JPH098504A - Dielectric filter - Google Patents

Dielectric filter

Info

Publication number
JPH098504A
JPH098504A JP15074195A JP15074195A JPH098504A JP H098504 A JPH098504 A JP H098504A JP 15074195 A JP15074195 A JP 15074195A JP 15074195 A JP15074195 A JP 15074195A JP H098504 A JPH098504 A JP H098504A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric
layer
filter
resonators
constant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15074195A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Takatani
稔 高谷
Toshiichi Endo
敏一 遠藤
Nobunori Mochizuki
宣典 望月
Katsuharu Yasuda
克治 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP15074195A priority Critical patent/JPH098504A/en
Publication of JPH098504A publication Critical patent/JPH098504A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

PURPOSE: To obtain the small sized dielectric with excellent filter characteristic. CONSTITUTION: A dielectric substrate 1 includes plural dielectric layers 11, 12 whose dielectric constant differs from each other. Each low dielectric constant dielectric layer 11 is placed between the high dielectric constant dielectric layers 12. Each of the dielectric resonators 21-24 is provided to the dielectric substrate 1, the high dielectric constant dielectric layer 12 is used for a dielectric layer to obtain a major filter characteristic and the low dielectric dielectric layer 12 is used for a coupling layer to be electrically coupled with the adjacent dielectric resonator.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、誘電体フィルタに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric filter.

【0002】[0002]

【従来の技術】誘電体フィルタは、例えば自動車電話、
衛星通信またはコードレス電話等の移動通信装置に用い
られる。この種の誘電体フィルタとしては、同軸型誘電
体共振器を複数段接続する構成や、一つの誘電体基体に
複数の誘電体共振子を設けたブロック型誘電体フィルタ
等が従来より知られていた。しかし、上述した移動通信
装置は、小型化が急速に進められており、その部品とし
て用いられる誘電体フィルタの小型化は極めて重要な課
題である。また、外部に対する電気絶縁、耐湿性及び耐
久性を向上させることも、その使用態様に応えるため
に、極めて重要である。上述した二つのタイプの誘電体
フィルタは、このような要請に充分には応えることがで
きない。
2. Description of the Related Art Dielectric filters are used, for example, in automobile telephones,
Used for mobile communication devices such as satellite communication or cordless telephones. As this type of dielectric filter, a configuration in which coaxial dielectric resonators are connected in a plurality of stages, a block dielectric filter in which a plurality of dielectric resonators are provided on one dielectric substrate, and the like have been conventionally known. It was However, miniaturization of the mobile communication device described above has been rapidly advanced, and miniaturization of the dielectric filter used as a component thereof is a very important issue. Further, it is also extremely important to improve electrical insulation to the outside, moisture resistance, and durability in order to meet the usage. The above-mentioned two types of dielectric filters cannot fully meet such demands.

【0003】小型化、外部に対する電気絶縁、耐湿性及
び耐久性の向上に対応できる一つの従来技術として、特
開平4ー144404号公報に開示された発明を挙げる
ことができる。この先行技術文献は、誘電体を含む絶縁
支持体の内部に導体を埋設することにより、導体保護、
外部に対する電気絶縁、耐湿性及び耐久性に優れた誘電
体共振器を提供しようとするものである。
The invention disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-144404 can be cited as one conventional technique that can be applied to miniaturization, electrical insulation to the outside, improvement in moisture resistance and durability. This prior art document discloses conductor protection by embedding a conductor inside an insulating support including a dielectric.
An object of the present invention is to provide a dielectric resonator having excellent electrical insulation with respect to the outside, moisture resistance and durability.

【0004】しかし、この先行技術文献に記載された技
術は、一つの誘電体共振子を備える場合の技術を開示す
るものである。フィルタ特性を向上させるため、同軸型
誘電体共振器を複数段接続した誘電体フィルタや、ブロ
ック型誘電体フィルタ等において検討された複数段接続
の技術を開示するものではなかった。
However, the technique described in this prior art document discloses a technique in the case where one dielectric resonator is provided. In order to improve the filter characteristics, the technology of the multi-stage connection studied in the dielectric filter in which the coaxial type dielectric resonators are connected in a plurality of stages, the block type dielectric filter, and the like is not disclosed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、フィ
ルタ特性のすぐれた誘電体フィルタを提供することであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a dielectric filter having excellent filter characteristics.

【0006】本発明のもう一つの課題は、小型で、フィ
ルタ特性のすぐれた誘電体フィルタを提供することであ
る。
Another object of the present invention is to provide a small dielectric filter having excellent filter characteristics.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る誘電体フィルタは、一つの誘電体基体
と、複数の誘電体共振子とを有する。前記誘電体基体
は、誘電率の異なる複数の誘電体層を含み、前記複数の
誘電体層の内、低誘電率誘電体層が高誘電率誘電体層の
間に配置されている。前記誘電体共振子のそれぞれは、
前記誘電体基体に備えられ、前記高誘電率誘電体層を主
たるフィルタ特性を得るための誘電体層とし、前記低誘
電率誘電体層を結合層として隣接する誘電体共振子と電
気的に結合されている。
In order to solve the above-mentioned problems, the dielectric filter according to the present invention has one dielectric substrate and a plurality of dielectric resonators. The dielectric substrate includes a plurality of dielectric layers having different dielectric constants, and the low dielectric constant dielectric layer is disposed between the high dielectric constant dielectric layers among the plurality of dielectric layers. Each of the dielectric resonators,
The high dielectric constant dielectric layer is provided on the dielectric substrate as a dielectric layer for obtaining main filter characteristics, and the low dielectric constant dielectric layer is used as a coupling layer to electrically couple with an adjacent dielectric resonator. Has been done.

【0008】複数の誘電体共振子のそれぞれは、一つの
誘電体基体に備えられている。このため、誘電体基体を
共有し、誘電体共振子の段数に応じたフィルタ特性を有
する誘電体フィルタが得られる。
Each of the plurality of dielectric resonators is provided on one dielectric substrate. Therefore, it is possible to obtain a dielectric filter which shares the dielectric substrate and has a filter characteristic according to the number of stages of the dielectric resonator.

【0009】誘電体基体は、誘電率の異なる複数の誘電
体層を含み、誘電体共振子のそれぞれは、高誘電率誘電
体層を、主たるフィルタ特性を得るための誘電体層とし
ている。このため、高誘電率誘電体層の高誘電率によっ
て、高いフィルタ特性を確保することができる。
The dielectric substrate includes a plurality of dielectric layers having different dielectric constants, and each of the dielectric resonators uses a high dielectric constant dielectric layer as a dielectric layer for obtaining main filter characteristics. Therefore, high filter characteristics can be ensured by the high dielectric constant of the high dielectric constant dielectric layer.

【0010】誘電体基体は、低誘電率誘電体層が高誘電
率誘電体層の間に配置されており、誘電体共振子のそれ
ぞれは低誘電率誘電体層を結合層として隣接する誘電体
共振子と電気的に結合されている。従って、誘電体共振
子のそれぞれの間の結合容量が、低誘電率誘電体層の誘
電率によって定まる低い値になる。このため、誘電体共
振子の配置間隔を縮小し、全体の形状を小型化できる。
これを、仮に、誘電体基体が主たるフィルタ特性を得る
のに必要な高誘電率誘電体材料のみで構成されている場
合、誘電体共振子間の結合容量を低下させるのに、誘電
体共振子間の間隔を大きくしなければならず、全体形状
が大型になる。
In the dielectric substrate, the low dielectric constant dielectric layer is disposed between the high dielectric constant dielectric layers, and each of the dielectric resonators has the low dielectric constant dielectric layer as a coupling layer and is adjacent to the dielectric. It is electrically coupled to the resonator. Therefore, the coupling capacitance between each of the dielectric resonators becomes a low value determined by the dielectric constant of the low dielectric constant dielectric layer. Therefore, the arrangement interval of the dielectric resonators can be reduced, and the overall shape can be downsized.
If the dielectric substrate is composed only of a high-dielectric-constant dielectric material required to obtain the main filter characteristics, the dielectric resonator is reduced in order to reduce the coupling capacitance between the dielectric resonators. The space between them must be increased, and the overall shape becomes large.

【0011】本発明に係る誘電体フィルタは、従来より
周知の製造技術、例えば印刷技術、機械加工技術等の適
用によって製造できる。また、その使用は当業者にとっ
て自明である。
The dielectric filter according to the present invention can be manufactured by applying conventionally known manufacturing techniques such as printing technique and machining technique. Also, its use will be obvious to those skilled in the art.

【0012】本発明の他の目的、構成及び効果は、実施
例たる添付図面を参照して、更に詳しく説明する。
Other objects, configurations and effects of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings as embodiments.

【0013】[0013]

【実施例】図1は本発明に係る誘電体フィルタの外観を
表す斜視図、図2は図1に示した誘電体フィルタの電極
構造を示す透視斜視図、図3は本発明に係る誘電体フィ
ルタの正面図、図4は図3のA4ーA4線に沿った断面
図、図5は図4のA5ーA5線に沿った断面図、図6は
図1〜図5に示した誘電体フィルタの電気的接続図をそ
れぞれ示している。図示するように、本発明に係る誘電
体フィルタは、一つの誘電体基体1と、複数の誘電体共
振子21〜24とを有する。誘電体基体1は、誘電率の
異なる複数の誘電体層11、12を含む(図4参照)。
以下の説明において、誘電体層11の誘電率ε1と、誘
電体層12の誘電率ε2とが、ε1<ε2の関係にある
ものとし、誘電体層11を低誘電率誘電体層と称し、誘
電体層12を高誘電率誘電体層と称することとする。
1 is a perspective view showing the appearance of a dielectric filter according to the present invention, FIG. 2 is a perspective view showing the electrode structure of the dielectric filter shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a dielectric according to the present invention. A front view of the filter, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line A4-A4 of FIG. 3, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line A5-A5 of FIG. 4, and FIG. 6 is the dielectric shown in FIGS. The electrical connection diagram of the filter is shown respectively. As illustrated, the dielectric filter according to the present invention has one dielectric substrate 1 and a plurality of dielectric resonators 21-24. The dielectric substrate 1 includes a plurality of dielectric layers 11 and 12 having different dielectric constants (see FIG. 4).
In the following description, it is assumed that the dielectric constant ε1 of the dielectric layer 11 and the dielectric constant ε2 of the dielectric layer 12 have a relationship of ε1 <ε2, and the dielectric layer 11 is referred to as a low dielectric constant dielectric layer, The dielectric layer 12 will be referred to as a high dielectric constant dielectric layer.

【0014】複数の誘電体層11、12の内、低誘電率
誘電体層11が高誘電率誘電体層12の間に配置されて
いる。誘電体共振子21〜24のそれぞれは、誘電体基
体1に備えられ、高誘電率誘電体層12を主たるフィル
タ特性を得るための誘電体層とし、低誘電率誘電体層1
1を結合層として隣接する誘電体共振子21〜24と電
気的に結合されている。従って、図6に示すように、誘
電体共振子21〜24を低誘電率誘電体層11の誘電率
ε1に基づく結合コンデンサC1〜C3によって順次に
接続したフィルタ回路が得られる。
Among the plurality of dielectric layers 11 and 12, the low dielectric constant dielectric layer 11 is arranged between the high dielectric constant dielectric layers 12. Each of the dielectric resonators 21 to 24 is provided in the dielectric substrate 1, and the high dielectric constant dielectric layer 12 is used as a dielectric layer for obtaining main filter characteristics, and the low dielectric constant dielectric layer 1 is used.
1 is a coupling layer and is electrically coupled to the adjacent dielectric resonators 21 to 24. Therefore, as shown in FIG. 6, a filter circuit in which the dielectric resonators 21 to 24 are sequentially connected by the coupling capacitors C1 to C3 based on the dielectric constant ε1 of the low dielectric constant dielectric layer 11 is obtained.

【0015】複数の誘電体共振子21〜24のそれぞれ
は、一つの誘電体基体1に備えられている。このため、
誘電体基体1を共有し、誘電体共振子21〜24の段数
に応じたフィルタ特性を有する誘電体フィルタが得られ
る。
Each of the plurality of dielectric resonators 21 to 24 is provided on one dielectric substrate 1. For this reason,
A dielectric filter that shares the dielectric substrate 1 and has a filter characteristic according to the number of stages of the dielectric resonators 21 to 24 is obtained.

【0016】誘電体基体1は、誘電率の異なる複数の誘
電体層11、12を含み、誘電体共振子21〜24のそ
れぞれは、高誘電率誘電体層12を、主たるフィルタ特
性を得るための誘電体層としている。このため、高誘電
率誘電体層12の高誘電率によって、高いフィルタ特性
を確保することができる。
The dielectric substrate 1 includes a plurality of dielectric layers 11 and 12 having different dielectric constants, and each of the dielectric resonators 21 to 24 has a high dielectric constant dielectric layer 12 to obtain a main filter characteristic. Of the dielectric layer. Therefore, the high dielectric constant of the high dielectric constant dielectric layer 12 can ensure high filter characteristics.

【0017】誘電体基体1は、低誘電率誘電体層11が
高誘電率誘電体層12の間に配置されており、誘電体共
振子21〜24のそれぞれは低誘電率誘電体層11を結
合層として隣接する誘電体共振子21〜24と電気的に
結合されている。このため、誘電体共振子21〜24の
それぞれの間の結合容量が、低誘電率誘電体層11の誘
電率によって定まる低い値になる。従って、誘電体共振
子21〜24の配置間隔を縮小し、全体の形状を小型化
できる。これを、仮に、誘電体基体1が主たるフィルタ
特性を得るのに必要な高誘電率誘電体材料のみで構成さ
れている場合、誘電体共振子21〜24間の結合容量を
低下させるのに、誘電体共振子21〜24間の間隔dを
大きくしなければならず、全体形状が大型になる。
In the dielectric substrate 1, the low dielectric constant dielectric layer 11 is disposed between the high dielectric constant dielectric layers 12, and each of the dielectric resonators 21 to 24 includes the low dielectric constant dielectric layer 11. It is electrically coupled to the adjacent dielectric resonators 21 to 24 as a coupling layer. Therefore, the coupling capacitance between each of the dielectric resonators 21 to 24 becomes a low value determined by the dielectric constant of the low dielectric constant dielectric layer 11. Therefore, the arrangement interval of the dielectric resonators 21 to 24 can be reduced, and the overall shape can be downsized. If the dielectric substrate 1 is composed of only a high dielectric constant dielectric material required to obtain the main filter characteristics, it is necessary to reduce the coupling capacitance between the dielectric resonators 21 to 24. The distance d between the dielectric resonators 21 to 24 must be increased, and the overall shape becomes large.

【0018】低誘電率誘電体層11及び高誘電率誘電体
層12は、有機質誘電体材料、セラミック誘電体材料ま
たは、これらを主成分とする複合誘電体材料等を用いる
ことができる。この内でも、特にセラミック誘電体材料
が望ましい。低誘電率誘電体層11の誘電率ε1及び低
誘電率誘電体層12の誘電率ε2は、得ようとする結合
容量、結合用電極構造等によって変化する。例えば、低
率誘電体層11の誘電率ε1=4、高誘電率誘電体層1
2の誘電率ε2=200の組み合わせ等があり得る。低
率誘電体層11の具体例は、フォルステライト、ガラス
等であり、高率誘電体層12の材料は、コンデンサ等に
多用されている酸化チタン系セラミック材料等である。
The low dielectric constant dielectric layer 11 and the high dielectric constant dielectric layer 12 can be made of an organic dielectric material, a ceramic dielectric material, or a composite dielectric material containing these as main components. Of these, ceramic dielectric materials are particularly desirable. The dielectric constant ε1 of the low dielectric constant dielectric layer 11 and the dielectric constant ε2 of the low dielectric constant dielectric layer 12 change depending on the coupling capacitance to be obtained, the coupling electrode structure, and the like. For example, the dielectric constant ε1 of the low-dielectric layer 11 is 4, and the high-dielectric layer 1 is
There may be a combination of dielectric constant ε2 = 200 of 2 and the like. Specific examples of the low-permittivity dielectric layer 11 are forsterite, glass, and the like, and the material of the high-permittivity dielectric layer 12 is a titanium oxide-based ceramic material that is widely used for capacitors and the like.

【0019】次に、図面を参照して、本発明の他の目
的、構成及び効果を、更に詳しく説明する。誘電体基体
1は、高誘電率誘電体層12と低誘電率誘電体層11と
が一方向に沿って交互に備えられ、そして、一体化され
ている。誘電体共振子21〜24のそれぞれは、電極2
11〜241を有している。これらの電極211〜24
1は高誘電率誘電体層12の内部に埋設されている。
Next, other objects, configurations and effects of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. In the dielectric substrate 1, high dielectric constant dielectric layers 12 and low dielectric constant dielectric layers 11 are alternately provided along one direction and are integrated. Each of the dielectric resonators 21 to 24 has an electrode 2
11 to 241 are included. These electrodes 211-24
1 is embedded in the high dielectric constant dielectric layer 12.

【0020】誘電体共振子21〜24のそれぞれは、電
極211〜241から延長された結合用電極212〜2
42を有する。結合用電極212〜242は低誘電率誘
電体層11の内部に埋設されている。誘電体共振子21
〜24の内、隣接する誘電体共振子21と22、22と
23及び23と24は、結合用電極212〜242が低
誘電率誘電体層11内において、互いに対向している。
これにより、必要な結合容量C1〜C3(図6参照)が
得られる。具体的には、誘電体共振子21と誘電体共振
子22との間では、結合用電極212と結合用電極22
2とにより結合容量C1が得られる。誘電体共振子22
と誘電体共振子23との間では、結合用電極223と結
合用電極232とにより結合容量C2が得られる。誘電
体共振子23と誘電体共振子24との間では、結合用電
極233と結合用電極242とにより結合容量C3が得
られる。
Each of the dielectric resonators 21-24 has a coupling electrode 212-2 extended from the electrode 211-241.
42. The coupling electrodes 212 to 242 are embedded inside the low dielectric constant dielectric layer 11. Dielectric resonator 21
In the dielectric resonators 21 and 22, 22 and 23, and 23 and 24, which are adjacent to each other, the coupling electrodes 212 to 242 face each other in the low dielectric constant dielectric layer 11.
As a result, the required coupling capacitances C1 to C3 (see FIG. 6) are obtained. Specifically, between the dielectric resonator 21 and the dielectric resonator 22, the coupling electrode 212 and the coupling electrode 22 are provided.
The coupling capacitance C1 is obtained by 2 and. Dielectric resonator 22
And the dielectric resonator 23, a coupling capacitance C2 is obtained by the coupling electrode 223 and the coupling electrode 232. A coupling capacitance C3 is obtained between the dielectric resonator 23 and the dielectric resonator 24 by the coupling electrode 233 and the coupling electrode 242.

【0021】誘電体共振子21〜24の内、両側に配置
された誘電体共振子21及び24は外部電極213、2
43を有している。外部電極213及び243は、電極
211及び241と対向する位置において、誘電体基体
1の外面に設けられている。外部電極213及び243
は誘電体基板1の外面に設けられた二つの端子電極21
4、244にそれぞれ導通されている。外部電極213
及び電極211との重なりにより、入力(または出力)
コンデンサCin(図6参照)が得られ、外部電極243
と電極241との重なりにより、出力(または入力)コ
ンデンサCout(図6参照)が得られる。外部電極21
3、243は、誘電体基体1の外面に設けられているか
ら、電極面積の削減が可能であり、それによって、入力
コンデンサCinまたは出力コンデンサCoutの容量値を
調整できる。外部電極213、243の面積削減は、レ
ーザまたはサンドブラスト等の手段によって実行でき
る。
Of the dielectric resonators 21 to 24, the dielectric resonators 21 and 24 arranged on both sides are external electrodes 213 and 2, respectively.
43. The external electrodes 213 and 243 are provided on the outer surface of the dielectric substrate 1 at positions facing the electrodes 211 and 241. External electrodes 213 and 243
Is two terminal electrodes 21 provided on the outer surface of the dielectric substrate 1.
4 and 244, respectively. External electrode 213
And input (or output) due to overlap with electrode 211
The capacitor Cin (see FIG. 6) is obtained, and the external electrode 243 is obtained.
The output (or input) capacitor Cout (see FIG. 6) is obtained by the overlap between the electrode 241 and the electrode 241. External electrode 21
Since the electrodes 3 and 243 are provided on the outer surface of the dielectric substrate 1, the electrode area can be reduced, whereby the capacitance value of the input capacitor Cin or the output capacitor Cout can be adjusted. The area reduction of the external electrodes 213 and 243 can be performed by means such as laser or sandblast.

【0022】また、図示の誘電体フィルタは、アース端
子3を有している。アース端子3は、誘電体基体1の端
面に形成されている。誘電体共振子21〜24のそれぞ
れは、電極211〜241の一端が誘電体基体1の端面
に導出され、アース端子3に導通している。これによ
り、図6に示したように、誘電体共振子21〜24のア
ース側をアース端子3によって共通に接続した回路が得
られる。
The illustrated dielectric filter has a ground terminal 3. The ground terminal 3 is formed on the end surface of the dielectric substrate 1. In each of the dielectric resonators 21 to 24, one end of the electrodes 211 to 241 is led to the end surface of the dielectric substrate 1 and is electrically connected to the ground terminal 3. As a result, as shown in FIG. 6, a circuit in which the ground sides of the dielectric resonators 21 to 24 are commonly connected by the ground terminal 3 is obtained.

【0023】更に、図示の誘電体フィルタは、アース導
体4、5を有している。アース導体4、5は、複数備え
られた誘電体共振子21〜24を、両側から挟むように
配置されている。このアース導体4、5は、誘電体基体
1の端面に導出され、アース端子3に導通している。ア
ース導体4、5は誘電体基体1の外面に設けることもで
きる。
Further, the illustrated dielectric filter has ground conductors 4 and 5. The ground conductors 4 and 5 are arranged so as to sandwich the plurality of dielectric resonators 21 to 24 from both sides. The ground conductors 4 and 5 are led out to the end surface of the dielectric substrate 1 and are electrically connected to the ground terminal 3. The ground conductors 4 and 5 can also be provided on the outer surface of the dielectric substrate 1.

【0024】本発明に係る誘電体フィルタは、従来より
周知の製造技術、例えば印刷技術等の適用によって製造
できる。例えば、図7に示すように、低誘電率誘電体層
11と高誘電率誘電体層12とを、交互配置となるよう
に形成する。形成手段としては、低誘電率誘電体層11
及び高誘電率誘電体層12がセラミック誘電体材料でな
る場合、低誘電率誘電体層11を構成するセラミック誘
電体ペーストを所定のパターンとなるようにスクリーン
印刷した後、高誘電率誘電体層12を構成するセラミッ
ク誘電体ペーストを、スクリーン印刷する等の手段によ
って形成できる。
The dielectric filter according to the present invention can be manufactured by applying a conventionally known manufacturing technique such as a printing technique. For example, as shown in FIG. 7, low dielectric constant dielectric layers 11 and high dielectric constant dielectric layers 12 are formed so as to be arranged alternately. As the forming means, the low dielectric constant dielectric layer 11
When the high dielectric constant dielectric layer 12 is made of a ceramic dielectric material, the ceramic dielectric paste forming the low dielectric constant dielectric layer 11 is screen-printed into a predetermined pattern, and then the high dielectric constant dielectric layer is formed. The ceramic dielectric paste forming 12 can be formed by means such as screen printing.

【0025】次に、この誘電体層形成工程を終了した
後、図8に示すように、電極211、221、231及
び241を、スクリーン印刷によって形成する。このと
き用いられるスクリーンのパターンによって、結合用電
極212、222、223、232、233及び242
も同時に形成される。
After the dielectric layer forming step is completed, electrodes 211, 221, 231, and 241 are formed by screen printing as shown in FIG. Depending on the pattern of the screen used at this time, the coupling electrodes 212, 222, 223, 232, 233 and 242.
Are also formed at the same time.

【0026】図7に示した誘電体層形成工程の前、また
は、後の工程において、誘電体基体となる低誘電率誘電
体層、アース導体(4、5)の形成工程、焼成工程、ア
ース端子形成工程、外部電極付与工程及び端子電極付与
工程等が付加される。このような積層工程は従来より知
られている積層技術の適用によって実施できる。
Before or after the step of forming the dielectric layer shown in FIG. 7, a low dielectric constant dielectric layer serving as a dielectric substrate, a step of forming ground conductors (4, 5), a firing step, and an earth. A terminal forming step, an external electrode applying step, a terminal electrode applying step and the like are added. Such a laminating process can be performed by applying a conventionally known laminating technique.

【0027】以上、好ましい実施例を参照して発明に係
る誘電体フィルタを説明したが、本発明の精神及び教示
に基づき、本発明に係る誘電体フィルタが、種々の態様
をとり得ることは、当業者に自明である。例えば、誘電
体共振子の個数は任意である。電極、結合用電極及び外
部電極は種々の変形されたパターンをとり得る。更に、
本発明は、特開平4ー144404号公報に開示された
ようなブロック型誘電体フィルタに適用することもでき
る。
Although the dielectric filter according to the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, the dielectric filter according to the present invention can take various modes based on the spirit and the teaching of the present invention. It will be obvious to those skilled in the art. For example, the number of dielectric resonators is arbitrary. The electrodes, the coupling electrodes and the external electrodes can have various modified patterns. Furthermore,
The present invention can also be applied to a block type dielectric filter as disclosed in JP-A-4-144404.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば次の
ような効果が得られる。 (a)フィルタ特性のすぐれた誘電体フィルタを提供で
きる。 (b)小型で、フィルタ特性のすぐれた誘電体フィルタ
を提供できる。
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (A) It is possible to provide a dielectric filter having excellent filter characteristics. (B) It is possible to provide a compact dielectric filter having excellent filter characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る誘電体フィルタの外観を表す斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of a dielectric filter according to the present invention.

【図2】図1に示した誘電体フィルタの電極構造を示す
透視斜視図である。
2 is a perspective view showing an electrode structure of the dielectric filter shown in FIG. 1. FIG.

【図3】本発明に係る誘電体フィルタの正面図である。FIG. 3 is a front view of a dielectric filter according to the present invention.

【図4】図3のA4ーA4線に沿った断面図である。4 is a sectional view taken along line A4-A4 of FIG.

【図5】図4のA5ーA5線に沿った断面図である。5 is a cross-sectional view taken along the line A5-A5 of FIG.

【図6】図1〜図5に示した誘電体フィルタの電気的接
続図である。
FIG. 6 is an electrical connection diagram of the dielectric filter shown in FIGS.

【図7】図1〜図6に示した誘電体フィルタの製造工程
の一部を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing part of the process of manufacturing the dielectric filter shown in FIGS. 1 to 6;

【図8】図1〜図6に示した誘電体フィルタの製造工程
の一部を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing part of the process of manufacturing the dielectric filter shown in FIGS. 1 to 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 誘電体基体 11 低誘電率誘電体層 12 高誘電率誘電体層 21〜24 誘電体共振子 211〜241 電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Dielectric substrate 11 Low dielectric constant dielectric layer 12 High dielectric constant dielectric layer 21-24 Dielectric resonator 211-241 Electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安田 克治 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Katsuji Yasuda 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo TDC Corporation

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一つの誘電体基体と、複数の誘電体共振
子とを有する誘電体フィルタであって、 前記誘電体基体は、誘電率の異なる複数の誘電体層を含
み、前記複数の誘電体層の内、低誘電率誘電体層が高誘
電率誘電体層の間に配置されており、 前記誘電体共振子のそれぞれは、前記誘電体基体に備え
られ、前記高誘電率誘電体層を主たるフィルタ特性を得
るための誘電体層とし、前記低誘電率誘電体層を結合層
として隣接する誘電体共振子と電気的に結合されている
誘電体フィルタ。
1. A dielectric filter having one dielectric base and a plurality of dielectric resonators, wherein the dielectric base includes a plurality of dielectric layers having different permittivities. In the body layer, a low dielectric constant dielectric layer is disposed between high dielectric constant dielectric layers, and each of the dielectric resonators is provided in the dielectric base, and the high dielectric constant dielectric layer is provided. Is a dielectric layer for obtaining main filter characteristics, and the low dielectric constant dielectric layer is a coupling layer and is electrically coupled to an adjacent dielectric resonator.
【請求項2】 請求項1に記載された誘電体フィルタで
あって、 前記誘電体基体は、誘電率の高い誘電体層と誘電率の低
い誘電体層とが一方向に沿って交互に備えられ、そし
て、一体化されており、 前記誘電体共振子のそれぞれは、電極を有しており、前
記電極が誘電率の高い誘電体層の内部に埋設されている
誘電体フィルタ。
2. The dielectric filter according to claim 1, wherein the dielectric substrate includes dielectric layers having a high dielectric constant and dielectric layers having a low dielectric constant alternately arranged along one direction. A dielectric filter in which each of the dielectric resonators has an electrode, and the electrode is embedded inside a dielectric layer having a high dielectric constant.
【請求項3】 請求項2に記載された誘電体フィルタで
あって、 前記誘電体共振子のそれぞれは、前記電極から延長され
た結合用電極を有し、前記結合用電極が前記低誘電率誘
電体層の内部に埋設されており、 前記誘電体共振子の内、隣接する誘電体共振子は、前記
結合用電極が前記低誘電率誘電体層内において、互いに
対向している誘電体フィルタ。
3. The dielectric filter according to claim 2, wherein each of the dielectric resonators has a coupling electrode extended from the electrode, and the coupling electrode has the low dielectric constant. A dielectric filter that is embedded in a dielectric layer, and in the adjacent dielectric resonators of the dielectric resonators, the coupling electrodes face each other in the low dielectric constant dielectric layer. .
【請求項4】 請求項2に記載された誘電体フィルタで
あって、 前記誘電体共振子の内、両側に配置された誘電体共振子
は、外部電極を有しており、 前記外部電極は、前記電極と対向する位置において、前
記誘電体基体の外面に設けられ、前記誘電体基板の外面
に設けられた二つの端子電極にそれぞれ導通されている
誘電体フィルタ。
4. The dielectric filter according to claim 2, wherein the dielectric resonators arranged on both sides of the dielectric resonator have external electrodes, and the external electrodes are A dielectric filter which is provided on the outer surface of the dielectric substrate at a position facing the electrode and is electrically connected to two terminal electrodes provided on the outer surface of the dielectric substrate.
【請求項5】 請求項2に記載された誘電体フィルタで
あって、 アース端子を有しており、前記アース端子は、前記誘電
体基体の端面に形成されており、前記誘電体共振子のそ
れぞれは、前記電極の一端が前記誘電体基体の前記端面
に導出され、前記アース端子に導通している誘電体フィ
ルタ。
5. The dielectric filter according to claim 2, further comprising a ground terminal, the ground terminal being formed on an end surface of the dielectric substrate, Each of them is a dielectric filter in which one end of the electrode is led to the end face of the dielectric substrate and is electrically connected to the ground terminal.
【請求項6】 請求項1に記載された誘電体フィルタで
あって、 アース導体を有しており、前記アース導体は、前記複数
の誘電体共振子を両側から挟むように配置されている誘
電体フィルタ。
6. The dielectric filter according to claim 1, further comprising a ground conductor, wherein the ground conductor is arranged so as to sandwich the plurality of dielectric resonators from both sides. Body filter.
【請求項7】 請求項6に記載された誘電体フィルタで
あって、 前記アース導体は、前記誘電体基体の端面に導出され、
前記アース端子に導通している誘電体フィルタ。
7. The dielectric filter according to claim 6, wherein the ground conductor is led out to an end surface of the dielectric base,
A dielectric filter connected to the ground terminal.
JP15074195A 1995-06-16 1995-06-16 Dielectric filter Pending JPH098504A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15074195A JPH098504A (en) 1995-06-16 1995-06-16 Dielectric filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15074195A JPH098504A (en) 1995-06-16 1995-06-16 Dielectric filter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH098504A true JPH098504A (en) 1997-01-10

Family

ID=15503409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15074195A Pending JPH098504A (en) 1995-06-16 1995-06-16 Dielectric filter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH098504A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261504A (en) * 2001-02-27 2002-09-13 Ngk Insulators Ltd Laminated dielectric filter
WO2009011167A1 (en) * 2007-07-17 2009-01-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Microstrip line filter

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261504A (en) * 2001-02-27 2002-09-13 Ngk Insulators Ltd Laminated dielectric filter
JP4493225B2 (en) * 2001-02-27 2010-06-30 日本碍子株式会社 Multilayer dielectric filter
WO2009011167A1 (en) * 2007-07-17 2009-01-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Microstrip line filter
US8130062B2 (en) 2007-07-17 2012-03-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Microstripline filter

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0704925B1 (en) Composite high frequency apparatus and method for forming same
JP2000286634A (en) Antenna system and its manufacture
JP3115149B2 (en) Multilayer dielectric filter
JP3230353B2 (en) Antenna duplexer
JP3126155B2 (en) High frequency filter
US5196813A (en) Dielectric filter having a single multilayer substrate
JP3482090B2 (en) Multilayer filter
JPH10163708A (en) Polar type dielectric filter and dielectric duplexer using the same
JP2851966B2 (en) Multilayer dielectric filter
JPH098504A (en) Dielectric filter
JP2860010B2 (en) Multilayer dielectric filter
JP3204753B2 (en) Shared device
JP3176859B2 (en) Dielectric filter
JP2860011B2 (en) Multilayer dielectric filter
JPH0416012A (en) Noise filter
JPH05275960A (en) Chip delay line
JP3889179B2 (en) Antenna device
JP2710904B2 (en) Multilayer dielectric filter
JP3381956B2 (en) Multilayer dielectric filter
JPH0661709A (en) Hybrid coupler
JPH05109923A (en) Composite multilayer circuit board
JPH05283906A (en) Laminated dielectric filter
JP2695342B2 (en) Hybrid coupler
JP2860015B2 (en) Multilayer dielectric filter
JPH098503A (en) Dielectric filter

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20031224