JPH1010544A - 液晶表示装置及び撮影装置及び情報処理装置 - Google Patents
液晶表示装置及び撮影装置及び情報処理装置Info
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- JPH1010544A JPH1010544A JP8185635A JP18563596A JPH1010544A JP H1010544 A JPH1010544 A JP H1010544A JP 8185635 A JP8185635 A JP 8185635A JP 18563596 A JP18563596 A JP 18563596A JP H1010544 A JPH1010544 A JP H1010544A
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Abstract
型の液晶表示装置において、画素以外の領域に面積を極
力削減する構成とする。また、そのような構成とした場
合の装置の信頼性を高める。 【構成】 周辺駆動回路上にシール材104を配置する
構成とする。この構成とする場合に、シール材104の
下に樹脂材料でなる層26、301を配置する。このよ
うにすることで、シール材104中に含まれるスペーサ
ー103の影響により、周辺駆動回路に局所的に圧力が
加わることを緩和することができる。そして、周辺駆動
回路が破壊されてしまうことを防ぐことができる。
Description
周辺駆動回路を一体化したアクティブマトリクス型の液
晶表示装置の構成に関する。
表示装置が知られている。これは、ガラス基板や石英基
板上にアクティブマトリクス回路と該回路を駆動するた
めの周辺駆動回路とを集積化した構成を有している。
要な部分の面積を極力小さくするための工夫がされてい
る。例えば、周辺駆動回路に占有される面積を極力小さ
くするような努力がされている。
板間に液晶を保持するために周辺部にシール材と称され
る液晶を閉じ込めるための封止材料が配置されている。
小さくする工夫の一つとして、上記シール材の占める面
積を削減することも求められている。
したアクティブマトリクス型の液晶表示装置において
は、周辺駆動回路に発生する不良が問題となる。
画素以外の面積(これを額縁と呼ぶ)を極力小した構成
では、上記周辺駆動回路における不良の発生が多くな
る。
ち、シール材中には、基板間隔を維持するためのフィラ
ーと呼ばれる一種のスペーサーが含まれている。
有している。このような状況においては、上記フィラー
の直下に存在することになる周辺駆動回路の薄膜トラン
ジスタや配線にフィラーからの圧力(この圧力は局所的
に極めて大きなものと推定される)が加わり、断線やコ
ンタクト不良が発生し易くなる。
もスペーサーと呼ばれる球状の基板間隔保持手段が利用
されるが、アクティブマトリクス領域は、集積度が低い
ので、スペーサーの存在による不良の発生は周辺駆動回
路ほど問題とならない。
を内蔵したアクティブマトリクス型の液晶表示装置にお
いて、画素マトリクス回路の領域以外の面積を極力削減
した構成を提供することを課題とする。
ら受ける圧力によって周辺駆動回路が破壊されてしまわ
ないような構成を提供することを課題とする。
の一つは、周辺駆動回路一体型のアクティビマトリクス
型の液晶表示装置であって、周辺駆動回路上にはシール
材が配置され、周辺駆動回路と前記シール材との間には
樹脂層が配置されていることを特徴とする。
れていることが好ましい。これは、シール材中のスペー
サーから受ける圧力を緩和させるために効果がある。
リクス領域における補助容量の形成を行うことは有効で
ある。このようにすることで、画素における容量を必要
とする値でもって得ることができる。
ーサーの直径の半分以上とすることが好ましい。これ
は、樹脂層にシール材内のスペーサーがめり込んでも、
その圧力が周辺駆動回路に及ばないようにするために有
用な条件となる。なお、樹脂層が多層に形成されている
場合には、その合計の厚さをシール材内のスペーサーの
直径の半分以上とすればよい。
アクティビマトリクス型の液晶表示装置を具備した撮影
装置であって、前記周辺駆動回路上にはシール材が配置
され、前記周辺駆動回路と前記シール材との間には樹脂
層が配置されていることを特徴とする。
ビマトリクス型の液晶表示装置を備えた携帯型のビデオ
ムービを挙げることができる。
アクティビマトリクス型の液晶表示装置を具備した情報
処理装置であって、前記周辺駆動回路上にはシール材が
配置され、前記周辺駆動回路と前記シール材との間には
樹脂層が配置されていることを特徴とする。
ブマトリクス型の液晶表示を具備した携帯型のパーソナ
ルコンピューターや各種情報端末を挙げることができ
る。
実施携帯として、図1に示すような、周辺駆動回路一体
型のアクティビマトリクス型の液晶表示装置であって、
周辺駆動回路上にはシール材104が配置され、周辺駆
動回路と前記シール材との間には樹脂層26及び301
が配置されている構成を挙げることができる。
含まれるスペーサー103によって、周辺駆動回路に局
所的に高い圧力が加わり、周辺駆動回路が破壊されてし
まうことを防ぐことができる。
ることで、画素領域以外の面積を極力小さくした構成を
実現することができる。
路が存在する領域上にシール材を配置する構成を採用す
る。またシール材中に含まれるスペーサーからの応力に
よって、周辺駆動回路が損傷することを防止するために
周辺駆動回路上にポリイミドでなる緩衝層を配置する構
成を採用する。
ブマトリクス型の液晶表示装置の断面の一部である。図
1に示されるのは、周辺駆動回路とアクティブマトリク
ス回路とを同一基板上に集積化した構造を有する周辺駆
動回路一体型と称される構成である。
には、104で示されるシール部が配置されている。こ
のシール部は105の空間(基板間の隙間)に充填され
た液晶が外部に漏れ出ないように封止する機能を有して
いる。
る。シール部104は、樹脂材料をスピナーによって塗
布し、パターニング、さらにベークすることによって形
成される。または、印刷法によって形成される。
に必要とされスペーサーである。このスペーサーは樹脂
材料でなり、円柱形状を有している。本実施例において
は、シール材104を構成する樹脂材料として、スペー
サー103が予め混入されているものを利用する。
301が配置されている。この樹脂層は、アクティブマ
トリクス領域においては層間絶縁膜、及び補助容量の誘
電体として利用されている。そしてこの樹脂層は、周辺
駆動回路領域においては、シール材中のスペーサーから
周辺駆動回路が受ける圧力を緩和させる機能を有してい
る。
以下に示す作製工程は、周辺駆動回路にNチャネル型と
Pチャネル型の薄膜トランジスタを配置し、アクティブ
マトリクス回路にPチャネル型の薄膜トランジスタを配
置する構成に関する。
は、低濃度不純物領域を配置し、Pチャネル型の薄膜ト
ランジスタには、ソース/ドレイン領域とチャネル形成
領域との間に高濃度不純物領域を配置した構成とする。
動回路においては、Nチャネル型の薄膜トランジスタの
特性劣化を抑制することができる。また、アクティブマ
トリクス回路においては、OFF電流値が小さく、また
ON電流値のバラツキが小さい構成を得ることができ
る。
て、左側が周辺駆動回路に配置されるNチャネル型の薄
膜トランジスタ(及びその部分)の作製工程である。ま
た右側がアクティブマトリクス領域に配置される薄膜ト
ランジスタ(及びその部分)の作製工程である。
201上に図示しない下地膜を成膜する。下地膜として
は酸化珪素膜を利用する。この下地膜はガラス基板20
1中からの不純物の拡散を防ぎ、またガラス基板の応力
を緩和させる機能を有している。
プラズマCVD法で500Åの厚さに成膜する。さらに
レーザー光の照射を行うことにより、非晶質珪素膜を結
晶化させ、結晶性珪素膜を得る。結晶性珪素膜を得る方
法としては、加熱処理、強光の照射を利用してもよい。
により、202、203で示される薄膜トランジスタの
活性層を形成する。ここで、202は周辺駆動回路に配
置されるNチャネル型の薄膜トランジスタの活性層であ
る。203はアクティブマトリクス回路に配置されるP
チャネル型の薄膜トランジスタの活性層である。
れていないが、実際の構成においては、数万〜数十万
(またはそれ以上)の薄膜トランジスタが集積化させ
る。
として酸化珪素膜を1000Åの厚さにプラズマCVD
法により成膜する。こうして図2(A)に示す状態を得
る。
極(及びゲイト配線)を構成するための図示しないアル
ミニウム膜をスパッタ法によって4000Åの厚さに成
膜する。このアルミニウム膜中にはスカンジウムを0.1
重量%含有させる。
化膜を100Åの厚さに成膜する。この陽極酸化は、電
解溶液として3%の酒石酸を含んだエチレングルコール
溶液を用いて行う。なおこの溶液はアンモニア水で中和
したものを用いる。
トマスクの密着性を向上させる機能を有する。なお陽極
酸化膜の代わりに窒化珪素膜を金属膜を利用してもよ
い。また、酸化性雰囲気中でのプラズマ酸化により酸化
アルミニウム膜を形成する方法を利用してもよい。
してこのアルミニウム膜をパターニングする。この工程
で207と208で示されるゲイト電極の基となるアル
ミニウムパターンを形成する。こうして図2(B)に示
す状態を得る。
ウムパターン207と208とを陽極とした陽極酸化を
行う。この工程で211と212とで示される多孔質状
の陽極酸化物(膜と表現とするのは適当でない)を形成
する。陽極酸化物の成長距離は5000Åとする。
3%のシュウ酸を含んだ水溶液を用いる。
5と206が存在するので、陽極酸化は、アルミニウム
パターン207と208の側面において選択的に進行す
る。これは、レジストマスク205と206が存在する
ために、アルミニウムパターン207と208の上面に
電解溶液が接触しないからである。ここで、209と2
10とで示されるパターンが後にゲイト電極となる。こ
うして図2(C)に示す状態を得る。
する。そして緻密な膜質を有する陽極酸化膜の形成を行
う。この陽極酸化は、電解溶液として3%の酒石酸を含
み、アンモニア水で中和されたエチレングルコール溶液
を用いて行う。
膜211と212中に電解溶液が侵入する。従って、2
13や214で示されるように緻密な膜質を有する陽極
酸化膜が形成される。
10が画定する。これらゲイト電極の表面は緻密な膜質
を有する陽極酸化膜213、214によって覆われた状
態となる。またこれらのゲイト電極およびそこから延在
した配線が1層目の配線となる。こうして図2(D)に
示す状態を得る。
て行う。この工程では、ソース及びドレイン領域を形成
するために比較的高濃度にPイオンに注入を行う。(図
2(E))
8、220の領域にPイオンが注入される。また21
6、219の領域には、Pイオンは注入されない。
とを除去する。そして図3(A)に示す状態を得る。そ
してこの状態において、再度のPイオンの注入を行う。
この工程においては、図2(E)に示すドーピング条件
よりも低ドーズ量でもってPイオンの注入を行う。
示される領域が低濃度不純物領域として形成される。そ
してNチャネル型の薄膜トランジスタのチャネル形成領
域20が画定する。(図3(A))
る領域をレジストマスク225で覆う。そしてこの状態
でBイオンの注入を行う。この工程は、21と25で示
される領域をPチャネル型の薄膜トランジスタのソース
及びドレイン領域とする条件で行う。
領域がソース及びドレイン領域となる。また、22と2
4で示される領域が21と25で示される領域よりもP
型としての性質が強い領域として形成される。
び24の領域に含まれるP元素の濃度が低いからであ
る。
元素を中和させるためにより多くのB元素が必要とさ
れ、その結果として、22及び24の領域の方がより強
いP型を発現する状態となる。
トマスク225を除去する。そしてレーザー光の照射を
行い、注入された不純物の活性化とイオンの衝撃による
半導体膜の損傷のアニールとを行う。
ここでは、層間絶縁膜226としてプラズマCVD法で
窒化珪素膜を4000Åの厚さに成膜する。
の配線(電極)227、228、229、230を形成
する。こうして、図3(C)に示す状態を得る。
ここでは、第2の層間絶縁膜301として樹脂層を15
000Åの厚さに形成する。形成方法はスピンコート法
を利用する。
配線(電極)231、233を形成する。また同時にア
クティブマトリクス回路に配置される薄膜トランジスタ
を遮光するための遮光膜232を形成する。この遮光膜
232は後に形成される層間絶縁膜(樹脂膜)を挟んで
画素電極との間で補助容量を形成する。こうして図3
(D)に示す状態を得る。
26を成膜する。ここでは、第3の層間絶縁膜26とし
て、スピンコート法で樹脂層を5000Åの厚さ形成す
る。そしてコンタクトホールの形成を行い、ITOでも
って画素電極234を形成する。
(樹脂層)301を挟んで存在する遮光膜232と画素
電極とでもって補助容量が形成されている。
ング膜は樹脂材料でなり、印刷法により形成する。本実
施例においては、アクティブマトリクス回路の領域のみ
にラビング膜を形成する。ラビング膜235を成膜した
ら、ラビング処理を行う。
用意する。対向基板108上には、対向電極107とラ
ビング膜106が形成されている。そして対向基板10
8と図3に示す基板とを貼り合わせ、図1に示す構成を
完成させる。
周辺駆動回路を一体化したアクティブマトリクス型の液
晶表示装置に利用することができる。
リクス型の液晶表示装置においては、周辺駆動回路に高
い集積度が要求されるので、本明細書で開示する発明を
利用することは非常に有用である。
カメラや電子カメラ、または動画を扱うことができるビ
デオムービーと称される撮影装置である。
たCCDカメラ(または適当な撮影手段)で撮影した画
像を電子的に保存する機能を有している。そして撮影し
た画像を本体2001に配置された液晶表示装置200
3に表示する機能を有している。装置の操作は、操作ボ
タン2004によって行われる。
高開口率を有した液晶表示装置を得ることができるの
で、高い輝度を得ることができる。
ルコンピュータ(情報処理装置)である。この装置は、
本体2101に装着された開閉可能なカバー(蓋)21
02に液晶表示装置2104が備えられ、キーボード2
103から各種情報を入力したり、各種演算操作を行う
ことができる。
ンシステム(情報処理装置)にフラットパネルディスプ
レイを利用した場合の例である。カーナビゲーションシ
ステムは、アンテナ部2304と液晶表示装置2302
を備えた本体から構成されている。
切り換えは、操作ボタン2303によって行われる。一
般には図示しないリモートコントロール装置によって操
作が行われる。
装置の例である。図において、光源2402から発せら
れた光は、液晶表示装置2403によって光学変調さ
れ、画像となる。画像は、ミラー2404、2405で
反射されてスクリーン2406に映し出される。
影装置)の本体2501にビューファインダーと呼ばれ
る表示装置が備えられた例である。
装置2502と画像が映し出される接眼部2503とか
ら構成されている。
タン2504によって操作され、テープホルダー250
5に収納された磁気テープに画像が記録される。また図
示しないカメラによって撮影された画像は表示装置25
02に表示される。また表示装置2502には、磁気テ
ープに記録された画像が映し出される。
体型の液晶表示装置において、薄膜トランジスタとして
ボトムゲイト型のものを利用した場合の例である。
施例における図1に示す構成との違いは、薄膜トランジ
スタの構造である。他の構成は図1に示すものと同様な
ものとなる。
により、周辺駆動回路を内蔵したアクティブマトリクス
型の液晶表示装置において、画素マトリクス回路の領域
以外の面積を極力削減した構成を提供することができ
る。
る構成とすることにより、画素領域以外に面積を極力削
減した構成を得ることができる。また、このような構成
とした上でさらにシール材から受ける圧力によって周辺
駆動回路が破壊されてしまうことを防ぐ構成を得ること
ができる。
晶表示装置の断面を一部を示す図。
図。
図。
図。
図。
晶表示装置の断面を一部を示す図。
膜 215 ソース領域(Pイオンの注入
された領域) 216 Pイオンの注入されない領域 217 ドレイン領域(Pイオンの注
入された領域) 218 Pイオンの注入された領域 219 Pイオンの注入されない領域 220 Pイオンの注入された領域 221 Pイオンの注入された領域
(低濃度不純物領域) 20 チャネル形成領域 222 Pイオンの注入された領域
(低濃度不純物領域) 223 Pイオンの注入された領域
(低濃度不純物領域) 224 Pイオンの注入された領域
(低濃度不純物領域) 225 レジストマスク 21 ソース領域(Bイオンの注入さ
れた領域) 22 強いP型を有する領域 23 チャネル形成領域 24 強いP型を有する領域 25 ドレイン領域((Bイオンの注
入された領域) 226 層間絶縁膜 227 ソース電極(ソース配線) 228 ドレイン電極 229 ソース電極(ソース配線) 230 ドレイン電極 301 層間絶縁膜 231 ドレイン電極(ドレイン配
線) 232 遮光膜 233 ドレイン電極 234 画素電極(ITO電極) 26 層間絶縁膜 235 ラビング膜
Claims (12)
- 【請求項1】周辺駆動回路一体型のアクティブマトリク
ス型の液晶表示装置であって、 周辺駆動回路上にはシール材が配置され、 周辺駆動回路と前記シール材との間には樹脂層が形成さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】請求項1において樹脂層は多層に形成され
ていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項3】請求項1において、樹脂層はアクティブマ
トリクス領域における補助容量の形成に利用されている
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項4】請求項1において、樹脂層の厚さはシール
材内のスペーサーの直径の半分以上の厚さを有している
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項5】周辺駆動回路一体型のアクティブマトリク
ス型の液晶表示装置を具備した撮影装置であって、 周辺駆動回路上にはシール材が配置され、 周辺駆動回路と前記シール材との間には樹脂層が形成さ
れていることを特徴とする撮影装置。 - 【請求項6】請求項5において樹脂層は多層に形成され
ていることを特徴とする撮影装置。 - 【請求項7】請求項5において、樹脂層はアクティブマ
トリクス領域における補助容量の形成に利用されている
ことを特徴とする撮影装置。 - 【請求項8】請求項5において、樹脂層の厚さはシール
材内のスペーサーの直径の半分以上の厚さを有している
ことを特徴とする撮影装置。 - 【請求項9】周辺駆動回路一体型のアクティブマトリク
ス型の液晶表示装置を具備した情報処理装置であって周
辺駆動回路上にはシール材が配置され、 周辺駆動回路と前記シール材との間には樹脂層が形成さ
れていることを特徴とする情報処理装置。 - 【請求項10】請求項9において樹脂層は多層に形成さ
れていることを特徴とする情報処理装置。 - 【請求項11】請求項9において、樹脂層はアクティブ
マトリクス領域における補助容量の形成に利用されてい
ることを特徴とする情報処理装置。 - 【請求項12】請求項9において、樹脂層の厚さはシー
ル材内のスペーサーの直径の半分以上の厚さを有してい
ることを特徴とする情報処理装置。
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