JPH0992756A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JPH0992756A JPH0992756A JP24895095A JP24895095A JPH0992756A JP H0992756 A JPH0992756 A JP H0992756A JP 24895095 A JP24895095 A JP 24895095A JP 24895095 A JP24895095 A JP 24895095A JP H0992756 A JPH0992756 A JP H0992756A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ、ダイパ
ッド及びリード端子を備える半導体装置に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having a semiconductor chip, a die pad and lead terminals.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の半導体装置の成形性向上のための
構造は、金型形状に関するもの、或いは装置形状に関し
ては、特開平４−１０６９６３に超薄型半導体装置及び
その製法が開示されている。この発明は、ダイパッドの
半導体チップ搭載面の反対側の面に、薄い絶縁性で、且
つ耐熱性の保護テープを設けており、これにより、より
薄く且つ成形性の良い超薄型半導体装置を得ることを可
能としている。2. Description of the Related Art A conventional structure for improving the moldability of a semiconductor device is related to the shape of a mold, or regarding the shape of the device, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-106963 discloses an ultra-thin semiconductor device and its manufacturing method. . According to the present invention, a thin insulating and heat-resistant protective tape is provided on the surface of the die pad opposite to the surface on which the semiconductor chip is mounted, thereby obtaining an ultrathin semiconductor device that is thinner and has better moldability. It is possible.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例で
は、封止樹脂の流れの自由度が大きいために、封止樹脂
の流れが不均一となり、ボイド等が発生し易いという不
都合があった。本発明はこの点に鑑みてなされたもので
あり、封止樹脂の不均一な流れを整流することにより、
渦等の発生を防止し、ボイド等の発生を防止できる半導
体装置を提供することを目的とするものである。However, in the above-mentioned conventional example, the degree of freedom of the flow of the sealing resin is large, so that the flow of the sealing resin becomes non-uniform and voids and the like are likely to occur. . The present invention has been made in view of this point, by rectifying the uneven flow of the sealing resin,
It is an object of the present invention to provide a semiconductor device capable of preventing the generation of vortices and the like and the generation of voids and the like.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体装置は、半導体チップとこれを搭載するダイパッ
ドと該ダイパッドの周辺に配置された複数の短冊状のリ
ード端子とを備え、封止樹脂で半導体チップとダイパッ
ドとリード端子の内端部とを封止する半導体装置におい
て、ダイパッド又はリード端子の少なくとも一方に樹脂
流ガイドを形成したことを特徴とするものである。A semiconductor device according to claim 1 of the present invention comprises a semiconductor chip, a die pad on which the semiconductor chip is mounted, and a plurality of strip-shaped lead terminals arranged around the die pad. In a semiconductor device in which a semiconductor chip, a die pad, and an inner end portion of a lead terminal are sealed with a stop resin, a resin flow guide is formed on at least one of the die pad and the lead terminal.
【０００５】本発明の請求項２記載の半導体装置は、請
求項１記載の半導体装置において、樹脂流ガイドとして
整流フィンを形成したことを特徴とするものである。A semiconductor device according to a second aspect of the present invention is the semiconductor device according to the first aspect, characterized in that a rectifying fin is formed as a resin flow guide.
【０００６】ここに、整流フィンとは、封止樹脂を充填
する際に、封止樹脂の整流のために使用される突起等を
いう。尚、各リード端子の内端部は、封止樹脂の充填前
に例えば金線のワイヤーボンディングにより半導体チッ
プと接続されるものとする。Here, the rectifying fin means a protrusion or the like used for rectifying the sealing resin when the sealing resin is filled. The inner end portion of each lead terminal is connected to the semiconductor chip by, for example, wire bonding of a gold wire before filling the sealing resin.
【０００７】本発明の請求項３記載の半導体装置は、請
求項２記載の半導体装置において、ダイパッド又はリー
ド端子の少なくとも一方の内端部付近の略同一箇所に略
コ字状の切り込みを入れ内側を鉛直に立ち上げて整流フ
ィンを形成したことを特徴とするものである。A semiconductor device according to a third aspect of the present invention is the semiconductor device according to the second aspect, wherein a substantially U-shaped cut is made at substantially the same location near the inner end of at least one of the die pad and the lead terminal. Is formed vertically to form a rectifying fin.
【０００８】本発明の請求項４記載の半導体装置は、請
求項２記載の半導体装置において、ダイパッド又はリー
ド端子の少なくとも一方の内端部を鉛直に立ち上げて整
流フィンを形成したことを特徴とするものである。According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor device according to the second aspect, at least one inner end of the die pad or the lead terminal is vertically raised to form a rectifying fin. To do.
【０００９】本発明の請求項５記載の半導体装置は、請
求項１記載の半導体装置において、樹脂流ガイドとして
溝を形成したことを特徴とするものである。A semiconductor device according to a fifth aspect of the present invention is the semiconductor device according to the first aspect, characterized in that a groove is formed as a resin flow guide.
【００１０】本発明の請求項６記載の半導体装置は、請
求項５記載の半導体装置において、ダイパッド又はリー
ド端子の少なくとも一方の内端部付近の略同一箇所に溝
を設けたことを特徴とするものである。A semiconductor device according to a sixth aspect of the present invention is the semiconductor device according to the fifth aspect, characterized in that a groove is provided at substantially the same location near the inner end of at least one of the die pad and the lead terminal. It is a thing.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】図１は本発明の一の実施形態であ
る半導体装置の断面図である。図２は同上実施形態であ
る半導体装置の封止樹脂を充填する前の斜視図である。
図１及び図２に示すように、この半導体装置は、半導体
チップ１とこれを搭載するダイパッド２と該ダイパッド
２の長手方向の周辺に相互に略平行に配置された複数の
短冊状のリード端子３とを備え、封止樹脂６で半導体チ
ップ１とダイパッド２とリード端子３の内端部とを封止
するものである。またこの半導体装置はダイパッド２と
リードフレーム３に樹脂流ガイドとしての整流フィン４
を設けている。なお、各リード端子３の内端部は、封止
樹脂６の充填前に金線のワイヤーボンディングにより半
導体チップ１と接続される。1 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view before filling the sealing resin of the semiconductor device according to the above embodiment.
As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor device includes a semiconductor chip 1, a die pad 2 on which the semiconductor chip 1 is mounted, and a plurality of strip-shaped lead terminals arranged substantially parallel to each other around the die pad 2 in the longitudinal direction. 3, and the sealing resin 6 seals the semiconductor chip 1, the die pad 2, and the inner end portions of the lead terminals 3. Further, this semiconductor device has a rectifying fin 4 as a resin flow guide on the die pad 2 and the lead frame 3.
Is provided. The inner end portion of each lead terminal 3 is connected to the semiconductor chip 1 by wire bonding of a gold wire before filling the sealing resin 6.
【００１２】整流フィン４は図２中の矢印の方向即ち封
止樹脂６の充填方向に沿って以下のようにして形成され
る。即ち短冊状のリード端子３の各々の内端部付近の同
一箇所を略コ字状の切り込みを入れ内側を鉛直に立ち上
げて整流フィン４を形成し、該整流フィン４と略平行な
整流フィン４をダイパッド２に形成するように、ダイパ
ッド２の長手方向の端部付近を適宜間隔で同一箇所を略
コ字状の切り込みを入れ内側を鉛直に立ち上げてダイパ
ッド２に整流フィン４を形成している。The rectifying fins 4 are formed as follows in the direction of the arrow in FIG. 2, that is, along the filling direction of the sealing resin 6. That is, a rectifying fin 4 is formed by making a substantially U-shaped notch at the same position near the inner end of each strip-shaped lead terminal 3 and raising the inside vertically to form a rectifying fin 4 that is substantially parallel to the rectifying fin 4. 4 is formed on the die pad 2, the rectifying fins 4 are formed on the die pad 2 by vertically cutting the inside of the die pad 2 at substantially equal intervals in the vicinity of the longitudinal end of the die pad 2 at appropriate intervals. ing.
【００１３】また図２に示すように、ダイパッド２の短
手方向の端部においても封止樹脂６の充填方向に沿って
略コ字状の切り込みを入れ内側を鉛直に立ち上げて整流
フィン４を形成している。Further, as shown in FIG. 2, a rectifying fin 4 is formed by making a substantially U-shaped notch along the filling direction of the sealing resin 6 at the end of the die pad 2 in the lateral direction and raising the inside vertically. Is formed.
【００１４】図２の状態において、矢印の方向に封止樹
脂６を充填する場合には、複数の規則的に鉛直に立ち上
げられた整流フィン４に沿うように封止樹脂６が流れ
る。これにより封止樹脂６の不均一な流れが整流され
る。従って、渦等の発生を防止でき、ボイド等の発生を
防止できる。In the state shown in FIG. 2, when the sealing resin 6 is filled in the direction of the arrow, the sealing resin 6 flows along a plurality of regularly rising rectifying fins 4. As a result, the uneven flow of the sealing resin 6 is rectified. Therefore, the generation of vortices and the like can be prevented, and the generation of voids and the like can be prevented.
【００１５】尚、整流フィン４は、短冊状のリード端子
３又はダイパッド２のいずれか一方にのみ形成していて
もよい。この場合においても、封止樹脂６を充填する場
合には、一方にのみ形成された整流フィン４に沿うよう
に封止樹脂６が流れる。これにより封止樹脂６の不均一
な流れがある程度整流される。従って、渦、ボイド等の
発生をある程度防止できる。The rectifying fins 4 may be formed on only one of the strip-shaped lead terminals 3 and the die pad 2. Also in this case, when the sealing resin 6 is filled, the sealing resin 6 flows along the rectifying fins 4 formed on only one side. As a result, the uneven flow of the sealing resin 6 is rectified to some extent. Therefore, the generation of vortices, voids, etc. can be prevented to some extent.
【００１６】図３は本発明の別の実施形態である半導体
装置の断面図である。図４は同上実施形態である半導体
装置の封止樹脂を充填する前の斜視図である。図３及び
図４に示すように、この半導体装置は、図１の場合と類
似しているが、短冊状のリード端子３の各々の内端部を
鉛直に立ち上げて整流フィン４を形成すると共に、前記
整流フィン４と略平行にダイパッド２の端部を鉛直に立
ち上げて整流フィン４を形成している点が異なる。その
他の構成は図１の場合と同様である。FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor device according to another embodiment of the present invention. FIG. 4 is a perspective view of the semiconductor device according to the above embodiment before being filled with a sealing resin. As shown in FIGS. 3 and 4, this semiconductor device is similar to the case of FIG. 1, but the inner ends of the strip-shaped lead terminals 3 are vertically raised to form the rectifying fins 4. At the same time, the difference is that the rectifying fins 4 are formed by vertically raising the ends of the die pad 2 substantially in parallel with the rectifying fins 4. Other configurations are the same as those in FIG.
【００１７】この場合、図１の場合と同様の方法で使用
でき同様の効果を奏するが、図１の場合に比べて整流フ
ィン４を形成する場合に、短冊状のリード端子３の各々
の内端部及びダイパッド２の端部を鉛直に立ち上げるの
みで簡易に形成することができる。In this case, the same method as in the case of FIG. 1 can be used and the same effect can be obtained, but in the case of forming the rectifying fins 4 as compared with the case of FIG. It can be easily formed only by vertically raising the end portion and the end portion of the die pad 2.
【００１８】尚、整流フィン４は、短冊状のリード端子
３又はダイパッド２のいずれか一方にのみ形成していて
もよい。この場合においても、封止樹脂６を充填する場
合には、整流フィン４に沿って封止樹脂６が流れる。こ
れにより封止樹脂６の不均一な流れがある程度整流され
る。従って、渦、ボイド等の発生をある程度防止でき
る。The rectifying fins 4 may be formed on only one of the strip-shaped lead terminals 3 and the die pad 2. Also in this case, when the sealing resin 6 is filled, the sealing resin 6 flows along the rectifying fins 4. As a result, the uneven flow of the sealing resin 6 is rectified to some extent. Therefore, the generation of vortices, voids, etc. can be prevented to some extent.
【００１９】図５は本発明の更に別の実施形態である半
導体装置の断面図である。図６は同上実施形態である半
導体装置の斜視図である。図５及び図６に示すように、
この半導体装置は、図１の場合と類似しているが、樹脂
流ガイドとして溝５を形成している点が異なる。即ち短
冊状のリード端子３の各々の内端部付近の同一箇所に封
止樹脂６の充填方向に沿って溝５を形成すると共に、前
記溝５と略平行にダイパッド２の長手方向の端部付近に
封止樹脂６の充填方向に沿って溝５を形成している。そ
の他の構成は図１の場合と同様である。FIG. 5 is a sectional view of a semiconductor device according to still another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a perspective view of the semiconductor device according to the above embodiment. As shown in FIGS. 5 and 6,
This semiconductor device is similar to the case of FIG. 1, except that the groove 5 is formed as a resin flow guide. That is, a groove 5 is formed along the filling direction of the sealing resin 6 at the same position near the inner end of each of the strip-shaped lead terminals 3, and the end of the die pad 2 in the longitudinal direction is substantially parallel to the groove 5. The groove 5 is formed in the vicinity along the filling direction of the sealing resin 6. Other configurations are the same as those in FIG.
【００２０】この場合、封止樹脂６を充填する場合に
は、複数の規則的に配置された溝５に沿うように、封止
樹脂６が流れるので、封止樹脂６の不均一な流れが整流
される。従って、渦等の発生を防止でき、ボイド等の発
生を防止できる。この場合溝５を形成するのみであるた
め、整流フィン４を立ち上げる必要がない。In this case, when the sealing resin 6 is filled, the sealing resin 6 flows along the plurality of regularly arranged grooves 5, so that an uneven flow of the sealing resin 6 occurs. Rectified. Therefore, the generation of vortices and the like can be prevented, and the generation of voids and the like can be prevented. In this case, since only the groove 5 is formed, it is not necessary to raise the rectifying fin 4.
【００２１】尚、溝５は、短冊状のリード端子３又はダ
イパッド２のいずれか一方にのみ形成していてもよい。
この場合においても、封止樹脂６を充填する場合には、
溝５に沿うように封止樹脂６が流れる。これにより封止
樹脂６の不均一な流れがある程度整流される。従って、
渦、ボイド等の発生をある程度防止できる。The groove 5 may be formed only on one of the strip-shaped lead terminal 3 and the die pad 2.
Also in this case, when the sealing resin 6 is filled,
The sealing resin 6 flows along the groove 5. As a result, the uneven flow of the sealing resin 6 is rectified to some extent. Therefore,
Generation of vortices, voids, etc. can be prevented to some extent.
【００２２】上述のごとく、封止樹脂６の不均一な流れ
を整流させることにより、渦等の発生を防止し、ボイド
等の発生を防止できる半導体装置を提供することができ
る。As described above, by rectifying the nonuniform flow of the sealing resin 6, it is possible to provide a semiconductor device which can prevent the generation of vortices and the like and the generation of voids and the like.
【００２３】[0023]
【発明の効果】本発明の請求項１記載の半導体装置は、
樹脂流ガイドにより封止樹脂の不均一な流れが整流され
る。従って、渦等の発生を防止でき、ボイド等の発生を
防止できる。The semiconductor device according to claim 1 of the present invention comprises:
The resin flow guide rectifies the uneven flow of the sealing resin. Therefore, the generation of vortices and the like can be prevented, and the generation of voids and the like can be prevented.
【００２４】本発明の請求項２記載の半導体装置は、整
流フィンにより封止樹脂の不均一な流れが整流される。
従って、渦等の発生を防止でき、ボイド等の発生を防止
できる。In the semiconductor device according to the second aspect of the present invention, the nonuniform flow of the sealing resin is rectified by the rectifying fins.
Therefore, the generation of vortices and the like can be prevented, and the generation of voids and the like can be prevented.
【００２５】本発明の請求項３記載の半導体装置は、請
求項２記載の半導体装置の効果に加えて、複数の規則的
に鉛直に立ち上げられた整流フィンに沿うように封止樹
脂が流れるため、封止樹脂の不均一な流れがさらに確実
に整流される。従って、渦等の発生をさらに確実に防止
でき、ボイド等の発生をさらに確実に防止できる。In the semiconductor device according to the third aspect of the present invention, in addition to the effect of the semiconductor device according to the second aspect, the sealing resin flows along a plurality of regularly rising rectifying fins. Therefore, the uneven flow of the sealing resin is rectified more reliably. Therefore, the generation of vortices and the like can be prevented more reliably, and the generation of voids and the like can be further reliably prevented.
【００２６】本発明の請求項４記載の半導体装置は、請
求項２記載の半導体装置の効果に加えて、整流フィンを
簡易に形成することができる。In the semiconductor device according to the fourth aspect of the present invention, in addition to the effect of the semiconductor device according to the second aspect, the rectifying fin can be easily formed.
【００２７】本発明の請求項５記載の半導体装置は、溝
により封止樹脂の不均一な流れが整流される。従って、
渦等の発生を防止でき、ボイド等の発生を防止できる。In the semiconductor device according to the fifth aspect of the present invention, the uneven flow of the sealing resin is rectified by the groove. Therefore,
It is possible to prevent the generation of vortices and the like and the generation of voids and the like.
【００２８】本発明の請求項６記載の半導体装置は、請
求項５記載の半導体装置に効果に加えて、複数の規則的
に配置された溝により封止樹脂の不均一な流れがさらに
確実に整流され、渦等の発生をさらに確実に防止でき、
ボイド等の発生をさらに確実に防止できる。The semiconductor device according to the sixth aspect of the present invention has the effect of the semiconductor device according to the fifth aspect, and in addition to the effect of the plurality of regularly arranged grooves, the uneven flow of the sealing resin is further ensured. Being rectified, it is possible to more reliably prevent the generation of vortices,
It is possible to more reliably prevent the occurrence of voids and the like.
【図１】本発明の一の実施形態である半導体装置の断面
図である。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図２】同上実施形態の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the same embodiment.
【図３】本発明の別の実施形態である半導体装置の断面
図である。FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
【図４】同実施形態の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of the same embodiment.
【図５】本発明の更に別の実施形態である半導体装置の
断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a semiconductor device according to still another embodiment of the present invention.
【図６】同実施形態の斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of the same embodiment.
１ 半導体チップ ２ ダイパッド ３ リード端子 ４ 整流フィン ５ 溝 ６ 封止樹脂 1 Semiconductor Chip 2 Die Pad 3 Lead Terminal 4 Rectifying Fin 5 Groove 6 Sealing Resin
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｇ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Agency reference number FI Technical display location H01L 23/50 H01L 23/50 G
Claims (6)
ドと該ダイパッドの周辺に配置された複数の短冊状のリ
ード端子とを備え、封止樹脂で半導体チップとダイパッ
ドとリード端子の内端部とを封止する半導体装置におい
て、ダイパッド又はリード端子の少なくとも一方に樹脂
流ガイドを形成したことを特徴とする半導体装置。1. A semiconductor chip, a die pad on which the semiconductor chip is mounted, and a plurality of strip-shaped lead terminals arranged around the die pad are provided, and the semiconductor chip, the die pad, and the inner ends of the lead terminals are sealed with a sealing resin. In a semiconductor device to be sealed, a resin flow guide is formed on at least one of a die pad and a lead terminal.
たことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein a rectifying fin is formed as the resin flow guide.
一方の内端部付近の略同一箇所に略コ字状の切り込みを
入れ内側を鉛直に立ち上げて整流フィンを形成したこと
を特徴とする請求項２記載の半導体装置。3. A rectifying fin is formed by making a substantially U-shaped cut at substantially the same location near the inner end of at least one of the die pad and the lead terminal and raising the inside vertically. The semiconductor device described.
一方の内端部を鉛直に立ち上げて整流フィンを形成した
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。4. The semiconductor device according to claim 2, wherein an inner end portion of at least one of the die pad and the lead terminal is vertically raised to form a rectifying fin.
特徴とする請求項１記載の半導体装置。5. The semiconductor device according to claim 1, wherein a groove is formed as the resin flow guide.
一方の内端部付近の略同一箇所に溝を設けたことを特徴
とする請求項５記載の半導体装置。6. The semiconductor device according to claim 5, wherein a groove is provided at substantially the same location near the inner end of at least one of the die pad and the lead terminal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24895095A JPH0992756A (en) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24895095A JPH0992756A (en) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992756A true JPH0992756A (en) | 1997-04-04 |
Family
ID=17185831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24895095A Withdrawn JPH0992756A (en) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992756A (en) |
-
1995
- 1995-09-27 JP JP24895095A patent/JPH0992756A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021203 |