JPH10105933A - 磁気変換アセンブリ、サスペンション・アセンブリ、磁気記憶システム及びトランスデューサの摩耗状態をモニタする方法 - Google Patents

磁気変換アセンブリ、サスペンション・アセンブリ、磁気記憶システム及びトランスデューサの摩耗状態をモニタする方法

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JPH10105933A JP9179770A JP17977097A JPH10105933A JP H10105933 A JPH10105933 A JP H10105933A JP 9179770 A JP9179770 A JP 9179770A JP 17977097 A JP17977097 A JP 17977097A JP H10105933 A JPH10105933 A JP H10105933A
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 摩耗インジケータを磁気記憶システムの磁気
トランスデューサ５０、５２のスライダ３８に組み込み
動作中のトランスデューサの摩耗状態をトランスデュー
サの浮遊状態で検知可能な磁気記憶システム。 【解決手段】 摩耗限界インジケータ６０は、トランス
デューサが磁気ディスク媒体により擦り減らされた場
合、電気回路構造体の電気特性の変化をモニタする。本
発明の特徴は、回路の抵抗がディスク駆動動作中にモニ
タされる。抵抗回路構造体の一部をスライダに取り付
け、トランスデューサの摩耗と同時に物理的に擦り減ら
される。予め設定した抵抗の変化は、トランスデューサ
が実際の故障前に取替えられる所定の摩耗限界であるこ
とを示す。特定の実施例では、開回路により摩耗限界に
到達したことを示すように回路を構成する。また、スラ
イダに取り付けられたプローブと磁気ディスクとの間の
静電容量のモニタでも可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気データ記憶シ
ステムの磁気トランスデューサに関し、特に磁気記憶シ
ステムの信頼性、使用可能性及び保守性を改良する摩耗
表示機構を有する磁気トランスデューサに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク駆動装置は情報記憶装置で
あり、情報を有する同心のデータ・トラックを有する少
なくとも１つの回転可能なディスクと、様々なトラック
に対してデータの読み書きを行う１つ以上のトランスデ
ューサ（すなわち「ヘッド」）と、トランスデューサを
データの読み書きの動作中に所望のトラックへ移動さ
せ、トラックの中央線上に保持するトランスデューサに
接続されたヘッド位置決めアクチュエータとを使用す
る。図１を参照すると、従来技術のヘッド・サスペンシ
ョン・アセンブリが示されており、トランスデューサ２
０はディスク２４のデータ表面に押し付けられているス
ライダ２６に取り付けられている。他の従来技術のアセ
ンブリでは、スライダはディスクの回転によって生ずる
エア・ベアリングに支えられてディスク表面上を僅かに
浮遊する。スライダ２６は位置決めアクチュエータ（図
示なし）の支持アームのサスペンション２５に取り付け
られている。サスペンション２５は、スライダ２６とア
クチュエータとの間の次元的安定性を与え、スライダが
回転している磁気ディスク表面に対して相対運動中にス
ライダの縦横の揺れ（ジンバル運動）及び垂直方向の僅
かな高さに対する柔軟性を制御する。
【０００３】高データ密度化（ディスクに記録できるデ
ータ量）の傾向により、ディスク表面により多くのデー
タ・トラックを設けるために狭いデータ・トラック幅及
び狭いデータ・トラック間隔をディスク表面にフォーマ
ットする必要性が生じた。高データ密度化の重要な制限
は、トランスデューサとディスク表面との間隔である。
一般に、トランスデューサとディスクとの間隔が狭いほ
ど高データ密度化が可能である。これはトランスデュー
サの磁束がディスク表面の小さい領域により多く集めら
れてデータ分解能を改良するからである。前述のように
磁気ディスク記憶システムのある種のトランスデューサ
は、エア・クッションすなわち回転するディスクが生む
エア・ベアリングに乗るように、及びディスク表面に密
接に近接させたスライダに取り付けられるように設計さ
れている。他の型のトランスデューサはトランスデュー
サが回転しているディスク表面に接触するようにスライ
ダに取り付けられている。この型のトランスデューサは
一般に接触型トランスデューサと呼ばれる。他の要素を
考慮しないのであれば、エア・ベアリング型トランスデ
ューサよりも接触型トランスデューサを使用すると高デ
ータ密度を得ることができる。
【０００４】接触型トランスデューサには限界がある。
図１を参照すると、接触型トランスデューサ２０はチッ
プ２２（概略図）を有し、チップ２２はトランスデュー
サ２０が磁気ディスク２４上を移動して磁気ディスク２
４からデータを読出す時に磁束変化を検知するように、
又は磁気ディスク２４にデータを書込む時に磁束変化を
生じさせるように構成されている。このチップ２２は、
数ミクロン程度の使用可能な厚さＴを有する。接触型ト
ランスデューサの本質上、チップ２２は一度、ディスク
駆動機構が作動すると磁気ディスク２４によって擦られ
必然的に摩耗を受ける。チップ２２よりも硬い材料でで
きているスライダ２６は、ある程度まで摩耗プロセスを
遅くすることができる。しかしながら、トランスデュー
サ２０のチップ２２の長期間にわたる摩耗によりトラン
スデューサの変換機能は不十分または信頼性が欠けるよ
うになり、最終結果として故障し、ディスク駆動システ
ムの読み書きの故障となって使用不能となる。トランス
デューサの故障はデータの完全性に影響を及ぼす。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はユーザ
がディスク駆動システムの動作中において、トランスデ
ューサの「浮遊中（on-the-fly）」に接触型トランスデ
ューサの摩耗による故障を予測でき、データはトランス
デューサが故障するよりも前に安全にアーカイブでき、
故障のトランスデューサ或いはディスク駆動システム全
体を通常のディスク駆動動作を最小時間の中断で且つ都
合のよい時に適時に取り替えることができるディスク駆
動システムを提供することである。以上のことを実現す
る際には、トランスデューサ、スライダまたはサスペン
ション・アセンブリへの構造体の付加は最小にするのが
好ましい。付加を最小にすることによりスライダ及びサ
スペンション・アセンブリに対する重さ及び慣性の付加
を少なくできる。そうでなければディスク駆動システム
の機械的性能に影響を与え、製作の複雑性を増す。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はデータ記憶シス
テムにおいてトランスデューサの摩耗状態を動作中の浮
遊中に検知する、スライダに組み込まれた簡単な摩耗イ
ンジケータを提供できる。この新規な機構はスライダ及
びサスペンションにそれほどの重さを加えずにかなり容
易に組み込まれ、また製作時における複雑性もそれほど
ではない。摩耗インジケータから記憶システムの制御プ
ログラムへのフィードバックは、記憶システムの信頼性
と使用可能性を高める。概念的な本発明の新規な機構
は、トランスデューサが磁気ディスク媒体によって擦り
減らされて摩耗を起こしたときに生じる電気回路構造体
の１つ以上の電気特性の変化をモニタする。
【０００７】特に本発明の特徴として、電気回路の抵抗
（またはコンダクタンス）は、ディスク駆動動作中にモ
ニタされる。この回路構造の一部分がスライダに取り付
けられ、トランスデューサと共に物理的な摩耗を受け
る。抵抗（またはコンダクタンス）の所定の変化は、ト
ランスデューサが実際に故障する前にトランスデューサ
を取り替えなければならない所定の摩耗限界であること
を示す。特定の実施例での回路は、摩耗限界に達したこ
とを示すのに開回路（無限抵抗またはゼロ・コンダクタ
ンス）が構成される。
【０００８】本発明の他の実施例では、ディスク駆動動
作中にスライダのプローブと磁気媒体との間の静電容量
がモニタされる。静電容量はトランスデューサの摩耗に
応じて変化する。静電容量の所定の変化はトランスデュ
ーサが完全に故障となる前にトランスデューサを取り替
えなければならない摩耗限界であることを示す。
【０００９】
【発明の実施の形態】ここで述べる説明は本発明の一般
的な原理の説明であり、本発明を限定するものではな
い。本発明の範囲は添付の請求項を参照されたい。例え
ば、本発明は磁気ディスク記憶システム、特に接触型ト
ランスデューサについて述べているが、本発明が後で述
べられる摩耗インジケータの機構を利用する磁気テープ
駆動システムまたは他の応用機器などの記録システムを
含む他の磁気データ記憶システムで実施できることは明
白である。
【００１０】図２は、例えばコンピュータなどの情報処
理システムで使用される本発明を具体化する磁気ディス
ク記憶システム３０の簡略化された概略ブロック図であ
る。磁気ディスク記憶システム３０はスピンドル３４で
支えられ、ディスク駆動モータ３６によって回転する少
なくとも１つの回転可能な磁気ディスク３２と、ディス
ク表面３３の磁気記録媒体に密接に近接して位置付けさ
れた少なくとも１つのスライダ３８とを有する。データ
は同心のデータ・トラックの環状パターン（図示なし）
の形で各磁気ディスク３２の磁気記録媒体に記憶され
る。各スライダ３８は１つ以上の磁気読取り及び磁気書
込みトランスデューサ（図示なし）を有するアセンブリ
である。スライダ３８は、アクチュエータ・アーム４２
によってアクチュエータ手段４４に接続されているサス
ペンション４０に取り付けられている。磁気ディスク３
２が回転すると、所望するデータが記録されるまたはデ
ータを読取るために、ディスク表面３３の異なる位置を
スライダ３８がアクセスできるよう、スライダ３８はア
クチュエータ４４によってディスク表面３３を横断移動
する制御を受ける。サスペンション４０は、軽いばね力
を与えてスライダ３８をディスク表面３３に押し付け、
及びディスク表面３３の回転に伴うスライダ３８の縦横
の揺れ及び垂直方向の僅かな高さの柔軟性を制御する。
図２のアクチュエータはボイス・コイル・モータ（ＶＣ
Ｍ）であることができる。磁気ディスク記憶システム３
０のデータの読み書き及び様々な構成要素（例えばアク
チュエータ４４及びディスク駆動モータ３６）の動作は
制御ユニット４６によって管理される。制御ユニット４
６はまた、後で説明される摩耗限界インジケータの検知
装置を管理する。
【００１１】図３は、スライダ領域をさらに拡大した概
略図である。この特定の実施例では読取りトランスデュ
ーサ５０及び別個の書込みトランスデューサ５２が示さ
れている。（読取りトランスデューサ５０及び書込みト
ランスデューサ５２は、簡単な説明用として図示されて
いる。その実際の大きさと位置は図とは異なるが、本発
明の概念の理解には影響が無いことを理解されたい。）
読取りトランスデューサ５０は磁気抵抗型（磁気抵抗読
取りトランスデューサの磁気抵抗は磁束変化で変化す
る）であり、書込みトランスデューサ５２は誘導型（磁
束は誘導トランスデューサに流れる電流変化で変化す
る）である。他の方法として、読取りと書込みの両方の
機能を実行する単一の誘導トランスデューサが使用でき
る（後述の図７の説明を参照）。読取りトランスデュー
サ５０、書込みトランスデューサ５２及びスライダ３８
は、本発明の一部分ではないが従来技術で知られている
方法（例えば写真製版技術、成膜及びサブトラクティブ
・エッチング法など）で形成される。リード線５４はス
ライダ３８のトランスデューサのコンタクト・パッド５
５に接続されている。リード線５４の１対のリード線が
読取りトランスデューサに、及び他の１対のリード線が
書込みトランスデューサに接続されている。
【００１２】トランスデューサ５０及び５２はある程度
の使用可能な厚さ（例えば５ミクロン未満の数ミクロン
程度）のチップを有する。チップが磁気ディスク３２に
よる摩耗の結果、使用可能な厚さが摩耗させられると、
トランスデューサ５０及び５２は使用不能となる。以上
の理由からトランスデューサ５０及び５２は完全に使用
不能となる前に摩耗限界値Ｌ（使用可能な厚さＴ以内
で）を設定するのが好ましく、及びディスク駆動システ
ムの動作中にこの摩耗限界値に到達したことを示す手段
が提供されることが望ましい。これによって、使い尽く
された状況、すなわちトランスデューサの使用可能な寿
命が示される。
【００１３】図３で示される本発明の第１の実施例で
は、電気導電性材料から成るストリップ形状の摩耗限界
インジケータであるストリップ６０は、図示されている
ようにスライダ３８の側面に形成されている。このスト
リップ６０はストリップの抵抗またはコンダクタンスの
変化の検知可能な電気回路に接続されている。スライダ
３８、トランスデューサ５０及び５２が磁気ディスク媒
体との接触で擦り減って摩耗するとストリップの材料も
摩耗し、あるポイントで最終的には物理的に擦り切れる
（すなわち、断線）。従ってストリップ６０は、そのブ
レイク・ポイントがトランスデューサ５０及び５２の摩
耗限界値Ｌに一致するようにスライダ３８に位置決めさ
れなければならない。ストリップ６０の抵抗またはコン
ダクタンスの断線回路はこの摩耗限界値に到達したこと
を示す。図３は、読取り及び書込みトランスデューサが
同じ摩耗限界値Ｌを有する状況を説明している。トラン
スデューサの１つが小さい摩耗限界値を有する場合、ス
トリップ６０はこの小さい摩耗限界値を有するトランス
デューサの摩耗限界値に一致するように位置決めされな
ければならない。
【００１４】摩耗限界インジケータのストリップ６０の
材料は導電性の金属であるが、ストリップ６０の全体の
抵抗は１０ＫΩ乃至数ＫΩのような高抵抗値を有する材
料（例えばニクロム）が好ましい。実際の例では、スト
リップ６０の全体の長さは２００ミクロン程度、その内
のおよそ１００ミクロンがパッド内に有り、幅は約８ミ
クロン乃至１２ミクロンである。ストリップの全体の厚
さは８０ 乃至１２０であり、１００ 前後が好適であ
る。前記大きさの前記材料を使用した回路の全体の抵抗
値は２ＫΩである。抵抗材料を使用する目的は図６の説
明から明らかとなろう。絶縁材料の層６２（例えばフォ
ト・レジストまたはアルミナ）は、ストリップ６０をス
ライダ３８から電気的に絶縁する。
【００１５】摩耗インジケータのストリップのリード線
６４は、ディスク駆動システム３０の制御ユニット４６
の、抵抗またはコンダクタンスの測定装置に電気的に接
続されている。抵抗またはコンダクタンスの何れかを使
用するかは摩耗限界インジケータの電気特性変化の徴候
次第である。摩耗限界インジケータの特定の電気回路
は、スライダ３８に取り付けられたトランスデューサの
型及び抵抗かまたはコンダクタンスかの摩耗限界検知の
方式で決まる。
【００１６】摩耗限界インジケータの異なる電気回路が
図６乃至図８で説明される。図６は構成を示し、ストリ
ップ６０の抵抗は摩耗限界検知で測定され、読取りトラ
ンスデューサ５０は磁気抵抗型であり、書込みトランス
デューサ５２は誘導型である。この構成において摩耗限
界インジケータのストリップ６０の一方のリード線６４
ａは読取りトランスデューサのリード線５４ａに、及び
ストリップ６０の他方のリード線６４ｂは書込みトラン
スデューサのリード線５４ｂに接続されている。ストリ
ップ６０によるリード線５４ａと５４ｂの接続は読取り
トランスデューサ５０及び書込トランスデューサ５２の
読み書き機能に影響を及ばさない。これはトランスデュ
ーサの抵抗が数Ω程度なのに対してストリップ６０の抵
抗がかなり高いためである。トランスデューサのリード
線５４ａ及び５４ｂは制御ユニット４６の抵抗測定装置
６６に接続されている。
【００１７】図７を参照すると、抵抗型のストリップ６
０が摩耗限界検知として測定され、単一の誘導トランス
デューサ６８が読取り及び書込みの機能として使用され
ている。この構成において摩耗限界インジケータのスト
リップ６０の一方のリード線６４ａはトランスデューサ
のリード線５４ａに接続され、ストリップ６０の他方の
リード線６４ｂは接地されている。制御ユニット４６の
抵抗測定装置６６のリード線は一方はリード線５４ａに
及び他方は接地される。
【００１８】上述の２つの構成の場合、トランスデュー
サのリード線は摩耗限界インジケータのストリップ６０
によって都合よく利用されて制御ユニット４６の抵抗測
定装置６６に接続されている。スライダ３８のストリッ
プ６０から制御ユニット４６に直接接続をしないのでリ
ード線の省略及び節約となる。従って、製作プロセスを
簡素化でき、摩耗限界インジケータ機構の追加によって
生じるスライダ／サスペンション・アセンブリへの重さ
の負担を軽減できる。ストリップ６０からトランスデュ
ーサのリード線５４への短い接続は、例えば写真製版技
術、成膜及びエッチング・ステップなどの既知のプロセ
スを使用してスライダ３８或いはサスペンション４０に
メタル・トレースの形で形成される。図４の例の場合、
リード線６４ａ及び６４ｂはスライダに形成された短い
表面トレース６５ａ及び６５ｂの形であることができ、
ストリップ６０のリード線６４を適切なコンタクト・パ
ッド５５に接続する。
【００１９】摩耗限界インジケータのストリップのコン
ダクタンスの測定にもとづく摩耗限界の検知の場合、使
用されるトランスデューサの種類に関係なく摩耗限界イ
ンジケータのストリップは個別のリード線が必要であ
る。図８を参照すると、ストリップ６０からの２つの別
個のリード線６４ａ及び６４ｂは制御ユニット４６のコ
ンダクタンス測定装置７０に直接接続されている。
【００２０】再度、図４を参照するに、スライダ３８の
いずれの側面または隅で不均等な摩耗が数多く発生して
も検知できるようにストリップ６０はスライダ３８の周
辺に位置付けされる。別な方法として図５に示すように
ストリップ６１はスライダ３８の片側だけに設定されて
いる。しかしながらこの構成では、不均等な摩耗が生じ
た場合、トランスデューサ５０及び５２の摩耗限界の正
確な徴候を与えない。
【００２１】他の実施例では、ストリップ６０はスライ
ダ３８のエッジ周辺、すなわちスライダのエッジから数
ミクロンの所に設けられる。ストリップ６０は読取り／
書込み素子を囲む、または実質的に囲むかぎりスライダ
の周辺の様々な位置に設定可能である。ストリップ６０
が読取り／書込み素子を完全に囲むことができない場合
は、読取り／書込み素子の３つの側面を囲まなければな
らない。
【００２２】前述の実施例は本発明の一般原理の説明で
あることに留意されたい。摩耗限界は摩耗限界インジケ
ータのストリップの開回路によって示されるが、しかし
本発明は、磁気ディスクによって擦り減らされて摩耗す
るストリップの抵抗またはコンダクタンスの除々の変化
をモニタ（トランデューサが稼働を開始した時の基準の
抵抗値またはコンダクタンス値と比較して）することに
よって摩耗限界の検知を日常的に適用できるように考慮
されている。摩耗限界は、摩耗限界インジケータのスト
リップを含めて、回路がオープンされる前の位置にポイ
ントが設定される。
【００２３】図９及び図１０で示されている本発明の他
の実施例において、導伝表面とスライダ３８のプローブ
との間の静電容量変化は、トランスデューサ５０及び５
２の摩耗状態を示す。導電表面は磁気媒体、導電性のオ
ーバーコートやスライダの導電性のサブストレートであ
ることができる。プローブは前述の実施例の摩耗限界イ
ンジケータのストリップ６０と同じ方法で形成された、
スライダ３８の側面周囲での金属の閉じたループ７２
（１０ミクロン程度の幅）の形状である。スライダ３８
とトランスデューサ５０及び５２が磁気ディスク３２に
よって擦り減らされて摩耗すると、ループ７２と磁気デ
ィスク３２の間隔が変わるので、そこの空間の静電容量
が変化する。図１０を参照すると、ループ７２と磁気デ
ィスク３２との間の静電容量は制御ユニット４６のコン
ダクタンス測定装置７４によってモニタされる。前述の
実施例同様にトランスデューサ５０の一方のリード線５
４ａはループ７２と制御ユニット４６との間の電気的接
続のために利用される。
【００２４】ループ７２はループの摩耗が考えられな
い、摩耗限界Ｌより上の位置でスライダに位置付けしな
ければならないことは理解できよう。トランスデューサ
の摩耗限界は、測定値が予め設定された静電容量に達し
たときに検知される。
【００２５】図１２を参照すると、摩耗インジケータを
有するディスク駆動システムのフロー図が示されてい
る。少なくとも１つの回転可能な磁気ディスク３２はス
ピンドル３４によって支えられ、ディスク駆動モータ３
６によって回転させられる。少なくとも１つスライダ３
８は、ディスク表面の磁気記録媒体に密接に近接して位
置決めされる。ディスクが回転すると摩耗限界インジケ
ータ５０（図３参照）は、サスペンション４０のセンサ
・リード線を介して制御ユニット４６に信号を送る。制
御ユニット４６は摩耗限界インジケータから信号を受信
する少なくとも１つのセンサ信号プロセッサ８０を有す
る。センサ信号プロセッサ８０は論理表示の信号をＯＲ
ゲート８４に送り、信号はそこで他のサスペンション・
アセンブリからの信号があればその信号とＯＲ演算す
る。信号は線８６を経てファイル・プロセッサ８８に伝
送される。信号を得てファイル・プロセッサ８８は摩耗
限界インジケータがその限界値に達したかどうか決め
る。ファイル・プロセッサ８８が摩耗限界値に達したと
判断した場合、ファイル・プロセッサ８８は９２で状態
フラグをセットする。摩耗限界値にまだ達していない場
合、ファイル・プロセッサ８８は信号線９４を介して摩
耗センサの働きを続行させる。センサ信号プロセッサ８
０は、スライダのプローブと磁気媒体との間の静電容量
にもとづく信号を受信してデジタル信号に変換、または
回路の抵抗の信号にもとづく信号を受信してデジタル信
号に変換するために使用されることに注目されたい。
【００２６】本発明の摩耗限界インジケータは、データ
の読出し及び書込み動作中、磁気ディスクと連続して接
触する接触型トランスデューサに関して記述された。本
発明は磁気ディスクに対してエア・ベアリングに乗る
「浮遊（flying）」型のトランスデューサにも実施でき
ることは理解されよう。このような浮遊型のトランスデ
ューサであってもディスク駆動システムの動作開始及び
終了の際に、少なくとも初期の加速及び最終の減速にお
いて磁気ディスクが摩耗される。
【００２７】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【００２８】（１）磁気ディスク記憶システムの磁気媒
体を磁気変換する磁気変換アセンブリであって、少なく
とも１つのトランスデューサであって、トランスデュー
サはトランスデューサの使用可能な寿命を確定する使用
可能な厚さを有し、トランスデューサは、トランスデュ
ーサと磁気媒体との相対運動中に磁気媒体によって摩耗
を受け、及びトランスデューサの使用可能な寿命はトラ
ンスデューサの使用可能な厚さが擦り切れたときに使い
尽くされるよう設定されている、少なくとも１つのトラ
ンスデューサと、磁気記憶システムの通常の動作中にト
ランスデューサの摩耗の状態をモニタするための摩耗表
示手段と、を有する、磁気変換アセンブリ。 （２）前記摩耗表示手段は、トランスデューサの摩耗で
変化する電気特性を有する回路手段を有する、前記
（１）記載の磁気変換アセンブリ。 （３）前記回路手段はセンサを有し、センサは磁気記憶
システムの動作中に磁気媒体によって摩耗を受けるよう
に前記トランスデューサと対応する位置に固定され、電
気特性は前記摩耗によって変化し、前記摩耗表示手段
は、前記摩耗による結果としての前記センサの前記電気
特性の変化をモニタする検知手段を更に有し、これらに
よってトランスデューサの摩耗状態を示す、前記（２）
記載の磁気変換アセンブリ。 （４）前記検知手段は前記センサの電気抵抗またはコン
ダクタンスの変化をモニタする、前記（３）記載の磁気
変換アセンブリ。 （５）前記検知手段はトランスデューサの使用可能な厚
さ内でトランスデューサの摩耗限界値に一致するセンサ
の閉回路から開回路への変化をモニタする、前記（４）
記載の磁気変換アセンブリ。 （６）前記トランスデューサは１つの底面及び複数の側
面を有するスライダを有し、スライダは底面でトランス
デューサの使用可能な厚さを支え、並びにセンサがスラ
イダの少なくとも１つの側面の端部近辺に取り付けられ
ている、前記（３）記載の磁気変換アセンブリ。 （７）前記センサはスライダの少なくとも１つの側面に
位置するストリップの材料を有し、ストリップの材料、
スライダ及びトランスデューサの使用可能な厚さは磁気
記憶システムの動作中に磁気媒体によって摩耗を受け、
前記検知手段は、前記摩耗の結果として前記ストリップ
の材料の電気特性の変化を検知して、トランスデューサ
の摩耗状態を示す、前記（６）記載の磁気変換アセンブ
リ。 （８）前記ストリップの材料はトランスデューサの周辺
に位置決めされ、ストリップがトランスデューサと同率
の摩耗を受けるようにする、前記（７）記載の磁気変換
アセンブリ。 （９）検知されたセンサの電気特性の変化は、ストリッ
プの材料の閉回路から開回路への変化に一致する電気抵
抗またはコンダクタンスの変化であり、前記変化はトラ
ンスデューサの使用可能な厚さ内の摩耗限界に一致す
る、前記（８）記載の磁気変換アセンブリ。 （１０）トランスデューサは１つ以上のリード線を有
し、センサは１つ以上の前記リード線を使用して検知手
段に電気的に接続されている、前記（９）記載の磁気変
換アセンブリ。 （１１）トランスデューサは各々が１対のリード線を有
する読取りヘッド及び書込みヘッドを有し、センサは読
取りヘッド及び書込みヘッドの１つ以上のリード線を使
用して検知手段に電気的に接続されている、前記（９）
記載の磁気変換アセンブリ。 （１２）回路手段は、トランスデューサの摩耗で変化す
る静電容量を確定するキャパシタンス手段を有し、ここ
において摩耗表示手段は、前記摩耗の結果としての静電
容量の変化をモニタする検知手段を有し、これによりト
ランスデューサの摩耗状態を示す、前記（２）記載の磁
気変換アセンブリ。 （１３）前記キャパシタンス手段は、トランスデューサ
に対応する位置に固定されたプローブを有し、前記プロ
ーブと磁気媒体とで静電容量を確定する、前記（１２）
記載の磁気変換アセンブリ。 （１４）前記トランスデューサは１つの底面及び複数の
側面を有するスライダを有し、スライダはその底面でト
ランスデューサの使用可能な厚さを支え、ここにおいて
プローブは、スライダの少なくとも１つの側面に取り付
けられたストリップの材料であり、検知手段はストリッ
プの材料と磁気媒体との間の静電容量の変化を検知す
る、前記（１３）記載の磁気変換アセンブリ。 （１５）トランスデューサは、少なくとも１つのリード
線を有し、プローブは前記リード線を使用して検知手段
に接続されている、前記（１４）記載の磁気変換アセン
ブリ。 （１６）磁気記憶システムの磁気媒体を磁気変換するた
めのスライダを支えるサスペンション・アセンブリであ
って、サスペンション部材と、サスペンション部材によ
って支えられるスライダと、磁気記憶システムの磁気媒
体を磁気変換するためのスライダに支えられたトランス
デューサであって、前記トランスデューサはトランスデ
ューサの使用可能な寿命を確定する使用可能な厚さを有
し、トランスデューサは、前記トランスデューサと磁気
媒体との相対運動中、磁気媒体によって摩耗を受け、及
びトランスデューサの使用可能な寿命はトランスデュー
サの使用可能な厚さが擦り切れたときに使い尽くされる
よう設定されている、トランスデューサと、トランスデ
ューサの摩耗によって変化する電気特性を有するスライ
ダの回路手段と、を有する、サスペンション・アセンブ
リ。 （１７）前記回路手段はセンサを有し、前記センサは前
記磁気記憶システムの動作中に磁気媒体によって摩耗を
受けるように前記トランスデューサと対応する位置に固
定され、及び前記摩耗によって電気特性が変化する、前
記（１６）記載のサスペンション・アセンブリ。 （１８）前記回路手段は、磁気媒体と共同して静電容量
を確定するキャパシタンス手段を有し、静電容量はトラ
ンスデューサの摩耗によって変化する、前記（１６）記
載のサスペンション・アセンブリ。 （１９）前記キャパシタンス手段は、トランスデューサ
と対応する位置に固定されたプローブを有し、前記プロ
ーブはスライダの伝導表面と接続されている、前記（１
８）記載のサスペンション・アセンブリ。 （２０）トランスデューサは少なくとも１つ以上のリー
ド線を有し、回路手段が１つ以上の前記リード線に接続
された、前記（１６）記載のサスペンション・アセンブ
リ。 （２１）磁気記憶システムであって、データを受信する
ための複数のトラックを有する磁気記憶媒体と、磁気記
憶媒体を動かす駆動手段と、少なくとも１つのトランス
デューサを有するスライダであって、前記トランスデュ
ーサは、前記スライダと前記磁気記憶媒体との間での相
対運動中、前記磁気記憶媒体に対応して変換位置に保持
され、前記トランスデューサはトランスデューサの使用
可能な寿命を確定する使用可能な厚さを有し、トランス
デューサはスライダと磁気記憶媒体の相対運動中に磁気
記憶媒体によって摩耗を受け、トランスデューサの使用
可能な寿命はトランスデューサの使用可能な厚さが擦り
切れたときに使い尽くされるよう設定されている、スラ
イダと、磁気記憶システムの通常の動作中にトランスデ
ューサの摩耗状態をモニタするための摩耗表示手段と、
磁気記憶媒体に対応して、前記スライダを前記磁気記憶
媒体上の所定のトラックに移動するために前記スライダ
に結合され、自らの１つの端部でスライダを支えるサス
ペンション・アセンブリを有するアクチュエータ手段
と、磁気記憶媒体に対してデータを変換し、駆動手段、
摩耗表示手段及びアクチュエータ手段の動作を管理する
制御手段と、を有する、磁気記憶システム。 （２２）前記摩耗表示手段は、トランスデューサの摩耗
に対応して変化する電気特性を有する回路手段を有す
る、前記（２１）記載の磁気記憶システム。 （２３）前記回路手段はセンサを有し、前記センサは磁
気記憶システムの動作中に磁気媒体によって摩耗を受け
るように前記トランスデューサと対応する位置に固定さ
れ、電気特性は前記摩耗によって変化し、摩耗表示手段
は、前記摩耗の結果としての前記センサの前記電気特性
の変化をモニタする検知手段を有し、これらによってト
ランスデューサの摩耗状態を示す、前記（２２）記載の
磁気記憶システム。 （２４）前記回路手段は、トランスデューサの摩耗で変
化する静電容量を確定するキャパシタンス手段を有し、
摩耗表示手段は、前記摩耗の結果としての静電容量の変
化をモニタする検知手段を有し、これらによってトラン
スデューサの摩耗状態を示す、前記（２２）記載の磁気
記憶システム。 （２５）前記キャパシタンス手段は、トランスデューサ
と対応する位置に固定されたプローブを有し、前記プロ
ーブと磁気媒体とで静電容量を確定する、前記（２４）
記載の磁気記憶システム。 （２６）前記トランスデューサは、少なくとも１つ以上
のリード線を有し、センサは１つ以上の前記リード線を
利用して検知手段に接続されている、前記（２２）記載
の磁気記憶システム。 （２７）磁気媒体を磁気変換する少なくとも１つのトラ
ンスデューサを有する磁気記憶システムにおいて、前記
トランスデューサはトランスデューサの使用可能な寿命
を確定する使用可能な厚さを有し、トランスデューサ
は、トランスデューサと磁気媒体との相対運動中に磁気
媒体によって摩耗を受け、及びトランスデューサの使用
可能な寿命はトランスデューサの使用可能な厚さが擦り
切れたときに使い尽くされるよう設定される、トランス
デューサの摩耗状態をモニタする方法であって、磁気記
憶システムの通常の動作中にトランスデューサの摩耗に
よる電気特性の変化を示す、摩耗表示手段を与えるステ
ップと、トランスデューサの摩耗状態を示すために電気
特性の前記変化を検知するステップと、を有する方法。 （２８）摩耗表示手段を与える前記ステップは、トラン
スデューサの摩耗によって変化する電気特性を有する回
路手段を与えるステップを有する、前記（２７）記載の
方法。 （２９）回路手段を与える前記ステップは、センサを与
えるステップを有し、前記センサは前記磁気記憶システ
ムの動作中に磁気媒体によって摩耗を受けるように前記
トランスデューサと対応する位置に固定され、電気特性
は前記摩耗によって変化し、摩耗表示手段を与える前記
ステップは、前記摩耗の結果としての前記センサの前記
電気特性の変化をモニタする検知手段を与えるステップ
を有し、これらによってトランスデューサの摩耗状態を
示す、前記（２８）記載の方法。 （３０）回路手段を与える前記ステップは、トランスデ
ューサの摩耗で変化する静電容量を確定するキャパシタ
ンス手段を与えるステップを有し、摩耗表示手段を与え
る前記ステップは、前記摩耗の結果としての静電容量の
変化をモニタする検知手段を与えるステップを有し、こ
れらによってトランスデューサの摩耗状態を示す、前記
（２８）記載の方法。 （３１）キャパシタンス手段を与える前記ステップは、
プローブをトランスデューサと対応する位置に固定する
ステップを有し、前記プローブと磁気媒体とで静電容量
を確定する、前記（３０）記載の方法。 （３２）トランスデューサは１つ以上のリード線を有
し、及びセンサを与える前記ステップは１つ以上の前記
リード線を使用してセンサを検知手段に電気的に接続す
るステップを有する、前記（２９）記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術のスライダ／サスペンション・アセン
ブリの概略側面図である。
【図２】本発明が実施される磁気ディスク記憶システム
の概略ブロック図である。
【図３】本発明の１実施例による抵抗測定にもとづく、
摩耗限界インジケータを有するスライダ／サスペンショ
ン・アセンブリの概略側面図である。
【図４】図３のスライダ／サスペンション・アセンブリ
の概略下面図である。
【図５】本発明の他の実施例による抵抗測定にもとづ
く、摩耗限界インジケータを有するスライダ／サスペン
ション・アセンブリの概略側面図である。
【図６】図３の実施例における摩耗限界インジケータの
実施形態の回路図である。
【図７】単一の誘導トランスデューサにおける摩耗限界
インジケータの実施形態の回路図である。
【図８】コンダクタンスの測定にもとづく、摩耗限界イ
ンジケータの実施形態の回路図である。
【図９】静電容量の測定にもとづく、摩耗限界インジケ
ータを有するスライダ／サスペンション・アセンブリの
概略側面図である。
【図１０】図９のスライダ／サスペンション・アセンブ
リの概略下面図である。
【図１１】図９の実施例における摩耗限界インジケータ
の実施形態の回路図である。
【図１２】記憶システムのトランスデューサの浮遊中に
摩耗を検知する摩耗インジケータを有する記憶システム
のフロー図である。
【符号の説明】
２０ トランスデューサ ２２ チップ ２４、３２ 磁気ディスク ２５、４０ サスペンション ２６、３８ スライダ ３０ 磁気ディスク記憶システム ３３ ディスク表面 ３４ スピンドル ３６ ディスク駆動モータ ４２ アクチュエータ・アーム ４４ アクチュエータ ４６ 制御ユニット ５０ 読取りトランスデューサ ５２ 書込みトランスデューサ ５４、６４ リード線 ５５ コンタクト・パッド ６０、６１ ストリップ ６２ 絶縁材料の層 ６６ 抵抗測定装置 ６８ 誘導トランスデューサ ７０、７４ コンダクタンス測定装置 ７２ ループ ８０ センサ信号プロセッサ ８４ ＯＲゲート ８６ 線 ８８ ファイル・プロセッサ ９４ 信号線
フロントページの続き (72)発明者 クリントン・デビッド・スナイダー アメリカ合衆国95030、カリフォルニア州 ロス・ガトス、エル・ランチョ・アベニュ ー 17341 (72)発明者 マイク・サック アメリカ合衆国95035、カリフォルニア州 ミルピタス、ビア・バジャ・ドライブ 765

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】磁気ディスク記憶システムの磁気媒体を磁
    気変換する磁気変換アセンブリであって、 少なくとも１つのトランスデューサであって、トランス
    デューサはトランスデューサの使用可能な寿命を確定す
    る使用可能な厚さを有し、トランスデューサは、トラン
    スデューサと磁気媒体との相対運動中に磁気媒体によっ
    て摩耗を受け、及びトランスデューサの使用可能な寿命
    はトランスデューサの使用可能な厚さが擦り切れたとき
    に使い尽くされるよう設定されている、少なくとも１つ
    のトランスデューサと、 磁気記憶システムの通常の動作中にトランスデューサの
    摩耗の状態をモニタするための摩耗表示手段と、 を有する、磁気変換アセンブリ。
  2. 【請求項２】前記摩耗表示手段は、トランスデューサの
    摩耗で変化する電気特性を有する回路手段を有する、請
    求項１記載の磁気変換アセンブリ。
  3. 【請求項３】前記回路手段はセンサを有し、センサは磁
    気記憶システムの動作中に磁気媒体によって摩耗を受け
    るように前記トランスデューサと対応する位置に固定さ
    れ、電気特性は前記摩耗によって変化し、前記摩耗表示
    手段は、前記摩耗による結果としての前記センサの前記
    電気特性の変化をモニタする検知手段を更に有し、これ
    らによってトランスデューサの摩耗状態を示す、請求項
    ２記載の磁気変換アセンブリ。
  4. 【請求項４】前記検知手段は前記センサの電気抵抗また
    はコンダクタンスの変化をモニタする、請求項３記載の
    磁気変換アセンブリ。
  5. 【請求項５】前記検知手段はトランスデューサの使用可
    能な厚さ内でトランスデューサの摩耗限界値に一致する
    センサの閉回路から開回路への変化をモニタする、請求
    項４記載の磁気変換アセンブリ。
  6. 【請求項６】前記トランスデューサは１つの底面及び複
    数の側面を有するスライダを有し、スライダは底面でト
    ランスデューサの使用可能な厚さを支え、並びにセンサ
    がスライダの少なくとも１つの側面の端部近辺に取り付
    けられている、請求項３記載の磁気変換アセンブリ。
  7. 【請求項７】前記センサはスライダの少なくとも１つの
    側面に位置するストリップの材料を有し、ストリップの
    材料、スライダ及びトランスデューサの使用可能な厚さ
    は磁気記憶システムの動作中に磁気媒体によって摩耗を
    受け、前記検知手段は、前記摩耗の結果として前記スト
    リップの材料の電気特性の変化を検知して、トランスデ
    ューサの摩耗状態を示す、請求項６記載の磁気変換アセ
    ンブリ。
  8. 【請求項８】前記ストリップの材料はトランスデューサ
    の周辺に位置決めされ、ストリップがトランスデューサ
    と同率の摩耗を受けるようにする、請求項７記載の磁気
    変換アセンブリ。
  9. 【請求項９】検知されたセンサの電気特性の変化は、ス
    トリップの材料の閉回路から開回路への変化に一致する
    電気抵抗またはコンダクタンスの変化であり、前記変化
    はトランスデューサの使用可能な厚さ内の摩耗限界に一
    致する、請求項８記載の磁気変換アセンブリ。
  10. 【請求項１０】トランスデューサは１つ以上のリード線
    を有し、センサは１つ以上の前記リード線を使用して検
    知手段に電気的に接続されている、請求項９記載の磁気
    変換アセンブリ。
  11. 【請求項１１】トランスデューサは各々が１対のリード
    線を有する読取りヘッド及び書込みヘッドを有し、セン
    サは読取りヘッド及び書込みヘッドの１つ以上のリード
    線を使用して検知手段に電気的に接続されている、請求
    項９記載の磁気変換アセンブリ。
  12. 【請求項１２】回路手段は、トランスデューサの摩耗で
    変化する静電容量を確定するキャパシタンス手段を有
    し、ここにおいて摩耗表示手段は、前記摩耗の結果とし
    ての静電容量の変化をモニタする検知手段を有し、これ
    によりトランスデューサの摩耗状態を示す、請求項２記
    載の磁気変換アセンブリ。
  13. 【請求項１３】前記キャパシタンス手段は、トランスデ
    ューサに対応する位置に固定されたプローブを有し、前
    記プローブと磁気媒体とで静電容量を確定する、請求項
    １２記載の磁気変換アセンブリ。
  14. 【請求項１４】前記トランスデューサは１つの底面及び
    複数の側面を有するスライダを有し、スライダはその底
    面でトランスデューサの使用可能な厚さを支え、ここに
    おいてプローブは、スライダの少なくとも１つの側面に
    取り付けられたストリップの材料であり、検知手段はス
    トリップの材料と磁気媒体との間の静電容量の変化を検
    知する、請求項１３記載の磁気変換アセンブリ。
  15. 【請求項１５】トランスデューサは、少なくとも１つの
    リード線を有し、プローブは前記リード線を使用して検
    知手段に接続されている、請求項１４記載の磁気変換ア
    センブリ。
  16. 【請求項１６】磁気記憶システムの磁気媒体を磁気変換
    するためのスライダを支えるサスペンション・アセンブ
    リであって、 サスペンション部材と、 サスペンション部材によって支えられるスライダと、 磁気記憶システムの磁気媒体を磁気変換するためのスラ
    イダに支えられたトランスデューサであって、前記トラ
    ンスデューサはトランスデューサの使用可能な寿命を確
    定する使用可能な厚さを有し、トランスデューサは、前
    記トランスデューサと磁気媒体との相対運動中、磁気媒
    体によって摩耗を受け、及びトランスデューサの使用可
    能な寿命はトランスデューサの使用可能な厚さが擦り切
    れたときに使い尽くされるよう設定されている、トラン
    スデューサと、 トランスデューサの摩耗によって変化する電気特性を有
    するスライダの回路手段と、 を有する、 サスペンション・アセンブリ。
  17. 【請求項１７】前記回路手段はセンサを有し、前記セン
    サは前記磁気記憶システムの動作中に磁気媒体によって
    摩耗を受けるように前記トランスデューサと対応する位
    置に固定され、及び前記摩耗によって電気特性が変化す
    る、請求項１６記載のサスペンション・アセンブリ。
  18. 【請求項１８】前記回路手段は、磁気媒体と共同して静
    電容量を確定するキャパシタンス手段を有し、静電容量
    はトランスデューサの摩耗によって変化する、請求項１
    ６記載のサスペンション・アセンブリ。
  19. 【請求項１９】前記キャパシタンス手段は、トランスデ
    ューサと対応する位置に固定されたプローブを有し、前
    記プローブはスライダの伝導表面と接続されている、請
    求項１８記載のサスペンション・アセンブリ。
  20. 【請求項２０】トランスデューサは少なくとも１つ以上
    のリード線を有し、回路手段が１つ以上の前記リード線
    に接続された、請求項１６記載のサスペンション・アセ
    ンブリ。
  21. 【請求項２１】磁気記憶システムであって、 データを受信するための複数のトラックを有する磁気記
    憶媒体と、 磁気記憶媒体を動かす駆動手段と、 少なくとも１つのトランスデューサを有するスライダで
    あって、前記トランスデューサは、前記スライダと前記
    磁気記憶媒体との間での相対運動中、前記磁気記憶媒体
    に対応して変換位置に保持され、前記トランスデューサ
    はトランスデューサの使用可能な寿命を確定する使用可
    能な厚さを有し、トランスデューサはスライダと磁気記
    憶媒体の相対運動中に磁気記憶媒体によって摩耗を受
    け、トランスデューサの使用可能な寿命はトランスデュ
    ーサの使用可能な厚さが擦り切れたときに使い尽くされ
    るよう設定されている、スライダと、 磁気記憶システムの通常の動作中にトランスデューサの
    摩耗状態をモニタするための摩耗表示手段と、 磁気記憶媒体に対応して、前記スライダを前記磁気記憶
    媒体上の所定のトラックに移動するために前記スライダ
    に結合され、自らの１つの端部でスライダを支えるサス
    ペンション・アセンブリを有するアクチュエータ手段
    と、 磁気記憶媒体に対してデータを変換し、駆動手段、摩耗
    表示手段及びアクチュエータ手段の動作を管理する制御
    手段と、 を有する、磁気記憶システム。
  22. 【請求項２２】前記摩耗表示手段は、トランスデューサ
    の摩耗に対応して変化する電気特性を有する回路手段を
    有する、請求項２１記載の磁気記憶システム。
  23. 【請求項２３】前記回路手段はセンサを有し、前記セン
    サは磁気記憶システムの動作中に磁気媒体によって摩耗
    を受けるように前記トランスデューサと対応する位置に
    固定され、電気特性は前記摩耗によって変化し、摩耗表
    示手段は、前記摩耗の結果としての前記センサの前記電
    気特性の変化をモニタする検知手段を有し、これらによ
    ってトランスデューサの摩耗状態を示す、請求項２２記
    載の磁気記憶システム。
  24. 【請求項２４】前記回路手段は、トランスデューサの摩
    耗で変化する静電容量を確定するキャパシタンス手段を
    有し、摩耗表示手段は、前記摩耗の結果としての静電容
    量の変化をモニタする検知手段を有し、これらによって
    トランスデューサの摩耗状態を示す、請求項２２記載の
    磁気記憶システム。
  25. 【請求項２５】前記キャパシタンス手段は、トランスデ
    ューサと対応する位置に固定されたプローブを有し、前
    記プローブと磁気媒体とで静電容量を確定する、請求項
    ２４記載の磁気記憶システム。
  26. 【請求項２６】前記トランスデューサは、少なくとも１
    つ以上のリード線を有し、センサは１つ以上の前記リー
    ド線を利用して検知手段に接続されている、請求項２２
    記載の磁気記憶システム。
  27. 【請求項２７】磁気媒体を磁気変換する少なくとも１つ
    のトランスデューサを有する磁気記憶システムにおい
    て、前記トランスデューサはトランスデューサの使用可
    能な寿命を確定する使用可能な厚さを有し、トランスデ
    ューサは、トランスデューサと磁気媒体との相対運動中
    に磁気媒体によって摩耗を受け、及びトランスデューサ
    の使用可能な寿命はトランスデューサの使用可能な厚さ
    が擦り切れたときに使い尽くされるよう設定される、ト
    ランスデューサの摩耗状態をモニタする方法であって、 磁気記憶システムの通常の動作中にトランスデューサの
    摩耗による電気特性の変化を示す、摩耗表示手段を与え
    るステップと、 トランスデューサの摩耗状態を示すために電気特性の前
    記変化を検知するステップと、 を有する方法。
  28. 【請求項２８】摩耗表示手段を与える前記ステップは、
    トランスデューサの摩耗によって変化する電気特性を有
    する回路手段を与えるステップを有する、請求項２７記
    載の方法。
  29. 【請求項２９】回路手段を与える前記ステップは、セン
    サを与えるステップを有し、前記センサは前記磁気記憶
    システムの動作中に磁気媒体によって摩耗を受けるよう
    に前記トランスデューサと対応する位置に固定され、電
    気特性は前記摩耗によって変化し、摩耗表示手段を与え
    る前記ステップは、前記摩耗の結果としての前記センサ
    の前記電気特性の変化をモニタする検知手段を与えるス
    テップを有し、これらによってトランスデューサの摩耗
    状態を示す、請求項２８記載の方法。
  30. 【請求項３０】回路手段を与える前記ステップは、トラ
    ンスデューサの摩耗で変化する静電容量を確定するキャ
    パシタンス手段を与えるステップを有し、摩耗表示手段
    を与える前記ステップは、前記摩耗の結果としての静電
    容量の変化をモニタする検知手段を与えるステップを有
    し、これらによってトランスデューサの摩耗状態を示
    す、請求項２８記載の方法。
  31. 【請求項３１】キャパシタンス手段を与える前記ステッ
    プは、プローブをトランスデューサと対応する位置に固
    定するステップを有し、前記プローブと磁気媒体とで静
    電容量を確定する、請求項３０記載の方法。
  32. 【請求項３２】トランスデューサは１つ以上のリード線
    を有し、及びセンサを与える前記ステップは１つ以上の
    前記リード線を使用してセンサを検知手段に電気的に接
    続するステップを有する、請求項２９記載の方法。
JP17977097A 1996-08-08 1997-07-04 磁気変換アセンブリ、サスペンション・アセンブリ、磁気記憶システム及びトランスデューサの摩耗状態をモニタする方法 Expired - Fee Related JP3558832B2 (ja)

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