JPH10101475A - 液相エピタキシャル成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハの表面に生成されるエピタキシ
ャル成長層の厚さを従来に比して均一化することができ
る液相エピタキシャル成長装置を提供すること。 【解決手段】 処理液が充填される成長室６８を規定
し、成長室６８に半導体ウェハ７２が所定の間隔をおい
て複数枚収容される処理用ボート５６と、処理用ボート
５６を収納する収納ハウジングと、収納ハウジングの外
側に配設された加熱手段と、を具備する液相エピタキシ
ャル装置。処理用ボート５６には、成長室６８の長手方
向中央部における処理液の冷却速度とその長手方向両端
部における処理液の冷却速度との速度差を少なくするた
めの冷却促進用凹凸部７４が設けられている。冷却促進
用凹凸部７４とともに、またはこれに代えて、冷却促進
用フィン、循環促進用溝を設けることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハの表
面に液相中においてガリウム（Ｇａ）等のエピタキシャ
ル成長を生成する液相エピタキシャル成長装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体ウェハの表面にガリウ
ム等の結晶層を形成するために、液相エピタキシャル装
置が用いられている。液相エピタキシャル成長装置は、
たとえば石英から形成される炉心管を備え、この炉心管
内に成長ボートが配設され、この成長ボート内に処理用
ボートが配置される。従来の処理用ボート２は、図９に
示すとおり、断面形状の底壁４と、この底壁４の４側縁
部から上方に延びる側壁６，８，１０，１２を備え、こ
れら底壁４および側壁６，８，１０，１２によって成長
室１４を規定する。各側壁６，８，１０，１２の厚さは
実質上等しく、またその外表面および内表面は実質上平
坦である。処理用ボート２は、たとえばグラファイトか
ら形成され、その成長室１４には、半導体ウェハを処理
するための溶液、たとえばガリウム（Ｇａ）、ガリウム
・ヒ素（ＧａＡｓ）等の溶液が充填される。処理用ボー
ト２の底壁４の内面には、長手方向（図８において左右
方向）に所定の間隔を置いて複数個のウェハ保持板１６
が配設され、このウェハ保持板１６は底壁４に一体的に
形成することができる。半導体ウェハ１８は、ウェハ保
持板１６の両面に配置され、図示していない保持具によ
ってこの保持板１６に保持される。

【０００３】半導体ウェハ１８の表面にエピタキシャル
成長を生成するときには、炉心管の周囲に配設される環
状の加熱ヒータによって、炉心管内の温度、特に処理溶
液の温度が加熱制御され、成長室１４内の処理溶液が所
要のとおりに徐冷されることによって、半導体ウェハ１
８の表面（ウェハ保持板１６に接触する面とは反対の
面）にエピタキシャル成長が生成され、その成長層が形
成される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】処理用ボート２には半
導体ウェハ１８がたとえば３０枚程度保持される。この
ように比較的多くの枚数の半導体ウェハ１８が一度に処
理される処理用ボート２では、処理用ボート２全体が細
長くなり、その長手方向に間隔を置いて半導体ウェハ１
８が配置される。このような処理用ボート２において
は、エピタキシャル成長を行うために処理液の徐冷を行
うと、その長手方向両端部においては、側壁１０，１２
の存在によって放熱効果が大きく、処理液の冷却速度が
速くなるが、その長手方向中央部においては、放熱効果
の大きい側壁６，８の面積が小さく、処理液の冷却速度
は遅くなる。図１０は、公知の処理用ボート２における
成長室１４内の半導体ウェハ１８の位置（成長室１４に
は３０枚の半導体ウェハ１８が収容され、図１０の位置
は各ウェハ１８の位置に対応している）とその領域の処
理液の温度との関係を示している。エピタキシャル成長
の生成開始時には、成長室１４内の処理液の温度は約９
００℃に保持されるが、成長室１４内における温度状態
は、図１０に示すとおり、成長室１４の長手方向両端部
に位置する半導体ウェハ１８近傍の温度は９００℃より
も幾分低くなるが、その長手方向中央部に位置する半導
体ウェハ１８近傍の温度は９００℃よりも幾分高くな
り、その温度差は９００℃を基準に約２〜４℃程度存在
する。エピタキシャル成長時にこのように温度差が生じ
ると、生成されるエピタキシャル成長層の厚さに変化が
生じ、図１０に示す温度差のときには、その成長層の厚
さは図１１に示すとおりとなる。図１１は、半導体ウェ
ハ１８の位置とその位置のウェハ１８の表面に生成され
た成長層の厚さとの関係を示している。図１１の実線は
半導体ウェハ１８の中央部に生成された成長層の厚さと
の関係を示し、破線はその周縁部に生成された成長層の
厚さとの関係を示している。図１０と図１１とを比較す
ることによって理解される如く、処理液の冷却速度が速
い領域においては、半導体ウェハ１８の表面にエピタキ
シャル成長が析出され易く、生成される層厚は厚くな
る。これに対して、冷却速度が遅い領域においては、エ
ピタキシャル成長の析出が遅く、半導体ウェハ１８の表
面に生成される層厚は薄くなる。半導体ウェハ１８の表
面に約１４０μｍのエピタキシャル成長層を生成しよう
とすると、成長室１４の両端部に位置するウェハ１８に
おいては比較的厚い成長層が生成され、その中央部に位
置するウェハ１８においては幾分薄い成長層が生成さ
れ、その厚さの差は１４０μｍを基準に２０〜５０μｍ
程度存在する。また、半導体ウェハ１８の周縁部におい
ては、周囲に充分な処理液が存在するので、エピタキシ
ャル成長の析出によっても処理液濃度の不均一が生じ難
いが、半導体ウェハ１８の中央部においては、周囲に充
分な処理液が存在せず、エピタキシャル成長の進行によ
って処理液濃度が不均一になり、このことに起因して半
導体ウェハ１８の周縁部に比して中央部のエピタキシャ
ル成長層の厚が幾分薄くなり、その差は５〜８μｍ程度
存在する。

【０００５】このように半導体ウェハ１８の表面に生成
されるエピタキシャル成長層の厚さに差が生じると、後
の研磨工程（半導体ウェハ１８の厚さを均一にするため
にその裏面を研磨する工程）において、研磨量を半導体
ウェハ１８毎に調整しなければならず、そのための作業
が煩雑となる。

【０００６】本発明の目的は、半導体ウェハの表面に生
成されるエピタキシャル成長層の厚さを従来に比して均
一化することができる液相エピタキシャル成長装置を提
供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、処理液が充填
される成長室を規定し、成長室に半導体ウェハが所定の
間隔をおいて複数枚収容される処理用ボートと、処理用
ボートを収納する収納ハウジングと、収納ハウジングの
外側に配設された加熱手段と、を具備する液相エピタキ
シャル装置において、処理用ボートには、成長室の長手
方向中央部における処理液の冷却速度とその長手方向両
端部における処理液の冷却速度との速度差を少なくする
ための冷却均一化手段が設けられていることを特徴とす
る液相エピタキシャル成長装置である。本発明に従え
ば、処理用ボートには冷却均一化手段が設けられている
ので、成長室の長手方向中央部とその両端部との冷却速
度差が従来に比して小さくなり、その結果、半導体ウェ
ハの表面に生成されるエピタキシャル成長層の厚さは、
成長室内に収容される位置に関係なくほぼ等しくなる。

【０００８】また本発明は、冷却均一化手段は、処理用
ボートの長手方向中央部の内面に設けられた冷却促進用
凹凸部を備えていることを特徴とする。本発明に従え
ば、処理用ボートの長手方向中央部に設けられた冷却促
進用凹凸部によって成長室の長手方向中央部における処
理液の冷却速度が速くなり、これによって成長室の長手
方向に渡って処理液の冷却速度差が小さくなり、その結
果、半導体ウェハの表面に生成されるエピタキシャル成
長層の厚さは、成長室内に収容される位置に関係なくほ
ぼ等しくなる。

【０００９】また本発明は、冷却均一化手段は、処理用
ボートの長手方向中央部の外面に設けられた冷却促進用
フィンを備えていることを特徴とする。本発明に従え
ば、処理用ボートの長手方向中央部に設けられた冷却促
進用フィンによって成長室の長手方向中央部における処
理液の冷却速度が速くなり、これによって成長室の長手
方向に渡って処理液の冷却速度差が小さくなる。

【００１０】さらに本発明は、冷却均一化手段は、処理
用ボートの内面に設けられた循環促進用溝を備えている
ことを特徴とする。本発明に従えば、処理用ボートの内
面に設けられた循環促進用溝によって成長室内の処理液
の循環が促進され、これによって処理液の温度の不均一
が少なくなり、処理液の循環によっても処理液の温度差
を少なくすることができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は本発明に従う液相エピタキ
シャル成長装置の一実施形態を簡略的に示す断面図であ
り、図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線による断面図で
あり、図３は図２のエピタキシャル成長装置の処理用ボ
ートを示す断面図である。図１〜図３において、図示の
液相エピタキシャル成長装置は、石英から形成される炉
心管５２を備えている。炉心管５２（収納ハウジングを
構成する）は中空円筒状であり、水平に配置されて実質
上密閉された空間５４を規定する。この炉心管５２によ
る空間５４には、成長ボート５５が配設される。成長ボ
ート５５は、空間５４より幾分小さい円筒状であり、グ
ラファイトから形成される。この成長ボート５５には処
理空間５７が設けられ、この処理空間５７内に処理用ボ
ート５６が配置される。処理用ボート５６は、矩形状の
底壁５８と、この底壁５８の４側縁部から上方に延びる
側壁６０，６２，６４，６６を備えており、底壁５８お
よび側壁６０，６２，６４，６６は成長室６８を規定す
る。この実施形態では、各側壁６０，６２，６４，６６
の厚さは実質上等しくなっている。処理用ボート５６
は、グラファイトから形成され、その成長室６８には、
半導体ウェハを処理するための溶液、たとえばガリウム
（Ｇａ）、ガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）等を含む溶液が
充填される。処理用ボート５６の底壁５８の内面には、
その長手方向（図２および図３において左右方向）に所
定の間隔を置いて複数個（実施形態では１６個）のウェ
ハ保持板７０が配設され、このウェハ保持板７０は底壁
５８に一体的に形成されている。略円板形状の半導体ウ
ェハ７２は、ウェハ保持板７０の両面に装着され、図示
していない保持具によって対応する表面に保持される。
ウェハ保持板７０に保持された半導体ウェハ７２は、成
長室６８に充填された処理液に浸漬され、後述する如く
してエピタキシャル成長が行われる。なお、図３に示す
とおり、長手方向において最も外側に位置するウェハ保
持板７０には、半導体ウェハ７２はその内面に保持され
るが、その外面に保持されない。

【００１２】炉心管５２の外周には、加熱手段を構成す
る加熱ヒータ７３が配設されている。加熱ヒータ７３
は、環状に構成され、炉心管５２の外周を覆って水平方
向に延び、処理用ボート５６、したがって成長室６８の
長手方向部分を覆うように配置されている。加熱ヒータ
７３は、炉心管５６の内部、すなわち成長ボート５５を
介して処理用ボート５６およびこれに充填された処理液
を加熱して所定温度に保持する。また、半導体ウェハ７
２の表面にエピタキシャル成長を生成するときには、加
熱ヒータ７３は、炉心管５２内の温度、特に処理液の温
度を制御し、成長室６８内の処理液の冷却速度をコント
ロールする。

【００１３】この実施形態では、成長室６８の処理液の
冷却速度を均一化するための冷却均一化手段を構成する
冷却促進用凹凸部７４が側壁６０，６２の内面に設けら
れている。さらに説明すると、冷却促進用凹凸部７４
は、処理用ボート５６の側壁６０，６２の長手方向中央
部、実施の形態では側壁６０，６２を長手方向に略３等
分した中央部分に設けられ、長手方向に実質上連続して
複数個の溝７６を形成することによって凹凸が設けられ
ている。溝７６の断面は三角状であり、側壁６０，６２
の上端から下端まで直線状に延びている。凹凸部７４に
おいては、複数個の溝７６が形成されているので、処理
液との接触面積が大きく、処理液から処理用ボート５６
への熱伝導効率が高くなり、これによって処理液の冷却
速度が促進される。なお、溝７６の形状は三角状以外の
その他の形状、たとえば四角状等でもよい。また、溝７
６の深さは、図示の例では実質上同一であるが、側壁６
０，６２の中央部ほど冷却効果を高めるために、その深
さを深くするようにすることもできる。

【００１４】上述したエピタキシャル成長装置における
温度特性は、図４に示すとおりである。図４は、図１〜
図３で示す処理用ボート５６を用いたときにおける成長
室６８内の半導体ウェハ７２の位置（成長室６８には３
０枚の半導体ウェハ７２が収容され、図４の位置は各ウ
ェハ７２の位置に対応している）とその位置の処理液の
温度との関係を示している。エピタキシャル成長の生成
開始時には、成長室６８内の処理液の温度は約９００℃
に保持されるが、成長室６８内における温度状態は、成
長室６８の長手方向両端部に位置する半導体ウェハ７２
近傍の温度は９００℃よりも若干低く、その長手方向中
央部に位置する半導体ウェハ７２近傍の温度は９００℃
よりも若干高くなる。そして、その温度差は９００℃を
基準に１〜３℃程度となり、従来の処理用ボート２を用
いたときの温度特性と比較した場合、温度差は半分以下
に小さくなる。したがって、成長室６８の中央部とその
両端部との温度差を少なくし、処理液の温度の均一化を
図ることができる。

【００１５】また、この処理用ボート５６を用いて約１
４０μｍの厚さのエピタキシャル成長層を形成したとき
の結果を図５に示す。図５は、半導体ウェハ７２の位置
とその位置のウェハ７２の表面に生成された成長層の厚
さとの関係を示している。図５の実線は半導体ウェハ７
２の中央部に生成された成長層の厚さとの関係を示し、
破線はその周縁部に生成された成長層の厚さとの関係を
示している。処理液の冷却速度が速いと半導体ウェハ７
２の表面にエピタキシャル成長層が析出され易く、上述
した処理用ボート５６を用いた場合には、成長室６８の
長手方向両端部においてはその中央部よりも温度が若干
低くなるので、生成されるエピタキシャル成長層の厚さ
は、その中央部よりも両端部の方が幾分厚くなり、その
成長層の厚さの差は、１４０μｍを基準に１０〜３０μ
ｍとなり、図１１に示す従来の処理用ボート２を用いた
ときの半分程度かそれ以下に小さくなる。なお、半導体
ウェハ７２の中央部とその周縁部に生成されるエピタキ
シャル成長層の厚さの差は、３〜８μｍ程度となり、従
来とほぼ同様である。

【００１６】以上のとおり、上述した処理用ボート５６
を用いた場合には、成長室６８の長手方向の一端部から
他端部に渡って処理液の冷却速度の速度差が少なくな
り、これによって、図５の測定結果からも明らかなとお
り、生成されるエピタキシャル成長層の厚さは、成長室
６８の位置に関係なくほぼ一定となる。

【００１７】図６は、処理用ボートの他の実施形態を示
している。この実施形態においては、冷却均一化手段と
して、冷却促進用凹凸部に加えて冷却促進用フィンが設
けられている。図６を参照して、図示の成長ボートに収
容される処理用ボート８２は、矩形状の底壁８４と、こ
の底壁８４の４側縁部から上方に延びる側壁８６，８
８，９０，９２を備え、底壁８４および側壁８６，８
８，９０，９２は成長室９４を規定する。この形態で
は、側壁８６，８８，９０，９２に変形が加えられ、そ
の他の構成は図１〜図３に示すものと実質上同一である
ので、その説明を省略する。

【００１８】この形態では、成長室９４の処理液の冷却
速度を均一化するための冷却均一化手段として冷却促進
用凹凸部９６および冷却促進用フィン９８が設けられて
いる。側壁８６，８８の内面に設けられる冷却促進用凹
凸部９６は、処理用ボート８２の側壁８６，８８の長手
方向中央部、図示の形態では側壁８６，８８を長手方向
に略５等分した中央部分に設けられ、長手方向に実質上
連続して複数個の溝１００を形成することによって凹凸
が設けられている。溝１００の断面は三角状であり、側
壁８６，８８の上端から下端まで直線状に設けられてい
る。凹凸部９６においては、複数個の溝１００が形成さ
れているので、側壁８６，８８と処理液との接触面積が
大きく、処理液から処理用ボート８２への熱伝導効率が
高くなり、処理液の冷却速度が促進される。

【００１９】側壁８６，８８の外面に設けられる冷却促
進用フィン９８は、凹凸部９６が設けられた部分に対応
する部分に、すなわち側壁８６，８８を長手方向に略５
等分した中央部分に設けられている。フィン９８は、側
壁８６，８８の長手方向に所定間隔を置いて複数個設け
られ、側壁８６，８８の上端から下端まで直線状に延び
ている。フィン９８の断面は矩形状であるが、これに限
定されることなく、三角状等の他の冷却効果の高い任意
の形状でもよい。フィン９８が設けられた部分において
は、側壁８６，８８と成長室９４の外部の気体（炉心管
内の気体）との接触面積が大きく、処理用ボート８２か
ら外部への放熱効果が高められ、処理液の冷却速度が速
められる。

【００２０】この形態では、さらに、処理液の冷却速度
をさらに均一化するために、側壁８６，８８にテーパ壁
部１０２，１０４が設けられている。テーパ壁部１０２
は、処理用ボート８２の図６における左部、詳細には側
壁８６，８８を長手方向に略５等分したときの左から２
番目の部分に設けられ、テーパ壁部１０２は冷却促進用
フィン９８が設けられた部分から側壁９２に向けて外方
（側壁８６では図６において上方、側壁８８では図６に
おいて下方）にテーパ状に延びており、このテーパ壁部
１０２における側壁８６，８８の厚さは、側壁９２に向
けて漸増している。また、他方のテーパ壁部１０４は、
処理用ボート８２の図６における右部、詳細には側壁８
６，８８を長手方向に略５等分したときの左から４番目
の部分に設けられ、テーパ壁部１０４は冷却促進用フィ
ン９８が設けられた部分から側壁９０に向けて外方にテ
ーパ状に延びており、このテーパ壁部１０４における側
壁８６，８８の厚さは、側壁９０に向けて漸増してい
る。側壁８６，８８の厚さが厚い部分では放熱効果が少
なく、それらの厚さが薄い部分では放熱効果が高い。し
たがって、テーパ壁部１０２，１０４においては、成長
室９４の中央部に向かうに従って放熱効果が高くなるの
で、処理液の冷却速度が速められ、冷却速度の一層の均
一化が図れる。なお、側壁９０，９２の厚さは、側壁８
６，８８の両端部、詳細には側壁８６，８８を略５等分
したときの両端部の厚さと実質上等しくなっているの
で、この側壁８６，８８による冷却効果は抑えられ、こ
のことによっても冷却速度の均一化が図られている。

【００２１】この実施形態のものにおいては、冷却均一
化手段として凹凸部９６およびフィン９８を備えている
ので、処理液の冷却速度の成長室９４の長手方向におけ
る速度差が均一化されるので、生成されるエピタキシャ
ル成長層の厚さがほぼ均一となる。加えて、側壁８６，
８８にテーパ壁部１０２，１０４が設けられているの
で、処理液の冷却速度が一層均一化され、生成されるエ
ピタキシャル成長層はその厚さがさらに均一となる。な
お、冷却促進用凹凸部９６および冷却促進用フィン９８
については、成長室９４内の処理液の冷却速度が実質上
等しくなるように、設ける箇所、その大きさ、その形状
（溝１００、フィン９８単独の形状を含む）を適宜設定
することができる。

【００２２】この実施形態では、冷却均一化手段が冷却
促進用凹凸部９６および冷却促進用フィン９８から構成
されているが、冷却促進用凹凸部９６を設けることな
く、冷却促進用フィン９８から冷却均一化手段を構成す
るようにすることもできる。また、側壁８６，８８にテ
ーパ壁部１０２，１０４が設けられているが、これらテ
ーパ壁部１０２，１０４は省略することもできる。

【００２３】図７は、処理用ボートのさらに他の実施形
態の一部を示す部分拡大図である。この実施形態では、
処理ボート１１２の側壁１１４（および１１６）（成長
室の長手方向に延びる側壁であって、図６の実施形態に
おける側壁８６，８８に対応する側壁）の長手方向中央
部の内面には、冷却促進用凹凸部１１８が設けられてい
る。冷却促進用凹凸部１１８の構成は、たとえば図６に
示す実施形態における凹凸部９６と実質上同一の構造で
よい。この実施形態では、凹凸部１１８に加えて、側壁
１１４（および１１６）に、循環促進用溝１２０が設け
られている。循環促進用溝１２０は、成長室の長手方向
に所定の間隔を置いて複数個設けられ、側壁１１４（お
よび１１６）の内面の、凹凸部１１８を除く部分の実質
上全域に形成され、図７において左から右に向けて下方
に約４５度傾斜して延びている。これら溝１２０の断面
は矩形状に形成されているが、三角状等の他の形状でも
よい。

【００２４】このように循環促進用溝１２０を設けた場
合には、成長室内の処理液がこれら溝１２０に沿って流
れ、成長室内における処理液の対流が促進され、これに
よって成長室内の処理液の温度の均一化が図られる。そ
の結果、処理液の冷却速度の速度差がほぼ等しくなり、
この場合においても、生成されるエピタキシャル成長層
の層厚の均一化が図られる。この実施形態では、冷却促
進用凹凸部１１８も設けられているので、処理液の冷却
速度の一層の均一化が図られる。

【００２５】図８は、処理用ボートのさらに他の実施形
態の一部を示す部分拡大図である。この形態では、処理
ボート１３２の側壁１３４（および１３６）（成長室の
長手方向に延びる側壁であって、図６の実施形態におけ
る側壁８６，８８に対応する側壁）の長手方向中央部の
内面には、図７の実施形態と同様に、冷却促進用凹凸部
１３８が設けられている。さらに、側壁１３４（および
１３６）の内面（凹凸部１３８が設けられている部分を
除く部分の実質上全域）には、成長室の長手方向に所定
の間隔を置いて複数個の循環促進用溝１４０，１４２が
設けられている。側壁１３４（および１３６）の片側の
部分（図７において左部）に設けられた循環促進用溝１
４０は、図８において左から右に向けて下方に約４５度
傾斜して延びている。一方、側壁１３４（および１３
６）の他側の部分（図８において右部）に設けられた循
環促進用溝１４２は、図８において右から左に向けて下
方に約４５度傾斜して延びている。このように循環促進
用溝１４０，１４２を凹凸部１３８を基準にして図８に
おいて左右対称に設けることによって、成長室内の処理
液も左右対称に対流するようになる。なお、溝１４０，
１４２の形状は、図７に実施形態と同様でよい。

【００２６】図７および図８の実施形態では、冷却促進
用凹凸部１１８，１３８と循環促進用溝１２０，１４
０，１４２が設けられているが、これらに加えて、さら
に冷却促進用フィンを設けてもよく、さらにまた側壁１
１４（１１６），１３４（１３６）にテーパ壁部を設け
るようにしてもよい。また、上述したように構成するこ
とに代えて、冷却均一化手段を循環促進用溝からのみ構
成することによっても所望の効果が達成される。

【００２７】

【発明の効果】本発明によれば、処理用ボートには冷却
均一化手段が設けられているので、成長室の長手方向中
央部とその両端部との冷却速度差が従来に比して小さく
なり、その結果、半導体ウェハの表面に生成されるエピ
タキシャル成長層の厚さは、成長室内に収容される位置
に関係なくほぼ等しくなる。

【００２８】また本発明によれば、処理用ボートの長手
方向中央部に設けられた冷却促進用凹凸部によって成長
室の長手方向中央部における処理液の冷却速度が速くな
り、これによって成長室の長手方向に渡って処理液の冷
却速度差が小さくなり、その結果、半導体ウェハの表面
に生成されるエピタキシャル成長層の厚さは、成長室内
に収容される位置に関係なくほぼ等しくなる。

【００２９】また本発明によれば、処理用ボートの長手
方向中央部に設けられた冷却促進用フィンによって成長
室の長手方向中央部における処理液の冷却速度が速くな
り、これによって成長室の長手方向に渡って処理液の冷
却速度差が小さくなる。

【００３０】さらに本発明によれば、処理用ボートの内
面に設けられた循環促進用溝によって成長室内の処理液
の循環が促進され、これによって処理液の温度の不均一
が少なくなり、処理液の循環によっても処理液の温度差
を少なくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従う液相エピタキシャル成長装置の一
実施形態を簡略的に示す断面図である。

【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線による断面図であ
る。

【図３】図１のエピタキシャル成長装置の処理用ボート
を示す簡略断面図である。

【図４】図３の処理用ボートに収容された半導体ウェハ
の位置とその位置における処理液の温度との関係を示す
図である。

【図５】図３の処理用ボートに収容された半導体ウェハ
の位置とその位置のウェハの表面に生成されたエピタキ
シャル成長層の厚さとの関係を示す図である。

【図６】処理用ボートの他の実施形態を示す断面図であ
る。

【図７】処理用ボートのさらに他の実施形態の一部を拡
大して示す部分拡大図である。

【図８】処理用ボートのさらに他の実施形態の一部を拡
大して示す部分拡大図である。

【図９】従来の液相エピタキシャル成長装置の処理用ボ
ートを示す簡略断面図である。

【図１０】図９の処理用ボートに収容された半導体ウェ
ハの位置とその位置における処理液の温度との関係を示
す図である。

【図１１】図９の処理用ボートに収容された半導体ウェ
ハの位置とその位置のウェハの表面に生成されたエピタ
キシャル成長層の厚さとの関係を示す図である。

【符号の説明】

２，５６，８２，１１２，１３２ 処理用ボート １４，６８，９４ 成長室 １８，７２ 半導体ウェハ ５２ 炉心管 ７３ 加熱ヒータ ７４，９６，１１８，１３８ 冷却促進用凹凸部 ７６，１００ 溝 １０２，１０４ テーパ壁部 １２０，１４０，１４２ 循環促進用溝

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理液が充填される成長室を規定し、該
   成長室に半導体ウェハが所定の間隔をおいて複数枚収容
   される処理用ボートと、該処理用ボートを収納する収納
   ハウジングと、該収納ハウジングの外側に配設された加
   熱手段と、を具備する液相エピタキシャル装置におい
   て、 前記処理用ボートには、成長室の長手方向中央部におけ
   る処理液の冷却速度とその長手方向両端部における処理
   液の冷却速度との速度差を少なくするための冷却均一化
   手段が設けられていることを特徴とする液相エピタキシ
   ャル成長装置。
2. 【請求項２】 前記冷却均一化手段は、前記処理用ボー
   トの長手方向中央部の内面に設けられた冷却促進用凹凸
   部を備えていることを特徴とする請求項１記載の液相エ
   ピタキシャル成長装置。
3. 【請求項３】 前記冷却均一化手段は、前記処理用ボー
   トの長手方向中央部の外面に設けられた冷却促進用フィ
   ンを備えていることを特徴とする請求項１または２記載
   の液相エピタキシャル成長装置。
4. 【請求項４】 前記冷却均一化手段は、前記処理用ボー
   トの内面に設けられた循環促進用溝を備えていることを
   特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液相エピタ
   キシャル成長装置。