JPH099523A - Power supply switching circuit - Google Patents

Power supply switching circuit

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JPH099523A
JPH099523A JP15428795A JP15428795A JPH099523A JP H099523 A JPH099523 A JP H099523A JP 15428795 A JP15428795 A JP 15428795A JP 15428795 A JP15428795 A JP 15428795A JP H099523 A JPH099523 A JP H099523A
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JP
Japan
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power supply
fet
battery
channel mos
circuit
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Application number
JP15428795A
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Japanese (ja)
Inventor
Fuminori Sato
文法 佐藤
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Hitachi Ltd
Hitachi Computer Engineering Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Computer Engineering Co Ltd
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  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE: To avoid the limitless charging to an internal power supply by a method wherein two semiconductor switching circuits which are connected in series to each other so as to have both the anodes of respective parasitic diodes connected to each other are used and, when a power is supplied to a load, the semiconductor switching circuit on a supply line side is turned off. CONSTITUTION: When a power is supplied to a load 9 through a feeder line 3 from a DC power supply 1, a P-type MOS-FET 4 is turned OFF by a DC power supply voltage monitor circuit 7 and a P-type MOS-FET 5 is turned ON by a battery voltage monitor circuit 8. In this state, as the ideal MOS-FET 4a of the P-type MOS-FET 4 is in an OFF-state and the voltage of a battery 6 is lower than the output voltage of the DC power supply 1, the direction of a diode 4b in the P-type MOS-FET 4 is reverse, so that the charging to the battery 6 from the feeder line 3 can be avoided. Further, the overdischarging and the momentary interruption of the feeder line 3 can be avoided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電源切り替え回路に係
わり、特に、小型電子機器に安定な直流電圧を供給する
定電圧電源に適用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply switching circuit, and more particularly to a technique effective when applied to a constant voltage power supply for supplying a stable DC voltage to small electronic equipment.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、電子機器の電源は、外部直流電
源、例えば、ACアダプタと、内部直流電源であるバッ
テリとの組み合わせで構成される。
2. Description of the Related Art Generally, a power supply for electronic equipment is constituted by a combination of an external DC power supply, for example, an AC adapter and a battery which is an internal DC power supply.

【0003】ACアダプタとバッテリとの組み合わせで
構成される電源においては、通常、ACアダプタの出力
電圧が、バッテリ電圧より高く設定されているので、給
電ラインからバッテリへの無制御な充電を防止、あるい
は、バッテリ容量がなくなったとき過放電を防止する必
要があり、そのため、給電ラインからバッテリを切り離
すためのスイッチ回路が必要とされる。
In a power supply composed of a combination of an AC adapter and a battery, the output voltage of the AC adapter is usually set higher than the battery voltage, so that uncontrolled charging of the battery from the power supply line is prevented. Alternatively, it is necessary to prevent over-discharge when the battery capacity is exhausted, and thus a switch circuit for disconnecting the battery from the power supply line is required.

【0004】前記スイッチ回路としては、通常、半導体
スイッチング素子であるPチャネルMOS型電界効果ト
ランジスタ(以下、PチャネルMOS−FETと称す)
を使用する半導体スイッチ回路が使用される。
As the switch circuit, a P-channel MOS type field effect transistor (hereinafter referred to as P-channel MOS-FET), which is usually a semiconductor switching element, is used as the switch circuit.
A semiconductor switch circuit is used.

【0005】また、ACアダプタの出力電圧を監視し、
PチャネルMOS−FETをオン/オフするための回路
と、さらに、ACアダプタの出力断を検出した後にPチ
ャネルMOS−FETをオン状態にするときの遅延によ
る給電ラインの瞬断を防止するためのコンデンサやダイ
オードが使用されるのが一般的である。
Also, by monitoring the output voltage of the AC adapter,
A circuit for turning on / off the P-channel MOS-FET, and further for preventing instantaneous interruption of the power supply line due to a delay in turning on the P-channel MOS-FET after detecting the output interruption of the AC adapter. It is common to use capacitors and diodes.

【0006】図3は、従来の電源切り替え回路の一例を
示す図であり、図3は、瞬断防止にコンデンサを使用し
た電源切り替え回路である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a conventional power supply switching circuit, and FIG. 3 is a power supply switching circuit using a capacitor for preventing instantaneous interruption.

【0007】図3において、1は外部直流電源(以下、
直流電源と称す)、2は直流電源1と電子機器との接続
コネクタ、3は給電ライン、4,5は半導体スイッチン
グ素子であるPチャネルMOS−FET、6は内部直流
電源であるバッテリ、7は直流電源電圧監視回路、8は
バッテリ電圧監視回路、9は論理素子などの負荷、14
は瞬断防止用のコンデンサである。
In FIG. 3, 1 is an external DC power supply (hereinafter,
(Referred to as DC power supply), 2 is a connector for connecting the DC power supply 1 to electronic equipment, 3 is a power supply line, 4 and 5 are P-channel MOS-FETs which are semiconductor switching elements, 6 is a battery which is an internal DC power supply, and 7 is DC power supply voltage monitoring circuit, 8 is a battery voltage monitoring circuit, 9 is a load such as a logic element, 14
Is a capacitor for preventing instantaneous interruption.

【0008】直流電源1は、電子機器外部において商用
交流電源を整流平滑する等して得られた直流電源、ある
いは、ACアダプタである。
The DC power supply 1 is a DC power supply obtained by rectifying and smoothing a commercial AC power supply outside the electronic equipment, or an AC adapter.

【0009】直流電源電圧監視回路7は、直流電源1の
出力電圧を監視して半導体スイッチング素子であるPチ
ャネルMOS−FET(4,5)をオン/オフする回路
であり、抵抗7aと抵抗7bとの直列回路と、抵抗7c
と定電圧ダイオード7dとの直列回路と、オペアンプ7
e、pnp型トランジスタ7fとから構成される。
The DC power supply voltage monitoring circuit 7 is a circuit for monitoring the output voltage of the DC power supply 1 to turn on / off the P-channel MOS-FETs (4, 5) which are semiconductor switching elements, and are resistors 7a and 7b. Series circuit with resistor 7c
And a constant voltage diode 7d in series, and an operational amplifier 7
e, a pnp type transistor 7f.

【0010】バッテリ電圧監視回路8は、バッテリの出
力電圧を監視して半導体スイッチング素子であるPチャ
ネルMOS−FET(4,5)をオン/オフする回路で
あり、抵抗8aと抵抗8bとの直列回路と、抵抗8cと
定電圧ダイオード8dとの直列回路と、オペアンプ8
e、pnp型トランジスタ8fとから構成される。
The battery voltage monitoring circuit 8 is a circuit for monitoring the output voltage of the battery and turning on / off the P-channel MOS-FETs (4, 5) which are semiconductor switching elements. The resistor 8a and the resistor 8b are connected in series. Circuit, a series circuit of a resistor 8c and a constant voltage diode 8d, and an operational amplifier 8
e, a pnp type transistor 8f.

【0011】また、PチャネルMOS−FET4とPチ
ャネルMOS−FET5とは半導体スイッチ回路を構成
するが、PチャネルMOS−FET(4,5)は、図4
に示すようにその内部に寄生ダイード(4b,5b)が
形成される。
Further, the P-channel MOS-FET 4 and the P-channel MOS-FET 5 form a semiconductor switch circuit, and the P-channel MOS-FET (4, 5) is shown in FIG.
As shown in, the parasitic diode (4b, 5b) is formed therein.

【0012】図4は、PチャネルMOS−FET(4,
5)の内部に形成される寄生ダイオード(4b,5b)
を説明するための図である。
FIG. 4 shows a P-channel MOS-FET (4,
Parasitic diodes (4b, 5b) formed inside 5)
It is a figure for explaining.

【0013】図4において、20はn領域、21はドレ
イン領域、22はゲート電極、23はゲート酸化膜、2
4はソース領域、25はコンタクト領域であり、Pチャ
ネルMOS−FETにおいては、ドレイン領域21とコ
ンタクト領域25との間に寄生ダイオード4bが形成さ
れる。
In FIG. 4, 20 is an n region, 21 is a drain region, 22 is a gate electrode, 23 is a gate oxide film, 2
Reference numeral 4 is a source region and 25 is a contact region. In the P-channel MOS-FET, a parasitic diode 4b is formed between the drain region 21 and the contact region 25.

【0014】そのため、図4に示すように、ソース領域
24とコンタクト領域25とが同電位にされると、結果
として、ドレイン領域21とソース領域24との間に寄
生ダイオード4bが形成される。
Therefore, as shown in FIG. 4, when the source region 24 and the contact region 25 are made to have the same potential, as a result, the parasitic diode 4b is formed between the drain region 21 and the source region 24.

【0015】したがって、PチャネルMOS−FET4
とPチャネルMOS−FET5とは、互いにソースとソ
ースとを接続し、前記寄生ダイオード4bと寄生ダイオ
ード5bにより、バッテリ6に電流が流れるを防止して
いる。
Therefore, the P-channel MOS-FET 4
The source and the source of the P-channel MOS-FET 5 are connected to each other, and the parasitic diode 4b and the parasitic diode 5b prevent a current from flowing to the battery 6.

【0016】また、PチャネルMOS−FET4のゲー
トおよびソースは、それぞれ抵抗11と抵抗10と介し
て、pnp型トランジスタ7fとpnp型トランジスタ
8fとの直列回路に接続され、さらに、PチャネルMO
S−FET5のゲートおよびソースは、それぞれ抵抗1
2と抵抗10と介して、pnp型トランジスタ7fとp
np型トランジスタ8fとの直列回路に接続される。
The gate and source of the P-channel MOS-FET 4 are connected to the series circuit of the pnp-type transistor 7f and the pnp-type transistor 8f via the resistor 11 and the resistor 10, respectively, and further the P-channel MO-FET 4 is connected.
The gate and source of the S-FET 5 have a resistance of 1
2 and resistor 10 to connect pnp type transistors 7f and p
It is connected to a series circuit with the np-type transistor 8f.

【0017】次に、図3の示す電源切り替え回路の動作
を説明する。
Next, the operation of the power supply switching circuit shown in FIG. 3 will be described.

【0018】図3に示す直流電源電圧監視回路7のオペ
アンプ7eの反転入力端子には、定電圧ダイオード7d
の出力電圧が、また、オペアンプ7eの非反転入力端子
には、抵抗7aと抵抗7bとで分圧された給電ライン3
の電圧が印加される。
The inverting input terminal of the operational amplifier 7e of the DC power supply voltage monitoring circuit 7 shown in FIG.
Of the power supply line 3 divided by the resistors 7a and 7b at the non-inverting input terminal of the operational amplifier 7e.
Is applied.

【0019】ここで、直流電源1から給電ライン3を介
して負荷9へ電力を供給するときには、抵抗7aと抵抗
7bとで分圧された供給ライン3の電圧が、定電圧ダイ
オード7dの出力電圧よりも高くなるように設定されて
いるので、オペアンプ7eの出力が「Hレベル」とな
り、オペアンプ7eの出力がカソードに印加されるpn
p型トランジスタ7fがオフ状態となる。
When power is supplied from the DC power supply 1 to the load 9 via the power supply line 3, the voltage of the supply line 3 divided by the resistors 7a and 7b is the output voltage of the constant voltage diode 7d. The output of the operational amplifier 7e becomes "H level", and the output of the operational amplifier 7e is applied to the cathode pn.
The p-type transistor 7f is turned off.

【0020】また、直流電源1から給電ライン3を介し
て負荷9へ電力を供給することが不可能になり、給電ラ
イン3の電圧がバッテリ6の出力電圧以下になったなっ
たときには、抵抗7aと抵抗7bとで分圧された給電ラ
イン3の電圧が、定電圧ダイオード7dの出力電圧より
も低くなるように設定されているので、オペアンプ7e
の出力が「Lレベル」となり、オペアンプ7eの出力が
カソードに印加されるpnp型トランジスタ7fがオン
状態となる。
Further, when it becomes impossible to supply electric power from the DC power source 1 to the load 9 through the power feeding line 3 and the voltage of the power feeding line 3 becomes equal to or lower than the output voltage of the battery 6, the resistor 7a is provided. Since the voltage of the power supply line 3 divided by the resistor 7b and the resistor 7b is set to be lower than the output voltage of the constant voltage diode 7d, the operational amplifier 7e
Becomes "L level", and the pnp-type transistor 7f to which the output of the operational amplifier 7e is applied to the cathode is turned on.

【0021】図3に示すバッテリ電圧監視回路8のオペ
アンプ8eの非反転入力端子には、定電圧ダイオード8
dの出力電圧が、また、オペアンプ8eの反転入力端子
には、抵抗8aと抵抗8bとで分圧されたバッテリ6の
出力電圧が印加される。
At the non-inverting input terminal of the operational amplifier 8e of the battery voltage monitoring circuit 8 shown in FIG.
The output voltage of d and the output voltage of the battery 6 divided by the resistors 8a and 8b are applied to the inverting input terminal of the operational amplifier 8e.

【0022】ここで、直流電源1から給電ライン3を介
して負荷9へ電力を供給するときには、抵抗8aと抵抗
8bとで分圧されたバッテリ6の出力電圧が、定電圧ダ
イオード8dの出力電圧よりも高くなるように設定され
ているので、オペアンプ8eの出力が「Lレベル」とな
り、オペアンプ8eの出力がカソードに印加されるpn
p型トランジスタ8fがオン状態となる。
When power is supplied from the DC power supply 1 to the load 9 via the power supply line 3, the output voltage of the battery 6 divided by the resistors 8a and 8b is the output voltage of the constant voltage diode 8d. Since it is set to be higher than the above, the output of the operational amplifier 8e becomes "L level", and the output of the operational amplifier 8e is applied to the cathode pn.
The p-type transistor 8f is turned on.

【0023】また、バッテリ6から給電ライン3を介し
て負荷9へ電力を供給し、バッテリ6の容量がなくな
り、抵抗8aと抵抗8bとで分圧されたバッテリ6の出
力電圧が、定電圧ダイオード8dの出力電圧よりも低く
なったときには、オペアンプ8eの出力が「Hレベル」
となり、オペアンプ8eの出力がカソードに印加される
pnp型トランジスタ8fがオフ状態となる。
Further, power is supplied from the battery 6 to the load 9 through the power supply line 3, the capacity of the battery 6 is lost, and the output voltage of the battery 6 divided by the resistors 8a and 8b is a constant voltage diode. When it becomes lower than the output voltage of 8d, the output of the operational amplifier 8e becomes "H level".
Then, the pnp-type transistor 8f to which the output of the operational amplifier 8e is applied to the cathode is turned off.

【0024】また、pnp型トランジスタ7fとpnp
型トランジスタ8fとがオン状態になると、Pチャネル
MOS−FET4とPチャネルMOS−FET5とがオ
ン状態になる。
In addition, the pnp type transistors 7f and pnp
When the type transistor 8f is turned on, the P-channel MOS-FET 4 and the P-channel MOS-FET 5 are turned on.

【0025】したがって、直流電源1から給電ライン3
を介して負荷9へ電力を供給するときには、直流電源電
圧監視回路7により、PチャネルMOS−FET(4,
5)がオフ状態となり、コンデンサ14は充電されてい
る。
Therefore, from the DC power supply 1 to the power supply line 3
When power is supplied to the load 9 via the DC power supply voltage monitoring circuit 7, the P-channel MOS-FET (4,
5) is turned off and the capacitor 14 is charged.

【0026】また、交流電源の停電、ACアダプタの故
障、接続コネクタ2の抜けなどにより直流電源1から給
電ライン3を介して負荷9へ電力を供給することが不可
能になったときには、負荷9への電力供給はコンデンサ
14の放電により行われる。
When it becomes impossible to supply electric power from the DC power supply 1 to the load 9 via the power supply line 3 due to a power failure of the AC power supply, a failure of the AC adapter, a disconnection of the connector 2, or the like, the load 9 is loaded. Power is supplied to the capacitor 14 by discharging the capacitor 14.

【0027】その間に、直流電源電圧監視回路7によ
り、PチャネルMOS−FET(4,5)がオン状態に
なり、コンデンサ14が放電し終わる前にバッテリ6か
ら給電ライン3を介して負荷9へ電力が供給され、給電
ライン3の瞬断を防止するようにしている。
In the meantime, the P-channel MOS-FETs (4, 5) are turned on by the DC power supply voltage monitoring circuit 7, and before the capacitor 14 is completely discharged, from the battery 6 to the load 9 via the power supply line 3. Electric power is supplied to prevent the power supply line 3 from being instantaneously cut off.

【0028】その後、バッテリ6の放電が進行してバッ
テリ6の容量がなくなったときに、バッテリ電圧監視回
路8により、PチャネルMOS−FET(4,5)がオ
フ状態になり過放電を防止するようにしている。
After that, when the discharge of the battery 6 progresses and the capacity of the battery 6 is exhausted, the battery voltage monitoring circuit 8 turns off the P-channel MOS-FETs (4, 5) to prevent over-discharge. I am trying.

【0029】図5は、従来の電源切り替え回路の他の例
を示す図であり、瞬断防止にダイオードを使用した電源
切り替え回路である。
FIG. 5 is a diagram showing another example of a conventional power supply switching circuit, which is a power supply switching circuit using a diode for preventing instantaneous interruption.

【0030】図5において、1は直流電源、2は直流電
源1と電子機器との接続コネクタ、3は給電ライン、
4,5は半導体スイッチング素子であるPチャネルMO
S−FET、6は内部直流電源であるバッテリ、8はバ
ッテリ電圧監視回路、9は論理素子などの負荷、15は
瞬停防止用のダイオードである。
In FIG. 5, 1 is a DC power supply, 2 is a connector for connecting the DC power supply 1 and electronic equipment, 3 is a power supply line,
4, 5 are P-channel MO which are semiconductor switching elements
S-FET, 6 is a battery which is an internal DC power supply, 8 is a battery voltage monitoring circuit, 9 is a load such as a logic element, and 15 is a diode for preventing instantaneous power failure.

【0031】図5において、図3と同じ符号を付してあ
るものは、図3に示す電源切り替え回路と同じ構成部品
である。
In FIG. 5, components designated by the same reference numerals as those in FIG. 3 are the same components as those of the power supply switching circuit shown in FIG.

【0032】図5に示す電源切り替え回路において、図
3に示す電源切り替え回路と相違する部分について説明
する。
In the power supply switching circuit shown in FIG. 5, parts different from the power supply switching circuit shown in FIG. 3 will be described.

【0033】PチャネルMOS−FET4とPチャネル
MOS−FET5とは半導体スイッチ回路を構成してお
り、PチャネルMOS−FET4のゲートおよびソース
は、それぞれ抵抗11と抵抗10と介して、pnp型ト
ランジスタ8fに接続され、さらに、PチャネルMOS
−FET5のゲートおよびソースは、それぞれ抵抗12
と抵抗10と介して、pnp型トランジスタ8fに接続
される。
The P-channel MOS-FET 4 and the P-channel MOS-FET 5 form a semiconductor switch circuit, and the gate and the source of the P-channel MOS-FET 4 are connected to the pnp type transistor 8f via the resistor 11 and the resistor 10, respectively. Connected to a P-channel MOS
-The gate and the source of the FET 5 are each a resistor 12
Is connected to the pnp type transistor 8f via the resistor 10.

【0034】また、ダイオード15は、PチャネルMO
S−FET4と給電ライン3との間に接続されている。
The diode 15 is a P channel MO.
It is connected between the S-FET 4 and the power supply line 3.

【0035】次に、図5の示す電源切り替え回路の動作
を説明する。
Next, the operation of the power supply switching circuit shown in FIG. 5 will be described.

【0036】図5に示すバッテリ電圧監視回路8のオペ
アンプ8eの非反転入力端子には、定電圧ダイオード8
dの出力電圧が、また、オペアンプ8eの反転入力端子
には、抵抗8aと抵抗8bとで分圧されたバッテリ6の
出力電圧が印加される。
The non-inverting input terminal of the operational amplifier 8e of the battery voltage monitoring circuit 8 shown in FIG.
The output voltage of d and the output voltage of the battery 6 divided by the resistors 8a and 8b are applied to the inverting input terminal of the operational amplifier 8e.

【0037】ここで、直流電源1から給電ライン3を介
して負荷9へ電力を供給するときには、抵抗8aと抵抗
8bとで分圧されたバッテリ6の出力電圧が、定電圧ダ
イオード8dの出力電圧よりも高くなるように設定され
ているので、オペアンプ8eの出力が「Lレベル」とな
り、オペアンプ8eの出力がカソードに印加されるpn
p型トランジスタ8fがオン状態となる。
Here, when power is supplied from the DC power supply 1 to the load 9 via the power supply line 3, the output voltage of the battery 6 divided by the resistors 8a and 8b is the output voltage of the constant voltage diode 8d. Since it is set to be higher than the above, the output of the operational amplifier 8e becomes "L level", and the output of the operational amplifier 8e is applied to the cathode pn.
The p-type transistor 8f is turned on.

【0038】また、バッテリ6から給電ライン3を介し
て負荷9へ電力を供給し、バッテリ6の容量がなくな
り、抵抗8aと抵抗8bとで分圧されたバッテリ6の出
力電圧が定電圧ダイオード8dの出力電圧よりも低くな
ったときには、オペアンプ7eの出力が「Hレベル」と
なり、オペアンプ8eの出力がカソードに印加されるp
np型トランジスタ8fがオフ状態となる。
Further, power is supplied from the battery 6 to the load 9 through the power supply line 3, the capacity of the battery 6 is exhausted, and the output voltage of the battery 6 divided by the resistors 8a and 8b is a constant voltage diode 8d. When the output voltage of the operational amplifier 7e becomes lower than the output voltage of the operational amplifier 7e, the output of the operational amplifier 7e becomes "H level", and the output of the operational amplifier 8e is applied to the cathode p.
The np type transistor 8f is turned off.

【0039】また、pnp型トランジスタ8fがオン状
態になると、PチャネルMOS−FET4とPチャネル
MOS−FET5とがオン状態になる。
When the pnp transistor 8f is turned on, the P channel MOS-FET 4 and the P channel MOS-FET 5 are turned on.

【0040】したがって、直流電源1から給電ライン3
を介して負荷9へ電力を供給するときには、バッテリ電
圧監視回路8により、PチャネルMOS−FET(4,
5)はオン状態にあるので、ダイオード15によりバッ
テリ6への無制御な充電を防止するようにしている。
Therefore, from the DC power supply 1 to the power supply line 3
When power is supplied to the load 9 via the battery voltage monitoring circuit 8, the P-channel MOS-FET (4,
Since 5) is in the ON state, the diode 15 prevents uncontrolled charging of the battery 6.

【0041】交流電源の停電、ACアダプタの故障、接
続コネクタ2の抜けなどにより直流電源1から給電ライ
ン3を介して負荷9へ電力を供給することが不可能にな
ったときには、PチャネルMOS−FET(4,5)は
オン状態であるので、バッテリ6の出力電圧が直流電源
1の出力電圧より高くなると、ダイオード15が導通し
てバッテリ6から給電ライン3を介して負荷9へ電力を
供給し、給電ライン3の瞬断を防止すようにしている。
When it becomes impossible to supply electric power from the DC power supply 1 to the load 9 through the power supply line 3 due to a power failure of the AC power supply, a failure of the AC adapter, a disconnection of the connector 2, or the like, a P channel MOS- Since the FETs (4, 5) are in the ON state, when the output voltage of the battery 6 becomes higher than the output voltage of the DC power supply 1, the diode 15 conducts to supply the power from the battery 6 to the load 9 via the power supply line 3. However, the power line 3 is prevented from being instantaneously disconnected.

【0042】バッテリ6の容量がなくなったときには、
バッテリ電圧監視回路8により、PチャネルMOS−F
ET(4,5)がオフ状態になり過放電を防止するよう
にしている。
When the battery 6 runs out of capacity,
The battery voltage monitoring circuit 8 allows the P-channel MOS-F
ET (4,5) is turned off to prevent over-discharge.

【0043】[0043]

【発明が解決しようとする課題】前記図3、あるいは、
図5に示す従来の電源切り替え回路においては、給電ラ
イン3の瞬断を防止するためにコンデンサ14、あるい
は、ダイオード15を使用している。
FIG. 3 or,
In the conventional power supply switching circuit shown in FIG. 5, the capacitor 14 or the diode 15 is used to prevent the power supply line 3 from being instantaneously disconnected.

【0044】しかしながら、負荷9が大きくなると、図
3に示す電源切り替え回路においては、コンデンサ14
の容量を増加する必要があり、また、図5に示す電源切
り替え回路においては、ダイオード15の損失による発
熱が増加しヒートシンク等が必要となる。
However, when the load 9 becomes large, in the power supply switching circuit shown in FIG.
Is required to be increased, and in the power supply switching circuit shown in FIG. 5, heat generation due to the loss of the diode 15 is increased and a heat sink or the like is required.

【0045】そのため、前記図3、あるいは、図5に示
す従来の電源切り替え回路においては、小型電子機器に
要求される小型化を阻害するという問題点があった。
Therefore, the conventional power supply switching circuit shown in FIG. 3 or FIG. 5 has a problem that the miniaturization required for a small electronic device is hindered.

【0046】本発明は、前記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、本発明の目的は、電源切
り替え回路において、小型化、高信頼化、および、低価
格化を図ることが可能となる技術を提供することにあ
る。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to reduce the size, increase the reliability, and reduce the cost of a power supply switching circuit. To provide a technology that enables

【0047】本発明の前記目的並びにその他の目的及び
新規な特徴は、本明細書の記載及び添付図面によって明
らかにする。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0048】[0048]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0049】(1)給電ラインに接続される外部直流電
源から負荷に電力を供給することが不可能になったとき
に、給電ラインに接続する電源を、内部直流電源に切り
替える電源切り替え回路において、前記給電ラインと内
部直流電源との間に接続され、それぞれ1個以上の半導
体スイッチング素子を有するとともにそれぞれの半導体
スイッチング素子に形成される寄生ダイオードのアノー
ド同志が互いに接続されるように直列接続された2個の
半導体スイッチ回路と、前記外部直流電源の出力電圧が
前記内部直流電源の出力電圧以下になったときに、前記
給電ライン側の半導体スイッチ回路をオフ状態からオン
状態に切り替える外部直流電源電圧監視回路と、前記内
部直流電源の出力電圧が所定の電圧以下になったとき
に、前記内部直流電源側の半導体スイッチ回路をオン状
態からオフ状態に切り替える内部直流電源電圧監視回路
とを備えることを特徴とする。
(1) In the power supply switching circuit for switching the power supply connected to the power supply line to the internal DC power supply when it becomes impossible to supply power from the external DC power supply connected to the power supply line to the load, It is connected between the power supply line and the internal DC power supply and has one or more semiconductor switching elements, and is connected in series so that the anodes of the parasitic diodes formed in each semiconductor switching element are connected to each other. Two semiconductor switch circuits and an external DC power supply voltage for switching the semiconductor switch circuits on the power supply line side from the OFF state to the ON state when the output voltage of the external DC power supply becomes equal to or lower than the output voltage of the internal DC power supply. When the output voltage of the monitoring circuit and the internal DC power supply falls below a predetermined voltage, the internal DC power supply Characterized in that it comprises an internal DC power supply voltage monitoring circuit for switching the semiconductor switching circuit side from the ON state to the OFF state.

【0050】[0050]

【作用】前記手段によれば、給電ラインに接続される外
部直流電源から負荷に電力を供給することが不可能にな
ったときに、給電ラインに接続する電源を、内部直流電
源に切り替える電源切り替え回路において、給電ライン
と内部直流電源との間に、それぞれ1個以上の半導体ス
イッチング素子で構成されるとともに、それぞれの半導
体スイッチング素子に形成される寄生ダイオードのアノ
ード同志が互いに接続されるように直列接続された2個
の半導体スイッチ回路を接続し、外部直流電源から給電
ラインを介して負荷に電力を供給するときには、給電ラ
イン側の半導体スイッチ回路をオフ状態として、内部直
流電源を給電ラインから切り離し内部直流電源への無制
御な充電を防止する。
According to the above means, when it becomes impossible to supply power to the load from the external DC power supply connected to the power supply line, the power supply switching to switch the power supply connected to the power supply line to the internal DC power supply. In the circuit, one or more semiconductor switching elements are provided between the power supply line and the internal DC power supply, and the anodes of the parasitic diodes formed in the respective semiconductor switching elements are connected in series. When connecting two connected semiconductor switch circuits and supplying power from the external DC power supply to the load via the power supply line, turn off the semiconductor switch circuit on the power supply line side and disconnect the internal DC power supply from the power supply line. Prevents uncontrolled charging of the internal DC power supply.

【0051】また、外部直流電源から負荷に電力を供給
することが不可能になったときには、給電ライン側の半
導体スイッチ回路をオン状態として内部直流電源から負
荷に電力を供給するとともに、給電ライン側の半導体ス
イッチ回路をオンとなる間に、給電ライン側の半導体ス
イッチ回路を構成する半導体スイッチング素子の寄生ダ
イオードを介して内部直流電源から負荷に電力を供給
し、給電ラインの瞬断を防止する。
When it becomes impossible to supply power from the external DC power supply to the load, the semiconductor switch circuit on the power supply line side is turned on to supply power from the internal DC power supply to the load, and at the same time the power supply line side is supplied. While the semiconductor switch circuit is turned on, electric power is supplied to the load from the internal DC power supply via the parasitic diode of the semiconductor switching element forming the semiconductor switch circuit on the power supply line side to prevent instantaneous interruption of the power supply line.

【0052】その後、内部直流電源の容量がなくなった
ときには、内部直流電源側の半導体スイッチ回路をオフ
にして内部直流電源の過放電を防止する。
After that, when the capacity of the internal DC power supply is exhausted, the semiconductor switch circuit on the internal DC power supply side is turned off to prevent the internal DC power supply from being over-discharged.

【0053】[0053]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0054】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
In all the drawings for explaining the embodiments, parts having the same function are designated by the same reference numerals and their repeated description will be omitted.

【0055】図1は、本発明の一実施例である電源切り
替え回路を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a power supply switching circuit according to an embodiment of the present invention.

【0056】図1において、1は外部直流電源(以下、
直流電源と称す)、2は直流電源1と電子機器との接続
コネクタ、3は給電ライン、4,5は半導体スイッチン
グ素子であるPチャネルMOS−FET、6は内部直流
電源であるバッテリ、7は直流電源電圧監視回路、8は
バッテリ電圧監視回路、9は論理素子などの負荷であ
る。
In FIG. 1, 1 is an external DC power supply (hereinafter,
(Referred to as DC power supply), 2 is a connector for connecting the DC power supply 1 to electronic equipment, 3 is a power supply line, 4 and 5 are P-channel MOS-FETs which are semiconductor switching elements, 6 is a battery which is an internal DC power supply, and 7 is A DC power supply voltage monitoring circuit, 8 is a battery voltage monitoring circuit, and 9 is a load such as a logic element.

【0057】直流電源1は、電子機器外部において商用
交流電源を整流平滑する等して得られた直流電源、ある
いは、ACアダプタである。
The DC power supply 1 is a DC power supply obtained by rectifying and smoothing a commercial AC power supply outside the electronic equipment, or an AC adapter.

【0058】直流電源電圧監視回路7は、直流電源1の
出力電圧を監視して半導体スイッチング素子であるPチ
ャネルMOS−FET4をオン/オフする回路であり、
抵抗7aと抵抗7bとの直列回路と、抵抗7cと定電圧
ダイオード7dとの直列回路と、オペアンプ7e、pn
p型トランジスタ7fとから構成される。
The DC power supply voltage monitoring circuit 7 is a circuit for monitoring the output voltage of the DC power supply 1 and turning on / off the P-channel MOS-FET 4 which is a semiconductor switching element.
A series circuit of a resistor 7a and a resistor 7b, a series circuit of a resistor 7c and a constant voltage diode 7d, operational amplifiers 7e and pn
It is composed of a p-type transistor 7f.

【0059】バッテリ電圧監視回路8は、バッテリの出
力電圧を監視して半導体スイッチング素子であるPチャ
ネルMOS−FET5をオン/オフする回路であり、抵
抗8aと抵抗8bとの直列回路と、抵抗8cと定電圧ダ
イオード8dとの直列回路と、オペアンプ8e、pnp
型トランジスタ8fとから構成される。
The battery voltage monitoring circuit 8 is a circuit for monitoring the output voltage of the battery and turning on / off the P-channel MOS-FET 5 which is a semiconductor switching element. The series circuit of the resistors 8a and 8b and the resistor 8c. And a constant voltage diode 8d in series circuit, operational amplifiers 8e, pnp
Type transistor 8f.

【0060】PチャネルMOS−FET4とPチャネル
MOS−FET5とは半導体スイッチ回路を構成してお
り、PチャネルMOS−FET4とPチャネルMOS−
FET5とは、互いにドレインとドレインとを接続し、
前記寄生ダイオード(4b,5b)により、バッテリ6
に電流が流れるを防止している。
The P-channel MOS-FET 4 and the P-channel MOS-FET 5 form a semiconductor switch circuit. The P-channel MOS-FET 4 and the P-channel MOS-
FET5 has a drain and a drain connected to each other,
By the parasitic diode (4b, 5b), the battery 6
The current is prevented from flowing in.

【0061】また、PチャネルMOS−FET4のソー
スは、抵抗10を介してゲートに接続され、さらに、P
チャネルMOS−FET4のゲートは、抵抗11を介し
てpnp型トランジスタ7fに接続されている。
The source of the P-channel MOS-FET 4 is connected to the gate via the resistor 10, and further, P
The gate of the channel MOS-FET 4 is connected to the pnp type transistor 7f via the resistor 11.

【0062】また、PチャネルMOS−FET5のソー
スは、抵抗13を介してゲートに接続され、さらに、P
チャネルMOS−FET5のゲートは、抵抗12を介し
てpnp型トランジスタ8fに接続されている。
The source of the P-channel MOS-FET 5 is connected to the gate via the resistor 13, and further, P
The gate of the channel MOS-FET 5 is connected to the pnp type transistor 8f via the resistor 12.

【0063】次に、本実施例の電源切り替え回路の動作
を説明する。
Next, the operation of the power supply switching circuit of this embodiment will be described.

【0064】本実施例の直流電源電圧監視回路7のオペ
アンプ7eの反転入力端子には、定電圧ダイオード7d
の出力電圧が、また、オペアンプ7eの非反転入力端子
には、抵抗7aと抵抗7bとで分圧された給電ライン3
の電圧が印加される。
The inverting input terminal of the operational amplifier 7e of the DC power supply voltage monitoring circuit 7 of this embodiment has a constant voltage diode 7d.
Of the power supply line 3 divided by the resistors 7a and 7b at the non-inverting input terminal of the operational amplifier 7e.
Is applied.

【0065】ここで、直流電源1から給電ライン3を介
して負荷9へ電力を供給するときには、抵抗7aと抵抗
7bとで分圧された給電ライン3の電圧が、定電圧ダイ
オード7dの出力電圧よりも高くなるように設定されて
いるので、オペアンプ7eの出力が「Hレベル」とな
り、オペアンプ7eの出力がカソードに印加されるpn
p型トランジスタ7fがオフ状態となる。
Here, when power is supplied from the DC power supply 1 to the load 9 via the power supply line 3, the voltage of the power supply line 3 divided by the resistors 7a and 7b is the output voltage of the constant voltage diode 7d. The output of the operational amplifier 7e becomes "H level", and the output of the operational amplifier 7e is applied to the cathode pn.
The p-type transistor 7f is turned off.

【0066】また、直流電源1から給電ライン3を介し
て負荷9へ電力を供給することが不可能になり、給電ラ
イン3の電圧がバッテリ6の出力電圧以下になったなっ
たときには、抵抗7aと抵抗7bとで分圧された給電ラ
イン3の電圧が、定電圧ダイオード7dの出力電圧より
も低くなるように設定されているので、オペアンプ7e
の出力が「Lレベル」となり、オペアンプ7eの出力が
カソードに印加されるpnp型トランジスタ7fがオン
状態となる。
When it becomes impossible to supply electric power from the DC power supply 1 to the load 9 through the power supply line 3, and the voltage of the power supply line 3 becomes equal to or lower than the output voltage of the battery 6, the resistor 7a Since the voltage of the power supply line 3 divided by the resistor 7b and the resistor 7b is set to be lower than the output voltage of the constant voltage diode 7d, the operational amplifier 7e
Becomes "L level", and the pnp-type transistor 7f to which the output of the operational amplifier 7e is applied to the cathode is turned on.

【0067】また、pnp型トランジスタ7fがオン状
態になると、PチャネルMOS−FET4がオン状態に
なる。
When the pnp type transistor 7f is turned on, the P channel MOS-FET 4 is turned on.

【0068】本実施例のバッテリ電圧監視回路8のオペ
アンプ8eの非反転入力端子には、定電圧ダイオード8
dの出力電圧が、また、オペアンプ8eの反転入力端子
には、抵抗8aと抵抗8bとで分圧されたバッテリ6の
出力電圧が印加される。
The non-inverting input terminal of the operational amplifier 8e of the battery voltage monitoring circuit 8 of this embodiment has a constant voltage diode 8
The output voltage of d and the output voltage of the battery 6 divided by the resistors 8a and 8b are applied to the inverting input terminal of the operational amplifier 8e.

【0069】ここで、直流電源1から給電ライン3を介
して負荷9へ電力を供給するときには、抵抗8aと抵抗
8bとで分圧されたバッテリ6の出力電圧が、定電圧ダ
イオード8dの出力電圧よりも高くなるように設定され
ているので、オペアンプ8eの出力が「Lレベル」とな
り、オペアンプ8eの出力がカソードに印加されるpn
p型トランジスタ8fがオン状態となる。
When power is supplied from the DC power supply 1 to the load 9 via the power supply line 3, the output voltage of the battery 6 divided by the resistors 8a and 8b is the output voltage of the constant voltage diode 8d. Since it is set to be higher than the above, the output of the operational amplifier 8e becomes "L level", and the output of the operational amplifier 8e is applied to the cathode pn.
The p-type transistor 8f is turned on.

【0070】また、pnp型トランジスタ8fがオン状
態になると、PチャネルMOS−FET5がオン状態に
なる。
When the pnp type transistor 8f is turned on, the P channel MOS-FET 5 is turned on.

【0071】また、バッテリ6から給電ライン3を介し
て負荷9へ電力を供給し、バッテリ6の容量がなくな
り、抵抗8aと抵抗8bとで分圧されたバッテリ6の出
力電圧が定電圧ダイオード8dの出力電圧よりも低くな
ったときに、オペアンプ8eの出力が「Hレベル」とな
り、オペアンプ8eの出力がカソードに印加されるpn
p型トランジスタ8fがオフ状態となる。
In addition, power is supplied from the battery 6 to the load 9 through the power supply line 3, the capacity of the battery 6 is lost, and the output voltage of the battery 6 divided by the resistors 8a and 8b is the constant voltage diode 8d. When the output voltage of the operational amplifier 8e becomes lower than the output voltage of the operational amplifier 8e, the output of the operational amplifier 8e becomes "H level", and the output of the operational amplifier 8e is applied to the cathode.
The p-type transistor 8f is turned off.

【0072】したがって、直流電源1から給電ライン3
を介して負荷9へ電力を供給するときには、直流電源電
圧監視回路7により、PチャネルMOS−FET4がオ
フ状態、バッテリ電圧監視回路8により、PチャネルM
OS−FET5がオン状態である。
Therefore, from the DC power source 1 to the power feeding line 3
When power is supplied to the load 9 via the DC power supply voltage monitoring circuit 7, the P-channel MOS-FET 4 is turned off by the DC power supply voltage monitoring circuit 7, and the P-channel M-channel is monitored by the battery voltage monitoring circuit 8.
The OS-FET 5 is on.

【0073】この場合に、PチャネルMOS−FET4
の理想的MOS−FET4aがオフ状態であり、また、
バッテリ6の電圧は直流電源1の出力電圧より低い状態
にあるので、PチャネルMOS−FET4の内部の寄生
ダイオード4bは逆方向となり、給電ライン3からバッ
テリ6への無制御な充電を防止している。
In this case, the P-channel MOS-FET 4
Of the ideal MOS-FET 4a in the off state,
Since the voltage of the battery 6 is lower than the output voltage of the DC power supply 1, the parasitic diode 4b inside the P-channel MOS-FET 4 is in the opposite direction, preventing uncontrolled charging of the battery 6 from the power supply line 3. There is.

【0074】交流電源の停電、直流電源の故障、接続コ
ネクタ2の抜けなどによる直流電源1から給電ライン3
を介して負荷9へ電力を供給することが不可能になった
ときには、PチャネルMOS−FET5はオン状態であ
るので、PチャネルMOS−FET5の理想的MOS−
FET5aとPチャネルMOS−FET4の寄生ダイオ
ード4bと給電ライン3を介してバッテリ6から負荷9
へ電力を供給し、給電ライン3の瞬断を防止している。
DC power supply 1 to power supply line 3 due to AC power supply failure, DC power supply failure, disconnection of connector 2, etc.
When it becomes impossible to supply electric power to the load 9 through the P-channel MOS-FET 5, the P-channel MOS-FET 5 is in the ON state, and therefore the ideal MOS-FET of the P-channel MOS-FET 5 is formed.
From the battery 6 to the load 9 via the FET 5a, the parasitic diode 4b of the P-channel MOS-FET 4, and the power supply line 3.
Power is supplied to the power supply line 3 to prevent instantaneous interruption.

【0075】その間に、バッテリ6の電圧が直流電源1
の出力電圧より高くなり、直流電源電圧監視回路7によ
り、PチャネルMOS−FET4の理想的MOS−FE
T4aがオン状態となるので、寄生ダイオード4bの発
熱を抑えること可能となる。
In the meantime, the voltage of the battery 6 changes to the DC power source 1
The output voltage of the P-channel MOS-FET 4 becomes higher than that of the P-channel MOS-FET 4 by the DC power supply voltage monitoring circuit 7.
Since T4a is turned on, it is possible to suppress heat generation of the parasitic diode 4b.

【0076】その後、バッテリ6の放電の進行中にバッ
テリ6の容量がなくなったときには、バッテリ電圧監視
回路8により、PチャネルMOS−FET5の理想的M
OS−FET5aがオフ状態となり、また、Pチャネル
MOS−FET5の寄生ダイオード5bは逆方向である
ので、バッテリ6の過放電を防止することが可能とな
る。
Thereafter, when the capacity of the battery 6 is exhausted while the battery 6 is being discharged, the battery voltage monitoring circuit 8 causes the ideal M of the P-channel MOS-FET 5 to change.
Since the OS-FET 5a is turned off and the parasitic diode 5b of the P-channel MOS-FET 5 is in the opposite direction, it is possible to prevent the battery 6 from being over-discharged.

【0077】このため、本実施例の電源切り替え回路に
よれば、負荷が増加しても、それに見合った半導体スイ
ッチング素子であるPチャネルMOS−FET(4,
5)を選定することにより、無制御な充電と、過放電
と、および、給電ライン3の瞬断とを防止することが可
能となる。
Therefore, according to the power supply switching circuit of the present embodiment, even if the load increases, the P-channel MOS-FET (4, which is a semiconductor switching element corresponding to the increase of the load).
By selecting 5), it becomes possible to prevent uncontrolled charging, over-discharging, and instantaneous interruption of the power supply line 3.

【0078】また、図1に示す電源切り替え回路におい
ては、半導体スイッチ回路が、それぞれ1個のPチャネ
ルMOS−FET(4,5)から構成される場合につい
て説明したが、図2に示すように、半導体スイッチ回路
を、2以上のPチャネルMOS−FET(40,41,
・・)と、2以上のPチャネルMOS−FET(50,
51,・・)とで構成してもよい。
Further, in the power supply switching circuit shown in FIG. 1, the case where the semiconductor switch circuit is composed of one P-channel MOS-FET (4, 5) has been described, but as shown in FIG. , A semiconductor switch circuit, two or more P-channel MOS-FET (40, 41,
..) and two or more P-channel MOS-FETs (50,
51, ···).

【0079】この場合には、負荷が増加した場合に、そ
れに見合った数の半導体スイッチング素子であるPチャ
ネルMOS−FET(40,41,・・、50,51,
・・)を使用することにより、無制御な充電と、過放電
と、および、給電ライン3の瞬断とを防止することが可
能となる。
In this case, when the load increases, the number of P-channel MOS-FETs (40, 41, ...
By using (.), It is possible to prevent uncontrolled charging, over-discharging, and instantaneous interruption of the power supply line 3.

【0080】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更し得ること
は言うまでもない。
Although the present invention has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

【0081】[0081]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0082】(1)本発明によれば、外部直流電源から
負荷に電力を供給することが不可能になったときに、給
電ラインに接続する電源を、内部直流電源に切り替える
電源切り替え回路において、負荷に応じて内部直流電源
の放電電流が増加した場合でも、それに見合った半導体
スイッチ回路を使用することにより、無制御な充電と、
過放電と、および、給電ラインの瞬断とを防止すること
が可能となる。
(1) According to the present invention, in the power supply switching circuit for switching the power supply connected to the power supply line to the internal DC power supply when the power cannot be supplied from the external DC power supply to the load, Even if the discharge current of the internal DC power supply increases according to the load, by using a semiconductor switch circuit that corresponds to it, uncontrolled charging and
It is possible to prevent over-discharge and instantaneous interruption of the power supply line.

【0083】これにより、従来のように、瞬断防止用だ
けの部品、例えば、コンデンサあるいはダイオードが必
要なくなり、部品点数が減り、小型化、高信頼化、およ
び、低価格化を図ることが可能となる。
As a result, it is possible to reduce the number of parts, reduce the size, increase the reliability, and reduce the cost, unlike the conventional case, which does not require a part for preventing instantaneous interruption, such as a capacitor or a diode. Becomes

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例である電源切り替え回路を示
す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a power supply switching circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す電源切り替え回路における半導体ス
イッチ回路の他の例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing another example of a semiconductor switch circuit in the power supply switching circuit shown in FIG.

【図3】従来の電源切り替え回路の一例を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a conventional power supply switching circuit.

【図4】PチャネルMOS−FETの内部に形成される
寄生ダイオードを説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a parasitic diode formed inside a P-channel MOS-FET.

【図5】従来の電源切り替え回路の他の例を示す図であ
る。
FIG. 5 is a diagram showing another example of a conventional power supply switching circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…外部直流電源、2…接続コネクタ、3…給電ライ
ン、4,5,40,41,50,51…PチャネルMO
S型電界効果トランジスタ(PチャネルMOS−FE
T)、4a,5a…理想的MOS−FET、4b,5b
…寄生ダイオード、6…バッテリ、7…直流電源電圧監
視回路、8…バッテリ電圧監視回路、7a,7b,7
c,8a,8b,8c,10,11,12,13…抵
抗、7d,8d…定電圧ダイオード、7e,8e…オペ
アンプ、7f,8f…pnp型トランジスタ、9…負
荷、14…コンデンサ、15…ダイオード、20…n領
域、21…ドレイン領域、22…ゲート電極、23…ゲ
ート酸化膜、24…ソース領域、25…コンタクト領
域。
1 ... External DC power supply, 2 ... Connection connector, 3 ... Power supply line, 4, 5, 40, 41, 50, 51 ... P channel MO
S-type field effect transistor (P-channel MOS-FE
T), 4a, 5a ... Ideal MOS-FET, 4b, 5b
... Parasitic diode, 6 ... Battery, 7 ... DC power supply voltage monitoring circuit, 8 ... Battery voltage monitoring circuit, 7a, 7b, 7
c, 8a, 8b, 8c, 10, 11, 12, 13, ... Resistance, 7d, 8d ... Constant voltage diode, 7e, 8e ... Operational amplifier, 7f, 8f ... Pnp type transistor, 9 ... Load, 14 ... Capacitor, 15 ... Diode, 20 ... N region, 21 ... Drain region, 22 ... Gate electrode, 23 ... Gate oxide film, 24 ... Source region, 25 ... Contact region.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 給電ラインに接続される外部直流電源か
ら負荷に電力を供給することが不可能になったときに、
給電ラインに接続する電源を、内部直流電源に切り替え
る電源切り替え回路において、前記給電ラインと内部直
流電源との間に接続され、それぞれ1個以上の半導体ス
イッチング素子を有するとともにそれぞれの半導体スイ
ッチング素子に形成される寄生ダイオードのアノード同
志が互いに接続されるように直列接続された2個の半導
体スイッチ回路と、前記外部直流電源の出力電圧が前記
内部直流電源の出力電圧以下になったときに、前記給電
ライン側の半導体スイッチ回路をオフ状態からオン状態
に切り替える外部直流電源電圧監視回路と、前記内部直
流電源の出力電圧が所定の電圧以下になったときに、前
記内部直流電源側の半導体スイッチ回路をオン状態から
オフ状態に切り替える内部直流電源電圧監視回路とを備
えることを特徴とする電源切り替え回路。
1. When it becomes impossible to supply electric power to a load from an external DC power supply connected to a power supply line,
A power supply switching circuit for switching a power supply connected to a power supply line to an internal DC power supply, which is connected between the power supply line and the internal DC power supply, has one or more semiconductor switching elements, and is formed in each semiconductor switching element. Two semiconductor switch circuits connected in series so that the anodes of the parasitic diodes are connected to each other, and the power supply when the output voltage of the external DC power supply becomes equal to or lower than the output voltage of the internal DC power supply. An external DC power supply voltage monitoring circuit that switches the semiconductor switch circuit on the line side from an OFF state to an ON state, and a semiconductor switch circuit on the internal DC power supply side when the output voltage of the internal DC power supply falls below a predetermined voltage. And an internal DC power supply voltage monitoring circuit for switching from an on state to an off state. Power switching circuit that.
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JP15428795A Pending JPH099523A (en) 1995-06-21 1995-06-21 Power supply switching circuit

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JP (1) JPH099523A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021180612A (en) * 2016-10-05 2021-11-18 ラピスセミコンダクタ株式会社 Power transmission device

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JP2021180612A (en) * 2016-10-05 2021-11-18 ラピスセミコンダクタ株式会社 Power transmission device

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