JPH0988566A - 排ガス浄化装置 - Google Patents
排ガス浄化装置Info
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- JPH0988566A JPH0988566A JP7243224A JP24322495A JPH0988566A JP H0988566 A JPH0988566 A JP H0988566A JP 7243224 A JP7243224 A JP 7243224A JP 24322495 A JP24322495 A JP 24322495A JP H0988566 A JPH0988566 A JP H0988566A
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- JP
- Japan
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- exhaust gas
- base body
- catalyst
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
- Y02A50/20—Air quality improvement or preservation, e.g. vehicle emission control or emission reduction by using catalytic converters
Abstract
(57)【要約】
【課題】 自動車エンジンの始動時の排ガス浄化触媒を
瞬時に活性温度に加熱すると共に稼働中にも触媒の温度
ムラをなくす。 【解決手段】 孔内に排ガスが流通する非導電性材料製
ハニカム状基体Ｈの表面に導電性物質製通電層Ｔを設
け、さらにその上に触媒層Ｓを設けてなる。電源Ｅから
電極Ｐを介して通電層Ｔに通電し、通電層Ｔの自己抵抗
発熱により触媒層Ｓを触媒活性温度にまで昇温する。ハ
ニカム状基体Ｈに切欠部１を形成したので、基体内の排
ガスの流れは切欠部が障害となって乱流が生じ、排ガス
と触媒との接触時間が長くなり浄化性能が向上する。ま
た、切欠部１を電極Ｐ間に形成することにより、回路形
成部２の断面積、即ち電気抵抗の大きさを簡易に調節す
ることができ、さらに回路形成部２を基体中央部、即ち
排ガスの流通量の多い部分とすることにより、熱交換の
激しい中央部を集中して発熱させることができ、基体全
体の温度、ひいては浄化性能の均一化が図れる。
瞬時に活性温度に加熱すると共に稼働中にも触媒の温度
ムラをなくす。 【解決手段】 孔内に排ガスが流通する非導電性材料製
ハニカム状基体Ｈの表面に導電性物質製通電層Ｔを設
け、さらにその上に触媒層Ｓを設けてなる。電源Ｅから
電極Ｐを介して通電層Ｔに通電し、通電層Ｔの自己抵抗
発熱により触媒層Ｓを触媒活性温度にまで昇温する。ハ
ニカム状基体Ｈに切欠部１を形成したので、基体内の排
ガスの流れは切欠部が障害となって乱流が生じ、排ガス
と触媒との接触時間が長くなり浄化性能が向上する。ま
た、切欠部１を電極Ｐ間に形成することにより、回路形
成部２の断面積、即ち電気抵抗の大きさを簡易に調節す
ることができ、さらに回路形成部２を基体中央部、即ち
排ガスの流通量の多い部分とすることにより、熱交換の
激しい中央部を集中して発熱させることができ、基体全
体の温度、ひいては浄化性能の均一化が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は触媒式の排ガス浄化装
置に係り、特に自動車等のエンジンの排ガスに好適に適
用される排ガス浄化装置に関する。
置に係り、特に自動車等のエンジンの排ガスに好適に適
用される排ガス浄化装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に触媒式排ガス浄化装置は、図３に
示すように、ハニカム基体Ｈに排ガスが矢印方向に流通
するように構成されている。ハニカム基体Ｈには、それ
自体がメタル等の導電性物質で形成されている場合には
基体Ｈ表面上に白金等の触媒層Ｓが形成されており（図
４）、また基体Ｈがセラミックス等の非導電性物質で形
成されている場合には基体Ｈと触媒層Ｓとの間に更に導
電性物質からなる通電層Ｔが形成されている（図５）。
示すように、ハニカム基体Ｈに排ガスが矢印方向に流通
するように構成されている。ハニカム基体Ｈには、それ
自体がメタル等の導電性物質で形成されている場合には
基体Ｈ表面上に白金等の触媒層Ｓが形成されており（図
４）、また基体Ｈがセラミックス等の非導電性物質で形
成されている場合には基体Ｈと触媒層Ｓとの間に更に導
電性物質からなる通電層Ｔが形成されている（図５）。
【０００３】触媒式の排ガス浄化装置が実質的な機能を
発揮するには、触媒がその活性温度以上に昇温される必
要があるため、例えば自動車等のエンジンの冷間始動時
等においても触媒機能が速やかに発揮されるよう、触媒
を加熱する手段が設けられている。例えば、図３に示す
ような電源装置Ｅと一対の電極Ｐにより、メタルハニカ
ム基体Ｈ、あるいは基体Ｈ上に形成された通電層Ｔに通
電すると、これらは自己抵抗によって発熱し、これらの
表面に担持された触媒層は活性温度まで昇温される。排
ガス中のＣＯ，ＮＯｘ，ＨＣ等の有害成分は、ハニカム
基体内を通過する間に活性化した触媒層Ｓによって浄化
される。
発揮するには、触媒がその活性温度以上に昇温される必
要があるため、例えば自動車等のエンジンの冷間始動時
等においても触媒機能が速やかに発揮されるよう、触媒
を加熱する手段が設けられている。例えば、図３に示す
ような電源装置Ｅと一対の電極Ｐにより、メタルハニカ
ム基体Ｈ、あるいは基体Ｈ上に形成された通電層Ｔに通
電すると、これらは自己抵抗によって発熱し、これらの
表面に担持された触媒層は活性温度まで昇温される。排
ガス中のＣＯ，ＮＯｘ，ＨＣ等の有害成分は、ハニカム
基体内を通過する間に活性化した触媒層Ｓによって浄化
される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
排ガス浄化装置は次のような課題を抱えている。例えば
基体の断面が略円形の場合には、排ガスの流れは基体中
央部で速く、周辺部で遅くなるため、基体中央部での熱
交換量が多くなり温度が下がってしまう。よって、触媒
層全体では温度が不均一となり、排ガスの通過位置によ
り浄化性能に差が生じる他、温度が低くなる中央部にお
いては触媒の性能を十分に発揮することができない。
排ガス浄化装置は次のような課題を抱えている。例えば
基体の断面が略円形の場合には、排ガスの流れは基体中
央部で速く、周辺部で遅くなるため、基体中央部での熱
交換量が多くなり温度が下がってしまう。よって、触媒
層全体では温度が不均一となり、排ガスの通過位置によ
り浄化性能に差が生じる他、温度が低くなる中央部にお
いては触媒の性能を十分に発揮することができない。
【０００５】こうした課題を解決すべく中央部に電極や
通電層を設けたものなど種々の改良がなされているが、
いずれも構成が複雑になり、製作が困難で、しかも電気
抵抗の大きさを調整するには全体的な設計変更を要し、
実際上調整はできない。
通電層を設けたものなど種々の改良がなされているが、
いずれも構成が複雑になり、製作が困難で、しかも電気
抵抗の大きさを調整するには全体的な設計変更を要し、
実際上調整はできない。
【０００６】さらにこの装置において浄化性能を向上さ
せるためには、排ガスと触媒との接触時間を長くとるた
めに排ガスの流れ方向に長さを延長することになり、装
置の大型化を招いてしまう。
せるためには、排ガスと触媒との接触時間を長くとるた
めに排ガスの流れ方向に長さを延長することになり、装
置の大型化を招いてしまう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、第１発明に係る排ガス浄化装置では、孔内に排ガス
が流通するハニカム状基体と、この基体上に形成される
触媒層と、からなる排ガス浄化装置において、前記ハニ
カム状基体に切欠部を形成したことを特徴とする。
め、第１発明に係る排ガス浄化装置では、孔内に排ガス
が流通するハニカム状基体と、この基体上に形成される
触媒層と、からなる排ガス浄化装置において、前記ハニ
カム状基体に切欠部を形成したことを特徴とする。
【０００８】基体内の排ガスの流れは切欠部が障害とな
って乱流が生じ、即ち排ガスと触媒との接触時間を長く
とれる上、基体の表面積が増加した分だけ触媒層の形成
面積も増加させることができ、装置の大型化を招くこと
なく浄化性能を向上させることができる。
って乱流が生じ、即ち排ガスと触媒との接触時間を長く
とれる上、基体の表面積が増加した分だけ触媒層の形成
面積も増加させることができ、装置の大型化を招くこと
なく浄化性能を向上させることができる。
【０００９】この構成において、必要に応じて触媒加熱
手段を設けることが望ましい。これは基体や必要に応じ
て設けられる通電層への通電、或いは別途設けられる自
己抵抗発熱部材等による直接加熱手段や、輻射熱や電磁
誘導加熱等による間接加熱等、その種類を問わない。
手段を設けることが望ましい。これは基体や必要に応じ
て設けられる通電層への通電、或いは別途設けられる自
己抵抗発熱部材等による直接加熱手段や、輻射熱や電磁
誘導加熱等による間接加熱等、その種類を問わない。
【００１０】また、第２発明に係る排ガス浄化装置で
は、孔内に排ガスが流通するハニカム状基体と、この基
体上に形成される触媒層と、一対の電極を備え前記触媒
層を触媒活性温度に昇温するための通電加熱手段とから
なる排ガス浄化装置において、前記ハニカム状基体の前
記電極間の位置に切欠部を形成したことを特徴とする。
第２発明において、切欠部は第１発明と同様に装置の浄
化効率を向上させる効果を得ると同時に、この切欠部は
電極間に形成されるため、その切欠面積を調整すること
により、切欠部を形成した残り部分である回路形成部２
（図１参照）の断面積、即ち電気抵抗の大きさを簡易に
調節することができる。さらに回路形成部２が基体中央
部、即ち排ガスの流通量の多い部分となるように切欠部
を形成することにより、熱交換の激しい中央部を集中し
て発熱させることができ、基体全体の温度、ひいては浄
化性能の均一化が図れる。
は、孔内に排ガスが流通するハニカム状基体と、この基
体上に形成される触媒層と、一対の電極を備え前記触媒
層を触媒活性温度に昇温するための通電加熱手段とから
なる排ガス浄化装置において、前記ハニカム状基体の前
記電極間の位置に切欠部を形成したことを特徴とする。
第２発明において、切欠部は第１発明と同様に装置の浄
化効率を向上させる効果を得ると同時に、この切欠部は
電極間に形成されるため、その切欠面積を調整すること
により、切欠部を形成した残り部分である回路形成部２
（図１参照）の断面積、即ち電気抵抗の大きさを簡易に
調節することができる。さらに回路形成部２が基体中央
部、即ち排ガスの流通量の多い部分となるように切欠部
を形成することにより、熱交換の激しい中央部を集中し
て発熱させることができ、基体全体の温度、ひいては浄
化性能の均一化が図れる。
【００１１】この構成において、電極は導電性の基体に
通電するように接続してもよいし、基体全体に通電層を
設けてこれに通電するように接続してもよい。
通電するように接続してもよいし、基体全体に通電層を
設けてこれに通電するように接続してもよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１３】図２は本発明に係る排ガス浄化装置の一実
施例の概略構成を示す外観図であり、図１はその排ガス
の流れ方向の中央断面図である。図において、Ｈはハニ
カム状基体、Ｅは電源、Ｐは電極、１は切欠部、２は回
路形成部、矢印は排ガスの流れの方向を示す。ハニカム
状基体Ｅの全表面には、図４や図５に示すように白金等
からなる触媒層Ｓが担持・形成されている。
施例の概略構成を示す外観図であり、図１はその排ガス
の流れ方向の中央断面図である。図において、Ｈはハニ
カム状基体、Ｅは電源、Ｐは電極、１は切欠部、２は回
路形成部、矢印は排ガスの流れの方向を示す。ハニカム
状基体Ｅの全表面には、図４や図５に示すように白金等
からなる触媒層Ｓが担持・形成されている。
【００１４】ハニカム状基体Ｅは、例えば各種メタル等
の導電性物質やセラミックス等の非導電性物質から形成
されるが、望ましくは、例えばコージェライト、アルミ
ナ、活性アルミナ等のセラミックスにて構成する。セラ
ミックスはハニカム状構造の形成が容易で十分な強度が
あり、且つその表面は多孔を有しているため、これに触
媒層Ｓを形成することにより触媒を担持する面の表面積
を増加させることができ、即ち排ガスと触媒との接触面
積の点で有利である。基体Ｅの形状は、図では円筒形で
あらわしているが、その他、断面が楕円形、四角形、瓢
箪形など形状を問わず、また排ガス流通方向の長さも浄
化性能に応じて自由に設定される。
の導電性物質やセラミックス等の非導電性物質から形成
されるが、望ましくは、例えばコージェライト、アルミ
ナ、活性アルミナ等のセラミックスにて構成する。セラ
ミックスはハニカム状構造の形成が容易で十分な強度が
あり、且つその表面は多孔を有しているため、これに触
媒層Ｓを形成することにより触媒を担持する面の表面積
を増加させることができ、即ち排ガスと触媒との接触面
積の点で有利である。基体Ｅの形状は、図では円筒形で
あらわしているが、その他、断面が楕円形、四角形、瓢
箪形など形状を問わず、また排ガス流通方向の長さも浄
化性能に応じて自由に設定される。
【００１５】なお、基体Ｅを非導電性物質から形成した
場合には、図５に示すように基体Ｅと触媒層Ｓとの間に
導電性物質からなる通電層Ｔを設けることが必要であ
る。通電層Ｔとしては、例えば耐火性の高いシリサイド
（ＭｏＳｉ2 等）、アルミナイド（ＴｉＡｌ）等の金属
間化合物や、ケイ化モリブデン−アルミナサーメット、
ケイ素ニッケルモリブデン合金、ステンレス鋼が適して
いる。通電層３を形成するには、例えばその粉末をラッ
カーなどの溶剤と混合し、更にアセトン，エタノールな
どの有機溶剤に分散させ、その溶液をハニカム状基体Ｅ
に流し込んだり或いは塗布し、これを乾燥、焼結させ
る。この方法で得た通電層Ｔは非常に多孔質となるため
排ガスとの接触面積が増大し、触媒による浄化性能をも
向上させることができる。勿論、上述の形成法及び多孔
形成に限定されるものではない。
場合には、図５に示すように基体Ｅと触媒層Ｓとの間に
導電性物質からなる通電層Ｔを設けることが必要であ
る。通電層Ｔとしては、例えば耐火性の高いシリサイド
（ＭｏＳｉ2 等）、アルミナイド（ＴｉＡｌ）等の金属
間化合物や、ケイ化モリブデン−アルミナサーメット、
ケイ素ニッケルモリブデン合金、ステンレス鋼が適して
いる。通電層３を形成するには、例えばその粉末をラッ
カーなどの溶剤と混合し、更にアセトン，エタノールな
どの有機溶剤に分散させ、その溶液をハニカム状基体Ｅ
に流し込んだり或いは塗布し、これを乾燥、焼結させ
る。この方法で得た通電層Ｔは非常に多孔質となるため
排ガスとの接触面積が増大し、触媒による浄化性能をも
向上させることができる。勿論、上述の形成法及び多孔
形成に限定されるものではない。
【００１６】上記通電層Ｔと電極Ｐ（図では円環状）と
の接点には他の材料を接点として別途形成してもよい。
例えば、銀や銀−パラジュウムなどの導電性ペーストを
用いてもよいし、あるいはステンレス鋼粉を塗布・焼結
してもよい。これらの材料は基体端面の抵抗調節材料と
しても使用できる。電極Ｐは通電層Ｔと回路を形成でき
ればよく、その設置場所、形状を問わない。
の接点には他の材料を接点として別途形成してもよい。
例えば、銀や銀−パラジュウムなどの導電性ペーストを
用いてもよいし、あるいはステンレス鋼粉を塗布・焼結
してもよい。これらの材料は基体端面の抵抗調節材料と
しても使用できる。電極Ｐは通電層Ｔと回路を形成でき
ればよく、その設置場所、形状を問わない。
【００１７】電源Ｅからは直流又は直流の矩形波を供給
する。加熱を迅速に行うためには矩形波を用いることが
望ましい。
する。加熱を迅速に行うためには矩形波を用いることが
望ましい。
【００１８】このような触媒式排ガス浄化装置では、電
源Ｅにより電極Ｐを介してハニカム状基体Ｅ上に形成さ
れた通電層Ｔに通電しこれを自己抵抗により発熱させ
る。発熱により通電層Ｔ上に形成されている触媒層Ｓが
活性温度以上に昇温され、基体Ｅのハニカム構造の空間
部を流通する排ガス中のＮＯｘ，ＣＯ，ＨＣ等の有害成
分を白金触媒によりＮ2 ，ＣＯ2 ，Ｈ2 Ｏ等の無害成分
に変換・浄化する。
源Ｅにより電極Ｐを介してハニカム状基体Ｅ上に形成さ
れた通電層Ｔに通電しこれを自己抵抗により発熱させ
る。発熱により通電層Ｔ上に形成されている触媒層Ｓが
活性温度以上に昇温され、基体Ｅのハニカム構造の空間
部を流通する排ガス中のＮＯｘ，ＣＯ，ＨＣ等の有害成
分を白金触媒によりＮ2 ，ＣＯ2 ，Ｈ2 Ｏ等の無害成分
に変換・浄化する。
【００１９】ここで、本発明に係る排ガス浄化装置で
は、ハニカム状基体Ｅに切欠部１が形成されている。切
欠部１を形成することにより、基体内の排ガスの流れは
切欠部１が障害となって乱流が生じ、排ガスと触媒との
接触時間が長くなり、排ガスを効果的に浄化する。
は、ハニカム状基体Ｅに切欠部１が形成されている。切
欠部１を形成することにより、基体内の排ガスの流れは
切欠部１が障害となって乱流が生じ、排ガスと触媒との
接触時間が長くなり、排ガスを効果的に浄化する。
【００２０】切欠部１は、ダイヤモンド砥石等を用いて
形成する。切欠部１の大きさによっては切断加工しても
良い。切欠部１を設ける位置に特に制限はないが、図１
のように円周に設けてガス流通方向の長さが最短になる
ようにしても良いし、図６のように切欠部１を位置を違
えて設けて剛性を高めるようにしても良いし、図７のよ
うに切欠部１を流路方向に複数設けて排ガスの乱流を多
く起こして更に触媒浄化効率を向上させるようにしても
良い。また、切欠部１の形成は、通電層Ｔの形成前後を
問わない。
形成する。切欠部１の大きさによっては切断加工しても
良い。切欠部１を設ける位置に特に制限はないが、図１
のように円周に設けてガス流通方向の長さが最短になる
ようにしても良いし、図６のように切欠部１を位置を違
えて設けて剛性を高めるようにしても良いし、図７のよ
うに切欠部１を流路方向に複数設けて排ガスの乱流を多
く起こして更に触媒浄化効率を向上させるようにしても
良い。また、切欠部１の形成は、通電層Ｔの形成前後を
問わない。
【００２１】また、図１では第２発明に係る電極Ｐ間の
切欠部１を形成している。電極Ｐは切欠部１を形成した
残りの部分にあたる回路形成部２と通電回路を形成し、
この部分で発熱するため、切欠部１の切欠面積を調整す
ることにより、回路形成部２の断面積、即ち電気抵抗の
大きさを簡易に調節できる。
切欠部１を形成している。電極Ｐは切欠部１を形成した
残りの部分にあたる回路形成部２と通電回路を形成し、
この部分で発熱するため、切欠部１の切欠面積を調整す
ることにより、回路形成部２の断面積、即ち電気抵抗の
大きさを簡易に調節できる。
【００２２】さらに回路形成部２が排ガスの流通量の多
い部分（図では基体中央部）となるように切欠部１を形
成している。回路形成部２は、排ガスの流通量の多い基
体中央部に形成されているため、熱交換により温度が下
がりやすい中央部を特に良好に加熱し、また排ガスの流
れが遅く温度が下がりにくい周辺部へは中央部の通電層
の熱が伝導するだけとして直接の加熱を行わない。よっ
て、基体（触媒層）全体として温度が均一になり、排ガ
スの通過箇所により浄化性能に差を生じず、好適に浄化
機能する。
い部分（図では基体中央部）となるように切欠部１を形
成している。回路形成部２は、排ガスの流通量の多い基
体中央部に形成されているため、熱交換により温度が下
がりやすい中央部を特に良好に加熱し、また排ガスの流
れが遅く温度が下がりにくい周辺部へは中央部の通電層
の熱が伝導するだけとして直接の加熱を行わない。よっ
て、基体（触媒層）全体として温度が均一になり、排ガ
スの通過箇所により浄化性能に差を生じず、好適に浄化
機能する。
【００２３】なお、本発明に係る切欠部は上記目的効果
を達成するものであればその形状・削設位置を問わない
ことは言うまでもない。
を達成するものであればその形状・削設位置を問わない
ことは言うまでもない。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係る排ガス浄化装置は、上述し
たようにハニカム状基体に切欠部を形成したので、基体
内の排ガスの流れは切欠部が障害となって乱流が生じ、
即ち排ガスと触媒との接触時間を長くとれる上、基体の
表面積が増加した分だけ触媒層の形成面積も増加させる
ことができ、装置の大型化を招くことなく浄化性能を向
上させることができる。また、この切欠部を電極間に形
成することにより、その切欠面積の調整によって回路形
成部２の断面積、即ち電気抵抗の大きさを簡易に調節す
ることができる。さらに回路形成部２を基体中央部、即
ち排ガスの流通量の多い部分とすることにより、熱交換
の激しい中央部を集中して発熱させることができ、基体
全体の温度、ひいては浄化性能の均一化が図れる。
たようにハニカム状基体に切欠部を形成したので、基体
内の排ガスの流れは切欠部が障害となって乱流が生じ、
即ち排ガスと触媒との接触時間を長くとれる上、基体の
表面積が増加した分だけ触媒層の形成面積も増加させる
ことができ、装置の大型化を招くことなく浄化性能を向
上させることができる。また、この切欠部を電極間に形
成することにより、その切欠面積の調整によって回路形
成部２の断面積、即ち電気抵抗の大きさを簡易に調節す
ることができる。さらに回路形成部２を基体中央部、即
ち排ガスの流通量の多い部分とすることにより、熱交換
の激しい中央部を集中して発熱させることができ、基体
全体の温度、ひいては浄化性能の均一化が図れる。
【図１】本発明に係る排ガス浄化装置の一実施例の排ガ
スの流れ方向中央断面図である。
スの流れ方向中央断面図である。
【図２】本発明に係る排ガス浄化装置の一実施例の概略
構成を示す外観図である。
構成を示す外観図である。
【図３】従来の排ガス浄化装置の構成例を示す図であ
る。
る。
【図４】排ガス浄化装置において触媒層を基体に直接担
持させた状態を示す図である。
持させた状態を示す図である。
【図５】排ガス浄化装置において触媒層を基体に通電層
を介して担持させた状態を示す図である。
を介して担持させた状態を示す図である。
【図６】本発明に係る排ガス浄化装置の他の実施例の概
略構成を示す外観図である。
略構成を示す外観図である。
【図７】本発明に係る排ガス浄化装置の他の実施例の概
略構成を示す外観図である。
略構成を示す外観図である。
Ｈ …ハニカム状基体 Ｐ …電極 Ｅ …電源 Ｓ …触媒層 Ｔ …通電層 １ …切欠部 ２ …回路形成部
Claims (2)
- 【請求項１】孔内に排ガスが流通するハニカム状基体
と、この基体上に形成される触媒層と、からなる排ガス
浄化装置において、前記ハニカム状基体に切欠部を形成
し、基体内の排ガスの流れに障害を付与するように構成
したことを特徴とする排ガス浄化装置。 - 【請求項２】孔内に排ガスが流通するハニカム状基体
と、この基体上に形成される触媒層と、一対の電極を備
え前記触媒層を触媒活性温度に昇温するための通電加熱
手段とからなる排ガス浄化装置において、前記ハニカム
状基体の前記電極間の位置に切欠部を形成したことを特
徴とする排ガス浄化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7243224A JPH0988566A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 排ガス浄化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7243224A JPH0988566A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 排ガス浄化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0988566A true JPH0988566A (ja) | 1997-03-31 |
Family
ID=17100687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7243224A Pending JPH0988566A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | 排ガス浄化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0988566A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002371823A (ja) * | 2001-06-19 | 2002-12-26 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ディーゼルエンジン排ガス浄化装置 |
| EP2221460A1 (en) | 2009-02-18 | 2010-08-25 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Exhaust gas purification apparatus |
| EP2374773A1 (en) * | 2010-04-09 | 2011-10-12 | Ibiden Co., Ltd. | Honeycomb structure |
| WO2013146955A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 日本碍子株式会社 | ハニカム構造体 |
| WO2019171928A1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 | 加熱ユニット |
-
1995
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