser beam irradiation disappears. The residual magnetization of the third magneto-optical layer acts even when a recording magnetic field that is not modulated in the process of lowering to a temperature range of not less than 50 ° C. acts as a result. The third magneto-optical layer is “A-oriented” magnetization The second magneto-optical layer is formed such that the first magneto-optical layer has “A direction” magnetization and the fifth magneto-optical layer has a constant magnetization direction and a “A direction” recording mark. Manufacture of a magneto-optical recording medium in which a magneto-optical layer controls an interaction between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer without a preceding auxiliary magnetic field and can be overwritten only by modulating laser light. In the method, the third magneto-optical layer is formed by flattening the surface of the second magneto-optical layer by sputter etching to form the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer. A method for producing a magneto-optical recording medium, characterized by strengthening interaction with a layer.
第2の光磁気層と第3の光磁気層と第4の光磁気層と第
5の光磁気層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光
を該基板を通して該第1の光磁気層に集束して照射する
ことにより情報の書込を行い、レーザー光を該基板を通
して該第1の光磁気層に集束して移動させながら照射す
ることにより情報の読出を行うようにした光磁気記録媒
体であって、 前記第1の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第4の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第4の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第5の光磁気層は鉄族遷移金属と希土類遷移金属と
を少なくとも含む非晶質合金でかつ少なくとも10℃以
上50℃以下でフェリ磁性を示す垂直磁化可能な膜であ
り、 前記第2の光磁気層はネオジム(Nd)とガドリニウム
(Gd)と鉄(Fe)とコバルト(Co)とチタン(T
i)とを少なくとも含む非晶質合金の膜であり、前記第
1の光磁気層の磁化の向きと前記第3の光磁気層の磁化
の向きとを層平面に対して上向きまたは下向きの何れか
一方を「A向き」とし、他方を「逆A向き」とすると
き、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調
されたレーザー光が前記第1の光磁気層に照射された場
合、 (1)前記変調されたレーザー光が高レベルにあると
き、前記第1の光磁気層の温度は高温に上昇し、その温
度状態で変調されない記録磁界が作用するか、又は前記
レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃以下の
温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が作用
することにより、結果として10℃以上50℃以下の温
度範囲で前記第1の光磁気層が「A向き」磁化であり、
前記第3の光磁気層の磁化は前記第4の光磁気層のため
に前記第5の光磁気層の磁化の影響を受けないで「A向
き」磁化となり前記第5の光磁気層の磁化の向きは不変
で「A向き」である記録マークが形成され、 (2)前記変調されたレーザー光が低レベルにあると
き、前記第1の光磁気層の温度は中間温度に上昇し、そ
の温度状態では少なくとも前記第3の光磁気層の磁化は
残存しており変調されない記録磁界が作用しても前記第
3の光磁気層の残存磁化が作用することによるか、又は
前記レーザー光の照射がなくなって10℃以上50℃以
下の温度範囲に低下する過程で変調されない記録磁界が
作用しても前記第3の光磁気層の残存磁化が作用するこ
とにより、結果として10℃以上50℃以下の温度範囲
で前記第3の光磁気層が「A向き」磁化であり、前記第
1の光磁気層が「逆A向き」磁化であり、前記第5の光
磁気層の磁化の向きは不変で「A向き」である記録マー
クが形成されるように、 前記第2の光磁気層が前記第1の光磁気層と前記第3の
光磁気層との相互作用を制御するような先行補助磁界が
なくレーザー光の変調だけでオーバーライトが可能な光
磁気記録媒体の製造方法において、 前記第3の光磁気層は前記第2の光磁気層の表面をスパ
ッタエッチングして平坦化したのちに成膜することによ
り、前記第1の光磁気層と前記第3の光磁気層との相互
作用を強くすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。7. A transparent interference layer, a first magneto-optical layer, a second magneto-optical layer, a third magneto-optical layer, a fourth magneto-optical layer, and a fifth magneto-optical layer are formed on a substrate in this order. At least provided, information writing is performed by focusing and irradiating the laser beam to the first magneto-optical layer through the substrate, and focusing and moving the laser beam to the first magneto-optical layer through the substrate. Wherein the first magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and is at least 10 ° C. A film capable of perpendicular magnetization exhibiting ferrimagnetism at a temperature of 50 ° C. or less, and the fourth magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and at least 10 ° C. to 50 ° C. Perpendicularly magnetizable film showing ferrimagnetism The fourth magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron-group transition metal and a rare-earth transition metal, and is a perpendicularly magnetizable film exhibiting ferrimagnetism at least from 10 ° C. to 50 ° C .; The magneto-optical layer is an amorphous alloy containing at least an iron group transition metal and a rare earth transition metal, and is a perpendicularly magnetizable film exhibiting ferrimagnetism at least from 10 ° C. to 50 ° C .; Is neodymium (Nd), gadolinium (Gd), iron (Fe), cobalt (Co), and titanium (T
i) wherein the direction of magnetization of the first magneto-optical layer and the direction of magnetization of the third magneto-optical layer are either upward or downward with respect to the layer plane. When one is set to the “A direction” and the other is set to the “reverse A direction”, the first magneto-optical layer is irradiated with laser light pulse-modulated between a high level and a low level according to information. (1) When the modulated laser light is at a high level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to a high temperature, and an unmodulated recording magnetic field acts at that temperature, or The unmodulated recording magnetic field acts in the process of dropping to a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less due to the elimination of the irradiation. Orientation ”magnetization,
Because of the fourth magneto-optical layer, the magnetization of the third magneto-optical layer becomes "A direction" without being affected by the magnetization of the fifth magneto-optical layer, and becomes the "A direction" magnetization. (2) When the modulated laser light is at a low level, the temperature of the first magneto-optical layer rises to an intermediate temperature, and In a temperature state, at least the magnetization of the third magneto-optical layer remains, and the residual magnetization of the third magneto-optical layer acts even when an unmodulated recording magnetic field acts, or the laser light irradiation The residual magnetization of the third magneto-optical layer acts even when a recording magnetic field that is not modulated in the process of dropping to a temperature range of 10 ° C. or more and 50 ° C. or less occurs, resulting in 10 ° C. or more and 50 ° C. or less. When the third magneto-optical layer is in the “A And the first magneto-optical layer has a "reverse A direction" magnetization, and the recording direction of the fifth magneto-optical layer does not change and a "A direction" recording mark is formed. In addition, there is no preceding auxiliary magnetic field such that the second magneto-optical layer controls the interaction between the first magneto-optical layer and the third magneto-optical layer, and overwriting can be performed only by modulating laser light. In the method for manufacturing a magneto-optical recording medium, the third magneto-optical layer is formed by flattening the surface of the second magneto-optical layer by sputter etching to form the third magneto-optical layer. A method for manufacturing a magneto-optical recording medium, wherein the interaction with the third magneto-optical layer is strengthened.
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---|---|---|---|
JP21741891A JP2815034B2 (en) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | Method for manufacturing magneto-optical recording medium |
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JP21741891A JP2815034B2 (en) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | Method for manufacturing magneto-optical recording medium |
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JPH0554450A JPH0554450A (en) | 1993-03-05 |
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JP21741891A Expired - Lifetime JP2815034B2 (en) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | Method for manufacturing magneto-optical recording medium |
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-
1991
- 1991-08-28 JP JP21741891A patent/JP2815034B2/en not_active Expired - Lifetime
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