JPH1010544A - 液晶表示装置及び撮影装置及び情報処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 周辺駆動回路一体型のアクティブマトリクス
型の液晶表示装置において、画素以外の領域に面積を極
力削減する構成とする。また、そのような構成とした場
合の装置の信頼性を高める。 【構成】 周辺駆動回路上にシール材１０４を配置する
構成とする。この構成とする場合に、シール材１０４の
下に樹脂材料でなる層２６、３０１を配置する。このよ
うにすることで、シール材１０４中に含まれるスペーサ
ー１０３の影響により、周辺駆動回路に局所的に圧力が
加わることを緩和することができる。そして、周辺駆動
回路が破壊されてしまうことを防ぐことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
周辺駆動回路を一体化したアクティブマトリクス型の液
晶表示装置の構成に関する。

【０００２】従来より、アクティブマトリクス型の液晶
表示装置が知られている。これは、ガラス基板や石英基
板上にアクティブマトリクス回路と該回路を駆動するた
めの周辺駆動回路とを集積化した構成を有している。

【０００３】このような構成においては、画面表示に不
要な部分の面積を極力小さくするための工夫がされてい
る。例えば、周辺駆動回路に占有される面積を極力小さ
くするような努力がされている。

【０００４】一方、液晶表示装置においては、一対の基
板間に液晶を保持するために周辺部にシール材と称され
る液晶を閉じ込めるための封止材料が配置されている。

【０００５】上記の画面表示に不要な部分の面積を極力
小さくする工夫の一つとして、上記シール材の占める面
積を削減することも求められている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】周辺駆動回路を一体化
したアクティブマトリクス型の液晶表示装置において
は、周辺駆動回路に発生する不良が問題となる。

【０００７】特に周辺駆動回路上にシール材を配置し、
画素以外の面積（これを額縁と呼ぶ）を極力小した構成
では、上記周辺駆動回路における不良の発生が多くな
る。

【０００８】この問題は以下の様な理由で発生する。即
ち、シール材中には、基板間隔を維持するためのフィラ
ーと呼ばれる一種のスペーサーが含まれている。

【０００９】一般に周辺駆動回路は非常に高い集積度を
有している。このような状況においては、上記フィラー
の直下に存在することになる周辺駆動回路の薄膜トラン
ジスタや配線にフィラーからの圧力（この圧力は局所的
に極めて大きなものと推定される）が加わり、断線やコ
ンタクト不良が発生し易くなる。

【００１０】一方、アクティブマトリクス領域において
もスペーサーと呼ばれる球状の基板間隔保持手段が利用
されるが、アクティブマトリクス領域は、集積度が低い
ので、スペーサーの存在による不良の発生は周辺駆動回
路ほど問題とならない。

【００１１】本明細書で開示する発明は、周辺駆動回路
を内蔵したアクティブマトリクス型の液晶表示装置にお
いて、画素マトリクス回路の領域以外の面積を極力削減
した構成を提供することを課題とする。

【００１２】そして上記構成を前提として、シール材か
ら受ける圧力によって周辺駆動回路が破壊されてしまわ
ないような構成を提供することを課題とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の一つは、周辺駆動回路一体型のアクティビマトリクス
型の液晶表示装置であって、周辺駆動回路上にはシール
材が配置され、周辺駆動回路と前記シール材との間には
樹脂層が配置されていることを特徴とする。

【００１４】上記構成において、樹脂層は多層に形成さ
れていることが好ましい。これは、シール材中のスペー
サーから受ける圧力を緩和させるために効果がある。

【００１５】また、樹脂層を利用して、アクティブマト
リクス領域における補助容量の形成を行うことは有効で
ある。このようにすることで、画素における容量を必要
とする値でもって得ることができる。

【００１６】また、樹脂層の厚さは、シール材内のスペ
ーサーの直径の半分以上とすることが好ましい。これ
は、樹脂層にシール材内のスペーサーがめり込んでも、
その圧力が周辺駆動回路に及ばないようにするために有
用な条件となる。なお、樹脂層が多層に形成されている
場合には、その合計の厚さをシール材内のスペーサーの
直径の半分以上とすればよい。

【００１７】他の発明の構成は、周辺駆動回路一体型の
アクティビマトリクス型の液晶表示装置を具備した撮影
装置であって、前記周辺駆動回路上にはシール材が配置
され、前記周辺駆動回路と前記シール材との間には樹脂
層が配置されていることを特徴とする。

【００１８】上記構成の具体的な例としては、アクティ
ビマトリクス型の液晶表示装置を備えた携帯型のビデオ
ムービを挙げることができる。

【００１９】他の発明の構成は、周辺駆動回路一体型の
アクティビマトリクス型の液晶表示装置を具備した情報
処理装置であって、前記周辺駆動回路上にはシール材が
配置され、前記周辺駆動回路と前記シール材との間には
樹脂層が配置されていることを特徴とする。

【００２０】上記構成の具体的な例としては、アクティ
ブマトリクス型の液晶表示を具備した携帯型のパーソナ
ルコンピューターや各種情報端末を挙げることができ
る。

【００２１】

【発明の実施の形態】本明細書で開示する発明の一つの
実施携帯として、図１に示すような、周辺駆動回路一体
型のアクティビマトリクス型の液晶表示装置であって、
周辺駆動回路上にはシール材１０４が配置され、周辺駆
動回路と前記シール材との間には樹脂層２６及び３０１
が配置されている構成を挙げることができる。

【００２２】上記構成においては、シール材１０４内に
含まれるスペーサー１０３によって、周辺駆動回路に局
所的に高い圧力が加わり、周辺駆動回路が破壊されてし
まうことを防ぐことができる。

【００２３】また、周辺駆動回路上にシール材を配置す
ることで、画素領域以外の面積を極力小さくした構成を
実現することができる。

【００２４】

【実施例】本実施例に示す構成においては、周辺駆動回
路が存在する領域上にシール材を配置する構成を採用す
る。またシール材中に含まれるスペーサーからの応力に
よって、周辺駆動回路が損傷することを防止するために
周辺駆動回路上にポリイミドでなる緩衝層を配置する構
成を採用する。

【００２５】図１に示されるのは、本実施例のアクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置の断面の一部である。図
１に示されるのは、周辺駆動回路とアクティブマトリク
ス回路とを同一基板上に集積化した構造を有する周辺駆
動回路一体型と称される構成である。

【００２６】図１に示す構成において、周辺駆動回路上
には、１０４で示されるシール部が配置されている。こ
のシール部は１０５の空間（基板間の隙間）に充填され
た液晶が外部に漏れ出ないように封止する機能を有して
いる。

【００２７】シール部１０４は、樹脂材料で構成され
る。シール部１０４は、樹脂材料をスピナーによって塗
布し、パターニング、さらにベークすることによって形
成される。または、印刷法によって形成される。

【００２８】１０３で示される基板間隔を保持するため
に必要とされスペーサーである。このスペーサーは樹脂
材料でなり、円柱形状を有している。本実施例において
は、シール材１０４を構成する樹脂材料として、スペー
サー１０３が予め混入されているものを利用する。

【００２９】シール材１０４の下部には、樹脂層２６と
３０１が配置されている。この樹脂層は、アクティブマ
トリクス領域においては層間絶縁膜、及び補助容量の誘
電体として利用されている。そしてこの樹脂層は、周辺
駆動回路領域においては、シール材中のスペーサーから
周辺駆動回路が受ける圧力を緩和させる機能を有してい
る。

【００３０】図１に示す構成の作製工程を以下に示す。
以下に示す作製工程は、周辺駆動回路にＮチャネル型と
Ｐチャネル型の薄膜トランジスタを配置し、アクティブ
マトリクス回路にＰチャネル型の薄膜トランジスタを配
置する構成に関する。

【００３１】特にＮチャネル型の薄膜トランジスタに
は、低濃度不純物領域を配置し、Ｐチャネル型の薄膜ト
ランジスタには、ソース／ドレイン領域とチャネル形成
領域との間に高濃度不純物領域を配置した構成とする。

【００３２】このような構成とすることにより、周辺駆
動回路においては、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタの
特性劣化を抑制することができる。また、アクティブマ
トリクス回路においては、ＯＦＦ電流値が小さく、また
ＯＮ電流値のバラツキが小さい構成を得ることができ
る。

【００３３】図２以下に作製工程を示す。図２におい
て、左側が周辺駆動回路に配置されるＮチャネル型の薄
膜トランジスタ（及びその部分）の作製工程である。ま
た右側がアクティブマトリクス領域に配置される薄膜ト
ランジスタ（及びその部分）の作製工程である。

【００３４】まず、図２（Ａ）に示すようにガラス基板
２０１上に図示しない下地膜を成膜する。下地膜として
は酸化珪素膜を利用する。この下地膜はガラス基板２０
１中からの不純物の拡散を防ぎ、またガラス基板の応力
を緩和させる機能を有している。

【００３５】次に下地膜上に図示しない非晶質珪素膜を
プラズマＣＶＤ法で５００Åの厚さに成膜する。さらに
レーザー光の照射を行うことにより、非晶質珪素膜を結
晶化させ、結晶性珪素膜を得る。結晶性珪素膜を得る方
法としては、加熱処理、強光の照射を利用してもよい。

【００３６】この結晶性珪素膜をパターニングすること
により、２０２、２０３で示される薄膜トランジスタの
活性層を形成する。ここで、２０２は周辺駆動回路に配
置されるＮチャネル型の薄膜トランジスタの活性層であ
る。２０３はアクティブマトリクス回路に配置されるＰ
チャネル型の薄膜トランジスタの活性層である。

【００３７】図には、２つの薄膜トランジスタしか示さ
れていないが、実際の構成においては、数万〜数十万
（またはそれ以上）の薄膜トランジスタが集積化させ
る。

【００３８】活性層を形成したら、ゲイト絶縁膜２０４
として酸化珪素膜を１０００Åの厚さにプラズマＣＶＤ
法により成膜する。こうして図２（Ａ）に示す状態を得
る。

【００３９】図２（Ａ）に示す状態を得たら、ゲイト電
極（及びゲイト配線）を構成するための図示しないアル
ミニウム膜をスパッタ法によって４０００Åの厚さに成
膜する。このアルミニウム膜中にはスカンジウムを0.1
重量％含有させる。

【００４０】次に図示しない緻密な膜質を有する陽極酸
化膜を１００Åの厚さに成膜する。この陽極酸化は、電
解溶液として３％の酒石酸を含んだエチレングルコール
溶液を用いて行う。なおこの溶液はアンモニア水で中和
したものを用いる。

【００４１】この陽極酸化膜は、後に配置されるレジス
トマスクの密着性を向上させる機能を有する。なお陽極
酸化膜の代わりに窒化珪素膜を金属膜を利用してもよ
い。また、酸化性雰囲気中でのプラズマ酸化により酸化
アルミニウム膜を形成する方法を利用してもよい。

【００４２】次にレジストマスク２０５と２０６を利用
してこのアルミニウム膜をパターニングする。この工程
で２０７と２０８で示されるゲイト電極の基となるアル
ミニウムパターンを形成する。こうして図２（Ｂ）に示
す状態を得る。

【００４３】図２（Ｂ）に示す状態を得たら、アルミニ
ウムパターン２０７と２０８とを陽極とした陽極酸化を
行う。この工程で２１１と２１２とで示される多孔質状
の陽極酸化物（膜と表現とするのは適当でない）を形成
する。陽極酸化物の成長距離は５０００Åとする。

【００４４】この陽極酸化においては、電解溶液として
３％のシュウ酸を含んだ水溶液を用いる。

【００４５】この工程においては、レジストマスク２０
５と２０６が存在するので、陽極酸化は、アルミニウム
パターン２０７と２０８の側面において選択的に進行す
る。これは、レジストマスク２０５と２０６が存在する
ために、アルミニウムパターン２０７と２０８の上面に
電解溶液が接触しないからである。ここで、２０９と２
１０とで示されるパターンが後にゲイト電極となる。こ
うして図２（Ｃ）に示す状態を得る。

【００４６】次にレジストマスク２０５と２０６を除去
する。そして緻密な膜質を有する陽極酸化膜の形成を行
う。この陽極酸化は、電解溶液として３％の酒石酸を含
み、アンモニア水で中和されたエチレングルコール溶液
を用いて行う。

【００４７】この工程においては、多孔質状の陽極酸化
膜２１１と２１２中に電解溶液が侵入する。従って、２
１３や２１４で示されるように緻密な膜質を有する陽極
酸化膜が形成される。

【００４８】この工程において、ゲイト電極２０９と２
１０が画定する。これらゲイト電極の表面は緻密な膜質
を有する陽極酸化膜２１３、２１４によって覆われた状
態となる。またこれらのゲイト電極およびそこから延在
した配線が１層目の配線となる。こうして図２（Ｄ）に
示す状態を得る。

【００４９】次にＰ（リン）イオンの注入を全面に対し
て行う。この工程では、ソース及びドレイン領域を形成
するために比較的高濃度にＰイオンに注入を行う。（図
２（Ｅ））

【００５０】この工程において、２１５、２１７、２１
８、２２０の領域にＰイオンが注入される。また２１
６、２１９の領域には、Ｐイオンは注入されない。

【００５１】次に多孔質状の陽極酸化物２１１と２１２
とを除去する。そして図３（Ａ）に示す状態を得る。そ
してこの状態において、再度のＰイオンの注入を行う。
この工程においては、図２（Ｅ）に示すドーピング条件
よりも低ドーズ量でもってＰイオンの注入を行う。

【００５２】そして２２１、２２２、２２３、２２４で
示される領域が低濃度不純物領域として形成される。そ
してＮチャネル型の薄膜トランジスタのチャネル形成領
域２０が画定する。（図３（Ａ））

【００５３】次にＮチャネル型の薄膜トランジスタとす
る領域をレジストマスク２２５で覆う。そしてこの状態
でＢイオンの注入を行う。この工程は、２１と２５で示
される領域をＰチャネル型の薄膜トランジスタのソース
及びドレイン領域とする条件で行う。

【００５４】この工程において、２１と２５で示される
領域がソース及びドレイン領域となる。また、２２と２
４で示される領域が２１と２５で示される領域よりもＰ
型としての性質が強い領域として形成される。

【００５５】これは、２１及び２５の領域よりも２２及
び２４の領域に含まれるＰ元素の濃度が低いからであ
る。

【００５６】即ち、２１及び２５の領域においては、Ｐ
元素を中和させるためにより多くのＢ元素が必要とさ
れ、その結果として、２２及び２４の領域の方がより強
いＰ型を発現する状態となる。

【００５７】不純物イオンの注入が終了したら、レジス
トマスク２２５を除去する。そしてレーザー光の照射を
行い、注入された不純物の活性化とイオンの衝撃による
半導体膜の損傷のアニールとを行う。

【００５８】次に第１の層間絶縁膜２２６を成膜する。
ここでは、層間絶縁膜２２６としてプラズマＣＶＤ法で
窒化珪素膜を４０００Åの厚さに成膜する。

【００５９】そしてコンタクトホールを形成し、２層目
の配線（電極）２２７、２２８、２２９、２３０を形成
する。こうして、図３（Ｃ）に示す状態を得る。

【００６０】次に第２の層間絶縁膜３０１を成膜する。
ここでは、第２の層間絶縁膜３０１として樹脂層を１５
０００Åの厚さに形成する。形成方法はスピンコート法
を利用する。

【００６１】次にコンタクトホールを形成し、３層目の
配線（電極）２３１、２３３を形成する。また同時にア
クティブマトリクス回路に配置される薄膜トランジスタ
を遮光するための遮光膜２３２を形成する。この遮光膜
２３２は後に形成される層間絶縁膜（樹脂膜）を挟んで
画素電極との間で補助容量を形成する。こうして図３
（Ｄ）に示す状態を得る。

【００６２】次に図４に示すように、第３の層間絶縁膜
２６を成膜する。ここでは、第３の層間絶縁膜２６とし
て、スピンコート法で樹脂層を５０００Åの厚さ形成す
る。そしてコンタクトホールの形成を行い、ＩＴＯでも
って画素電極２３４を形成する。

【００６３】本実施例においては、第３の層間絶縁膜
（樹脂層）３０１を挟んで存在する遮光膜２３２と画素
電極とでもって補助容量が形成されている。

【００６４】さらにラビング膜２３５を成膜する。ラビ
ング膜は樹脂材料でなり、印刷法により形成する。本実
施例においては、アクティブマトリクス回路の領域のみ
にラビング膜を形成する。ラビング膜２３５を成膜した
ら、ラビング処理を行う。

【００６５】次に図１に示すように、対向基板１０８を
用意する。対向基板１０８上には、対向電極１０７とラ
ビング膜１０６が形成されている。そして対向基板１０
８と図３に示す基板とを貼り合わせ、図１に示す構成を
完成させる。

【００６６】〔実施例２〕本明細書に開示する発明は、
周辺駆動回路を一体化したアクティブマトリクス型の液
晶表示装置に利用することができる。

【００６７】周辺駆動回路を一体化したアクティブマト
リクス型の液晶表示装置においては、周辺駆動回路に高
い集積度が要求されるので、本明細書で開示する発明を
利用することは非常に有用である。

【００６８】図５（Ａ）に示すのは、デジタルスチール
カメラや電子カメラ、または動画を扱うことができるビ
デオムービーと称される撮影装置である。

【００６９】この装置は、カメラ部２００２に配置され
たＣＣＤカメラ（または適当な撮影手段）で撮影した画
像を電子的に保存する機能を有している。そして撮影し
た画像を本体２００１に配置された液晶表示装置２００
３に表示する機能を有している。装置の操作は、操作ボ
タン２００４によって行われる。

【００７０】本明細書に開示する発明を利用した場合、
高開口率を有した液晶表示装置を得ることができるの
で、高い輝度を得ることができる。

【００７１】図５（Ｂ）に示すのは、携帯型のパーソナ
ルコンピュータ（情報処理装置）である。この装置は、
本体２１０１に装着された開閉可能なカバー（蓋）２１
０２に液晶表示装置２１０４が備えられ、キーボード２
１０３から各種情報を入力したり、各種演算操作を行う
ことができる。

【００７２】図５（Ｃ）に示すのは、カーナビゲーショ
ンシステム（情報処理装置）にフラットパネルディスプ
レイを利用した場合の例である。カーナビゲーションシ
ステムは、アンテナ部２３０４と液晶表示装置２３０２
を備えた本体から構成されている。

【００７３】ナビゲーションに必要とされる各種情報の
切り換えは、操作ボタン２３０３によって行われる。一
般には図示しないリモートコントロール装置によって操
作が行われる。

【００７４】図５（Ｄ）に示すのは、投射型の画像表示
装置の例である。図において、光源２４０２から発せら
れた光は、液晶表示装置２４０３によって光学変調さ
れ、画像となる。画像は、ミラー２４０４、２４０５で
反射されてスクリーン２４０６に映し出される。

【００７５】図５（Ｅ）に示すのは、ビデオカメラ（撮
影装置）の本体２５０１にビューファインダーと呼ばれ
る表示装置が備えられた例である。

【００７６】ビューファインダーは、大別して液晶表示
装置２５０２と画像が映し出される接眼部２５０３とか
ら構成されている。

【００７７】図５（Ｅ）に示すビデオカメラは、操作ボ
タン２５０４によって操作され、テープホルダー２５０
５に収納された磁気テープに画像が記録される。また図
示しないカメラによって撮影された画像は表示装置２５
０２に表示される。また表示装置２５０２には、磁気テ
ープに記録された画像が映し出される。

【００７８】〔実施例３〕本実施例は、周辺駆動回路一
体型の液晶表示装置において、薄膜トランジスタとして
ボトムゲイト型のものを利用した場合の例である。

【００７９】図６に図１に対応する断面図を示す。本実
施例における図１に示す構成との違いは、薄膜トランジ
スタの構造である。他の構成は図１に示すものと同様な
ものとなる。

【００８０】

【発明の効果】本明細書に開示する発明を利用すること
により、周辺駆動回路を内蔵したアクティブマトリクス
型の液晶表示装置において、画素マトリクス回路の領域
以外の面積を極力削減した構成を提供することができ
る。

【００８１】即ち、周辺駆動回路上にシール材を配置す
る構成とすることにより、画素領域以外に面積を極力削
減した構成を得ることができる。また、このような構成
とした上でさらにシール材から受ける圧力によって周辺
駆動回路が破壊されてしまうことを防ぐ構成を得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 発明を利用したアクティブマトリクス型の液
晶表示装置の断面を一部を示す図。

【図２】 図１に示す構成を得るための作製工程を示す
図。

【図３】 図１に示す構成を得るための作製工程を示す
図。

【図４】 図１に示す構成を得るための作製工程を示す
図。

【図５】 液晶表示装置を利用した各種装置の例を示す
図。

【図６】 発明を利用したアクティブマトリクス型の液
晶表示装置の断面を一部を示す図。

【符号の説明】

１０８ 対向ガラス基板 １０７ 対向電極 １０６ ラビング膜 １０５ 液晶 １０４ シール材 １０３ スペーサー １０１ スペーサー ２０１ ガラス基板 ２０２、２０３ 活性層 ２０４ ゲイト絶縁膜（酸化珪素膜） ２０５、２０６ レジストマスク ２０７、２０８ アルミニウムパターン ２０９、２１０ ゲイト電極パターン ２１１、２１２ 多孔質状の陽極酸化物 ２１３、２１４ 緻密な膜質を有する陽極酸化
膜 ２１５ ソース領域（Ｐイオンの注入
された領域） ２１６ Ｐイオンの注入されない領域 ２１７ ドレイン領域（Ｐイオンの注
入された領域） ２１８ Ｐイオンの注入された領域 ２１９ Ｐイオンの注入されない領域 ２２０ Ｐイオンの注入された領域 ２２１ Ｐイオンの注入された領域
（低濃度不純物領域） ２０ チャネル形成領域 ２２２ Ｐイオンの注入された領域
（低濃度不純物領域） ２２３ Ｐイオンの注入された領域
（低濃度不純物領域） ２２４ Ｐイオンの注入された領域
（低濃度不純物領域） ２２５ レジストマスク ２１ ソース領域（Ｂイオンの注入さ
れた領域） ２２ 強いＰ型を有する領域 ２３ チャネル形成領域 ２４ 強いＰ型を有する領域 ２５ ドレイン領域（（Ｂイオンの注
入された領域） ２２６ 層間絶縁膜 ２２７ ソース電極（ソース配線） ２２８ ドレイン電極 ２２９ ソース電極（ソース配線） ２３０ ドレイン電極 ３０１ 層間絶縁膜 ２３１ ドレイン電極（ドレイン配
線） ２３２ 遮光膜 ２３３ ドレイン電極 ２３４ 画素電極（ＩＴＯ電極） ２６ 層間絶縁膜 ２３５ ラビング膜

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】周辺駆動回路一体型のアクティブマトリク
   ス型の液晶表示装置であって、 周辺駆動回路上にはシール材が配置され、 周辺駆動回路と前記シール材との間には樹脂層が形成さ
   れていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】請求項１において樹脂層は多層に形成され
   ていることを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】請求項１において、樹脂層はアクティブマ
   トリクス領域における補助容量の形成に利用されている
   ことを特徴とする液晶表示装置。
4. 【請求項４】請求項１において、樹脂層の厚さはシール
   材内のスペーサーの直径の半分以上の厚さを有している
   ことを特徴とする液晶表示装置。
5. 【請求項５】周辺駆動回路一体型のアクティブマトリク
   ス型の液晶表示装置を具備した撮影装置であって、 周辺駆動回路上にはシール材が配置され、 周辺駆動回路と前記シール材との間には樹脂層が形成さ
   れていることを特徴とする撮影装置。
6. 【請求項６】請求項５において樹脂層は多層に形成され
   ていることを特徴とする撮影装置。
7. 【請求項７】請求項５において、樹脂層はアクティブマ
   トリクス領域における補助容量の形成に利用されている
   ことを特徴とする撮影装置。
8. 【請求項８】請求項５において、樹脂層の厚さはシール
   材内のスペーサーの直径の半分以上の厚さを有している
   ことを特徴とする撮影装置。
9. 【請求項９】周辺駆動回路一体型のアクティブマトリク
   ス型の液晶表示装置を具備した情報処理装置であって周
   辺駆動回路上にはシール材が配置され、 周辺駆動回路と前記シール材との間には樹脂層が形成さ
   れていることを特徴とする情報処理装置。
10. 【請求項１０】請求項９において樹脂層は多層に形成さ
    れていることを特徴とする情報処理装置。
11. 【請求項１１】請求項９において、樹脂層はアクティブ
    マトリクス領域における補助容量の形成に利用されてい
    ることを特徴とする情報処理装置。
12. 【請求項１２】請求項９において、樹脂層の厚さはシー
    ル材内のスペーサーの直径の半分以上の厚さを有してい
    ることを特徴とする情報処理装置。