JPH0983314A - Pulse expansion circuit - Google Patents

Pulse expansion circuit

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JPH0983314A
JPH0983314A JP7247071A JP24707195A JPH0983314A JP H0983314 A JPH0983314 A JP H0983314A JP 7247071 A JP7247071 A JP 7247071A JP 24707195 A JP24707195 A JP 24707195A JP H0983314 A JPH0983314 A JP H0983314A
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ゼ・ウン・キム
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To speedily correspond to an input pulse signal and to secure sufficient delay time by providing a pulse stretching apart stretching the input pulse signal and a delay part stretching a signal outputted from the pulse stretching part. SOLUTION: The pulse stretching part 100 and the delay part 200 are provided. Signals outputted from the pulse stretchers 110 and 120 of the pulse stretching part 100 are stabilized in the inverter 131 and 132 of an inverter part 130 and are outputted as signals P2 having prescribed pulse width. The pulse output signals outputted from the inverter 131 are delayed in the general delay circuit 210 of the delay part 200 and they are NORed with pulse output signals P2 outputted from the inverter 132 in a NOR gate 220. The signals outputted from the NOR gate 220 are delayed in a delay circuit 230 again and are NORed with the pulse output signals P2 and are stretched. The signals outputted from the NOR gate 240 are inverted in an invertor 250 and are finally outputted as stretched pulse output signals P3.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体メモリ回路に
おいて、遅延回路を用いてパルス幅を伸長させるパルス
伸長回路に係り、特に短いパルス幅をもつ信号が入力さ
れたとき、効果的に伸長させて半導体メモリ回路の誤動
作を防止するパルス伸長回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor memory circuit, and more particularly to a pulse expansion circuit for expanding a pulse width by using a delay circuit, and particularly, when a signal having a short pulse width is inputted, it is effectively expanded. The present invention relates to a pulse expansion circuit that prevents malfunction of a semiconductor memory circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常、パルス伸長回路は遅延回路を用い
てパルス幅を伸長させるので、遅延回路の機能が重要で
ある。パルス伸長回路に用いられる一般的な形態の遅延
回路は、図1(a)に示すように、入力パルス信号PI
をゲートに入力し、電源VCCにソースが連結されたP
MOSトランジスタP101と、入力パルス信号PIを
ゲートに入力し、ドレインがPMOSトランジスタP1
01のドレインに連結され、接地VSSにソースが連結
されたNMOSトランジスタN101と、PMOSトラ
ンジスタP101のドレインに一端が連結され、他端が
パルス信号出力端PO1−1に連結された抵抗R101
と、抵抗R101の他端と接地VSSに連結されたキャ
パシタC101とから構成される。
2. Description of the Related Art Normally, a pulse expansion circuit uses a delay circuit to expand the pulse width, and therefore the function of the delay circuit is important. As shown in FIG. 1A, a general form of a delay circuit used in the pulse expansion circuit is an input pulse signal PI.
Is input to the gate and the source is connected to the power supply VCC.
The MOS transistor P101 and the input pulse signal PI are input to the gate, and the drain is the PMOS transistor P1.
An NMOS transistor N101 connected to the drain of 01 and a source connected to the ground VSS, and a resistor R101 having one end connected to the drain of the PMOS transistor P101 and the other end connected to the pulse signal output end PO1-1.
And a capacitor C101 connected to the other end of the resistor R101 and the ground VSS.

【0003】他の一般的な形態の遅延回路は、図1
(b)に示すように、入力パルス信号PIをゲートに入
力し、電源VCCにソースが連結され、ドレインがパル
ス信号出力端PO1−2に連結されたPMOSトランジ
スタP102と、入力パルス信号PIをゲートに入力
し、ドレインがPMOSトランジスタP102のドレイ
ンに連結され、接地VSSにソースが連結されたNMO
SトランジスタN102と、及びPMOSトランジスタ
P102のドレインと接地VSSに連結されたキャパシ
タC102とから構成される。
Another common form of delay circuit is shown in FIG.
As shown in (b), the input pulse signal PI is input to the gate, the source is connected to the power supply VCC, and the drain is connected to the pulse signal output end PO1-2, and the PMOS transistor P102 is connected to the gate. NMO whose drain is connected to the drain of the PMOS transistor P102 and whose source is connected to the ground VSS.
It is composed of an S transistor N102 and a capacitor C102 connected to the drain of the PMOS transistor P102 and the ground VSS.

【0004】図1(a)、(b)のように構成される一
般的な形態の遅延回路は、図2(a)に示すように入力
パルス信号PIがインバーター、即ちPMOSトランジ
スタP101、P102とNMOSトランジスタN10
1、N102の出力端の抵抗R101とキャパシタC1
01、C102による時定数により遅延してパルス出力
端PO1−1、PO1−2に現れる。ここで、図1
(a)のパルス出力信号PO1−1は図1(b)のパル
ス出力信号PO1−2に比べて抵抗R101成分による
遅延が現れる。この図1(a)、(b)の一般的な遅延
回路は、入力される入力パルス信号に対する応答が遅れ
たり、遅延時間が十分とれない。
As shown in FIG. 2A, the delay circuit of a general form constructed as shown in FIGS. 1A and 1B has an input pulse signal PI of an inverter, that is, PMOS transistors P101 and P102. NMOS transistor N10
1, R102 and capacitor C1 at the output end of N102
01 and C102 appear at the pulse output terminals PO1-1 and PO1-2 with a delay due to the time constant. Here, FIG.
The pulse output signal PO1-1 of (a) has a delay due to the resistance R101 component as compared with the pulse output signal PO1-2 of FIG. 1 (b). In the general delay circuits of FIGS. 1A and 1B, the response to the input pulse signal that is input is delayed, or the delay time is not sufficient.

【0005】米国特許出願された従来の遅延回路(米国
特許第5,319,607号)は、図1(c)に示すよ
うに、入力パルス信号PIをゲートに入力し、電源VC
Cにソースが連結されたPMOSトランジスタP103
と、PMOSトランジスタP103のドレインに一端が
連結され、他端がパルス信号出力端PO3に連結された
抵抗R102と、入力パルス信号PIをゲートに入力
し、抵抗R102の他端にドレインが連結され、接地V
SSにソースが連結されたNMOSトランジスタN10
3と、抵抗R102の他端と接地VSSに連結されたキ
ャパシタC103と、抵抗R102の他端から出力され
るパルス出力信号PO2をゲートに入力し、電源VCC
にソースが連結され、最終パルス信号出力端にドレイン
が連結されたPMOSトランジスタP104と、PMO
SトランジスタP104のドレインと接地VSSに連結
されたキャパシタC104と、PMOSトランジスタP
104のドレインに一端が連結された抵抗R103と、
及び抵抗R102の他端から出力されるパルス出力信号
PO2をゲートに入力し、抵抗R103の他端にドレイ
ンが連結され、接地VSSにソースが連結されたNMO
SトランジスタN104とから構成される。
The conventional delay circuit (US Pat. No. 5,319,607) filed in the US patent, as shown in FIG. 1C, inputs the input pulse signal PI into the gate and supplies the power supply VC.
A PMOS transistor P103 whose source is connected to C
And a resistor R102 whose one end is connected to the drain of the PMOS transistor P103 and whose other end is connected to the pulse signal output end PO3, and an input pulse signal PI are input to the gate, and the drain is connected to the other end of the resistor R102. Ground V
NMOS transistor N10 whose source is connected to SS
3, the capacitor C103 connected to the other end of the resistor R102 and the ground VSS, and the pulse output signal PO2 output from the other end of the resistor R102 are input to the gate, and the power supply VCC
A PMOS transistor P104 having a source connected to the last pulse signal output terminal and a drain connected to the final pulse signal output terminal;
The drain of the S-transistor P104 and the capacitor C104 connected to the ground VSS, and the PMOS transistor P
A resistor R103 whose one end is connected to the drain of 104,
And the pulse output signal PO2 output from the other end of the resistor R102 is input to the gate, the drain is connected to the other end of the resistor R103, and the source is connected to the ground VSS.
It is composed of an S transistor N104.

【0006】図1(c)のように構成されるこの遅延回
路は、図2(b)に示すように入力パルス信号PIがロ
ーレベルからハイレベルに遷移すると、遅延成分がキャ
パシタC103になり、入力パルス信号PIがハイレベ
ルからローレベルに遷移すると、遅延成分が抵抗R10
2とキャパシタC103とになって、遅延時間に差が生
ずる。すなわち、パルス出力信号PO2はハイレベルか
らローレベルへの遷移よりローレベルからハイレベルへ
の遷移において遅延時間が短くなる。即ち、図1(c)
の遅延回路は、入力パルス信号に対する応答は図1
(a)に比べて速いが、出力端のキャパシタにより入力
パルス信号の遅延は(b)より長くできる。
In this delay circuit constructed as shown in FIG. 1C, when the input pulse signal PI transits from the low level to the high level as shown in FIG. 2B, the delay component becomes the capacitor C103, When the input pulse signal PI transits from the high level to the low level, the delay component becomes the resistance R10.
2 and the capacitor C103, a difference occurs in delay time. That is, the pulse output signal PO2 has a shorter delay time at the transition from the low level to the high level than at the transition from the high level to the low level. That is, FIG. 1 (c)
The delay circuit of Fig. 1 shows the response to the input pulse signal.
Although faster than in (a), the delay of the input pulse signal can be made longer than in (b) by the capacitor at the output end.

【0007】米国特許出願された従来の遅延回路(米国
特許第4,947,374号)は、図1(d)に示すよ
うに入力パルス信号PIをゲートに入力し、電源VCC
にソースが連結されたPMOSトランジスタP105
と、入力パルス信号PIをゲートに入力し、PMOSト
ランジスタP105のドレインにソースが連結されたP
MOSトランジスタP106と、入力パルス信号PIを
ゲートに入力し、PMOSトランジスタP106のドレ
インにソースが連結されたPMOSトランジスタP10
7と、入力パルス信号PIをゲートに入力し、PMOS
トランジスタP107のドレインにソースが連結され、
パルス信号出力端PO3にドレインが連結されたPMO
SトランジスタP108と、入力パルス信号PIをゲー
トに入力し、ドレインがPMOSトランジスタP108
のドレインに連結され、接地VSSにソースが連結され
たNMOSトランジスタN105と、PMOSトランジ
スタP108のドレインと接地VSSに連結されたキャ
パシタC105と、パルス出力信号PO3をゲートに入
力し、電源VCCにソースが連結され、ドレインへ最終
パルス出力信号を出力するPMOSトランジスタP10
9と、及びパルス出力信号PO3をゲートに入力し、P
MOSトランジスタP109のドレインにドレインが連
結され、接地VSSにソースが連結されたNMOSトラ
ンジスタN106とから構成される。
The conventional delay circuit (US Pat. No. 4,947,374) filed in the US patent inputs the input pulse signal PI to the gate as shown in FIG.
PMOS transistor P105 whose source is connected to
And the input pulse signal PI is input to the gate, and the source is connected to the drain of the PMOS transistor P105.
A MOS transistor P106 and a PMOS transistor P10 having a gate connected to the input pulse signal PI and a source connected to the drain of the PMOS transistor P106.
7 and the input pulse signal PI are input to the gate, and the PMOS
The source is connected to the drain of the transistor P107,
PMO having a drain connected to the pulse signal output terminal PO3
The S-transistor P108 and the input pulse signal PI are input to the gate, and the drain is the PMOS transistor P108.
The NMOS transistor N105 connected to the drain of the NMOS transistor N105, the source of which is connected to the ground VSS, the drain of the PMOS transistor P108, the capacitor C105 connected to the ground VSS, and the pulse output signal PO3 are input to the gate of the power supply VCC. A PMOS transistor P10 which is connected and outputs a final pulse output signal to the drain
9 and the pulse output signal PO3 are input to the gate, and P
The drain is connected to the drain of the MOS transistor P109, and the NMOS transistor N106 is connected to the ground VSS at the source.

【0008】図1(d)のように構成される従来の遅延
回路は、抵抗の代わりに多数のPMOSトランジスタP
106、P107、P108を使用している。この回路
の遅延状態を図2(c)に示す。即ち、入力パルス信号
PIがローレベルからハイレベルに遷移すると、遅延成
分がキャパシタC105になり、入力パルス信号PIが
ハイレベルからローレベルに遷移すると、遅延成分が多
数のPMOSトランジスタP106、P107、P10
8とキャパシタC105になって、遅延時間に差が生ず
る。従って、パルス出力信号PO3は、ハイレベルから
ローレベルに遷移する遅延時間がローレベルからハイレ
ベルに遷移する遅延時間より長くなる。つまり、図1
(d)の遅延回路は、入力パルス信号に対する応答は図
1(a)に比べて速いが、出力端のキャパシタにより入
力パルス信号の遅延は(b)より長くなるので、図2
(c)のような特性となる。
In the conventional delay circuit constructed as shown in FIG. 1D, a large number of PMOS transistors P are used instead of resistors.
106, P107, and P108 are used. The delay state of this circuit is shown in FIG. That is, when the input pulse signal PI changes from the low level to the high level, the delay component becomes the capacitor C105, and when the input pulse signal PI changes from the high level to the low level, the delay component has a large number of PMOS transistors P106, P107, P10.
8 and the capacitor C105, a difference occurs in the delay time. Therefore, the pulse output signal PO3 has a delay time for transition from the high level to the low level longer than a delay time for transition from the low level to the high level. That is, FIG.
Although the delay circuit of (d) has a faster response to the input pulse signal than that of FIG. 1 (a), the delay of the input pulse signal becomes longer than that of (b) due to the capacitor at the output end, so that the delay circuit of FIG.
The characteristics are as shown in (c).

【0009】米国特許出願された従来の遅延回路(米国
特許第4,931,998号)は、図1(e)に示すよ
うに、入力パルス信号PIをゲートに入力し、電源VC
Cにソースが連結されたPMOSトランジスタP110
と、PMOSトランジスタP110のドレインに一端が
連結され、他端がパルス信号出力端P104に連結され
た抵抗R104と、入力パルス信号PIをゲートに入力
し、抵抗R104の他端にドレインが連結され、接地V
SSにソースが連結されたNMOSトランジスタN10
6と、パルス出力信号PO4をゲートに入力し、電源V
CCにソースが連結されて最終パルス出力信号をドレイ
ンに出力するPMOSトランジスタP111と、PMO
SトランジスタP111のドレインに一端が連結された
抵抗R105と、及びパルス出力信号PO4をゲートに
入力し、抵抗R105の他端にドレインが連結され、接
地VSSにソースが連結されたNMOSトランジスタN
107とから構成される。
In the conventional delay circuit (US Pat. No. 4,931,998) filed in the US patent, as shown in FIG. 1E, the input pulse signal PI is input to the gate and the power supply VC is supplied.
PMOS transistor P110 whose source is connected to C
And a resistor R104 having one end connected to the drain of the PMOS transistor P110 and the other end connected to the pulse signal output end P104, and the input pulse signal PI input to the gate, and the drain connected to the other end of the resistor R104. Ground V
NMOS transistor N10 whose source is connected to SS
6 and the pulse output signal PO4 are input to the gate, and the power supply V
A PMOS transistor P111 having a source connected to CC and outputting a final pulse output signal to a drain;
A resistor R105 whose one end is connected to the drain of the S-transistor P111 and a pulse output signal PO4 are input to the gate, the drain is connected to the other end of the resistor R105, and the NMOS transistor N whose source is connected to the ground VSS.
And 107.

【0010】図1(e)のように構成される従来の遅延
回路は、キャパシタを除去した形態であるので、図2
(d)のようにローレベルからハイレベルに遷移するの
は、ほとんど遅延がなく、ハイレベルからローレベルに
遷移するのは抵抗成分による遅延にのみ依存するので遅
延されるが、図1(c)の遅延回路に比べて遅延効果が
少ない。即ち、図1(e)の遅延回路は、入力パルス信
号に対する応答は速いが、遅延成分が抵抗だけなので遅
延時間は短くなる。
Since the conventional delay circuit configured as shown in FIG. 1 (e) has a form in which the capacitor is removed,
The transition from the low level to the high level as shown in (d) has almost no delay, and the transition from the high level to the low level is delayed because it depends only on the delay due to the resistance component. 2) The delay effect is less than that of the delay circuit. That is, the delay circuit of FIG. 1 (e) has a fast response to the input pulse signal, but the delay component is only the resistance, so the delay time is short.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】従って、従来の遅延回
路は、入力パルス信号を遅延させるために抵抗とキャパ
シタを用いるので、出力端の抵抗とキャパシタの影響で
遅延を大きくすればするだけ入力されるパルス信号に対
する応答は遅くなるか、或いは応答が速くなると遅延時
間は少なくなるという短所があった。
Therefore, since the conventional delay circuit uses the resistor and the capacitor for delaying the input pulse signal, only the delay is increased by the influence of the resistor and the capacitor at the output end. There is a disadvantage that the response to the pulse signal becomes slower or the delay becomes shorter when the response becomes faster.

【0012】かかる短所を改善するための本発明は、入
力パルス信号にすばやく応答し、十分な遅延時間をとる
ことができるパルス伸長回路を提供することにその目的
がある。
It is an object of the present invention to solve the above drawbacks by providing a pulse expansion circuit capable of responding quickly to an input pulse signal and taking a sufficient delay time.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のパルス伸長回路は入力パルス信号を一定の
幅だけ伸長させるパルス伸長部と、及び前記パルス伸長
部から出力される信号を伸長させる遅延部とから構成さ
れることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a pulse expansion circuit of the present invention comprises a pulse expansion unit for expanding an input pulse signal by a constant width, and a signal output from the pulse expansion unit. It is characterized by comprising a delay unit for expanding.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態を詳細に説明する。図3は本発明が適用さ
れる半導体メモリ回路の全体構成図である。本発明が適
用される半導体メモリ回路は、図3に示すように、入力
アドレスAIを受けてTTLレベルからCMOSレベル
に変換させるアドレス入力バッファ1と、アドレス入力
バッファ1から出力される信号を受けてデコードする行
アドレスデコーダ2及び列アドレスデコーダ3と、行ア
ドレスデコーダ2及び列アドレスデコーダ3から出力さ
れる信号を受けてメインセルアレー4の一つのセルを選
択するワード線ドライバ5及び列セレクタ6と、アドレ
ス入力バッファ1の変化を感知して内部的なクロックと
して用いるパルスを発生させるATD(Address
Transition Detection)回路1
0と、多数個のATD回路10から発生したパルスを合
算するATD合算部11と、ATD合算部11から出力
される信号を伸長させるATD合算伸長回路12と、A
TD合算伸長回路12から出力される信号に基づいて列
セレクタ6から出力される信号を増幅するセンス増幅部
7と、ATD合算伸長回路12から出力される信号に基
づいてセンス増幅部7から出力される信号の出力を制御
するデータ出力部8と、及びデータ出力部8から出力さ
れるデータを最終的に伝達するデータ出力バッファ9と
から構成される。ここで、本発明によるパルス伸長回路
はATD合算伸長回路12に該当し、ATD合算伸長回
路12から発生された信号はワード線ドライバ5と、セ
ンス増幅部7と、データ出力部8とをパルス期間にのみ
作動させることにより、長期間での消費電力を減少させ
る役割を果たす。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 3 is an overall configuration diagram of a semiconductor memory circuit to which the present invention is applied. As shown in FIG. 3, a semiconductor memory circuit to which the present invention is applied receives an address input buffer 1 for receiving an input address AI and converting it from a TTL level to a CMOS level, and a signal output from the address input buffer 1. A row address decoder 2 and a column address decoder 3 for decoding, a word line driver 5 and a column selector 6 for receiving one of the signals output from the row address decoder 2 and the column address decoder 3 and selecting one cell of the main cell array 4. , ATD (Address) that detects a change in the address input buffer 1 and generates a pulse to be used as an internal clock.
Transition Detection) circuit 1
0, an ATD summing unit 11 that sums the pulses generated from a large number of ATD circuits 10, an ATD summing expansion circuit 12 that expands the signal output from the ATD summing unit 11, and A
A sense amplifier 7 that amplifies a signal output from the column selector 6 based on a signal output from the TD sum expansion circuit 12, and a sense amplifier 7 outputs a signal output from the ATD sum expansion circuit 12. And a data output buffer 9 for finally transmitting the data output from the data output unit 8. Here, the pulse expansion circuit according to the present invention corresponds to the ATD sum expansion circuit 12, and the signal generated from the ATD sum expansion circuit 12 is pulsed through the word line driver 5, the sense amplifier unit 7, and the data output unit 8. By operating only in, it plays the role of reducing the power consumption in the long term.

【0015】図4は本発明によるパルス伸長回路の構成
図である。本発明によるパルス伸長回路は図4に示すよ
うにパルス伸長部100と遅延部200から構成され
る。
FIG. 4 is a block diagram of a pulse expansion circuit according to the present invention. The pulse expansion circuit according to the present invention comprises a pulse expansion unit 100 and a delay unit 200 as shown in FIG.

【0016】パルス伸長部100は入力パルス信号を一
定の幅だけ伸長させるもので、入力パルス信号を一定の
幅だけ伸長させる一つ又は二つ以上からなる多数個のパ
ルス伸長器110、120と、パルス伸長器110、1
20から出力される信号を安定化させるインバーター部
130とから構成される。
The pulse expansion unit 100 expands an input pulse signal by a constant width, and includes a plurality of pulse expanders 110 and 120, each of which expands the input pulse signal by a constant width. Pulse stretchers 110, 1
An inverter unit 130 that stabilizes the signal output from 20 is provided.

【0017】ここで、パルス伸長器110、120は、
入力パルス信号が正信号の場合には、一定の幅だけ伸長
させる正パルス伸長パルス伸長インバーター111で構
成され、そして入力信号が負信号の場合には、一定の幅
だけ伸長させる負パルス伸長インバーター112で構成
されるか、もしくは入力パルス信号を一定の幅だけ伸長
させる正パルス伸長インバーター111と正パルス伸長
インバーター111から出力される信号を一定の幅だけ
伸長させる負パルス伸長インバーター112で構成され
る。この際、入力パルス信号を負パルス伸長インバータ
ー112で先ず伸長させた後、正パルス伸長インバータ
ー111で後から伸長させるように、正パルス伸長イン
バーター111と負パルス伸長インバーター112の位
置を変更させることもできる。
Here, the pulse stretchers 110 and 120 are
When the input pulse signal is a positive signal, it is composed of a positive pulse expansion pulse expansion inverter 111 which expands it by a constant width, and when the input signal is a negative signal, a negative pulse expansion inverter 112 which expands it by a constant width. Or a positive pulse expansion inverter 111 that expands the input pulse signal by a fixed width and a negative pulse expansion inverter 112 that expands the signal output from the positive pulse expansion inverter 111 by a fixed width. At this time, the positions of the positive pulse expansion inverter 111 and the negative pulse expansion inverter 112 may be changed such that the input pulse signal is first expanded by the negative pulse expansion inverter 112 and then expanded by the positive pulse expansion inverter 111 later. it can.

【0018】ここで、正パルス伸長インバーター111
は、入力パルス信号又は負パルス伸長インバーター11
2の反転出力信号をゲートに入力し、電源VCCにソー
スが連結されたPMOSトランジスタP1と、PMOS
トランジスタP1のドレインに直列連結された抵抗R
1、R2と、抵抗R1、R2と接地VSSに連結された
キャパシタC1と、入力パルス信号又は負パルス伸長イ
ンバーター112の反転出力信号をゲートに入力し、抵
抗R2にソースが連結されたPMOSトランジスタP2
と、及び入力パルス信号又は負パルス伸長インバーター
112の出力信号をゲートに入力し、PMOSトランジ
スタP2のドレインにドレインが連結され、接地VSS
にソースが連結されたNMOSトランジスタN1とから
構成される。
Here, the positive pulse expansion inverter 111
Is an input pulse signal or negative pulse expansion inverter 11
The inverted output signal of 2 is input to the gate, and the PMOS transistor P1 whose source is connected to the power supply VCC and the PMOS transistor P1
A resistor R connected in series to the drain of the transistor P1
1, R2, resistors R1 and R2, a capacitor C1 connected to the ground VSS, an input pulse signal or an inverted output signal of the negative pulse expansion inverter 112 is input to the gate, and the source is connected to the resistor R2.
And the input pulse signal or the output signal of the negative pulse expansion inverter 112 is input to the gate, the drain is connected to the drain of the PMOS transistor P2, and the ground VSS
And an NMOS transistor N1 whose source is connected to.

【0019】負パルス伸長インバーター112は、入力
パルス信号又は正パルス伸長インバーター111の反転
出力信号をゲートに入力し、電源VCCにソースが連結
されたPMOSトランジスタP3と、入力パルス信号又
は正パルス伸長インバーター111の出力信号をゲート
に入力し、PMOSトランジスタP3のドレインにドレ
インが連結されたNMOSトランジスタN2と、NMO
SトランジスタN2のソースに直列連結された抵抗R
3、R4と、抵抗R3、R4と接地VSSに連結された
キャパシタC2と、及び入力パルス信号又は正パルス伸
長インバーター111の出力信号をゲートに入力し、抵
抗P4にドレインが連結され、接地VSSにソースが連
結されたNMOSトランジスタN3とから構成される。
The negative pulse expansion inverter 112 inputs the input pulse signal or the inverted output signal of the positive pulse expansion inverter 111 to the gate, and the PMOS transistor P3 whose source is connected to the power supply VCC and the input pulse signal or the positive pulse expansion inverter. The output signal of the input terminal 111 is input to the gate, and the drain of the PMOS transistor P3 is connected to the drain of the NMOS transistor N2 and NMO.
A resistor R connected in series to the source of the S transistor N2
3, R4, resistors R3, R4 and a capacitor C2 connected to the ground VSS, and the input pulse signal or the output signal of the positive pulse expansion inverter 111 are input to the gate, and the drain is connected to the resistor P4 to the ground VSS. It is composed of an NMOS transistor N3 whose sources are connected.

【0020】インバーター部130はパルス伸長器11
0、120の最後の段から出力される信号を反転させて
遅延部200へ出力するインバーター131と、インバ
ーター131から出力される信号をさらに反転させて遅
延部200へ出力するインバーター132とから構成さ
れる。
The inverter unit 130 is a pulse stretcher 11
The inverter 131 inverts the signal output from the last stage of 0 and 120 and outputs the inverted signal to the delay unit 200, and the inverter 132 that inverts the signal output from the inverter 131 and outputs the inverted signal to the delay unit 200. It

【0021】遅延部200はパルス伸長部100から出
力される信号を伸長させるものであって、パルス伸長部
100のインバーター131から出力される信号を遅延
させる遅延回路210と、遅延回路210から出力され
る信号とパルス伸長部100のインバーター132から
出力される信号を否定論理和するNORゲート220
と、NORゲート220から出力される信号を遅延させ
る遅延回路230と、遅延回路230から出力される信
号とパルス伸長部100のインバーター132から出力
される信号を否定論理和するNORゲート240と、及
びNORゲート240から出力される信号を反転させて
最終出力するインバーター250とから構成される。
The delay unit 200 expands the signal output from the pulse expansion unit 100. The delay unit 200 delays the signal output from the inverter 131 of the pulse expansion unit 100, and the delay circuit 210 outputs the delay circuit 210. NOR gate 220 that performs a NOR operation on the output signal and the signal output from the inverter 132 of the pulse expansion unit 100.
A delay circuit 230 that delays the signal output from the NOR gate 220, a NOR gate 240 that performs a NOR operation on the signal output from the delay circuit 230 and the signal output from the inverter 132 of the pulse expansion unit 100, and The inverter 250 is configured to invert the signal output from the NOR gate 240 and finally output the inverted signal.

【0022】このように構成される本発明によるパルス
伸長回路の動作を図5、図6、及び図7を参照して詳し
く説明する。図5(a)(b)は正パルス伸長インバー
ター111と負パルス伸長インバーター112をそれぞ
れ示し、図6(a)(b)(c)(d)は図5の正パル
ス伸長インバーター111と負パルス伸長インバーター
112の動作を示す信号波形図である。
The operation of the pulse expansion circuit according to the present invention constructed as above will be described in detail with reference to FIGS. 5, 6 and 7. 5A and 5B show the positive pulse expansion inverter 111 and the negative pulse expansion inverter 112, respectively, and FIGS. 6A, 6B, 6C and 6D show the positive pulse expansion inverter 111 and the negative pulse, respectively. FIG. 6 is a signal waveform diagram showing an operation of the decompression inverter 112.

【0023】図5(a)の正パルス伸長インバーター1
11は、正信号である入力パルス信号PI11をNMO
SトランジスタN1に応じて速くイネーブルさせ、PM
OSトランジスタP1、P2と抵抗R1、R2とキャパ
シタC1に応じてゆっくりディスエーブルさせる。
Positive pulse expansion inverter 1 of FIG. 5 (a)
11 is an NMO for the input pulse signal PI11 which is a positive signal.
Enable quickly according to S-transistor N1, PM
The OS transistors P1 and P2, the resistors R1 and R2, and the capacitor C1 are slowly disabled.

【0024】即ち、図6(a)に示すように、正信号で
ある入力パルス信号PI11がローレベルからハイレベ
ルに遷移するとき、出力されるパルス出力信号PO11
が速くローレベルに遷移し、入力パルス信号PI11が
ハイレベルからローレベルに遷移するとき、出力される
パルス出力信号PO11がゆっくりハイレベルに遷移す
るようにして、入力パルス信号を伸長させて出力する。
尚、図6(c)に示すように入力パルス信号PI11が
短いパルス信号の場合にも、入力パルス信号PI11が
ローレベルからハイレベルに遷移するとき、出力される
パルス出力信号PO11が速くローレベルに遷移し、入
力パルス信号PI11がハイレベルからローレベルに遷
移するとき、出力されるパルス出力信号PO11がゆっ
くりハイレベルに遷移するようにして、伸長されたパル
ス出力信号PO11を出力させる。
That is, as shown in FIG. 6A, the pulse output signal PO11 is output when the input pulse signal PI11, which is a positive signal, transits from the low level to the high level.
Shifts to the low level quickly and the input pulse signal PI11 shifts from the high level to the low level, the output pulse output signal PO11 slowly shifts to the high level so that the input pulse signal is expanded and output. .
Even when the input pulse signal PI11 is a short pulse signal as shown in FIG. 6C, when the input pulse signal PI11 makes a transition from the low level to the high level, the pulse output signal PO11 that is output is quickly at the low level. When the input pulse signal PI11 changes from the high level to the low level, the output pulse output signal PO11 slowly changes to the high level, and the expanded pulse output signal PO11 is output.

【0025】尚、図5(b)の負パルス伸長インバータ
ー112は、入力パルス信号PI11の逆位相に負信号
である入力パルス信号PI12をPMOSトランジスタ
P3に応じて速くイネーブルさせ、NMOSトランジス
タN2、N3と抵抗R3、R4とキャパシタC2に応じ
てゆっくりディスエーブルさせる。
The negative pulse expansion inverter 112 of FIG. 5 (b) enables the input pulse signal PI12, which is a negative signal, in the opposite phase of the input pulse signal PI11 quickly according to the PMOS transistor P3, and the NMOS transistors N2 and N3. Slowly disable according to the resistors R3, R4 and the capacitor C2.

【0026】即ち、図6(b)に示すように、負信号で
ある入力パルス信号PI12がハイレベルからローレベ
ルに遷移するとき、出力されるパルス出力信号PO12
が速くハイレベルに遷移し、入力パルス信号PI12が
ローレベルからハイレベルに遷移するとき、出力される
パルス出力信号PO12がゆっくりローレベルに遷移す
るようにして、入力パルス信号を伸長させて出力する。
尚、図6(d)に示すように入力パルス信号PI12が
短いパルス信号の場合にも、入力パルス信号PI12が
ハイレベルからローレベルに遷移するとき、出力される
パルス出力信号PO12が速くハイレベルに遷移し、入
力パルス信号PI12がローレベルからハイレベルに遷
移するとき、出力されるパルス出力信号PO12がゆっ
くりローレベルに遷移するようにして、伸長されたパル
ス出力信号PO12を出力させる。
That is, as shown in FIG. 6 (b), when the input pulse signal PI12, which is a negative signal, changes from the high level to the low level, the pulse output signal PO12 is output.
Shifts to the high level quickly and the input pulse signal PI12 shifts from the low level to the high level, the output pulse output signal PO12 slowly shifts to the low level so that the input pulse signal is extended and output. .
Even when the input pulse signal PI12 is a short pulse signal as shown in FIG. 6D, when the input pulse signal PI12 makes a transition from the high level to the low level, the pulse output signal PO12 that is output is quickly at the high level. When the input pulse signal PI12 changes from low level to high level, the output pulse output signal PO12 slowly changes to low level, and the expanded pulse output signal PO12 is output.

【0027】従って、パルス伸長回路のパルス伸長器1
10、120を図5(a)の正パルス伸長インバーター
111のみで構成する場合には、正入力パルス信号PI
11を伸長させて出力し、図5(b)の負パルス伸長イ
ンバーター112のみで構成する場合には、負入力パル
ス信号PI12を伸長させて出力する。
Therefore, the pulse stretcher 1 of the pulse stretcher circuit
If only the positive pulse expansion inverter 111 shown in FIG.
11 is expanded and output, and when only the negative pulse expansion inverter 112 of FIG. 5B is used, the negative input pulse signal PI12 is expanded and output.

【0028】図4に示すように、パルス伸長器110、
120が正パルス伸長インバーター111と負パルス伸
長インバーター112で構成される場合には、入力パル
ス信号が正パルス信号でも負パルス信号でも構わず、入
力されるパルス信号を伸長させて遅延効果を倍加させ
る。尚、パルス伸長器110、120を直列に多数個連
結することにより、入力される入力パルス信号をより長
く伸長させることができる。
As shown in FIG. 4, the pulse stretcher 110,
When 120 is composed of the positive pulse expansion inverter 111 and the negative pulse expansion inverter 112, the input pulse signal may be a positive pulse signal or a negative pulse signal, and the input pulse signal is expanded to double the delay effect. . By connecting a plurality of pulse expanders 110 and 120 in series, the input pulse signal to be input can be expanded longer.

【0029】図4のようにパルス伸長器110、120
を正パルス伸長インバーター111と負パルス伸長イン
バーター112で構成する場合の動作を図6を参照して
詳しく説明する。入力パルス信号PIは正パルス伸長イ
ンバーター111により図6(a)のように負パルス信
号として伸長され、その負パルス信号は再び負パルス伸
長インバーター112により図6(b)のように正パル
ス信号に戻されながら伸長される。尚、これをさらにパ
ルス伸長器120に加えさせて処理することにより、遅
延効果を倍加させることができる。
As shown in FIG. 4, pulse stretchers 110 and 120 are provided.
The operation in the case where is composed of the positive pulse expansion inverter 111 and the negative pulse expansion inverter 112 will be described in detail with reference to FIG. The input pulse signal PI is expanded as a negative pulse signal by the positive pulse expansion inverter 111 as shown in FIG. 6A, and the negative pulse signal is converted into a positive pulse signal by the negative pulse expansion inverter 112 as shown in FIG. 6B. It is extended while being returned. The delay effect can be doubled by further adding this to the pulse stretcher 120 for processing.

【0030】パルス伸長器110、120から出力され
る信号は、インバーター部130のインバーター13
1、132で安定化して一定のパルス幅をもつ信号P2
として出力される。インバーター部130のインバータ
ー131から出力されるパルス出力信号は、一般的な遅
延回路210で遅延した後、NORゲート220でイン
バーター132から出力されるパルス出力信号P2と否
定論理和され、再びNORゲート220から出力される
信号は遅延回路230で遅延した後、NORゲート24
0でインバーター132から出力されるパルス出力信号
P2と否定論理和されることにより、所望のパルス幅だ
け伸長される。NORゲート240から出力される信号
は、さらにインバーター250で反転されて所望のパル
ス幅だけ伸長されたパルス出力信号P3として最終出力
される。
The signals output from the pulse stretchers 110 and 120 are output to the inverter 13 of the inverter unit 130.
Signal P2 stabilized at 1, 132 and having a constant pulse width
Is output as The pulse output signal output from the inverter 131 of the inverter unit 130 is delayed by the general delay circuit 210, and then NORed with the pulse output signal P2 output from the inverter 132 by the NOR gate 220, and the NOR gate 220 is again used. The signal output from the NOR gate 24 is delayed by the delay circuit 230.
When it is 0, the logical sum of the pulse output signal P2 output from the inverter 132 and the desired pulse width is extended. The signal output from the NOR gate 240 is further inverted by the inverter 250 and finally output as the pulse output signal P3 expanded by a desired pulse width.

【0031】従って、図7(a)に示すように本発明に
よるパルス伸長器110、120を用いる場合、イネー
ブル時には出力端の抵抗とキャパシタが負荷として作用
しないので、図1の従来の遅延回路を使用するのに比べ
て速くイネーブルされ、ディスエーブル時には抵抗とキ
ャパシタが共に負荷として作用して遅くディスエーブル
されるので、入力信号に対して長いパルス幅をもつ信号
を発生させることができる。尚、図7(b)に示すよう
に、本発明によるパルス伸長器110、120を用いる
場合、短いパルス信号が入力されても一般的なパルス幅
をもつ信号を出力させることができる。
Therefore, when the pulse stretchers 110 and 120 according to the present invention are used as shown in FIG. 7A, the resistance and the capacitor at the output end do not act as a load at the time of enabling, so that the conventional delay circuit of FIG. It is enabled faster than it is used, and when it is disabled, the resistor and the capacitor both act as a load and are disabled later, so that a signal having a long pulse width can be generated with respect to the input signal. As shown in FIG. 7B, when the pulse expanders 110 and 120 according to the present invention are used, a signal having a general pulse width can be output even if a short pulse signal is input.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明によるパルス伸長回路は、従来の
遅延回路を用いるパルス伸長回路に比べて入力信号に対
して速く応答し、しかも遅延効果を増大させる効果があ
る。そして、従来の回路はこの信号を伸長させる回路が
ATDブロックに使用されたが、本発明は自動パワーダ
ウンブロック(Auto Power Down Bl
ock)に適用される。
The pulse stretcher circuit according to the present invention responds to an input signal faster than the conventional pulse stretcher circuit using a delay circuit, and has the effect of increasing the delay effect. And, in the conventional circuit, the circuit for expanding this signal is used in the ATD block, but the present invention uses the automatic power down block (Auto Power Down Bl).
oc)).

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 (a)(b)(c)(d)(e)は従来の遅
延回路の構成図である。
1A, 1B, 1C, 1D, and 1E are configuration diagrams of a conventional delay circuit.

【図2】 (a)(b)(c)(d)は図1(a)
(b)(c)(d)(e)の各部の信号波形図である。
2 (a), (b), (c), and (d) are shown in FIG. 1 (a).
It is a signal waveform diagram of each part of (b) (c) (d) (e).

【図3】 本発明が適用される半導体メモリ回路の全体
構成図である。
FIG. 3 is an overall configuration diagram of a semiconductor memory circuit to which the present invention is applied.

【図4】 本発明によるパルス伸長回路の構成図であ
る。
FIG. 4 is a configuration diagram of a pulse expansion circuit according to the present invention.

【図5】 (a)は図4の正パルス伸長インバーターの
構成図、(b)は図4の負パルス伸長インバーターの構
成図である。
5A is a block diagram of the positive pulse expansion inverter shown in FIG. 4, and FIG. 5B is a block diagram of the negative pulse expansion inverter shown in FIG.

【図6】 (a)(b)(c)(d)は図5(a)
(b)の各部の信号波形図である。
6 (a), (b), (c), and (d) are shown in FIG. 5 (a).
It is a signal waveform diagram of each part of (b).

【図7】 (a)(b)は図1及び図5を図4に適用し
た結果の信号波形図である。
7 (a) and 7 (b) are signal waveform diagrams as a result of applying FIGS. 1 and 5 to FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…アドレス入力バッファ、2…行アドレスデコーダ、
3…列アドレスデコーダ、4…メインセルアレー、5…
ワード線ドライバ、6…列セレクタ、7…センス増幅
部、8…データ出力部、9…データ出力バッファ、10
…ATD回路、11…ATD合算部、12…ATD合算
伸長回路、100…パルス伸長部、110,120…パ
ルス伸長器、111,121…正パルス伸長インバータ
ー、112,122…負パルス伸長インバーター、13
0…インバーター部、131,132,250…インバ
ーター、200…遅延部、210,230…遅延回路、
220,240…NORゲート、P1〜P3…PMOS
トランジスタ、N1〜N3…NMOSトランジスタ、R
1〜R4…抵抗、C1,C2…キャパシタ。
1 ... Address input buffer, 2 ... Row address decoder,
3 ... Column address decoder, 4 ... Main cell array, 5 ...
Word line driver, 6 ... Column selector, 7 ... Sense amplification section, 8 ... Data output section, 9 ... Data output buffer, 10
... ATD circuit, 11 ... ATD summing unit, 12 ... ATD summing expansion circuit, 100 ... Pulse expanding unit, 110, 120 ... Pulse expander, 111, 121 ... Positive pulse expanding inverter, 112, 122 ... Negative pulse expanding inverter, 13
0 ... Inverter section, 131, 132, 250 ... Inverter, 200 ... Delay section, 210, 230 ... Delay circuit,
220, 240 ... NOR gates, P1-P3 ... PMOS
Transistors, N1 to N3 ... NMOS transistors, R
1 to R4 ... Resistors, C1, C2 ... Capacitors.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力パルス信号を一定の幅だけ伸長させ
るパルス伸長部(100)と、及び前記パルス伸長部
(100)から出力される信号を伸長させる遅延部(2
00)とから構成されることを特徴とするパルス伸長回
路。
1. A pulse expansion unit (100) for expanding an input pulse signal by a constant width, and a delay unit (2) for expanding a signal output from the pulse expansion unit (100).
00) and a pulse expansion circuit.
【請求項2】 前記パルス伸長部(100)は、 入力パルス信号を一定の幅だけ伸長させる多数個のパル
ス伸長器(110,120)と、及び前記パルス伸長器
(110,120)から出力される信号を安定化させる
インバーター部(130)とから構成されることを特徴
とする請求項1記載のパルス伸長回路。
2. The pulse expander (100) outputs a plurality of pulse expanders (110, 120) for expanding an input pulse signal by a constant width, and the pulse expanders (110, 120). 2. The pulse expansion circuit according to claim 1, further comprising an inverter unit (130) for stabilizing the signal.
【請求項3】 前記パルス伸長器(110,120)
は、 入力パルス信号を一定の幅だけ反転させて伸長させる正
パルス伸長インバーター(111)と、及び前記正パル
ス伸長インバーター(111)から出力される反転させ
られた信号を一定の幅だけ反転させて伸長させる負パル
ス伸長インバーター(112)とから構成されることを
特徴とする請求項2記載のパルス伸長回路。
3. The pulse stretcher (110, 120).
Is a positive pulse expansion inverter (111) that inverts and expands an input pulse signal by a certain width, and an inverted signal output from the positive pulse expansion inverter (111) by a certain width. 3. The pulse expansion circuit according to claim 2, comprising a negative pulse expansion inverter (112) for expanding.
【請求項4】 前記パルス伸長器(110,120)
は、 入力パルス信号を一定の幅だけ反転させて伸長させる負
パルス伸長インバーター(112)と、及び前記負パル
ス伸長インバーター(112)から出力される反転され
た信号を一定の幅だけ反転させて伸長させる正パルス伸
長インバーター(111)とから構成されることを特徴
とする請求項2記載のパルス伸長回路。
4. The pulse stretcher (110, 120).
Is a negative pulse expansion inverter (112) for inverting and expanding the input pulse signal by a constant width, and inverting and expanding the inverted signal output from the negative pulse expansion inverter (112) by a constant width. The pulse expansion circuit according to claim 2, wherein the pulse expansion circuit comprises a positive pulse expansion inverter (111).
【請求項5】 前記遅延部(200)は、 前記パルス伸長部(100)から出力される信号を遅延
させる第1遅延回路(210)と、 前記第1遅延回路(210)から出力される信号と前記
パルス伸長部(100)から出力される信号を否定論理
和する第1NORゲート(220)と、 前記第1NORゲート(220)から出力される信号を
遅延させる第2遅延回路(230)と、 前記第2遅延回路(230)から出力される信号と前記
パルス伸長部(100)から出力される信号を否定論理
和する第2NORゲート(240)と、及び前記第2N
ORゲート(240)から出力される信号を反転させて
出力するインバーター(250)とから構成されること
を特徴とする請求項1記載のパルス伸長回路。
5. The delay unit (200) includes a first delay circuit (210) for delaying a signal output from the pulse expansion unit (100), and a signal output from the first delay circuit (210). A first NOR gate (220) that performs a NOR operation on the signal output from the pulse stretcher (100), and a second delay circuit (230) that delays the signal output from the first NOR gate (220), A second NOR gate (240) that performs a NOR operation on the signal output from the second delay circuit (230) and the signal output from the pulse expansion unit (100); and the second N gate.
The pulse expansion circuit according to claim 1, comprising an inverter (250) for inverting and outputting a signal output from the OR gate (240).
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008312216A (en) * 2007-06-18 2008-12-25 Micrel Inc Pon burst mode receiver with fast decision of threshold setting
JP2013021388A (en) * 2011-07-07 2013-01-31 Seiko Npc Corp Cmos inverter

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03220914A (en) * 1990-01-26 1991-09-30 Sanyo Electric Co Ltd Delay circuit
JPH05110396A (en) * 1991-10-16 1993-04-30 Olympus Optical Co Ltd Signal delay circuit
JPH063869A (en) * 1992-06-23 1994-01-14 Fuji Photo Film Co Ltd Liquid developer for elctrostatic image
JPH0795024A (en) * 1993-06-11 1995-04-07 Mitsubishi Electric Corp Delaying circuit, output circuit with delaying circuit, and noise canceller circuit with delaying circuit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03220914A (en) * 1990-01-26 1991-09-30 Sanyo Electric Co Ltd Delay circuit
JPH05110396A (en) * 1991-10-16 1993-04-30 Olympus Optical Co Ltd Signal delay circuit
JPH063869A (en) * 1992-06-23 1994-01-14 Fuji Photo Film Co Ltd Liquid developer for elctrostatic image
JPH0795024A (en) * 1993-06-11 1995-04-07 Mitsubishi Electric Corp Delaying circuit, output circuit with delaying circuit, and noise canceller circuit with delaying circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008312216A (en) * 2007-06-18 2008-12-25 Micrel Inc Pon burst mode receiver with fast decision of threshold setting
JP2013021388A (en) * 2011-07-07 2013-01-31 Seiko Npc Corp Cmos inverter

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